XXIIIèmes Journées Nationales Microondes

5-7 juin 2024 – Antibes Juan-Les-Pins

Comparaison d’architectures d’amplification Doherty dans un

objectif d’amélioration de la bande passante
A.Abdulaziz1, M.Cavarroc2, C.Duvanaud1, A.Lamy2, O.Lembeye2, S.Bachir1
1
Laboratoire XLIM, 4 av Varsovie, 16000 Angoulême, France
[email protected]
2
NXP Semiconductors Toulouse, France

Résumé –Les résultats de l’étude et de l’optimisation du

comportement en fréquence d’un amplificateur de L’architecture dite “inverted Doherty” [3] est très
puissance Doherty APD, sont présentés dans cette souvent mise en œuvre pour la conception large bande.
communication. Ils reposent sur le calcul du rapport Des travaux ont montré l’intérêt d’un choix optimal des
d’ondes stationnaires VSWR en fonction de la fréquence réseaux d’adaptation de sortie afin de permettre la
pour chaque étage d’amplification de l’APD au point de modulation de charge optimale (Load Modulation
recul et à pleine puissance. Les résultats permettent de Network) [4].
montrer l’intérêt de l’architecture inversée du Doherty, Dans [5] nous avons proposé d’introduire un circuit
associée à un circuit de contrôle de la pente de variation d’entrée afin de modifier le délai de groupe d’une voie de
de phase des courants. Finalement un ajustement global l’amplificateur Doherty. La modification du déphasage
des impédances des lignes de sortie et de la pente est avec la fréquence des voies de l’amplificateur permet une
réalisé par la mise en œuvre d’un algorithme meilleure recombinaison des courants au nœud commun
d’optimisation. La méthodologie ainsi obtenue a été de sortie de l’APD. L’avantage de cette technique est
appliquée à la conception d’un amplificateur Doherty qu’elle ne nécessite pas d’ajouter des éléments de
GaN NXP pour applications massive MiMo 50 W et multi compensation en sortie de l’amplificateur.
bandes entre 1.8 et 2.7 GHz. Dans cette communication nous allons chercher à
optimiser la bande passante de la structure Doherty
1. Introduction classique et inversée en optimisant les réseaux
d’adaptation et la déviation de phase en entrée. La
Les amplificateurs de puissance de type Doherty présentation de l’amplificateur réalisé dans [5] et ses
(APD) sont très couramment étudiés et utilisés pour performances feront l’objet de la dernière partie.
amplifier les signaux multiporteuses présentant un fort
facteur de crête caractérisé par le rapport puissance crête
2. Amélioration de la bande passante
sur puissance moyenne : Peak-to-Average Power Ratio.
L’une des raisons de l’utilisation des APD est qu’ils ne d’APD
nécessitent pas de circuits de contrôle et restent ainsi 2.a. Principe
simple d’utilisation [1] pour maintenir le rendement
énergétique. En plus d’un fort PAPR, les signaux utilisés L’architecture d’un amplificateur Doherty est
dans les nouveaux transmetteurs du type massive MiMo composée d’un amplificateur principal noté « main » et
peuvent couvrir de très larges bandes de fréquences. d’un amplificateur auxiliaire. A bas niveau, seul
L’objectif est alors d’être capable d’utiliser un seul l’amplificateur principal est utilisé sous une impédance de
amplificateur pour amplifier des signaux très larges charge . Puis à partir d’un niveau de recul noté « Back-
bandes ou plusieurs signaux situés sur plusieurs bandes de Off » fonction du rapport de tailles des transistors,
fréquence simultanément. Un avantage offert alors est de l’amplificateur auxiliaire va entrer en conduction,
permettre de répartir la puissance sur plusieurs canaux ou, modifiant ainsi la charge présentée de sa valeur au Back
si besoin à un moment donné, d’amplifier fortement un Off 𝑍𝑚_𝐵𝑂 à sa valeur optimale à pleine puissance « Full
seul canal. Power » 𝑍𝑚𝐹𝑃 =Zmain_optimale. De même
l’amplificateur auxiliaire sera chargé par son impédance
L’APD utilise des inverseurs d’impédance du type optimale à fort niveau 𝑍𝑎𝐹𝑃 = Zaux_optimale. Pour
quart d’onde qui par nature fonctionnent sur une bande de retarder sa mise en conduction, l’amplificateur auxiliaire
fréquence limitée. Ainsi, de nombreux travaux récents est polarisé en classe C. Le courant de l’amplificateur
𝜋
portent sur l’augmentation de leur bande passante, auxiliaire doit être déphasée de à la fréquence centrale.
2
notamment pour la 5G [1]. Certaines solutions proposées De plus, nous considérons ici que la variation de phase de
font appel à des systèmes difficiles à implémenter telles l’auxiliaire en fonction de la fréquence peut être contrôlée.
que l’utilisation de plusieurs tensions d’alimentation ou la Ainsi, on utilise un rapport r entre les courants de drain en
mise en forme des signaux sur plusieurs entrées [2]. sortie de chaque étage, auxiliaire et main :

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 𝑟=
𝐼1𝑎
= |𝑟|. 𝑒 −𝑗Δ𝜙 (1) Figure 1. Circuit de charge pour une configuration
𝐼1𝑚
conventionnelle de l’APD
Pour une ligne quart d’onde λ/4 à la fréquence centrale
𝑓𝑜 , utilisée pour réaliser le déphasage en entrée, on aura : Pour l’étude en fréquence, les expressions des
𝜋 𝜔 𝜋 𝜋 impédances présentées en sortie des 2 amplificateurs, sont
Δ𝜙(𝜔) = −𝛽𝑙 = − . =− − (𝜔 − 𝜔𝑜 )
2 𝜔𝑜 2 2. 𝜔𝑜 obtenues en utilisant les matrices chaines des lignes de
Le retard de groupe est alors donné par: transmission. La Figure 2 représente les variations du
𝜋 1 VSWR de l’amplificateur main à 6 dB de Back-Off et des
∆𝜏𝑔𝑑 = = 2 amplificateurs à pleine puissance (FP). Pour cette étude
2𝜔𝑜 𝛾. 2𝑓𝑜
avec 𝛾 = 2 pour le quart d’onde, mais nous générale, on considère qu’il est possible de choisir la taille
considérons que 𝛾 sera variable et ajusté en introduisant des transistors et donc la résistance optimale de charge.
un circuit dédié en entrée. Les cas a) et b) correspondent à 2 valeurs de l’impédance
Pour faciliter la compréhension nous considérons dans optimale à présenter aux sources de courant 50 et
l’étude que les courants maximum des 2 amplificateurs 100. Il en résultera deux niveaux de puissance pour
sont égaux, soit |𝑟| = 1. A fort niveau les 2 amplificateurs l’APD, fonctions de la tension de polarisation de drain.
doivent alors être chargés par la même résistance Ropt.
L’étude de l’amplificateur Doherty dans ce cas montre
que le seuil de déclenchement de l’amplificateur auxiliaire
est à -6 dB de la puissance maximale, et qu’à ce seuil
l’amplificateur « main » doit être chargé par 2.Ropt.

Afin de vérifier l’adaptation en fonction de la

fréquence nous évaluerons les rapports d’ondes
stationnaires VSWR en fonction de la fréquence dans le
plan des sources : a) b)
• au Back-Off pour l’amplificateur principal qui
doit être chargé par 2.Ropt. Figure 2. VSWR en fonction de la fréquence
• A pleine puissance pour le principal et normalisée, pour a) 𝑹𝒐𝒑𝒕/𝟓𝟎 = 𝟏, b) 𝑹𝒐𝒑𝒕/𝟓𝟎 = 𝟐
l’auxiliaire qui doivent être chargés par Ropt. Le cas de la figure 2. a) représente un cas classique
De plus nous fixons pour objectif une bande passante avec une adaptation idéale à 𝑓𝑜 , soit 𝐹𝑟𝑒𝑞/𝑓𝑜 = 1, puis
relative de 40%. Les valeurs de VSWR en limite de bande une dégradation qui augmente lorsque la fréquence
seront alors calculées pour comparer les performances. s’éloigne de ce point central. La valeur de VSWR retenue
pour quantifier la désadaptation sera le pire cas noté
2.b. Architecture conventionnelle VSWRmax à 40% de bande relative soit 𝐹𝑟𝑒𝑞/𝑓𝑜 = 0.8 ou
1.2. Pour 𝑅𝑜𝑝𝑡 = 50 le VSWRmax de l’amplificateur
main au Back Off limitera la bande passante avec une
L’architecture conventionnelle de l’amplificateur valeur de 1.9. La figure 2. b) pour 𝑅𝑜𝑝𝑡 = 100 est un
Doherty comprend uniquement une ligne λ/4 en sortie de cas particulier pour lequel les amplificateurs main et
l’amplificateur principal (Figure 1.). A faible niveau le auxiliaire seront chargés par des impédances constantes
circuit de charge de l’amplificateur main est constitué de avec la fréquence à pleine puissance. Le fonctionnement
2 lignes λ/4. Après mise en conduction de l’auxiliaire, les sera toujours limité en fréquence au Back-Off avec
expressions des impédances présentées à chaque source VSWRmax=1.6.
dépendent des courants de sortie de chaque étage. Les
équations de conception de ce type d’architectures ont fait
l’objet de différentes études [1,6]. Dans la configuration
correspondante à des courants de même niveau |𝑟| = 1,
les expressions suivantes des impédances à utiliser sont
déduites de l’étude à 𝑓𝑜 du circuit de la Figure 1 :
𝑅𝑜𝑝𝑡
𝑍𝑐1 = 𝑅𝑜𝑝𝑡 ; 𝑍𝑐𝑁 = ; 𝑍𝑐4 = √50. 𝑍𝐶𝑁 (1)
2

Figure 3. VSWRmax à 40% de bande passante en

fonction de Ropt normalisée

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 La Figure 3 donne le VSWRmax à 40% de bande La fig.5 montre l’effet de l’ajustement de RCN sur les
relative en fonction de Ropt/50. La courbe noire donne la valeurs de VSWRmax à 40% de bande de fréquences, pour
variation en utilisant les équations 1 pour la conception les 2 amplificateurs, avec l’amplificateur main au Back
comme dans la partie précédente. Une première Off ou à pleine Puissance et pour 2 valeurs de Ropt. On
amélioration consiste à modifier l'impédance au nœud note que l’ajustement de la valeur de RCN est bien un
commun ZCN=RCN réelle à 𝑓𝑜 . Dans ce cas l’amplificateur élément à considérer pour l’optimisation de la bande
n’est plus parfaitement adapté à 𝑓𝑜 , mais le VSWRmax en passante.
bord de bande est alors amélioré. La courbe rouge
correspond à une optimisation de RCN et de la pente de
phase soit le terme 𝛾. On note alors une amélioration du
VSWRmax principalement pour de faibles rapports de
Ropt/50, soit pour les plus élevés niveaux de puissance.

2.c. Architecture inverted Doherty

La seconde architecture testée est dite « inverted » car a) b)

la ligne de retard est placée sur l’amplificateur main au
Figure 5. Effet de RCN sur les VSWRmax de chaque
lieu de l’auxiliaire. Le circuit de charge obtenu est alors
amplificateur pour a) Ropt/50=1, b) Ropt/50=0.5
représenté sur la figure 4. Il présente plusieurs avantages,
tout d’abord les lignes λ/4 Zc1 et Zc2 peuvent absorber les La Figure 6 montre l’optimisation de cette architecture
capacités de sortie des transistors. De plus cette structure pour différentes valeurs de Ropt, avec successivement
propose plus de degrés de libertés que l’architecture l’ajustement de RCN seul, puis de RCN et de la pente de
conventionnelle. Par exemple le double λ/4 composé de phase (tracé rouge), puis des 4 impédances
Zc2 et Zc3 permet une amélioration de la bande caractéristiques et de la pente (tracé noir). L’ajustement de
d’adaptation de l’amplificateur auxiliaire, mais permet la pente permet une amélioration supplémentaire du
également de ramener une impédance au nœud commun fonctionnement des amplificateurs sur la bande de
variable pour les fréquences autour de 𝑓𝑜 qui va modifier fréquence considérée. Il peut encore être amélioré en
la bande passante de l’amplificateur main, notamment au ajoutant l’ajustement des 4 impédances caractéristiques.
Back-Off. Dans ce dernier cas, un programme MATLAB est utilisé
pour l’optimisation non linéaire avec contraintes du type
« Sequential Quadratic Programming »

Figure 4. Circuit de charge pour une configuration

« inverted » de l’APD

L’étude de cette structure à 𝑓𝑜 donne des équations de

Figure 6. VSWRmax à 40% de bande passante en
base pour le calcul des impédances caractéristiques des
fonction de Ropt normalisée
lignes. Pour |𝑟| = 1, les équations suivantes sont
utilisées en fonction de ZCN=RCN à 𝑓𝑜 :

𝑍𝑐1 = √2. 𝑍𝐶𝑁 . 𝑅𝑜𝑝𝑡

𝑍𝑐2 = √𝑅𝑜𝑝𝑡. 𝑅𝑖𝑛𝑡 (2)
𝑍𝑐3 = √2. 𝑍𝐶𝑁 . 𝑅𝑖𝑛𝑡
𝑅𝑖𝑛𝑡 = √2. 𝑍𝐶𝑁 . 𝑅𝑜𝑝𝑡

Avec 𝑅𝑖𝑛𝑡 la résistance intermédiaire entre les 2 lignes a) b)

Zc2 et Zc3.
Le calcul du comportement en fréquence se fait Figure 7. VSWR en fonction de la fréquence
également par le calcul des matrices chaines et leur mise normalisée de chaque amplificateur pour a)
en cascade. Ropt/50=1, b) Ropt/50=0.5

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 L’intérêt de ces ajustements est de pouvoir maintenir passante, les puissances maximales de sortie mesurées
le VSWR de chaque amplificateur à des valeurs faibles, sont proches, soit 50 dBm +/- 0.5 dB et on vérifie que les
inférieures à 1.2, sur 40% de bande passante, y compris rendements sont supérieurs à 51% pour un niveau de sortie
pour de faibles valeurs de Ropt correspondantes à de de 42 dBm, soit un recul de 8 dB.
fortes puissances d’amplification. La Figure 7. donne les
variations de VSWR en sortie de chaque amplificateur 4. Conclusion
pour 2 valeurs de Ropt.
L’étude proposée montre qu’il est possible
d’améliorer la bande passante d’un amplificateur Doherty
3. Fabrication, évaluation de l’APD NXP
en ajustant les éléments de sortie mais également la pente
Un amplificateur utilisant le principe de l’ajustement de phase des courants des 2 étages. Deux architectures ont
de la pente de phase a été conçu, réalisé et testé pour une été évaluées, l’une classique et la seconde de type
application massive MiMo, avec une puissance de sortie « inversée ». Cette dernière a montré qu’il est possible
visée de 50 dBm sur la bande de fréquence de 1.8 à 2.7 d’atteindre des largueurs de bande passante de 40%, les
GHz. Des détails sur la conception et la caractérisation, en meilleurs résultats étant obtenus après optimisation non
particulier sur la prélinéarisation, ont été présentés dans linéaire des paramètres du circuit. Cette étude a été menée
l’article [5]. Nous reprenons ici quelques éléments dans un cadre générale avec différentes valeurs de Ropt,
fondamentaux. soit de la puissance de sortie. Elle a servi de base à la
L’amplificateur utilise des transistors NXP GaN conception d’un amplificateur GaN pour massive MiMo
HEMT polarisés à Vdd = 48 V, avec un ratio de taille de dont nous avons rappelé les principaux éléments de
1.5 pour un fonctionnement jusqu’à 8dB de Back Off. Un conception et les mesures en puissance et rendement sur
module IPD est utilisé en entrée de chaque transistor pour la bande de fréquence de 1.8 GHz à 2.7 GHz. Les
pré-adapter l’entrée des transistors [7]. Le circuit complet performances en puissance sont de l’ordre de 50 dBm
est constitué d’un module multi chip comprenant les max, avec un rendement supérieur à 50% jusqu’à des
transistors, l’IPD et les circuits passifs d’adaptation y niveaux de 42 dBm.
compris le circuit de contrôle de la pente de phase.
L’amplificateur est de taille totale 20x16 mm, ou 30x30 Références
avec les circuits de polarisations extérieurs et capacités de
découplage. [1] G. Nikandish, R.B. Staszewski, A. Zhu, “Breaking
Bandwidth Limit: A review of Broadband Doherrty
Power Amplifier for 5G”, IEEE Microwave Magazine,
April 2020.
[2] W. C. E. Neo, et al., "A Mixed-Signal Approach
Towards Linear and Efficient N-Way Doherty
Amplifiers," IEEE Transactions on Microwave
Theory and Techniques, vol. 55, no. 5, pp. 866-879,
May 2007.
[3] J. Wong, N. Watanabe and A. Grebennikov, "High-
power high-efficiency broadband GaN HEMT
Doherty amplifiers for base station applications," 2018
Figure 8. Module Multi Chip de l’APD
IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power
La figure 9 donne les performances de gain et de Amplifiers for Radio and Wireless Applications
rendement en fonction de la puissance de sortie pour des (PAWR), 2018, pp. 16-19
fréquences comprises entre 1.8 et 2.7 GHz avec un pas de [4] M. Li, J. Pang, Y Li, A. Zhu, “Bandwidth
0.1 GHz. Enhancement of Doherty Power Amplifier Using
Modified Load Modulation Network”, IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques,
vol. 67, no. 6, pp. 1824-1834, June 2020.
[5] M. Cavarroc, A. Lamy, O. Lembey, R. MacLaren,
C. Duvanaud, S. Bachir, “Compact 40% Fractional
Bandwidth Doherty PA With Input Group Delay
Engineering”, IEEE Microwave and wireless
technology letters, vol. 33, no. 6, pp851 – 854, June
2023.
[6] F. H. Raab, “Efficiency of Doherty RF Power-
Amplifiers Systels”, IEEE Trans. On Broadcasting,
Figure 9. Performances mesurées, gain et rendement Vol. BC-33, no. 3, Sept 1987.
pour plusieurs fréquences [7] M. Cavarroc, A. Lamy, O. Lembey, C. Duvanaud,
S. Bachir, “Conception et optimisation d’un réseau de
La courbe de gain montre une dispersion du gain de pré-adaptation d’entrée pour application Doherty large
l’ordre de 3 dB entre les différentes fréquences, mais avec bande”, Journées Nationales Microondes, Limoges,
une variation AM/AM limitée. Sur l’ensemble de la bande juin 2022.

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