AMOLED
AMOLED (lühend ingl k sõnades active-matrix organic light-emitting diode, ’aktiivmaatriksiga orgaaniline valgusdiood’) on Samsungi väljatöötatud OLED-ekraani tehnika, milles kasutatakse ekraani pikslite aktiivset adresseerimissüsteemi. Aktiivelemendina toimib iga pildielemendi all paiknev õhukesekileline väljatransistor (ingl thin film transistor, lühend TFT) koos kondensaatoriga, mis tüürsignaaliga saabuvat laengut säilitades hoiab piksli heleduse püsivana seni, kuni järgmises kaadris saabub järjekordne värskendussignaal. Niisiis toimub pikslitele tüürsignaali andmine AMOLED-ekraanis samamoodi kui LCD TFT vedelkristallkuvaris.
AMOLED-ekraane kasutatakse laialdaselt nutitelefonides, samuti muudes kaasaskantavates seadmetes (nutikellad, aktiivsusmonitorid kaamerad, tahvelarvutid). Esimesed AMOLED-telerid tulid müügile 2015. aastal.
Puutetundliku kihiga Super-AMOLED-ekraan võeti Samsungi telefonid es kasutusele 2010. aastal.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/4/4f/AMOLED.png/220px-AMOLED.png)
Ehitus
[muuda | muuda lähteteksti]AMOLED-ekraan koosneb OLED-pikslite maatriksist. OLED-pikslid on paigutatud õhukestele kiletransistoritele (TFT). Üldjuhul tüürib iga piksli laengut kaks TFT-d: üks alustab ja lõpetab kondensaatori laadimist ning teine hoiab piksli voolu püsivana. Sealjuures ei ole vaja suurt voolutugevust erinevalt passiivmaatriksiga OLED-idest.
Kiletransistorid luuakse polükristallilisest või amorfsest ränist aluspinnal (substraadil). Mõlemal juhul on võimalik toota substraate suhteliselt madalal temperatuuril (alla 150 °C) otse painduvatele pindadele, saades nii painduvad AMOLED-ekraanid.[1]
Vaata ka
[muuda | muuda lähteteksti]Viited
[muuda | muuda lähteteksti]- ↑ Sarma, Kalluri R.; Chanley, Charles; Dodd, Sonia R.; Roush, Jared; Schmidt, John; Srdanov, Gordana; Stevenson, Matthew; Wessel, Ralf; Innocenzo, Jeffrey; Yu, Gang; O'Regan, Marie B.; MacDonald, W. A.; Eveson, R.; Long, Ke; Gleskova, Helena; Wagner, Sigurd; Sturm, James C. (2003). "Active-matrix OLED using 150°C a-Si TFT backplane built on flexible plastic substrate (Proceedings Paper)". SPIE Proceedings. 5080: 180. DOI:10.1117/12.497638. [1]