‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪1‬‬

‫مبانی و کاربرد مهندسی مدار‬

‫جلسه هفتم‬

‫حیدر طوسیان شاندیز‬

‫نیمسال دوم ‪1402 -1403‬‬

‫‪2‬‬
 ‫فهرست مطالب‬

‫نیمه هادی‬

‫دیود‬

‫تغذیه جریان مستقیم و متناوب دیود‬

‫یکسوسازی دیود‬

‫تحلیل مدار ‪RC‬‬

‫انواع دیود‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ 18‬مه ‪24‬‬ ‫‪3‬‬
 ‫نیمه هادی‬

‫نیمهرسانا یا نیمههادی )‪ (Semiconductor‬عنصری است که هددایت اککتریکد‬

‫آن‪ ،‬چیزی بین رسانائ چون مس و عایق اککتریک مثل شیشه است‪.‬‬
‫مقاومت اککتریک نیمرسانا برخالف فلزات‪ ،‬با افزایش دما کاهش م یابد‪ .‬رسانای این‬
‫مواد را م توان با افزایش دقیق و کنترلشده آالیندهها تغییر داد‪ ،‬که به این فرایندد‪،‬‬
‫دوپینگ یا آالیش گفته م شود‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪4‬‬
 ‫انواع نیمه هادی‬

‫خاکص‬
‫انواع نیمه هادی‬
‫غیرخاکص‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪5‬‬
 ‫ژرمانیوم و سیلیکون‬

‫ژرمانیوم ) ‪ (Germanium‬یک عنصر شیمیای با نماد ‪ Ge‬و عدد اتم ‪ 32‬است‪ .‬این عنصر یک متاکوئید براق‪ ،‬سخت‪،‬‬
‫سفید مایل به خاکستری در گروه کربن است که از نظر شیمیای شبیه به همسایگان گروه خود سیلیکون و قلع است‪.‬‬
‫ژرمانیوم دارای عدد اتم ‪ 32‬است‪ ،‬یعن ‪ 32‬پروتون در هسته خود دارد‪ .‬این عنصر دارای چهار اککترون ظرفیت است‪ ،‬به‬
‫این معن که م تواند چهار پیوند کوواالنس با اتمهای دیگر ایجاد کند‪.‬‬

‫سیلیکون )‪ (Silicon‬دومین عضو گروه ‪ 14‬در جدول تناوب عناصر است‪ .‬این عنصر هرگز به صورت آزاد در طبیعت وجود نداشته‪،‬‬
‫بلکه در ترکیب با اکسیژن به شکل سیلیکاتها و سایر اکسیدها (مانند سیلیکون دی اکسید یا سیلیکا) وجود دارد‪.‬‬
‫این شبه فلز ‪ 4‬ظرفیت مثل ژرمانیوم است‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪6‬‬
 ‫نیمه هادی غیرخالص یا دوپینگی‬

‫نوع ‪ N‬یا دهنده‬

‫انواع نیمه هادی‬
‫غیرخاکص‬
‫نوع ‪ P‬یا گیرنده‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪7‬‬
 N ‫نیمه هادی نوع‬

What is an n-type Semiconductor?

An n-type semiconductor is an intrinsic semiconductor doped with phosphorus (P), arsenic (As),
or antimony (Sb) as an impurity. Silicon of Group IV has four valence electrons and phosphorus
of Group V has five valence electrons.
If a small amount of phosphorus is added to a pure silicon crystal, one of the valence electrons of
phosphorus becomes free to move around (free electron*) as a surplus electron. When this free
electron is attracted to the “+” electrode and moves, current flows.

24-‫مه‬-18 8
 P ‫نیمه هادی نوع‬

What is a p-type Semiconductor?

A p-type semiconductor is an intrinsic semiconductor doped with boron (B) or indium (In). Silicon of
Group IV has four valence electrons and boron of Group III has three valence electrons. If a small
amount of boron is doped to a single crystal of silicon, valence electrons will be insufficient at one
position to bond silicon and boron, resulting in holes that lack electrons.
When a voltage is applied in this state, the neighboring electrons move to the hole, so that the
place where an electron was present becomes a new hole, and the holes appear to move to the "–"
electrode in sequence.

24-‫مه‬-18 9
 ‫اثر چسباندن دو قطعه نیمه هادی ناخالص‬

‫هر قطعه در شرایط عادی از نظر اککتریک خنث است‪ ،‬اما‬

‫به محض اتصال بارهای ناهمنام از مرز عبور کرده ومرز قطعه‬
‫‪ n‬بدکیل از دست دادن اککترون مثبت و مرز قطعه ‪ p‬بدکیل‬
‫بدست آوردن اککترون پتانسیل منف پیدا م کند‪.‬‬
‫اکنون با وجود این پتانسیل عبور بارهای جدید غیرممکن‬
‫م شود‪ .‬برای امکان عبور بار به پتانسیل اککتریک بیرون‬
‫نیاز است‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪10‬‬
 ‫جریان در اتصال ‪PN‬‬

‫در بایاس معکوس حاملها از محل اتصال دور شده و به باتری م روند‪،‬‬
‫و ناحیه ته از بار در محل اتصال افزایش م یابد‪.‬‬

‫در بایاس مستقیم اگر وکتاژکاف باشد‪ ،‬بارها از طریق محل اتصال جابجا م شوند‬
‫و جریان برقرار م شود‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪11‬‬
 ‫دیود‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪12‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬دیود‬

‫نمایش تاثیر بایاس معکوس و مستقیم بر دیود‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪13‬‬
 ‫معادله جریان دیود‬

‫‪‬‬ ‫‪eV‬‬ ‫‪‬‬

‫‪I = Is  exp‬‬ ‫‪− 1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪ηkT‬‬ ‫‪‬‬
‫در این رابطه ‪ I‬جریان دیود‪ e ،‬بار الکترون‪،‬‬
‫‪ V‬ولتاژ اعمالی به دیود‪ η ،‬عددی بین ‪ 1‬و ‪ 2‬بسته به ماده محل اتصال‪،‬‬
‫‪ K‬ثابت بولتزمن و ‪ T‬دمای مطلق است‪.‬‬
‫با فرض ‪ η=1‬داریم‪:‬‬

‫‪‬‬ ‫‪eV ‬‬

‫‪I  Is  exp‬‬ ‫‪− 1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪kT‬‬ ‫‪‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪14‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬معادله جریان دیود‬

‫در دمای اتاق ‪ e/kT ~ 40 V-1‬در نتیجه‪:‬‬

‫‪If V > +0.1 V‬‬

‫‪‬‬ ‫‪eV ‬‬

‫‪I  Is  exp‬‬ ‫) ‪ = Is (exp 40V‬‬
‫‪‬‬ ‫‪kT ‬‬
‫‪If V < -0.1 V‬‬
‫‪I  Is (0 − 1) = −Is‬‬
‫جریان اشباع معکوس ‪IS‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪15‬‬
 ‫مدل ساده شده دیود‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪16‬‬
 ‫مدل دیود سلیکونی ساده و خطی شده‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪17‬‬
 ‫خالصه دیود‬

‫عنصری که اجازه عبور جریان در یک جهت را می دهد‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪18‬‬
 ‫مدل خطی سازی شده و آرمانی دیود‬

‫خطی سازی شده مشخصه‬

‫مدل آرمانی‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪19‬‬
 ‫مثال ‪1‬‬

‫در مدار ادامه با فرض سیلیکونی بودن دیود جریان مدار را محاسبه کنید‪.‬‬

‫الف) در مدل خطی سازی شده‪:‬‬

‫‪6 − 0.7‬‬
‫= 𝐷𝑖‬ ‫𝐴𝑚 ‪= 26.5‬‬
‫‪200‬‬

‫الف) در مدل آرمانی‪:‬‬

‫‪6‬‬
‫= 𝐷𝑖‬ ‫𝐴𝑚 ‪= 30‬‬
‫‪200‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪20‬‬
 ‫مثال ‪2‬‬

‫با فرض استفاده از مدل خطی سازی شده دیود سیلیکونی و 𝜴𝑲𝟏 = 𝟏𝑹 ‪𝑹𝟐 = 𝟐𝑲𝜴 ،‬‬
‫و 𝑽 𝟐𝟏 = 𝐄 جریان را در مقاومت های مدارهای ادامه محاسبه کنید‪.‬‬

‫(ج)‬ ‫(ب)‬ ‫(الف)‬

‫در مدار الف بدلیل بایاس معکوس بودن دیود جریان صفراست‪.‬‬

‫در مدار ب داریم‪:‬‬

‫‪12 − 0.7 − 0.7‬‬
‫= ‪𝐼𝑅1,𝑅2‬‬ ‫𝐴𝑚 ‪= 3.533‬‬
‫‪1 + 2𝐾Ω‬‬

‫‪12 − 0.7‬‬ ‫در مدارج داریم‪:‬‬

‫‪𝐼𝑅1‬‬ ‫=‬ ‫𝐴𝑚 ‪= 11.3‬‬
‫‪1 𝐾Ω‬‬
‫‪0.7‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬
‫‪𝐼𝑅2‬‬ ‫=‬ ‫𝐴𝜇 ‪= 350‬‬
‫‪2𝐾Ω‬‬ ‫‪21‬‬
 ‫مثال ‪3‬‬

‫با فرض استفاده از مدل خطی سازی شده دیودهای سیلیکونی جریان‬
‫را در مقاومت های مدارهای ادامه محاسبه کنید‪.‬‬

‫در این مدار بدلیل بایاس معکوس بودن دیود شماره ‪ 2‬مشابه مدار باز است‪،‬‬
‫در نتیجه معادل مدار به صورت ادامه است‪.‬‬

‫‪12 − 0.7‬‬
‫= ‪𝐼𝑅1,𝑅2‬‬ ‫𝐴𝑚 ‪= 3.766‬‬
‫‪1 + 2 𝐾Ω‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪22‬‬
 ‫رفتار دیود آرمانی در تغذیه متناوب‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪23‬‬
 ‫دیود آرمانی و نیم تناوب مثبت‬

‫بدلیل بایاس مثبت بودن دیود و فرض آرمانی بودن مشابه اتصال کوتاه عمل می کند‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪24‬‬
 ‫دیود آرمانی و نیم تناوب منفی‬

‫بدلیل بایاس منفی بودن دیود و فرض آرمانی بودن در این نیم سیکل مشابه مدار باز عمل می کند‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪25‬‬
 ‫مثال‬

‫ولتاژ خروجی 𝒐𝒗 مدار ادامه را بدست آورید‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪26‬‬
 ‫حل مثال‬

‫ولتاژ خروجی 𝒐𝒗 با توجه به بایاس معکوس بودن دیود به صورت ادامه است‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪27‬‬
 ‫یکسو ساز تمام موج‬

‫با ترکیب دو مدار اخیر ولتاژ خروجی 𝒐𝒗 به صورت ادامه بدست می آید‪:‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪28‬‬
 ‫نیم تناوب مثبت‬

‫با توجه به آرمانی بودن دیودها و عالمت ولتاژ ورودی داریم‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪29‬‬
 ‫نیم تناوب منفی‬

‫با توجه به آرمانی بودن دیودها و عالمت ولتاژ ورودی داریم‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪30‬‬
 ‫خروجی کامل‬

‫با شرط آرمانی بودن دیودها داریم‪.‬‬

‫با فرض سلیکونی و معمولی بودن دیودها داریم‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪31‬‬
 ‫تحلیل مدار ‪RC‬‬

‫به منظور تبدیل به ‪ DC‬کردن ولتاژ یکسو شده‬

‫در ادامه حالت کذرای مدار ‪RC‬‬
‫را در دو حالت بدون ورودی و با ورودی‬
‫به اختصار بررسی می کنیم‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪32‬‬
 ‫تحلیل مدار ‪ RC‬بدون ورودی (دارای شرایط اولیه)‬

‫‪𝑅𝑖 𝑡 + 𝑣𝑐 𝑡 = 0‬‬

‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶= 𝑡 𝑖‬
‫𝑡𝑑‬

‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶𝑅‬ ‫‪+ 𝑣𝑐 𝑡 = 0‬‬
‫𝑡𝑑‬
‫با استفاده از تبدیل الپالس داریم‪.‬‬

‫‪𝑅𝐶(𝑠𝑉𝑐 𝑠 − 𝑉0 ) + 𝑉𝑐 𝑠 = 0‬‬
‫‪𝑅𝐶𝑉0‬‬
‫= 𝑠 𝑐𝑉‬
‫با استفاده از عکس تبدیل الپالس داریم‪.‬‬ ‫‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬
‫‪𝑉0‬‬
‫= 𝑠 𝑐𝑉‬
‫‪1‬‬
‫𝐶𝑅 ‪𝑠 +‬‬
‫𝑡‬
‫‪−‬‬
‫𝑒 ‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉0‬‬ ‫𝐶𝑅‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪33‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬تحلیل مدار ‪ RC‬بدون ورودی‬

‫𝜏‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉0 𝑒 −𝑡Τ‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬ ‫𝐶𝑅 = 𝜏 ثابت زمانی نامیده می شود‪.‬‬

‫سرعت تخلیه خازن وابسته‬

‫به مقدار مقاومت‬
‫و ظرفیت خازن است‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪34‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬تحلیل مدار ‪ RC‬بدون ورودی‬

‫ولتاژ دوسر خازن و مقاومت در زمان برای 𝟎 ≥ 𝒕‬

‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶 = 𝑡 𝐶𝑖‬
‫𝑡𝑑‬

‫جریان خازن در زمان برای 𝟎 ≥ 𝒕‬ ‫جریان مقاومت در زمان برای 𝟎 ≥ 𝒕‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪35‬‬
 ‫مثال‬

‫با فرض وجود شارژ اولیه ‪ 60‬ولتی خازن جریان و لتاژها مشخص شده‬
‫را برای زمانهای غیرمنفی بدست آورید‪:‬‬

‫𝐶‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪36‬‬
 ‫تحلیل مدار ‪ RC‬با ورودی (بدون شرایط اولیه)‬

‫فرض کنید در لحظه صفر کلید مدار ادامه بسته شود‪.‬‬

‫در لحظات قبل از صفر با فرض باز بودن طوالنی مدت کلید داریم‪:‬‬

‫‪𝑣𝑐 0− = 𝑉0 = 0‬‬
‫از طرفی چون بار خازن به یکباره قابل تغییر نیست‪:‬‬

‫‪𝑣𝑐 0+ = 𝑉0 = 0‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪37‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬تحلیل مدار ‪ RC‬با ورودی‬

‫با توجه به ‪ KVL‬در مدار داریم‪:‬‬

‫‪𝑅𝑖 𝑡 + 𝑣𝑐 𝑡 − 𝑉 = 0‬‬

‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶= 𝑡 𝑖‬
‫𝑡𝑑‬
‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶𝑅‬ ‫‪+ 𝑣𝑐 𝑡 − 𝑉 = 0‬‬
‫𝑡𝑑‬
‫با استفاده از تبدیل الپالس داریم‪.‬‬

‫𝑉‬
‫‪𝑅𝐶(𝑠𝑉𝑐 𝑠 − 𝑉0 ) + 𝑉𝑐 𝑠 −‬‬ ‫‪=0‬‬
‫𝑠‬

‫𝑉‬
‫= 𝑠 𝑐𝑉‬
‫𝑠 ‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪38‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬تحلیل مدار ‪ RC‬با ورودی‬

‫با استفاده از تجزیه به کسرهای جزئی‪:‬‬

‫𝑉‬ ‫𝐴‬ ‫𝐵‬

‫= 𝑠 𝑐𝑉‬ ‫‪= +‬‬
‫𝑠 𝑠 ‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬ ‫‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬
‫𝑉𝑠‬
‫‪𝐴 = lim‬‬ ‫𝑉=𝐴 ⇒‬
‫‪𝑠→0‬‬ ‫𝑠 ‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬
‫𝑉 ‪𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬
‫‪𝐵 = lim‬‬ ‫𝑉𝐶𝑅‪⇒ 𝐵 = −‬‬
‫𝑠 ‪−1 𝑅𝐶𝑠 + 1‬‬
‫→𝑠‬‫𝐶𝑅‬

‫با استفاده از عکس تبدیل الپالس داریم‪.‬‬

‫𝒕‬
‫𝑪𝑹 ‪−‬‬
‫𝒆 ‪𝒗𝒄 𝒕 = 𝑽 𝟏 −‬‬ ‫𝟎≥𝒕‬

‫یا‬
‫𝜏‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉 1 − 𝑒 −𝑡Τ‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪39‬‬
 ‫تحلیل کامل مدار ‪ ( RC‬با ورودی و شرایط اولیه)‬

‫با توجه به جمع آثار داریم‪:‬‬

‫𝑡‬ ‫𝑡‬
‫𝜏‪−‬‬ ‫𝜏‪−‬‬
‫𝑒 ‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉 1 −‬‬ ‫𝑒 ‪+ 𝑉0‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫پاسخ ناشی از ورودی‬ ‫پاسخ ناشی از شرایط اولیه‬

‫یا‬

‫𝜏‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉 + 𝑉0 − 𝑉 𝑒 −𝑡Τ‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪40‬‬
 ‫مثال ‪1‬‬

‫در مدار ادامه برای مدت طوالن کلید در وضعیت ‪ 1‬بوده است‪،‬‬
‫مطلوبست محاسبه 𝑡 ‪𝑖0 𝑡 ,𝑣0‬‬

‫چون در مدت طوالنی کلید در وضعیت یک بوده است‪ ،‬پس‬

‫خازن مدار باز است‪ ،‬لذا داریم‪:‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪41‬‬
 ‫مثال ‪2‬‬

‫در مدار قبل در کحظه صفر کلید به وضعیت ‪ 2‬م رود‪ ،‬مطلوب‬
‫است محاسبه 𝑡 𝑐𝑣‪𝑖0 𝑡 ,‬‬

‫معادل تونن‬

‫‪40 𝐾Ω‬‬
‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 60 + 30 − 60‬‬ ‫‪𝑒 −𝑡Τ0.01‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫𝐹𝜇 ‪0.25‬‬ ‫‪60‬‬
‫𝑡‪𝑣𝑐 𝑡 = 60 − 30 𝑒 −100‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬
‫𝐶 = 𝑡 ‪𝑖0‬‬ ‫𝑡‪= 0.25 × 10−6 × 30 100 𝑒 −100‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫𝑡𝑑‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬
‫𝐴𝑚 𝑡‪𝑖0 𝑡 = 0.750 𝑒 −100‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬ ‫‪42‬‬
 ‫مثال ‪3‬‬

‫در مدار ادامه در کحظه صفر کلید تغییر وضعیت م دهد‪،‬‬

‫مقاومت ‪ 1‬کیلو اهم و ظرفیت خازن ‪ 470‬میکروفاراد فرض‬
‫شود‪ ،‬مطلوب است محاسبه 𝑡 𝑐𝑣‪𝑖 𝑡 ,‬‬

‫𝜏‪𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉 + 𝑉0 − 𝑉 𝑒 −𝑡Τ‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫𝑠𝑚 ‪𝜏 = 𝑅𝐶 = 1000 ∗ 470 × 10−6 = 470‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 12 + 5 − 12 𝑒 −𝑡Τ0.47‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 12 − 7𝑒 −𝑡Τ0.47‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫𝑡 𝑐𝑣𝑑‬ ‫‪−7 −𝑡Τ0.47‬‬
‫𝐶= 𝑡 𝑖‬ ‫‪= 470 × 10−6‬‬ ‫𝑒‬ ‫‪𝑡≥0‬‬
‫𝑡𝑑‬ ‫‪−0.47‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪43‬‬
 ‫مثال ‪4‬‬

‫در مدار ادامه در کحظه صفر کلید تغییر وضعیت م دهد‪،‬‬

‫مطلوب است محاسبه 𝑡 𝑐𝑣‬

‫‪4 𝑘Ω‬‬ ‫‪2 𝑘Ω‬‬ ‫در لحظات قبل از صفر همه ولتاژ منبع ‪2‬‬
‫روی خازن است‪ ،‬در نتیجه𝑽 𝟐 = 𝟎 𝒄𝒗‬
‫𝑉‪5‬‬ ‫‪4 𝑘Ω‬‬ ‫𝑉‪2‬‬
‫𝐹𝜇 ‪2‬‬

‫𝑠𝑚 ‪𝜏 = 𝑅𝐶 = 1000 × 2 × 10−6 = 2‬‬ ‫‪1 𝑘Ω‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 2.25 + 2 − 2.25 𝑒 −𝑡Τ0.002‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫𝑉 ‪2.25‬‬ ‫𝐹𝜇 ‪2‬‬
‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 2.25 − 0.25‬‬ ‫‪𝑒 −𝑡Τ0.002‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪44‬‬
 ‫مثال ‪5‬‬

‫در مدار ادامه در کحظه صفر کلید بسته م شود‪ ،‬با فرض‬
‫در حال استراحت بودن خازن قبل از زمان صفر مطلوب‬
‫است محاسبه 𝑡 𝑐𝑣‬

‫‪4 𝑘Ω‬‬ ‫‪8 𝑘Ω‬‬

‫‪10 𝑘Ω‬‬
‫معادل تونن‬

‫‪4 𝑘Ω‬‬ ‫𝐹𝜇 ‪0.5‬‬ ‫𝐹𝜇 ‪0.5‬‬

‫𝑉 ‪7.5‬‬

‫𝑠𝑚 ‪𝜏 = 𝑅𝐶 = 10000 × 0.5 × 10−6 = 5‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 7.5 − 7.5𝑒 −𝑡Τ0.005‬‬ ‫‪𝑡≥0‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪45‬‬
 ‫مثال ‪6‬‬

‫در مدار ادامه از لحظه صفر در هر ‪ 100‬میلی ثانیه کلیدها تغییر وضعیت‬
‫می دهند ‪ ،‬با فرض در حال استراحت بودن خازن قبل از زمان صفر‬
‫مطلوب است ترسیم ولتاژ‪ ،‬جریان خازن و ولتاژ دو سر مقاومت‬

‫𝑠𝑚 ‪𝜏 = 𝑅𝐶 = 100000 × 1 × 10−6 = 100‬‬

‫معادله شارژ خازن ‪𝑣𝑐 𝑡 = 100 − 100 𝑒 −𝑡Τ0.1 0 ≤ 𝑡 ≤ 0.1‬‬
‫𝑉 ‪𝑣𝑐 0.1 = 100 − 100 𝑒 −0.1Τ0.1 = 63.212‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 63.212 𝑒 − 𝑡−0.1 Τ0.1 0.1 ≤ 𝑡 ≤ 0.2‬‬ ‫معادله تخلیه خازن‬

‫𝑉 ‪𝑣𝑐 0.2 = 63.212 𝑒 − 0.2−0.1 Τ0.1 = 23.254‬‬

‫شارژ مجدد‬
‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 100 + (23.254 − 100) 𝑒 − 𝑡−0.2 Τ0.1 0.2 ≤ 𝑡 ≤ 0.3‬‬
‫𝑉 ‪𝑣𝑐 0.3 = 100 + 23.254 − 100 𝑒 − 0.3−0.2 Τ0.1 = 71.766‬‬
‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪46‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬مثال ‪6‬‬

‫‪𝑣𝑐 𝑡 = 71.766𝑒 − 𝑡−0.3 Τ0.1 0.3 ≤ 𝑡 ≤ 0.4‬‬ ‫معادله تخلیه خازن‬

‫𝑉 ‪𝑣𝑐 0.2 = 71.766 𝑒 − 0.4−0.3 Τ0.1 = 26.402‬‬
‫𝑡 𝐶𝑣𝑑‬
‫𝐶 = 𝑅𝑖 = 𝐶𝑖‬
‫𝑡𝑑‬
‫جریان شارژ خازن‬

‫‪𝑖𝑐 𝑡 = 1 × 10−6 × (−1000 𝑒 −𝑡Τ0.1 ) 0 ≤ 𝑡 ≤ 0.1‬‬

‫‪𝑖𝑐 0.1 = 1 × 10−6 × 1000 𝑒 −0.1Τ0.1 = 0.37 mA‬‬
‫جریان تخلیه خازن‬

‫‪𝑡−0.1 Τ0.1‬‬
‫‪𝑖𝑐 𝑡 = 1 × 10−6 × (−632.12 𝑒 −‬‬ ‫‪0.1 ≤ 𝑡 ≤ 0.2‬‬
‫‪𝑖𝑐 0.1 = 1 × 10−6 × (−632.12 𝑒 −‬‬ ‫‪0.1−0.1 Τ0.1‬‬ ‫𝐴𝑚 ‪= −0.632‬‬
‫‪𝑖𝑐 0.2 = 1 × 10−6 × (−632.12 𝑒 −‬‬ ‫‪0.2−0.1 Τ0.1‬‬ ‫𝐴𝑚 ‪= −0.233‬‬

‫به پرش جریان خازن توجه کنید‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫𝑡 𝐶𝑣 ‪𝑣𝑅 𝑡 = 100 −‬‬ ‫‪47‬‬

 ‫خروجی ‪ DC‬مدار یکسو ساز نیم موج‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪48‬‬
 ‫ مدار یکسو ساز تمام موج‬DC ‫خروجی‬

A B capacitor
AC source

C load
D

24-‫مه‬-18 49
 ‫دیودهای پرکاربرد ‪ -‬زنر‬

‫با استفاده از دیود زنر در بایاس معکوس تا زمانی که جریان‬

‫عبوری معکوس در فاصله حداقل و حداکثر تعریف شده‬
‫است‪ ،‬از آن به عنوان رگوالتور ولتاژ استفاده می شود‪.‬‬

‫حداقل جریان دیود زنر جریانی است که باعث‬

‫شروع کار آن در بایاس معکوس می شود و‬
‫حداکثر جریان مقدار جریانی است که دیود توان‬
‫تحمل آنرا دارد‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪50‬‬
 ‫مثال‬

‫با استفاده از دیود زنر و یک منبع ولتاژ ‪ 12‬ولتی یک رگوالتور ‪ 5‬ولتی بسازید‪ ،‬اگر‬
‫حداکثر توان قابل تحمل دیود زنر ‪ 2‬وات و مقاومت بار یک کیلو اهم باشد‪.‬‬

‫حداکثر جریان مجاز دیود‬

‫حداقل مقاومت سری‬

‫جریان بار‬

‫جریان زنر در بار کامل‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪51‬‬
 ‫دیودهای پرکاربرد ‪ -‬نورگسیل )‪Light-emitting diode (LED‬‬

‫در دیودهای سیلیسیم و ژرمانیم الکترونها انرژی خود را به شکل گرما دفع میکنند‪ ،‬اما در نیمرساناهای گالیم‬
‫آرسنید فسفید )‪ (GaAsP‬و گالیم فسفید )‪ (GaP‬الکترونها با انتشار فوتون انرژی خود را دفع میکنند‪ .‬اگر نیمرسا‬
‫ناشفاف باشد‪ ،‬اتصال تبدیل به یک منبع نور‪ ،‬یا دیود نورگسیل می شود‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪52‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬نورگسیل‬

‫‪LED‬های قرمز دارای حداکثر ولتاژ ‪ 2.2‬ولت‪ED ،‬های آبی دارای حداکثر ولتاژ ‪ 3.4‬ولت و ‪ED‬های سفید دارای حداکثر‬
‫ولتاژ ‪3.6‬ولت هستند‪ .‬مدار ساده ‪ LED‬تصویر زیر مدار یک مدار ساده از یک ‪ LED‬سفید ‪ 5‬میلی متر با منبع تغذیه ‪5‬‬
‫ولت را نشان می دهد‪.‬‬
‫برای ‪ LED‬سفید است جریان معمولی رو به جلو ‪ 20‬میلی آمپر و ولتاژ رو به جلو معمولی ‪ 2‬ولت است‪ .‬در نتیجه برای‬
‫تنظیم جریان و ولتاژ از مقاومت ‪ 180‬اهم استفاده می شود‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪53‬‬
 ‫المپ های نورگسل‬

‫دیپ‬

‫اس ام دی‬ ‫المپ های نورگسل‬

‫س او ب‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪54‬‬
 ‫المپ های نورگسل ‪ -‬دیپ‬

‫فناوری )‪ Dual In-Line Package (DIP‬در اوایل دهه ‪ 1960‬مورد استفاده قرار گرفتند‪.‬‬
‫این المپها به دلیل تک رنگ بودن و راندمان کم نور‪ ،‬در موارد خاص مانند المپهای‬
‫راهنمایی‪ ،‬بیلبوردهای شهری و نمایشگرها استفاده میشوند‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪55‬‬
 ‫المپ های نورگسل – اس ام دی‬

‫المپ های ‪ Surface Mount Device‬دارای کارایی باال و عمر طوالنی هستند‪ .‬این المپها بسیار کارآمد‬
‫و انعطافپذیر با رنگهای متنوع‪ ،‬اندازه کوچک‪ ،‬زاویه دید بزرگتر و صرفهجویی در مصرف انرژی هستند‪.‬‬
‫نمونه هائی از این نوع برای نورپردازی نماها و ساختمانها استفاده میشود‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪56‬‬
 ‫المپ های نورگسل سی او بی‬

‫المپهای با فناوری )‪ Chip-on-Board (COB‬تولید شده و با تعداد کمی تراشههای لومن‬

‫باال‪ ،‬نور تولید می کنند‪ .‬چالش اصلی این المپها مدیریت حرارت و انتقال دما است‪ .‬با‬
‫پیشرفت فناوری‪ ،‬المپهای )‪ MCOB (Multi-Chip-on-Board‬با حل این چالشها به‬
‫بازار عرضه شدهاند‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪57‬‬
 ‫دیودهای پرکاربرد – لیزری‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪58‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬دیود لیزری‬

‫دیود های کیزری معموالً از سه الیه ساخته م شوند‪ ،‬که در آن موادی مانند آرسنید‬
‫گاکیم )‪ (GaAs‬با آکومینیوم یا سیلیکون یا سلنیوم ترکیب م شوند تا الیه های ‪p‬‬
‫و ‪ n‬توکید کنند در حاک که الیه میان خاکص و فعال است‪.‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪59‬‬
 ‫ادامه ‪ -‬دیود لیزری‬

‫الکترون ظرفیت با جذب انرژی به الیه باالتر می رود‪.‬‬

‫با برگشت به الیه پایین و ترکیب مجدد‬

‫با حفره انرژی نورانی آزاد می کند‪.‬‬

‫در انتشار تحریک شده الکترون آزاد یا تحریک شده‬

‫منتظر تکمیل عمر نمی شود‪ ،‬بلکه به کمک فوتون بیرونی‬
‫می‪24-‬‬
‫شود‪.‬‬ ‫‪-18‬مه‬
‫وادار به ترکیب با حفره می شود و دو فوتون آزاد‬ ‫‪60‬‬
 ‫کاربردهای دیود لیزری‬

‫‪ -1‬نشانگرهای لیزری‬
‫‪ -2‬ارتباطات رادیوئی فیبری‬
‫‪ -3‬بارکدخوان ها‬
‫‪ -4‬چاپگر لیزری‬
‫‪ -5‬فاصله یاب ها‬
‫‪ -6‬طیف سنجی‬
‫‪.... -7‬‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪61‬‬
 ‫مراجع‬

https://fa.wikipedia.org/wiki/
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/e-learning
/discrete/chap1/chap1-3.html
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/e-learning/disc
rete/chap1/chap1-4.html
URL: https://www.youtube.com/watch?v=cyhzpFqXwdA

https://eng.libretexts.org/Bookshelves/Electrical_Engineering/Electronics/Semiconductor_Devices
https://my.ece.msstate.edu/faculty/winton/CDNuE/SoftCopy/ch9.pdf
https://ee.eng.usm.my/eeacad/arjuna/Electronic%20device%20lecture3.pdf
https://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_7.html
http://mycollegevcampus.com/sjcet/notes/02_LASER_DIODE.pdf
https://www.usb.ac.ir/FileStaff/2372_2021-9-28-10-24-29.pdf
https://fa.wikipedia.org/wiki

24-‫مه‬-18 62
 ‫با تشکر‬

‫‪-18‬مه‪24-‬‬ ‫‪63‬‬
‫‪ 18‬مه ‪24‬‬ ‫‪63‬‬