PÓŁPRZEWODNIKI W

ELEKTRONICE

Powszechnie uważa się, że współczesna

elektronika jest elektroniką
półprzewodnikową.

1
 Półprzewodniki

Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne

o przewodnictwie elektrycznym typu elektronowego i
przewodności elektrycznej większej od przewodności
dielektryków i mniejszej od przewodności metali.

2
Krzem jest jednym z najbardziej rozpowszechnionych
pierwiastków w skorupie ziemskiej. Otrzymuje się go
przemysłowo przez redukcję krzemionki (SiO2) węglem w
piecu elektrycznym. Krzem czysty (99,9%) poddaje się
następnie oczyszczaniu strefowemu. W wyniku
wielokrotnego oczyszczania strefowego uzyskuje się
surowiec półprzewodnikowy o czystości rzędu 99,999%.
Tak oczyszczony krzem poddaje się precyzyjnemu
domieszkowaniu i krystalizacji w celu uzyskania materiału
wyjściowego o pożądanej w procesie produkcji przyrządów
PP strukturze i rezystywności.
3
 Rezystywność krzemu może mieć wartość w przedziale od
300 kΩcm do 0,001 Ωcm. W normalnych warunkach
fizycznych ma on: skośną przerwę energetyczną o
szerokości 1,12 eV, wytrzymałość na przebicie 300 kV/cm,
względną stałą dielektryczną 11,9; ruchliwość elektronów
rzędu 1000 cm2/Vs, ruchliwość dziur - 400 cm2/Vs,
koncentrację samoistną nośników ładunku 1,5.1010 cm-3.
Krzem jest pierwiastkiem IV grupy układu okresowego;
liczba atomowa 14, czterowartościowy, średnica atomu
2,35Å, krystalizuje w układzie regularnym typu diamentu o
stałej sieciowej 5,43Å, ma ok. 5·1022 atomów/cm3 i moduł
Younga 10890kG/mm2.
4
 Arsenek galu (GaAs)
Arsenek galu jest stosowany przede wszystkim na diody
elektroluminescencyjne, lasery, i przyrządy mikrofalowe.
Umożliwia on uzyskanie jeszcze mniejszego prądu nasycenia i
wyższej maksymalnej dopuszczalnej temperatury złącza p-n niż
krzem.
W normalnych warunkach fizycznych ma on:
1. prostą przerwę energetyczną o szerokości 1,43 eV,
2. wytrzymałość na przebicie 350 kV/cm,
3. względną stałą dielektryczną 12,9;
4. ruchliwość elektronów 6 razy większą niż w krzemie.
5
 Inne, częściej stosowane półprzewodniki

• GaP, GaN, InAs, InP, InSb, CdS, PbTe, tlenki: Cu, Ni, Mn,

Fe i ich mieszaniny, SiC, AlGaAs, GaAsP, SiGe.

• Bada się możliwości stosowania półprzewodników

organicznych, np. pentacenu.

• Są próby stosowania jako półprzewodnika diamentu.

6
 Elektrony w atomie

Elektrony wartościowości

Elektrony
Jądro

7
 Półprzewodnik samoistny
- to półprzewodnik o doskonałej sieci krystalicznej.

i-Si

a= 5 ,4 3 1 A

8
Elektrony i dziury w
półprzewodnikach
 Atomy i rdzenie atomowe Si oraz Ge

• Si oraz Ge należą do grupy IV układu okresowego pierwiastków. Mają po 4

zewnętrzne elektrony.
• Tylko zewnętrzne elektrony uczestniczą w tworzeniu wiązań kowalencyjnych.
• Pozostałe elektrony i jądra można traktować w przybliżeniu jako rdzeń
atomowy o ładunku +4q.
10
Wiązania kowalencyjne w krysztale Si

Atom Si w sieci krystalicznej dzieli się swoimi 4

elektronami walencyjnymi z 4 otaczającymi go
atomami, tworząc wiązanie kowalencyjne.
 Energetyczny model pasmowy półprzewodnika

Energia

położenie

• W półprzewodniku, w wyniku oddziaływania rdzeni atomowych, dochodzi do

utworzenia pasma przewodnictwa.
• Jest ono oddzielone przerwą energetyczną od pasma walencyjnego.
• Elektrony pasma walencyjnego i niższych nie mogą poruszać się swobodnie po
krysztale.
 Model pasmowy półprzewodnika
samoistnego
Pasmo przewodnictwa
Energia

Swobodne elektrony
(ni)
WC
WG ni=pi Swobodne dziury
(pi)
WV

Pasmo wartościowości

Przestrzeń
13
 Półprzewodnik samoistny – kreacja e-h

W idealnym krysztale półprzewodnika,

bez defektów – również bez domieszek,
w temperaturze zera bezwzględnego
pasmo walencyjne powinno być pozbawione dziur,
a w paśmie przewodnictwa nie powinno być elektronów

Dla T > 0 K termiczne drgania atomów prowadzą do zerwania

niektórych wiązań i generacji par elektron-dziura o koncentracji
e– odpowiednio ni = pi.
h+
Elektrony w paśmie przewodnictwa i dziury w paśmie
walencyjnym mogą przewodzić prąd elektryczny.

Thermal vibrations of atoms can break

bonds and thereby create electron-hole
pairs.
T.Floyd, Electronic Devices,
Prentice-Hall, 1999
 Ruch dziury w paśmie walencyjnym
„Oswobodzenie” elektronu –
T.Floyd, Electronic Devices, przejście do pasma przewodnictwa
Prentice-Hall, 1999 zostawia dziurę w paśmie
walencyjnym

ruch elektronu
pasma walencyjnego

odpowiadający mu
ruch dziury

Bariera energetyczna pomiędzy dziurą, a elektronami walencyjnymi sąsiednich atomów Si jest niewielka.
Termiczne drgania atomów w sieci krystalicznej wystarczają do jej pokonania i prowadzą do
przemieszczania się dziury swobodnie po krysztale w paśmie walencyjnym. 15
 Koncentracja samoistna (ni)
 WG 
n i  N exp  
 2kT 
n i |Si ,T300 K 1,5 1010 cm  3

15 milionów swobodnych
elektronów i tyleż samo
swobodnych dziur w objętości
1mm3!

16
 Półprzewodniki domieszkowane
i-Si + (P lub As lub Sb)n-Si  krzem donorowy

Pierwiastki piątej grupy układu okresowego

i-Si+(B lub Al lub Ga)p-Si krzem akceptorowy

Pierwiastki trzeciej grupy układu okresowego

17
 Model pasmowy jednorodnego
półprzewodnika donorowego
Pasmo przewodnictwa
Energia

Swobodne elektrony (nn)

(nośniki większościowe)
WC
Jony domieszek donorowych
WG (ND10141019cm-3 )
nn>pn nnND
WV
Swobodne dziury (pn)
(nośniki mniejszościowe)
Pasmo wartościowości p n n i2 N D
Przestrzeń
18
 Model pasmowy jednorodnego
półprzewodnika akceptorowego
n p n i2 N A
Pasmo przewodnictwa
Energia

Swobodne elektrony (np)

(nośniki mniejszościowe)
WC
np<pp ppNA Jony domieszek
WG
akceptorowych
WV (NA10141019cm-3 )

Swobodne dziury (pp)

Pasmo wartościowości (nośniki większościowe)

Przestrzeń
19
„Gazy”: elektronowy i dziurowy
3 kT
 kT
Wk / śr  t / śr  3
2 m
W temperaturze pokojowej średnia prędkość
termiczna elektronów jest równa ok. 200km/s.

J n ,dyf  qD n grad n
Prądy dyfuzyjne
J p,dyf  qD p grad p

20
 Prądy przewodnictwa elektrycznego
w półprzewodniku jednorodnym
kT
 n   n E tp Dn  n
tn q
 p q ;  n q ;
p  p E mp mn kT
Dp  p
6 m /s ] q
10
105 s n 100km/s
G aA s s p
104 n J n ,un ,el  qn  n
p J p,un ,el  qp p
10 3
} Si 1kV/cm
100V/mm
102  
10mV/m J (q n  n  q p  p ) E
10
E [V /c m ]
1 
1 10 102 103 104 105
21
  
J E;  q n n  p p 
U Si[,S,L]; S-pole przekroju,
 L - długość
E 
I J
+ -
dV U U
E   ; I S J; I S  E S  
dx L L

L1 L 1
U I; U R I; R  ;  
S S 
22
Wewnętrzne pole elektryczne w
półprzewodniku niejednorodnym
kT grad n
E 
q n

kT grad p
E
q p

Można wytworzyć niejednorodności tak znaczne, że

uzyskuje się natężenia wewnętrznego pola
elektrycznego sięgające wartości rzędu 10kV/mm.

23
Diody

- prostownicze, - stabilizacyjne (Zenera),

fotodiody, - elektroluminescencyjne,
-- pojemnościowe (warikapy)
Schemat budowy diody

Obudowa
Prostujące złącze
półprzewodnikowe

Wyprowadzenia
25
Prostujące złącza
półprzewodnikowe

P+
Złącze P-N N - Si
Si

Metal
Złącze M-S N - Si
Złącze Schottky’ego

26
 Model idealnego złącza PN
A noda xp xn K a to d a
P N
xj
Obszar
Obszar Warstwa quasineutralny N
quasineutralny P przejściowa lN >> LpN
lP >> LnP E0 E=0
E=0 =0 =
= p=n=0 n >> p
p >> n Złącze płaskie

27
 Wewnętrzne pole elektryczne
złącza PN
Gęstość ładunku elektrycznego
 (x )
+qND
xp x
0 xn
Obszar Obszar
quasineutralny -q N A quasineutralny typu
typu P N
p – n + N D – NA = 0 Warstwa przejściowa p – n + N D – NA = 0

28
 
V  Edx

V
E 
x
F p= q E

29
Wpływ napięcia zewnętrznego na barierę
potencjału złącza PN
A K
P N

U
V (x ) d x
V j UB
U>0 U B Vj  U

d ~ UB

30
Charakterystyka prądowo-napięciowa
idealnego złącza PN
I /I S
I 12
1 0 IS 10 (0 ,7 1 5 V )

5 IS
U Si
IS
11
10 (0 ,6 5 6 V )
U [V ]
0 0 ,2 0 ,4 0 ,6

 U 
IU  I S  exp  1
 VT 

31
 Charakterystyka
rzeczywistego złącza PN
Zakres przewodzenia

I
U UF
I K a to da
IF
A n od a

U
IR UR
Zakres
przebicia
Zakres zaporowy

32
 Diody prostownicze
Prostownik mostkowy
+
12÷230V
~
+
50Hz
+ _
u
1
u2
t
t
33
 Diody stabilizacyjne

U UZ0
rZ 
I I IZ

Pmax U Z I Z max

34
Elementarny stabilizator napięcia

rZ
U WY WWE 
rZ  R
35
 Wpływ temperatury na przewodzenie
złącza PN
Charakterystyki
Charakterystyki przewodzenia
wsteczne I F [A ]
2 ,2
1 0 0 oC
1 ,8
1 ,4
2 5 oC
1 ,0
-5 0 o C
0 ,6

Maksymalne 0 ,2 U F [V ]
dopuszczalne 0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 1 ,0
napięcie wsteczne U
 2mV / K
T Iconst
36
 Termometr diodowy
+ U CC
U WY

KU
U W Y = b (T-T 0 ) U WY= b.(T-T0)
T
T0 T0 T
-U C C

b  k TUF K U ; k TUF  2 mV / o C

37
Wpływ oświetlenia na złącze PN

If
Anoda Katoda

38
 Charakterystyki I(U) fotodiody
I
Napięcie
fotoelektryczne
Uf
D io d a n ie
oś w i e t l o n a
U IU  I Dzw U   I f
Prąd
fotoelektryczny
I f Sf J f
If
D io d a Jf – natężenie promieniowania
o ś w ie t lo n a
Sf ~  WG ,   wyk,  e 1  R wyk,  
     x j

 - wydajność kwantowa fotonów, ,R - współczynniki pochłaniania i

odbicia promieniowania, xj - głębokość złącza.
39
Charakterystyka widmowa
fotodiody

S f /S fm a x
1 ,0
0 ,8
0 ,6
0 ,4 D -S i
O ko
0 ,2
0 [ m ]
0 ,4 0 ,6 0 ,8 1 ,0

40
 Układ pracy fotodiody jako
nieliniowego „fotorezystora”
Jf
RL
E + U WY
If

U WY R L I f R LSf J f

U WY  0 E

41
 Fotodioda jako
ogniwo fotoelektryczne
Jf
Uf
Uf U f m ax
U f max Vj

Jf
If SJ
U f ~ ln ~ ln f f
IS IS
42
 (I,U)
If Charakterystyka ogniwa
a-Si o powierzchni 0,25cm2
Uf przy oświetleniu 1sun
R

43
 Fotodioda kwadrantowa

Powierzchnia Stosuje się do detekcji położenia

światłoczuła plamki świetlnej.

44
 Diody elektroluminescencyjne
~IF
GaAs - promieniowanie podczerwone,
GaAs1-xPx na GaAs - światło czerwone lub bursztynowe,
GaAs1-xPx na GaP - światło czerwone lub pomarańczowe,
GaP - światło zielone lub czerwone lub żółte,
SiC, GaN - światło niebieskie,
InGaN - światło zielone lub niebieskie,
GaN pokryte warstwą fluoryzującego fosforu - światło białe.
45
 2
10
20
Si

0 0 ,6 1
I F [m A ]

P o d c z erw o n a
C ze rw o n a
Z ie lo n a
B u r s z ty n o w a
N ie b ie s k a
1 ,5 2 2 ,5 3 3 ,5
U F [V ]
Charakterystyki I(U) DEL

46
Wskaźnik -numeryczny 7
segmentowy z kropką

47
Laser półprzewodnikowy
(krawędziowy)

p o w ie rzc h n ie p o le ro w a n e

o b sz a r
a k ty w n y

48
Odczyt CD ROMu
W inylowa warstw a podłożowa

Warstwa odblaskowa

 Przeźroczysta warstwa ochronna

D ioda
laserow a

49
 Pojemność barierowa złącza PN

xn – x p = d

d~ Vj  u 
Q   Q  Q b x x
dQ b p n
Cj 
du
 0 S
Cj 
du 
50
 Diody pojemnościowe
C j0 1 1
C j u   m
m ,
2 3
 u 
1  
 V
 j

C
C r1
C r2
U

51
 Obwody rezonansowe
przestrajane diodą
pojemnościową

1 1
fa  fb 
2 L C( U ) 2 L 12 C( U )

52