Top Down Method Photolithography Basics
Top Down Method Photolithography Basics
Top Down Method Photolithography Basics
PHOTOLITHOGRAPHY
BASICS
LITOGRAFI DALAM PROSES TOP-DOWN -
DASAR-DASAR
Tujuan Pembelajaran
Untuk menentukan litografi
Untuk mengidentifikasi kebutuhan untuk litografi
Untuk menjelaskan proses litografi pada umumnya
Untuk menentukan keterbatasan proses fotolitografi saat ini di
top-down nanomanufacturing
WHAT IS LITHOGRAPHY?
Lithography is a process that uses focused radiant energy and chemical films that are
affected by this energy to create precise temporary patterns in silicon wafers or
other materials.
Lithography is an important part of the top- down manufacturing process, since these
temporary patterns can be used to add or remove material from a given area
WHAT IS LITHOGRAPHY (2)?
Lithography is one of the 4 major processes in the top-down model
Lithography
Etching
Deposition
Doping
With multiple etch, deposition, and doping processes taking place in the fabrication
of a device, the lithography process is repeated many times.
The precision and accuracy of lithography in the manufacturing process controls,
to a first degree, the success in building a device.
OVERVIEW OF THE PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS
1. Tentukan litografi.
Seni dan ilmu mendefinisikan pola fitur pada wafer.
2. Bagaimana fotografi dan photolithography
serupa?
Kedua proses melibatkan mengekspos gambar ke permukaan
diolah secara kimia. Kedua proses melibatkan menyimpan
bahan kimia di permukaan, mengekspos permukaan untuk
cahaya, dan mengembangkan permukaan untuk
mengungkapkan gambar.
3. Apa tujuan dari photolithography?
Untuk menentukan pola fitur pada wafer dalam persiapan
untuk diproses lebih lanjut.
STEPS IN THE LITHOGRAPHY PROCESS(3) - EXPOSURE
Exposure
Exposure of the
photoresist to the radiant
energy pattern occurs next
There are several ways to do
this
Contact/proximity printing
Projection printing (shown
here)
Projection scanning
HUBUNGI PERCETAKAN
kekurangan
Miskin untuk fitur kecil
Kerusakan masker dapat terjadi dari kontak
Cacat dari kontaminan masker atau wafer
karena permukaan menghubungi
Disadvantages
Poorer resolution due to distance
from the surface
Defects from contaminants on mask or
wafer due to contacting surfaces
Diffraction errors
PROYEKSI PRINTING (1)
kekurangan
Kesalahan karena fokus dari sistem lensa
dapat terjadi
faktor pembatas dalam resolusi dapat
disebabkan oleh sistem optik
Sistem Cadiotropic
Cermin, lipat prisma dan lensa
rasio 1: 1
Kurang umum daripada
steppers
kekurangan
sistem gerak yang kompleks diperlukan
untuk keselarasan dan tracing yang
tepat
Sumber panjang gelombang cahaya
masih merupakan faktor pembatas
ukuran fitur
DIFRAKSI