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    Circuito Electronicos II Informe Previo 4

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    Este documento presenta un informe previo sobre la respuesta en baja frecuencia de un amplificador de una sola etapa. Incluye objetivos, marco teórico sobre respuesta en baja frecuencia para amplificadores BJT y FET, preguntas sobre el circuito propuesto y su análisis, y procedimientos para simular y medir experimentalmente el punto de trabajo y ganancia del circuito.

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    de 13

    UNMSM

    Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

    APELLIDOS Y NOMBRES: CÓDIGO:

    Bautista Aquino, Jhosep Renato 17190016

    CURSO: TEMA:

    Respuesta en Baja Frecuencia de un Amplificador


    Circuitos Electronicos II
    de una sola Etapa.

    INFORME: FECHAS: NOTA

    Previo REALIZACIÓN: ENTREGA:

    NÚMERO:

    04-05-2019 08-04-2019

    GRUPO: PROFESOR:

    “L23” / Miercoles 10:00 am – 12:00 pm Cordova Ruiz Russell

    1
    INFORME PREVIO 4
    I- OBJETIVOS
     Investigar sobre la influencia de los condensadores de acoplo y
    desacoplo sobre el punto de corte inferior de un amplificador de
    audio.

    II- MARCO TEORICO


    Respuesta en Baja Frecuencia

    Respuesta en baja frecuencia: amplificadores BJT


    El análisis de esta sección empleará la configuración de polarización por
    medio del divisor de voltaje para el BJT, aunque los resultados se pueden
    aplicar a cualquier configuración de BJT.

    Aplicando la
    regla del divisor de
    voltaje:

    2
    Para las frecuencias de banda media, la red aparecerá como se muestra en
    la figura 9.25.

    De modo que:

    La frecuencia de corte está definida

    El valor de Ri para la ecuación (9.30) se determina como

    La resistencia total en serie ahora es Ro + RL y la frecuencia de corte


    debido a Cc es

    3
    El valor de Ro resultante simplemente es:

    Podemos determinar la frecuencia de corte producida por CE utilizando la


    siguiente ecuación:

    Por consiguiente, el valor de Re se determina como

    Respuesta en baja frecuencia: amplificadores FET


    El análisis del amplificador con FET en la región de baja frecuencia será
    muy semejante al del amplificador con BJT

    CG: Para el capacitor de acoplamiento entre la fuente y el dispositivo activo,


    la red equivalente de ca es la que se muestra en la figura siguiente

    4
    La frecuencia de corte determinada por CG es:
    1
    𝑓=
    2𝜋(𝑅𝑠𝑖𝑔 + 𝑅𝑖 )𝐶𝐺
    CC: Para el capacitor de acoplamiento entre el dispositivo activo y la carga
    se obtiene la red de la siguiente figura:

    La frecuencia de corte resultante es:


    1
    𝑓=
    2𝜋(𝑅0 + 𝑅𝐿 )𝐶𝑐
    Para el circuito:
    𝑅0 = 𝑅𝐷 //𝑟𝑑
    Para el capacitor de fuente CS, el nivel de resistencia de importancia lo
    define la siguiente figura

    La frecuencia de corte está definida por


    1
    𝑓=
    2𝜋(𝑅𝑒𝑞 )𝐶𝑠

    5
    valor resultante de Req es:
    𝑅𝑠
    𝑅𝑒𝑞 =
    1 + 𝑅𝑠 (1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑑 )/(𝑟𝑑 + 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )𝐶𝑠
    la cual, para 𝑟𝑑 ≅ ∞Ω se vuelve
    1
    𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑆 ∥
    𝑔𝑚
    Capacitancia de Miller

    En amplificadores monoetapa inversores cuya ganancia está desfasada 180º


    (Av es negativa) la capacidad de realimentación conectada entre la entrada
    y la salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte
    superior y limita su ancho de banda. Este fenómeno se denomina efecto
    Miller. En la figura 3.7 se muestra gráficamente la aplicación del teorema
    de Miller sobre la capacidad Cƒ. Esta capacidad de realimentación se puede
    descomponer en dos, C1 y C2, resultando el circuito equivalente de la
    derecha. A la capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e
    indica que en un amplificador inversor la capacidad de entrada se
    incrementa en un término que depende de la ganancia del amplificador y de
    la capacidad conectada entre los terminales entrada y salida del dispositivo
    activo. Obsérvese que si Av>>1, entonces

    C1≈–AvCƒ y C2≈Cƒ.

    6
    III- PREGUNTAS DEL INFORME PREVIO
    1. En el circuito de la figura 4.1 calcular teóricamente VB, VCEQ,
    ICQ

    Hacemos el equivalente Thevenin:


     Vth=12*12K/ (12K+56K) =2.12v
     Rth=12K//56K=12K*56K/ (12K+56K) =9.88kΩ

    7
     En la primera malla:
    LVK: 2.12=9.88K*IB+VBE+690*IE
    Pero: IE=IC+IB
    Y IC=β
    1.47=9.88K+690+690*β*IB
    Sabemos que β=120 y reemplazando obtenemos el valor de IB
    IB=15.74 μA → ICQ=1.89 mA
     En la segunda malla:
    LVK: 12=1.5K*IC+VCE+690*IE
    Reemplazando los valores de IC=1.89 mA
    y de IE= (1+β) IB=121*15.74 μA=1.9mA
    Y despejando VCEQ tenemos: VCEQ=7.85 V

    2. Despreciando el efecto de los condensadores (frecuencia media)


    calcular la ganancia de voltaje.

    Al despreciar el efecto de los condensadores y realizar el circuito


    equivalente en corriente alternamos quedaría de esta forma:

    8
    Av=VoVg=Vo/ib*ib/Vi*Vi/Vg
    hie=120*26 mV/1.89 mA
    hie=1.65KΩ
    RB=R1//R2=12K//56K=9.88KΩ

    Tenemos:
    Vo=βi
    b(Rc//RL)
    Voib=β(Rc//RL)
    Vi=ib (hie+β+1Re1)
    ibVi=1(hie+β+1Re1)
    Vg (Rg+RB// (hie+Re1(β+1))) RB// (hie+Re1(β+1)) =Vi
    ViVg=RB//(hie+Re1(β+1)) (Rg+RB// (hie+Re1(β+1)))

    Finalmente:
    Av=VoVg=Voib*ibVi*ViVg
    Av=β(Rc//RL) *1(hie+ (β+1) Re1) *RB// (hie+Re1(β+1)) (Rg+RB//
    (hie+Re1(β+1)))

    Reemplazando:
    Av=120(1.3K) *1(1.65K+121*220) *9.88K//(1.65K+220(121))
    (470+9.88K//(1.65K+220(21)))
    Av= (91K) *1(16.69K) *6.21K(6.68K)
    Av=5.18V
    3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los
    circuitos equivalentes.
     Analizamos con el efecto del Condensador Ci

    Primero hallamos la resistencia total en los bornes del capacitor Ci


    Rin=R1//R2// (hie+ (Re1) (1+hfe))
    Rin=9.88K//(1.65K+0.22K*121) =8.8K
    Entonces:
    fLi=1/2π(Rg+Rin) Ci
    fLi=1/2π(1K+7.32K) *22μ
    fLi=0.869Hz

    9
     Analizamos con el efecto del condensador Co:

    Hallamos la resistencia Thevenin para Co


    Ro=Rg+RB
    Ro=1.5K+10K=11.5K

    Entonces la frecuencia de corte es:


    fLi=1/2π(Rc+RL) Cc
    fLi=1/2π(1.5k+10K) *22μ
    fLi=0.62 Hz
     Analizamos con el efecto del condensador de desacoplo Ce:

    Calculando la resistencia Thevenin para el capacitor Ce


    Re’=[[(Rg//RB+hie)/(β+1)] +Re1]//Re2
    Re’=[[(1K//9.88K+1.65K)/ (120+1)] +220]//470
    Re’=241.1//470
    Re’=159Ω
    Entonces la frecuencia de corte debido a Ci es:
    fLi=1/2πRe’Ce

    10
    fLi=1/2π*159*47μ
    fLi=21.56 Hz

    4. ¿Cuál de las frecuencias de corte es la que influye en las


    respuestas de bajas frecuencias del amplificador? ¿Por qué?

    Como las frecuencias de corte de los condensadores de


    acoplamiento son muchos menores con respecto a la frecuencia de
    corte del condensador de desacoplo:

    21.56 Hz>>0.62 Hz
    21.56 Hz>>0.869Hz

    Entonces la frecuencia de corte máxima determinara en esencia la


    frecuencia de corte inferior para todo el sistema. Eso quiere decir
    que la frecuencia de corte que influye en las respuestas de baja
    frecuencia es la del condensador de desacoplo.

    IV- PROCEDIMIENTO
    1. Realice la simulación del circuito mostrado en la figura 4.1.
    Encuentre el punto de trabajo y complete la tabla 4.1.
    2. Implemente el circuito de la figura 4.1
    3. Determine experimentalmente el punto de trabajo y la ganancia
    de tensión. Realice la simulación correspondiente. Complete la
    tabla 4.1.

    11
    4. Completar la tabla 4.2. Note que el punto de corte inferior se
    produce a una frecuencia en que la ganancia (AV) alcanza el
    0.707 de su máximo valor
    5. Desacople ahora ambas resistencias de emisor con el condensador
    de 22Uf. Complete la tabla 4.3

    V- RESULTADOS

    VCEQ (V) ICQ(mA) AV


    Valor Simulado 7.71 1.99 4

    VI- DISCUSION DE RESULTADOS


    Al comparar los resultados simulados y los resultados calculados
    teóricamente podremos ver una pequeña diferencia.

    12
    VII- CONCLUSIONES
     Existe un rango de frecuencias para el cual la ganancia es muy poca
    y donde va creciendo casi exponencialmente.
     En la frecuencia de corte se obtiene una ganancia equivalente a:
    0.707*Av

    VIII- REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

    -Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos Autor: Boylestad


    -Circuitos electrónicos: Schilling
    -Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos: Millman y Halkias

    13

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