Dispositivo multiporta
Un Dispositivo multiporta (in inglese multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo. Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti. Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET). I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.
Planar double-gate transistor
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Flexfet
[modifica | modifica wikitesto]FinFET
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Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di Berkeley per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato SOI[1], basato sul precedente transistor DELTA (a singola porta)[2].
Transistor a tre porte
[modifica | modifica wikitesto]Gate-all-around (GAA) FET
[modifica | modifica wikitesto]Transistor messo in produzione per la prima volta nel 2022[3]. La variante di Intel si chiama RibbonFET[4].
MBCFET
[modifica | modifica wikitesto]È una variante GAAFET prodotta da Samsung: Multi-Bridge Channel FET (FET con canale multiponte)[3].
Note
[modifica | modifica wikitesto]- ^ Huang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999.
- ^ Hisamoto, D. et al. (1991) "Impact of the vertical SOI 'Delta' Structure on Planar Device Technology" IEEE Trans. Electron. Dev. 41 p. 745.
- ^ a b Samsung: 3 nanometri e transistor GAAFET ormai ai nastri di partenza, in hwupgrade.it, 29 aprile 2022. URL consultato il 4 gennaio 2024.
- ^ IFS Direct Connect 2024: il 21 febbraio 2024 Intel svelerà cosa c'è dopo il processo Intel 18A, in hwupgrade.it, 4 gennaio 2024. URL consultato il 4 gennaio 2024.
Voci correlate
[modifica | modifica wikitesto]- FinFET
- RibbonFET
Collegamenti esterni
[modifica | modifica wikitesto]- (EN) Omega FinFET (TSMC), su eetimes.com. URL consultato il 1º dicembre 2015 (archiviato dall'url originale il 29 settembre 2007).
- (EN) Flexfet Transistor (American Semiconductor), su americansemi.com. URL consultato il 1º dicembre 2015 (archiviato dall'url originale il 18 dicembre 2008).
- (EN) Intel video explaining 3D ("Tri-Gate") chip and transistor design used in 22 nm architecture of Ivy Bridge, su youtube.com.
