Антимонид галлия
Антимонид галлия | |
---|---|
Общие | |
Хим. формула | GaSb |
Физические свойства | |
Состояние | твердый |
Молярная масса | 191,483 г/моль |
Плотность | 5.619 г/см³ |
Термические свойства | |
Температура | |
• плавления | 710 °C |
Критическая точка | Температура: 385 °C Давление 5,58 ГПа |
Теплопроводность | 35 Вт/(м·K) |
Удельная теплота плавления | −44,2 Дж/кг |
Структура | |
Кристаллическая структура | кубическая (а = 0,609593 нм), структура сфалерита |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 12064-03-8 |
PubChem | 4227894 и 9794125 |
Рег. номер EINECS | 235-058-8 |
SMILES | |
InChI | |
ChemSpider | 3436915 и 7969892 |
Безопасность | |
NFPA 704 | |
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. |
Антимони́д га́ллия (стибид галлия) — химическое соединение галлия и сурьмы. Химическая формула — GaSb. Представляет собой светло-серые кристаллы с металлическим блеском.
Свойства
[править | править код]- S°298: 76,17 Дж/(моль·К)
- Подвижность электронов: 4000 см²/(В·с)
- Подвижность дырок: 800 см²/(В·с)
- Эффективная масса электронов проводимости: me = 0,067m0 (где m0 — масса свободного электрона)
- Эффективная масса дырок валентной зоны: me = 0,45m0 (где m0 — масса свободного электрона)
Антимонид галлия устойчив на воздухе и в воде, медленно взаимодействует с минеральными кислотами и концентрированными растворами щелочей. Прямозонный полупроводник группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0,726 эВ при 300 K. Используется для создания светодиодов, работающих в инфракрасной области спектра, туннельных диодов.
Получение
[править | править код]Получают GaSb сплавлением Ga с 5%-ным избытком Sb в атмосфере Н2, в кварцевых или графитовых контейнерах, после чего GaSb гомогенизируют зонной плавкой.
В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |