磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向：福田昭のストレージ通信（150） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（11）（1/2 ページ） 磁気抵抗メモリ（MRAM）の製造技術は22nm世代まで微細化 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。 前回は
【ESEC2012】バッファローのMRAMキャッシュ搭載SSD、その実力やいかに！？：メモリ/ストレージ技術 SSD バッファローメモリがESEC2012でデモを披露しているMRAMキャッシュ搭載SSD。電源が瞬断した後の立ち上がり時間といった特性の他、制御コントローラやMRAMのベンダーが明らかになった。 バッファローメモリは、サンプル提供を開始したばかりのMRAMキャッシュ搭載のSSDのデモを、組み込み機器開発の総合展示会「第15回組込みシステム開発技術展（ESEC2012、2012年5月9日～11日）」で披露した。 不揮発性という特徴のあるMRAMをキャッシュとして搭載したこのSSDは、電源遮断に対する耐性が高い、起動スピードが高い、待機時や読み込み時の消費電力が低いといった特徴がある。同社のMRAMキャッシュ搭載SSDを5月8日にニュース記事として紹介したところ、EE Times
バッファローメモリは、MRAM（磁気抵抗変化メモリ）をキャッシュメモリに使ったSSDを初めて製品化した。電源遮断に対する耐性が高いことや、起動スピードを高速化できることなどが特徴だ。 バッファローメモリは、MRAM（磁気抵抗変化メモリ）をキャッシュメモリとして使った産業分野向けSSDを開発し、特定顧客を対象にしたサンプル提供を開始した。「MRAMを搭載したSSDの製品化は業界初」（同社）という。4Gバイトと8Gバイトの品種があり、サンプル価格は4Gバイト品が8万円程度、8Gバイト品が10万円程度。2012年7月上旬に量産を始める予定である。 電源遮断への耐性が向上 一般的なSSDには、キャッシュとして揮発性のメモリであるDRAMが使われている。これに比べて、高速アクセス特性と不揮発性を兼ね備えたMRAMをキャッシュメモリに使うことで、主に3つのメリットが得られるという。 まず1つ目は、電源
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