Гетероперехід: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [неперевірена версія] |
м r2.7.1) (робот додав: et:Heterosiire |
мНемає опису редагування |
||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
'''Гетероперехід''' - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема [[напівпровідник]]ами. |
'''Гетероперехід''' - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема [[напівпровідник]]ами. |
||
Термін вживається на противагу [[p-n перехід|p-n переходу]], в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, |
Термін вживається на противагу [[p-n перехід|p-n переходу]], в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. |
||
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини [[заборонена зона|забороненої зони]] при переході від одного напівпровідника до іншого. |
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини [[заборонена зона|забороненої зони]] при переході від одного напівпровідника до іншого. |
||
Версія за 15:44, 29 лютого 2012
Гетероперехід - контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками.
Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу.
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини забороненої зони при переході від одного напівпровідника до іншого.
Гетеропереходи виникають при виготовленні надґраток, квантових ям, квантових дротин, квантових точок. Введення гетеропереходу між емітером і базою в біполярних транзисторах значно покращує їхні характеристики.
Для виготовлення гетеропереходів використовується метод молекулярної променевої епітаксії. Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в періодах кристалічної ґратки. Популярною парою для гетеропереходів є GaAs/AlxGa1-xAs.