Podstawy elektrotechniki,

miernictwa i elektroniki

dr inż. Marcin Kowalski

 Budowa atomu – poziomy energetyczne

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach nie są możliwe do

wyjaśnienia na gruncie elektrodynamiki klasycznej. Dopiero
elektrodynamika kwantowa umożliwiła teoretyczne
wyjaśnienie szeregu zjawisk, takich jak na przykład
promieniowanie ciała doskonale czarnego czy zjawisko
fotoelektryczne. Podobnie właściwości elektryczne i optyczne
półprzewodników, będących materiałem konstrukcyjnym
elementów elektronicznych mogą być uzasadnione
teoretycznie jedynie na gruncie elektrodynamiki kwantowej.
Właściwości gazu elektronowego czy powłok elektronowych
atomów są bardzo dobrze wyjaśniane przez elektrodynamikę
kwantową.
 Budowa atomu – poziomy energetyczne

Rozwiązanie równania Schrödingera, będącego jednym z

fundamentalnych praw mechaniki kwantowej, dla przypadku
elektronu znajdującego się w okresowym polu elektrycznym,
wytwarzanym przez jądra atomowe, tworzące sieć
krystaliczną, mówi, że elektron w atomie, w przeciwieństwie
do gazu elektronowego, może przyjmować tylko pewne
zakresy energii. Zakresy dozwolonych energii nazywane są
pasmami dozwolonymi. Pasma dozwolone przedzielone są
pasmami zabronionymi.
 Budowa atomu – poziomy energetyczne
Przy opisie zjawisk elektrycznych zachodzących w
materiałach zawęża się analizę do dwóch poziomów
energetycznych: ostatniego obsadzonego poziomu (T→0),
nazywanego pasmem walencyjnym oraz pierwszego pustego
(nieobsadzonego) poziomu energetycznego (T→0),
nazywanego pasmem przewodnictwa.
Rożnica pomiędzy najniższą energią pasma przewodnictwa a
najwyższą energią pasma walencyjnego nazywana jest
przerwą energetyczną lub szerokością pasma zabronionego.

Rys. 81 Pasma energetyczne w półprzewodniku samoistnym.

 Budowa atomu – poziomy energetyczne

Konfiguracja pasm energetycznych i ich obsadzenie przez

elektrony determinuje własności elektryczne materii. Jest też
podstawą podziału na metale, półprzewodniki i dielektryki.
W niektórych metalach pasmo walencyjne jest zapełnione
częściowo. Przykładem takiego metalu jest sód, w którym
pasmo 3s jest obsadzone w połowie. W ciałach stałych
dyskretne poziomy energetyczne rozszczepiają się w pasma,
ponadto pasma te mogą zachodzić na siebie. W krysztale
sodu pasmo 3s zachodzi na pierwsze puste pasmo 3p.
W takim układzie pasm energetycznych elektron przy
niewielkim wzroście energii przechodzi do pasma
przewodnictwa, staje się wolnym elektronem, który tworzy tak
zwany gaz elektronowy.
 Budowa atomu – poziomy energetyczne

W obecności pola elektrycznego elektrony uzyskują

niezerową prędkość średnią, co jest równoważne z
przepływem prądu elektrycznego.
Mechanizm przewodzenia prądu jest podobny w metalach z
drugiej grupy układu okresowego. W metalach takich pasmo
walencyjne jest zapełnione całkowicie, ale wskutek
odkształcenia pasm zachodzi ono na pasmo przewodnictwa.
Na przykład w berylu pasmo 2s (ostatnie obsadzone -
walencyjne) zachodzi na pasmo 2p (pierwsze puste – czyli
przewodnictwa).
 Budowa atomu – poziomy energetyczne
Drugą grupę ciał stanowią półprzewodniki. Półprzewodniki to
takie ciała, w których w temperaturze zera bezwzględnego
pasmo walencyjne jest całkowicie zapełnione, pasmo
przewodnictwa całkowicie puste, a przerwa energetyczna
pomiędzy pasmem walencyjnym a pasmem przewodnictwa
jest nieduża: ok. 1 eV. Umowna granica przerwy
energetycznej dla półprzewodników to 3 eV.
Wskutek wzbudzeń termicznych niektóre elektrony mogą
uzyskać energię wystarczającą do pokonania przerwy
energetycznej i przejść z pasma walencyjnego do pasma
przewodnictwa, stając się elektronami swobodnymi. Elektrony
mogą w półprzewodnikach być wzbudzane do pasma
przewodnictwa także wskutek zjawiska fotoelektrycznego.
Większość półprzewodników posiada w temperaturze
pokojowej tak dużą koncentracje elektronów w pasmie
przewodnictwa, że mają dość znaczną przewodność.
 Półprzewodniki

W półprzewodnikach samoistnych (niedomieszkowanych) w

T→0 pasmo przewodnictwa jest puste. Wraz ze wzrostem
temperatury niektóre elektrony wskutek wzbudzeń
termicznych uzyskują energię, która pozwala im przejść do
pasma przewodnictwa. W temperaturze pokojowej
półprzewodniki posiadają już znaczną konduktywność σ.
Umowną granicą szerokości przerwy energetycznej EG, która
kwalifikuje dany materiał do półprzewodników jest EG < 3 eV
 Izolatory

Materiały o większej przerwie energetycznej są izolatorami. W

izolatorze elektron nie może przejść do pasma przewodnictwa
w wyniku wzbudzenia termicznego bądź świetlnego. Dopiero
w bardzo silnym polu elektrycznym może uzyskać energię
niezbędną do przejścia pasma zabronionego.
Definicja ta nie jest ścisła, gdyż półprzewodnikami są też
diament EG = 5,1 eV oraz ZnS EG = 3,5 eV.
 Budowa atomu – poziomy energetyczne

Rys. 82 Konfiguracja pasm energetycznych w a), b) - metalach, c)

– półprzewodnikach, d) – izolatorach.
W materiałach z przerwą energetyczną powyżej 3 eV
wzbudzenia termiczne elektronów praktycznie nie występują i
ciało jest izolatorem.
 Półprzewodniki
Półprzewodnikami są zarówno pierwiastki chemiczne
(półprzewodniki pierwiastkowe) jak i ich związki
(półprzewodnikowe związki chemiczne). Półprzewodnikami są
też mieszaniny pierwiastków (półprzewodniki mieszane).
Występują także półprzewodniki organiczne.
Najważniejsze półprzewodniki pierwiastkowe krzem i german
należą do IV grupy układu okresowego pierwiastków .
Półprzewodnikami pierwiastkowymi są też bor, diament,
selen, tellur i inne rzadko wykorzystywane w technice
pierwiastki.
Półprzewodnikowymi związkami chemicznymi są związki
pierwiastków z III i V grupy układu okresowego pierwiastków,
na przykład GaAs, GaP oraz związki pierwiastków w II i VI
grupy, na przykład CdTe, ZnO.
 Półprzewodniki

W zależności od szerokości przerwy energetycznej σ

półprzewodników zmienia się od 10-8 do 106 (Ωm)-1.
Elektron, który przechodzi do pasma przewodnictwa
pozostawia w pasmie walencyjnym puste miejsce, które może
zostać zajęty przez inny elektron z pasma walencyjnego. To
puste miejsce, nazywane dziurą, może zostać zajęte przez
inny elektron z pasma walencyjnego. Obserwator zauważy w
pasmie walencyjnym przemieszczanie się ładunku
dodatniego, który jest w istocie pustym miejscem po
elektronie. Tak też opisuje się ruch ładunków w pasmie
walencyjnym: mówi się o przewodzeniu prądu w pasmie
walencyjnym przez dziury.
 Półprzewodniki
Szerokość przerwy energetycznej danego półprzewodnika
zależy od budowy powłok elektronowych oraz od rodzaju
wiązań w kryształach w przypadku związków chemicznych. Z
kolei szerokość EG ma decydujący wpływ na właściwości
półprzewodnika (konduktywność, długość emitowanej fali
świetlnej).
W półprzewodnikach mieszanych, na przykład Ge xSi1-x,
GaAs1-xPx, Hg1-xCdxTe. (gdzie x oznacza stosunek liczby
atomów jednego pierwiastka do liczby pozostałych atomów)
zmieniając x można osiągać rożne wartości przerwy
energetycznej.
We wszystkich półprzewodnikach szerokość przerwy
energetycznej zależy od temperatury. Względne zmiany EG
dochodzą do 10%. Spowodowane one są rozszerzalnością
cieplna kryształów. EG Maleje wraz z temperaturą.
 Półprzewodniki
Kryształ Eg [eV]
T=300 K T=0 K
Półprzewodniki pierwiastkowe
Si 1.120 1,165
Ge 0,665 0,746
Związki chemiczne AIIIBV
GaAa 1,43 1,52
GaP 2,24 2,33
GaSb 0,69 0,79
InAs 0,35 0,43
InP 1,35 1,42
InSb 0,16 0,23

Tabela 2 Właściwości półprzewodników najczęściej stosowanych w

technice.
 Półprzewodniki
Kryształ Eg [eV]
T=300 K T=0 K
Związki chemiczne AIIBVI
CdS 2,42
CdSe 1,73
CdTe 1,50
ZnS 3,61
ZnSe 2,70
ZnTe 2,25
Związki chemiczne AIVBIV
PbS 0,37 0,29
PbSe 0,26 0,17
PbTe 0,29 0,19

Tabela 3 Właściwości półprzewodników najczęściej stosowanych w

technice.
 Półprzewodniki samoistne
Półprzewodnikami samoistnymi nazywamy półprzewodniki
chemicznie czyste, nie zawierające obcych atomów. Elektrony
występujące w pasmie przewodnictwa pochodzą wyłącznie z
pasma walencyjnego. Liczba elektronów jest równa liczbie
dziur. Elektrony przechodzą do pasma przewodnictwa
wskutek wzbudzenia termicznego lub absorpcji kwantu
promieniowania świetlnego.

a) b)
Rys. 83 Nośniki prądu w półprzewodniku samoistnym
a) T→0, b) T > 0.
 Półprzewodniki samoistne

a) b)

Rys. 84 Półprzewodnik samoistny: a) pasmo walencyjne i pasmo

przewodnictwa, b) gęstość stanów, c) funkcja rozkładu Fermiego-Diraca,
d) koncentracja nośników (n – elektronów, p – dziur).
 Półprzewodniki samoistne
Koncentracja nośników w półprzewodniku samoistnym bardzo
szybko wzrasta wraz ze wzrostem temperatury. Jest niższa
dla półprzewodników o większej szerokości pasma
zabronionego.
W półprzewodnikach samoistnych koncentracja nośników
prądu jest dużo niższa od koncentracji atomów. Na przykład w
krzemie w temperaturze 300 K na jeden elektron w pasmie
przewodnictwa przypada 4,9·1012 atomów niezjonizowanych.
T [K] Si Ge GaAs

n [m-3] ni [m-3] n/ni n [m-3] ni [m-3] n/ni n [m-3] ni [m-3] n/ni

200 5·1028 5,1·1010 9,8·1017 4,4·1028 6,6·1015 6,6·1012 2,2·1028 3,9·105 7,4·1022

300 1·1016 4,9·1012 2,3·1019 1,9·109 1,9·1012 1,1·1016

400 5,2·1018 9,6·109 1,5·1021 2,9·107 5,6·1015 3,9·1012

500 2,4·1020 2,1·108 2,0·1022 2,2·106 7,2·1017 3,1·1010

Tabela 4 Koncentracja nośników prądu i atomów w Si, Ge i GaAs.

 Półprzewodniki domieszkowe
W zastosowaniach technicznych powszechnie stosuje się
półprzewodniki domieszkowe, zawierające atomy obce,
wprowadzone do sieci krystalicznej półprzewodnika
samoistnego. Domieszkowanie w sposób istotny wpływa na
właściwości elektryczne półprzewodników.
Przykładem półprzewodnika domieszkowego jest german z
wprowadzonymi do swojej sieci krystalicznej atomami arsenu.
W germanie, posiadającym cztery elektrony walencyjne (Rys.
85), każdy elektron tworzy wiązanie z najbliższymi sąsiadami
w strukturze krystalicznej. Jeśli jeden z atomów germanu
zastąpi się atomem arsenu z pięcioma elektronami na orbicie
walencyjnej, to cztery z pięciu elektronów walencyjnych
arsenu utworzy wiązania z sąsiednimi atomami germanu.
Piąty elektron nie tworzy wiązania i jest związany z jądrem
atomowym siłą przyciągania Coulomba. Siły te jednak są
bardzo słabe, gdyż przyciąganie występuje w ośrodku o
względnej przenikalności dielektrycznej ε.
 Półprzewodniki domieszkowe
Wtedy promień orbity elektronu zwiększa się ε-krotnie a
energia wiązania zmniejsza się ε2. Dla germanu, w którym ε =
16, piąty elektron, nie tworzący wiązań z sąsiednimi atomami,
ma bardzo małą energię jonizacji, czyli energię przejścia do
pasma przewodnictwa. Dla domieszki As wynosi ona Ej =
0,0127 eV. Dla porównania Eg germanu wynosi 0,665 eV.
Typ domieszkowania, w którym do struktury krystalicznej
półprzewodnika wprowadza się atom pięciowartościowy
nazywa się domieszkowaniem donorowym lub
domieszkowaniem typu n. Jako domieszki donorowe stosuje
się też fosfor i antymon. Sama domieszka nazywana jest
donorem, a półprzewodnik półprzewodnikiem typu n.
Wprowadzenie domieszek donorowych powoduje pojawienie
się dodatkowego poziomu energetycznego wewnątrz obszaru
zabronionego, leżącego blisko dna pasma przewodnictwa.
Poziom ten nazywany jest poziomem donorowym.
 Półprzewodniki domieszkowe
Ze względu na małą energię jonizacji elektronów domieszki,
zostają one zjonizowane już w temperaturach bliskich zeru
bezwzględnemu. W temperaturze pokojowej wszystkie atomy
domieszki są zjonizowane. Dla germanu z domieszką
donorową o Ej = 0,01 eV wszystkie atomy domieszki są
zjonizowane w temperaturze T = 35 K.

Rys. 85 Półprzewodnik typu n a) T→0 K, b) T > 0 K.

 Półprzewodniki domieszkowe

Rys. 86 Półprzewodnik domieszkowy typu n: a) pasmo walencyjne,

pasmo przewodnictwa, poziom donorowy b) gęstość stanów, c) funkcja
rozkładu Fermiego-Diraca, d) koncentracja nośników (n – elektronów, p –
dziur).
 Półprzewodniki domieszkowe
Inaczej wygląda sytuacja jeśli w sieci krystalicznej
półprzewodnika samoistnego jeden z atomów zostanie
zastąpiony atomem pierwiastka posiadającego trzy elektrony
na orbicie walencyjnej. Taki atom tworzy z sąsiednimi atomami
półprzewodnika trzy wiązania. Czwarte wiązanie jest
niewysycone. Może ono zostać uzupełnione elektronem
pochodzącym z sąsiedniego atomu półprzewodnika. Przejście
takie wymaga bardzo małej energii. Na przykład dla atomu In
wprowadzonego do Ge energia takiego przejścia wynosi
0,0112 eV.
Elektron, który utworzył czwarte wiązanie pozostawił tym
samym dodatnio naładowaną dziurę. Miejsce to może zostać
uzupełnione przez elektron z sąsiedniego atomu. W rezultacie
takiego procesu obserwator zauważy dodatnio naładowaną
dziurę, przesuwającą się w kierunku przeciwnym niż elektron.
 Półprzewodniki domieszkowe
W ujęciu struktury pasmowej sytuacja taka oznacza to
pojawienie się dziury w pasmie walencyjnym. Przy czym
elektrony związane z atomami domieszki nie mogą się już
dalej przemieszczać. W pasmie zabronionym pojawia się
dodatkowy poziom energetyczny położony blisko górnej
granicy pasma walencyjnego. Rożnica energii pomiędzy
poziomem akceptorowym a górą pasma walencyjnego jest
niewielka i jest rzędu setnych części elektronowolta.
Domieszki takiego typu nazywane są akceptorami, a
wprowadzane przez nie do pasma zabronionego poziom
energetyczny nazywany jest poziomem akceptorowym.
Półprzewodniki takie nazywa się półprzewodnikami typu p.
Większościowymi nośnikami prądu w takich półprzewodnikach
są dziury, a mniejszościowymi elektrony.
 Półprzewodniki domieszkowe

a) b)
Rys. 87 Półprzewodnik typu p a) T→0 K, b) T > 0 K.
 Półprzewodniki domieszkowe

Rys. 88 Półprzewodnik domieszkowy typu p: a) pasmo walencyjne,

pasmo przewodnictwa, poziom akceptorowy b) gęstość stanów, c)
funkcja rozkładu Fermiego-Diraca, d) koncentracja nośników (n –
elektronów, p – dziur).
 Termistor
Termistor jest elementem półprzewodnikowym, którego
rezystancja silnie zależy od temperatury (o wiele bardziej niż
przewodnika metalicznego).
Konstruowane są termistory o ujemnym współczynniku
temperaturowym (NTC – negative temperature coefficient),
dodatnim współczynniku temperaturowym (PTC – positive
temperature coefficient) oraz termistory o skokowej zmianie
rezystancji (CTR - critical temperature resistor).

Rys. 89 Symbol i charakterystyki termiczne rezystancji termistorów.

 Termistor NTC
Termistor NTC jest wykonany z polikrystalicznego
półprzewodnika samoistnego. Półprzewodnikiem tym jest
tlenek lub mieszanina tlenków Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu. Stosuje
się je w układach pomiaru i regulacji temperatury, kompensacji
temperaturowej oraz przy ograniczenia prądów rozruchu.
Zmniejszenie rezystancji termistora NTC wynika ze wzrostu
koncentracji nośników (elektronów w pasmie przewodnictwa i
dziur w pasmie walencyjnym) w półprzewodniku wskutek
generacji termicznej par dziura-elektron.
Rezystancja RT termistora NTC w temperaturze T wynosi:
  1 1 
RT RT 0 exp  B    (131)
  T T0 

Gdzie: RT0 rezystancja w temperaturze odniesienia 298 K

(25 ºC), B – stała materiałowa (B = 2000÷6000 [K]).
 Termistor PTC
Termistory PTC wykonywane są najczęściej z
polikrystalicznego BaTiO3 lub SrTiO3. Rezystancja takiego
termistora pochodzi głównie od rezystancji przejścia pomiędzy
ziarnami materiału. Przy wzroście temperatury następuje
rozszerzanie się materiału termistora i wzrost rezystancji
przejścia pomiędzy ziarnami półprzewodnika.
Termistory PTC stosowane są w układach ograniczających
prąd w silnikach elektrycznych i zasilaczach,
samoregulujących się elementach grzewczych i układach
rozmagnesowania kineskopów kolorowych.
Zależność rezystancji R termistora PTC od temperatury T
opisana jest następującym wzorem:
BT (132)
RT  A  C e
Gdzie: A, B, C są stałymi materiałowymi termistora.
 Termistor CTR

Termistory CTR charakteryzują się skokowym zmniejszeniem

rezystancji, do pięciu rzędów wielkości przy wzroście
temperatury w niewielkim przedziale (nawet kilka kelwinów).
Wytwarzane są z VO2 i TiO2.
Wszystkie termistory wytwarzane są w postaci pastylek z
naniesionymi elektrodami srebrnymi, gdzie całość jest
zatopiona w szkle lub żywicy w celu odizolowania od wpływów
środowiska.
 Warystor
Warystor jest elementem półprzewodnikowym, którego
rezystancja zależy od napięcia. Elementem czynnym
warystora jest najczęściej spiek sproszkowanego
półprzewodnika w formie krążka. Półprzewodnikiem tym jest
ZnO z dodatkiem tlenków bizmutu, manganu i chromu.
Na granicy ziaren materiału tworzącego warystor tworzą się
złącza o nieliniowej charakterystyce U-I i napięciu
kontaktowym rzędu 3V. Napięcie, po przekroczeniu którego
następuje skokowe zmniejszenie rezystancji, zależy od
rozmiarów ziarna i grubości elementu czynnego. Można
konstruować warystory na bardzo duże napięcia (dla ochrony
linii energetycznych najwyższych napięć) poprzez szeregowe
łączenie krążków materiału czynnego.
Poniżej pewnego napięcia progowego UV rezystancja
warystora jest rzędu dziesiątek MΩ, a powyżej tego napięcia
spada poniżej 1 Ω.
 Warystor
Warystory stosuje się w układach elektronicznych,
telekomunikacyjnych i energetycznych do zabezpieczania
przed przepięciami. Przepięcie jest to wzrost napięcia do
wartości znacznie (kilkukrotnie lub więcej) przekraczającej
napięcie znamionowe. Napięcie znamionowe UV warystora
jest równa napięciu, które występuje na nim przy przepływie
prądu 1 mA, w temperaturze 298 K.

Rys. 90 Symbol i charakterystyka I=f(U) warystora.

 Fotorezystor
Fotorezystor jest elementem półprzewodnikowym, którego
rezystancja zależy od wartości strumienia świetlnego
padającego na powierzchnię czynną fotorezystora. Przez
nieoświetlony fotorezystor przepływa tylko niewielki, tak
zwany prąd ciemny, wynikający z termicznej generacji par
elektron - dziura.
Oświetlenie fotorezystora powoduje spadek jego rezystancji.
Zachodzi on wskutek:
- absorpcji kwantów promieniowania i przejścia elektronów z
pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa
(półprzewodniki samoistne);
- absorpcji kwantów i przejścia elektronu z pasma
domieszkowego (donorowego lub akceptorowego) do pasma
przewodnictwa (domieszkowanie typu n) lub do pasma
walencyjnego (domieszkowanie typu p);
- wzrostu ruchliwości nośników w pasmie przewodnictwa.
 Fotorezystor
Energia E fotonu jest powiązana z długością fali świetlnej
następującym wzorem:
c
E h (133)

Gdzie: h – stała Plancka, c – prędkość światła, λ - długość fali.
Warunkiem absorpcji elektronu i przejścia z pasma
walencyjnego do pasma przewodnictwa w półprzewodniku
samoistnym jest aby energia fotonu przewyższała szerokość
przerwy energetycznej Eg półprzewodnika. Stąd maksymalna
długość fali świetlnej λmax, która może być zarejestrowana
przez fotorezystor wykonany z półprzewodnika samoistnego
wynosi:
hc
max  (134)
Eg
 Fotorezystor
Analogiczny wzór opisuje maksymalną długość fali świetlnej,
która może być zarejestrowana przez półprzewodnik
domieszkowy:
hc
max  (135)
Ej
Gdzie: Ej – energia jonizacji domieszki.
Ponieważ energia jonizacji domieszki jest o wiele niższa od
szerokości pasma zabronionego, to półprzewodniki
domieszkowane mogą wykrywać promieniowanie o wiele
dłuższych długościach fal niż samoistne.
Z uwagi na to, że w temperaturze pokojowej wszystkie atomy
domieszki są zjonizowane, fotorezystor wykonany z
półprzewodnika domieszkowego musi być schłodzony do
temperatury ciekłego azotu (77 K) lub helu (4,2 K) w
przypadku detekcji fal o jeszcze większej długości (głęboka
podczerwień).
 Fotorezystor
Od strony krótkich długości fal wykrywanie światła przez
fotorezystor jest ograniczone wzrostem współczynnika
pochłaniania światła. Stąd wynika kształt charakterystyk
wykrywalności znormalizowanej półprzewodników.

Rys. 91 Wykrywalność znormalizowana wybranych półprzewodników.

 Fotorezystor
Półprzewodnik Przerwa energetyczna lub Maksymalna długość
energia jonizacji domieszki wykrywanego promieniowania
Eg / Ej [eV] λc [μm]
Fotorezystory domieszkowe – głęboka podczerwień
Si:Ga 0,0740 18,4 (5,0K)
Si:As 0,0538 24,5 (5,0K)
Si:Sb 0,0427 31,0 (5,0K)
Ge:Be 0,0248 50,5 (4,2K)
Ge:Ga 0,0113 114,0 (3,0K)
Fotorezystory samoistne – podczerwień i światło widzialne
Hg1-xCdxTe Zależy od x (0,141÷1,489) Zależy od x: (2÷30)
PbSe 0,23 5,3
PbS 0,42 2,9
Ge 0,67 1,85
Si 1,12 1,1
CdSe 1,8 0,69
CdS 2,4 0,52
Fotorezystory samoistne – ultrafiolet (solar blind)
Al0,5Ga0,5N 0,28
Al0,21Ga0,79N 0,32
GaN 0,365

Tabela 5 Maksymalna długość fali wykrywanej przez półprzewodnik.

 Fotorezystor
Elementem światłoczułym fotorezystora jest cienka warstwa
półprzewodnika naniesiona na podłożu dielektrycznym. Do
warstwy półprzewodnika dołączone są elektrody
wyprowadzone na zewnątrz obudowy. Całość zamknięta jest
w obudowie z okienkiem przepuszczającym promieniowanie
świetlne.
Wartościami charakteryzującymi czujniki optoelektroniczne, a
więc i fotorezystory są:
Czułość widmowa napięciowa i prądowa. Jest ona ilorazem
wartości skutecznej napięcia lub prądu na wyjściu
przetwornika i gęstości widmowej ΦE(λ) (mocy przypadającej
na jednostkowy przedział długości fali):

U U
SU  (136) SI  (137)
 E ( )  E ( )
 Fotorezystor

Moc równoważna szumom (noise equivalent power – NEP).

Jest to taka moc promieniowania padającego na detektor,
która daje na wyjściu detektora zmianę napięcia (prądu)
równą napięciu (prądowi) szumów.
Oprócz typowych szumów termicznych związanych fluktuacją
nośników w detektorach optycznych występują też szumy
związane ze zjawiskami kwantowymi.
Wykrywalność (detectivity) – wykrywalność jest odwrotnością
mocy równoważnej szumom (NEP):
1
D( ) NEP (138)
 Fotorezystor
Wykrywalność jest odwrotnie proporcjonalna do pierwiastka
kwadratowego powierzchni detektora. Jest więc wartością
charakteryzującą dany przetwornik, a nie materiał, z którego
został on wykonany. Odnosząc wykrywalność do jednostki
powierzchni i jednostkowego przedziału długości fali otrzymuje
się wykrywalność znormalizowaną, charakteryzującą dany
półprzewodnik, a nie konkretny detektor:

D ( )  Sf D( )
*
[cm·Hz1/2/W] (139)

Gdzie: Δf – jednostkowy przedział częstotliwości fali świetlnej,

S - powierzchnia czynna detektora.
Rezystancja fotorezystora RF zmienia się w zależności od
natężenia padającego światła zgodnie ze wzorem:

RF K E (140)

Gdzie: K – stała zależna od geometrii i materiału

fotorezystora, γ – stała zależna od materiału, E – natężenie
oświetlenia.
Ważnym parametrem fotorezystora jest stosunek rezystancji
ciemnej do rezystancji przy pewnym natężeniu oświetlenia (na
przykład 50 lx)

RD
n (141)
RE

Gdzie: RD – rezystancja ciemna, RE – rezystancja przy

natężeniu oświetlenia E (często 50 lx).
 Fotorezystor

Fotorezystory charakteryzują się dużą czułością, dobrą

liniowością charakterystyki prądowo-napięciowej, dużą
mocą admisyjną i niską ceną. Do ich wad należy
wrażliwość na temperaturę i duża bezwładność czasowa,
która ogranicza zakres częstotliwości pracy fotorezystora.
Fotorezystory stosuje się w układach pomiaru temperatury,
ostrzegania w systemach przeciwpożarowych, badania
strat ciepła w budynkach (kamery termowizyjne) oraz w
wyłącznikach zmierzchowych.
 Fotorezystor
Fotorezystory mogą pracować w następujących układach:

Rys. 92 Układ pracy fotorezystora: a) bezpośrednie sterowanie

przekaźnikiem, b) sterowanie za pomocą tranzystora. RF –
fotorezystor, P – przekaźnik.
 Hallotron
Hallotron wykorzystuje efekt Halla. Polega on na powstaniu
napięcia (napięcie Halla) pomiędzy przeciwległymi
krawędziami płytki półprzewodnikowej znajdującej się w polu
magnetycznym, przez którą przepływa prąd.

Rys. 93 Efekt Halla w półprzewodniku. UH – napięcie Halla, B –

indukcja magnetyczna, ve (vd) – prędkość dryftu elektronu (dziury),
F (F ) – siła Lorentza elektronu (dziury).
 Hallotron
W półprzewodniku nośnikami prądu są elektrony i dziury. Pod
wpływem zewnętrznego pola elektrycznego ładunki zaczynają
poruszać się z prędkością nazywaną prędkością dryftu.
Stosunek prędkości dryftu do natężenia pola elektrycznego
nazywana jest ruchliwością nośników prądu – μ.

ve vd
e  (142) d  (143)
E E
Gdzie: μe, μd - ruchliwość elektronów, dziur; ve, vd - prędkość
dryftu (unoszenia) elektronów, dziur; E – natężenie pola
elektrycznego.
W półprzewodnikach ruchliwości dziur i elektronów są różne.
 Hallotron
Elektrony i dziury poruszają się w przeciwnych kierunkach,
ponieważ mają jednak przeciwne znaki, to siła Lorentza
działająca na elektrony i na dziury ma taki sam zwrot. Z uwagi
na różną ruchliwość elektronów i dziur wartość tej siły jest inna
dla elektronów i dla dziur. Stąd koncentracja elektronów i dziur
przy krawędziach płytki (równoległych do kierunku przepływu
prądu) rożni się. Różnica koncentracji różnoimiennych
nośników prądu powoduje powstanie napięcia, nazywanego
napięciem Halla.
Ruchliwość nośników prądu wybranych półprzewodników
(300K):
Si: μe,= 0,13 m2/Vs, μd = 0,05 m2/Vs;
Ge: μe,= 0,38 m2/Vs, μd = 0,18 m2/Vs;
InSb: μe,= 7,80 m2/Vs, μd = 0,07 m2/Vs;
 Hallotron
Hallotrony wykonywane są w postaci płytki
prostopadłościennej z półprzewodnika mono lub
polikrystalicznego domieszkowanego donorowo. Na płytkę
naniesione są dwie pary elektrod: prądowe, obejmujące całe
boczne powierzchnie oraz napięciowe, będące elektrodami
punktowymi.
Napięcie Halla UH określone jest wzorem:

I H B
U H RH SI H B (144)
d
Gdzie: IH – natężenie prądu zasilającego hallotron (prądu
sterującego), RH – współczynnik Halla [m3/K], B – indukcja
magnetyczna, d – grubość płytki, S – czułość hallotronu.
RH zależy od materiału płytki, jego czystości oraz temperatury
 Hallotron
Dla danego przetwornika napięcie Halla jest proporcjonalne
do indukcji magnetycznej przy stałym prądzie lub
proporcjonalne do prądu przy stałej indukcji. W przypadku
prądu i indukcji zmiennej o takiej samej częstotliwości i
pewnym kącie przesunięcia fazowego napięcie Halla zawiera
składową stałą i przemienną o podwójnej częstotliwości. Ta
właściwość hallotronu jest wykorzystywana w przetwornikach
mocy czynnej.

Rys. 94 Charakterystyki statyczne hallotronu, a) UH=f(IH) B=const;

b) U =f(B) I =const;
 Hallotron
Charakterystyka napięcia w funkcji indukcji odbiega od
liniowej przy większych prądach wskutek nagrzewania się
hallotronu.
Hallotrony wykonuje się jako lite, o grubości płytki od 100 do
500 μm, lub naparowywane w postaci warstwy o grubości od 2
do 10 μm naniesionej na podłoże dielektryczne (szkło lub
mika).
Napięcie Halla jest rzędu od kilku do kilkuset miliwoltów.
Przetworniki Halla konstruuje się z Si, Ge, InAs, InSb, HgSe,
HgTe typu n.
Hallotrony stosowane są głównie do pomiarów indukcji pola
magnetycznego Stosuje się je również jako detektory pola
magnetycznego w samochodach w czujnikach położenia wału
czy nawet w etui smartfonów jako czujnik zamknięcia klapki
obudowy.