CERN Accelerating science

მთავარი > ძიების შედეგები: recid:333974
ძებნის მინიშნებანი
გაფართოებული ძებნა
Add to Search +
ძებნა კოლექციები:
დახარისხება: შედეგების ჩვენება: გამავალი ფორმატი:
CERN Document Server 2,041 ჩანაწერია ნაპოვნი  1 - 10შემდეგიდასასრული  ჩანაწერთან გადასვლა: ძიებას დასჭირდა 0.59 წამი. 
1.
(100)
Proposal for further work on radiation hardening of silicon detectors : financial addendum to the proposal P62
CERN-LHCC-96-027 ; DRDC-P-62-Add-1 ; LHCC-P-62-Add-1. - 1996. - 1 p.
Fulltext
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
2.
(91)
Proposal for further work on radiation hardening of silicon detectors / Lemeilleur, F (Spokesperson) ; Lindstroem G (Spokesperson) ; Watts, S (Spokesperson)
CERN-LHCC-96-023 ; DRDC-P-62 ; LHCC-P-62. - 1996. - 21 p.
Letter - Fulltext
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
3.
(49)
Novel results on fluence dependence and annealing behaviour of oxygenated and non-oxygenated silicon detectors / Martínez, C ; Rafí, J M ; Lozano, M ; Campabadal, F ; Santander, J ; Fonseca, L ; Ullán, M ; Moreno, A
This work presents the latest results on electrical properties degradation of silicon radiation detectors manufactured at IMB-CNM (Institut de Microelectronica de Barcelona) subjected to proton irradiation at CERN for high energy physics applications. The evolution of full depletion voltage and leakage current with fluence, as well as their annealing behaviour with time, were studied. [...]
2002
In : 6th European Conference On Radiation And Its Effects On Components And Systems, Grenoble, France, 10 - 13 Sep 2001, pp.91-97
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
4.
(47)
3rd ROSE Workshop on Radiation Hardening of Silicon Detectors - Radiation Hardening of Silicon Detectors   12 - 14 Feb 1998  - DESY, Hamburg, Germany  / Lemeilleur, F (ed.)
Hamburg : DESY, 1998 - Transparencies. DESY-PROC-98-02
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
5.
(46)
5th Rose Workshop on Radiation Hardening of Silicon Detectors - Radiation Hardening of Silicon Detectors   16 - 17 Mar 2000  - CERN, Geneva, Switzerland  .-
Geneva : CERN, 2000 - Transparencies. CERN-LEB-2000-005
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
6.
(45)
4th Rose workshop on Radiation Hardening of Silicon Detectors - Radiation Hardening of Silicon Detectors   2 - 4 Dec 1998  - CERN, Geneva, Switzerland  .-
Geneva : CERN, 1998 - Transparencies. CERN-LEB-98-11
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
7.
(39)
Radiation resistance of the ATLAS pixel sensors / D'Auria, S D
This work describes the R and D work on radiation resistant silicon sensors for the ATLAS pixel detector: the technological choices and the design will be illustrated. Some sensor prototypes have been characterised and tested with unirradiated front-end electronics before and after high energy proton irradiation, showing that we can achieve the required radiation resistance to fluences of 1*10/sup 15/ cm/sup -2/ using n/sup +/ on n sensors with the p-spray isolation technology. [...]
1999 - Published in : Nucl. Phys. B, Proc. Suppl. 78 (1999) 639-44
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
8.
(38)
Novel results on fluence dependence and annealing behavior of oxygenated and non-oxygenated silicon detectors / Martínez, C ; Rafí, J M ; Lozano, M ; Campabadal, F ; Santander, J ; Fonseca, L ; Ullán, M ; Moreno, A J D
This work presents the latest results on electrical properties degradation of silicon radiation detectors manufactured at the Institut de Microelectronica de Barcelona (IMB-CNM) subjected to proton irradiation at CERN, Switzerland, for high-energy physics (HEP) applications. The evolution of full depletion voltage and leakage current with fluence as well as their annealing behavior with time were studied. [...]
2002 - Published in : IEEE Trans. Nucl. Sci. 49 (2002) 1377-82
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
9.
(37)
Addendum to the proposal to measure channeling radiation in a silicon crystal / Bak, J ; Meyer, P ; Marsh, B (et al.)
CERN-SPSC-81-2 ; SPSC-P-141-Add-1. - 1981. - 2 p.
Fulltext
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები
10.
(36)
Radiation tolerant sensors for the ATLAS pixel detector / Wunstorf, R
The pixel detector in the ATLAS experiment at the LHC, Geneva, is an important detector component for high resolution tracking and vertex identification. For this demanding task the hybrid pixel detector with silicon sensors has to work in a very harsh radiation environment with up to 3.5*10/sup 14/ n/sub eq//cm/sup 2/ per year. [...]
2001 - Published in : Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., A 466 (2001) 327-34
დეტალური ჩანაწერი - მსგავსი ჩანაწერები

ვერ იპოვნეთ რასაც ეძებდით? სცადეთ თქვენი ძებნა სხვა სერვერებზე:
recid:333974 ში Amazon
recid:333974 ში CERN EDMS
recid:333974 ში CERN Intranet
recid:333974 ში CiteSeer
recid:333974 ში Google Books
recid:333974 ში Google Scholar
recid:333974 ში Google Web
recid:333974 ში IEC		recid:333974 ში IHS
recid:333974 ში INSPIRE
recid:333974 ში ISO
recid:333974 ში KISS Books/Journals
recid:333974 ში KISS Preprints
recid:333974 ში NEBIS
recid:333974 ში SLAC Library Catalog