‫دانشكده مهندسي برق‬

‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬

‫بخش دوم‬
‫شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫تهيه كننده ‪ :‬محمد سيم چي‬

‫زير نظر دكتر مجيد شالچيان‬

‫ویرایش اول‬

‫تابستان ‪29‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫فهرست‬
‫رسم شماتیک مدار ‪2 ...................................................................................................................................................................................‬‬ ‫‪.1‬‬

‫شبیه سازی مدار ‪6 .......................................................................................................................................................................................‬‬ ‫‪.2‬‬

‫رسم نتایج نهایی ‪11 ....................................................................................................................................................................................‬‬ ‫‪.3‬‬

‫‪1‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫‪ .1‬رسم شماتيک مدار‬

‫برای شبیه سازی یک ترانزیستور‪ ،‬همان طور که در بخش قبلی توضیح داده شد ابتدا باید یک کتابخانه و یک سلول شماتیک‬
‫ایجاد کرد‪.‬‬

‫حال در پنجره باال بر روی ‪ schematic‬دو بار کلیک می کنیم که نهایتا پنجره ‪ Virtuso‬باز می شود‪ .‬طراحی مدار در این‬
‫صفحه انجام خواهد شد‪.‬‬

‫در این صفحه برای اضافه نمودن یک قطعه می توان بر روی گزینه ‪ Instance‬در منوی سمت چپ صفحه کلیک نمود‪.‬‬

‫‪2‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫که در نتیجه پنجره زیر باز می شود‪ .‬هم چنین با فشار دادن کلید ‪ I‬صفحه کلید این پنجره گشوده می شود‪.‬‬

‫با کلیک کردن بر روی دکمه ‪ Browse‬پنجره زیر(‪ ) Library Browser‬باز می شود‪.‬‬

‫در این پجره با انتخاب کتابخانه و سلول مورد نظر می توان قطعات مطلوب را انتخاب نمود و سپس با کلیک نمودن در فضای‬
‫مورد نظر در صفحه ‪ ،Virtuso‬یک نمونه از آن قطعه را به طراحی اضافه کرد‪.‬‬

‫برای اضافه نمودن ترانزیستورها از کتابخانه ‪ tsmc18rf‬استفاده می کنیم‪ .‬هم چنین قطعات دیگر از جمله خازن و ‪ ...‬در‬
‫کتابخانه ‪ ahdlLib‬و ‪ analogLib‬موجودند‪ .‬برای اضافه نمودن منابع ولتاژ می توان به کتابخانه ‪ rfLib‬نیز مراجعه کرد‪.‬‬

‫‪3‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫با روشی که در باال توضیح داده شد برای شبیه سازی یک ترانزیستور‪ ،‬از کتابخانه های مربوطه یک ترانزیستور ‪( nmos‬‬
‫‪ ) tsmc18rf -> nmos2v‬و دو منبع ولتاژ ( ‪ ) rfLib -> vsource‬برای ‪ Vgs‬و ‪ Vds‬در صفحه ‪ Virtuso‬اضافه می‬
‫کنیم‪ .‬با انخاب هر قطعه و فشردن کلید ‪ Q‬صفحه مشخصات آن قطعه باز خواهد شد‪.‬‬

‫همان طور که در شکل باال مشاهده می کنید برای هر ترانزیستور پارامترهای متفاوتی برای تنظیم وجود دارد‪ .‬به طور مثال می‬
‫توان طول و عرض ترانزیستورها را تغییر داد‪ .‬پارامتر دیگر فینگر(‪ )finger‬ترانزیستور می باشد‪ .‬در ترانزیستورهایی که نسبت‬
‫‪ W/L‬باالیی نیاز است و باید مقاومت پلی در آنها کاهش یابد ترانزیستورها را به فینگرهایی مطابق شکل زیر تقسیم می کنند‪.‬‬
‫بدین صورت که مثال به جای یک ترانزیستور با نسبت عرض ‪ 222‬ماکرون‪ ،‬چهار ترانزیستور با عرض ‪ 02‬ماکرون را همانند‬
‫شکل زیر در کنار یک دیگر قرار می دهند و به طور یکی در میان درین ها و سورس های آن ها را به یک دیگر متصل می‬
‫نمایند‪.‬‬

‫وجود چهار فینگر مقاومت گیت را تا تا چهار برابر کاهش می دهد ولی از طرف دیگر خازن های پارازیتیکی سورس و درین را‬
‫زیادتر می کند‪ .‬برای حل این مشکل می توان از گزینه ‪ Multiply‬استفاده کرد‪ .‬برای رعایت بهتر ‪ Matching‬در‬
‫ترانزیستورها آن ها را به بخش های کوچکتری تقسیم می کنند که به آن )‪ M(Multiply‬می گویند‪ .‬برای مثال یک‬
‫ترانزیستور چهار فینگره را می توان به دو ترانزیستور دو فینگره تبدیل کرد‪.‬‬

‫در پایین مشخصات نیز مساحت های سورس و درین آمده که این پارامترها برای محاسبه خازن های پارازیتیک بسیار مهم می‬
‫باشند‪.‬‬

‫برای تنظیم نمودن پارامترهای منابع ولتاژ‪ ،‬آن ها را انتخاب کرده و کلید ‪ Q‬را فشار می دهیم‪.‬‬

‫‪4‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫برای این منابع ‪ Source type‬را ‪ dc‬قرار می دهیم‪ .‬برای منبع ‪ Vgs‬مقدار ‪ DC‬را برابر با ‪ VGS‬قرار می دهیم‪.‬‬

‫بدین ترتیب مقدار ولتاژ این منبع به صورت یک پارامتر در نظر گرفته می شود و در حین شبیه سازی که کمی جلوتر توضیح‬
‫داده خواهد شد‪ ،‬می توان با تغییر این پارامتر تاثیر آن را بر روی مشخصه ترانزیستور مشاهده و رسم نمود‪.‬‬

‫برای منبع ولتاژ ‪ Vds‬نیز مقدار آن را برابر با ‪ 0‬ولت قرار می دهیم‪.‬‬

‫پس از انجام تنظیمات مورد نظر‪ ،‬قطعات را با سیم (فشردن کلید ‪ W‬و یا کلیک بر روی دکمه ‪ wire‬از منوی سمت راست‬
‫صفحه) به یک دیگر وصل می نماییم‪ .‬دقت کنید که اتصال بدنه ترانزیستورهای ‪ nmos‬را باید به پایین ترین ولتاژ و اتصال‬
‫بدنه ترانزیستورهای ‪ pmos‬را به باالترین ولتاژ موجود وصل نماییم‪.‬‬

‫پس از اتمام طراحی برای ثبت و تست مدار از منوی سمت چپ صفحه ‪ Virtuso‬بر روی دکمه ‪ Check and Save‬کلیک‬
‫می کنیم‪.‬‬

‫‪5‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫در صورت نبود مشکل و خطایی پیغام زیر در پنجره ‪ CIW‬مشاهده می شود‪ .‬به طور کلی در تمامی مراحل کار‪ log ،‬عملیات‬
‫در حال انجام در این پنجره قابل مشاهده می باشد و با مراجعه به این پنجره می توان از صحت و درستی عملیات انجام شده‬
‫اطمینان حاصل کرد و یا از خطاها و ‪ warning‬های به وجود آمده اطالعات بیش تری کسب کرد‪.‬‬

‫‪ .2‬شبيه سازی مدار‬

‫حال باید مدار را شبیه سازی نماییم‪ .‬بدین منظور از منوی باالی پنجره ‪ Tools -> Analog Environment ، Virtuso‬را‬
‫انتخاب می کنیم‪.‬‬

‫‪6‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫پنجره ای مطابق زیر باز می شود‪.‬‬

‫باید در اولین گام نوع شبیه سازی مورد نظر را انتخاب نماییم‪ .‬بدین منظور از منوی باالی صفحه …‪Analyse -> Choose‬‬
‫را انتخاب می کنیم‪.‬‬

‫‪7‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫در صفحه ای که مطابق شکل زیر باز می شود در گام اول باید نوع شبیه سازی را انتخاب کرد‪ .‬برای این مثال ما شبیه سازی‬
‫‪ dc‬را انتخاب می کنیم‪ .‬همان طور که مشاهده می شود انواع مختلف شبیه سازی برای اهداف متفاوت وجود دارد‪ .‬در بخش‬
‫های بعدی شبیه سازی ‪ trans‬نیز توضیح داده خواهد شد‪.‬‬

‫پس از انتخاب ‪ ،dc‬در منوی ‪ Sweep Variable‬باید متغییری را که می خواهیم براساس تغییرات آن مدار را تحلیل نماییم‪،‬‬
‫انتخاب شود‪ .‬در این مثال از آن جایی که می خواهیم تغییرات جریان درین سورس را براساس تغییرات ولتاژ درین سورس‪ ،‬به‬
‫دست آورده و رسم نماییم‪ ،‬متغییر مورد نظر ما ‪ Vds‬می باشد‪ .‬برای انتخاب ‪ Vds‬گزینه ‪ Component Parameter‬را‬
‫انتخاب می کنیم‪ .‬سپس بر روی دکمه ‪ Select Component‬کلیک می کنیم‪ .‬پس از کلیک بر روی این دکمه دوباره‬
‫پنجره ‪ Virtuso‬نمایان می شود‪.‬‬

‫‪8‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫حال با کلیک بر روی قطعه ‪ Vds‬پنجره ای مطابق شکل زیر باز می شود‪.‬‬

‫‪9‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫در این پنجره می توان پارامتر مورد نظر قطعه را انتخاب نمود‪ .‬در این جا تغییرات ولتاژ منبع ولتاژ درین سورس مطلوب ما‬
‫است‪ ،‬لذا مقدار ‪ dc‬را انتخاب کرده و بر روی دکمه ‪ OK‬کلیک می کنیم‪.‬‬

‫مالحظه می شود که نام قطعه و پارامتر مورد نظر در فیلدهای مربوطه نوشته شده اند‪ .‬در نهایت در قسمت ‪Sweep Range‬‬
‫دامنه تغییرات متغییر مورد نظر را تعیین می کنیم و در انتها بر روی دکمه ‪ OK‬کلیک می کنیم‪.‬‬

‫‪10‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫همان طور که در شکل زیر مشاهده می شود در قسمت ‪ Analysis‬شبیه سازی مورد نظر ما اضافه شده است‪ .‬حال برای‬
‫ساخت ‪ Netlist‬بر روی دکمه ‪ Netlist and Run‬کلیک می کنیم‪.‬‬

‫پس از ساخته شدن ‪ Netlist‬از منوی باالی پنجره‪ Tools -> Parametric Analysis… ،‬را انتخاب می کنیم‪.‬‬

‫‪11‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫با استفاده از این ابزار می توان متغییر پارامتریکی را که در طراحی منظور کرده ایم( در این مثال ‪ ،) Vgs‬مقداردهی کرده و‬
‫براساس تغییرات آن مدار را شبیه سازی نمود‪.‬‬

‫بدین منظور در صفحه ای که مطابق شکل زیر باز می شود‪ ،‬نام متغییر را برابر با نام پارامتری که در طراحی منظور کردیم (در‬
‫این مثال ‪ ،)Vgs‬قرار می دهیم و دامنه تغییرات و گام آن را معین می کنیم‪ .‬گام تغییرات را نیز ‪ Linear Steps‬قرار می‬
‫دهیم‪.‬‬

‫سپس از منوی باالی صفحه‪ Analysis -> Start ،‬را انتخاب می کنیم‪.‬‬

‫‪12‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫با انتخاب این گزینه شبیه سازی مدار آغاز می گردد‪ .‬با اتمام شبیه سازی در پنجره ای که مطابق شکل زیر باز می شود‪ ،‬پیغام‬
‫موفقیت شبیه سازی چاپ خواهد شد‪.‬‬

‫‪13‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫‪ .3‬رسم نتايج نهايي‬

‫حال به پنجره ‪ Analog Design Environment‬باز می گردیم‪ .‬برای رسم نتایج شبیه سازی از ‪Results -> Direct‬‬
‫‪ Plot‬استفاده می کنیم‪.‬‬

‫از آن جایی که شبیه سازی ما رد این جا از نوع ‪ dc‬بوده‪ ،‬گزینه ‪ Results -> Direct Plot -> DC‬را انتخاب می کنیم‪.‬‬

‫پس از انتخاب آن صفحه طراحی مدار برای انتخاب ولتاژ و یا جریان شاخ ه مورد نظر‪ ،‬برای رسم نمودار پدیدار می شود‪ .‬برای‬
‫انتخاب ولتاژ بر روی سیم ها و برای انتخاب جریان شاخه‪ ،‬باید بر روی گره ها کلیک نمود‪.‬‬

‫در این جا برای رسم تغییرات جریان درین سورس بر روی گره منبع ولتاژ درین سورس کلیک می کنیم و سپس کلید ‪ Esc‬را‬
‫فشار می دهیم‪.‬‬

‫‪14‬‬
 ‫راهنمای استفاده از نرم افزار ‪Cadence‬‬
‫بخش دوم – شبیه سازی مشخصه ترانزیستور ‪NMOS‬‬
‫دانشكده مهندسي برق‬

‫طبق شکل زیر مشخصه ترانزیستور رسم می شود‪ .‬همان طور که در قبل نیز اشاره شد‪ ،‬متغییر اصلی(‪ )Vds‬در حین انتخاب‬
‫نوع شبیه سازی معیین گردید‪ .‬برای مشاهده اثر تغییر ‪ Vgs‬نیز از ابزار ‪ Parametric Analysis‬استفاده کردیم‪ .‬جریان‬
‫درین سورس را نیز قبل از رسم مشخصه از روی مدار شماتیک تعیین کردیم‪.‬‬

‫‪15‬‬