1

Engineering Wallah Electronics Engineering

SHORT NOTES
Analog Electronics
CHAPTER
SEMICONDUCTOR DIODE
1

SEMICONDUCTOR DIODE
Under reverse bias, the current due to majority carriers is low
• PN junction is blocking the flow of majority carriers in reverse biased condition, so, the crossing of junction become
block, hence reverse biasing of PN junction is also called blocking bias.
• Under reverse bias, only minority carries will be falling from the barrier potential and they contribute majority
carrier current (I0)
I0 = thermally generated or minority carrier current or reverse saturation current or leakage current
I0 = μA ( for Ge)
I0 = nA (For Si diode)
This minority carrier current is highly sensitive to temperature (I0 is inversely proportional with temperature) I0 is
independent of the applied reverse biased voltage, that is I0 is saturated w.r.t applied voltage VRB and hence called saturation
current
I0 flows from N to P.
As the temperature increases, minority carriers are generated, for 1°C increase in temperature, I0 increases by 7%.
I0 is a drift current, because this current is due to the field intensity, which is passing through junction.
Forward Bias (FB)
When a positive potential is applied on P-side w.r.t N-side, then applied bias is called as forward bias.

When any type of PN junction is forward biased, limiting resistance must be connected in series with the diode, the limiting
resistance and diode works as potential divider network
 2

Forward voltage, across the diode is VD

VD ≤ 0.5 V for Ge
VD ≤ 0.9 V for Si
V = VR + VD
V = If Rs + If Rf
Where, If = diode current/forward bias current

The majority carriers of P & N regions will be moving towards the junction and neutralize the immobile ions, so that the
region of immobile charges gets reduced , that is width of the depletion layer gets reduced.
The potential barrier is reduced by |Vd| under forward bias
Vj = V0 – |VD|
Case I:
VD < V0 , the diode is forward biased and is in non-conducting state and it is “Off state” or “zero state”
Case II:
VD = V0 , effect of Barriers is “Nullified “
Case III:
More majority carriers will be crossing the junction and the forward current is large, which will be exponentially
increasing with Vd.
Forward current is given by, IF = I0 eVd / VT − 1
Vd = forward bias across PN junction
0 ≤ Vd ≤ Vbi
w  Vbi − Va
For Vbi > Va, width (w) will become maginary, which is not possible
I 
VD = VT n  f 
 I0 
dVd
= – 2.5mV / C
dt
VI Characteristics of PN junction diode:
+I(mA) Forward
Current

Forward
Bias
Reverse "Knee"
Breakdown
Voltage
–V +V
Reverse Voltage Forward Voltage

"Zener" 0.3v Germanium

Breakdown 0.7v Silicon
or Avalanche
Region Reverse
Bias Reverse
–I(mA) Current
 3

When PN junction is reverse biased, the reverse voltage must be always less than breakdown voltage of the device, otherwise
the diode will be get destroyed
Breakdown voltage = VBR or BV
1
VBR 
Doping concentration

Cut in Voltage (V):

• Also called offset voltage (in FET’s) or called threshold voltage (in tubes)
• Minimum voltage required, so that the forward current just passes into diode
V = 0.1 V to 0.5 V [typical = 0.2]
Min. V = 0.1V or 100 mV
Cut in voltage decreases with increase in temperature
V gets reduced by 2.5 volt for 1° C increase in temperature

SPECIAL DIODES

Light Emitting Diode (LED)

Symbol : Anode Cathode

• In this diode depletion layer is large as compared to normal diode.

• It is fabricated using Ga, As
• It is always operated under forwards biased condition.
• Under reverse biasing, it just works as normal diode.

Tunnel Diode:
Symbol : Anode Cathode

• Invented by LED ESAKI, hence also called ESAKI diode.

• This diode has very narrow depletion layer.
• In this diode PN junction is highly doped.
• Works on the principle of tunnelling effect.
• It is a negative resistance device.
• These diodes are usually made by Ge.

Zener Diode:
Symbol : Anode Cathode

• It is usually made by Silicon.

• This diode also works on the principle of tunnelling effect.
• This diode is always operated under reverse biased condition.
• This diode maintains constant voltage across load if properly biased.

Photo Diode:
 4

Symbol : Anode Cathode

• This diode is always operated under reverse biased condition.

• It can be made from Silicon as well as from Germanium.
Silicon photo diode: Responds to visible light.
Germanium Photodiode: Responds to infrared light.
• Usually width of depletion layer is larger than normal diode and lower level of doping is done.
• Photo current flows from n to p region.
• Photo current is minority carrier current.
• Photo current is a diffusion current.
RECTIFIERS
Form factor (F)

rms value Vrms

F= =
DC value VDC

Half Wave Rectifier

Average value of current and voltage
(a) Ideal case

Im V
I DC = and I m = m
 RL

Im
VDC =


Where,
IDC = Average value of current

VDC = Average value of voltage

Im = Maximum value of current

Vm = Maximum value of voltage

RL = Load resistance

(b) Practical case

I 'm V 'm
I DC = ; VDC =
 

Vm
I 'm = ; V 'm = I 'm RL
Rs + R f + RL

Where,
Rs = Coil resistance
Rf = Diode forward resistance
RL = Load resistance
 5

RMS value of current and voltage

Im Vm
I rms = Vrms =
2 2
Full Wave Centre Tap Rectifier
Average value of current and voltage
2I m 2Vm
I DC = ,ideal case Vdc = ,ideal case
 
RMS value of current and voltage
Im Vm
I rms = ,ideal case Vrms = ,ideal case
2 2
For practical case Im is replaced by I’m.
Where,
Vm
I 'm = and V 'm = I 'm RL
RS
+ R f + RL
2
Full Wave Bridge Rectifier
RS
For full wave rectifier (bridge type) in all the formulas is replaced by R .and Rf is replaced by 2Rf.
2
Clamper
• A circuit which can add DC voltage to an AC waveform.
• A clamper does not change shape of the waveform, it only shift the waveform up or down.
Clamper is also called DC reinserter or DC restorer.

Clamper Circuits
(i) Negative clamper
 6

(ii) Positive clamper

Application
A clamper is used to reinsert or restore DC component into a waveform which has lost DC component after passing
through a processing circuit such as amplifier.

Clipper Circuits

(i)

(ii)

(iii)


 7

CHAPTER
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
2
SYMBOL:
E C E C

B B

E p n p C E n np n C

B B

IE IC IE IC
E B E B

IB IB

npn pnp

• It was invented by Bell laboratories USA.

• It is a current controlled device.
• Transistor action takes place in base region.
• It is a three layer, three terminal and two junction device.
• Its input impedance is low and output impedance is high.
• In this device current flow is because of both majority & minority carriers.
• In pnp transistor, current conduction due to holes & npn transistor current conduction is due to electrons.
BJT Configuration

Based on the reference node a BJT can be used in 3 configuration as given in table below:

Configuration Input Node Output Node

Common Base (CB) E C
Common Emitter (CE) B C
Common Collector (CC) B E
Made of Operation
Mode Emitter-Base Collector-Base Properties Application
Junction Junction
Cut-off Reverse bias Reverse bias Very high internal resistance OFF-switch
Active Forward bias Reverse bias Excellent transistor action Amplifier
Saturation Forward bias Forward bias Very low internal resistance ON-switch
Reverse Reverse bias Forward bias Very poor transistor action Attenuator (Practically
active not used)
 8

Configuration:
Configuration Characteristics Current
Amplification
Factor

Common Base VCB = 20 V IC

IE (mA) VCB = 10 V =
IE VCB = 1 V IE
p n p 4
3 IC = I E + ICBO
IC 2
I I
IB 1 IC = E + CBO
+ − + − BE (V) 1−  1− 
0.2 0.4 0.5 0.6
VBE VCB Input
I C (mA)

4 IE = 5 mA
Saturation 3 IE = 3 mA
region
2 IE = 2 mA
1 IE = 1 mA
cut off
VCB (V)
Output
Common Emitter IB (A) 1V 10V IC
IC 40 VCE = 20 =
30
IB
20 
n =
+ 10  +1
IB VCE
p − 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VBE (V) 
=
n Input  −1
+
Saturation
IC (mA)
Region Active Region I E = ( + 1) I B
IC(mA)
VBE 4 ID = 70A
− II 10
Saturation ID = 60A
region
3 20A
Active region
2 10A ID = 50A
1 I = 0 A ID = 40A
cut off region B
5 VCE (V) ID = 30A
VCE, sat ID = 20A
ID = 10A
ID = 0

Cutt off Region 0 5 10 VCE(V)

Common-Collector I E IC + I B
Saturation
Active Region
= =
IC(mA)
Region
ID = 70A
IB IE
( also known as emitter 10
ID = 60A 1
follower)  =1+  =
IE
ID = 50A
1− 
ID = 40A
5 ID = 30A
ID = 20A
P ID = 10A
IB ID = 0
n + 0 5 10 VCE(V)
Cutt off Region
P VEC
– –
VBC
+
 9

Operating modes:
Transistor operates in three different modes
• Cutoff region
• Saturated region
• Active region

Cut-off region:
In this mode of operation, both the junctions of transistor are reverse biased, so no current flows inside the device. Hence
transistor is in OFF mode and acts as open switch. Transistor operates in this mode as OFF switch.

Saturation region:
In this mode of operation, both junctions of transistor are forward biased, so current flows in the device. Hence transistor
is in ON mode and acts as closed switch. Transistor operates in this mode as ON switch.

Active region:
In this mode one junction (EB) is forward biased and another junction (CB) is reverse biased. In this mode transistor
operates as amplifier.

Doping level:
Emitter > Base > Collector ( N E  N B  NC )

Area
Collector > Emitter > Base

Emitter injection efficiency:

iE p
E = for p-n-p
iE p + iEn

iEn
E = for n-p-n
iE p + iEn

Where, iE p = Emitter current due to holes.

iEn = Emitter current due to electrons.

Base transport factor (B):

IC
B= for pnp
I Ep

IC
B= for npn
I En

Current gain (α)

∴  = B E
 10

Base width modulation/Early effect:

The early effect, also known as base width modulation, is the variation in the effective width of the base in a bipolar junction
transistor due to a variation in the applied base to collector voltage (VBC). A greater reverse bias across the collector base
junction increases the collector base depletion width, thereby decreasing the width of the charge carrier portion of the base.

This phenomenon has two Effects:

• Collector current increases, as there are fewer electrons and holes to recombine in the narrower base region.

• The early voltage, which is the voltage at which the collector current starts to saturate, increases.

Thermal running:
It is the phenomenon in which the temperature of a transistor increases uncontrollably, leading to the destruction of the
transistor. It is caused by a positive feedback loop, in which the increase in temperature causes an increase in the current.
The two of the most temperature sensitive quantities are VBE and IC.

dT P
= ( IC − ICBO ) −
dt C

dT
Where, = rate of change of temperature
dt
β = Current gain

IC = Collector current

ICBO = Collector leakage current

P = Power dissipation

C = Thermal capacitance of the transistor.

Transistor Biasing Circuits:

• This is done to operate BJT in active region, so that it can be used as an amplifier.

• To maintain IC stable, such that operating point does not drift and thermal runaway does not happen.

Transistor Biasing:
Type Configuration Equations

Fixed-bias VCC VCC − VBE

IB =
RB
RB RC
IC = βIB, IE = (1 + β)IB

VCE = VCC – ICRC
 11

Emitter-bias VCC VCC − VBE

IB =
RB + ( + 1) RE
RB RC
IC = βIB, IE = (β + 1)IB

Ri = (β + 1)RE

RE VCE = VCC – IC(RC + RE)

Voltage-Divider Bias VCC Rth = R1||R2

R2VCC
Vth =
R1 RC R1 + R2
 VTh − VBE
IB =
R2 RTh + ( + 1)RE
RE
IC = βIB, IE = (β + 1)IB
VCE = VCC – IC(RC + RE)

Collector-feedback VCC − VBE

IB =
RB
RC RB + ( RC + RE )

IC = βIB, IE = (β + 1)IB

VCE = VCC – IC(RE + RE)
RE

Emitter-follower VEE − VBE

IB =
RB + ( + 1)

RB IC = βIB, IE = (β + 1)IB
RE
VCE = VEE – IERE
–VEE

Transistor Amplifier

Small signal analysis for BJT

• h-parameter model of BJT

V1 = hiI1 + hr V2
I2 = hf I1 + h0 V2
 12

I2
• Current gain, AI =
I1
−h f RL
AI =
1 + h0 RL

V1
• Input impedance, Zi = = hi + hr AI RL
I1
AR
• Voltage gain, AV = I L
Zi
1
• Output impedance, Z 0 =
 h f hr 
 h0 − h + R 
 i S 

Common Emitter (CE) Amplifier

Small signal model

V0 −h f e
Voltage gain AV = = ( RC || RL )
Vi hi e

High frequency Analysis of BST

 13

rbb' = base spreading resistance.

rb'e = input resistance.
rb'c = feedback resistance.
rce = output resistance.
Cb'e = diffraction capacitance.
Cb'c = Transition capacitance.
gm = Transconductance.

Hybrid π-parameters
( IC )Q KT
1) gm = ;VT = ,
VT q
ICQ = dc bias point collector current.
h
2) rb ' e = fe
gm

Voltage gain as frequency

 14

Low Frequency Range

• External capacitor CE and CC are short circuited.
• Internal capacitor Cb’c and Cb’e are open circuited.
• Circuit becomes like.

= acts as high pass filter

High frequency rande

• External capacitors Cb, CC and CE are short circuited.
• Cb’c is open circuited.
• Equivalent circuit behaves as a low pass filter with cut-off frequency fL.

Mid-band range
•All internal and external capacitance are neglected, so gain is independent of frequency
For different feedback configurations effect on input and output impedance

Feedback Input Output Gain Ri R0

Voltage series Voltage series Voltage shunt Av ↓ ↓

Voltage series Voltage Current Gm ↑ ↑

Voltage shunt Current Voltage Rm ↓ ↓

Voltage shunt Current Current AI ↓ ↑

Note:
• Voltage series feedback, is the best arrangement in terms of Ri and R0.
• Current shunt is the worst for the same.

 15

CHAPTER
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS
3
• FET is a three terminal unipolar device. Current is either due to electrons (n-channel) or due to holes (p-channel), JFET
is a voltage-controlled device. The most important characteristic of JFET is that it has high input impedance.
• FET’s control the flow of current by the application of a voltage to the gate, which in turn alters the conductivity between
the drain and source, hence called voltage-controlled device.
• There are two main types of FET’s: Junction Field Effect Transistors (JFET’s) and Metal-Oxide-Semiconductor Field-
Effect Transistors (MOSFET’s). JFET’s are based on the principle of depletion, while as MOSFET’s are based on the
principle of enhancement.
Drain ( D)

+ D
ID

G
+ VDS P n P
VGS

– S
Source (S)

• In FET, gate is always reverse biased.

Various parameters of FET’s:

The parameters of an FET are the electrical characteristics that describe its behavior. The most important parameters of an
FET are:

• Trans-conductance (gm): The trans-conductance is a measure of the ability of the FET to amplify a signal. It is defined
as the ratio of the change in drain current to the change in gate voltage at a constant drain-source voltage.
• Drain resistance (rd): The drain resistance is a measure of the resistance of the FET to current flow between the drain
and source. It is defined as the ratio of the drain-source voltage to the drain current at a constant gate voltage.
• Amplification factor (μ): The amplification factor is a measure of the ability of the FET to amplify a signal. It is
defined as the ratio of the change in drain voltage to the change in gate voltage at a constant drain current.
• Threshold voltage (Vt): The threshold voltage is the gate voltage at which the FET starts to conduct current.
• Pinch-off voltage (Vp): The pinch-off voltage is the gate voltage at which the FET reaches its maximum drain current.
These parameters are important for understanding the behaviour of FETs and for designing circuits with FETs.

Characteristics:

Drain Characteristics:
The drain characteristics of an FET are the curves that shows the relationship between the drain current and the drain-source
voltage for different values of the gate voltage. The drain characteristics are important for understanding the behavior of
FETs and for designing circuits with FETs.

The drain characteristics of an FET can be divided into three regions:

 16

• Ohmic region: In the ohmic region, the drain current increases linearly with the drain-source voltage. This is because the
depletion region in the channel is not fully formed, so the channel is able to conduct a large amount of current.
• Saturation region: In the saturation region, the drain current reaches a maximum value and does not increase with the
drain-source voltage. This is because the depletion region in the channel is fully formed, so the channel can only conduct
a limited amount of current.
• Breakdown region: In the breakdown region, the drain current increases rapidly with the drain-source voltage. This is
because the depletion region in the channel breaks down, allowing a large current to flow.
• Cut-off region: The Cutoff region of an FET is the region, where the drain-source channel resistance is at its maximum
and there is no drain current, Id, flowing from the drain to the source of the FET. In this region, the transistor is off.

FET Characteristics Curve

ID (mA) Breakdown
Region
15
Saturation Region
IDSS Ohmic Region VGS = 0V
VGS = –1V
10
VGS = –2V

5 VGS = –3V

VGS = –4V

Cutoff Region

5 10 15 20
VDS(V)

MOSFET (Metal Oxide Semi-conductor FET)

• Metal oxide semiconductor Field Effect Transistor.
• It has very high switching frequency & high input impedance.
• It has high Current handling capability.

Enhancement Type MOSFET

• No physical channel between source & drain
• To induce a channel Gate - source voltage is applied.
Depletion MOSFET
• Physical channel present between source & drain.
Types of MOSFET
 17

D D
G G

S S
N-channel P-channel

Operating Characteristics
1. For n – channel MOSFET
• ID = 0 for VGS < VT. (cut – off region)

W 2 
VDS
• I D = nCOX (VGS − VT )VDS −  (linear region)
L  2 

VGS  VT and VDS  (VGS − VT )

W (VGS − VT )
2
• I D = nCOX (saturation region)
L 2
VGS  VT and VDS  (VGS − VT )

2. For p-channel MOSFET

• ID = 0 for VGS > VT (cut-off region)
W V2 
• I D = nCox (VGS − VT )VDS − DS  (linear region)
L 2 
VGS ≤ and VDS > VGS – VT
W (VGS − VT )
2

• I D = n cox (saturation region)

L 2
VGS ≤ VT and VDS ≤ VGS – VT

Drain characteristics:

VGS7 > VGS6 > … > VGS1

VGS7
A
VGS6
Drain Current, ID (A)

VGS5

VGS4

VGS3

VGS2

VGS1
B VDS
Drain Source Voltage VDS
 18

CHAPTER
OPERATIONAL AMPLIFIER
4
An op-omp is basically a very high gain, direct coupled amplifier with high input impedance and low output impedance.

Properties of Op-amp

Parameters Ideal value Practical value

Voltage gain ∞ 106

Input resistance ∞ 106 Ω or 1 M Ω

Output resistance 0 10 Ω to 100 Ω

B.W. ∞ 106 Hz or 1 MHz

CMRR ∞ 106 or 120 dB

Slew rate ∞ 80V/µ sec.

Slew rate
For input Vm sin t

SR
f max =
2ACLVm

Where,
SR → Slew rate
fmax → Maximum frequency of operation
ACL → Closed loop gain of OP-AMP.
Bias Currents and Voltage

V0  0 → Called Output offset voltage.

Balanced condition.
 19

Input bias current (I/B)

I B1 + I B 2
IB =
2
Input offset current
Ii 0 = ( I B1 − I B 2 )

Note:
Input offset voltage is the voltage which must be applied between input terminals to balance amplifier (V0 = 0).

Linear Op-Amp Circuit

Inverting Amplifier

Where, AOL → Open loop gain of op-amp

Ideally; AOL = ∞

Rf
AV = −
R1

Non-inverting Amplifier

 Rf 
1 + 
V0
Gain = AV = =  Ri 
Vi  1 + R f / Ri 
1+  
 AOL 

Where, AOL → Open loop gain of op-amp

Ideally; AOL = ∞

 Rf 
AV = 1 + 
 Ri 
 20

Difference Amplifier

R2  R4  R2 
V0 = − V1 +  1 + V2
R1  R3 + R4   R1 

R2 R4 R R
If = then,V0 = 4 [V2 − V1 ] = 2 (V2 − V1 )
R1 R3 R3 R1

In this case when

R2 R4
= ,
R1 R3

AC = 0 → Common mode gain and CMRR = ∞

Nonlinear Op-Amp Circuits
Integrator
1
Vi dt + V0 (0+ )
RC 
V0 = −

Note:
• This integrator becomes unstable at low frequency due to finite gain.
• The drawback of instabrlity can be eliminated by connecting a resistor Rf in feedback path and such integrator
circuit is called practical integrator.

Differentiator
dVi
V0 = − RC
dt
 21

Note: This differentiator becomes unstable at high frequency due to finite gain.
The drawback of instability can be eliminated by connected Rf in input path and such differentiator is called practical
differentiator.

Logarithmic Amplifier

Vi
V0 = −VT ln
R

where,
η → Recombination factor
VT → Thermal voltage
I0 → Reverse saturation current of diode
Grounded Load

Rf R4 V
If = then IL = S
R1 R3 R3

If VS is applied at point A and B is grounded and

Rf R4 −V
= then IL = S
R1 R3 R3

Schmitt Trigger
 22

 R2   −R2 
VTh = Vsat =  Vsat ; VTL = −Vsat =  Vsat
 R1 + R2   R2 + R1 



CHAPTER
OSCILLATOR
5
The oscillators are postive feedback amplifier in which the part of output is feedback to the input via feedback circuit.

V0 A
The gain, =
Vi 1 − A

 Vi = 0 (Noise)
A = 1 or 1 0° 360°
Note:
• |A| = 1, the amplitude of sinusoidal output remains constant.
• If |A| < 1, the amplitude of oscillation will decrease with time and eventualy or finally the oscillation will
disappear.
• If |A| > 1, the amplitude of oscillation will increase with time practically the amplitude becomes constant after
reaching maximum value due to supply voltage limitation and non-linearity of transistor.

Oscillator Types

Type of Component Frequency of oscillation Waveform generated

RC oscillator Audio frequency Sinusoidal
LC oscillator Radio frequency Square wave
Crystal oscillator Radio frequency Triangular wave sawtooth wave etc.

Relaxation Oscillator
 23

 R2 
= 
 R1 + R2 
 1+  
T = 2RC ln  
 1 − 
1 1
f = =
T 1+  
2 RC ln  
 1−  


 24

CHAPTER
TIMER
6

Pin Diagram

• Bistable multi vibrator acts as a FF.

• Monostable Multi vibrator produces pulse output.
• Bistable Multi vibrator acts as free running oscillator.

A stable Multi vibrator

Vc 8
4
R1
t
7
R2
V0 5
3
6
Tc
2
t
C
Td 1
Tc = 0.69(R1 + R2) c
Td = 0.69R2c
T = Tc + Td = 0.69 (R1 + 2R2) c
1 1
f = =
T 0.69 ( R1 + 2R2 )

❑❑❑

Hindi start…
 25

Engineering Wallah Electronics Engineering

संक्षिप्त टिप्पणिय ाँ
एन लॉग इलेक्ट्रॉननक्ट्स

अध्याय सेमीकं डक्टर डायोड

1

एनालॉग डायोड

रिवसस ब यस के तहत, बहुसख्

ं यक व हकों के क िि ध ि कम होती है

• रिवसस ब यस्ड स्स्िनत में पीएन जंक्ट्शन बहुसंख्यक व हकों के प्रव ह को अवरुद्ध कि िह है, इसललए, जंक्ट्शन क क्रॉलसंग ब्लॉक हो ज त है,
इसललए पीएन जंक्ट्शन के रिवसस ब यलसंग को ब्लॉककं ग ब यस भी कह ज त है।

• रिवसस ब यस के तहत, केवल अल्पसंख्यक व हक ही अविोध िमत से गगिें गे औि वे बहुसख्

ं यक व हक ध ि (I0) में योगद न किते हैं

I0 = ऊष्मीय रूप से उत्पन्न य अल्पसंख्यक व हक ध ि य रिवसस संतस्ृ प्त ध ि य रिस व ध ि

I0 = μA (Ge के ललए)
I0 = nA (Si ड योड के ललए)
यह अल्पसंख्यक व हक ध ि त पम न के प्रनत अत्यगधक संवेदनशील होती है (I0 त पम न के व्युत्क्रम नुप ती होती है) I0 ल गू रिवसस ब यस्ड वोल्िे ज से
स्वतंत्र होती है, अि सत I0 ल गू वोल्िे ज VRB के संबंध में संतप्ृ त होती है औि इसललए इसे संतप्ृ त ध ि कह ज त है

I0 N से P की ओि प्रव टहत होत है।

जैसे-जैसे त पम न बढ़त है, अल्पसंख्यक व हक उत्पन्न होते हैं, त पम न में 1°C की वद्
ृ गध के ललए, I0 7% बढ़ ज त है।

I0 एक बह व ध ि है, क्ट्योंकक यह ध ि िेत्र की तीव्रत के क िि है, जो जंक्ट्शन से गुजि िही है।

फॉिवडस ब यस (FB)
जब P-स इड पि N-स इड के स पेि एक सक ि त्मक ववभव लग य ज त है, तो ल गू ब यस को फॉिवडस ब यस कह ज त है।

जब ककसी भी प्रक ि क पीएन जंक्ट्शन आगे की ओि ब यस्ड होत है, तो सीलमत प्रनतिोध को ड योड के स ि श्ंख
ृ ल में जोड ज न च टहए, सीलमत
प्रनतिोध औि ड योड संभ ववत ववभ जक नेिवकस के रूप में क म कित है
 26

ड योड के प ि फॉिवडस वोल्िे ज VD है

Ge के ललए VD ≤ 0.5 V

Si के ललए VD ≤ 0.9 V

V = VR + VD

V = If Rs + If Rf
जह ाँ, If = ड योड ध ि /अग्रेवित ब यस ध ि

P औि N िेत्रों के बहुसंख्यक व हक जंक्ट्शन की ओि बढ़ें गे औि स्स्िि आयनों को बेअसि कि दें गे, स्जससे स्स्िि आवेशों क िेत्र कम हो ज एग , य नी
ह्र स पित की चौड ई कम हो ज एगी।

अग्रेवित ब यस के तहत संभ ववत अविोध |Vd| से कम हो ज त है

Vj = V0 – |VD|
केस I:
VD < V0, ड योड आगे की ओि ब यस्ड है औि गैि-च लन अवस्ि में है औि यह "ऑफ स्िे ि" य "शून्य अवस्ि " है

केस II:
VD = V0, ब ध ओं क प्रभ व “शून्य” है

केस III:
अगधक गधक संख्य में व हक जंक्ट्शन को प ि किें गे औि अग्रग मी ध ि बडी होगी, जो Vd के स ि तेजी से बढ़े गी।

अग्र ध ि इस प्रक ि दी ज ती है, IF = I0 eVd / VT − 1

Vd = PN जंक्ट्शन पि अग्र ब यस

0 ≤ Vd ≤ Vbi

w  Vbi − Va
Vbi > Va के ललए, चौड ई (w) मैस्जनिी हो ज एगी, जो संभव नहीं है
I 
VD = VT n  f 
 I0 
dVd
= – 2.5mV / C
dt
 27

VI PN जंक्शन डायोड की विशेषताएं:

+I(mA) Forward
Current

Forward
Bias
Reverse "Knee"
Breakdown
Voltage
–V +V
Reverse Voltage Forward Voltage

"Zener" 0.3v Germanium

Breakdown 0.7v Silicon
or Avalanche
Region Reverse
Bias Reverse
–I(mA) Current
जब PN जंक्ट्शन रिवसस ब यस्ड होत है, तो रिवसस वोल्िे ज हमेश डडव इस के ब्रेकड उन वोल्िे ज से कम होन च टहए, अन्यि ड योड नष्ि हो ज एग ।
ब्रेकड उन वोल्िे ज = VBR य BV
1
VBR 
Doping concentration

िोल्टे ज में कटौती (V):

• इसे ऑफसेि वोल्िे ज (FET में) य थ्रेशोल्ड वोल्िे ज (ट्यूब में) भी कह ज त है।
• न्यूनतम वोल्िे ज की आवश्यकत होती है, त कक आगे की ध ि बस ड योड में गुजि ज ए।
V = 0.1V से 0.5 V [स म न्य = 0.2]
Min. V = 0.1V य 100 mV

त पम न में वद्
ृ गध के स ि वोल्िे ज में किौती कम हो ज ती है

त पम न में 1° C की वद्
ृ गध के ललए V 2.5 वोल्ि कम हो ज त है

विशेष डायोड

प्रकाश उत्सजजक डायोड (LED)

Symbol : Anode Cathode

• इस ड योड में स म न्य ड योड की तुलन में कमी पित बडी होती है।

• इसे Ga, As क उपयोग किके बन य ज त है

• इसे हमेश फॉिवडस ब यस्ड स्स्िनत में संच ललत ककय ज त है।

• रिवसस ब यलसंग के तहत, यह स म न्य ड योड की तिह ही क म कित है

 28

सुिंग ड योड:

Symbol : Anode Cathode

• LED ESAKI द्व ि आववष्क ि ककय गय , इसललए इसे ESAKI ड योड भी कह ज त है।
• इस ड योड में बहुत संकीिस कमी पित होती है।
• इस ड योड में PN जंक्ट्शन अत्यगधक डोप ककय ज त है।
• िनललंग प्रभ व के लसद्ध त
ं पि क म कित है।
• यह एक नक ि त्मक प्रनतिोध उपकिि है।
• ये ड योड आमतौि पि Ge द्व ि बन ए ज ते हैं।

जेनि ड योड:

Symbol : Anode Cathode

• यह आमतौि पि लसललकॉन से बन होत है।

• यह ड योड भी िनललंग प्रभ व के लसद्ध ंत पि क म कित है।

• यह ड योड हमेश रिवसस ब यस्ड स्स्िनत में संच ललत होत है।

• अगि इसे सही तिीके से ब यस्ड ककय ज ए तो यह ड योड लोड पि ननिं ति वोल्िे ज बन ए िखत है।

फोिो ड योड:

Symbol : Anode Cathode

• यह ड योड हमेश रिवसस ब यस्ड स्स्िनत में संच ललत होत है।
• इसे लसललकॉन के स ि-स ि जमेननयम से भी बन य ज सकत है।
सससलकॉन फोटो डायोड: दृश्य प्रक श पि प्रनतकक्रय कित है।
जमेननयम फोटो डायोड: अविक्ट्त प्रक श पि प्रनतकक्रय कित है।
• आमतौि पि ह्र स पित की चौड ई स म न्य ड योड से बडी होती है औि डोवपंग क स्ति कम होत है।
• फोिो ध ि n से p िेत्र की ओि प्रव टहत होती है।
• फोिो ध ि अल्पसंख्यक व हक ध ि है।
• फोिो ध ि एक ववसिि ध ि है।

रे क्क्टफायसज

फॉमज फैक्टर (F)

rms value Vrms

F= =
DC value VDC

हाफ िेि रे क्टीफायर

 29

धारा और िोल्टे ज का औसत मल्

ू य

(a) आदशस म मल

Im V
I DC = and I m = m
 RL

Im
VDC =


जह ाँ,

IDC = ध ि औि औसत म न

VDC = वोल्िे ज क औसत म न

Im = ध ि क अगधकतम म न

Vm = वोल्िे ज क अगधकतम म न

RL = लोड प्रनतिोध

(b) व्य वह रिक म मल

I 'm V 'm
I DC = ; VDC =
 

Vm
I 'm = ; V 'm = I 'm RL
Rs + R f + RL

जह ाँ,
Rs = कॉइल प्रनतिोध
Rf = ड योड अग्र प्रनतिोध
RL = लोड प्रनतिोध

धारा और िोल्टे ज का RMS मान

Im Vm
I rms = Vrms =
2 2
पर्
ू ज तरं ग केंद्र टै प दिष्टकारी
ध ि औि वोल्िे ज क औसत मूल्य

2I m 2Vm
I DC = ,ideal case Vdc = ,ideal case
 
ध ि औि वोल्िे ज क RMS म न
Im Vm
I rms = ,ideal case Vrms = ,ideal case
2 2
व्य वह रिक म मले के ललए Im को I’m से प्रनतस्ि वपत ककय ज त है।
जह ाँ,
 30

Vm
I 'm = and V 'm = I 'm RL
RS
+ R f + RL
2
पूर्ज तरं ग ब्रिज रे क्क्टफायर
RS
पूिस तिं ग टदष्िक िी (ब्रब्रज प्रक ि) के ललए सभी सूत्रों में को R से प्रनतस्ि वपत ककय ज त है ति Rf को 2Rf से प्रनतस्ि वपत ककय ज त है।
2
क्लैम्पर
• एक सककसि जो AC तिं ग में DC वोल्िे ज जोड सकत है।
• क्ट्लैम्पि तिं ग के आक ि को नहीं बदलत है, यह केवल तिं ग को ऊपि य नीचे स्ि न ंतरित कित है।
क्ट्लैम्पि को DC िीइन्सिस ि य DC रिस्िोिि भी कह ज त है।

क्लैम्पर सर्कजट

(i) नक ि त्मक क्ट्लैम्पि

(ii) सक ि त्मक क्ट्लैम्पि

 31

उपयोग
क्ट्लैम्पि क उपयोग ककसी तिं गरूप में DC घिक को पुनः ड लने य पुनस्ि सवपत किने के ललए ककय ज त है, जो एम्पलीफ यि जैसे प्रसंस्किि
सककसि से गुजिने के ब द डीसी घिक खो दे त है।

क्क्लपर सर्कजट

(i)

(ii)

(iii)


 32

अध्याय द्विध्रवु ी जंक्शन ट्ांद्वजस्टर

2
प्रतीक:

E C E C

B B

E p n p C E n np n C

B B

IE IC IE IC
E B E B

IB IB

npn pnp

• इसक आववष्क ि बेल प्रयोगश ल ओं USA द्व ि ककय गय ि ।

• यह एक वतसम न ननयंब्रत्रत उपकिि है।
• र ंस्जस्िि कक्रय आध ि िेत्र में होती है।
• यह एक तीन पित, तीन िलमसनल औि दो जंक्ट्शन डडव इस है।
• इसक इनपुि प्रनतब ध कम है औि आउिपुि प्रनतब ध अगधक है।
• इस उपकिि में ध ि प्रव ह बहुसख्
ं यक औि अल्पसंख्यक दोनों व हकों के क िि होत है।
• pnp र ंस्जस्िि में, ध ि च लन निद्रों के क िि होत है औि npn र ंस्जस्िि में ध ि च लन इलेक्ट्रॉनों के क िि होत है।

बीजेटी कॉक्फ़िगरे शन

संदभस नोड के आध ि पि BJT क उपयोग 3 कॉस्ऩ्िगिे शन में ककय ज सकत है जैस कक नीचे दी गई त ललक में टदय गय है:

कॉक्फ़िगरे शन इनपट
ु नोड आउटपट
ु नोड
स म न्य आध ि (CB) E C
स म न्य एलमिि (CE) B C
स म न्य कलेक्ट्िि (CC) B E
 33

ऑपरे शन से बना
मोड एसमटर-बेस जंक्शन कलेक्टर-बेस गुर् उपयोग
जंक्शन
कि-ऑफ रिवसस ब यस रिवसस ब यस बहुत उच्च आंतरिक प्रनतिोध ऑफ-स्स्वच
सकक्रय फॉिवडस ब यस रिवसस ब यस उत्कृष्ि र ंस्जस्िि कक्रय एम्पलीफ यि
संतस्ृ प्त फॉिवडस ब यस फॉिवडस ब यस बहुत कम आंतरिक प्रनतिोध ऑन-स्स्वच
रिवसस सकक्रय रिवसस ब यस फॉिवडस ब यस बहुत खि ब र ंस्जस्िि कक्रय एिे न्यूएिि (व्य वह रिक रूप से उपयोग नहीं ककय ज त )

कॉक्फ़िगरे शन:

कॉक्फ़िगरे शन: विशेषताएँ ितजमान प्रिधजन कारक

स म न्य आध ि VCB = 20 V IC
IE IE (mA) VCB = 10 V =
p n p 4 VCB = 1 V IE
IC 3 IC = I E + ICBO
2
IB I E ICBO
1 IC = +
+ − + − BE (V) 1−  1− 
0.2 0.4 0.5 0.6
VBE VCB Input
I C (mA)

4 IE = 5 mA
Saturation 3 IE = 3 mA
region
2 IE = 2 mA
1 IE = 1 mA
cut off
VCB (V)
Output
स म न्य एलमिि IB (A) 1V 10V IC
IC 40 VCE = 20 =
30 IB
20 
=
n + 10  +1
IB VCE VBE (V)
p − 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 
Input =
n  −1
I E = ( + 1) I B
Saturation
IC (mA)
Region Active Region
+ IC(mA)
VBE 4 ID = 70A
− II 10
Saturation 3 20A ID = 60A
region Active region
2 10A ID = 50A
1 I = 0 A ID = 40A
cut off region B
5 VCE (V) ID = 30A
VCE, sat ID = 20A
ID = 10A
ID = 0

Cutt off Region 0 5 10 VCE(V)

 34

कॉमन-कलेक्ट्िि (स्जसे एलमिि फॉलोवि I E IC + I B

Saturation = =
भी कह ज त है)
Active Region
IC(mA)
Region
ID = 70A
IB IE
IE 10
ID = 60A 1
 =1+  =
ID = 50A
1− 
ID = 40A
P 5 ID = 30A
IB
n +
ID = 20A
ID = 10A
ID = 0
P VEC
– – Cutt off Region 0 5 10 VCE(V)

VBC
+

ऑपरे दटंग मोड:

र ंस्जस्िि तीन अलग-अलग मोड में क म कित है

• किऑफ िेत्र

• संतप्ृ त िेत्र

• सकक्रय िेत्र

कट-ऑफ क्षेत्र:
इस संच लन मोड में र ंस्जस्िि के दोनों जंक्ट्शन रिवसस ब यस्ड होते हैं, इसललए डडव इस के अंदि कोई किं ि प्रव टहत नहीं होत है। इसललए र ंस्जस्िि
ऑफ मोड में होत है औि ओपन स्स्वच के रूप में क यस कित है। र ंस्जस्िि इस मोड में ऑफ स्स्वच के रूप में क म कित है।

संतक्ृ तत क्षेत्र:
ऑपिे शन के इस मोड में, र ंस्जस्िि के दोनों जंक्ट्शन फॉिवडस ब यस्ड होते हैं, इसललए डडव इस में किं ि प्रव टहत होत है। इसललए र ंस्जस्िि ऑन मोड
में होत है औि बंद स्स्वच के रूप में क यस कित है। र ंस्जस्िि इस मोड में ऑन स्स्वच के रूप में क म कित है।

सर्िय क्षेत्र:
इस मोड में एक जंक्ट्शन (EB) फॉिवडस ब यस्ड होत है औि दस
ू ि जंक्ट्शन (CB) रिवसस ब यस्ड होत है। इस मोड में र ंस्जस्िि एम्पलीफ यि के रूप में
क म कित है।

डोवपंग स्तर:
एलमिि > बेस > कलेक्ट्िि (NE > NB > NC)

क्षेत्र
कलेक्ट्िि > एलमिि > बेस

उत्सजजक इंजक्
े शन िक्षता:
iE p
E = for p-n-p
iE p + iEn
 35

iEn
E = for n-p-n
iE p + iEn

जह ाँ, iE p = निद्रों के क िि उत्सजसक ध ि ।

iEn = इलेक्ट्रॉनों के क िि उत्सजसक ध ि .

आधार पररिहन कारक (बी):

IC
B= for pnp
I Ep

IC
B= for npn
I En

वतसम न ल भ (α)

∴  = B E

आधार चौडाई मॉडुलन/प्रारं सिक प्रिाि:

प्र िं लभक प्रभ व, स्जसे बेस चौड ई मॉडुलन के रूप में भी ज न ज त है, एक द्ववध्रुवीय जंक्ट्शन र ंस्जस्िि में बेस की प्रभ वी चौड ई में परिवतसन है, जो
कलेक्ट्िि वोल्िे ज (VBC) पि ल गू बेस में परिवतसन के क िि होत है। कलेक्ट्िि बेस जंक्ट्शन में अगधक रिवसस ब यस कलेक्ट्िि बेस डडप्लेशन चौड ई को
बढ़ त है, स्जससे बेस के च जस कैरियि टहस्से की चौड ई कम हो ज ती है।

इस घटना के िो प्रिाि हैं:

• संग्र हक ध ि बढ़ ज ती है, क्ट्योंकक संकिे आध ि िेत्र में पुनसंयोजन के ललए कम इलेक्ट्रॉन औि निद्र होते हैं।
• प्र िं लभक वोल्िे ज, जो वह वोल्िे ज है स्जस पि संग्र हक ध ि संतप्ृ त होने लगती है, बढ़ ज ती है।

थमजल रननंग:
यह वह घिन है स्जसमें र ंस्जस्िि क त पम न अननयंब्रत्रत रूप से बढ़ ज त है, स्जससे र ंस्जस्िि नष्ि हो ज त है। यह एक सक ि त्मक फीडबैक लप
ू
के क िि होत है, स्जसमें त पम न में वद्
ृ गध से किं ि में वद्
ृ गध होती है। दो सबसे अगधक त पम न संवेदनशील म त्र एाँ VBE औि IC हैं।

dT P
= ( IC − ICBO ) −
dt C

dT
जह ाँ, = त पम न परिवतसन की दि
dt

β = वतसम न ल भ

IC = कलेक्ट्िि किं ि

ICBO = कलेक्ट्िि लीकेज किं ि

P = शस्क्ट्त क अपव्यय
 36

C = र ंस्जस्िि की त पीय ध रित .

ट्ांक्जस्टर बायससंग सर्कजट:

• यह BJT को सकक्रय िेत्र में संच ललत किने के ललए ककय ज त है, त कक इसे एम्पलीफ यि के रूप में इस्तेम ल ककय ज सके।
• IC को स्स्िि बन ए िखने के ललए, त कक ऑपिे टिंग पॉइंि बह व न हो औि िमसल िनवे न हो।

ट्ांक्जस्टर बायससंग:

प्रकार कॉक्फ़िगरे शन समीकरर्

ननस्श्चत-पूव सग्रह VCC VCC − VBE

IB =
RB
RB RC
IC = βIB, IE = (1 + β)IB

VCE = VCC – ICRC

उत्सजसक-पूव सग्रह VCC VCC − VBE

IB =
RB + ( + 1) RE
RB RC
IC = βIB, IE = (β + 1)IB

Ri = (β + 1)RE

RE VCE = VCC – IC(RC + RE)

वोल्िे ज-ववभ जक पूव सग्रह VCC Rth = R1||R2

R2VCC
Vth =
R1 RC R1 + R2
 VTh − VBE
IB =
R2 RTh + ( + 1)RE
RE
IC = βIB, IE = (β + 1)IB
VCE = VCC – IC(RC + RE)

कलेक्ट्िि-प्रनतकक्रय VCC − VBE

IB =
RB
RC RB + ( RC + RE )

IC = βIB, IE = (β + 1)IB

VCE = VCC – IC(RE + RE)
RE
 37

एलमिि-अनुय यी VEE − VBE

IB =
RB + ( + 1)

RB IC = βIB, IE = (β + 1)IB
RE
VCE = VEE – IERE
–VEE

ट्ांक्जस्टर एम्पलीफायर

BJT के सलए लघु संकेत विश्लेषर्

• BJT क h-पैि मीिि मॉडल

V1 = hiI1 + hr V2
I2 = hf I1 + h0 V2
I
• वतसम न ल भ, AI = 2
I1
−h f RL
AI =
1 + h0 RL

V1
• इनपुि उपस्स्िनत, Zi = = hi + hr AI RL
I1
AR
• वोल्िे ज बढ़न , AV = I L
Zi
1
• आउिपुि प्रनतब ध , Z 0 =
 h f hr 
 h0 − h + R 
 i S 

कॉमन एसमटर (सीई) एम्पलीफायर

 38

लघु ससग्नल मॉडल

V0 −h f e
वोल्िे ज बढ़न AV = = ( RC || RL )
Vi hi e

का उच्च आिवृ ि विश्लेषर्

rbb' = आध ि प्रस ि प्रनतिोध।

rb'e = इनपुि प्रनतिोध।
rb'c = फीडबैक प्रनतिोध।
rce = आउिपुि प्रनतिोध।
Cb'e = वववतसन ध रित ।
Cb'c = संक्रमि ध रित ।
gm = र ंसकंडक्ट्िें स।
 39

हाइब्रिड π-पैरामीटर

( IC )Q KT
(1) gm = ;VT = ,
VT q
ICQ = dc ब यस ब्रबद
ं ु कलेक्ट्िि ध ि .
h
(2) rb ' e = fe
gm

आिवृ ि के रूप में िोल्टे ज लाि

कम आिवृ ि रें ज
• ब हिी संध रित्र CE औि CC शॉिस सककसिे ड हैं।
• आंतरिक संध रित्र Cb’c औि Cb’e ओपन सककसिे ड हैं।
• सककसि जैस हो ज त है।

= उच्च प स कफल्िि के रूप में क यस कित है

उच्च आिवृ ि िाले रें डे

• ब हिी कैपेलसििCb, CC औि CE शॉिस सककसिे ड हैं।
• Cb’c ओपन सककसिे ड है।
• समतुल्य सककसि कि-ऑफ आववृ ि fL के स ि कम प स कफल्िि के रूप में व्यवह ि कित है।
 40

मध्य बैंड िें ज

• सभी आंतरिक औि ब ह्य ध रित उपेक्षित हैं, इसललए ल भ आववृ ि से स्वतंत्र है

विसिफन फीडबैक कॉक्फ़िगरे शन के सलए इनपुट और आउटपुट प्रनतबाधा पर प्रिाि

फीडबैक इनपुट आउटपुट लाि Ri R0

वोल्िे ज श्ख
ंृ ल वोल्िे ज श्ख
ंृ ल वोल्िे ज शंि Av ↓ ↓

वोल्िे ज श्ख
ंृ ल वोल्िे ज किं ि Gm ↑ ↑

वोल्िे ज शंि किं ि वोल्िे ज Rm ↓ ↓

वोल्िे ज शंि किं ि किं ि AI ↓ ↑

नोि:
• वोल्िे ज श्ख
ंृ ल फीडबैक, Ri औि R0 के संदभस में सबसे अच्िी व्यवस्ि है।
• वतसम न शंि इसके ललए सबसे खि ब है।

 41

अध्याय जंक्शन फील्ड इफे क्ट ट्ांद्वजस्टर

3
• FET एक तीन िलमसनल यूननपोलि डडव इस है। किं ि य तो इलेक्ट्रॉन (n-चैनल) के क िि होत है य होल्स (p-चैनल) के क िि, JFET एक वोल्िे ज-
ननयंब्रत्रत डडव इस है। JFET की सबसे महत्वपूिस ववशेित यह है कक इसमें उच्च इनपुि प्रनतब ध होती है।
• FET गेि पि वोल्िे ज के अनुप्रयोग द्व ि किं ि के प्रव ह को ननयंब्रत्रत कित है, जो बदले में ड्रेन औि स्रोत के बीच च लकत को बदल दे त है,
इसललए इसे वोल्िे ज-ननयंब्रत्रत डडव इस कह ज त है।
• FET के दो मुख्य प्रक ि हैं: जंक्ट्शन फील्ड इ़िेक्ट्ि र ंस्जस्िि (JFET) औि मेिल-ऑक्ट्स इड-सेमीकंडक्ट्िि फील्ड-इ़िेक्ट्ि र ंस्जस्िि (MOSFET)। JFET
कमी के लसद्ध ंत पि आध रित हैं, जबकक MOSFET वद्
ृ गध के लसद्ध ंत पि आध रित हैं।

Drain ( D)

+ D
ID

G
+ VDS P n P
VGS

– S
Source (S)

• FET, में, गेि सदै व रिवसस ब यस्ड होत है।

FET के विसिफन पैरामीटर:

FET के पैि मीिि ववद्युत ववशेित एाँ हैं जो इसके व्यवह ि क विसन किते हैं। FET के सबसे महत्वपि
ू स पैि मीिि हैं:

• र ंस-कंडक्ट्िें स (gm): र ंस-कंडक्ट्िें स लसग्नल को बढ़ ने के ललए FET की िमत क एक म प है। इसे एक स्स्िि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज पि गेि
वोल्िे ज में परिवतसन के ललए ड्रेन किं ि में परिवतसन के अनुप त के रूप में परिभ वित ककय गय है।
• ड्रेन प्रनतिोध (rd): ड्रेन प्रनतिोध ड्रेन औि स्रोत के बीच वतसम न प्रव ह के ललए FET के प्रनतिोध क एक म प है। इसे एक स्स्िि गेि
वोल्िे ज पि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज औि ड्रेन किं ि के अनुप त के रूप में परिभ वित ककय गय है।
• प्रवधसन क िक (μ): प्रवधसन क िक लसग्नल को बढ़ ने के ललए FET की िमत क एक म प है। इसे एक स्स्िि ड्रेन किं ि पि गेि वोल्िे ज
में परिवतसन के ललए ड्रेन वोल्िे ज में परिवतसन के अनुप त के रूप में परिभ वित ककय गय है।
• थ्रेशोल्ड वोल्िे ज (Vt): थ्रेशोल्ड वोल्िे ज वह गेि वोल्िे ज है स्जस पि FET किं ि क संच लन किन शुरू कित है।
• वपंच-ऑफ वोल्िे ज (Vp): वपंच-ऑफ वोल्िे ज वह गेि वोल्िे ज है स्जस पि FET अपने अगधकतम ड्रेन किं ि तक पहुाँचत है।
ये पैि मीिि FETs के व्यवह ि को समझने औि FETs के स ि सककसि डडज इन किने के ललए महत्वपूिस हैं।

विशेषताएँ:

ननक सी ववशेित एाँ

FET की ड्रेन ववशेित एाँ वे वक्र हैं जो गेि वोल्िे ज के ववलभन्न म नों के ललए ड्रेन किं ि औि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज के बीच संबध
ं को दश सते हैं। FET के
व्यवह ि को समझने औि FET के स ि सककसि डडज इन किने के ललए ड्रेन ववशेित एाँ महत्वपूिस हैं।

FET की ड्रेन ववशेित ओं को तीन िेत्रों में ववभ स्जत ककय ज सकत है:
 42

• ओसमक क्षेत्र: ओलमक िेत्र में, ड्रेन किं ि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज के स ि िै णखक रूप से बढ़त है। ऐस इसललए है क्ट्योंकक चैनल में कमी िेत्र पिू ी
तिह से नहीं बन है, इसललए चैनल बडी म त्र में किं ि क संच लन किने में सिम है।
• संतक्ृ तत क्षेत्र: संतस्ृ प्त िेत्र में, ड्रेन किं ि अगधकतम म न तक पहुाँच ज त है औि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज के स ि नहीं बढ़त है। ऐस इसललए है
क्ट्योंकक चैनल में कमी िेत्र पूिी तिह से बन है, इसललए चैनल केवल सीलमत म त्र में किं ि क संच लन कि सकत है।
• िेकडाउन क्षेत्र: ब्रेकड उन िेत्र में, ड्रेन किं ि ड्रेन-सोसस वोल्िे ज के स ि तेजी से बढ़त है। ऐस इसललए है क्ट्योंकक चैनल में कमी िेत्र िूि ज त
है, स्जससे बडी म त्र में किं ि प्रव टहत होत है।
• कट-ऑफ क्षेत्र: FET क कि-ऑफ िेत्र वह िेत्र है, जह ाँ ड्रेन-सोसस चैनल प्रनतिोध अपने अगधकतम स्ति पि होत है औि ड्रेन से FET के स्रोत
तक कोई ड्रेन किं ि, Id, प्रव टहत नहीं होत है। इस िेत्र में, र ंस्जस्िि बंद होत है।

FET Characteristics Curve

ID (mA) Breakdown
Region
15
Saturation Region
IDSS Ohmic Region VGS = 0V
VGS = –1V
10
VGS = –2V

5 VGS = –3V

VGS = –4V

Cutoff Region

5 10 15 20
VDS(V)

MOSFET (ध तु ऑक्ट्स इड सेमीकंडक्ट्िि FET)

• मेिल ऑक्ट्स इड सेमीकंडक्ट्िि फील्ड इफेक्ट्ि र ंस्जस्िि।

• इसमें बहुत उच्च स्स्वगचंग आववृ ि औि उच्च इनपुि प्रनतब ध है।
• इसमें उच्च किं ि हैंडललंग िमत है।

संवद्सधन प्रक ि MOSFET

• स्रोत औि न ली के बीच कोई भौनतक चैनल नहीं है

• चैनल गेि को प्रेरित किने के ललए - स्रोत वोल्िे ज ल गू ककय ज त है।

अविय MOSFET

• स्रोत औि न ली के बीच मौजूद भौनतक चैनल।

 43

MOSFET के प्रक ि
D D
G G

S S
N-channel P-channel

परिच लन ववलशष्ित एं

1. एन-चैनल MOSFET के ललए

• ID = 0 for VGS < VT. (कि-ऑफ िेत्र)

W 2 
VDS
• I D = nCOX ( GS T ) DS
V − V V −  (िै णखक िेत्र)
L  2 

VGS  VT and VDS  (VGS − VT )

W (VGS − VT )
2
• I D = nCOX (संतस्ृ प्त िेत्र)
L 2

VGS  VT and VDS  (VGS − VT )

2. पी-चैनल MOSFET के ललए

• ID = 0 for VGS > VT (कि-ऑफ िेत्र)
W V  2
• I D = nCox  (VGS − VT )VDS −  DS
(िै णखक िेत्र)
L 2 
VGS ≤ and VDS > VGS – VT
W (VGS − VT )
2

• I D = n cox (संतस्ृ प्त िेत्र)

L 2
VGS ≤ VT and VDS ≤ VGS – VT

ननक सी ववशेित एाँ:

 44

VGS7 > VGS6 > … > VGS1

VGS7
A
VGS6

Drain Current, ID (A)

VGS5

VGS4

VGS3

VGS2

VGS1
B VDS
Drain Source Voltage VDS
 45

अध्याय ऑपरेशनल एंप्लीफायर

4
ऑप-एम्प मूलतः एक बहुत उच्च ल भ व ल , उच्च इनपुि प्रनतब ध औि कम आउिपुि प्रनतब ध व ल प्रत्यि युस्ग्मत एम्पलीफ यि है

ऑप-एम्प के गि
ु

पैरामीटर आिशज मूल्य व्यािहाररक मूल्य

वोल्िे ज ल भ ∞ 106

इनपुि प्रनतिोध ∞ 106 Ω or 1 M Ω

आउिपि
ु प्रनतिोध 0 10 Ω to 100 Ω

बी.डब्ल्यू. ∞ 106 Hz or 1 MHz

सी.एम.आि.आि. ∞ 106 or 120 dB

स्लीव दि ∞ 80V/µ sec.

परिवतसन दि

इनपुि के ललए Vm sin t

SR
f max =
2ACLVm

जह ाँ,

SR → स्लीव िे ि

fmax → ऑपिे शन की अगधकतम आववृ ि

ACL → OP-AMP क बंद लूप ल भ

पूव सग्रह ध ि एं औि वोल्िे ज

V0  0 → आउिपुि ऑफसेि वोल्िे ज कह ज त है।

 46

संतुललत स्स्िनत.

इनपुि ब यस ध ि (I/B)

I B1 + I B 2
IB =
2

इनपि
ु ऑफसेि किं ि

Ii 0 = ( I B1 − I B 2 )

नोि:
इनपुि ऑ़िसेि वोल्िे ज वह वोल्िे ज है स्जसे एम्पलीफ यि को संतुललत किने के ललए इनपुि िलमसनलों के बीच ल गू ककय ज न च टहए (V0 = 0).

िै णखक ऑप-एम्प सककसि

इन्वटिं ग एम्पलीफ यि

जह ाँ, AOL → op-amp क ओपन लूप गेन

आदशस; AOL = ∞

Rf
AV = −
R1

नॉन-इनवटिं ग एम्पलीफ यि
 47

 Rf 
1 + 
V0
Gain = AV = =  Ri 
Vi  1 + R f / Ri 
1+  
 AOL 

जह ाँ, AOL → op-amp क ओपन लूप ल भ

आदशस; AOL = ∞

 Rf 
AV = 1 + 
 Ri 

अंति एम्पलीफ यि

R2  R4  R2 
V0 = − V1 +  1 + V2
R1  R3 + R4   R1 

R2 R4 R R
If = then,V0 = 4 [V2 − V1 ] = 2 (V2 − V1 )
R1 R3 R3 R1

इस म मले में जब

R2 R4
= ,
R1 R3

AC = 0 → स म न्य मोड ल भ औि CMRR = ∞

नॉनलाइननयर ऑप-एम्प सर्कजट

इंिीग्रेिि

1
Vi dt + V0 (0+ )
RC 
V0 = −
 48

नोट:
• यह इंिीग्रेिि सीलमत ल भ के क िि कम आववृ ि पि अस्स्िि हो ज त है।
• अस्स्िित की कमी को फीडबैक पि में एक प्रनतिोधक Rf जोडकि सम प्त ककय ज सकत है औि ऐसे इंिीग्रेिि सककसि को व्य वह रिक
इंिीग्रेिि कह ज त है।

वििेिक

dVi
V0 = − RC
dt

नोट:
यह ववभेदक परिलमत ल भ के क िि उच्च आववृ ि पि अस्स्िि हो ज त है।
अस्स्िित की कमी को इनपुि पि में Rf को जोडकि सम प्त ककय ज सकत है औि ऐसे ववभेदक को व्य वह रिक ववभेदक कह ज त है।

लघुगर्कीय प्रिधजक

Vi
V0 = −VT ln
R

जह ाँ,

η → पुनसंयोजन क िक
VT → िमसल वोल्िे ज
I0 → ड योड क रिवसस संतस्ृ प्त ध ि

ग्र उं डेड लोड

 49

Rf R4 V
If = then IL = S
R1 R3 R3

यटद VS को ब्रबद
ं ु A पि लग य ज ए ति B को ग्र उं ड ककय ज ए ति

Rf R4 −V
= then IL = S
R1 R3 R3

स्श्मि टरगि

 R2   −R2 
VTh = Vsat =  Vsat ; VTL = −Vsat =  Vsat
 R1 + R2   R2 + R1 


 50

अध्याय ऑसीलेटर
5
ऑलसलेिसस धन त्मक फीडबैक प्रवधसक होते हैं, स्जसमें आउिपि
ु क भ ग फीडबैक सककसि के म ध्यम से इनपि
ु को फीडबैक ककय ज त है।

V0 A
ल भ,, =
Vi 1 − A

 Vi = 0 (Noise)
A = 1 or 1 0° 360°
नोि:

• |Aß| = 1, स इनसोइडल आउिपिु क आय म स्स्िि िहत है।

• यटद |Aß| < 1, तो दोलन क आय म समय के स ि कम हो ज एग औि अंततः य अंततः दोलन ग यब हो ज एग ।
• यटद |Aß| > 1, तो दोलन क आय म समय के स ि बढ़े ग व्य वह रिक रूप से आपूनतस वोल्िे ज सीम औि र ंस्जस्िि की गैि-िै णखकत के
क िि अगधकतम मूल्य तक पहुंचने के ब द आय म स्स्िि हो ज त है।

ऑससलेटर के प्रकार

घटक का प्रकार िोलन की आिवृ ि उत्पफन तरं गरूप

आिसी ऑलसलेिि ऑडडयो आववृ ि स इनसॉइडल

एलसी ऑलसलेिि िे डडयो आववृ ि वग सक ि तिं ग

कक्रस्िल ऑलसलेिि िे डडयो आववृ ि ब्रत्रकोिीय तिं ग सॉिूि तिं ग आटद।

विश्राम ऑससलेटर
 51

 R2 
= 
 R1 + R2 
 1+  
T = 2RC ln  
 1 − 
1 1
f = =
T 1+  
2 RC ln  
 1−  


 52

अध्याय टाइमर
6

वपन आरे ख

• ब्रबस्िे बल मल्िी व इब्रेिि एफएफ के रूप में क यस कित है।

• मोनोस्िे बल मल्िी व इब्रेिि पल्स आउिपुि उत्पन्न कित है।
• ब्रबस्िे बल मल्िी व इब्रेिि फ्री िननंग ऑलसलेिि के रूप में क यस कित है।

एक क्स्थर मल्टी िाइिेटर

Vc 8
4
R1
t
7
R2
V0 5
3
6
Tc
2
t
C
Td 1
Tc = 0.69(R1 + R2) c
Td = 0.69R2c
T = Tc + Td = 0.69 (R1 + 2R2) c
1 1
f = =
T 0.69 ( R1 + 2R2 )

