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Informe Previo Numero 6 Huablocho

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Experiencia 6: Polarización y estabilización del transistor bipolar.

I. OBJETIVOS:
 Estudiar las diferentes polarizaciones del transistor bipolar para su
operación en alterna.
 Determinar las condiciones de funciones del transistor en sus
configuraciones, así como las limitaciones existentes, tanto para
continua como para alterna.

II. EQUIPOS Y MATERIALES:


 Osciloscopio
 Multímetro digital
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Miliamperímetro DC
 Microamperimetro DC
 Resistores
 Condensadores
 Transistores
 01 protoboard
 Cables de conexión diversos
 1 computador con multisim
INFORME PREVIO Nº6
III. MARCO TEORICO:
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares,
los denominados PNP. A partir de este punto nos
centramos en el estudio de los transistores bipolares
NPN, siendo el comportamiento de los transistores
PNP totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona


semiconductora más fuertemente dopada con
donadores de electrones, siendo su ancho intermedio
entre el de la base y el colector. Su función es la de
emitir electrones a la base. La base es la zona más
estrecha y se encuentra débilmente dopada con
aceptores de electrones. El colector es la zona más
ancha, y se encuentra dopado con donadores de
electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la
base.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan
cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se
encuentra polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones
que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco
grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:


1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y
es transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona
un aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento
de la corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión
entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-
colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una
fuente de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños
aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de
la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensión entre
emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar
polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado
en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es
equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas
circunstancias la corriente de colector es prácticamente nula y por ello
INFORME
se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un PREVIO Nº6
interruptor
abierto.

IV. INFORME PREVIO:

1. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito mostrado


en la fig. 6.1. Llenar la tabla 6.3

• Re=1kΩ
• Rc= 1.2k Ω
• R1=47KΩ
• R2= 22KΩ.
• Vcc= 12v
Hallamos su equivalente de Thévenin:

R 1 × R 2 47 k ×22 k
Rth= = =14.98 k Ω
R1+ R 2 47 k + 22 k
R 2 ×Vcc 22 k (12 v)
Vth= = =3.83 v
R1+ R 2 47 k + 22k
Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las
siguientes tablas.

INFORME PREVIO Nº6


V BE =0.64 v β=455

 Hallando Ib:

Vth−V BE
Ib=
Rth+ ( β+1 ) ℜ

3.83−(0.64)
Ib=
14.98 k+ ( 455+1 ) 1 k

Ib=6.77 µA

 Hallando Ic : ..(Ic =Ib × β )

Ic=(6.77 µ)( 455)

Ic=3.08 mA

 Hallando V CE :( Ic=Ie)

Vcc=Ic × Rc+V CE + Ic × ℜ

V CE=Vcc – Ic (Rc + ℜ)
V CE=12 – ( 3.08mA )(1 k +1.2 k )

V CE=5.224 v

 Hallando VE:

V BE=V B−V E … ….(V B=Vth)

V E=Vth−V BE

V E=3.83 v – (0.64 v)

V E=3.19 v

Valores Vce(V) Ve(V) Vb(V) VRc(V) Ib(uA) Ic(mA)


Teóricos 5.224 3.19 3.83 3.7 6.77 3.08

2. Realizar el análisis del funcionamiento en corriente alterna del circuito


anterior en corriente alterna. Llenar la tabla 6.4
Representación del transistor BJT:

INFORME PREVIO Nº6

Al realizar el circuito equivalente del transistor procedemos a realizar el


análisis en alterna.
Ese es nuestro circuito equivalente:

V1 BI
R1 R2 R3 R4 R5
50Vpk I={1}
1kHz 22kΩ 47kΩ Bre 1.2KΩ 10KΩ

Al realizar el análisis en alterna los capacitores hacen corto, por ende, la


resistencia Re se elimina debido que esta en paralelo con un capacitor.
Hallamos:
25 mv
hie =B r e =B
Ic

Por los datos obtenidos anteriormente reemplazamos


25 mv
hie =( 455)
3.03 mA
hie =3.75 k

Reemplazamos los valores en el circuito equivalente


R7

1.2KΩ
V2 V4 R8
R6
50Vpk V={1} 10KΩ
1kHz 22kΩ
0° circuito circuito
1 2

INFORME PREVIO Nº6

En el circuito 1
Vi
I=
2.99 k
Para el circuito 2
(10 k)(540 k) I
V 0=
142 k +10 k
V0
Igualando las ecuaciones anteriores hallamos :
Vi
V0 5400
=
V i ( 11.2 ) × (2.49 )

V0
AV = =161.25
Vi
V. CONCLUSIONES:
• Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia, pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
• Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.

VI. BIBLIOGRAFIA:

 https://components101.com/sites/default/files/component_datashe
et/BC548%20Transitor%20Datasheet.pdf
 http://mrelbernitutoriales.com/transistor-bjt/transistor-bipolar-
conociendolo/ INFORME PREVIO Nº6

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