EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Electronic Circuits
Chapter 5: Power Amplifiers

Dr. Dung Trinh 1

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Content
Introduction

Power Transistor

Class A Amplifier

Class B Amplifier

Class AB Amplifier

Dr. Dung Trinh 2

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Small Signal vs Large Signal Amplifiers

Voltage Voltage Power

Amplifier Amplifier Amplifier

❖ Small signal amplifiers (Voltage Amplifier): Those amplifiers handle small input AC
signals (a few μV or a few mV).
▪ Placed at the input stage & the intermediate (gain) stages.
▪ Amplify the signal with little or no distortion
❖ Large signal amplifiers (Power Amplifier): handle large input a.c. signals (a few
volts). They are normally used as the final stage of a communications receiver or
transmitter to provide signal power to speakers or to a transmitting antenna.
▪ Placed at the final stage.
▪ be capable of delivering a large voltage or current transfer maximum
power.
Dr. Dung Trinh 3
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors
❖ In previous discussions, we have ignored any physical transistor limitations
in terms of maximum current, voltage, and power.

❖ In power amplifiers, we must be concerned with transistor limitations:

✓ Maximum rated current (on order of amperes).
✓ Maximum rated voltage (on order of 100V).
✓ Maximum rated power (on the order of Watts or tens of Watts).

Table: Comparison of the characteristics and maximum ratings

of a small-signal and power BJT
Dr. Dung Trinh 7
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors
❖ The current gain is
generally smaller in the
power transistors, typically
in the range of 20 to 100,
and may be a strong
function of collector
current and temperature.
Figure: DC beta characteristics (hFE
versus IC) for 2N3055
❖ Heat Sinks:
a,b: for power transistors
c: typical heat sink

Dr. Dung Trinh 8

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors
❖ Power calculation are extremely important for the following reasons:
▪ The transistor may be destroyed if its maximum allowable
dissipation is exceeded.
▪ The power supply is capable of supplying only finite amount of
power.
▪ The resistors have a power rating (such as 0.1 1, 2, 10W), which, if
exceeded, will cause them to burn out.

❖ The instantaneous power P(t) supplied to or dissipated by any device:

𝑷 𝒕 = 𝑽 𝒕 𝑰(𝒕)

𝑉(𝑡): Voltage across the device, 𝑉 𝑡 = 𝑉𝑎𝑣 + 𝑣(𝑡)

𝐼(𝑡): Current across the device, 𝐼 𝑡 = 𝐼𝑎𝑣 + 𝑖(𝑡)

Dr. Dung Trinh 9

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors - BJT

❖ The average power:

𝟏 𝑻 𝟏 𝑻
𝑷𝒂𝒗 = න 𝑽 𝒕 𝑰 𝒕 𝒅𝒕 = 𝑽𝒂𝒗 𝑰𝒂𝒗 + න 𝒗 𝒕 𝒊 𝒕 𝒅𝒕
𝑻 𝟎 𝑻 𝟎

❖ The average power supplied or dissipated by a device consists of the

sum of the power in the DC (average) terms and the power in the AC
term.

❖ The instantaneous power dissipation in a BJT:

𝑷(𝒕) = 𝒗𝑪𝑬 (𝒕)𝒊𝑪 (𝒕) + 𝒗𝑩𝑬 (𝒕)𝒊𝑩 (𝒕) ≃ 𝒗𝑪𝑬 (𝒕)𝒊𝑪 (𝒕)

❖ The average power dissipation in a BJT:

𝟏 𝑻
𝑷𝒂𝒗 = න 𝒗𝑪𝑬 (𝒕)𝒊𝑪 (𝒕) 𝒅𝒕
𝑻 𝟎
Dr. Dung Trinh 10
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors - BJT

❖ The average power dissipated in a BJT

must be kept below a specified maximum
value, to ensure that the temperature of
the device remains below a maximum
value.

❖ If we assume that the collector current and

collector–emitter voltage are dc quantities,
then at the maximum rated power PT for
the transistor, we can write: The safe operating area of a bipolar
transistor
𝑷𝑻 = 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑪

Dr. Dung Trinh 11

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Transistors - BJT

Example 2: In the following Figure, 𝑅1 = 10𝑘Ω, 𝑅2 = 2.2𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 3.6 𝑘Ω,
𝑅𝐸 = 1.1𝑘Ω, 𝑉𝐶𝐶 = 10𝑉.
Find the DC power draw from the supply by the amplifier 𝑃𝐶𝐶 ?

Ic=0.98 mA
I1=0.84 mA

𝑃𝐶𝐶 = 18.2𝑚𝑊

Dr. Dung Trinh 13

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Calculations

❖ The average power delivered by the supply 𝑷𝑪𝑪

❖ The average power dissipated by the load 𝑷𝑳
❖ The average power dissipated in the Collector 𝑷𝑪.
❖ Efficiency .

Dr. Dung Trinh 15

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Reviews – Transformer
❖ A transformer can increase or decrease voltage or current levels according to
the turns ratio.

❖ In addition, the impedance connected to one side of a transformer can be

made to appear either larger or smaller (step up or step down) at the other
side of the transformer, depending on the square of the transformer winding
turns ratio.

𝑽𝟐 𝑵𝟐
❖ Voltage transformation: =
𝑽 𝟏 𝑵𝟏

𝑰 𝟐 𝑵𝟏
❖ Current transformation: =
𝑰𝟏 𝑵𝟐

𝟐
𝑹′𝑳 𝑵𝟏
❖ Impedance transformation: =
𝑹𝑳 𝑵𝟐

Dr. Dung Trinh 16

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Reviews – AC and DC Load Line

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐸
❖ DC Load Line: 𝐼𝐶𝑄 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸 = − ≈ −
𝑅 𝑅
𝑅𝐶 + 𝐸ൗ𝛼 𝑅𝐶 + 𝐸ൗ𝛼 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑣𝑐𝑒 𝑣𝐶𝐸𝑄 𝑣𝐶𝐸

❖ AC Load Line: 𝑖𝐶 = 𝑓 𝑣𝐶𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝑖𝑐 = 𝐼𝐶𝑄 − = 𝐼𝐶𝑄 + −
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

𝑽𝑪𝑪
❖ Max-Swing Condition: 𝑰𝑪𝑸 =
𝑹𝒂𝒄 + 𝑹𝑫𝑪
Dr. Dung Trinh 17
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Classification of power amplifiers

❖ Many of them are driven so hard by the input large signal that collector
(Drain) current is either cut-off or is in the saturation region during a large
portion of the input cycle.

❖ Therefore, power amplifiers are classified according to the portion of the

input sine-wave cycle during which load current flows:

▪ Class A power amplifier.

▪ Class B power amplifier.
▪ Class AB power amplifier.
▪ Class C power amplifier.

Dr. Dung Trinh 20

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Classification of power amplifiers

Dr. Dung Trinh 21

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Classification of power amplifiers

❖ Class A power amplifier: If the collector current flows at all times during
the full cycle of the signal, the power amplifier is known as class A power
amplifier.
• The operating point Q is selected so that 𝐼𝐶 flows at all times throughout the
full cycle of the applied signal.
• They have the disadvantage of low power output and low collector efficiency
(about 25%).

Dr. Dung Trinh 22

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Classification of power amplifiers

❖ Class B power amplifier: If the collector current flows only during the
positive half-cycle of the input signal, it is called a class B power amplifier.
• No biasing circuit is needed at all.
• The operating point Q is located at collector cut-off voltage.
• Severe distortion occurs.
• Provide higher power output and collector efficiency (50 − 60%).
✓ Positive half-cycle of the signal: the input
circuit is forward biased and hence collector
current flows.
✓ Negative half-cycle of the signal: the input
circuit is reverse biased and no collector
current flows

❖ Class AB power amplifier: An intermediate class between A and

B in which the output transistor is biased at a nonzero DC
current 𝐼𝐶𝑄 much smaller than the peak current 𝐼𝑃 .
Dr. Dung Trinh 23
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class A Operation
❖ The most common type of amplifier class due mainly to their simple design.
❖ The highest linearity over the other amplifier classes and as such operates in the
linear portion of the characteristics curve.
❖ Maximum class A output occurs when the Q-point is centered on the ac load line.

Dr. Dung Trinh 24

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Dr. Dung Trinh 25

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Dr. Dung Trinh 26

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

• RL = RC = 1.2k
• iL(t) = iC(t) = ICQ + IP.sin(wt)
• iLac(t) = iCac(t) = IP.sin(wt)
• pLac(t) = RL.iLac2(t)
• PLac_av = RL.IP2/2
• PLac_av_max = RL.IP_ms2/2

• RDC = RC + RE
• Rac = RC
• IP_ms1= min(ICQ , VCEQ/Rac)
• IP_ms2=Vcc/(RDC+Rac)

Dr. Dung Trinh 27

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Calculations - 𝑃𝐶𝐶

❖ The average DC power required from the power supply:

1 𝑇
𝑃𝐶𝐶 = න 𝑖𝑐 𝑡 𝑉𝐶𝐶 𝑑𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶
𝑇 0

❖ When 𝑉𝐶𝐸 min

= 0, 𝐼𝐶 min
= 0, 𝑉𝐶𝐸 max
= 𝑉𝐶𝐶, 𝐼𝐶 is chosen for max- swing:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑃 = 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑥 =
2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

❖ Then the maximum average power dissipated in the load resistor 𝑃𝐿(max):

2 2
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐶𝐶,𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑥 = ≃ 𝑤ℎ𝑒𝑛 𝑅𝐶 ≫ 𝑅𝐸
2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 2𝑅𝐶

Dr. Dung Trinh 28

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Calculations - 𝑃𝐿
❖ The average AC power dissipated in the Load or output power:

1 𝑇2 𝑉𝑃 𝐼𝑃 1 𝑅𝐶 𝐼𝑃2
𝑃𝐿 = න 𝑖𝑐 𝑡 𝑅𝐶 𝑑𝑡 = = 𝑉𝑃 𝐼𝑃 =
𝑇 0 2 2 2 2

𝑉𝑝, 𝐼𝑝: the peak values of the AC output voltage and current.

𝑉𝐶𝐸(𝑚𝑎𝑥) − 𝑉𝐶𝐸(𝑚𝑖𝑛) 𝐼𝐶𝐸(𝑚𝑎𝑥) − 𝐼𝐶𝐸(𝑚𝑖𝑛)

𝑉𝑃 = 𝐼𝑃 =
2 2

❖ When 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑖𝑛 = 0, 𝐼𝐶,𝑚𝑖𝑛 = 0, 𝑉𝐶𝐸,𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 , 𝐼𝐶 is chosen for max- swing:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝑃 = 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑥 =
2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
❖ Then the maximum average power dissipated in the load resistor 𝑃𝐿,𝑚𝑎𝑥 :
𝑅𝐶 𝐼𝑃2 2
𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 2
𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐿,𝑚𝑎𝑥 = = 2
≃ 𝑤ℎ𝑒𝑛 𝑅𝐶 ≫ 𝑅𝐸
2 2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 8𝑅𝐶
Dr. Dung Trinh 29
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Calculations - 𝑃𝐶
❖ The power dissipated in the collector 𝑃𝐶:

1 𝑇 1 𝑇
𝑃𝐶 = න 𝑖𝐶 𝑡 𝑣𝐶𝐸 𝑡 𝑑𝑡 = න 𝑖𝐶 𝑡 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇 0
1 𝑇 2 𝐼𝑃2
= 𝑃𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 න 𝑖𝐶 𝑡 𝑑𝑡 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿 − 𝑃𝐸 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶2 +
𝑇 0 2

❖ The collector dissipation is a maximum 𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 when no signal is present

2 2
𝑉 𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶2 = ≃ 𝑤ℎ𝑒𝑛 𝑅𝐶 ≫ 𝑅𝐸
4 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 4𝑅𝐶

❖ In most low-power transistor circuits, the power dissipated in the input circuit
signal is small ⇒ PC represents the total dissipation internal to the transistor.

Dr. Dung Trinh 30

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Power Calculations - Efficiency

❖ The efficiency η of the amplifier: The ratio of the ac power dissipated in the
load resistor to the power delivered by the supply:

𝐼𝑃2 𝑅𝐶ൗ
𝑃𝐿 2 × 100
𝜂= × 100 = 2
𝑃𝐷𝐶 𝑉𝐶𝐶൘
2𝑅𝐶
❖ When the signal is maximum, 𝑃𝐶𝐶 is constant, 𝑃𝐿 increases with increase
current ⇒ the maximum efficiency 𝜂max
2
𝑉𝐶𝐶 ൘
8𝑅𝐶
𝜂𝑚𝑎𝑥 = 2 × 100 = 25%
𝑉𝐶𝐶൘
2𝑅𝐶
❖ That is 75% of the power supplied by the sources is dissipated in the
transistors. This is a waste of power, and it leads to a potentially serious
heating problems with the transistors ⇒ An extremely inefficient power
amplifier
Dr. Dung Trinh 32
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

• RDC = RE << RL, Rac = RL

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
• 𝐼𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑥 = ≈
𝑅𝐸 +𝑅𝐿 𝑅𝐿

2
𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐶𝐶,𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶,𝑚𝑎𝑥 ≈
𝑅𝐿
2 2
𝑅𝐿 𝐼𝑃𝑚𝑎𝑥 𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐿,𝑚𝑎𝑥 = =
2 2𝑅𝐿
2
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐶 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿 = −
𝑅𝐿 2
2
𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐶,𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐿
𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐿 2 1 𝐼𝑃2
𝜂= = = 2
𝑃𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶𝑄 2 𝐼𝐶𝑄

𝜂𝑚𝑎𝑥 = 50%
Dr. Dung Trinh 33
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B Amplifier
❖ Class B power amplifier: If the collector current flows only during the
positive half-cycle of the input signal, it is called a class B power amplifier.
• No biasing circuit is needed at all.
• The operating point Q is located at collector cut-off voltage.
• Severe distortion occurs.
• Provide higher power output and collector efficiency (50 − 60%).

𝑇ൗ
1 2 𝑰𝑷 Ipmax = VCEQ /Rac
𝐼𝑎𝑣 = න 𝑖𝑐 𝑡 𝑑𝑡 =
𝑇 0 𝝅

Dr. Dung Trinh 44

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Push Pull Circuit

? ?

Dr. Dung Trinh 45

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B Amplifier
❖ In Class B, transistor is biased just off. The AC signal turns the transistor ON.

❖ The transistor only conduct when it is turned on by one-half of the AC cycle.

❖ In order to get a full AC cycle out of class B, two transistors are required:

▪ An npn transistor that provide the

positive half of the AC cycle.

▪ An pnp transistor that provide the

negative half of the AC cycle.

Dr. Dung Trinh 46

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B Amplifier

❖ 𝑉𝐵𝐸,𝑜𝑛 < 𝑣𝐼 < 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 : QN ON, QP OFF

𝒗𝒐 = 𝒗𝑰 − 𝒗𝑩𝑬,𝑶𝑵 𝒊𝑳 = 𝒊𝑪𝑵 (𝑷𝑼𝑺𝑯)

❖ −𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 < 𝑣𝐼 < −𝑉𝐵𝐸,𝑜𝑛 : QN OFF, QP ON

𝒗𝒐 = 𝒗𝑰 + 𝒗𝑩𝑬,𝑶𝑵 𝒊𝑳 = −𝒊𝑪𝑷 (𝑷𝑼𝑳𝑳)

Dr. Dung Trinh 47
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B Amplifier

❖ −𝑉𝐵𝐸,𝑜𝑛 < 𝑣𝐼 < 𝑉𝐵𝐸,𝑜𝑛 : QN OFF, QP ON ❖ Crossover distortion on input & output
waveforms
𝒗𝒐 = 𝟎
❖ Crossover distortion in audio power
amplifiers produce unpleasant sounds.

Dr. Dung Trinh 48

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B – Output Power and Efficiency

𝑇ൗ
❖ The average collector current of a transistor: 1 2 𝐼𝑃
𝐼𝐶 = න 𝑖𝑐 𝑡 𝑑𝑡 =
𝑇 0 𝜋

❖ The average current draw from the DC supply source by transistors QN and QP
2𝐼𝑃 ❖ The output power:
𝐼𝐷𝐶 = 2𝐼𝐶 =
𝜋
𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐿 =
2
❖ The average input power
supplied from the DC source:

𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐷𝐶 = 2𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶

𝑃𝐿 𝜋 𝑉𝑃
❖ The power efficiency: 𝜂= =
𝑃𝐷𝐶 4 𝑉𝐶𝐶
2𝑉𝐶𝐶ൗ 𝜂 = 78.5% @𝑉𝑃 = 𝑉𝐶𝐶
𝜂 = 50% @𝑉𝑃 = 𝜋
Dr. Dung Trinh 49
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B – Output Power and Efficiency

❖ The average power dissipated in the class B stage is given by:

𝐼𝑃 𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐷 = 𝑃𝐷𝐶 − 𝑃𝐿 = 2𝑉𝐶𝐶 −
𝜋 2

𝜕𝑃𝐷 2𝑉𝐶𝐶
❖ The maximum collector power at = 0 → 𝐼𝑃 =
𝜕𝐼𝑃 𝜋𝑅𝐿

2𝑉𝐶𝐶ൗ
𝑉𝑃,𝑚𝑎𝑥 = 𝜋

𝑃𝐷 𝜋𝑉𝑃 𝜋 2 𝑉𝑃2
= − 2
𝑃𝐷,𝑚𝑎𝑥 𝑉𝐶𝐶 4𝑉𝐶𝐶

Dr. Dung Trinh 50

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B – Output Power and Efficiency

Example 6: For a class B amplifier using a supply of 𝑉𝐶𝐶 = 30𝑉 and driving a
load of 16Ω, determine the maximum input power 𝑃𝐶𝐶𝑚𝑎𝑥 , output power
𝑃𝐿𝑚𝑎𝑥 , the maximum efficiency 𝜂max , and power dissipation of each
transistor, 𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥?
𝑉𝐶𝐶 𝑃𝐿
𝐼𝑃,𝑚𝑎𝑥 = 𝜂=
𝑅𝐿 𝑃𝐷𝐶
𝐼𝑃 𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐷𝐶 = 2𝑉𝐶𝐶 𝑃𝐿 =
𝜋 2

𝐼𝑃 𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐷 = 𝑃𝐷𝐶 − 𝑃𝐿 = 2𝑉𝐶𝐶 −
𝜋 2
2𝑉𝐶𝐶
𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝐷𝑚𝑎𝑥 /2 @ 𝐼𝑃 =
𝜋𝑅𝐿

𝑃𝐶𝐶𝑚𝑎𝑥 = 35.8𝑊 𝑃𝐿𝑚𝑎𝑥 = 28.125𝑊 𝜂𝑚𝑎𝑥 = 78.54% 𝑃𝐶𝑚𝑎𝑥 = 5.7𝑊

Dr. Dung Trinh 51

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class B – Output Power and Efficiency

Example 7: Calculate the efficiency of a class B amplifier for a supply voltage
of VCC=24V with peak output voltages of:
a. 𝑉𝑃 = 22𝑉
b. 𝑉𝑃 = 6𝑉
a. 𝜂 = 72% b. 𝜂 = 19.6%

Example 8: For a class B amplifier providing a 20V peak signal to a 16Ω load
(speaker) and a power supply of 𝑉𝐶𝐶 = 30𝑉, determine the input power,
output power, and circuit efficiency?
𝑃𝐿 = 12.5𝑊 𝑃𝐶𝐶 = 23.9𝑊 𝜂 = 52.3%

Dr. Dung Trinh 52

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Transformer-Coupled Push Pull Circuit

❖ The circuit uses a center-tapped input transformer to produce opposite polarity signals
to the two transistor inputs and an output transformer to drive the load in a push-pull
mode of operation.

❖ During the first half-cycle

of operation, transistor Q1
is driven into conduction
whereas transistor Q2 is
driven off.

❖ During the second half-

cycle of the input signal.
Q2 conducts whereas Q1
stays off.

Dr. Dung Trinh 53

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

2𝐼𝑃
𝐼𝑑𝑐 = 2𝐼𝐶 =
𝜋

𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝑑𝑐 = 2𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶

𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐿 =
2
𝑃𝐿
𝜂=
𝑃𝐷𝐶

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 54
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Transformer-Coupled Push Pull Circuit

Example 8: Design a transformer-coupled class B push-pull amplifier, as
shown in figure below, to supply a maximum output power of 𝑃𝐿(max) = 10𝑊
at a load resistance of 𝑅𝐿 = 4Ω. Assume a DC supply voltage of 15V and
transistors of 𝛽 = 100 and 𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉.

𝑅′𝐿 = 11.25Ω

𝑁𝑃
ൗ𝑁 = 1.68
𝑆

𝑅𝐵 = 8.25Ω

𝑉𝐵𝐵 = 0.77𝑉

𝑅1 = 8.7Ω

𝑅2 = 161Ω

Dr. Dung Trinh 55

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Dr. Dung Trinh 56

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Class AB Amplifier
❖ Crossover distortion can be virtually eliminated by applying a small
quiescent bias on each output transistor, for a zero input signal. This is
called a class-AB output stage.

Dr. Dung Trinh 57

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

OTL

Dr. Dung Trinh 58

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

OTL

Dr. Dung Trinh 59

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

𝐼𝑃
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶
𝜋
𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐿 =
2

𝑃𝐿
𝜂=
𝑃𝐶𝐶

𝐼𝑃 𝑅𝐿 𝐼𝑃2
𝑃𝐷 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿 = 𝑉𝐶𝐶 −
𝜋 2

𝑉𝐶𝐶 /2
𝑃𝐷,𝑚𝑎𝑥 @𝐼𝑃 =
𝜋𝑅𝐿

Dr. Dung Trinh 60

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Q&A

Dr. Dung Trinh 61

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Hw 4.1
Cho MKĐ công suất đẩy-kéo lớp B dùng các transistor Q1 và Q2 có VBE1 = VEB2
= 0.6V nối với tải Ro = 4Ω.
a) Giải thích ngắn gọn nguyên
lý hoạt động của mạch (xác
định rõ tính chất hoạt động
của mỗi BJT Q1 và Q2 khi
nguồn tín hiệu xoay chiều
thay đổi)?
b) Tìm công suất tiêu thụ (xoay
chiều) tối đa trên tải Ro?
c) Tìm công suất mỗi nguồn
DC cung cấp khi biên độ
dòng qua tải đo được là 1A?
d) Tìm công suất tiêu tán trung
bình tối đa trên điện trở
Re1?
e) Xác định giá trị điện trở R3
để tránh méo xuyên tâm?
Dr. Dung Trinh 62
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Hw 4.2
Cho mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B dùng 2 BJT giống nhau, trong
đó nguồn cung cấp Vdc = 9V, tải Ro = 8Ω, tỉ số vòng dây N3:N4 = 3:4.
a) Giải thích ngắn gọn nguyên lý hoạt động của mạch (xác định rõ tính chất
hoạt động của mỗi BJT Q1 và Q2 khi nguồn tín hiệu xoay chiều thay đổi)?
b) Xác định cực tính thích hợp của mỗi biến áp?

c) Tìm công suất tiêu thụ

(xoay chiều) tối đa trên
tải Ro?
d) Tìm công suất mỗi
nguồn DC cung cấp cực
đại.
e) Tìm công suất tiêu tán
lớn nhất trên mỗi BJT.

Dr. Dung Trinh 63

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Hw 4.3
• Cho mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B. Giả sử các BJT có 
= 50, rπ =100 và VD1 = VD2 = VBE1 = VEB2 = 0.7.
• Bỏ qua công suất tiêu tán trên cực B của Transistor.
25V
a) Giải thích ngắn gọn nguyên lý hoạt
500 động của mạch và chức năng của các
C RB điện trở RB cũng như các diode trong
Q1 mạch?
+ il
D1 8 b) Tìm công suất tiêu thụ (xoay chiều)
tối đa trên tải RL?
C RL
c) Tìm hiệu suất tối đa của mạch?
ii
+ Q2
10k d) Tìm công suất tiêu tán tối đa trên mỗi
C RB
transistor?
C e) Tìm công suất mỗi nguồn cung cấp và
hiệu suất của mạch khi biên độ dòng
− 25V
qua tải đo được là 1A?

Dr. Dung Trinh 64

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Hw 4.4

a. Giải thích hoạt động của mạch

b. RL = 4Ω VCC =15V. Tìm hệ số biến áp để 𝑃𝐿(max) = 10𝑊.
c. Tính hiệu suất và công suất tiêu tán trong mạch (trên mỗi BJT)

Dr. Dung Trinh 65

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Hw 4.5
Cho mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B dùng các transistor Q1 và
Q2 (VBE1 = VEB2 = 0.6V) với tải Ro = 4Ω. Bỏ qua các tổn hao phân cực
trên các điện trở R1, R2 và R3. Các tụ C1, C2 và C3 có giá trị rất lớn.

a) Tìm công suất tiêu thụ

(xoay chiều) tối đa trên tải
Ro?
b) Tìm công suất nguồn VDC
cung cấp khi biên độ dòng
qua tải đo được là 1A?
c) Tìm công suất tiêu tán
trung bình tối đa trên điện
trở Re1?
d) Xác định giá trị điện trở R3
để tránh méo xuyên tâm?

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 66

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 67

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Ôn tập
• Phân biệt các lớp khuếch đại và hiệu suất mỗi lớp.
• Nhận dạng các dạng MKĐ công suất âm tần lớp A, B (AB).
• Viết biểu thức và vẽ dạng sóng dòng / áp trong MKĐ lớp A và B.
• Tính toán công suất MKĐ lớp A và B.
• So sánh ưu nhược điểm của các dạng MKĐ khác nhau thuộc
lớp A và B.
• Các biện pháp khắc phục méo xuyên tâm.

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 68

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Câu hỏi lý thuyết

• MKĐCSÂT có mâu thuẫn với định luật bảo toàn công suất
không?
• So sánh MKĐ công suất với MKĐ áp/dòng?
• Gắn thêm tải song song ảnh hưởng như thế nào đến MKĐCS
ban đầu?
• Với mỗi lớp A hoặc B, khi nào công suất tiêu thụ trên tải (AC) /
công suất nguồn cung cấp (DC) / công suất tổn hao trên BJT /
hiệu suất là lớn nhất? Xác định giá trị lớn nhất?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 69

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 1

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 70

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 2

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 71

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 3

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 72
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 4

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 73
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 5

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 74
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 6

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 75
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 7

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 76
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 8
• Tính công suất vào, ra và hiệu suất biết dòng
IB dao động biên độ đỉnh 10mA?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 77

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 9
• Tính công suất vào, ra và hiệu suất biết tín
hiệu ngõ vào có biên độ hiệu dụng 12mV?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 78

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 10

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 79
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 11

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 80
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 12
• Cho Ip = ICm = 4A; Vp = VCm = 12V

+ vin iL
T1
RL
24V
8

- vin T2

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 81

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 13

+V
CC =20V

T1
Yh
C R
c1 L
vin 12
+

T2

- VCC =-20V

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 82
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 14

+ 30V

R
680
B1 T1

L
R E1
C 0.5
v
in c1 500uF
+
+
R E2 C R
0.5 c2 8L

B2
T2

R
680

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 83
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 15

+VCC= 15V
R1

B
1 Q1
Yh
C Q3
c1
R4
R6
100 1
v
in R2
R7
R5 1 RL
100 4
C Q4
c2
B2
Q2

R3

-VCC = -15V

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 84
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 16
• Cho mạch khuếch đại công
suất đẩy-kéo lớp B dùng 2 BJT
Vcc = 12V
bổ phụ Q1, Q2 hoàn toàn đối R1

xứng (V=0.5V,  = hfe=30, hie = - C1 +

Q1
rbe= 25Ω).
• Bỏ qua công suất tổn hao trên R4
1 +C-

các điện trở R1, R2, R3. R2

R5
1
- C1 + RL
6
Q2

Vi
R3

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 85
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Tìm công suất tiêu thụ xoay chiều tối đa (cực đại) trên tải RL?
b) Tìm công suất nguồn cung cấp tối đa?
c) Tìm hiệu suất tối đa của mạch?
d) Tìm công suất tổn hao tối đa trên điện trở R5?
e) Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ. Nếu (Vi = 5 Vac), tìm công suất trên tải R L?
Chú ý trong mỗi thời điểm chỉ có một BJT hoạt động!
f) Trong trường hợp R1 = R3 = 10KΩ, xác định giá trị của điện trở R2 để tránh méo
xuyên tâm?
g) Trong trường hợp vẫn giữ nguyên nguồn và tải, vẽ lại 1 sơ đồ mạch khuếch đại
công suất đẩy-kéo lớp B dùng 2 BJT cùng loại? Cho phép dùng thêm biến áp.

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 86

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 17
Cho sơ đồ mạch khuếch đại
công suất âm tần lớp B
như Hình B.
• Điện trở tải RL = 10Ω và
công suất cực đại ra tải là
625mW.
• Giá trị nguồn cung cấp
VCC = 9V.
• Transistor T1 và T2 có giá
trị bão hòa VCEsat = 1V.

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 87
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Tính giá trị N của biến áp ngõ ra.

b) Tính các giá trị công suất nguồn cung cấp cực đại PCCmax và
công suất tiêu tán cực đại trên mỗi transistor PCmax.
c) Với giá trị N của câu a), nếu ngõ ra được mắc thêm tải RL = 10 Ω
song song với tải cũ thì cần thay đổi những thông số gì trên mạch
để đảm bảo mạch hoạt động bình thường.

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 88

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 18
• Cho MKĐ công suất âm tần
đẩy-kéo lớp B dùng các BJT
Q1 và Q2 (VBE1 = VEB2 = 0.6V)
với tải Ro = 4Ω.
• Bỏ qua tổn hao trên các điện
trở R1, R2 và R3.

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 89
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Tìm công suất tiêu thụ (xoay chiều) tối đa trên tải Ro?
b) Tìm công suất mỗi nguồn DC cung cấp khi biên độ dòng
qua tải đo được là 1A?
c) Tìm hiệu suất lớn nhất của mạch?
d) Tìm công suất tiêu tán trung bình tối đa trên điện trở Re1?
e) Tìm công suất tiêu tán trung bình tối đa trên mỗi BJT?
f) Tìm công suất tiêu tán trung bình trên mỗi BJT trong
trường hợp công suất tải lớn nhất?
g) Tìm công suất tiêu tán trung bình trên mỗi BJT trong
trường hợp hiệu suất lớn nhất?
h) Xác định giá trị điện trở R3 để tránh méo xuyên tâm?
4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 90

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 19
• Cho mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B dùng 2 BJT
giống nhau, trong đó nguồn cung cấp Vdc = 9V, tải Ro = 8Ω, tỉ
số vòng dây N3:N4 = 3:4.

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 91

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Giải thích ngắn gọn nguyên lý hoạt động của mạch (xác định rõ tính chất hoạt động của mỗi
BJT Q1 và Q2 khi nguồn dòng tín hiệu xoay chiều Ii thay đổi)?
b) Xác định cực tính thích hợp của mỗi biến áp?
c) Vẽ dạng sóng điện áp Vce1 tương ứng với mỗi bán kì của nguồn tín hiệu Ii?
d) Tìm biên độ dao động lớn nhất không méo của điện áp ngõ ra Vo?
e) Tìm hiệu suất lớn nhất của mạch? Tính công suất tiêu tán của mỗi BJT trong trường hợp
này?
f) Tìm công suất tiêu tán lớn nhất của mỗi BJT?
g) Tìm công suất tiêu thụ lớn nhất trên tải?
h) Tìm công suất nguồn cung cấp lớn nhất?
i) Vẽ 1 sơ đồ mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B dùng 2 BJT khác loại?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 92

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 20
• Cho mạch khuếch đại công suất đẩy-kéo lớp B dùng các transistor Q1 và Q2 (VBE1
= VEB2 = 0.6V) với tải Ro = 4Ω.

• Bỏ qua các tổn

hao phân cực
trên các điện
trở R1, R2 và
R3.
• Các tụ C1, C2
và C3 có giá trị
rất lớn.

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 93

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Tìm công suất tiêu thụ (xoay chiều) tối đa

trên tải Ro?
b) Tìm công suất nguồn VDC cung cấp khi biên
độ dòng qua tải đo được là 1A?
c) Tìm công suất tiêu tán trung bình tối đa trên
điện trở Re1?
d) Xác định giá trị điện trở R3 để tránh méo
xuyên tâm?
4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 94

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 21
• Cho MKĐ công suất đẩy-kéo
lớp B dùng các transistor Q1
và Q2 (VBE1 = VEB2 = 0.6V) với
tải Ro = 4Ω

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 95
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Tìm công suất tiêu thụ (xoay chiều) tối đa

trên tải Ro?
b) Tìm công suất mỗi nguồn DC cung cấp khi
biên độ dòng qua tải đo được là 1A?
c) Tìm công suất tiêu tán trung bình tối đa trên
điện trở Re1?
d) Xác định giá trị điện trở R3 để tránh méo
xuyên tâm?
4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 96

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 22
• Cho mạch khuếch đại công
suất đẩy-kéo lớp B. Các BJT 25V
có  = 50, hie =100 và VD1 =
500
VD2 = VBE1 = VEB2 = 0.7.
C RB
• Bỏ qua công suất tiêu tán Q1
+ il
trên cực B của Transistor. D1 8
C RL
ii
+ Q2
10k RB
C
C

− 25V

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 97
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Giải thích ngắn gọn nguyên lý hoạt động của mạch và chức năng của các điện trở R B
cũng như các diode trong mạch?
b) Tìm giá trị dòng cực thu tối đa iCmax của mỗi transistor?
c) Tìm công suất tiêu thụ (xoay chiều) tối đa trên tải R L?
d) Tìm công suất mỗi nguồn cung cấp khi biên độ dòng qua tải đo được là 1A?
e) Tìm hiệu suất của mạch khi biên độ dòng qua tải đo được là 1A?
f) Tìm hiệu suất tối đa của mạch?
g) Tìm công suất tiêu tán trên mỗi transistor khi biên độ dòng qua tải cực đại?
h) Tìm công suất tiêu tán tối đa trên mỗi transistor?
i) Xác định biểu thức và vẽ dạng sóng điện áp giữa hai cực thu-phát vCE(t) của Q1 khi
nguồn tín hiệu ii(t) = 10sin1000t (mA)?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 98

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 23
• Cho MKĐ công suất
đẩy-kéo lớp B với tải Ro
= 4Ω và 2 BJT bổ phụ
Q1, Q2 hoàn toàn đối
xứng (V=0.7V,  =
hfe=20, hie = rbe= 50Ω).
• Bỏ qua công suất tổn
hao trên các điện trở
R1, R2, R3.

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 99
EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

a) Xác định giá trị của điện trở R3 để tránh méo xuyên tâm?
b) Tìm công suất tiêu thụ xoay chiều tối đa trên tải?
c) Tìm công suất mỗi nguồn cung cấp khi biên độ nguồn tín hiệu Vi đo được là 1V?
d) Tìm hiệu suất của mạch khi biên độ dòng qua tải đo được là 1A?
e) Tìm hiệu suất tối đa của mạch?
f) Tìm công suất tổn hao tối đa trên điện trở Re1?
g) Tìm công suất tiêu tán trên mỗi BJT khi biên độ dòng qua tải cực đại không méo?
h) Tìm công suất tiêu tán tối đa trên mỗi BJT?
i) Xác định biểu thức và vẽ dạng sóng điện áp vCE(t) của BJT Q1 khi biên độ dòng qua tải đo được là
1A?
j) Trong trường hợp thiết kế lại các điện trở R1, R2 và R3 để mạch khuếch đại công suất hoạt động ở
lớp A với dòng tĩnh ICQ1 = ICQ2 = 3A, tìm biên độ dòng qua tải cực đại không méo?

4/25/2024

Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 100

EE2700 – Chapter 6: Power Amplifiers HCMUT / 2015

Bài tập 24
• Q1, Q2: hfe=60; rbe=25Ω
• Q3, Q4: hfe=40; rbe=15Ω
a. Tìm PLmax, PCCmax,
max, Pcmax trên mỗi
BJT
b. Tìm vimax để đạt PLmax
c. Nếu vi=15sinωt, xác định
PL, PCC, , PC trên Q3.

4/25/2024
Dr. Dung Trinh Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 101