Гетероперехід: відмінності між версіями
| [неперевірена версія] | [перевірена версія] |
мНемає опису редагування |
оформлення |
||
| (Не показано 4 проміжні версії 4 користувачів) | |||
| Рядок 1: | Рядок 1: | ||
'''Гетероперехід''' |
'''Гетероперехід''' — контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема [[напівпровідник]]ами. |
||
Термін вживається на противагу [[p-n перехід|p-n переходу]], в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. |
Термін вживається на противагу [[p-n перехід|p-n переходу]], в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу. |
||
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини [[заборонена зона|забороненої зони]] при переході від одного напівпровідника до іншого. |
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини [[заборонена зона|забороненої зони]] при переході від одного напівпровідника до іншого. |
||
| Рядок 9: | Рядок 9: | ||
Для виготовлення гетеропереходів використовується метод [[молекулярна променева епітаксія|молекулярної променевої епітаксії]]. Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в [[період кристалічної ґратки|періодах кристалічної ґратки]]. Популярною парою для гетеропереходів є [[GaAs]]/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As. |
Для виготовлення гетеропереходів використовується метод [[молекулярна променева епітаксія|молекулярної променевої епітаксії]]. Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в [[період кристалічної ґратки|періодах кристалічної ґратки]]. Популярною парою для гетеропереходів є [[GaAs]]/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As. |
||
== |
== Див. також == |
||
*[[Гетеростуктури]] |
* [[Гетеростуктури]] |
||
*[[ |
* [[Надґратка]] |
||
{{Бібліоінформація}} |
|||
[[Категорія: |
[[Категорія:Фізика твердого тіла]] |
||
[[de:Heteroübergang]] |
|||
[[en:Heterojunction]] |
|||
[[es:Heterounión]] |
|||
[[et:Heterosiire]] |
|||
[[fr:Hétérojonction]] |
|||
[[ja:ヘテロ接合 (半導体)]] |
|||
[[kk:Гетер өткелі]] |
|||
[[pl:Heterozłącze]] |
|||
[[ru:Гетеропереход]] |
|||
[[zh:半导体异质结构]] |
|||
Поточна версія на 14:03, 25 жовтня 2023
Гетероперехід — контакт між двома різними за хімічною будовою матеріалами, зокрема напівпровідниками.
Термін вживається на противагу p-n переходу, в якому існує контакт між двома областями одного матеріалу, але з різними домішками, частка яких дуже маленька, тож вони не змінюють зонної структури матеріалу.
Гетеропереходи характеризуються зміною положення й ширини забороненої зони при переході від одного напівпровідника до іншого.
Гетеропереходи виникають при виготовленні надґраток, квантових ям, квантових дротин, квантових точок. Введення гетеропереходу між емітером і базою в біполярних транзисторах значно покращує їхні характеристики.
Для виготовлення гетеропереходів використовується метод молекулярної променевої епітаксії. Важливим параметром якості гетеропереходу є відсутність дислокацій на границі. Для цього використовуються речовини із малою різницею в періодах кристалічної ґратки. Популярною парою для гетеропереходів є GaAs/AlxGa1-xAs.
 | |
|---|---|
| Нормативний контроль |