ELEKTRONIKA

DLA ELEKTRYKÓW
ANDRZEJ OPOLSKI

GDAÑSK 2008
PRZEWODNICZCY KOMITETU REDAKCYJNEGO
WYDAWNICTWA POLITECHNIKI GDASKIEJ
Romuald Szymkiewicz

REDAKTOR
Wiesaw Pudlik

RECENZENCI
Przemysaw Pazdro
Micha Polowczyk

Wydanie I – 1997
Wydanie II – 2002

Wydano za zgod
Rektora Politechniki Gdaskiej

” Copyright by Wydawnictwo Politechniki Gdaskiej

Gdask 2008

Wydawnictwa PG mona nabywa w Ksigarni PG (Gmach G ówny, I pitro)

bd zamówi poczt elektroniczn ([email protected]),
faksem (058 347 16 18) lub listownie (Wydawnictwo Politechniki Gdaskiej,
Ksigarnia PG, ul. G. Narutowicza 11/12, 80-952 Gdask)

ISBN 978–83–7348–248–7
SPIS TRECI

Przedmowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1. MATERIAY I TECHNOLOGIE PÓPRZEWODNIKÓW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1. Krzem i inne materiay póprzewodnikowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2. Zarys technologii krzemu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.3. adunki elektryczne w póprzewodniku . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.4. Domieszkowania . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5. Prd w póprzewodniku . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2. STRUKTURY NIEJEDNORODNE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1. Zcze pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.1. Zcze pn w stanie równowagi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.2. Zcze spolaryzowane . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.1.3. Pojemno zcza pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.1.4. Przebicie zcze pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.1.5. Wpyw temperatury na zcze pn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2. Zcze ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.3. Struktura MIS (MOS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.4. Realizacja struktur niejednorodnych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3. ELEMENTY ELEKTRONICZNE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.1. Rezystory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.1.1. Rezystory dyskretne liniowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.1.2. Rezystory w ukadach scalonych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.1.3. Rezystory nieliniowe póprzewodnikowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.2. Kondensatory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.3. Diody . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.3.1. Dioda prostownicza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.3.2. Dioda przeczajca (uniwersalna) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.3.3. Dioda Zenera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.3.4. Dioda pojemnociowa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.4. Tranzystory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
3.4.1. Tranzystory unipolarne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.4.2. Tranzystor bipolarny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.4.3. Podobiestwa i rónice mi dzy tranzystorami . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.5. Tyrystory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.5.1. Tyrystor triodowy (tyrystor) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.5.2. Odmiany tyrystorów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.6. Elementy optoelektroniczne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.6.1. Fotodioda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.6.2. Fototranzystor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.6.3. Diody wiecce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.6.4. Transoptory . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4. MIKROELEKTRONIKA, ENERGOELEKTRONIKA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.1. Sygna elektryczny, energia elektryczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.2. Sygna analogowy a sygna cyfrowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.3. Zakócenia, szumy, dryft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.4. Przeksztacanie sygnaów elektrycznych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.4.1. Widmo sygnau, filtracja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.4.2. Próbkowanie, kwantowanie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.4.3. Modulacja, demodulacja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.4.4. Kodowanie i transmisja sygnaów cyfrowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
4.5. Przeksztacanie energii elektrycznej . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4

5. WZMACNIACZE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
5.1. Schemat blokowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
5.2. Opis wzmacniacza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
5.2.1. Parametry czwórnikowe wzmacniacza . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
5.2.2. Sprz enie zwrotne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
5.2.3. Charakterystyki wzmacniaczy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.3. Wzmacniacz rónicowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.3.1. Budowa i dziaanie wzmacniacza rónicowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.3.2. Parametry wzmacniacza rónicowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
5.3.3. Model nieliniowy wzmacniacza rónicowego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.4. Wzmacniacz operacyjny (WO) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.4.1. Parametry wzmacniacza operacyjnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.4.2. Zastosowania liniowe WO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
5.5. Wzmacniacze mocy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
6. GENERATORY ELEKTRONICZNE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.1. Sprz enie zwrotne dodatnie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.2. Generacja sygnaów sinusoidalnych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
6.2.1. Generator sygnau sinusoidalnego LC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
6.2.2. Generator sygnau sinusoidalnego RC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
6.3. Generacja sygnaów impulsowych . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
6.3.1. Przerzutnik Schmitta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
6.3.2. Multiwibrator astabilny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
6.3.3. Multiwibrator monostabilny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
6.3.4. Generator sygnau trójktnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.4. Stabilizacja cz stotliwoci  "generator kwarcowy" . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
6.5. Generator mocy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
7. ELEKTRONIKA CYFROWA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
7.1. Podstawowe poj cia elektroniki cyfrowej . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
7.2. Funktory TTL, CMOS i ECL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
7.3. Cyfrowe bloki funkcjonalne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
7.3.1. Kodery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
7.3.2. Multipleksery, demultipleksery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
7.3.3. Sumator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.3.4. Komparator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
7.3.5. Jednostka arytmetyczno-logiczna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
7.4. Przerzutniki, rejestry . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
7.5. Liczniki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
7.6. Mikroprocesor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
7.7. Przetworniki c/a i a/c . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
8. ZASILACZE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
8.1. Struktury zasilaczy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
8.2. Prostowniki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
8.2.1. Prostownik jednopulsowy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
8.2.2. Prostowniki dwupulsowe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
8.2.3. Wygadzanie napi cia wyprostowanego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
8.3. Stabilizatory napi cia staego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
8.3.1. Stabilizator równolegy, parametryczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
8.3.2. Cigy stabilizator szeregowy ze sprz eniem zwrotnym . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
8.4. Przetwornice napi cia staego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
8.4.1. Przetwornica dwutaktowa, przeciwbiena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
8.4.2. Przetwornica dwutaktowa wspóbiena . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
8.4.3. Stabilizacja, zabezpieczenia, zakócenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
LITERATURA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
PRZEDMOWA

W programie studiów, zarówno magisterskich jak i inynierskich, tak stacjonarnych

jak i zaocznych, na Wydziale Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdaskiej jest
umieszczony przedmiot o nazwie Elektronika. Przedmioty o podobnych nazwach wyst pu-
j te w programach nauczania elektryków na wszystkich wyszych uczelniach, tak w Pol-
sce jak i poza jej granicami. Oznacza to, e wsz dzie przeszych inynierów elektryków
uczy si te elektroniki.
Cel studiowania elektroniki przez elektryków jest dwojaki. Pierwszym zadaniem na-
uczania elektroniki jest przygotowanie elektryków do studiowania energoelektroniki, która
dla cz ci z nich b dzie przedmiotem profesjonalnym, czyli jednym z elementów zawodu
inyniera-elektryka. Drugim zadaniem nauczania elektroniki jest uzupenienie ogólnego
wyksztacenia technicznego, niezb dnego dzi kademu inynierowi, o wybrane poj cia
wywodzce si z elektroniki a take o informacje na temat jej moliwoci i ogranicze. To
drugie zadanie nabiera szczególnej wagi ze wzgl du zarówno na szeroki zakres zastosowa
elektroniki, jak i na powszechno uywania poj  z tej dziedziny.
Dwoisto celów nauczania pociga za sob niejednolito programu przedmiotu i
konsekwentnie take skryptu z elektroniki. W treci skryptu znalazy si wi c informacje,
których znajomo jest niezb dna inynierowi elektrykowi (rozdzia 3 oraz rozdziay 5 do
8), obok wiadomoci poszerzajcych wiedz z fizyki, technologii materiaów czy elektro-
techniki teoretycznej (rozdziay 1, 2 i 4), których zadaniem jest uzupenienie wiedzy ogól-
notechnicznej.
Niniejszy skrypt jest adresowany gównie do studentów trzeciego semestru studium
magisterskiego, ale moe by uyteczny i dla innych studentów elektrotechniki. Zamiarem
autora byo stworzenie skryptu w klasycznym sensie, czyli pomocy dydaktycznej, która
pozwoli studentom skupi si na aktywnym suchaniu wykadu, bez koniecznoci usta-
wicznego notowania przekazywanych informacji.
Zakres skryptu, zgodnie z dobrymi tradycjami w tej dziedzinie, wychodzi nieco poza
przyj te minimum programowe, ale bardziej ambitni studenci studiów magisterskich zde-
cydowanie powinni poszerza swoj wiedz z elektroniki korzystajc z literatury, której
podstawowy wykaz zamieszczono na kocu skryptu. Dla studentów poziomu inynierskie-
go porcja teorii zawarta w tym skrypcie jest w wi kszoci przypadków cakowicie wystar-
czajca, niekiedy nawet z nadmiarem, ale powinni oni aktualizowa swoj wiedz prak-
tyczn przez ledzenie prasy technicznej. Niektóre partie skryptu, dotyczce trudniejszych
tematów, zostay napisane w postaci bardziej szczegóowych komentarzy, majc na wzgl -
dzie studentów zaocznych, samodzielnie wchodzcych w now dla nich tematyk tech-
niczn.
Racjonalne uoenie programu przedmiotu i zakresu skryptu z elektroniki dla elektry-
ków jest zadaniem bardzo trudnym, by moe nierozwizalnym. Szybki rozwój elektroniki
w ostatnich 3040 latach spowodowa znaczne poszerzenie i pog bienie wiedzy w tej
dziedzinie, potwierdza to fakt prowadzenia kilku, rónych kierunków studiów w dziedzinie
6

elektroniki. Ograniczona ilo czasu przeznaczonego na elektronik w programie nauczania

elektryków na PG wymusza ostr selekcj tematyki i zakresu prezentacji elektroniki, a
kryteria selekcji zawsze s dyskusyjne.
Niejednolite przygotowanie studentów, wywodzcych si z rónych typów szkó, po-
ciga za sob celowo zachowania tematów podstawowych, wprowadzajcych w elektro-
nik , wicych elektronik techniczn z fizyk i technologi póprzewodników. Taka
tematyka, dobrze znana niektórym studentom dla innych stanowi nowo. Przygotowanie
zawodowe elektryka wymaga z kolei wprowadzenia tematyki cile technicznej, prezentacji
ukadów scalonych, elementów logicznych i cyfrowych. Wspóczenie nast pujcy szybki
post p techniki, a szczególnie elektroniki, nakazuje uzupenia tematyk wykadu i skryptu
o nowoci, co jednak zagraa wzrostem obj toci, czyli powszechnie krytykowanym "prze-
adowaniem" programu.
Niniejszy skrypt jest prób pogodzenia wyej zarysowanych sprzecznoci i ograni-
cze. O tym, w jakim stopniu udao si te sprzecznoci pogodzi zadecyduje opinia czytel-
ników  studentów.
Autor wyraa gorce podzi kowanie recenzentom skryptu, profesorowi Przemysa-
wowi Pazdro z Wydziau Elektrycznego i profesorowi Michaowi Polowczykowi z Wy-
dziau Elektroniki, za trud woony w ocen pracy oraz cenne uwagi, które przyczyniy si
do istotnego poprawienia pierwotnej wersji tekstu skryptu.

Gdask, 19941997
1. MATERIAY I TECHNOLOGIE PÓPRZEWODNIKÓW

Wspóczesna elektronika jest oparta na elementach póprzewodnikowych, nieznaczne

ilociowo grupy stanowi jeszcze lampy elektronowe (kineskopy w telewizorach, lampy
duej mocy w nadajnikach radiowych i telewizyjnych), wska niki ciekokrystaliczne
(w kalkulatorach, zegarkach itp.) i inne. Cech charakterystyczn elementów póprzewod-
nikowych (zwanych popularnie póprzewodnikami) jest bardzo bliskie powizanie kon-
strukcji, zapewniajcej dane waciwoci elektryczne elementu, z technologi jego wy-
twarzania. Zrozumienie zasad dziaania, oszacowanie moliwoci i ogranicze w zastoso-
waniach urzdze elektronicznych jest trudne bez znajomoci, choby pobienej, materia-
ów i technologii póprzewodników oraz zachodzcych w nich zjawisk fizycznych.

1.1. Krzem i inne materiay póprzewodnikowe

Obecnie podstawowym materiaem póprzewodnikowym jest krzem, pierwiastek sta-
nowicy ok. 25% masy kuli ziemskiej. Krzem, uywany w elektronice w postaci krysta-
licznej, ma kolor ciemnoszary, jest twardy i wygldem przypomina metal. Waciwoci
elektryczne krzemu s jednak cakowicie odmienne od waciwoci metali, co wykrywano
stopniowo, rozpoczynajc badania rónych materiaów, w tym i póprzewodników, w dru-
giej poowie XIX wieku. Waniejsze dane fizyczne krzemu zestawiono w tablicy 1.1. Dane
zawarte w tablicy pozwalaj oceni waciwoci mechaniczne krzemu (dla porównania w
tablicy przytoczono te wybrane parametry stali konstrukcyjnej)  waciwoci elektryczne
krzemu b d przedmiotem dalszych objanie.
Podstawow cech elektryczn materiau jest jego rezystywno  oporno waciwa.
W temperaturze pokojowej (300K | +27qC) rezystancja kostki o boku 1 cm, wykonanej
z czystego krzemu, mierzona mi dzy przeciwlegymi cianami, wynosi 0,4 megaoma
(1 megaom = 106 omów). Rezystancja podobnej kostki miedzianej wynosi 1,7 mikrooma
(1 mikroom = 106 oma), kostki ze stopu oporowego (konstantan) 48 mikroomów, a kostki
porcelanowej ok. miliona megaomów. Rezystywno krzemu, jako póprzewodnika, jest
zdecydowanie róna od rezystywnoci dobrych przewodników prdu elektrycznego (meta-
li) jak te od rezystywnoci izolatorów. Ponadto rezystywno krzemu, jak i innych pó-
przewodników, jest silnie zalena od oddziaywania czynników fizycznych, takich jak
nagrzewanie, owietlenie, napr enia mechaniczne i in.
Na przykad podgrzanie krzemu o 10 K powoduje blisko dwukrotne zmniejszenie jego re-
zystywnoci (podgrzanie miedzi o 10 K powoduje wzrost rezystywnoci okoo 4%). Podobnie
silnie dziaaj na rezystywno krzemu, nawet bardzo niewielkie, zanieczyszczenia chemiczne
innymi substancjami. Dlatego krzem stosowany do wytwarzania elementów elektronicznych ma
zwykle znacznie mniejsz, anieli przytoczona w tablicy, warto rezystywnoci.
Wraliwo rezystywnoci póprzewodników na oddziaywanie czynników fizycznych
niekiedy stanowi ich zalet , ale cz ciej musi by traktowana jako wada. Zalet jest przy
8

wytwarzaniu póprzewodnikowych przetworników pomiarowych (takich jak termometry,

fotometry, tensometry elektryczne) do pomiarów wybranych wielkoci fizycznych, bo silna
zmienno rezystywnoci w funkcji tych wielkoci pozwala uzyskiwa przetworniki o
duej czuoci. W innych przypadkach zaleno prdu w obwodzie elektrycznym zawiera-
jcym elementy póprzewodnikowe, od np. temperatury otoczenia, jest zjawiskiem niepo-
danym, zakócajcym planowany sposób dziaania tego obwodu. Przeciwdziaanie skut-
kom wraliwoci póprzewodnika, szczególnie na temperatur , jest jednym z podstawo-
wych problemów elektroniki, rozwizywanym zarówno przy wytwarzaniu elementów, jak i
przy konstruowaniu ukadów i urzdze.
Tablica 1.1
Niektóre waciwoci krzemu oraz stali konstrukcyjnej

W a ciwo  Krzem Stal konstrukcyjna

liczba atomowa 14
masa atomowa 28,1
temperatura topnienia [qC] 1420 1480  1530
temperatura wrzenia [qC] 2600 2800
gsto  [g/cm ]
3
2,33 7,8
4,68x10 11,5x10
6 6
wsp. rozszerzalno ci liniowej [1/K]
2
modu sprysto ci [N/mm ] 106 830 211 000
2
twardo  w/g Brinella [N/mm ] 2350 12003500
2
wytrzyma o  na ciskanie [N/mm ] 93,5 90  400
5
(5  10)x10
5
rezystywno  przy 300 K [: cm] 4x10
wzgl. sta a dielektryczna 12
5
wytrzyma o  na przebicie [V/cm] 2x10
szeroko  pasma zabronionego [eV] 1,2
3 10
koncentracja no ników w 300 K [1/cm ] 1,45x10
3 22
gsto  atomów w krysztale [1/cm ] 5x10

Wraliwo rezystywnoci póprzewodników na zanieczyszczenia chemiczne jest po-

wanym utrudnieniem w przygotowywaniu surowców i produkcji elementów póprzewod-
nikowych. Do usuni cia zanieczyszcze stosuje si specjalne zabiegi technologiczne, a
gotowe elementy musz by zamykane w szczelne obudowy metalowe, szklane lub plasti-
kowe. Zarys technologii póprzewodników podaje si na przykadzie krzemu.

1.2. Zarys technologii krzemu

Produkcja krzemu dla celów elektroniki jest do zoona i wieloetapowa ze wzgl du
na konieczno uzyskania materiau o bardzo duej czystoci. Stosuje si róne techniki,
tytuem przykadu w dalszym cigu wymienia si tylko wybrane metody. Pierwszym eta-
pem jest np. topienie dwutlenku krzemu SiO2 wraz z w glem w uku elektrycznym bez
 9

dost pu powietrza. Nast puje wówczas wydzielanie tlenku w gla CO i pozostaje krzem Si.
Tak otrzymuje si materia zawierajcy do 98% krzemu (krzem hutniczy zawierajcy ok.
2% zanieczyszcze). Nast pnie rozpuszcza si uzyskany materia w silnych kwasach uzy-
skujc sole krzemu. Kolejnym etapem jest destylacja roztworu dla uzyskania chemicznie
czystej frakcji zawierajcej tylko okrelon sól (np. czterochlorek krzemu SiCl4). Poddajc
otrzyman sól redukcji wodorem (oczywicie bez dost pu powietrza) w temperaturze bli-
skiej 1000qC wytwarza si chemicznie czysty krzem i produkty lotne, które odparowuj.
Wyprodukowany krzem, aczkolwiek nazywany chemicznie czystym, zawiera zbyt
wiele zb dnych dodatków aby móg by uyty do produkcji elementów elektronicznych.
Waciwy poziom czystoci, dopuszczajcy mniej ni 109 zanieczyszcze (mniej ni jedna
miliardowa cz  innych substancji w krzemie) otrzymuje si stosujc metod strefowego
czyszczenia monokrysztau.
Monokryszta krzemu wytwarza si metod Czochralskiego. Do powierzchni pynnego
krzemu, umieszczonego w odpowiednim tyglu wewntrz komory próniowej, zblia si
tzw. zarodek krystalizacji  may kawaek odpowiednio zorientowanego krysztau krzemu.
Po zetkni ciu zarodka z powierzchni cieczy i cz ciowym nadtopieniu go, nast puje po-
wolne podnoszenie zarodka poczone z ruchem obrotowym. Za podnoszonym zarodkiem
narasta kryszta krzemu, zachowujcy ukad krystaliczny zarodka. Proces jest prowadzony
w cile okrelonej i stabilizowanej temperaturze, zapewniajcej pynno krzemu w tyglu i
umoliwiajcej zastyganie wyciganego monokrysztau. Szybko wycigania wynosi kilka
do kilkunastu milimetrów na godzin co pozwala uzyskiwa monokrysztay o dugoci do
jednego metra po wielodniowych procesach krystalizacji. rednica krysztau zaley od
jakoci urzdze technologicznych, obecnie produkuje si krysztay o rednicach od ok. 25
do 150 mm (1 do 6 cali).
Monokryszta zostaje umieszczony w ogrze-
wanej komorze próniowej i dodatkowo, lokalnie monokryszta
nagrzany prdem wysokiej cz stotliwoci a do nagrzewnica
utworzenia strefy stopionej, szkic pokazano na
rys. 1.1. Wewntrz strefy stopionej nast puje
rozdzielanie zanieczyszcze, ci sze opadaj na strefa
stopiona
dno strefy a lejsze podpywaj do góry. Stref
stopion przemieszcza si wielokrotnie wzdu
monokrysztau w gór i w dó, powodujc topie- Rys. 1.1. Schemat czyszczenia strefowego
nie materiau wchodzcego do strefy i jednocze- monokrysztau
nie rekrystalizacj materiau wychodzcego ze
strefy stopionej. Przy przesuwaniu strefy stopionej zanieczyszczenia s "przeprowadzane" do
kocowych odcinków pr ta krzemowego, a jego cz  rodkowa nabiera podanej czystoci.
Po oczyszczeniu metod topienia strefowego i odrzuceniu koców, pr t monokryszta-
u zostaje poci ty na plastry przy pomocy piy diamentowej. Plastry s nast pnie szlifowane
i polerowane do uzyskania poysku zwierciadlanego. Wytworzone pytki, o gruboci ok.
0,51 mm i rednicy takiej, jak rednica monokrysztau, s surowcem do produkcji elemen-
tów elektronicznych i ukadów scalonych.
10

Przedstawiony zarys technologii krzemu wskazuje na znaczne trudnoci w prowadze-

niu tych procesów, szczególnie ze wzgl du na konieczno zachowywania wyjtkowej
czystoci i prace przy temperaturach si gajcych 1400qC.
Otrzymywany tymi sposobami surowiec nie moe by tani, co byo jednym z powo-
dów wprowadzania miniaturyzacji elementów, tak aby z jednej pytki mona byo wytwo-
rzy setki, tysice i dziesitki tysi cy pojedynczych elementów (a z jednego monokrysztau
odpowiednio kilkadziesit do kilkuset razy wi cej). Przy takim post powaniu, prowadz-
cym do produkcji wielkoseryjnej, pomimo duego kosztu surowca, koszt pojedynczego
elementu zosta znacznie obniony.
Krzem nie jest jedynym póprzewodnikiem stosowanym w elektronice. Wczeniej
powszechnie by stosowany german (Ge), o nieco atwiejszej technologii wytwarzania, a
obecnie prowadzi si prace zmierzajce do szerokiego zastosowania arsenku galu (GaAs).
Innym interesujcym materiaem, o potencjalnie duym zastosowaniu w elektronice, jest
w glik krzemu (SiC). Korzystanie z rónych materiaów póprzewodnikowych wynika z
takich powodów jak: ograniczone zakresy temperatur pracy elementów wykonywanych z
rónych materiaów; moliwo wykorzystywania waciwoci specyficznych dla danego
materiau (np. widzialne promieniowanie arsenku galu) oraz ze stopnia trudnoci technolo-
gicznych ich obróbki.
Jednym ze skutków, wzmiankowanej powyej, wraliwoci póprzewodników na tem-
peratur jest ograniczony przedzia dopuszczalnych temperatur pracy elementów. Na przy-
kad elementy germanowe mog prawidowo funkcjonowa w temperaturach nieprzekra-
czajcych 80qC, podczas gdy elementy krzemowe dopuszczaj prac w temperaturach do
180qC. To ograniczenie dotyczy temperatury wewntrz obudowy elementu póprzewodni-
kowego, który jest z reguy zainstalowany w szczelnie zamkni tym aparacie, podgrzewa-
nym w rodku ciepem nieuniknionych strat elektrycznych. W takich warunkach moe
wystpi znaczny wzrost temperatury wewntrz elementu ponad temperatur otoczenia.
Dlatego, pomimo pozornie wysokich wartoci dopuszczalnych temperatur pracy, utrzyma-
nie ich nie zawsze jest atwe, a celem prac rozwojowych jest wytworzenie elementów od-
pornych na jeszcze wysze temperatury. Arsenek galu i w glik krzemu maj cechy pozwa-
lajce przewidywa dopuszczalne temperatury pracy elementów do 300400qC.
Technologia wytwarzania i obróbki GaAs i SiC, które s zwizkami chemicznymi, jest
znacznie trudniejsza od technologii germanu czy krzemu. Z tego powodu stale prowadzi si
prace rozwojowe, m.in. w warunkach niewakoci na pokadzie statków kosmicznych,
majc na celu opracowanie technologii obróbki tych, a take innych, materiaów.

1.3. adunki elektryczne w póprzewodniku

W fizyce jest znany korpuskularny model atomu, stworzony przez Nielsa Bohra na
pocztku XX stulecia. Ten model, wraz z kolejnymi modyfikacjami, jest wystarczajcy dla
wst pnego objanienia zjawisk elektrycznych w póprzewodnikach.
Atom skada si z ci kiego jdra, zawierajcego protony i neutrony oraz znacznie
lejszych elektronów, które obiegajc jdro tworz tzw. powoki elektronowe. Jdro atomu
 11

krzemu, o liczbie atomowej 14, zawiera 14 protonów, a poniewa masa atomowa podsta-
wowego izotopu wynosi 28, to liczba neutronów wynosi te 14. Kady proton ma elemen-
tarny adunek elektryczny dodatni, neutrony s elektrycznie oboj tne, zatem cae jdro ma
adunek elektryczny dodatni i wytwarza wokó siebie pole elektryczne. Liczba elektronów
w atomie krzemu te jest 14, kady elektron ma elementarny adunek ujemny, cay atom
jest elektrycznie oboj tny.
Przyciganie rónoimiennych adunków jdra i elektronów jest równowaone si od-
rodkow powstajc w wyniku ruchu elektronów wokó jdra. Kademu elektronowi
mona przypisa pewn energi cakowit, zawierajc energi kinetyczn (masa, pr d-
ko) i energi potencjaln (pole elektryczne, adunek). Energie cakowite elektronów s
skwantowane, tj. kady elektron ma energi o wartoci równej jednej ze cile okrelonych
wartoci dozwolonych energii cakowitej.
Zmiany energii elektronów odbywaj si w sposób skokowy, o wartoci równe róni-
com wartoci dozwolonych. Dostarczajc do atomu odpowiedni kwant energii, mona
zwi kszy energi elektronu, czemu odpowiada zwi kszenie odlegoci mi dzy tym elek-
tronem a jdrem. Przy dostatecznie duym kwancie dostarczonej energii mona oderwa
elektron od atomu, tj. odsun go na tak odlego, przy której przyciganie jdra jest
pomijalnie mae. To zjawisko nazywa si jonizacj atomu, poniewa atom pozbawiony
elektronu nabiera wypadkowego adunku elektrycznego dodatniego, czyli staje si jonem
dodatnim.
Energi mona dostarcza do atomów pod rónymi postaciami, np. jako wiato lub
ciepo. Majc na myli atom w temperaturze pokojowej mona przyj, e zosta on do-
prowadzony do tego stanu od temperatury zera bezwzgl dnego; oznacza to, e w tempera-
turze pokojowej co najmniej jeden elektron w atomie jest ju odsuni ty od jdra dalej,
anieli znajdowaby si w temperaturze bliskiej 0 K.
Rozmieszczenie elektronów wokó jdra jest uporzdkowane w taki sposób, e kady
elektron ma inny komplet liczb kwantowych, charakteryzujcych jego stan energetyczny.
Stan energetyczny to opis zarówno energii elektronu, jak i jego momentu magnetycznego i
spinu. W temperaturze 0 K (minimum energii atomu) elektrony zajmowayby pooenia
moliwie najblisze jdra atomu. W atomie krzemu oznacza to, e dwa elektrony wypenia-
j cakowicie powok 1, kolejnych osiem elektronów wypenia cakowicie powok 2, a
pozostae cztery elektrony lokuj si w powoce 3, której cakowite wypenienie nastpio-
by, gdyby znalazo si tam 18 elektronów. Elektrony z najbardziej zewn trznej powoki
nazywane s elektronami walencyjnymi.
Elektrony walencyjne s wyrónione oddzieln nazw dlatego, e wanie one umo-
liwiaj powizanie jednego atomu z innymi atomami. Jeeli s poczone identyczne ato-
my, to mamy do czynienia z pierwiastkiem, którego waciwoci fizyczne i chemiczne
zale od elektronów walencyjnych. Jeeli kontaktuj si ze sob róne atomy (rónych
pierwiastków), to rodzaj powstajcych zwizków chemicznych take zaley od elektronów
walencyjnych. Wan cech elektronów walencyjnych jest równie to, e mog by one
do atwo oderwane od atomu i porusza si samodzielnie. Elektron przenoszcy w prze-
strzeni swój adunek elektryczny, to jest wanie najmniejszy element pyncego prdu
elektrycznego.
12

Atomy mog by rónie rozmieszczone w przestrzeni. Jeeli odlegoci mi dzy

atomami s bardzo due w porównaniu do ich wymiarów, a rozmieszczenie jest nieupo-
rzdkowane i zmienne w czasie, to mamy do czynienia z gazem. Przypomniany powyej
model atomu odpowiada do wiernie wanie atomowi gazu. Jeeli odlegoci mi dzy
atomami s mae, a atomy s rozmieszczone w przestrzeni w sposób uporzdkowany,
tworzc regularn, powtarzajc si struktur , to mamy do czynienia z ciaem staym o
budowie krystalicznej. Póprzewodniki w elektronice stosuje si najcz ciej w postaci
krystalicznej.
Fakt powizania atomów w kryszta modyfikuje model atomu. Przyjmuje si , e jdro
i elektrony powok wewn trznych zachowuj si tak, jak w modelu Bohra, natomiast zmie-
nia si obraz elektronów walencyjnych. Dla uproszczenia rozwaa traktuje si jdro ato-
mowe z elektronami wewn trznymi, czyli tzw. rdze atomu, jako pewn cao, o duej
masie i dodatnim adunku elektrycznym, unieruchomion w okrelonym punkcie przestrze-
ni. Elektrony walencyjne obiegaj rdze atomu, tworzc wizania mi dzyatomowe (wiza-
nia kowalentne), utrzymujce struktur krysztau. Wypadkowy adunek elektryczny jdra i
elektronów wewn trznych (dodatni) jest równowaony adunkami ujemnymi elektronów
walencyjnych, cay atom pozostaje elektrycznie oboj tny.
Cztery elektrony walencyjne atomu krzemu poruszaj si po orbitach eliptycznych, o
rónym uoeniu w przestrzeni. Na rys. 1.2 pokazano w sposób uproszczony, jeden z ato-
mów krysztau krzemu, umieszczony wewntrz umownego szecianu i orbity jego elektro-
nów walencyjnych. Ten atom, podobnie jak kady inny w krysztale, znajduje si w ssiedz-
twie innych atomów. Rdzenie najbliszych czte-
rech atomów ulokowane s w naroach umow-
nego szecianu, w odlegociach mniejszych od
dugoci orbit elektronów walencyjnych. Kady
elektron walencyjny obiega wi c rdzenie dwu
atomów, zapewniajc powizanie mi dzy tymi
atomami. Orbita jednego z elektronów walen-
cyjnych atomu umieszczonego w naroniku
szecianu, pokrywa si z orbit jednego z elek-
tronów atomu umieszczonego w rodku sze-
cianu. W ten sposób wizanie mi dzy dwoma
atomami skada si z dwu elektronów walencyj-
Rys. 1.2. Model wiza atomu w krysztale nych, krcych po wspólnej orbicie obejmuj-
cej rdzenie obydwu tych atomów.
Atom krzemu, umieszczony wewntrz umownego szecianu, jest powizany z cztere-
ma najbliszymi atomami, ulokowanymi w naroach tego szecianu, czterema wizaniami,
z których kade zawiera dwa elektrony walencyjne. Warto zauway, e w odniesieniu do
elektronów walencyjnych zanika przyporzdkowanie do okrelonego atomu. Dla dwu,
ssiadujcych ze sob, atomów mona okreli, e dwa elektrony, tworzce wizanie, nale-
 do tych dwu atomów, natomiast rozrónienie, który elektron naley do którego atomu
jest niemoliwe. Jeeli atomów jest wi cej, to uwzgl dniajc moliwo zamiany orbit
mi dzy elektronami walencyjnymi atomu, okrela si , e wszystkie elektrony walencyjne,
 13

wice mi dzy sob atomy, nale do tych atomów. Ta okoliczno, mi dzy innymi,
prowadzi do podejcia statystycznego do zagadnie fizyki ciaa staego.
Kryszta krzemu zbudowany jest z wi kszej iloci atomów; na rys. 1.3 pokazano jedn
komórk takiego krysztau zaznaczajc umowny (nieistniejcy) szecian z rys. 1.2. Dugo
kraw dzi szecianu obejmujcego ca komórk nazywa si sta sieci krystalicznej i wyno-
si ona w krzemie 0,543 nm.
Podobnie jak w pojedynczym, izolowanym atomie kady elektron ma inny stan ener-
getyczny, to w krysztale kady elektron walencyjny musi mie inn warto energii. Po-
ziom energii dozwolonej, okrelony do-
kadnie dla izolowanego atomu, w przy-
padku krysztau rozszczepia si na tyle
bliskich, ale rónych wartoci dozwolo-
nych, ile atomów tworzy kryszta. Ponie-
wa w jednym centymetrze szeciennym
krysztau krzemu znajduje si 5u1022 ato-
mów, to w krysztale o takiej obj toci
pojawia si 4u5u1022 rónych, dozwolo-
nych wartoci energii elektronów walen-
cyjnych. Pomimo, e rónice wartoci tych
energii s bardzo mae, to jednak zajmuj
one pewien przedzia wartoci, zwany
pasmem energii walencyjnych, lub wprost
pasmem walencyjnym. Rys. 1.3. Elementarny kryszta krzemu
Wyszy poziom energii, który w izo-
lowanym atomie zajmuje elektron po dostarczeniu mu kwantu energii, w krysztale ulega
te rozszczepieniu na wiele dozwolonych wartoci energii. Przedzia energii dozwolo-
nych, wi kszych od energii elektronów walencyjnych uczestniczcych w wizaniach
mi dzyatomowych, nazywa si pasmem energii elektronów przewodnictwa lub pasmem
przewodnictwa. Elektron walencyjny, po dostarczeniu mu kwantu energii, zwi ksza swo-
j energi do wartoci mieszczcej si w pamie przewodnictwa.
Najwi ksza dozwolona warto energii pasma walencyjnego (wierzchoek pasma wa-
lencyjnego  Wv) w póprzewodnikach jest mniejsza od najmniejszej dozwolonej energii
pasma przewodnictwa (dno pasma przewodnictwa  Wc), czyli wyst puje przedzia energii
niedozwolonych dla elektronów, zwany pasmem energii zabronionych lub wprost pasmem
zabronionym. Szeroko pasma zabronionego:
WG = Wc – W v (1.1)
jest wan cech póprzewodnika, okrelajc wiele jego waciwoci, w tym i wraliwo na
temperatur . Obecnie przyjmuje si szeroko pasma zabronionego jako kryterium podziau
na póprzewodniki (WG < 2eV) i izolatory (WG > 2eV). W metalach pasmo zabronione zani-
ka, wierzchoek pasma walencyjnego si ga wyej anieli dno pasma przewodnictwa.
Jeeli kryszta póprzewodnika byby w temperaturze zera bezwzgl dnego, to wszyst-
kie elektrony walencyjne miayby minimalne moliwe energie, odpowiadajce pasmu wa-
14

lencyjnemu i poruszayby si po orbitach walencyjnych, z których kada obejmuje dwa

atomy, tworzc mi dzy nimi wizanie. Jeeli kryszta póprzewodnika jest w temperaturze
wyszej, np. pokojowej, to znaczy, e ju pobra pewn ilo energii cieplnej, ogrzewajc
si do tej temperatury. T energi przej y niektóre elektrony walencyjne, zwi kszajc
swoje energie od wartoci odpowiadajcych pasmu walencyjnemu do wartoci odpowiada-
jcych pasmu przewodnictwa. Orbita, po której porusza si elektron o energii pasma prze-
wodnictwa, ma skomplikowany ksztat i obejmuje wszystkie atomy tworzce kryszta.
Dzi ki temu elektron o takiej energii moe porusza si w caym krysztale bez zmiany
swojej energii.
Zwi kszenie energii elektronu do wartoci lecych w pamie przewodnictwa oznacza
te, e ten elektron zosta usuni ty z wizania mi dzyatomowego, przez co to wizanie
zostao uszkodzone, powstaa tam "dziura" w wizaniu. Ilo uszkodze zaley od tempera-
tury póprzewodnika; im jest ona wysza tym wi cej energii cieplnej zostao dostarczone
do póprzewodnika i tym samym wi cej elektronów walencyjnych jest uwolnionych z wi-
za. W krysztale krzemu, w temperaturze pokojowej (300 K, ok. +27qC) uszkodzonych jest
1.45u1010 wiza w kadym cm3. Wydaje si to duo, ale porównujc ilo uszkodze z
iloci atomów w tej obj toci, mona oszacowa, e zostaje uszkodzone jedno wizanie na
1013 istniejcych.
Podobnie jak jest niemoliwe przyporzdkowanie elektronów walencyjnych konkret-
nym atomom krysztau, to tym bardziej takie przyporzdkowanie nie moe dotyczy elek-
tronów o energiach mieszczcych si w pamie przewodnictwa. Przyjmuje si , e wszystkie
elektrony wyzwolone z wiza mi dzyatomowych i poruszajce si w przestrzeni pomi -
dzy atomami przynale do tych atomów, czyli do caego krysztau Ruch tych elektronów
odbywa si w caej obj toci krysztau, wyprowadzenie elektronu poza kryszta wymagao-
by dostarczenia dodatkowej energii. Tory elektronów s trudne do opisania, ju z tego
choby powodu, e pole elektryczne wytworzone w przestrzeni przez adunki elektryczne
jder wszystkich atomów krysztau ma bardzo zoon posta (w odrónieniu od prostych
form tworzonych przez jeden czy dwa adunki punktowe). Przyjmuje si , e elektrony o
energiach mieszczcych si w pamie przewodnictwa poruszaj si w przestrzeni mi dzy-
atomowej póprzewodnika w sposób przypadkowy ("gaz elektronowy"), zmieniajc kierun-
ki i pr dkoci, ruch ten mona porówna do obserwowalnych ruchów Browna czstek ma-
terialnych.
Uszkodzenie niektórych wiza mi dzyatomowych stwarza te moliwo przemiesz-
czania si w przestrzeni elektronów walencyjnych o energiach zawartych w pamie walen-
cyjnym. Elektron wchodzcy w skad wizania penego, obok którego znajduje si wizanie
uszkodzone, moe przemieci si tak, aby uzupeni to uszkodzenie. Oczywicie wizanie,
w którym ten elektron by poprzednio, zostanie teraz zdekompletowane. Takie przesuni cie
elektronu odbywa si przy minimalnej zmianie jego energii, a jego skutek mona zinterpre-
towa jako przesuni cie w przestrzeni "dziury" w wizaniu.
Jak wynika z powyszego, jeeli kryszta póprzewodnika jest w temperaturze powy-
ej zera bezwzgl dnego, to pojawiaj si dwa sposoby poruszania si elektronów walencyj-
nych w przestrzeni wewntrz krysztau. Elektrony o energiach wyszych od Wc poruszaj
si jako tzw. elektrony swobodne lub swobodne noniki adunku ujemnego w caej obj to-
 15

ci krysztau, natomiast elektrony o energiach niszych od Wv mog wykonywa lokalne

przesuni cia z jednego wizania do ssiedniego. Aby unika dugich opisów i moliwych
niejednoznacznoci wprowadzono poj cie dziury, jako uszkodzenia w wizaniu, które
moe by uzupenione elektronem.
Dziurze, która jest poj ciem abstrakcyjnym, mona przypisa cechy fizyczne, pozwa-
lajce traktowa j jako czstk materialn. Na przykad brak elektronu powoduje, e atom
staje si dodatnim jonem, to znaczy, e pojawienie si dziury jest równoznaczne z pojawie-
niem si adunku elektrycznego dodatniego, co pozwala potraktowa dziur jako czstk o
adunku elektrycznym dodatnim, równym co do wartoci adunkowi elektronu. Wymusza-
jc zewn trznym polem elektrycznym cz ciowe uporzdkowanie i ukierunkowanie prze-
mieszcze elektronów mona okreli pr dko poruszania si dziur, w innych dowiad-
czeniach mona wyznaczy odpowiednik masy dziury itd., co prowadzi do nadania dziurze
atrybutów czstki materialnej. Tak wi c opisane powyej dwa sposoby poruszania si elek-
tronów walencyjnych wewntrz krysztau, przedstawia si jako ruch swobodnych elektro-
nów, czyli swobodnych noników adunku ujemnego i ruch swobodnych dziur, czyli swo-
bodnych noników adunku dodatniego.
Ze wzgl du na róne sposoby poruszania si elektronów i dziur maj one róne para-
metry fizyczne. W tablicy 1.2 zestawiono niektóre dane noników adunku elektrycznego w
czystym krzemie (okrelenie masy nonika jest do zoone, w tablicy przytoczono masy
efektywne przewodnictwa wg [31] ).
Zerwanie kadego wizania mi dzyatomowego w krysztale jest równoznaczne z po-
jawieniem si dwu noników adunku elektrycznego: swobodnego elektronu i swobodnej
dziury. Ten proces nazywa si generacj pary noników. Poniewa obydwa typy noników
poruszaj si wewntrz krysztau, to moe nastpi ich spotkania w przestrzeni. Jeeli przy
tym elektron swobodny uzupeni uszkodzone wizanie (oddajc odpowiedni kwant ener-
gii), to zanikn obydwa noniki. Takie zjawisko nazywa si rekombinacj pary noników.

Tablica 1.2
Wybrane parametry noników adunku elektrycznego

Cecha no nika elektron dziura

adunek elektryczny (q = 1,602x10 C)
19
q +q
27
masa efektywna (m0 = 0,91x10 g  masa 1,1 m0 0,59 m0
spoczynkowa elektronu)
2
ruchliwo  [cm /(Vs)] 1350 480
2
sta a dyfuzji w 300K [cm /s] 35 12,5

Ilo noników wyst pujca w jednostce obj toci póprzewodnika nazywa si kon-
centracj noników. Koncentracj swobodnych elektronów oznacza si liter n, a koncen-
tracj swobodnych dziur liter p. Z opisanego powyej mechanizmu generacji noników
wynika, e w czystym krzemie ilo swobodnych elektronów jest równa iloci swobodnych
dziur, czyli ich koncentracje s równe:
16

n p ni (1.2)

a ponadto obowizuje zaleno bardziej ogólna o postaci:

np n i2 (1.3)

Symbolem ni oznacza si tzw. koncentracj noników samoistnych. Koncentracja no-

ników zaley od iloci energii wprowadzonej do póprzewodnika, jest wi c funkcj jego
temperatury. W fizyce ciaa staego wyprowadza si wzór:
3
§ 2SkT · §W ·
n i2 4 ¨ 2 ¸ (m e m h ) 3 exp ¨ G ¸ (1.4)
© h ¹ © kT ¹

gdzie: k = 8,63u105 eV  staa Boltzmana,

h = 6,63u1034 Js  staa Plancka,
me, mh  masy efektywne: elektronu, dziury,
WG  szeroko pasma zabronionego,

pozwalajcy wyliczy koncentracj noników samoistnych w idealnym krysztale póprze-

wodnika w temperaturze T. Obliczenia przeprowadzane dla krzemu w temperaturze okoo
300 K wykazuj, e koncentracja noników wzrasta o okoo 9% przy wzrocie temperatury
o jeden kelwin. Wzrost iloci noników adunku elektrycznego uatwia przepyw prdu
przez póprzewodnik, czyli zmniejsza jego rezystywno.
Koncentracj swobodnych noników adunku elektrycznego mona traktowa jako
miernik energii zgromadzonej w krysztale póprzewodnika. Jeeli, oprócz ciepa, doprowa-
dzi si jeszcze inn posta energii (np. przez owietlenie póprzewodnika), to koncentracja
noników wzrasta powyej wartoci ni. W warunkach równowagi energetycznej, tj. przy
staej temperaturze i bez dostarczania energii w jakiejkolwiek postaci, ilo noników musi
by staa.
Uwzgl dniajc moliw rekombinacj (zanikanie) noników i konieczno utrzymania
ich staej liczby przyjmuje si , e w póprzewodniku cigle przebiegaj obydwa zjawiska:
generacja par noników i ich rekombinacja. W warunkach równowagi energetycznej ilo
noników generowanych w jednostce czasu jest równa iloci noników rekombinujcych w
tym samym czasie. rednia warto czasu od momentu generacji do momentu rekombinacji
nazywa si rednim czasem ycia noników. W ten sposób tworzy si dynamiczny obraz
póprzewodnika, w którym cigle powstaj nowe noniki, poruszaj si one ruchami przy-
padkowymi wewntrz krysztau i, po pewnym czasie, zanikaj, ale ich ilo w krysztale
(koncentracja), w staej temperaturze, pozostaje staa.

1.4. Domieszkowania
Przedstawiony w poprzednim punkcie obraz póprzewodnika dotyczy struktury ideal-
nie jednorodnej, tzn. idealnie czystego monokrysztau, np. krzemu. W rzeczywistoci kady
póprzewodnik zawiera zanieczyszczenie innymi substancjami. Szczególne oddziaywanie
 17

maj pierwiastki III grupy ukadu okresowego (np. bor  B), zwane akceptorami i pier-
wiastki grupy V (np. fosfor  P), zwane donorami. Te pierwiastki maj odpowiednio 3 i 5
elektronów walencyjnych. Jeeli znajd si one przypadkowo w póprzewodniku, to s
nazywane zanieczyszczeniami, ale jeeli zostan wprowadzone celowo nazywa si je do-
mieszkami.
Atom domieszki zajmuje miejsce atomu krzemu w sieci krystalicznej póprzewodnika.
Atom donora lokuje swoje cztery elektrony walencyjne w wizaniach z ssiednimi atomami
krzemu, a jego pity elektron walencyjny pozostaje poza wizaniami; trzy elektrony walen-
cyjne atomu akceptora wchodz w wizania, a czwarte wizanie pozostaje niekompletne.
Na rys. 1.4 pokazano, w sposób uproszczony, atomy domieszek w sieci krystalicznej pó-
przewodnika. Kóko oznacza rdze atomu, liczba przedstawia adunek elektryczny, a kreski
symbolizuj elektrony walencyjne, elipsami oznaczono miejsca, gdzie powstaje nadwyka
lub brak elektronu.

a) b) c)
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +3 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

Rys.1.4. Modele póprzewodnika: samoistnego (a), domieszkowanego donorowo (b)

oraz domieszkowanego akceptorowo (c)

Energia niezwizanego elektronu donora ma inn warto anieli energie elektronów

krzemu, Ta warto mieci si w pamie energii zabronionych dla elektronów krzemu, w
odlegoci ok. 0,03 eV od dna pasma przewodnictwa. Przy dostarczeniu niewielkiej porcji
energii "pity" elektron zostaje oderwany od atomu donora i jego energia przyjmuje war-
to mieszczc si w pamie przewodnictwa. Ten elektron staje si wi c swobodnym
nonikiem adunku ujemnego i moe porusza si w caym krysztale, podczas gdy atom
donora przeksztaca si w jon dodatni, unieruchomiony w sieci krystalicznej.
Przyczenie innego elektronu do jonu donora jest mao prawdopodobne, poniewa ta-
ki elektron musiaby mie energi rón od energii dozwolonych w pasmach walencyjnym
czy przewodnictwa póprzewodnika. Jonizacja cieplna donorów ma miejsce w temperaturze
kilkudziesi ciu kelwinów, zatem w temperaturze pokojowej kady atom donora jest ju
jonem, a ilo noników elektronowych wzrasta o tyle, ile atomów donorów znajduje si w
krysztale.
Atom domieszki akceptorowej ma jedno wizanie krystaliczne niekompletne, to wi-
zanie jest atwo uzupeniane. Energia elektronu, uzupeniajcego niepene wizanie atomu
akceptora, te mieci si w pamie zabronionym, ok. 0.05 eV powyej wierzchoka pasma
walencyjnego. Przy niewielkiej dawce energii, jeden z elektronów walencyjnych krzemu
moe uzupeni zerwane wizanie atomu akceptora, powodujc powstanie dziury w ssied-
18

nim wizaniu. Tak wi c, atom akceptora przeksztaca si w nieruchomy jon ujemny, a

powstajca dziura staje si swobodnym nonikiem adunku dodatniego. W temperaturze
pokojowej wszystkie atomy akceptorów s ju zjonizowane.
Jeeli ilo donorów jest równa iloci akceptorów, to ilo swobodnych elektronów
pochodzcych od atomów donorowych jest równa iloci swobodnych dziur pochodzcych
od atomów akceptorowych i waciwoci elektryczne takiego póprzewodnika s takie same
jak póprzewodnika czystego, samoistnego. Jeeli bilans nie jest zrównowaony, to w pó-
przewodniku wyst puj róne iloci (koncentracje) elektronów i dziur. W przypadku n > p
póprzewodnik nazywamy typu n (o przewodnictwie elektronowym), swobodne elektrony
nazywamy nonikami wi kszociowymi, a swobodne dziury nonikami mniejszociowymi.
Jeeli jest odwrotnie, p > n, to mówi si o póprzewodniku typu p lub póprzewodniku o
przewodnictwie dziurowym, w którym nonikami wi kszociowymi s dziury a mniejszo-
ciowymi elektrony.
W rzeczywistym póprzewodniku cz  noników pochodzi z jonizacji domieszek, a
cz  z generacji samoistnej (wyej opisana generacja par noników). Cay kryszta pó-
przewodnika pozostaje elektrycznie oboj tny, kademu elektronowi odpowiada dziura lub
jon dodatni, kadej dziurze odpowiada elektron lub jon ujemny. Nadal czna ilo noni-
ków obydwu typów jest miernikiem energii zawartej w krysztale i wzór (1.3)  n p = ni2 
nadal obowizuje.
Gdyby ilo atomów zanieczyszcze i domieszek bya dua, to ilo pochodzcych od
nich elektronów i dziur mogaby by tak dua, e iloczyn n ˜ p mógby by wi kszy od ni2.
Taki póprzewodnik nazywa si zdegenerowanym.
Domieszkowanie póprzewodników jest wanym zabiegiem technologicznym, umo-
liwiajcym produkcj materiaów póprzewodnikowych typu p i typu n. Waga tego procesu
wynika z dwu czynników:
1) domieszkowanie zmniejsza wraliwo póprzewodnika na zmiany temperatury i, co
waniejsze
2) domieszkowanie umoliwia tworzenie struktur niejednorodnych w póprzewodniku, w
szczególnoci zczy pn.
Pierwsze oddziaywanie rozpatrzymy tu na przykadzie liczbowym, drugie b dzie opi-
sane w nast pnym rozdziale.
Dla krzemu w temperaturze 300 K warto ni wynosi ok. 1,5u1010 [1/cm3], a w tempe-
raturze 310 K ok. 2,8u1010 [1/cm3]. W póprzewodniku samoistnym s to jednoczenie
koncentracje elektronów i dziur, decydujce o jego rezystywnoci. Blisko dwukrotny
wzrost iloci noników, wywoany podgrzaniem krzemu o 10 kelwinów, powoduje blisko
dwukrotne zmniejszenie rezystywnoci.
Jeeli krzem jest domieszkowany np. donorowo i ilo domieszki wynosi np. 1013
[1/cm3], tj. 1013 atomów donora w kadym centymetrze szeciennym krysztau, to koncen-
tracja noników elektronowych pochodzcych z jonizacji donorów wynosi te 1013 [1/cm3].
Koncentracja dziur w temperaturze 300 K musi by taka, aby iloczyn np. wynosi
{(1,5u1010)[1/cm3]}2 = 2,25u1020 [1/cm6], zatem p wynosi ok. 2,25u107 [1/cm3]. Ponie-
wa koncentracja mniejszociowych dziur jest blisko pó miliona razy mniejsza od kon-
centracji wi kszociowych elektronów, to wpyw dziur na przewodzenie prdu jest zni-
 19

komy. Oznacza to, e w tym przypadku o rezystywnoci materiau decyduje koncentracja

elektronów.
W temperaturze zwi kszonej o 10 kelwinów iloczyn np. musi wynosi ok. 7,8u1020
[1/cm6]. Ilo atomów domieszki nie zmieni si od podgrzania, czyli ilo elektronów z
jonizacji donorów pozostanie niezmienna 1013 [1/cm3], zatem koncentracja dziur wzronie
do wartoci ok. 7,8u107 [1/cm3]. Pomimo trzykrotnego wzrostu nadal koncentracja dziur
pozostaje znikoma wobec koncentracji elektronów i jej wpyw na rezystywno jest pomi-
jalny. Decydujca o rezystywnoci koncentracja elektronów nie zmienia si .
Przedstawiony rachunek jest niedokadny, dziury w póprzewodniku typu n pochodz
z procesu generacji par noników, wzrostowi iloci dziur towarzyszy wzrost iloci elektro-
nów, ale w rachunku sprowadzaoby si to do sumowania iloci elektronów od domieszki
(1013) i elektronów generowanych cieplnie (107), czyli dodawania znacznie rónicych si
skadników (ponadto cae zagadnienie ma charakter raczej statystyczny, podane obliczenia
s bardzo uproszczonym modelem). Pomimo niedokadnoci oblicze mona sformuowa
nast pujce wnioski:
 w póprzewodniku domieszkowanym wpyw temperatury na rezystywno jest znacznie
mniejszy ni w póprzewodniku samoistnym,
 przy znacznym podwyszeniu temperatury (w przykadzie: ilo noników generowa-
nych termicznie byaby wspómierna z iloci noników od domieszki) powraca wra-
liwo póprzewodnika na temperatur ,
 koncentracja domieszki powinna by wi ksza od ni, ale znacznie mniejsza od warto-
ci ni2.
Ostatni wniosek potwierdza konieczno stosowania bardzo czystych materiaów.
Przyj ta w przykadzie ilo domieszki 1013 [1/cm3] (przy wartoci ni rz du 1010 [1/cm3]),
odpowiadajca stosowanym w praktyce, oznacza dodatek 1 atomu domieszki na 5u109
atomów krzemu, jest to taka relacja jak dodanie 1 grama domieszki do 5 tysi cy ton ma-
teriau.
Monokryszta krzemu, pomimo starannego oczyszczania, zawiera zwykle zanieczysz-
czenia nadajce mu przewodnictwo typu p lub n. Zaley to, mi dzy innymi, od procesów
technologicznych zarówno we wst pnych, jak i finalnych etapach produkcji. Domieszko-
wanie moe polega zarówno na zwi kszaniu koncentracji noników wi kszociowych 
np. wprowadzanie donorów do krzemu n, jak te na zwi kszaniu koncentracji noników
mniejszociowych  np. wprowadzanie akceptorów do krzemu typu n. W tym drugim
przypadku mona doprowadzi do wystpienia jednakowych koncentracji elektronów i
dziur, czyli uzyska materia o waciwociach póprzewodnika samoistnego albo, wpro-
wadzajc jeszcze wi ksz ilo domieszki, uzyska materia o odwrotnym typie przewod-
nictwa w stosunku do materiau wyjciowego.
Stosowane s trzy metody wprowadzania domieszek do póprzewodnika. S to: dyfu-
zja, epitaksja i implantacja jonów.
Dyfuzja, znane w fizyce zjawisko, polega na samorzutnym przemieszczaniu si cz-
stek z obszaru gdzie jest ich wiele do rejonów, gdzie jest ich mniej czyli w kierunku spadku
koncentracji. Dyfuzja przebiega stosunkowo szybko w gazach (np. rozprzestrzenianie si
zapachów w spokojnym powietrzu) i nieco wolniej w cieczach. Dyfuzja w ciaach staych
20

te wyst puje, aczkolwiek jej przebieg jest trudny do zaobserwowania w warunkach natu-
ralnych ze wzgl du na bardzo powolny przebieg (tysice lat). Szybko procesu dyfuzji w
ciele staym mona zwi kszy podnoszc jego temperatur .
Dyfuzj domieszek do póprzewodnika przeprowadza si umieszczajc pytki, wyci te
z monokrysztau, w ogrzewanej komorze próniowej. W teje komorze umieszcza si wy-
parownik, zawierajcy materia domieszki. Doprowadza si do parowania materiau do-
mieszki i osiadania pary na powierzchni pytek krzemowych. W odpowiednio wysokiej
temperaturze atomy domieszki wnikaj w kryszta krzemu, wypierajc niektóre jego atomy
z sieci krystalicznej i zajmujc ich miejsca. G boko wnikania jest róna, najwi cej ato-
mów domieszki lokuje si tu przy powierzchni póprzewodnika a nieliczne wnikaj w gb
krysztau. Po dyfuzji prowadzonej w temperaturach do 1250qC (stabilizowanej z dokadno-
ci do 0,25 K), przez czas do kilku godzin, domieszki wnikaj na g boko kilku do kil-
kudziesi ciu mikrometrów. Uzyskiwane efekty dyfuzji oczywicie zale od parametrów
prowadzenia tego procesu, szczegóowe recepty technologiczne s niech tnie ujawniane
przez producentów elementów i ukadów elektronicznych.

NA , ND

ND= NA
NA(x)
N (x)
D

Rys. 1.5. Profil koncentracji wdyfundowanej domieszki NA(x)

w monokrysztale ze sta koncentracj donorów ND

Na rys. 1.5 pokazano profil koncentracji domieszki akceptorowej, wdyfundowanej do

póprzewodnika typu n. Proces poprowadzono tak, aby warstwa przypowierzchniowa uzy-
skaa przewodnictwo typu p, a obszar pooony w g bi zachowa przewodnictwo typu n.
W ten sposób wytworzono zcze pn, zlokalizowane w niewielkiej odlegoci od po-
wierzchni krysztau.
Epitaksja (z greckiego, dosownie: ukadanie powyej) oznacza wzrost krysztau z fa-
zy gazowej (niekiedy ciekej), prowadzony na podou krystalicznym. Pytk krzemow
umieszcza si w strumieniu gazu zawierajcym SiCl4, wodór i inne zwizki chemiczne.
Dzi ki reakcjom przebiegajcym w temperaturze 800 do 1100qC zostaje uwolniona cz 
atomów Si dostarczonych w SiCl4, a take atomy domieszek, wprowadzone w innych
zwizkach chemicznych. Te atomy osiadaj na pytce w takich miejscach, aby nast powaa
kontynuacja istniejcej sieci krystalicznej. Na pytce narasta warstwa epitaksjalna krzemu
z odpowiedni domieszk, zachowujca struktur krystaliczn podoa. Gruboci wytwa-
 21

rzanych warstw epitaksjalnych wynosz od 1 do 25 mikrometrów. Dzi ki regulacji skadu

chemicznego gazu kierowanego na pytk krzemow i innych parametrów technologicz-
nych, istnieje moliwo dokadnego formowania profilu wprowadzonej domieszki.
Implantacja (z aciny, dosownie: wsadzanie) jonów polega na "wstrzeliwaniu" jonów
dodatnich odpowiedniej domieszki do pytki krzemowej. Atomy domieszki jonizuje si
(przez pozbawienie elektronu), aby byo moliwe rozp dzanie ich silnym polem elektrycz-
nym, formowanie wizki i skierowanie jej na powierzchni pytki. Implantacj prowadzi si
w komorze próniowej, w niezbyt wysokich temperaturach. Jony s implantowane na g -
boko do 1 mikrometra w krzemie. Po implantacji przeprowadza si aktywizacj jonów
przez wygrzewanie pytki w temperaturze 550 do 1000qC. W trakcie aktywizacji nast puje
rekrystalizacja ewentualnych uszkodze powierzchni pytki i wprowadzenie jonów domie-
szek we waciwe miejsca, tj. w sie krystaliczn póprzewodnika.
Przedstawione powyej zarysy technologii domieszkowania póprzewodników wska-
zuj na moliwoci nadawania póprzewodnikom okrelonego typu przewodnictwa elek-
trycznego, wytwarzania elementów o okrelonej rezystywnoci, tworzenie struktur niejed-
norodnych. Warto zauway, e najcz ciej obróbka technologiczna, (jak i zjawiska elek-
tryczne przebiegajce w gotowych elementach) dotyczy bardzo cienkich warstw przypo-
wierzchniowych na pytkach póprzewodnika. Z tego powodu, w procesach produkcyjnych,
dy si zwykle do stosowania moliwie cienkich pytek, aby uzyska ich moliwie duo z
monokrysztau. Waciwoci mechaniczne krysztaów, jak te i moliwoci ich ci cia czy
szlifowania, powoduj, e uywane s znacznie grubsze pytki (o gruboci okoo 1 mm),
anieli byoby to niezb dne dla przebiegu procesów elektrycznych.

1.5. Prd w póprzewodniku

Dla uzyskania przepywu prdu przez póprzewodnik trzeba doprowadzi do ukierun-
kowania ruchu strumienia noników adunku elektrycznego. Idealne uformowanie strumie-
nia elektronów w krysztale jest niemoliwe, poniewa jego wn trze jest zaj te regularnie
rozmieszczonymi atomami. Ksztat wspólnej powoki elektronowej, po której mog poru-
sza si noniki elektronowe jest skomplikowany, bo wytworzony dzi ki superpozycji pól
elektrycznych wszystkich rdzeni atomowych. Ten ksztat uniemoliwia prostoliniowy ruch
noników. W póprzewodniku mona tylko doprowadzi do cz ciowego uporzdkowania
ruchu noników.
Cz ciowe uporzdkowanie naley rozumie w taki sposób, e noniki, poruszajc si
przypadkowo, zarówno co do kierunku jak i pr dkoci, jednak w miar upywu czasu
przemieszczaj si w okrelon stron (podobnie jak liczni odwiedzajcy rozlegy teren
wystawy czy targów przemieszczaj si generalnie od gównego wejcia do gównego
wyjcia, pomimo indywidualnych wyborów rónych tras zwiedzania i rónych iloci czasu
przeznaczonego na ogldanie eksponatów). W takich warunkach nie mona mówi o pr d-
koci czy drodze okrelonego, pojedynczego nonika, mona natomiast okrela wartoci
rednie pr dkoci czy przemieszczenia.
22

Wan rol w przepywie prdu przez póprzewodnik odgrywaj dwa zjawiska fizyczne:
1) dyfuzja noników,
2) unoszenie noników.
Dyfuzja noników, to przemieszczanie si ich w kierunku malejcej koncentracji, czyli
od miejsca gdzie jest ich duo do miejsca gdzie jest ich mniej. Unoszenie noników nast -
puje, jeeli póprzewodnik znajdzie si w polu elektrycznym, wtedy na kady nonik a-
dunku elektrycznego dziaa sia zgodna z kierunkiem pola, modyfikujca ruch nonika.
Jeeli w póprzewodniku wytworzy si róne koncentracje noników, czy to przez
wprowadzenie rónych iloci domieszek, czy przez dodatkowe, lokalne podgrzanie lub
owietlenie, to nastpi ruch dyfuzyjny noników. Ilo dyfundujcych noników jest pro-
porcjonalna do zmiennoci ich koncentracji dn/dx lub dp/dx, powierzchni A, na której to
zjawisko wyst puje i czasu jego trwania t, wspóczynnik proporcjonalnoci nazywa si
sta dyfuzji D. Ilo dyfundujcych np. elektronów mona zapisa jako:
dn
n AtD n (1.5)
dx

Na przykad, jeeli w pytce o powierzchni A = 1cm2 i gruboci 1 mm wytworzy (i

utrzymywa trwale, co nie jest zadaniem prostym) liniowo zmienn koncentracj swobod-
nych elektronów, wynoszc z jednej strony pytki 1012 [1/cm3], a na jej przeciwlegej po-
wierzchni 1014 [1/cm3], to gradient koncentracji wyniesie:
dn/dx = (100 u 1012  1012)[1/cm3] / 0,1[cm] = 990 u 1012 [1/cm4]
Uwzgl dniajc sta dyfuzji (35 cm2/s, jak przytoczono w tablicy 1.2), mona obliczy
ilo noników przemieszczajcych si w czasie kadej sekundy od jednej powierzchni
pytki do drugiej:
n = 1[cm2] 1[s] 35[cm2/s] 0,99u1015[1/cm4] = 35u1015
Te elektrony przenios cznie w czasie jednej sekundy adunek elektryczny o war-
toci:
q = 1,602 u 1019[C] u 35 u 1015 = 5,6 u 103[C]
a poniewa adunek przepywajcy w jednostce czasu jest liczbowo równy nat eniu prdu,
to w przedstawionych warunkach przez pytk b dzie przepywa prd dyfuzyjny o nat e-
niu 5,6 mA. Ogólnie warto prdu elektronowego, dyfuzyjnego podaje wzór:
d n (x )
I ndyf A q Dn (1.6)
dx
a prdu dziurowego:
d p( x )
I pdyf A q D p (1.7)
dx
gdzie: q  adunek elementarny (elektronu),
A  powierzchnia,
D  staa dyfuzji odpowiednio dziur (p) i elektronów (n);
 23

ujemny znak prdu dziurowego wynika z przyj tych konwencji znaków  dodatniej po-
chodnej koncentracji dziur odpowiada ich przesuni cie w kierunku ujemnym, a z kolei za
kierunek techniczny prdu przyj to kierunek ruchu adunków dodatnich.
Pole elektryczne w póprzewodniku powoduje unoszenie noników. Na kady adunek
elektryczny w polu elektrycznym dziaa sia proporcjonalna do nat enia tego pola. Jeeli
odbywa si to w próni, to pod wpywem tej siy adunek porusza si prostoliniowo, ze
staym przyspieszeniem, ale wewntrz krysztau taki sposób ruchu nie jest moliwy. W tym
przypadku pole elektryczne tylko cz ciowo porzdkuje przemieszczanie si noników,
nadajc im redni pr dko w kierunku dziaania si pola. Pr dko v noników jest wprost
proporcjonalna do nat enia pola elektrycznego E, a wspóczynnik proporcjonalnoci P
nazywa si ruchliwoci noników. Uwzgl dniajc kierunki przemieszczania si adunków
dodatnich i ujemnych w polu elektrycznym, zapisuje si :
vp = Pp E oraz vn = PnE (1.8)
Korzystajc z danych w tabl. 1.2 mona obliczy, e przyoenie napi cia, na przykad
10V, z dwu stron pytki póprzewodnikowej o gruboci 1 mm (nat enie pola elektrycznego
100 V/cm) powoduje unoszenie elektronów ze redni pr dkoci 1350 m/s, tj. poprzez
pytk swobodne elektrony przesun si w czasie mniejszym od 1 milionowej sekundy.
rednia pr dko przesuwania si dziur jest mniejsza (480 m/s), przejcie przez pytk
wykonaj w czasie ok. 2 Ps.
Przesuni cie adunków elektrycznych jest inaczej przepywem prdu elektrycznego.
Aby wyznaczy nat enie tego prdu trzeba obliczy adunek elektryczny, który przesuwa
si przez okrelon paszczyzn w jednostce czasu (np. w czasie jednej sekundy). Pami ta-
jc, e pr dko v liczbowo jest równa drodze przebywanej w jednostce czasu, mona zapi-
sa, e przez powierzchni A (prostopad do wektora pr dkoci) w teje jednostce czasu
przesun si noniki zawarte w obj toci Av. Ilo tych noników wylicza si z ich koncen-
tracji w obj toci Av, zatem adunek elektronów przesuwajcych si przez powierzchni A
w jednostce czasu wynosi:
Qn = q A Pn E n (1.9 )
a adunek dziur:
Qp = q A Pp E p (1.10)
gdzie: q  oznacza adunek elementarny,
E  nat enie pola elektrycznego,
n, p  koncentracje noników,
P  ruchliwo noników, odpowiednio elektronów i dziur.

adunek elektryczny mona te wyrazi jako iloczyn nat enia prdu I oraz czasu 't
przez jaki on przepywa Q = I 't, w czasie jednostkowym ('t = 1) warto liczbowa nat -
enia prdu jest równa adunkowi. W ten sposób mona zapisa dwa prdy unoszenia w
póprzewodniku, to jest prd elektronowy:
In A q (P n n )E (1.11)
i prd dziurowy:
24

Ip A q (P p p)E (1.12)

Obydwa prdy unoszeniowe, elektronów i dziur, pyn zgodnie z kierunkiem pola

elektrycznego, poniewa przeciwne s jednoczenie i znaki adunków i kierunki ruchu tych
dwu typów noników. Cakowity prd unoszeniowy, wywoany dziaaniem pola elektrycz-
nego o nat eniu E wynosi:
I unosz A q(P p p  P n n )E (1.13)

Dzielc obydwie strony wzoru (1.13) przez powierzchni A otrzymuje si zwizek

pomi dzy g stoci prdu j a nat eniem pola E, czyli prawo Ohma w postaci:
j=VE (1.14)
gdzie: V  przewodno elektryczna póprzewodnika
V q (P p p  P n n ) (1.15)

Przewodno elektryczna póprzewodnika (inaczej konduktywno albo odwrotno

rezystywnoci) zaley od koncentracji i ruchliwoci noników adunku elektrycznego.
Wzmiankowane uprzednio metody wprowadzania domieszek do póprzewodnika pozwalaj
na uzyskiwanie okrelonych wartoci koncentracji. Ruchliwo noników jest wielkoci
prawie sta w do szerokim zakresie warunków fizycznych, dzi ki temu mona ksztato-
wa potrzebne wartoci rezystywnoci elementów póprzewodnikowych. Naley jednak
odnotowa, e warto ruchliwoci noników ulega silnym zmianom przy bardzo duych
zmianach: temperatury, napr e mechanicznych czy nat enia pola elektrycznego i dlate-
go w warunkach ekstremalnych mog wystpi odmienne zjawiska fizyczne.
2. STRUKTURY NIEJEDNORODNE

Elementy elektroniczne uywane s w obwodach elektrycznych do odpowiedniego

sterowania pyncym prdem. Element wykonany z jednorodnego póprzewodnika samo-
istnego (czystego), lub domieszkowanego jest po prostu rezystorem i jako taki bywa uy-
wany w obwodach elektrycznych, ale nie moe tam spenia wszystkich niezb dnych funk-
cji sterowniczych czy regulacyjnych.
Znaczna wi kszo elementów elektronicznych zawiera póprzewodnikowe struktury
niejednorodne, o odpowiednich waciwociach elektrycznych. Do takich struktur nale:
 zcze pn  póprzewodnik w cz ci o przewodnictwie typu p, a w cz ci o przewodnic-
twie typu n,
 zcze ms  poczenie metalu z póprzewodnikiem,
 struktura MIS  póprzewodnik pokryty warstw izolacyjn, na której jest umieszczona
warstwa metalu.
Aby uzyska potrzebne dla praktyki elementy elektroniczne prawie zawsze konieczne
jest zastosowanie odpowiedniej kombinacji struktur niejednorodnych Np. wczenie do-
wolnego póprzewodnika do obwodu elektrycznego wymaga zaopatrzenia go w elektrody
metalowe, umoliwiajce dalsze poczenia elektryczne, dlatego prawie kady element
póprzewodnikowy jest wyposaany w zcza ms. W niniejszym rozdziale przedstawia si
waniejsze waciwoci struktur niejednorodnych.

2.1. Zcze pn
2.1.1. Zcze pn w stanie równowagi
Zarys moliwoci technicznych wykonania zcza pn w póprzewodniku podano w p.
1.3. Waciwoci elektryczne zcza rozpatruje si na uproszczonym modelu, zakadajc
skokowy profil domieszek w póprzewodniku, jak pokazano na rys. 2.1. Dziaanie zcza
pn tumaczy si rozwaajc dwa zjawiska:
1) dyfuzj noników wi kszociowych,
2) unoszenie noników mniejszociowych.
Dyfuzja noników, czyli przemieszczanie si ich w kierunku malejcej koncentracji,
dotyczy zarówno swobodnych elektronów jak i swobodnych dziur. Elektrony, wyst pujce
w duej iloci w obszarze n, dyfunduj do obszaru p, gdzie jest ich niewiele i podobnie
dziury dyfunduj z obszaru p do obszaru n.
Poniewa rednie czasy ycia noników s skoczone, podobnie jak i ich rednie
pr dkoci, to dyfuzja moe wystpi tylko w ograniczonym obszarze wokó zcza. W tym
obszarze, skutkiem dyfuzji, zmniejsza si ilo (koncentracja) noników wi kszociowych.
Obszary pooone dalej od zcza traktuje si jako niewyczerpany rezerwuar noników
wi kszociowych, z którego stale dopywaj noniki do rejonu przyzczowego, dyfunduj
26

przez zcze i nast pnie zanikaj w procesie rekombinacji po drugiej stronie zcza. Usta-
lony rozkad koncentracji noników w zczu pn pokazano na rys. 2.1.

a) b)

noniki
} adunku elektr. } jony ND ,NA,n,p ,NA
ND
n p
p(x)
n(x)

Wn Wp

Dyfuzja V,E
(noniki
Uj V(x) E(x)
wi ksz.)
I ndyf I pdyf

Unoszenie
(noniki x
mniejsz.)
I pu I nu

Rys. 2.1. Zcze pn: przemieszczenie noników adunku elektrycznego (a); rozkad koncentracji
domieszek ND(x) i NA(x), koncentracji noników p(x) i n(x), rozkad potencjau V(x)
oraz nat enia E(x) pola elektrycznego (b)

Cige przemieszczanie si noników adunku elektrycznego, dyfundujcych przez

zcze, oznacza przepyw dyfuzyjnego prdu elektrycznego przez to zcze. Na rys. 2.1
pokazano strzakami kierunki dyfuzyjnego przemieszczania si elektronów i dziur oraz
umowne kierunki prdów dyfuzyjnych: elektronowego Indyf oraz dziurowego Ipdyf. Suma-
ryczny prd dyfuzyjny wynosi:
ª d p( x )  dn ( x ) º
I dyf I pdyf I ndyf qA «D p Dn (2.1)
¬ dx dx »¼

gdzie: q  adunek elementarny,

A  powierzchnia zcza,
D  staa dyfuzji odpowiednio: dziur (p) i elektronów (n).

Innym skutkiem dyfuzji, oprócz przepywu prdu, jest lokalne naruszenie stanu rów-
nowagi adunków elektrycznych w obszarze zcza. W cz ci typu n ubywa swobodnych
elektronów, ale ilo dodatnich jonów donorów pozostaje niezmienna, to znaczy, e poja-
wia si wypadkowy adunek elektryczny dodatni (jonowy), wyst pujcy lokalnie w war-
stwie przyzczowej póprzewodnika typu n. Upraszczajc rozwaania mona przyj, e
od paszczyzny xj zcza pn, na odlego Wn w gb póprzewodnika typu n, si ga adunek
 27

dodatni. Podobnie, w warstwie przyzczowej o gruboci Wp, póprzewodnika typu p, po-

jawia si niezrównowaony adunek ujemnych jonów akceptorów.
Poniewa rozpatrywane zjawisko nie jest zwizane z dostarczaniem lub odbieraniem
adunków elektrycznych poza kryszta, to wyodr bniajcy si adunek ujemny musi by
równy adunkowi dodatniemu. Bilans tych adunków mona zapisa, pami tajc o cakowi-
tej jonizacji domieszek w temperaturze pokojowej, jako:
–qNA AWp +qNDAWn = 0 (2.2)
gdzie: N  koncentracja domieszek, odpowiednio: akceptorowej (A) i donorowej (D),
A  powierzchnia zcza,
W  szeroko stref niezrównowaonych adunków jonowych w obszarze p i n.

Powstajcy w ten sposób ukad adunków elektrycznych przypomina sytuacj w naa-

dowanym kondensatorze paskim. Podobnie, jak w naadowanym kondensatorze istnieje
pole elektryczne mi dzy okadzinami, a okadziny maj róne potencjay, tak i w obszarze
zcza, pojawia si pole elektryczne o nat eniu E(x), obejmujce swym zasi giem war-
stwy przyzczowe o gruboci Wp i Wn oraz wyst puje rónica potencjaów pomi dzy ob-
szarem n a obszarem p. Ta rónica potencjaów, zwana napi ciem bariery potencjau, zale-
y od koncentracji wprowadzonych domieszek i wynosi:
NAND
Uj VT ln (2.3)
n i2

Warto VT = kT/q jest to potencja elektrokinetyczny wynoszcy ok. 26 mV przy 300

K. Przy stosowanych w praktyce poziomach domieszkowania napi cie bariery potencjau
krzemowych zczy pn wynosi poniej 1 wolta.
Pole elektryczne niezrównowaonych adunków jonowych zcza powoduje, e w z-
czu nast puje unoszenie noników, swobodne elektrony w obszarze zcza s unoszone w
kierunku dodatniego adunku zlokalizowanego w obszarze n, a dziury w kierunku obszaru
p. Przemieszczanie noników adunku jest równoznaczne z przepywem prdu elektryczne-
go. Mona wi c, w obszarze zcza, okreli dwa prdy unoszeniowe: elektronowy Inu i
dziurowy Ipu. Umowne kierunki tych prdów pokazano na rys. 2.1. Mona zauway, e
prdy unoszeniowe maj kierunek odwrotny do kierunku prdów dyfuzyjnych, a uwzgl d-
niajc ich ródo pochodzenia stwierdza si , e s stworzone strumieniem noników mniej-
szociowych. Warto prdu unoszenia wynosi:
Iu = Ipu + Inu = qA[p(x)Pp + n(x)Pn] E(x) (2.4)
gdzie: P  ruchliwo noników, odpowiednio: dziur i elektronów.
Wewn trzne pole w zczu daje wi c efekt przeciwny do efektu dyfuzji i w tym sensie
mona mówi o przeciwdziaaniu dyfuzji przez wewn trzne pole elektryczne. Rozkad
koncentracji noników p(x) i n(x) oraz nat enie pola w rónych paszczyznach zcza E(x)
s wyznaczone przez czne oddziaywanie zjawisk: dyfuzji i unoszenia, prowadzce do
powstania stanu ustalonego w zczu.
28

W warunkach równowagi energetycznej tj. w ustalonej temperaturze, bez dostar-

czania innych postaci energii, w szczególnoci energii elektrycznej (bez wczenia z-
cza w obwód elektryczny) wypadkowy prd zcza wynosi zero. Prd dyfuzyjny ma tak
sam warto jak prd unoszenia, ale przeciwny kierunek. Wzajemne zrównowaenie
dotyczy te poszczególnych skadowych prdu, tyle samo elektronów przemieszcza si
dyfuzyjnie z n do p ile jest unoszonych z p do n, i podobnie z nonikami dziurowymi.
Pytanie o celowo rozwaania rónych zjawisk, skoro wynikiem jest banalne stwier-
dzenie o zerowym prdzie, znajduje odpowied przy analizie warunków nierównowagi
energetycznej zcza.

2.1.2. Zcze spolaryzowane

Polaryzacj nazywa si poczenie zcza pn, lub innego elementu, ze ródem napi -
cia staego. Zcze pn w obwodzie elektrycznym mona spolaryzowa na dwa sposoby:
1) biegun dodatni zewn trznego róda napi cia poczy z obszarem p a biegun ujemny z
obszarem n, jest to kierunek dobrego przewodzenia zcza,
2) biegun dodatni z obszarem n a biegun ujemny z obszarem p, jest to kierunek zego
przewodzenia zcza, zwany równie kierunkiem wstecznym, moliwe poczenia po-
kazano na rys. 2.2.
Rozkad potencjau wzdu póprzewodnika zawierajcego zcze zaley od jego rezy-
stywnoci i wartoci przepywajcych prdów. W obszarze wyst powania niezrównowao-
nych adunków jonów domieszek koncentracje noników n(x) i p(x) s bardzo mae (rz du
ni i mniejsze), a rezystywno tego obszaru jest stosunkowo dua, natomiast koncentracja
noników w rejonach oddalonych od zcza jest równa koncentracji domieszek. Poniewa
koncentracja domieszek jest zwykle o kilka rz dów wysza od wartoci ni, to przewodno
póprzewodnika w cz ciach oddalonych od zcza jest o kilka rz dów wi ksza od prze-
wodnoci póprzewodnika w obszarze zcza. Tak wi c niespolaryzowany póprzewodnik
ze zczem pn mona uwaa za szeregowe poczenie dwu obszarów skrajnych, o maych
rezystywnociach, przedzielonych obszarem o duej rezystywnoci. Jeeli do takiego pó-
przewodnika doprowadzi si zewn trzne napi cie, to podzia tego napi cia nast puje sto-
sownie do rezystywnoci, czyli praktycznie cae napi cie b dzie odkada si na stosunko-
wo wskiej strefie wokó zcza.
Doczenie zewn trznego róda napi cia powoduje, e w obszarze zcza pojawia si
drugie pole elektryczne, o nat eniu zalenym do przyoonego napi cia, które osabia pole
wywoane adunkami niezrównowaonych jonów domieszek (kompensacja cz ciowa lub
cakowita pól o przeciwnych zwrotach) albo wzmacnia je (sumowanie si dwu pól o zgod-
nych zwrotach). Osabienie pola (plus do p, minus do n) powoduje zmniejszenie wartoci
adunku jonowego i zw enie stref adunków a do ich zaniku, co nastpi przy napi ciu
zewn trznego róda o wartoci bliskiej wartoci wewn trznej bariery potencjau. Wzmoc-
nienie pola (plus do n, minus do p) powoduje zwi kszenie wartoci adunków jonowych i
pogrubienie obszaru jaki one zajmuj.
Zmiana wypadkowego pola elektrycznego w zczu zakóca zerowy bilans prdów.
Osabienie pola zwi ksza efekty dyfuzyjne, co powoduje, e pojawia si wypadkowy prd
 29

zcza, o charakterze prdu dyfuzyjnego. Wzmocnienie pola osabia proces dyfuzji noni-
ków, co powoduje, e w zczu pn pojawia si wypadkowy prd o charakterze prdu
unoszenia.

a) b)
Iu Idyf Iu Idyf

n p n p

- + I I + -

U U
Rys. 2.2. Polaryzacja zcza pn: w kierunku przewodzenia (a), w kierunku wstecznym (b)

Prd unoszenia powstaje dzi ki ruchowi noników mniejszociowych, docierajcych

do obszaru zcza z rejonów oddalonych od niego. Ilo tych noników zaley od ich kon-
centracji w obszarach oddalonych i redniej pr dkoci tzw. ruchu cieplnego w kierunku
bariery potencjau  przyoone do zcza napi cie nie ma wpywu na te zjawiska. Skut-
kiem tego jest niezaleno nat enia prdu unoszenia od wartoci napi cia przyoonego
do zcza (ale warto tego prdu zaley np. od temperatury póprzewodnika).
Inaczej jest z prdem dyfuzyjnym, którego warto silnie zaley od wysokoci bariery
potencjau, czyli te silnie zaley od wartoci napi cia przyoonego do zcza.
Znaczne osabienie pola wewn trznego w zczu nast puje przy napi ciu doprowa-
dzonym z zewntrz o wartoci takiej, jak napi cie bariery potencjau, dla zcza krzemo-
wego warto ta wynosi 0,6 do 1,0 V. Przy takiej wartoci napi cia zewn trznego przepy-
wajcy przez zcze prd dyfuzyjny jest znacznie wi kszy od prdu unoszenia. Pyncy
prd jest prdem noników wi kszociowych, o duym nat eniu odpowiadajcym koncen-
tracjom tych noników. Ten prd nazywa si prdem przewodzenia zcza.
Przy wzmacnianiu pola wewn trznego oddziaywaniem zewn trznym (polaryzacja w
kierunku wstecznym), nast puje zahamowanie dyfuzji i zmniejszenie prdu dyfuzyjnego
do wartoci mniejszych od prdu unoszenia. Wypadkowy prd ma charakter prdu unosze-
nia czyli prdu noników mniejszociowych i mae nat enie, odpowiadajce koncentra-
cjom tych noników. Ten prd nazywa si prdem wstecznym zcza.
Poniewa koncentracja noników wi kszociowych jest setki tysi cy razy wi ksza od
koncentracji noników mniejszociowych (zob. p. 1.3), to prd przewodzenia moe by te
setki tysi cy razy wi kszy od prdu wstecznego. Zwizek pomi dzy wypadkowym prdem
zcza I, a napi ciem przyoonym z zewntrz do zcza U podano we wzorze:

§ U ·
I I S ¨¨ exp  1¸¸ (2.5)
© VT ¹
30

gdzie: IS  tzw. prd nasycenia zcza,

VT  potencja elektrokinetyczny (26 mV przy 300 K).

Prd nasycenia zcza IS jest to prd noników mniejszociowych dopywajcych do

obszaru zcza i unoszonych przez ten obszar, czyli jest to prd unoszenia Iu. Jego warto
zaley od konstrukcji zcza, a mona go interpretowa jako maksymalny prd wsteczny
jaki pynby przy nieskoczenie wielkim napi ciu wstecznym.
Dodatnim wartociom napi cia U od-
powiada osabienie pola wewn trznego w
I zczu, jest to kierunek przewodzenia zcza,
I
ujemnym wartociom U odpowiada kierunek
wsteczny. Wykres zalenoci I(U), czyli cha-
IS U
rakterystyk prdowo-napi ciow zcza
pokazano na rys. 2.3.
Uj Prd wsteczny jest zwykle tak may w
U
porównaniu do prdu przewodzenia, e w
praktyce jego wykres pokrywa si z osi
Rys. 2.3. Charakterystyka zcza pn odci tych. W kóku pokazano powi kszony
przebieg charakterystyki przy maych warto-
ciach napi cia.
Widoczna niesymetria przebiegu charakterystyki prdowo-napi ciowej I(U) jest gów-
n cech zcza pn, wykorzystywan w diodach prostowniczych, inne waciwoci zcza
te s uyteczne w rónych elementach elektronicznych.

2.1.3. Pojemno zcza pn

Jak wspomniano, adunki jonowe zgromadzone po obydwu stronach zcza mona po-
równa do adunków zgromadzonych w naadowanym kondensatorze. Poniewa ten adu-
nek, opisany we wzorze (2.2), zaley od szerokoci stref adunków jonowych W, które z
kolei zmieniaj si przy zmianach napi cia to mona zdefiniowa pojemno elektryczn
C = dQ/dU. Jest to tzw. pojemno warstwy zaporowej Cj, jej warto wylicza si ze wzoru
podobnego do opisu pojemnoci kondensatora paskiego:
HH 0 A
Cj (2.6)
Wp  Wn

gdzie: H  wzgl dna staa dielektryczna póprzewodnika,

H0  przenikalno dielektryczna próni.

Warto tej pojemnoci jest stosunkowo niewielka, wynosi od uamka pikofarada w

zczach o maej powierzchni do kilku nanofaradów w duych diodach.
Analizujc zaleno szerokoci stref adunków W od przyoonego do zcza napi -
cia U, a ponadto, uwzgl dniajc jaki to ma wpyw na warto zgromadzonych tam adun-
ków elektrycznych, wyprowadza si wzór:
 31

C j (0)
C j ( U) (2.7)
U
1
Uj

wskazujcy na to, e zmiana napi cia U przyoonego do zcza powoduje zmian pojem-
noci warstwy zaporowej. Przy napi ciu wstecznym (U < 0 ) nast puje poszerzanie war-
stwy adunków jonowych, czemu towarzyszy zwi kszanie zgromadzonego tam adunku
elektrycznego. Przyrost tego adunku nie jest jednak proporcjonalny do przyrostu napi cia,
bo poszerzanie strefy adunków jednoczenie dziaa podobnie jak rozsuwanie okadzin
kondensatora paskiego, a zatem wzrost napi cia wstecznego powoduje zmniejszenie war-
toci pojemnoci warstwy zaporowej Cj, wzgl dem wartoci Cj(0), wyst pujcej przy braku
napi cia polaryzujcego. Zcze przy polaryzacji wstecznej zachowuje si jak kondensator
o zmiennej pojemnoci, której warto zaley od wartoci przyoonego napi cia.
Pojemno warstwy zaporowej wyst puje tylko wtedy, gdy istniej adunki jonowe,
jak w stanie równowagi zcza lub przy polaryzacji wstecznej. Przy polaryzacji w kierunku
przewodzenia (U > 0), szczególnie gdy zewn trzne napi cie si ga do wartoci napi cia
bariery potencjau Uj, adunki jonowe zanikaj a wzór (2.6), jak i definiowanie pojemnoci
Cj, trac sens.
W stanie przewodzenia zwi kszaj si strumienie noników adunku elektrycznego
dyfundujcych przez zcze. Do obszaru typu n wpywa strumie dziur, a do obszaru typu
p strumie elektronów. Zwi kszajcy si w obszarze n adunek dodatni dziur jest neutrali-
zowany elektronami, dopywajcymi z cz ci obszaru n oddalonej od zcza, podobnie w
obszarze p wdyfundowany adunek elektronów jest neutralizowany dopywajcymi dziu-
rami. Ta neutralizacja, polegajca na rekombinacji noników wstrzykiwanych przez zcze
(wstrzykiwaniem nazywa si efekt dyfuzyjny wzmocniony zewn trznym napi ciem) z no-
nikami wi kszociowymi, dostarczanymi z g bi póprzewodnika, nie przebiega bez-
zwocznie. W zwizku z tym pojawia si wypadkowy adunek elektryczny noników
wstrzykiwanych przez zcze.
Warto tego adunku zaley od intensywnoci dyfuzji, czyli porednio zaley od war-
toci napi cia przyoonego do zcza. Poniewa przy zmianach wartoci napi cia zmienia
si te adunek wstrzykiwanych noników, to mona zdefiniowa pojemno elektryczn C
= dQ/dU. Jest to tzw. pojemno dyfuzyjna zcza Cdyf. Pojemnoci dyfuzyjn opisuje si
zjawisko wyst pujce przy polaryzacji w kierunku przewodzenia, kiedy to przyoone na-
pi cie wywouje przepyw prdu przewodzenia zcza. Analizujc te zjawiska cznie mo-
na wyznaczy przyblion warto pojemnoci dyfuzyjnej jako:
I
C dyf # W (2.8)
VT
gdzie: W  czas ycia noników,
VT  potencja elektrokinetyczny,
I  prd przewodzenia zcza.
32

Warto pojemnoci dyfuzyjnej jest stosunkowo dua w porównaniu do pojemnoci

np. kondensatorów uywanych w technice, ale wykorzystanie jej jest praktycznie bardzo
trudne, poniewa wyst puje ona przy prdzie przewodzenia, co oznacza pozorne za-
bocznikowanie tej pojemnoci bardzo ma rezystancj dobrze przewodzcego zcza.
Istnienie tej pojemnoci jest atwo obserwowane przy gwatownej zmianie napi cia na
zczu od wartoci przewodzenia do polaryzacji wstecznej. Pojawia si wówczas stosun-
kowo duy prd rozadowania pojemnoci dyfuzyjnej pyncy w kierunku wstecznym
zcza. Po rozadowaniu pojemnoci Cdyf prd zmniejsza si do wartoci wynikajcych z
charakterystyki statycznej.
Warto zapami ta, e pojemno warstwy zaporowej i pojemno dyfuzyjna przeja-
wiaj si "wymiennie". Przy polaryzacji wstecznej w zczu dominuje pojemno Cj, przy
polaryzacji przewodzenia pojemno Cdyf, nadto obydwie te pojemnoci s zmienne, pojem-
no warstwy zaporowej zaley od napi cia zcza a pojemno dyfuzyjna od jego prdu.

2.1.4. Przebicie zcza pn

Opisane powyej gówne zjawiska wyst pujce w zczu pn, tj. nieliniowo charakte-
rystyki prdowo-napi ciowej i nieliniowe pojemnoci elektryczne wynikaj ju z prostego
modelu zcza. Istnieje jeszcze jedno wane zjawisko, z tego modelu nie wynikajce  jest
to zjawisko przebicia elektrycznego zcza. Przebicie wyst puje przy polaryzacji wstecznej
zcza, przy dostatecznie duej wartoci napi cia i objawia si znacznym wzrostem prdu
wstecznego, wielokrotnie przewyszajcym wartoci wynikajce z prostego modelu zcza.
Towarzyszce zazwyczaj przebiciu znaczne nagrzanie póprzewodnika w rejonie z-
cza moe powodowa bd p kni cie pytki póprzewodnikowej (lokalne rozszerzenie
cieplne), bd nawet lokalne stopienie krysztau. Skutkiem przebicia jest wi c cz sto
uszkodzenie krysztau zawierajcego zcze, chyba, e podejmie si rodki zabezpieczajce
kryszta przed przegrzaniem.
Wyrónia si dwa mechanizmy przebicia: przebicie lawinowe oraz przebicie Zenera.
Pierwsze z nich tumaczy si podobnie jak jonizacj lawinow gazów rozrzedzonych. W
silnym polu elektrycznym poruszajcy si z du pr dkoci elektron moe zderzy si z
atomem póprzewodnika i spowodowa jego jonizacj , czyli uwolni kolejn par noni-
ków adunku, w tym kolejny elektron. Jeeli nast puje lawinowe powielanie takiego zjawi-
ska to wzrasta koncentracja noników obydwu typów, zatem i mniejszociowych, co po-
woduje zwi kszenie nat enia prdu unoszenia. Warunkiem wystpienia przebicia lawino-
wego jest nadanie elektronom dostatecznie duych energii i zapewnienie im dostatecznie
dugiej drogi aby mogy napotka atom. Poniewa pr dko, a zatem i energia elektronów
zaley od nat enia pola elektrycznego, to okrela si krytyczn warto tego pola, przy
której nastpi jonizacja atomów. Dla krzemu ta warto jest rz du 105 V/cm. Poniewa
jednoczenie grubo warstwy zaporowej (adunków jonowych) powinna by do dua,
aby umoliwi rozwój lawiny noników, to przebicie tego typu wyst puje przy wi kszych
wartociach napi cia, dla zczy krzemowych powyej 7 V.
Przebicie Zenera interpretuje si jako wyrywanie elektronów z wiza mi dzyatomo-
wych, jeeli siy pola elektrycznego s dostatecznie due. Skutkiem tego zjawiska jest
 33

wzrost koncentracji noników obydwu typów, a zatem i wzrost prdu wstecznego ponad
wartoci wynikajce z modelu zcza pn. Podobnie jak poprzednio, warunkiem wystpienia
tego przebicia jest dostatecznie due nat enie pola elektrycznego, ale w tym przypadku
przy maej gruboci warstwy adunków jonowych, uniemoliwiajcej wystpienie efektu
lawinowego. Przebicie Zenera w zczach krzemowych wyst puje przy maych napi ciach,
poniej 5 V.
Moliwe jest te jednoczesne dziaanie obydwu mechanizmów, co ma miejsce jeeli
przebicie wyst puje przy napi ciu okoo 6 V.
Poniewa grubo strefy adunków jonowych zaley od koncentracji oraz profilu (roz-
kadu) domieszek w zczu, a wielkoci te zostaj jednoznacznie ustalone w procesie pro-
dukcji zcza, to typ przebicia i warto napi cia przebicia s praktycznie okrelone przez
producenta.

2.1.5. Wpyw temperatury na zcze pn

Temperatura oddziauje na zcze pn zmieniajc jego parametry. Przy przeci tnych
temperaturach uytkowych, okoo 250 K  350 K, co odpowiada zakresowi 20qC do
+80qC, te oddziaywania s nast pujce:
 bariera potencjau i warto spadku napi cia w stanie przewodzenia zcza malej o ok.
20 mV przy wzrocie temperatury o 10 kelwinów,
 wsteczny prd nasycenia wzrasta okoo dwukrotnie przy wzrocie temperatury o 10
kelwinów,
 napi cie przebicia Zenera maleje a napi cie przebicia lawinowego wzrasta przy wzro-
cie temperatury, intensywno zmian zaley od wartoci napi  przebicia.

2.2. Zcze ms
Zcza metalu z póprzewodnikiem stosowano w elektrotechnice ju w latach dwu-
dziestych stulecia jako tzw. prostowniki selenowe, kuprytowe i in. W odrónieniu od sto-
sunkowo prostej technologii wytwarzania, teoria dziaania tych elementów bya na tyle
trudna, e waciwie w pierwszej poowie wieku nie wypracowano zadawalajco przeko-
nywujcych modeli zjawisk. Obecna znajomo tych zjawisk jest znacznie lepiej rozwini -
ta, aczkolwiek dokadne analizy procesów elektrycznych wyst pujcych na granicy pó-
przewodnika i metalu nadal s do trudne.
Zcza ms powstaj przy pokryciu powierzchni np. krzemu warstw metalu, najcz ciej
aluminium, srebra, zota, niklu, tantalu, wolframu a take rónych stopów, metodami napyla-
nia, naparowywania itp. Procesy technologiczne prowadzone s w komorze próniowej, w
której wytwarza si pary metalu. Znaczne obnianie cinienia (do wartoci okoo 0,01 paska-
la) umoliwia parowanie metali przy temperaturach znacznie niszych od temperatur wrzenia
pod normalnym cinieniem. Nagrzewanie metali (w formie cienkich drutów, nitek, pytek itp.)
prowadzi si za pomoc prdów wysokiej cz stotliwoci, bombardowania strumieniem elek-
tronów lub jonów gazów szlachetnych i podobnymi metodami. Pary metalu osiadaj na we-
34

wn trznych cianach komory i wszystkich elementach w niej umieszczonych, w tym take na

pytkach póprzewodnikowych. Stosuje si te ukierunkowywanie strumienia zjonizowanych
par metalu za pomoc pól elektrycznych, tak aby wi kszo jonów metalu kierowa na pó-
przewodnik. Grubo warstw metalowych nanoszonych na wypolerowan, oczyszczon i
odgazowan powierzchni póprzewodnika jest rz du 1 mikrometra.
Waciwoci elektryczne zczy metalu z póprzewodnikiem s róne, zale od dobo-
ru zczonych materiaów. W niektórych przypadkach zcze zachowuje si podobnie jak
rezystor o maej rezystancji, tj. przewodzi dobrze prd w obydwu kierunkach przy stosun-
kowo maych napi ciach. Takie zcze nazywa si kontaktem (niekiedy dodajc "omowy"
dla podkrelenia symetrycznej charakterystyki elektrycznej). W innych przypadkach zcze
ms przewodzi prd podobnie jak zcze pn, tj. w jednym kierunku przewodzi due prdy
przy maych spadkach napi cia, a dla odwrotnego kierunku nawet do due wartoci na-
pi  powoduj przepyw znikomo maych prdów. Takie zcze nazywa si zczem pro-
stujcym lub zczem Schottky'ego. Na rys. 2.4 pokazano charakterystyki prdowo-
napi ciowe dla obu przypadków.

a) I b) I

- 1V 1V -10V 1V
U U

Rys. 2.4. Charakterystyki kontaktu omowego (a), zcza prostujcego (b)

Wytumaczenia tak rónych efektów poszukuje si , opierajc si na poj ciu pracy wyj-
cia i rónicy tej wielkoci w rónych materiaach. Praca wyjcia jest to ilo energii jak
trzeba zuy, aby odczy elektron od atomu i przenie go do poziomu energetycznego
próni, czyli w takie miejsce, gdzie nie b d dziaay na ten elektron jakiekolwiek pola si.
Zakada si , e jest tylko jeden poziom energetyczny próni i wszystkie elektrony znajdujce
si tam maj jednakow energi , niezalenie od tego, gdzie byy poprzednio. Prac wyjcia
mona wi c traktowa jako wska nik energii elektronów w materiale, jeeli praca wyjcia jest
dua, to oznacza, e elektrony w materiale maj mae energie i odwrotnie.
Przy zczeniu materiaów o rónych pracach wyjcia nast puje przemieszczanie elek-
tronów z materiau, w którym maj one wi ksze energie do tego materiau, w którym ener-
gie elektronów s mniejsze, czyli nast puje przepyw elektronów z materiau o mniejszej
pracy wyjcia do materiau o wi kszej pracy wyjcia. Dokadniej naley przyj, e oby-
dwa zczone materiay wymieniaj si wzajemnie elektronami, ale bilans nie jest zrówno-
waony, czyli nast puje wypadkowy przepyw elektronów. Przyjmuje si , e w metalu jest
nieograniczona ilo swobodnych elektronów ("gaz elektronowy"), natomiast w póprze-
wodniku ilo swobodnych elektronów zaley od typu przewodnictwa, tj. typu n czy p.
Konsekwentnie, zmiana iloci elektronów w metalu praktycznie nie wpywa na jego rezy-
 35

stywno, natomiast zmiana iloci swobodnych elektronów w póprzewodniku moe spo-

wodowa istotne zmiany jego waciwoci elektrycznych.
W zczu ms s moliwe róne sytuacje:
 metal o mniejszej pracy wyjcia ni póprzewodnik typu n,
 metal o wi kszej pracy wyjcia ni póprzewodnik typu n
i podobne dwie kombinacje z póprzewodnikiem typu p. Na rys. 2.5 pokazano te moliwo-
ci i skutki przesuni cia elektronów.
W pierwszym przypadku  rys. 2.5a  elektrony przechodz z metalu do póprzewod-
nika. Skutkiem tego przemieszczenia jest wzrost koncentracji elektronów w warstwie przy-
zczowej póprzewodnika, której rezystywno maleje. Jednoczenie dodatkowy, nie-
skompensowany, adunek elektronów wprowadzonych do przyzczowej warstwy pó-
przewodnika wytwarza pole elektryczne powstrzymujce dopyw dalszych elektronów z
metalu. W ten sposób powstaje stan stabilny zcza.

a) metal E Si b) metal E Si
n n

c) metal E Si d) metal E Si
p p

Rys. 2.5. Kontakt omowy (a) oraz (c) i zcze prostujce (b) oraz (d)

Jeeli do takiego zcza przyoy si z zewntrz napi cie, to nastpi podzia tego na-
pi cia stosownie do rezystancji poszczególnych obszarów. Rezystancja warstwy metalowej
oraz rezystancja przyzczowej warstwy póprzewodnika, o zwi kszonej koncentracji elek-
tronów, s znacznie mniejsze anieli rezystancja póprzewodnika w cz ci oddalonej od
zcza. Wobec tego gówny spadek przyoonego napi cia wystpi na warstwie o duej
rezystancji, czyli na warstwie póprzewodnika. Spadek napi cia na warstwach okooz-
czowych, oraz pole elektryczne wywoane zewn trznym napi ciem, b d bardzo mae i
prawie nie b d oddziaywa na waciwoci elektryczne tego obszaru. Rezystywno tych
warstw b dzie maa, niezalenie od wartoci czy kierunku polaryzujcego napi cia. Tak
wykonane zcze jest kontaktem omowym.
Jeeli póprzewodnik typu n ma mniejsz prac wyjcia anieli metal, to nastpi prze-
mieszczenie elektronów z warstwy przyzczowej póprzewodnika do metalu  rys. 2.5b.
36

W przyzczowej warstwie póprzewodnika wyodr bni si nieskompensowany adunek

dodatnich jonów donorowych, wytwarzajcy pole elektryczne hamujce dalszy przepyw
elektronów z póprzewodnika n do metalu, co umoliwi powstanie stanu równowagi. W
tym stanie przyzczowa warstwa póprzewodnika n, o zmniejszonej koncentracji elektro-
nów, ma du rezystywno, znacznie wi ksz anieli rezystywno ssiadujcych warstw
metalu i póprzewodnika. Rónica potencjaów metalu i póprzewodnika, odpowiadajca
wytworzonemu polu elektrycznemu, czyli bariera potencjau Schottky'ego, zaley od róni-
cy wartoci pracy wyjcia zczonych materiaów.
Polaryzacja zcza ms zewn trznym ródem napi cia stwarza dodatkowe pole elek-
tryczne, gównie w warstwie przyzczowej o duej rezystancji. Jeeli to pole skompensuje
pole wewn trzne (metal dodatni, póprzewodnik n ujemny), to nastpi przesuni cie noni-
ków elektronowych z póprzewodnika n w kierunku metalu, co spowoduje, e rezystancja
warstwy przyzczowej zmaleje. Jeeli jest odwrotnie (metal ujemny, póprzewodnik n
dodatni), to wzmocnione pole elektryczne wymusza pogrubienie warstwy pozbawionej
noników, czyli zwi ksza jej rezystancj .
Zmiana rezystancji warstwy przyzczowej powoduje, e charakterystyka prdowo-
napi ciowa takiego zcza jest nieliniowa. Przy zwi kszaniu pola wewn trznego (metal
ujemny, póprzewodnik n dodatni) przyrostowi napi cia towarzyszy przyrost rezystancji,
dzi ki czemu prd, o maej wartoci, pozostaje prawie stay, jest to kierunek wsteczny z-
cza. Przy odwrotnej polaryzacji (metal dodatni, póprzewodnik n ujemny) przyrostowi na-
pi cia towarzyszy zmniejszanie rezystancji, dzi ki czemu przyrost prdu jest znacznie
wi kszy anieli przyrost napi cia, jest to kierunek przewodzenia zcza ms. Charakterysty-
ka prdowo-napi ciowa prostujcego zcza ms, pokazana na rys. 2.4b, ma przebieg wy-
kadniczy, podobnie jak charakterystyka zcza pn.
Wytwarza si te zcza metalu z póprzewodnikiem typu p, podobnie jak w opisa-
nych powyej zczach z póprzewodnikiem n, mona tam uformowa kontakt omowy lub
zcze prostujce jak pokazano na rys. 2.5c i d.
Przedstawiony opis zczy metalpóprzewodnik jest silnie uproszczony, gównie
przez pomini cie stanów powierzchniowych póprzewodnika. Powierzchnia krysztau sta-
nowi bardzo silne zakócenie regularnoci ukadu atomów, co pociga za sob inne do-
puszczalne stany energetyczne elektronów anieli wewntrz krysztau. Te stany, zwane
powierzchniowymi, modyfikuj znacznie waciwoci elektryczne powierzchni póprze-
wodnika. Dokadniejsz analiz tych zjawisk zajmuje si fizyka ciaa staego.
Prostujce zcza ms wykorzystywane s w rónych elementach elektronicznych, za-
równo przy maych wartociach prdów (np. w funktorach logicznych) jak i przy duych
prdach jako prostownicze diody Schottky'ego. Warto odnotowa, e dla typowych prostu-
jcych zczy ms, wykonywanych na krzemie, spadek napi cia w kierunku przewodzenia
jest mniejszy anieli w zczach pn. W prostujcym zczu ms take moe wystpi przebi-
cie przy nadmiernych napi ciach w kierunku wstecznym. Poniewa warstwa podwyszonej
rezystywnoci wyst puje tylko po jednej stronie zcza, a take skutkiem trudnoci techno-
logicznych w wykonaniu jednorodnych pokry metalowych, napi cie przebicia zczy ms
jest zwykle niewysokie i nie przekracza 100 V.
 37

Cenn zalet prostujcych zczy ms jest to, e wprowadzenie ich w stan przewodze-
nia nie wymaga wstrzykni cia noników mniejszociowych, jak w zczu pn, a tylko od-
tworzenia stanu pierwotnego póprzewodnika w obszarze przyzczowym. Konsekwencj
tego jest brak pojemnoci dyfuzyjnej zcza ms, pozwala to na stosowanie zczy ms do
prostowania prdów o wysokich cz stotliwociach.

2.3. Struktura MIS (MOS)

Struktura zoona z póprzewodnika (S), na którym znajduje si warstwa izolacyjna
(I), pokryta warstw metalu (M) jest wanym elementem nowoczesnych, scalonych uka-
dów elektronicznych. W przypadku krzemu jako warstw izolacyjn stosuje si dwutlenek
krzemu (SiO2  szko krzemowe) pokrywany warstw aluminium, a od angielskiej nazwy
oxide (tlenek) struktur i elementy j zawierajce nazywa si MOS.
Na rys. 2.6 pokazano szkic budowy tej struktury, rysunek nie za-
chowuje proporcji struktur realnych, grubo pytki póprzewodnika
wynosi okoo 1 milimetra natomiast gruboci warstw izolacyjnej i me- metal
talowej s okoo 1 mikrometra. Warstw tlenku krzemu wytwarza si
wystawiajc pytk krzemow na dziaanie strumienia tlenu. Dobierajc SiO2
czas, cinienie i temperatur uzyskuje si waciw grubo utlenionej
powoki na powierzchni krzemu. Warstw metalow nakada si na n-Si
warstw tlenku podobnie jak przy wytwarzaniu zczy ms.
Struktura MOS przypomina kondensator o jednej okadzinie meta- metal
lowej a drugiej póprzewodnikowej. Podobnie jak przez idealny kon-
densator nie moe przepywa prd stay, tak i w idealnej strukturze
MOS przepyw prdu staego na drodze metalpóprzewodnik jest nie-
moliwy, ale mog wyst powa zjawiska adowania i rozadowywania Rys. 2.6.
pojemnoci struktury MOS albo przepyw prdu przemiennego przez Struktura MOS
metal, izolator i póprzewodnik.
Pojemno struktury MOS jest nieliniowa, to znaczy jej warto zmienia si zalenie
od przyoonego napi cia. Zewn trzne napi cie zmienia nie tylko pojemno struktury ale
take modyfikuje inne cechy póprzewodnika, a cilej jego warstwy stykajcej si z izola-
torem. Wanie zmienno rezystywnoci póprzewodnika w strukturze MOS jest powo-
dem jej szerokiego zastosowania w elementach elektronicznych.
Polaryzacja, pokazanej na rys. 2.6 struktury MOS, zewn trznym napi ciem powoduje
róne skutki, zalenie od wartoci i kierunku wytworzonego pola elektrycznego. Siy pola,
dziaajce na adunki elektryczne, powoduj przesuni cie swobodnych noników adunku
elektrycznego. W póprzewodniku typu n swobodne elektrony s gromadzone pod warstw
izolatora, jeeli do metalu przyoono biegun plus a do póprzewodnika n biegun minus
róda napi cia, lub s odpychane od izolatora w gb póprzewodnika, jeeli do metalu
przyoono biegun ujemny.
38

Zwi kszenie koncentracji elektronów w przylegajcej do izolatora warstwie póprze-

wodnika typu n powoduje zmniejszenie rezystywnoci tej warstwy, któr nazywa si wów-
czas warstw akumulacyjn.
Zmniejszenie koncentracji noników wi kszociowych w cz ci stykajcej si z izola-
torem, czyli wytworzenie warstwy zuboonej, powoduje wzrost rezystywnoci tej warstwy,
ale to zjawisko wyst puje tylko w pewnym przedziale stosowanych napi .
Przy ujemnej elektrodzie metalowej swobodne, wi kszociowe, elektrony s odsuwane z
obszaru póprzewodnika n znajdujcego si pod izolatorem, natomiast s tam przycigane
mniejszociowe dziury. Przy okrelonej wartoci napi cia koncentracje noników obydwu
typów mog sta si jednakowe, taki stan odpowiada póprzewodnikowi samoistnemu, o du-
ej rezystywnoci. Warstw o duej rezystywnoci nazywa si warstw zuboon.
Przy dalszym zwi kszeniu napi cia ujemnego, w cz ci póprzewodnika stykajcej si
z izolatorem, koncentracja mniejszociowych dziur przewyszy koncentracj wi kszocio-
wych elektronów. W ten sposób, w póprzewodniku typu n, pod warstw izolatora pojawi
si warstwa póprzewodnika typu p. Tak warstw nazywa si inwersyjn (odwrotn)
wzgl dem technologicznie uformowanego typu przewodnictwa póprzewodnika, a ze
wzgl du na sposób jej wywoania nazywa si j warstw zaindukowan (od zjawiska in-
dukcji elektrycznej, nie elektromagnetycznej!). Warstwa inwersyjna jest oddzielona war-
stw zuboon od g biej pooonych cz ci póprzewodnika, czyli warstwa inwersyjna
jest odizolowana od podoa warstw o duej rezystywnoci jak pokazano na rys. 2.7.

metal

SiO2
U inwersja
zuboenie

Si n

Rys. 2.7. Warstwa inwersyjna w strukturze MOS

Warto napi cia, niezb dnego do wywoania warstwy inwersyjnej nazywa si napi -
ciem progowym. W miar wzrostu wartoci napi cia, ponad warto progow, ronie kon-
centracja noników (wi kszociowych dla warstwy inwersyjnej ale mniejszociowych dla
pozostaej cz ci póprzewodnika) i wzrasta grubo warstwy inwersyjnej, obydwa te zja-
wiska powoduj zmniejszanie rezystancji tej warstwy.
Pojemno elektryczna struktury MOS jest ksztatowana przez dwa zjawiska: pojem-
no Ci wynikajc z obecnoci dielektryka (izolatora) i pojemno Cs zwizan z groma-
dzeniem adunków w warstwie póprzewodnika pod izolatorem. Pojemno struktury mo-
 39

na wi c przedstawi jako szeregowe poczenie dwu

kondensatorów, staego o pojemnoci Ci wynikajcej z
powierzchni, gruboci i staej dielektrycznej izolatora metal
oraz zmiennego Cs, o pojemnoci zalenej od napi cia.
Jeeli struktura zostaje spolaryzowana, tak aby po- SiO2 Ci
wstaa warstwa akumulacyjna (metal dodatni, póprze-
wodnik n ujemny) to przy stosunkowo maym napi ciu n-Si Cs
zostaje tam zgromadzony stosunkowo duy adunek
noników wi kszociowych, w cienkiej warstwie pó-
przewodnika i dlatego pojemno Cs przyjmuje znaczne metal
wartoci, duo wi ksze od pojemnoci Ci. Ze wzgl du
na poczenie szeregowe wypadkowa pojemno struk-
tury MOS jest wtedy bliska wartoci pojemnoci war-
stwy izolacyjnej Ci i praktycznie nie zmienia si przy Rys. 2.8. Pojemnoci struktury MOS
zwi kszaniu napi cia polaryzacji struktury MOS. Obni-
anie napi cia polaryzacji do zera powoduje zmniejszanie zakumulowanego adunku oraz
pojemnoci z nim zwizanej, wypadkowa pojemno struktury MOS zmniejsza si .
Przy odwrotnej polaryzacji (metal ujemny, póprzewodnik n dodatni) nast puje
zmniejszanie koncentracji elektronów w warstwie przy izolatorze i jednoczenie pogrubia-
nie tej warstwy  jest to odpowiednik rozsuwania okadzin kondensatora przy równocze-
snym odprowadzaniu adunku elektrycznego. Oznacza to znaczne zmniejszenie pojemnoci
Cs, wypadkowa pojemno struktury maleje. Taki stan ma miejsce a do pojawienia si
warstwy inwersyjnej, w której gromadzi si stosunkowo duy adunek noników mniejszo-
ciowych, w cienkiej warstwie inwersyjnej pó-
przewodnika, ale nadal pozostaje, g biej pooo-
na, warstwa zuboona, której maa pojemno de- C
cyduje o wypadkowej pojemnoci struktury MOS. Ci
Poniewa gruboci warstwy zuboonej i jej adunek
sabo zaley od zmian napi cia to i wypadkowa
pojemno struktury jest mao zalena od napi cia,
jak pokazano na rys. 2.9
Podobne rozwaania mona przeprowadzi
0 U
dla struktury MOS wykonanej na podou z pó-
przewodnika typu p, wycigajc podobne wnioski.
Rónice dotycz tylko znaków napi cia i adunku
Rys. 2.9. Pojemno struktury MOS
swobodnych noników.

2.4. Realizacja struktur niejednorodnych

Tylko w nielicznych przypadkach ca powierzchni pytki póprzewodnikowej, wy-
ci tej z monokrysztau, poddaje si obróbce technologicznej jednakowo, wprowadzajc
jednolicie domieszk czy tworzc pojedyncz elektrod metalow. Dotyczy to przypadku
40

wykonywania elementów energoelektronicznych, przeznaczonych do przewodzenia bardzo

duych prdów. Cz ciej domieszkowanie i inne procesy technologiczne s wykonywane
tylko w okrelonych cz ciach powierzchni pytki. Aby uzyska takie efekty, niezb dne
przy wytwarzaniu ukadów scalonych, wykorzystuje si technik fotolitografii.
Powierzchni pytki krzemowej poddaje si wst pnemu utlenieniu oraz pokrywa si j
cienk (0,5 do 1,5 mikrometra) warstw substancji wiatoczuej (podobnej w dziaaniu do
emulsji fotograficznych).
Oddzielnie przygotowuje si tzw. mask  odpowiednik negatywu fotograficznego.
Wykonuje si czarnobiay rysunek, w powi kszeniu 200 do 1000-krotnym, wyróniajcy
miejsca, które maj by poddane procesowi technologicznemu. Po zmniejszeniu rysunku
metodami fotograficznymi otrzymuje si mask , w której odpowiednie pola s prze roczy-
ste, a pozostae nieprze roczyste. Przygotowan pytk krzemow nawietla si , zazwyczaj
ultrafioletem, poprzez mask i poddaje wywoaniu. Przy kpieli wywoujcej nawietlone
cz ci warstwy wiatoczuej (lub nienawietlone  przy innym skadzie chemicznym war-
stwy wiatoczuej) ulegaj wypukaniu, odsaniajc lokalnie tlenek krzemu. W nast pnym
etapie stosuje si kpiel trawic, która rozpuszcza tlenek krzemu, ale nie reaguje z pozo-
sta cz ci warstwy wiatoczuej. W ten sposób zostaje odsoni ta powierzchnia krzemu
w tych miejscach, gdzie naley przeprowadzi np. dyfuzj domieszki. Po waciwym za-
biegu technologicznym usuwa si pozostaoci fotowarstwy oraz tlenku krzemu.

Si n metal

p p
Si n n

Rys. 2.10. Przykad obróbki póprzewodnika

Z reguy produkcja elementów elektronicznych wymaga kilku do kilkunastu podob-

nych operacji, przeprowadzanych przez róne maski. Na rys. 2.10 pokazano przykad mo-
zaiki wykonanej na pytce z krzemu typu n, gdzie w jednej operacji przeprowadzono dyfu-
zj domieszki akceptorowej, tworzc sie wysepek krzemu typu p, a w drugiej operacji,
przez mask o mniejszych okienkach, naniesiono warstw metalow, przygotowujc kon-
takty omowe. Tak przygotowana pytka krzemowa zawiera kilkaset do kilkudziesi ciu ty-
si cy oddzielnych zczy pn.
W technologii fotolitograficznej minimalne okno "otwierane" na powierzchni krzemu
moe mie wymiary okoo 5u5 mikrometrów, minimalne odlegoci mi dzy polami s te
tego rz du. Przy stosowaniu doskonalszych technologii wymiary te mog by jeszcze dzie-
si ciokrotnie zmniejszone. Te wymiary wskazuj na niezb dn dokadno zarówno w
przygotowaniu masek, jak i w naprowadzaniu kolejnych masek na zaplanowane miejsca na
 41

pytce póprzewodnikowej o rednicy do 150 mm. Wysokie wymagania narzucaj stoso-

wanie zoonych urzdze technologicznych, z szerokim udziaem sterowania komputero-
wego i wykorzystaniem laserów.
Kolejnym etapem technologicznym jest sprawdzanie elektryczne wykonanych ele-
mentów przy pomocy elektrod igowych poczonych z aparatur pomiarow i oznakowa-
nie lakierem elementów niezgodnych z wymaganiami.
Nast pnie pytka jest dzielona na cz ci przez rozamywanie wzdu zarysowanych
linii (podobnie jak przy ci ciu szka). Pojedyncze cz ci, o wymiarach od okoo 1u1 mm
dla pojedynczych elementów do ok. 10u10 mm dla zoonych ukadów, nazywane s czi-
pami (ang. chip  odprysk). Nazwa "czip elektroniczny" uzyskaa nieoczekiwan popular-
no, a jej zakres znaczeniowy w j zyku potocznym zosta rozszerzony na wszystkie ele-
menty scalone.
Produkcj koczy monta czipów w obudowach, kontrola i pakowanie.
3. ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Kade urzdzenie elektroniczne (np. telewizor, komputer, regulator przemysowy

lub przeksztatnik) zoone jest z wielu podzespoów i elementów mechanicznych, elek-
trycznych i elektronicznych. Widocznymi z zewntrz s cz ci mechaniczne, takie jak
obudowa, wsporniki, uchwyty i in., oraz niektóre cz ci elektryczne, jak wyczniki,
przewody itp. Wewntrz obudowy mona dostrzec dalsze elementy konstrukcji mecha-
nicznej, poczenia elektryczne i elementy elektroniczne, zapewniajce zaoone funk-
cjonowanie caego urzdzenia.
Element elektroniczny to samodzielna, konstrukcyjnie nierozczna, cz  urzdzenia.
Cech charakterystyczn elementu elektronicznego jest wi c "nienaprawialno"  element
uszkodzony musi by wymieniony na inny, sprawny. Elementy s tak konstruowane i pro-
dukowane, aby byo moliwe ich magazynowanie i transport bez szczególnych wymogów,
a take ich instalowanie w urzdzeniach przy uyciu okrelonych technik. Dla umoliwie-
nia przechowywania i transportu w przeci tnych warunkach elementy s zamykane w in-
dywidualne obudowy metalowe, lub zaprasowywane w tworzywa sztuczne, czy szko lub,
co najmniej, zabezpieczane powokami lakierniczymi. Poniewa do instalowania (montau)
stosuje si lutowanie, zaciskanie, owijanie, mocowanie wkr tami i podobne techniki, to
elementy musz by zaopatrzone w elektrody metalowe w postaci drutów, linek, pasków
z cienkiej blachy itp.
Elementy elektroniczne, ze wzgl du na zastosowan konstrukcj , dzieli si na dwie gru-
py: elementy dyskretne i elementy scalone. Pierwsze okrelenie dotyczy elementów o jednoli-
tym przeznaczeniu i funkcji, jak np. rezystor, kondensator, dioda, tranzystor itd., wykonanych
w postaci kompletnego elementu z elektrodami i indywidualn obudow. Drugie okrelenie
stosuje si do elementów, których podstawowy schemat elektryczny zawiera wi cej ni jeden
symbol schematowy oraz odpowiednie poczenia. Moe to by np. kilka rezystorów, o od-
powiednich rezystancjach, poczonych tak, jak potrzeba w okrelonym ukadzie elektronicz-
nym, a których konstrukcja i technologia wykonania narzuca umieszczenie ich w jednej obu-
dowie. Moe to by te zespó setek tysi cy tranzystorów, diod, rezystorów i niezb dnych
pocze mi dzy nimi, tworzcych razem skomplikowany ukad procesora komputerowego,
ale wykonanych w toku jednego cigu operacji technologicznych i zamkni tych w jednej
obudowie. Rónorodno stopnia komplikacji elementów scalonych powoduje, e producenci
cz sto nazywaj je przyrzdami, przyborami lub ukadami, aczkolwiek powinny by one na-
zywane elementami, ze wzgl du na niemono dokonywania jakichkolwiek operacji tech-
nicznych wewntrz obudowy tzw. ukadu scalonego.
Na koniec, naley zauway, e skomplikowany wytwór techniczny nie moe by opi-
sany jedn wielkoci znamionow. Dlatego opis techniczny elementu zawiera wiele para-
metrów, precyzujcych zarówno jego podstawowe waciwoci, jak i cechy drugorz dne,
które te musz by uwzgl dniane przez uytkownika.
 43

3.1. Rezystory
Rezystory (oporniki) wykonywane s z drutów oporowych, mas oporowych i pó-
przewodników. Pierwsze dwa materiay stosuje si do produkcji elementów dyskretnych
liniowych, rezystory póprzewodnikowe stanowi cz  ukadów scalonych lub s wytwa-
rzane jako nieliniowe sensory, czyli czujniki lub przetworniki pomiarowe.
Podstawow cech elektryczn rezystora jest jego rezystancja. Przy masowej produk-
cji elementów dyskretnych wytwarza si rezystory o wartociach ze znormalizowanych
szeregów, przy okrelonych dopuszczalnych odchykach. Najmniej dokadne rezystory, o
tolerancji 20%, wytwarza si o wartociach: 10; 15; 22; 33; 47; 68 omów i ich dziesi tnych
krotnociach. Dokadniejsze rezystory (10%, 5%, 2%, ...0,1%) maj wartoci z odpowied-
nio zag szczonych szeregów.
Rezystory s wytwarzane jako stae, tj. o ustalonej wartoci rezystancji, i zmienne (w
tym tzw. potencjometry). Zmienno rezystancji uzyskuje si wprowadzajc ruchome ele-
menty mechaniczne, umoliwiajce zmian dugoci czynnej cz ci rezystora. Szczegól-
nym przypadkiem zmiennoci, wykorzystywanym w sensorach, jest stosowanie materia-
ów, których rezystywno zmienia si przy zmianach oddziaywa zewn trznych.
W rezystorach nast puje zamiana energii elektrycznej na ciepln, co powoduje ich na-
grzewanie. Dla ograniczenia temperatury podaje si moc znamionow rezystora, której
przekroczenie powoduje przegrzanie (i cz sto uszkodzenie) tego elementu. Znamionowe mo-
ce rezystorów najcz ciej stosowanych w ukadach elektronicznych wynosz: 0,05; 0,125;
0,25; 0,5; 1 i 2 waty, wytwarzane s te seryjnie rezystory o wi kszych mocach, do okoo 100
watów. Dopuszczalna moc zaley od powierzchni, z której jest odprowadzane ciepo, a wi c i
od wymiarów rezystora. Na przykad rezystor o mocy 0,125 W ma rednic 2,5 mm i dugo
ok. 7 mm, a rezystor 100 W ma rednic ok. 30 mm przy dugoci ok. 170 mm.

3.1.1. Rezystory dyskretne liniowe

Rezystor drutowy powstaje przez nawini cie drutu z odpowiedniego stopu oporowego
na tzw. karkasie  rurce lub pr cie z materiau ceramicznego. Koce drutu s unierucha-
miane zaciskami metalowymi, do których s doczone przewody miedziane stanowice
wyprowadzenia montaowe. Dla unieruchomienia drutu oporowego na karkasie moe by
zastosowany lakier lub pokrycie warstw ceramiczn (rezystory cementowane). Rezystan-
cja przewodu wynosi:
l
R U (3.1)
A
gdzie: U  rezystywno materiau przewodu,
l  dugo przewodu,
A  pole przekroju przewodu.

Dobierajc parametry przewodu mona uzyska rezystor o potrzebnej rezystancji.

Praktyczne ograniczenia wnosi dugo przewodu (do kilku metrów) i przekrój (nie mniej
ni setne cz ci milimetra kwadratowego). Zakres rezystancji wynosi od 0,1 oma do kilku-
dziesi ciu kiloomów, moc zwykle nie mniej ni 2 waty.
44

a)

b)

Rys. 3.1. Rezystory: masowy (a) i drutowy (b)

Masy oporowe to mieszaniny sproszkowanych materiaów przewodzcych (m.in.

w giel), izolacyjnych i póprzewodnikowych oraz lepiszcza. Z takich mas formowane s
ksztatki (tzw. rezystory masowe) ale cz ciej masy oporowe s nakadane na walcowe,
ceramiczne karkasy metod napylania, co pozwala uzyskiwa bardzo cienkie warstwy
przewodzce. Po napyleniu cz sto stosuje si naci cie spiralne (jak przy gwintowaniu),
co daje efekt "nawini cia" bardzo cienkiej i wskiej wst gi materiau przewodzcego na
izolacyjnym karkasie. Na kocach karkasu zaciska si metalowe elementy z wyprowa-
dzeniami montaowymi. Podobnie jak w rezystorach drutowych dobór materiau, grubo-
ci warstwy i sposobu jej naci cia pozwala wytworzy potrzebny rezystor. W taki spo-
sób wykonywane s rezystory o rezystancjach od 10 omów do kilkudziesi ciu mega-
omów, o mocach zwykle do 2 watów. Przykady rozwiza konstrukcyjnych rezystorów
pokazano na rys. 3.1. Warto zauway, e pokazane konstrukcje s podobne do zwojni-
cy (solenoidu) i dlatego w takich rezystorach wyst puje te pewna warto indukcyjno-
ci pasoytniczej.

3.1.2. Rezystory w ukadach scalonych

Rezystory w ukadach scalonych wytwarza si jako fragment pytki póprzewodnikowej
o odpowiedniej rezystywnoci i wymiarach. Dodatkowym zadaniem jest oddzielenie elek-
tryczne tej cz ci póprzewodnika, która ma spenia rol rezystora od pozostaej cz ci
pytki (podoa). Zwykle wykorzystuje si do tego celu waciwoci zcza pn, tworzc w
np. krzemie typu n cz  typu p o odpowiednim ksztacie i dbajc o to, aby powstae zcze
byo spolaryzowane wstecznie przy normalnym wczeniu rezystora do pracy. W ten spo-
sób zapobiega si przepywowi prdu od rezystora do podoa, co jest równowane odizo-
lowaniu go od pozostaej cz ci póprzewodnika.
Rezystory wykonywane w póprzewodniku opisuje si charakterystycznym parame-
trem rezystancja/kwadrat. Ten parametr wyprowadza si z podstawowego wzoru R = Ul/A
adaptowanego do metod projektowania i technologii póprzewodników. Na rys. 3.2a poka-
zano prostopadocian z materiau o rezystywnoci U, jaki mona wytworzy np. metod
dyfuzji.
Rezystancja tego elementu (o dugoci l takiej samej jak szeroko, czyli kwadratowe-
go w widoku z góry) pomi dzy cianami bocznymi o powierzchni A wynosi:
 45

l l U
Rk U U (3.2)
A lG G
czyli jest zalena tylko od g bokoci wprowadzenia domieszek G i rezystywnoci U, wy-
nikajcej z iloci wprowadzonej domieszki, a wi c zaley tylko od sposobu prowadzenia do-
mieszkowania. W praktyce uzyskiwane wartoci wynosz do kilkuset omów/kwadrat. Rezy-
stancja podobnego prostopadocianu o wymiarach X i Y, jak pokazano na rys. 3.2b, wynosi:
X X
R XY U Rk (3.3)
GY Y

a) b) Y
l
X G
l G

Rys. 3.2. Rezystor póprzewodnikowy jednostkowy i dowolny

Projektujc rezystor o okrelonej rezystancji i mocy podaje si wymiary X i Y okna w

masce (por. p. 2.4) i parametry procesu domieszkowania zapewniajce wymagane Rk. Re-
zystory zajmuj stosunkowo due powierzchnie pytek póprzewodnikowych (np. 0,3 mm
u 0,05 mm, wielokrotnie wi cej anieli tranzystor) i dlatego w ukadach scalonych stosuje
si moliwie mao rezystorów, o maych mocach i rezystancjach z przedziau kilkaset
omów do kilkudziesi ciu kiloomów. Dokadno wykonywanych rezystorów jest maa
(20%), ale wan zalet jest prawie jednakowy uchyb wszystkich rezystorów wykonanych
na jednej pytce póprzewodnikowej. Dzi ki temu mona wytwarza dokadne oporowe
dzielniki napi cia i podobne ukady, w których waniejszy jest stosunek rezystancji dwu,
lub wi cej, rezystorów anieli bezwzgl dne wartoci ich rezystancji.

3.1.3. Rezystory nieliniowe póprzewodnikowe

Rezystory póprzewodnikowe wykonuje si take jako elementy dyskretne, stosowane
jako czujniki (przetworniki pomiarowe, sensory) rónych wielkoci fizycznych. Aby mak-
symalnie wykorzysta wraliwo rónych póprzewodników stosuje si róne materiay,
takie jak:
 tlenek manganu, tytanian baru, tlenek wanadu w termistorach,
 siarczek kadmu, siarczek oowiu w fotorezystorach,
 antymonek indu, arsenek galu w gaussotronach
i inne, w postaciach monokrystalicznych lub polikrystalicznych, tj mieszaniny maych
krysztaków poczonych odpowiednim lepiszczem.
46

Szczegóowe analizy dziaania i sposoby stosowania tych elementów s omawiane w

literaturze specjalistycznej, w niniejszym skrypcie ograniczamy si do wymienienia i krót-
kiego skomentowania waniejszych odmian rezystorów póprzewodnikowych.
Termistor jest to rezystor póprzewodnikowy zmieniajcy rezystancj pod wpywem
temperatury. Zalenie od materiau póprzewodnikowego, a take od technologii produkcji,
wytwarza si termistory o rezystancji malejcej przy wzrocie temperatury (NTC  Nega-
tive Temperature Coefficient), o rezystancji rosncej z wzrostem temperatury (PTC = Posi-
tive Temperature Coefficient), i o rezystancji zmieniajcej si prawie skokowo po nagrza-
niu termistora do temperatury krytycznej (CTR  Critical Temperature Resistor). We
wszystkich termistorach wyst puje silna zmienno rezystancji przy zmianach temperatury,
si gajca kilku do kilkudziesi ciu procent wartoci odniesienia przy zmianie temperatury o
jeden kelwin.
Najcz ciej uywane s termistory NTC, w których zaleno rezystancji R od tempe-
ratury bezwzgl dnej T ma posta:
§ B·
R Aexp ¨ ¸ (3.4)
©T¹
gdzie: A i B s to stae materiaowe.
Przy stosowaniu termistorów NTC trzeba zwraca uwag na to, e wczenie termisto-
ra do obwodu elektrycznego powoduje wydzielanie w nim mocy elektrycznej pod postaci
ciepa. Skutki tego zjawiska mog by róne, albo wydzielane ciepo tylko nieznacznie
podgrzeje termistor, albo jest moliwy lawinowy "samopodgrzew" termistora, którego ma-
lejca rezystancja wywoa zwi kszenie mocy grzejcej. W tym drugim przypadku trzeba
przewidzie odpowiednie rodki ustalajce warunki termiczne pracy.
Termistory stosowane do pomiarów temperatury s wykonywane jako miniaturowe
pereki o wymiarach rz du jednego milimetra, termistory do innych zastosowa mog by i
znacznie wi kszych rozmiarów. Termistory CTR stosuje si jako czujniki przekrocze
okrelonych temperatur w maszynach elektrycznych.
Fotorezystor jest to rezystor póprzewodnikowy zmieniajcy rezystancj pod wpy-
wem owietlenia. Mechanizmy fizyczne wpywu promieniowania na póprzewodnik przed-
stawiono nieco dokadniej w p. 3.6, tutaj ograniczamy si do stwierdzenia, e pod wpy-
wem owietlenia odpowiednim wiatem rezystancja fotorezystora maleje. Czuo fotore-
zystorów jest dua, zmiana rezystancji moe wynosi kilka tysi cy razy przy zmianie
owietlenia od penej ciemnoci do wartoci rz du setek luksów (owietlenie pomieszcze
do pracy). Na rezystancj fotorezystorów ma wpyw take napi cie pracy oraz temperatura.
Szybko reakcji fotorezystorów na zmian owietlenia jest niezbyt dua, czasy reakcji
wynoszce zwykle setne cz ci sekundy, mog w niektórych typach wzrasta do pojedyn-
czych sekund. Fotorezystory wytwarzane z rónych materiaów póprzewodnikowych wy-
kazuj maksima czuoci dla rónych barw wiata. Typowe zastosowania fotorezystorów
to pomiary nat enia owietlenia.
Tensometr póprzewodnikowy to rezystor wykonany najcz ciej z monolitycznego,
domieszkowanego krzemu w postaci cienkiego pr cika o dugoci kilku milimetrów i prze-
kroju mniejszym od 1 mm2. Poddajc ten pr cik napr eniom mechanicznym powoduje si
 47

jego deformacj , co prowadzi do zmiany rezystancji proporcjonalnej do wielkoci napr e

Zalet tensometrów póprzewodnikowych wzgl dem tensometrów metalowych jest to, e
zmiana rezystancji jest dziesitki lub setki razy wi ksza anieli wynikaoby ze zmiany wy-
miarów, która zwykle nie przekracza 1 promila.
Gaussotron jest to rezystor póprzewodnikowy zmieniajcy rezystancj pod wpy-
wem pola magnetycznego. Zjawisko Gaussa wyst puje w pytce lub folii przewodzcej,
przez któr przepuszcza si prd a jednoczenie dziaa na ni pole magnetyczne, o kierunku
nierównolegym wzgl dem kierunku ruchu noników adunku elektrycznego. W takich
warunkach nast puje odchylenie torów noników poruszajcych si w polu magnetycznym,
prowadzce do przeduenie ich drogi, co dziaa jak pozorne wyduenie pytki czy folii.
Analiza zjawiska Gaussa, oczywicie bardziej precyzyjna anieli podane wyej uwagi,
pozwala znale  zwizek pomi dzy wzgl dn zmian rezystancji gaussotronu 'R/R a in-
dukcj pola magnetycznego B w postaci:
'R
kB m (3.5)
R
Zmiana rezystancji jest nieliniow funkcj indukcji B, wykadnik m jest bliski 2 dla
sabych pó magnetycznych i przyjmuje warto okoo jednoci dla duych wartoci B.
Staa materiaowa k dla póprzewodników przyjmuje wartoci znacznie wi ksze anieli dla
materiaów przewodzcych. Zastosowanie gaussotronów to pomiary indukcji pól magne-
tycznych.

3.2. Kondensatory
Podstawow cech elektryczn kondensatora jest jego pojemno elektryczna, która
dla kondensatora paskiego wynosi:
A
C H (3.6)
d
gdzie: H  przenikalno dielektryczna izolatora,
A  powierzchnia pyt,
d  odlego mi dzy pytami.

Z tego wzoru wynikaj wnioski konstrukcyjne takie, e dla otrzymania znacznych

wartoci pojemnoci naley stosowa pyty o duej powierzchni, oddzielone izolatorem
o maej gruboci, a majcym du warto H. Kondensator w postaci pyt o duej po-
wierzchni byby niewygodny w montau i dlatego najcz ciej stosowane s inne konstruk-
cje, wielowarstwowe, paskie lub zwijane. Jako dielektryki stosuje si mik , ceramik , pa-
pier lub tworzywa sztuczne. Przykady konstrukcji pokazano na rys. 3.3.
Jeeli izolator jest kruchy, jak np. mika, konieczna jest wielopytkowa konstrukcja
paska, warstwa izolacyjna nie moe by bardzo cienka i kondensatory o takiej konstrukcji
maj pojemnoci od pojedynczych pikofaradów do kilkudziesi ciu nanofaradów. Jeeli
izolator jest elastyczny, jak np. folie polipropylenowe o gruboci kilku mikrometrów, to
48

kondensator moe mie konstrukcj zwijan. W takich przypadkach elektrody metalowe

wykonywane s z folii aluminiowej lub wprost aluminium jest napylane na foli izolacyjn.
Wst gi z takiej folii s zwijane w cisy rulon i zaopatrywane w wyprowadzenia drutowe.
Pojemnoci kondensatorów zwijanych si gaj 10 mikrofaradów. Jeeli warstwy izolacyjne
otrzymuje si na drodze elektrolizy (kondensatory tzw. elektrolityczne), to ich grubo wy-
nosi uamki mikrometra, a pojemnoci si gaj 10 milifaradów.

a) b)

Rys. 3.3. Kondensator paski (a) oraz zwijany (b)

Wytwarzanie kondensatorów, o konwencjonalnej konstrukcji elektro-

daizolatorelektroda, w technologiach póprzewodnikowych jest moliwe, ale ze wzgl du
na due powierzchnie zajmowane przez kondensatory, nawet o niewielkich pojemnociach,
stosowane jest bardzo rzadko. Jeeli zastosowanie pojemnoci w ukadzie scalonym jest
niezb dne, to raczej stosuje si zcze pn i wykorzystuje si pojemno warstwy zaporowej
lub tworzy si struktur MOS. Tak wi c najcz ciej kondensatory wyst puj jako elementy
dyskretne.
Maa grubo warstw izolacyjnych powoduje, e napi cie wyst pujce mi dzy oka-
dzinami kondensatorów musi by ograniczone, aby nie powodowao przebicia elektryczne-
go izolacji. Dlatego, napi cie znamionowe kondensatora, jest równie wanym parametrem
jak pojemno. Ze wzgl du na procesy elektryczne i elektrochemiczne, przebiegajce
gównie w warstwie dielektrycznej kondensatorów, okrelenie dopuszczalnych napi  do-
tyczy nie tylko wartoci, ale take rodzaju napi cia  przemienne (zakres cz stotliwoci),
stae, stae ze skadow zmienn itp.

3.3. Diody
Diody wytwarzane s z póprzewodnika zawierajcego zcze pn lub ms, odpowiednio
obudowane i zaopatrzone w elektrody. Diody s produkowane zarówno jako elementy dys-
kretne, jak te s one bardzo cz sto wytwarzane jako elementy ukadów scalonych. Jako
elementy dyskretne diody s zaopatrzone w obudowy szklane lub plastikowe, due diody
prostownicze zamykane s w obudowy metalowo-ceramiczne. Wan cech uytkow diod
jest nieliniowo charakterystyki prdowo-napi ciowej, ale take inne zjawiska elektryczne
w zczach s cz sto wykorzystywane. Z tego powodu produkuje si dziesitki odmian
 49

elementów, o rónorodnym zastosowaniu, zawierajcych w nazwie wyraz "dioda". W tym

skrypcie ograniczamy si do przedstawienia tylko kilku, waniejszych dla zastosowa
przemysowych, diod.

3.3.1. Dioda prostownicza

Dioda prostownicza jest przeznaczona do budowy ukadów przeksztacajcych prd

przemienny, zwykle o cz stotliwoci 50 (60) Hz, na prd jednokierunkowy, zawierajcy
skadow sta. Najwaniejsz cech diody prostowniczej jest wi c zdolno przewodzenia
prdu tylko w jednym kierunku.
Charakterystyka statyczna, prdowo-napi ciowa diody prostowniczej, pokazana na rys.
3.4, jest bardzo podobna do charakterystyk zczy pn czy ms. Niewielkie rónice pojawiaj
si przy duych wartociach prdów przewodzenia, gdzie spadek napi cia na diodzie jest
wi kszy anieli na teoretycznym zczu.
Jest to wywoane rezystancj doprowadze
metalowych i póprzewodnikowych, na których I
spadek napi cia moe by do duy, do kilku
[ 1A ]
dziesitych cz ci wolta. Wi ksze rónice po-
mi dzy diod a zczem s przy polaryzacji w
kierunku wstecznym, przy napi ciach bliskich [100V] U
wartoci napi cia przebicia, kiedy nast puje [1V]
znaczcy wzrost prdu wstecznego.
[ 1mA]
Podstawowymi parametrami granicznymi
(maksymalne, dopuszczalne wartoci) diod pro-
stowniczych s: prd w kierunku przewodzenia, Rys. 3.4. Charakterystyka statyczna
napi cie w kierunku wstecznym i temperatura diody prostowniczej
zcza. Ze wzgl du na odmienne mechanizmy
uszkodze przy przepi ciach i przet eniach,
parametry graniczne opisuj wartoci chwilowe dopuszczalnych napi  wstecznych, ale
wartoci rednie lub skuteczne dopuszczalnych prdów przewodzenia. Przekroczenie tych
parametrów w trakcie uytkowania diody powoduje uszkodzenie tego elementu lub, co
najmniej, sprowadza powane zagroenie uszkodzenia.
Obecnie s produkowane diody o dopuszczalnych prdach od 1 A (powierzchnia z-
cza ok. 1 mm2) do ok. 10 kA (powierzchnia zcza okoo 5000 mm2), dopuszczalnych na-
pi ciach od 50 V do 5 kV, dopuszczalne temperatury zcza diod krzemowych wynosz od
110 do 180qC. Diody prostownicze, szczególnie te o wyszych parametrach, produkowane
jako elementy dyskretne osigaj, wraz z radiatorami do odprowadzania ciepa, spore wy-
miary (np. 500u300u200 mm). Produkowane s te zespoy diod (zwykle o mniejszych
prdach granicznych) w odpowiednim poczeniu, np. mostka prostowniczego lub szere-
gowego stosu kilkunastu diod o sumarycznej duej wytrzymaoci napi ciowej, zamkni te
w jednej obudowie. Innym rozwizaniem konstrukcyjnym s tzw. moduy  dobrane przez
producenta i zmontowane w odpowiednich uchwytach izolacyjnych zespoy diodowe.
50

Maksymalny, dopuszczalny prd diody zaley gównie od powierzchni zcza, po-

wierzchni elektrod metalowych i technologii poczenia elektrod z krysztaem. Przekrocze-
nie prdu granicznego powoduje zwykle nadmierne nagrzanie póprzewodnika i elektrody
co moe spowodowa ich lokalne stopienie, p kni cie lub inne uszkodzenie mechaniczne.
Uszkodzenia, szczególnie w wi kszych diodach, wyst puj lokalnie, ze wzgl du na techno-
logicznie uwarunkowan niejednorodno krysztau i elektrod na caej, stosunkowo duej,
powierzchni.
Maksymalne, dopuszczalne napi cie wsteczne zaley od wytrzymaoci elektrycznej
warstwy adunków jonowych zcza, która jest funkcj konstrukcji (wymiary) i technologii
(profil koncentracji domieszek) zcza. Szczególnie wraliwe na przebicie s miejsca, gdzie
zcze dochodzi do powierzchni krysztau, miejsca te s dodatkowo obrabiane i zabezpie-
czane. Przebicie, nast pujce po przekroczeniu napi cia granicznego diod prostowniczych,
ma zwykle charakter lawinowy.
Dopuszczalna temperatura jest podawana jako warto maksymalna temperatury z-
cza Tjmax. Poniewa pomiar tej temperatury jest kopotliwy, dla celów projektowych cz sto
podaje si dopuszczaln temperatur obudowy Tcmax oraz tzw. rezystancj termiczn z-
cze-obudowa Rthjc, zdefiniowan jako stosunek rónicy temperatur zcze-obudowa do
mocy strat w diodzie.
Waciwoci dynamiczne diod prostowniczych objawiaj si przy zmianach prdów i
napi . Na rys. 3.5 pokazano przebieg prdu diody i spadku napi cia na niej, w ukadzie
zawierajcym ródo napi cia o zmieniajcej si biegunowoci oraz rezystor ograniczajcy
warto prdu. Pokazane na rysunku przebiegi odpowiadaj sytuacji kiedy pocztkowo
dioda przewodzi prd stay, od pewnego momentu napi cie róda szybko zaczyna si
zmniejsza, co powoduje zmniejszanie prdu w obwodzie, a po zmniejszeniu do zera na-
pi cie róda zaczyna narasta, ale w kierunku przeciwnym, polaryzujcym diod wstecz-
nie. Przy takim dziaaniu obserwuje si krótkotrway przepyw prdu wstecznego, o warto-
ci wielokrotnie przewyszajcej dane wynikajce z charakterystyki statycznej.

u,i

i(t)
t rr
u(t) t
0,25 I
RM

0,9 I Qrr
RM

Rys. 3.5. Wyczanie diody

Fizyczne objanienie tego efektu opiera si na modelu zcza: w stanie przewodzenia

prdu w obszarach przyzczowych pojawia si duy adunek dyfuzyjny, który musi by
 51

wyprowadzony z obszaru zcza, aby wystpi stan polaryzacji wstecznej. Wanie wypro-
wadzanie noników wymaga przemieszczania ich w odwrotnym kierunku, anieli przy pr-
dzie przewodzenia, co powoduje impuls prdu wstecznego, który mona te zinterpretowa
jako rozadowania pojemnoci dyfuzyjnej diody. Ponadto konieczne jest odtworzenie stref
adunków jonowych, lub inaczej naadowanie pojemnoci warstwy zaporowej zcza. Oba
te zjawiska opisuje si cznie podajc tzw. czas odzyskiwania zdolnoci zaworowej trr lub
mierzc powierzchni zawart pod wykresem, która we wspórz dnych czas-prd ma sens
adunku elektrycznego zwanego adunkiem przejciowym Qrr.
Przy powolnej zmianie napi cia polaryzujcego diod , z kierunku przewodzenia do
nieprzewodzenia, zanik zgromadzonych w niej noników moe nastpi przez rekombina-
cj , bez znacznego przepywu prdu wstecznego.
Wartoci czasu odzyskiwania zdolnoci zaworowej trr diod prostowniczych w prze-
ci tnych warunkach pracy, wynosz od kilkunastu do kilkudziesi ciu mikrosekund. Przy
cz stotliwoci pracy 50 Hz, (okres 20 milisekund) proces dynamiczny odzyskiwania zdol-
noci zaworowej diody prostowniczej trwa tak ma cz  okresu, e nie ma to istotnego
wpywu na sposób jej pracy. Inaczej jest przy podwyszonych cz stotliwociach pracy, gdy
czas procesów dynamicznych jest wspómierny z okresem powtarzania cykli dziaania dio-
dy. W takim przypadku dioda traci praktycznie swoj podstawow zdolno przewodzenia
prdu tylko w jednym kierunku, czyli traci swoje waciwoci prostownicze.
Dla prostowania prdów o podwyszonych cz stotliwociach i w innych ukadach o duej
szybkoci zmian prdów, konieczne jest stosowanie tzw. diod szybkich, o zmniejszonym czasie
trr. Takie diody s wykonywane przy uyciu bardziej zoonych technologii (np. kombinowana
technologia dyfuzyjno-epitaksjalna) lub przy wykorzystaniu zcza ms (diody Schottky’ego),
ale ich inne parametry techniczne zwykle ulegaj pogorszeniu, a cena wzrasta.

3.3.2. Dioda przeczajca (uniwersalna)

W wielu ukadach elektronicznych wykorzystywane s waciwoci kierunkowe diod
do celów innych, anieli prostowanie prdu. S to zadania takie jak: zabezpieczenie innego
elementu przed pojawieniem si napi cia o niewaciwej biegunowoci, narzucenie od-
miennych waciwoci ukadu dla sygnaów o rónej biegunowoci, poczenie wyj kilku
ukadów do wspólnego punktu bez zwarcia ich itd. W takich zadaniach wymaga si cz sto,
aby dioda speniaa rol podobn do zada przecznika, tj. zwieraa lub rozwieraa odpo-
wiedni obwód i dlatego diody nazywa si przeczajcymi, lub ze wzgl du na szeroki i
rónorodny zakres zastosowa uniwersalnymi.
Diody przeczajce wykorzystuj zcze pn lub ms, ich charakterystyka prdowo-
napi ciowa jest podobna do charakterystyki diody prostowniczej.
Prdy graniczne diod przeczajcych wynosz od 50 do 400 miliamperów, napi cia
graniczne 15 do 250 woltów, ale nie s to wielkoci najwaniejsze dla tych zastosowa.
Waniejszymi s parametry charakterystyczne, takie jak prd wsteczny i spadek napi cia w
kierunku przewodzenia, które powinny by moliwie mae (np. 5 nanoamperów, 0,6 wol-
ta). Cz sto za najwaniejsz uwaa si szybko dziaania, tj czasy przejcia od stanu
52

przewodzenia do nieprzewodzenia i odwrotnie. Czas odzyskiwania zdolnoci zaworowych

tych diod wynosi od 2 do 200 nanosekund dla zczy pn i maleje do wartoci okoo 50 pi-
kosekund dla zczy ms. Niekiedy podaje si warto pojemnoci diody, co umoliwia
oszacowanie efektów dynamicznych diody (0,5 do 5 pF).
Diody przeczajce wykonane jako elementy dyskretne zwykle s zaprasowywane w
szko lub tworzywa sztuczne, z wyprowadzeniami z drutu. Ksztat obudów jest walcowy
lub prostopadocienny, a wymiary niewielkie np. rednica 2,5 a dugo 5,4 mm czy 2,5 u
2,5 u 4 mm. Diody przeczajce s te cz sto wykonywane w ukadach scalonych przy
uyciu typowych technologii póprzewodnikowych.

3.3.3. Dioda Zenera

Dioda Zenera to element przeznaczony do stabilizacji napi cia staego. Dioda, zawie-
rajca zcze pn o prawie skokowym profilu domieszek, ulega przebiciu w kierunku
wstecznym przy niewielkich wartociach napi cia, np. kilku woltów. Jeeli warto prdu
w stanie przebicia jest tak ograniczona, aby nie nastpio przegrzanie diody, to stan przebi-
cia moe by podtrzymywany dowolnie dugo.
W stanie przebicia napi cie na diodzie jest
I prawie stae, tj. prawie niezalene od prdu
pyncego przez diod , jak pokazano na rys.
U
U 3.6 przedstawiajcym charakterystyk prdo-
wo-napi ciow diody Zenera.
Dioda Zenera w stanie przebicia zacho-
wuje si podobnie jak ródo napi cia 
I utrzymujce na zaciskach prawie stae napi -
cie, nieznacznie zalene od prdu obcienia.
Dlatego ta dioda w stanie przebicia, moe by
uyta jako odpowiednik róda napi cia stae-
Rys. 3.6. Charakterystyka diody Zenera
go czy to do zasilania ukadu elektronicznego,
czy to jako wzorzec napi cia.
Podstawowymi parametrami diody s: napi cie Zenera  warto napi cia utrzymy-
wana na diodzie w stanie przebicia (od ok. 3 do 30 woltów), graniczna (maksymalna, do-
puszczalna) moc strat wyznaczajca maksymalny prd diody (od 0,2 do 5 watów). Ponadto
okrela si parametry charakteryzujce nieidealno diody jako wzorca napi cia staego,
nale tu takie wielkoci, jak: termiczny wspóczynnik napi cia Zenera  opisujcy zmiany
napi cia stabilizowanego przy zmianach temperatury, i rezystancja dynamiczna  przed-
stawiajca wpyw prdu diody na napi cie stabilizowane.
W diodach stabilizujcych napi cie, zalenie od wartoci napi cia przebicia, wyst pu-
je albo przebicie lawinowe albo zenerowskie albo jednoczenie mog dziaa obydwa me-
chanizmy przebicia. Niezalenie od tego który z nich dziaa, diody stabilizujce napi cie
nazywa si diodami Zenera.
 53

3.3.4. Dioda pojemnociowa

W diodach pojemnociowych wykorzystuje si pojemno warstwy zaporowej zcza
pn. Te diody s uywane jak kondensatory o zmiennej pojemnoci, sterowanej napi ciem
polaryzujcym wstecznie diod . Wyrónia si dwie odmiany diod pojemnociowych  tzw.
warikapy i waraktory.
Pierwsza z nich stosowana jest cile jako zmienna pojemno (variable capacitance),
najcz ciej do przestrajania, czyli zmieniania cz stotliwoci rezonansowej, obwodu LC.
Praktyczny zakres cz stotliwoci pracy warikapów obejmuje przedzia od setek kiloherców
do setek megaherców.
Druga odmiana, waraktory, jest stosowana jako zmienna reaktancja pojemnociowa
(variable reactance) w pewnej klasie ukadów elektronicznych, tzw. parametrycznych, sto-
sowanych przy bardzo wysokich cz stotliwociach  do setek gigaherców.

Cj
rs

ru
Cj
UR

Rys. 3.7. Charakterystyka warikapa Rys. 3.8. Schemat zast pczy warikapa

Podstawow charakterystyk warikapa jest zaleno jego pojemnoci od napi cia,

przykad charakterystyki podano na rys. 3.7. Wartoci pojemnoci wynosz od pojedyn-
czych pikofaradów do dziesitków pikofaradów. Sterowanie pojemnoci odbywa si w
okrelonym zakresie napi  wstecznych, ograniczonym od góry wytrzymaoci napi cio-
w zcza (zwykle kilkadziesit woltów), a od dou minimaln wartoci gwarantujc do-
stateczn polaryzacj wsteczn (zwykle od 1 do 2 woltów).
W zakresie pracy, czyli przy sterowaniu w caym, dopusz-
czalnym zakresie napi , otrzymuje si kilkakrotn (2 do 5
Cf
razy) zmian wartoci pojemnoci. Lf
Przy dokadniejszych analizach ukadów zawieraj-
L +
cych diod pojemnociow trzeba uwzgl dni obok pojem-
noci i inne jej cechy. Na rys. 3.8 pokazano przykad sche- C
matu zast pczego, na którym przepyw prdu wstecznego -
zcza przedstawia rezystancja upywu ru, a rezystywno
doprowadze i, przede wszystkim, obszarów póprzewod-
nika reprezentuje rezystancja rs.
Rys. 3.9. Schemat aplikacji
warikapa
54

Poczenie warikapa do obwodu rezonansowego wymaga rozdzielenia obwodu prdu

staego od obwodu prdu przemiennego, przykad schematu pokazano na rys. 3.9. Konden-
sator Cf, o pojemnoci znacznie wi kszej od pojemnoci warikapa, chroni sterujce ródo
napi cia staego przed zwarciem przez indukcyjno rezonansow L i podobnie dawik Lf,
o indukcyjnoci znacznie wi kszej od L, zabezpiecza obwód rezonansowy przed zwarciem
przez ródo napi cia staego.

3.4. Tranzystory
Tranzystory s podstawowymi elementami w prawie wszystkich ukadach elektro-
nicznych. Gówn waciwoci tranzystorów jest moliwo regulowania prdu pyncego
przez tranzystor wczony do obwodu elektrycznego, za pomoc sygnau elektrycznego
(napi cie, prd) dziaajcego w drugim obwodzie elektrycznym.
Na rys. 3.10 pokazano schemat funkcjonalny wczenia tranzystora. Rezystor R sym-
bolizuje odbiornik, w którym ma by regulowany prd, wymuszany przez ródo napi cia
staego U. Obwód zawierajcy R, U oraz tranzystor jest obwodem wyjciowym dla tranzy-
stora. Warto prdu w tym obwodzie zaley od napi cia róda U, rezystancji R oraz wa-
ciwoci prdowo-napi ciowych tranzystora T, wyst pujcych mi dzy jego elektrodami
wyjciowymi. Te waciwoci, z kolei, zale od wysterowania tranzystora w jego obwo-
dzie wejciowym, tj. od napi cia i/lub prdu doprowadzonego do elektrod tranzystora w-
czonych w obwód wejciowy. Na rysunku podano jako przykad "szkolny", e wysterowa-
nie tranzystora mona regulowa nastaw potencjometru R1, zasilanego ze róda U1.
Zmiana nastawy potencjometru R1 b dzie powodowa zmian wartoci prdu pobieranego
ze róda U i pyncego przez obcienie, reprezentowane przez rezystor R.

U
R1
U1 T
wy
we

Rys. 3.10. Schemat funkcjonalny zastosowania tranzystora

Wan cech tranzystora jest, e moc elektryczna w obwodzie wejciowym jest znacz-
nie mniejsza od mocy w obwodzie wyjciowym; w uproszczeniu oznacza to, e maym
prdem i/lub napi ciem wejciowym steruje si znacznie wi kszy prd i/lub napi cie w
obwodzie wyjciowym, ze wzgl du na t waciwo tranzystor nazywa si elementem
wzmacniajcym sygna elektryczny.
 55

Sterowanie prdu odbiornika w obwodzie pokazanym na rys. 3.10 mona realizowa

na dwa sposoby. Pierwszy z nich polega na cigych, pynnych zmianach wartoci prdu i
napi cia w obwodzie wejciowym wymuszajcych podobne cige i pynne zmiany warto-
ci prdu obcienia. Taki sposób pracy nazywa si analogowym. Drugi sposób polega na
wykorzystywaniu sytuacji skrajnych  zmniejszanie prdu praktycznie do zera przez
wprowadzenie tranzystora w stan zatkania lub odci cia czy zablokowania albo wprowa-
dzania tranzystora w stan moliwie dobrego przewodzenia, tak aby warto prdu bya
bliska do U/R. Sterowanie polega wówczas na skokowym przeczaniu tranzystora z jed-
nego stanu do drugiego, taki sposób pracy nazywa si impulsowym i jest stosowany
w technice cyfrowej i energoelektronice. Nieco wi cej informacji na ten temat przedsta-
wiono w rozdziale 4.
Istniejce róne typy i odmiany tranzystorów mona dzieli wedug rónych kryte-
riów. Podstawowym jest podzia wedug budowy, i zwizanego z ni sposobu dziaania, na
tranzystory unipolarne, bipolarne oraz, stosowane coraz cz ciej, struktury mieszane (np.
IGBT  Insulated Gate Bipolar Transistor). Inne stosowane podziay tranzystorów dotycz
waciwoci uytkowych np. podzia na tranzystory maej cz stotliwoci lub duej cz sto-
tliwoci, impulsowe, wysokonapi ciowe, duej mocy itd. Tranzystory wytwarzane s jako
elementy dyskretne albo w strukturach scalonych (obecnie ilo tranzystorów stosowanych
w ukadach scalonych si ga wielu setek tysi cy w jednej strukturze).

3.4.1. Tranzystory unipolarne

Tranzystory unipolarne, inaczej zwane polowymi, wykorzystuj sterowanie ruchu jedne-
go typu noników adunku za pomoc pola elektrycznego. Na rys. 3.11 pokazano klasyfikacj
tranzystorów unipolarnych wedug budowy, podajc jednoczenie ich symbole graficzne.

TRANZYSTORY UNIPOLARNE - FET

BRAMKA IZOLOWANA -MOS ZLACZE PN
D D D D D D

G B G B G B G B G G

S S S S S S

N P N P N P
WZBOGAC. ZUBO ANIE

Rys. 3.11. Klasyfikacja tranzystorów unipolarnych

Tranzystory unipolarne, czyli polowe (Field Effect Transistor  FET), dzieli si si na

tranzystory z izolowan bramk, popularnie nazywane tranzystorami MOS (Metal Oxide
Semiconductor), i tranzystory z bramk oddzielon zczem pn, nazywane tranzystorami
PNFET lub JFET (Junction FET). Jeeli uzyskanie prdu w obwodzie wyjciowym tranzy-
56

stora wymaga doprowadzenia odpowiedniego napi cia do obwodu wejciowego, to takie

tranzystory nazywa si tranzystorami typu wzbogacanego (enhancement mode), jeeli prd
wyjciowy przepywa take bez sterowania napi ciowego w obwodzie wejciowym, to
tranzystor nazywa si tranzystorem typu zuboanego (depletion mode). Przepyw prdu
przez tranzystor odbywa si dzi ki ruchowi noników jednego typu, jeeli s to elektrony
to kana przewodzcy jest typu n, jeeli dziury to typu p. Typ kanau pokazuje zwrot
strzaki na symbolu graficznym.
Dziaanie tranzystorów przedstawia si na przykadzie tranzystora unipolarnego, z izo-
lowan bramk, z kanaem n, typu wzbogacanego, w skrócie nazywanego NMOS (lub E 
NMOS dla podkrelenia take typu Enhancement).
Tranzystor NMOS wytwarza si na powierzchni pytki póprzewodnikowej, zwanej
podoem B (body). Na rys. 3.12 pokazano uproszczony przekrój tranzystora wykonanego
na pytce krzemowej, o przewodnictwie typu p. W pytce wytwarza si dwa obszary n+
(silnie domieszkowane donorowo), ulokowane w
S G D odlegoci np. 10 Pm od siebie, jeden z nich nazy-
wa si ródem S (Source), a drugi drenem D (Dra-
in). Strefa pomi dzy obszarami jest przeznaczona
n+ n+ na zaindukowany kana. Ta strefa jest przykryta
warstw izolacyjn SiO2, na której wytwarza si
Si p warstw metalow zwan bramk G (Gate). W ten
sposób, mi dzy obszarami S i D powstaje struktura
MOS (zob. p. 2.3).
B Obwód wyjciowy tranzystora stanowi elek-
trody przyczone do obszarów róda i drenu, ob-
Rys. 3.12. Tranzystor NMOS wód wejciowy czyli sterujcy tranzystorem, sta-
nowi elektrody podoa i bramki. Warto zauwa-
y, e obszary S i D tworz jednoczenie zcza pn+ z podoem, co stwarza niepodane
moliwoci przepywu prdu od róda lub drenu do podoa. Aby uniemoliwi przepyw
takich prdów trzeba zapewni polaryzacj wsteczn, lub co najmniej brak polaryzacji
przewodzenia, obydwu tych zczy. Osiga si to, dla rozpatrywanego tranzystora, zwiera-
jc elektrody B i S (napi cie na zczu pn wynosi zero, zatem i prd tego zcza jest zero),
oraz tak doczajc zewn trzne róda napi cia aby D byo dodatnie wzgl dem B (przy
zwarciu BS dodatnie wzgl dem S).
Bez wysterowania tranzystora, pomi dzy elektrod S a elektrod D s dwa zcza pn,
o przeciwnych kierunkach przewodzenia, z których kade otoczone jest stref adunków
jonowych pozbawion noników, czyli praktycznie stanowic izolator. Ten ukad unie-
moliwia przepyw prdu wyjciowego od D do S; tranzystor jest w stanie zatkania (nie-
przewodzenia, blokowania).
Doprowadzajc napi cie z zewn trznego róda do elektrod bramki G i podoa B
(lub róda S przy zwarciu BS) tak, aby bramka bya dodatnia wzgl dem podoa, a war-
to napi cia bya wi ksza od progowej (UGS(T0)  napi cie progowe bramki wynosi zwykle
2 do 6 woltów) indukuje si kana inwersyjny, tj. w tym przypadku typu n, zapewniajcy
poczenie obszarów drenu i róda bez zczy pn mi dzy nimi. Powstaje wówczas ukad
 57

podobny do trzech rezystorów poczonych szeregowo:

maa rezystancja obszaru róda (n+), rezystancja zain-
U GS U
dukowanego kanau n, maa rezystancja obszaru dre- DS
+
nu (n ). Te trzy "rezystory" s oddzielone od podoa
izolujc stref adunków jonowych, jak pokazano na
S G D
rys. 3.13.
Rezystancja kanau zaley od jego wymiarów i re-
zystywnoci póprzewodnika. Dugo i szeroko kana- n+ n - inw. n+
" izolacja"
u s ustalone w procesie produkcji tranzystora, nato-
miast jego "wysoko" (tj. jak g boko kana wnika w Si p
podoe) oraz rezystywno (odwrotnie proporcjonalna
do koncentracji zgromadzonych w kanale elektronów) s
B
zalene od wartoci napi cia bramki. Tak wi c, zmienia-
jc warto napi cia UGS (w zakresie przekraczajcym Rys. 3.13. Tranzystor NMOS
warto progow UGS(T0)) zmienia si rezystancj kanau przy maym napi ciu UDS
pomi dzy S a D, co prowadzi do sterowania prdem w
obwodzie wyjciowym, do którego wczane s elektrody róda i drenu.
Zamkni cie obwodu wyjciowego, zawierajcego take ródo napi cia, i przepyw
prdu w tym obwodzie, wywouje spadek napi cia na rezystancji kanau i stwarza rónic
potencjaów pomi dzy obszarami drenu i róda. Jeeli napi cie, oznaczane UDS, jest mae,
to nie ma istotnego wpywu na ksztat i rezystancj kanau. Prd w obwodzie wyjciowym
 prd drenu ID  zaley od napi cia UDS (prawo Ohma) i rezystancji kanau, sterowanej
napi ciem UGS. Przy wi kszych wartociach UDS trzeba uwzgl dni zmian rozkadu pola
elektrycznego w obszarze mi dzy ródem a drenem.
W tym obszarze dziaaj dwa pola elektryczne, o kierunkach prawie prostopadych,
jedno ksztatowane w obwodzie bramka-podoe, a drugie w obwodzie ródo-dren. Linie
si wypadkowego pola, jak i linie ekwipotencjalne, decydujce o ksztacie kanau, ulegaj
ukosowaniu, jak pokazano na rys. 3.14.
Zaómy na przykad, e napi cie sterujce UGS
jest wi ksze od progowego UGS(T0) o 3 wolty, a napi - U
U DS
cie UDS wynosi 2 wolty. Tylko nadwyka napi cia GS

bramki ponad warto progow powoduje powstawa-

nie kanau, przy obszarze róda ta nadwyka wynosi S G D
zaoone 3 wolty i powstanie tam kana o g bokoci
odpowiadajcej napi ciu trzech woltów. Obszar drenu
ma potencja +2 V, a bramka potencja UGS(T0) +3 V, n+ n-inw. n+
" izol."
zatem napi cie mi dzy obszarem drenu, wraz z przy-
leg cz ci kanau, a bramk wynosi tylko UGS(T0) +1 Si p
V, w tym miejscu nadwyka napi cia bramki ponad
progowym wynosi tylko 1 wolt, czemu odpowiada
znacznie mniejsza g boko kanau, jak pokazano na B
rys. 3.14 Rys. 3.14. Ukosowanie kanau
przy wi kszym napi ciu UDS
58

W takich warunkach przewodzcy kana ma ksztat klina, którego wymiary zale od

obydwu napi  UGS oraz UDS. Przez to prd tranzystora jest funkcj tych dwu napi :

ª U2 º
ID E «( U GS  U GS(T 0) ) U DS  DS » (3.7)
¬« 2 ¼»

wspóczynnik E zawiera parametry konstrukcyjno-technologiczne tranzystora. Wspóczyn-

nik E moe by okrelony na drodze pomiarowej jako:
2I DSX
E 2
(3.8)
U GS( T 0)

gdzie: IDSX  prd drenu przy UGS = 2UGS(T0) i UDS = UGS(T0) .

Przedstawiony na rys. 3.14, klinowy ksztat przewodzcego kanau wyst puje, jeeli
w rejonie drenu jest nadwyka napi cia bramki ponad progowym, ma to miejsce dla
UDS < UGS – UGS(T0) (3.9)
i tak naley rozumie okrelenie "mae napi cie drenu". Jeeli zwi ksza si napi cie UDS
tak, e nierówno (3.9) zamieni si w równo, to nastpi zmniejszenie przekroju kanau
do zera, czyli zacini cie kanau w pobliu obszaru drenu.
To zacini cie nie prowadzi jednak do przerwania poczenia elektrycznego drenu ze
ródem, poniewa w wskiej strefie zaciskanej nast puje efekt podobny do przebicia elek-
trycznego i prd przepywa nadal. Takie zjawisko ma miejsce poniewa zaciskanie kanau
wyst puje prawie punktowo, a caa nadwyka napi cia UDS ponad warto UGS  UGS(T0)
odkada si na tej wanie, bardzo krótkiej, zacini tej cz ci kanau.
Prawie punktowe zacini cie kanau powoduje, e wyst puje tam bardzo due nat e-
nie pola elektrycznego, umoliwiajce unoszenie noników przez zacini t cz  kanau,
co obserwuje si jako przepyw prdu. Jednoczenie
ksztat kanau od strony obszaru róda pozostaje pra-
wie niezmienny, poniewa na cz ci niezacini tej
UGS UDS kanau wyst puje niezmienna cz  napi cia UDS, o
wartoci UGS  UGS(T0), nadwyka napi cia UDS ponad
t warto odkada si na zacini tej cz ci kanau.
S G D
Na drodze od róda do drenu s teraz dwa róne
obszary: do obszaru róda przylega zaindukowany ka-
n+ n n+ na o ksztacie klina, a od strony drenu wski "kanalik
"izolacja" przebity elektrycznie" w cz ci zacini tej. Przy zwi k-
szaniu napi cia UDS cz  klinowa nie zmienia si , jej
Si p
rezystancja pozostaje staa, co powoduje przepyw pra-
wie staego prdu, niezalenego od napi cia UDS, ale
B zalenego od rezystancji cz ci klinowej, zatem i od
ksztatujcego j napi cia UGS, jak pokazano na rys.
Rys. 3.15. Tranzystor NMOS 3.15. W takich warunkach warto prdu drenu opisuje
przy duym napi ciu UDS
wzór:
 59

E
ID ( U GS  U GS(T 0) ) 2 (3.10)
2
Na rys. 3.16a, pokazano charakterystyki obwodu wyjciowego tranzystora unipolar-
nego NMOS. Kada z charakterystyk prdowo-napi ciowych ID(UDS), przy ustalonych
wartociach napi cia sterujcego UGS, wykazuje dwa przedziay, odpowiadajce zaleno-
ciom (3.7) i (3.10), rozgraniczenie opisuje zaleno (3.9).
Przy ustalonej wartoci napi cia UDS prd drenu zaley od napi cia bramka- ródo,
przykad zalenoci pokazano na rys. 3.16b, jest to charakterystyka przejciowa lub charak-
terystyka sterowania prdu drenu. Na tej charakterystyce znajduje si potwierdzenie mo-
liwoci przerwania prdu drenu, jeeli napi ciu sterujcemu nada si warto mniejsz od
progowej, lub powi kszania prdu przez zwi kszanie napi cia sterujcego.

a) UDS = U GS - U GS(T0) b)
ID ID UDS > UGS - UGS(T0)= const

,, ,
U GS > U GS
,
UGS > UGS(T0)

UGS = UGS(T0) UDS UGS

U GS(T0)

Rys. 3.16. Charakterystyki: wyjciowe (a) i przejciowa (b) tranzystora NMOS

Wan cech tranzystora unipolarnego jest sterowanie "napi ciowe". Przy ustalonej
wartoci napi cia UGS prd bramki jest pomijalnie may, ze wzgl du na izolujc warstw
mi dzy elektrod bramki a reszt struktury tranzystora. Jednak jeeli do bramki doprowadzi
si napi cie zmienne w czasie, to popynie te prd bramki, która zachowuje si wówczas jak
okadzina kondensatora. Pojemno elektryczna pomi dzy bramk a ródem jest nieliniow
pojemnoci struktury MOS, i dlatego podaje si jej warto przy okrelonym napi ciu, to
samo dotyczy pojemnoci bramka-dren. Wartoci tych pojemnoci s rz du pikofarada.
Oprócz, powyej opisanego, tranzystora unipolarnego z izolowan bramk, typu
wzbogacanego (z kanaem indukowanym), z kanaem typu n; wytwarzane s te tranzysto-
ry o odwrotnym typie przewodnictwa. S to tranzystory unipolarne, z izolowan bramk,
typu wzbogacanego (z kanaem indukowanym), z kanaem typu p czyli PMOS. W tym
tranzystorze wszystkie procesy przebiegaj tak samo jak w NMOS, ale ze zmian znaków
adunków, prdów i napi . Jeeli tranzystory maj takie same parametry techniczne ale
odwrotny typ przewodnictwa nazywa si je komplementarnymi.
Na rys. 3.17 pokazano przekrój pytki typu n, w której wykonano tzw. kiesze typu p,
co pozwala na wykonanie pary tranzystorów komplementarnych. Dwa tranzystory, jeden z
kanaem p a drugi z kanaem n, zostaj odpowiednio poczone warstwami metalizacji
60

dzi ki czemu powstaje ukad zwany inwertorem CMOS, którego schemat pokazano na rys.
3.17b. Ten ukad znalaz bardzo szerokie zastosowanie w technice cyfrowej w budowie
elementów logicznych CMOS. Na rysunku pokazano te sposób wykonania poczenia
róda z podoem przez metalizacj odpowiedniego okna.

a) b)
S1 D G S2
S2
G1 D1 D2 G22
G G2 B2
n+ n+ p+ p+
D
p B1
B2
Si n B1
SiO 2
G1
S
S1

Rys. 3.17. Struktura CMOS: budowa (a) i schemat (b)

Inne odmiany tranzystorów unipolarnych

I
D bardziej róni si szczegóami budowy od opi-
E-NMOS sanego tranzystora NMOS. Na przykad w tran-
zystorze unipolarnym typu zuboanego pomi -
D-NMOS
dzy obszarami róda i drenu zostaje technolo-
gicznie wytworzony kana o tym samym typie
( - U GS ) U
GS
domieszkowania co te obszary. Taki kana umo-
liwia przepyw prdu w obwodzie dren- ródo
bez sterowania bramk. Napi cie bramki, dodat-
D-PMOS nie lub ujemne wzgl dem podoa, powoduje
zwi kszanie lub zmniejszanie przekroju kanau
czyli sterowanie prdem drenu; a do zatkania
E-PMOS
tranzystora. Na rys. 3.18 zestawiono charaktery-
(-I ) styki przejciowe czterech odmian tranzystorów
D
z izolowan bramk.
W innym rozwizaniu  tranzystor unipo-
Rys. 3.18. Charakterystyki przejciowe larny zczowy  zamiast warstwy izolujcej
tranzystorów MOS (E  wzbogacane, bramk stosuje si w tym miejscu wstecznie spo-
D  zuboane)
laryzowane zcze pn. Taki tranzystor moe by
tylko typu zuboanego. Zwi kszanie wstecznego
napi cia zcza bramkowego doprowadza do powstania beznonikowej strefy adunków
jonowych zajmujcej cay przekrój kanau, czyli do zatkania tranzystora. Przy zmianie bie-
gunowoci napi cia sterujcego, mona wprowadzi zcze bramkowe w stan przewodze-
nia, co likwiduje moliwo sterowania rezystancj kanau i prdem drenu czyli uniemo-
liwia dziaanie tranzystora. Podobnie jak w tranzystorach z izolowan bramk take w
tranzystorach unipolarnych zczowych mog by wytwarzane kanay n lub p.
 61

Niezalenie od szczegóów budowy dziaanie wszystkich tranzystorów unipolarnych

opiera si na takich samych podstawach fizycznych, opisujcych wpyw pola elektrycznego
na póprzewodnik.

3.4.2. Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny powstaje zwykle w procesie dwukrotnej dyfuzji domieszek do
póprzewodnika. Na rys. 3.19 pokazano przekrój pytki krzemowej typu n po wykonaniu na
niej tranzystora bipolarnego typu npn metod dyfuzji. Oczywicie stosujc inn kolejno
operacji technologicznych mona wytworzy tranzystor typu pnp. W takim tranzystorze
wszystkie procesy przebiegaj podobnie jak w tranzy-
storze npn z uwzgl dnieniem odwrotnych znaków no- B E C
ników, napi  i prdów. W dalszym cigu b dzie roz-
waany tranzystor npn.
Elektrody tranzystora s doczone do trzech jego n p
cz ci i nazywaj si emiter E, kolektor C i baza B.
Efekt tranzystorowy wyst puje wtedy, gdy odlego n
mi dzy kolektorem a emiterem czyli grubo bazy jest Si
mniejsza od redniej drogi dyfuzji noników adunku
elektrycznego. Elektrodami wejciowymi, na które
Rys. 3.19. Budowa tranzystora
oddziauje sygna sterujcy s baza-emiter, elektroda- bipolarnego
mi wyjciowymi zwykle s kolektor-emiter; jest to
tzw. ukad wspólnego emitera.
Dwa zcza pn tranzystora bipolarnego, tj. zcze emiterowe EB oraz zcze kolekto-
rowe CB mog by niezalenie polaryzowane zewn trznymi ródami napi cia. Z czte-
rech moliwych kombinacji biegunowoci napi  polaryzujcych tylko jedna zapewnia
tzw. stan aktywny tranzystora, umoliwiajcy sterowanie prdem wyjciowym.
W stanie aktywnym zcze BE powinno by spolaryzowane w kierunku przewo-
dzenia, a zcze BC w kierunku wstecznym. Na rys. 3.20 pokazano model tranzystora
bipolarnego, o strukturze npn, poczony z dwoma ródami napi  zapewniajcymi
stan aktywny.

n p n
E C

IE IC
B

UBE UCB

Rys. 3.20. Polaryzacja tranzystora bipolarnego w stanie aktywnym

62

Polaryzacja zcza baza-emiter w kierunku przewodzenia powoduje przepyw prdu

przez to zcze, warto prdu emitera wyznacza si na podstawie zalenoci pomi dzy
napi ciem a prdem zcza, podanej w p. 2.1.2. W odniesieniu do zcza emiterowego ta
zaleno ma posta:
§ U ·
I E I E 0 ¨¨ exp BE  1¸¸ (3.11)
© VT ¹

gdzie: IE0  prd nasycenia zcza emiterowego.

Przewodzenie prdu przez zcze BE tranzystora npn polega na wprowadzaniu
elektronów z obszary emitera do obszaru bazy oraz dziur z obszaru bazy do obszaru emite-
ra. Dobierajc koncentracje domieszek w tych obszarach dy si do tego, aby skadowa
elektronowa bya wielokrotnie wi ksza od dziurowej, tj. aby prawie cay prd zcza emite-
rowego przepywa dzi ki przemieszczaniu, "wstrzykiwaniu", elektronów do obszaru bazy.
Elektrony wprowadzone do obszaru bazy p staj si tam nonikami mniejszociowymi
i, jeeli znajd si w pobliu wstecznie spolaryzowanego zcza BC, zostaj unoszone do
obszaru kolektora. Cz  elektronów przesuwajcych si od zcza BE do zcza BC
ulega rekombinacji, co obserwuje si w postaci prdu bazy, na który skadaj si te inne
skadniki, ale podstawowa ilo elektronów, wstrzykni tych do cienkiej warstwy bazy,
dociera do obszaru kolektora. Dzi ki temu z obszaru kolektora wypywa prd IC', wyno-
szcy ok. 90% do 99% prdu emitera:
IcC D F I E (3.12)

wspóczynnik DF nazywa si wspóczynnikiem wzmocnienia prdowego w ukadzie wspól-

nej bazy, jego warto wynosi 0,9 do 0,99. Pozostaa cz  prdu emitera  1 do 10% 
wypywa jako prd bazy.
Take noniki mniejszociowe w obszarze kolektora, tj. dziury, s unoszone polem
elektrycznym zcza BC do obszaru bazy, ale ich ilo jest znacznie mniejsza od iloci
elektronów wstrzykni tych do obszaru bazy. Prd tych noników IsC mona opisa wycho-
dzc z równania zcza w odniesieniu do zcza BC i zakadajc ponadto, e napi cie
wsteczne tego zcza jest znacznie wi ksze od VT (26mV).:

§  U BC ·
IcCc I C0 ¨¨ exp  1¸¸ |  I C 0 (3.13)
© VT ¹

Uwzgl dniajc kierunek zastrzakowania prdu kolektora i obydwie jego skadowe

mona prd IC zapisa jako:

§ U · U
IC D F I E 0 ¨¨ exp BE  1¸¸  I C0 | D F I E 0 exp BE  I C0 (3.14)
© VT ¹ VT

Ze wzoru (3.14) wynika, e prd kolektora ma dwie skadowe: sterowan napi ciem
baza-emiter oraz niesterowan, zwan prdem wstecznym.
Proporcja podziau prdu emitera na prdy kolektora i bazy, czyli wspóczynnik DF,
jest wielkoci prawie sta dla danego tranzystora. Oznacza to, e mona np. zmienia
 63

warto prdu emitera wywoujc proporcjonalne zmiany prdów kolektora i bazy, albo
zmienia warto znacznie mniejszego prdu bazy, powodujc proporcjonalne zmiany
znacznie wi kszych prdów emitera i kolektora. Ten ostatni sposób sterowania tranzysto-
rem bipolarnym, zapewniajcy wzmocnienie prdowe, uzyska bardzo due znaczenie w
wielu ukadach elektronicznych.
Zapewnienie stanu aktywnego tranzystora i wywoanie przepywu prdów wymaga
doprowadzenia napi  nie tylko o odpowiednich zwrotach ale i wartociach. Zcze baza-
emiter, spolaryzowane w kierunku przewodzenia, zachowuje si podobnie do przewodz-
cej diody, tj. po przekroczeniu wartoci progowej (dla krzemu 0,6 V do 0,7 V, por. punkt
2.1), dalsze, nawet nieznaczne, przyrosty wartoci napi cia UBE (miliwoltowe) powoduj
silne zmiany prdu bazy IB, który moe zwi ksza si kilkadziesit czy kilkaset razy (w
zakresie mikro- i miliamperów). Z tego powodu okrela si , e tranzystor bipolarny jest
sterowany prdowo  prdem bazy  cz sto przyjmujc w uproszczeniu, e napi cie baza-
emiter jest stae.
Polaryzacj zcza baza-kolektor wprowadza si zwykle porednio, przez elektrody
emitera i kolektora. Poniewa:
UCB + UBE = UCE (3.15)
to przy prawie staej i niewielkiej wartoci UBE jest UCB | UCE zatem napi cie kolektor-
emiter powinno mie taki zwrot, aby spolaryzowa zcze BC w kierunku wstecznym, a
warto tego napi cia powinna by wi ksza od ok. 0,6 V. Maksymaln warto tego napi -
cia ogranicza moliwo wystpienia przebicia.
Tranzystor bipolarny mona te wprowadzi w stany inne anieli aktywny. Na przy-
kad zmniejszajc napi cie baza-emiter mona sprowadzi sterujcy prd bazy do zera, co
powoduje przerwanie prdu wyjciowego kolektora, ale nie cakowite, bo pozostaje nieste-
rowalny prd zerowy. Warto prdu zerowego jest zwykle pomijalnie maa wobec prdów
roboczych, a taki stan tranzystora nazywa si stanem zatkania, odci cia lub nieprzewodzenia.

a) b)
IC IB
UCE = const
,, ,
IB > IB
,
IB >0

IB= 0 UCE UBE

[1V]

Rys. 3.21. Charakterystyki: wyjciowe (a) i wejciowa (b) tranzystora bipolarnego

Zmniejszenie wstecznej polaryzacji zcza BC do zera, przy zachowaniu polaryzacji

przewodzenia zcza BE, wprowadza tranzystor w stan nasycenia, kiedy obydwa zcza s
zdolne do przewodzenia znacznych prdów przy maych napi ciach.
64

Mona te wprowadzi tranzystor w stan inwersyjnie aktywny, zamieniajc rolami

emiter z kolektorem. Pomimo e uproszczony rysunek, jak np. 3.20, sugeruje symetri bu-
dowy tranzystora, to jednak rzeczywista budowa (rys. 3.19) nie jest symetryczna. Skutkiem
tego dziaanie tranzystora w stanie inwersyjnie aktywnym jest podobne do dziaania w sta-
nie aktywnym, ale jego parametry techniczne ulegaj znacznym zmianom.
Na rys. 3.21a pokazano charakterystyki prdowo-napi ciowe IC(UCE) dla ustalonych
wartoci prdu bazy IB, okrelajce waciwoci obwodu wyjciowego tranzystora bipolar-
nego, gównie w stanie aktywnym. W tych samych wspórz dnych mona te przedstawi
charakterystyki odpowiadajce innym stanom. Na przykad charakterystyka pokazana na
rys. 3.21a dla IB = 0 odpowiada stanowi zatkania tranzystora bipolarnego, a prawie piono-
we odcinki charakterystyk pokazanych na rys. 3.21a odpowiadaj stanowi nasycenia. Na
rys. 3.21b pokazano charakterystyk obwodu wejciowego IB(UBE) przy ustalonej wartoci
napi cia kolektor-emiter.
Kade zcze ma okrelon pojemno, tak wi c i w tranzystorze bipolarnym mona
okreli nie mniej ni dwie pojemnoci. adunki zgromadzone w tych pojemnociach s
zwizane z napi ciami i prdami tranzystora. Mona wykaza, e prd kolektora IC jest
proporcjonalny do adunku elektrycznego QB zgromadzonego w obszarze bazy:
QB
IC (3.16)
tB

gdzie: tB  czas przelotu wstrzykni tych noników przez obszar bazy.

Wzór (3.16) mona zinterpretowa nast pujco: kadej wartoci prdu kolektora od-
powiada okrelony adunek zgromadzony w bazie, zatem kada zmiana prdu IC wymaga
zmiany adunku QB. Wymuszajc, nawet skokow, zmian prdu emitera i bazy do nowej
wartoci, powodujemy liniowe zmiany adunku zgromadzonego w bazie (dQ = i dt), a za-
tem i liniowe zmiany prdu kolektora, trwajce a do ustalenia wartoci tego prdu odpo-
wiadajcej nowej wartoci prdu emitera i bazy.

3.4.3. Podobiestwa i ró nice mi dzy tranzystorami

Opisane powyej odmiany tranzystorów, o rónej budowie i zjawiskach wewn trz-
nych, wykazuj, obok swoistych waciwoci, wiele cech podobnych, szczególnie z punktu
widzenia uytkowników.
Kady tranzystor ma okrelon odporno na doczane napi cia i prdy, zbyt due
napi cia powoduj przebicia elektryczne prowadzce cz sto do zniszczenie elementu, zbyt
due prdy powoduj pewne uszkodzenia. Ponadto moe wyst powa przegrzanie tranzy-
stora (przekroczenie maksymalnej temperatury pracy) powodujce bd cakowite znisz-
czenie, bd istotne pogorszenie innych parametrów tranzystora. Powodem przegrzania jest
wydzielenie nadmiernej mocy elektrycznej, zamieniajcej si w tranzystorze na ciepo
(strat z punktu widzenia uytkownika). Zatem moc, okrelona w uproszczeniu przez ilo-
czyn prdu i napi cia w obwodzie wyjciowym, jest te ograniczona. Z reguy ograniczenia
s takie, e jednoczesne wystpienie maksymalnych, dopuszczalnych wartoci prdu
 65

i napi cia powoduje wielokrotne przekroczenie dopusz-

I
czalnej mocy strat tranzystora. Na rys. 3.22 pokazano ty-
I max
powe rozmieszczenie ogranicze, okrelone jako tzw.
obszar bezpiecznej pracy  SOA (Safe Operating Area),
Pmax
na charakterystykach prdowo-napi ciowych tranzystora.
Kady tranzystor, w pewnym zakresie napi  polary- Umax
zujcych jego elektrody, zachowuje si jak sterowane ró-
do prdowe, tj. warto prdu wyjciowego I nie zaley U
(lub prawie nie zaley) od napi cia w obwodzie wyjcio-
wym U (charakterystyki I(U) obwodu wyjciowego rów- Rys. 3.22. Obszar
nolege, lub prawie równolege do osi U). W takich wa- bezpiecznej pracy
runkach, na schemacie funkcjonalnym, pokazanym na rys.
3.10, mona zamiast tranzystora wprowadzi sterowane ródo prdowe, jak pokazano na rys.
3.23, gdzie wielkoci Xwe, sterujc tym ródem jest: napi cie UGS jeeli ródo reprezentuje
tranzystor unipolarny, lub prd bazy IB w przypadku tranzystora bipolarnego.
Przedstawione na rys. 3.23 zastpienie tranzystora elementem, pozwalajcym na pro-
ste obliczanie obwodu elektrycznego, jest przykadem wprowadzania modeli zast pczych,
umoliwiajcych analiz ukadów elektronicznych zawierajcych elementy nieliniowe,
takie jak tranzystory.
Model zast pczy tranzystora moe by utworzony na podstawie teoretycznej analizy od-
powiednich zjawisk fizycznych, w postaci wzorów analitycznych, jak np. powyej przytacza-
ne wzory (3.7), (3.14) i im podobne. W takich przypadkach trzeba tworzy model moliwie
kompletny, zawierajcy np. opis matematyczny
pojemnoci, efektów przebiciowych i in., a take
poprawi zbieno modelu matematycznego z
wynikami pomiarowymi, wprowadzajc dodatko- R
we uzalenienia parametrów modelu od temperatu-
ry czy napi  w postaci dodatkowych wspóczyn- I (X we ) U
ników i funkcji. Modele budowane na tej drodze
do wiernie odpowiadaj rzeczywistym waciwo-
we
ciom tranzystorów, ale ich stopie komplikacji wy
rachunkowej jest znaczny. Takie modele, uywane
w programach symulacyjnych jak PSPICE, zawiera-
j po kilkanacie do kilkudziesi ciu parametrów, Rys. 3.23. Sterowane ródo prdo-
we jako ekwiwalent tranzystora
powizanych ukadem wielu równa, oczywicie
posugiwanie si tym modelem bez komputera nie
ma sensu.
Inne, znacznie prostsze, modele budowane s na bazie czwórnikowego, zlinearyzowa-
nego opisu tranzystora. Na rys. 3.24 pokazano tranzystory potraktowane jako czwórniki,
poniewa jedn elektrod tranzystora wykorzystuje si zarówno w obwodzie wejciowym
jak i wyjciowym, to istniej trzy róne ukady przetworzenia tranzystora w czwórnik. Na
rysunku pokazano najcz ciej uywane w elektronice przemysowej poczenia w ukadzie
OS i OE (wspólne ródo i wspólny emiter).
66

a) b)
ID IC
D C
IG G IB B
wy U DS wy UCE
UGS we U BE we
S E

Rys. 3.24. Tranzystor jako czwórnik: unipolarny w ukadzie wspólnego róda (a)
i bipolarny w ukadzie wspólnego emitera (b)

Linearyzacj tranzystora uzyskuje si zakadajc, e zmiany prdów i napi  w tran-

zystorze b d na tyle mae, e zwizki mi dzy nimi mona traktowa jako liniowe. Inaczej
oznacza to, e z rzeczywistych, nieliniowych charakterystyk tranzystorów wybiera si tylko
odcinki na tyle krótkie, aby mona byo traktowa je jako prostoliniowe. Taki typ lineary-
zacji zaznaczymy, uywajc w opisie symboli ', dla oznaczenia tylko zmiany (przyrostu)
odpowiedniej wielkoci. Powszechnie przyj to opis tranzystora unipolarnego macierz
parametrów konduktancyjnych yij, a tranzystora bipolarnego macierz parametrów hybry-
dowych hij, uzasadnienie wyboru takich macierzy mona znale  zarówno w analizie dzia-
ania jak i moliwociach pomiarowych tranzystorów.
Tranzystor unipolarny opisuje si równaniami:
'I G y11s 'U GS  y12s 'U DS
(3.17)
'I D y 21s 'U GS  y 22s 'U DS

a tranzystor bipolarny równaniami:

'U BE h11e 'I B  h12e 'U CE
(3.18)
'I C h 21e 'I B  h 22e 'U CE

Wspóczynniki wyst pujce w tych równaniach maj okrelony sens fizyczny. Wspó-
czynnik o indeksie 11 wie prd z napi ciem w obwodzie wejciowym i dlatego jest to
rezystancja lub konduktancja wejciowa, a wspóczynnik indeksowany 22 przedstawia
konduktancj wyjciow. Wspóczynnik z indeksem 12 wskazuje na oddziaywanie napi -
cia w obwodzie wyjciowym na obwód wejciowy, jest to oddziaywanie zwrotne w tran-
zystorze, cz sto pomijalnie mae. Wspóczynnik z indeksem 21 opisuje podstawow cech
tranzystora, to jest sterowalno prdu wyjciowego, wspóczynnik y21s nazywa si tran-
skonduktancj tranzystora unipolarnego, a wspóczynnik h21e wzmocnieniem prdowym
tranzystora bipolarnego.
Zmiany "'" prdów czy napi  mog by zrealizowane jako zmiana z jednej wartoci
staej w czasie, na inn warto sta w czasie, albo te mona do np. napi cia staego do-
da napi cie przemienne, którego podwójn amplitud mona wtedy traktowa jako war-
to "'". W takim przypadku, skutkiem istnienia pojemnoci w tranzystorach, pojawi si
zaleno parametrów czwórnikowych od cz stotliwoci wprowadzanego napi cia prze-
miennego. W zakresie maych cz stotliwoci ten wpyw jest zwykle pomijalnie may,
 67

parametry czwórnikowe s liczbami rzeczywistymi, niezalenymi od cz stotliwoci. Ina-

czej jest przy duych cz stotliwociach, kiedy wartoci parametrów ulegaj znacznym
zmianom. Szczególnie istotne jest obserwowane zmniejszenia wartoci parametru o indek-
sie 21, opisujcego wzmocnienie tranzystora. Zmniejszenie wzmocnienia jest podstaw do
zdefiniowania maksymalnej cz stotliwoci pracy tranzystora.
Równania (3.17) czy (3.18), nazywane modelami maosygnaowymi, mog by mody-
fikowane, czy to w kierunku ucilenia opisu np. przez wprowadzenie zespolonych wspó-
czynników yij lub hij, czy te mog by upraszczane przez odrzucanie skadników o mniej-
szych wagach np. przez przyj cie, e wspóczynniki o indeksie 12 maj warto zero. Rów-
naniom (3.17) i (3.18) odpowiadaj schematy elektryczne, nazywane schematami zast p-
czymi tranzystorów. Na przykad skrajnie uproszczonym schematem zast pczym tranzysto-
ra unipolarnego jest ródo prdowe pokazane na rys. 3.23. Taki schemat uzyskuje si za-
kadajc, e oprócz transkonduktancji y21, wszystkie inne parametry y maj warto zero.
Jak uprzednio wspominano, tranzystory stosuje si albo w ukadach analogowych albo
impulsowych. W ukadach analogowych wykorzystuje si moliwoci pynnego zmieniania
wartoci prdu za pomoc te pynnie zmienianego sygnau sterujcego. W tych przypad-
kach powyej przedstawione modele s dogodne do wykonywania oblicze projektowych.
W ukadach pracujcych impulsowo, logicznych lub cyfrowych tranzystor powinien
spenia rol "wycznika", cz ciej zwanego kluczem, pozwalajcego otwiera lub zamy-
ka obwód wyjciowy tak, aby prd w tym obwodzie zosta przerwany (lub prawie prze-
rwany) albo przeciwnie, aby prd wyjciowy przyj warto maksymaln, okrelon w
przyblieniu przez iloraz napi cia róda wyst pujcego w obwodzie wyjciowym przez
rezystancj obcienia (por. rys. 3.10).

u,i
we

iwy
1
0,9
0,1 t
0
td tr ts t
f
t on t off

Rys. 3.25. Okrelenie czasów przeczania tranzystorów

Do analizy ukadów, w których tranzystor pracuje dwustanowo, bardziej dogodne s

inne opisy i parametry tranzystorów. Przy maksymalnym prdzie napi cie mi dzy elektro-
dami wyjciowymi tranzystora silnie maleje, zwykle do wartoci mniejszej od 1 wolta, jed-
68

nake nie moe przyj wartoci zero. W takich warunkach spadek napi cia dren ródo
tranzystora unipolarnego jest zaleny prawie liniowo od prdu i dlatego jednym z wanych
parametrów tych tranzystorów przy pracy dwustanowej jest rezystancja w stanie wczenia
RDS(on). Inaczej w tranzystorze bipolarnym, spadek napi cia kolektoremiter nieznacznie zale-
y od prdu, dlatego parametrem tych tranzystorów jest napi cie kolektoremiter w stanie
nasycenia UCE(sat). Dla tranzystorów w stanie nieprzewodzenia w danych katalogowych okre-
la si warto prdu zerowego (lub prdu upywu) definiujc warunki jego pomiaru.
Proces przeczanie od stanu nieprzewodzenia do przewodzenia i odwrotnie jest opi-
sywany wartociami czasowymi zmian prdu tranzystora przy skokowym sygnale steruj-
cym, jak pokazano na rys. 3.25. Przy wczeniu tranzystora okrela si czas opó nienia (td)
i czas narastania (tr) prdu, których czna warto jest nazywana czasem zaczenia tran-
zystora ton, przy wyczaniu prdu okrela si czas magazynowania (ts, o wartoci zerowej
w tranzystorze unipolarnym) i czas opadania (tf) wyznaczajce czas wyczania toff.

3.5. Tyrystory
Tyrystory s elementami póprzewodnikowymi, których gówn cech jest skokowa
zmienno stanu elektrycznego w tzw. obwodzie gównym. W tym obwodzie tyrystory
albo mog przewodzi stosunkowo duy prd (dla najwi kszych tyrystorów do 5000 A)
przy maym spadku napi cia rz du 12 woltów, albo przy znacznych napi ciach (dla naj-
wi kszych tyrystorów do 6000 V) przepuszczaj prd o znikomo maej wartoci. Jednocze-
sne wystpienie stosunkowo duych prdów przy wi kszych napi ciach mi dzy elektroda-
mi gównymi jest niemoliwe (moe to wystpi tylko przejciowo, w trakcie szybkich
procesów zmiany stanu tyrystora). Tyrystory s póprzewodnikowymi elementami elektro-
nicznymi ale, jak wynika z przytoczonych danych, s zwykle stosowane przy duych war-
tociach mocy elektrycznej i dlatego zalicza si je do elementów energoelektronicznych.
Dwustanowa praca tyrystorów upodabnia je do czników elektrycznych, przeczanie
tyrystora z jednego stanu do drugiego nast puje pod wpywem elektrycznego sygnau ste-
rujcego doprowadzanego do elektrody sterujcej zwanej bramk. Sygna sterujcy ma
zwykle ksztat krótkiego impulsu prostoktnego, poniewa jego zadaniem jest tylko zaini-
cjowanie lawinowych procesów przeczania tyrystora. Procesy przeczania przebiegaj
zwykle szybko, w czasie kilku do kilkudziesi ciu mikrosekund, co pozwala realizowa
zamykanie i otwieranie obwodu gównego np. 50 lub wi cej razy w czasie jednej sekundy,
to znaczy z cz stotliwoci energetyczn 50 Hz, lub te z jeszcze wi ksz cz stotliwoci,
ale zwykle nie przekraczajc kilkunastu kiloherców.
Najstarsza odmiana tyrystora (opracowana w roku 1956) nazywa si tyrystorem trio-
dowym, ale cz sto jest nazywana skrótowo "tyrystor", natomiast do innych odmian stosuje
si w praktyce nazwy poszerzone o opis ich charakterystycznej cechy jak np. "tyrystor wy-
czalny prdem bramki". Wewn trzna budowa tyrystorów jest do zoona, w najprost-
szych konstrukcjach s to cztery warstwy póprzewodnika, na przemian typu p oraz n, od-
powiednio rozmieszczone przestrzennie.
 69

3.5.1. Tyrystor triodowy (tyrystor)

Symbol schematowy tyrystora i charakterystyk obwodu gównego pokazano na rys.
3.26. Elektrodami gównymi s anoda (A) i katoda (K), elektrod sterujc jest bramka (G).
Przy polaryzacji wstecznej (anoda ujemna  katoda dodatnia) tyrystor zachowuje si po-
dobnie jak dioda polaryzowana wstecznie, tj. w obwodzie gównym przewodzi bardzo may
prd wsteczny, o wartoci cz sto pomijalnej w praktyce projektowej. W sytuacji przeciwnej,
tj. przy dodatniej anodzie a ujemnej katodzie, tyrystor jest w jednym z dwu moliwych sta-
nów:
 stan blokowania  podobnie jak przy polaryzacji wstecznej, tj. w obwodzie gównym
may prd przy duych napi ciach,
 stan przewodzenia  w obwodzie gównym duy prd, przy spadku napi cia okoo 1 V,
podobnie jak w przewodzcej diodzie.

a) b) IA
IA
A
G U AK U AK
K

Rys. 3.26. Symbol schematowy (a) i charakterystyka gówna (b) tyrystora

Tyrystor znajdujcy si w stanie blokowania mona przeczy do stanu przewodzenia

krótkim impulsem bramkowym w obwodzie bramka-katoda. Tyrystor pozostaje w stanie
przewodzenia tak dugo, jak dugo b dzie podtrzymywany prd gówny, wyczenie tyry-
stora elektrod sterujc jest niemoliwe. Aby nastpio wyczenie tyrystora, tj. wyjcie ze
stanu przewodzenia, konieczne jest zmniejszenie jego prdu gównego, przez odpowiedni
obnik napi cia róda wymuszajcego ten prd. Cz sto przyjmuje si , e dla wyczenia
tyrystora naley zmniejszy jego prd gówny do zera, ale ucilenie brzmi: poniej pew-
nej, maej wartoci, zwanej prdem wyczenia tyrystora.
Uproszczony model budowy tyrystora pokazano na rys. 3.27a. Traktujc kade zcze
pn jako diod , mona tyrystor przedstawi jako szeregowe poczenie trzech diod, jak po-
kazano na rys. 3.27b. Taki model elektryczny tumaczy stany blokowania i polaryzacji
wstecznej jako stany nieprzewodzenia odpowiednich diod.
Aby wyjani proces zaczania tyrystora naley odwoa si do modelu dwutranzy-
storowego, pokazanego na rys. 3.27c. Traktujc umownie rozci te dwie cz ci tyrystora
jako dwa tranzystory bipolarne, jeden typu npn a drugi typu pnp, mona przeledzi nast -
pujcy proces. Wczenie prdu bramki odpowiada wczeniu prdu bazy tranzystora npn,
co powoduje przepyw prdu kolektora tego tranzystora. Prd kolektora tranzystora npn
jest jednoczenie prdem bazy tranzystora pnp, wysterowanie tranzystora npn prowadzi
wi c do wysterowania take tranzystora pnp. Prd kolektora tego tranzystora, wi kszy od
70

jego prdu bazy, pynie z kolei do bazy tranzystora npn, dodajc si do prdu bramki, który
zapocztkowa cay proces. Dzi ki dwukrotnemu wzmocnieniu, prd z ukadu zast pczych
tranzystorów, dodajcy si do prdu bramki wytworzonego przez obwód zewn trzny, jest od
niego wielokrotnie wi kszy. To powoduje, e w "drugim cyklu" wszystkie prdy tranzystora
npn, a take tranzystora pnp, staj si znacznie wi ksze ni na pocztku procesu zaczanie.

a) A b) c)
A
p A
E pnp
n B
C
n
G
p p
G G B C
npn E
n
K K
K
Rys. 3.27. Uproszczona budowa tyrystora (a), model diodowy (b) i model dwutranzystorowy (c)

Opisane zjawisko przebiega cigle w sposób lawinowy, tj. cigle nast puje narastanie
prdów obydwu tranzystorów, a wi c i prdu tyrystora. Zakoczenie procesu zaczania ma
miejsce dopiero wtedy, gdy inne, poza tyrystorem, elementy obwodu gównego (napi cie
róda i rezystancja) uniemoliwi dalszy wzrost prdu.
Czas trwania procesu zaczania wynika z pr dkoci noników elektronowych,
wstrzykiwanych z obszaru n (katodowego) i noników dziurowych, wstrzykiwanych z ob-
szaru p (anodowego) do wn trza struktury tyrystora oraz z gruboci jego warstw.
Jak wynika z modelu dwutranzystorowego, w stanie przewodzenia tyrystora obydwa
zast pcze (umowne) tranzystory wysterowuj si prdowo nawzajem, wobec czego inicju-
jcy prd bramki staje si niepotrzebny. To zjawisko obserwuje si jako utrat sterowalno-
ci po zaczeniu tyrystora. Powrót sterowalnoci nast puje dopiero po wyczeniu tyrysto-
ra i polega na moliwoci powtórnego zaczenia tego elementu.
Wyczenie tyrystora, jak wspomniano wyej, wymaga przerwania procesu wzajem-
nego wysterowywania si jego wewn trznych struktur przez odpowiednie ograniczenie
prdu obwodu gównego. Jeeli nawet spowoduje si zmniejszenie prdu do zera, to jesz-
cze wewntrz tyrystora pozostaje dua ilo uprzednio wstrzykni tych noników adunku
elektrycznego. Pene przywrócenie stanu, jaki by przed okresem przewodzenia, nastpi
dopiero po zaniku tych noników. Proces likwidacji noników odbywa si przez ich re-
kombinacj i moe by zintensyfikowany przez wyprowadzanie ich na zewntrz. Niezale-
nie od mechanizmu ten proces trwa przez pewien czas, zwany czasem wyczania tyrystora
lub czasem odzyskiwania waciwoci blokowania.
Wartoci czasów zaczania i wyczania konwencjonalnych tyrystorów triodowych
wynosz od kilkunastu do ponad stu mikrosekund, co pozwala na stosowanie ich przy nie-
zbyt wysokich cz stotliwociach pracy.
 71

3.5.2. Odmiany tyrystorów

Podstawowy typ tyrystora dobrze funkcjonuje w ograniczonej klasie ukadów energo-
elektronicznych. Jednak w innych klasach objawiaj si jego niedoskonaoci, co pocign -
o za sob intensywny rozwój podobnych elementów, stanowicych ulepszone modyfikacje
podstawowej struktury tyrystora. Zwykle poprawienie jakiej cechy tyrystora powoduje
zmian i innych parametrów, dlatego stosuje si liczne odmiany tyrystorów, odpowiednio
do wymaga stawianych przez okrelone ukady energoelektroniczne. Poniej wymienia
si tylko odmiany tyrystorów, ich bardziej szczegóowy opis stanowi domen energoelek-
troniki.
Tyrystory szybkie  skrócenie czasu zaczania i wyczania przez modyfikacje gru-
boci, domieszkowania i konfiguracji warstw póprzewodnika kosztem zmniejszenia do-
puszczalnych wartoci prdu i napi cia. Szczególne konstrukcje, praktycznie pozbawione
moliwoci zaworowych, s nazywane tyrystorami impulsowymi.
GATT  (Gate Assisted Turn off Thyristor)  skrócenie czasu wyczania i uatwienie
tego procesu przez wspomaganie wyczania sygnaem bramkowym. W niektórych uka-
dach wyczanie tyrystora odbywa si za pomoc dodatkowych obwodów elektrycznych
(komutacja wymuszona). W tych przypadkach mona uzyska zmniejszenie gabarytów i
masy elementów w dodatkowych obwodach oraz energii tam zuywanej, jeeli skraca si
czas procesu wyczania tyrystora. Zmniejszenie tego czasu (o kilkanacie procent) uzy-
skuje si wprowadzajc, jednoczenie z pocztkiem procesu wyczania w obwodzie ano-
dowym, take ujemny (odwrotny ni przy zaczaniu) sygna bramkowy. Taki sposób moe
by stosowany w niektórych tyrystorach konwencjonalnych lub w tyrystorach o zmodyfi-
kowanej konstrukcji, nazywanych wtedy tyrystorami z wyczaniem wspomaganym bram-
k lub tyrystorami typu GATT.
ASCR, RCT  (Asymmetric Silicon Controlled Rectifier, Reverse Conducting Thyri-
stor)  skrócenie czasu wyczania kosztem wytrzymaoci napi ciowej w kierunku
wstecznym. Dla zwi kszenia szybkoci przecze tyrystora modyfikuje si gruboci jego
warstw i profile domieszek w warstwach. Osigane skrócenia czasu wyczania o 3040%
w stosunku do struktur konwencjonalnych, ale zmniejsza si odporno tyrystora na dzia-
anie napi cia wstecznego. Napi cie przebicia wstecznego maleje do 3050 V podczas gdy
wytrzymao napi ciowa w stanie blokowania moe wynosi do 2 kV. Takie tyrystory
nazywane s asymetrycznymi  ASCR. Niektórzy wytwórcy produkuj struktur asyme-
tryczn scalon z dodatkow diod, poczon równolegle do tyrystora ale o przeciwnym,
ni tyrystor, kierunku przewodzenia. Tak wczona dioda powoduje, e caa struktura
przewodzi prd przy napi ciu wstecznym tyrystora ok.1V. Element nazywa si tyrystorem
wstecznie przewodzcym  RCT.
GTO  (Gate Turn Off) tyrystor wyczalny prdem bramki. Specjalna konstrukcja,
cz sto asymetryczna, tj. bez wytrzymaoci napi ciowej w kierunku wstecznym, zaczanie
impulsem bramkowym jak tyrystora konwencjonalnego oraz wyczanie te impulsem
bramkowym, ale o ujemnej polaryzacji i o znacznie wi kszej wartoci prdu anieli przy
zaczaniu. Wymaga rozbudowanych ukadów sterowania i zabezpiecze.
72

TRIAC  (TRIode Alternating Current switch)  tyrystor dwukierunkowy, moe

przewodzi prd w obydwu kierunkach. Struktura pi ciowarstwowa pnpnp ma dwie
elektrody gówne i elektrod sterujc, czyli bramk . Przy dowolnej polaryzacji obwodu
gównego moe by przeczona ze stanu nieprzewodzenia do stanu przewodzenia impul-
sem bramkowym. Wyczenie jak w tyrystorze konwencjonalnym, tj. przez obnienie pr-
du gównego do zera. Tyrystor dwukierunkowy zachowuje si podobnie jak dwa tyrystory
zwyke, poczone równolegle, ale o przeciwnych kierunkach przewodzenia. Element
skonstruowany do zastosowa przy prdzie przemiennym.
MCT  (MOS Controlled Thyristor)  obwód gówny jest struktur czterowarstwow,
podobnie jak w innych tyrystorach, sterowanie za pomoc dwu tranzystorów unipolarnych
MOS scalonych w strukturze tyrystora. Cz sto element asymetryczny, o duej szybkoci
przecze, z moliwoci zarówno zaczenia jak i wyczenia bramkowego. Jest to grupa
tyrystorów intensywnie rozwijana od drugiej poowy lat osiemdziesitych, rokujca nadzie-
j na znaczne usprawnienie nowoczesnych ukadów energoelektroniki.

3.6. Elementy optoelektroniczne

wiato padajce na póprzewodnik moe by: odbite, pochoni te lub przepuszczone
(prze roczysto póprzewodnika). Tylko wiato pochoni te wywouje efekty elektryczne
w póprzewodniku, polegajce na zwi kszeniu koncentracji swobodnych noników prdu.
Pochoni ty w póprzewodniku foton przekazuje swoj energi elektronowi walencyjnemu,
wyzwalajc go z wizania, powoduje to powstanie swobodnego elektronu i swobodnej dziury.
Aby nastpio uwolnienie elektronu z wiza mi dzyatomowych energia kwantu pro-
mieniowania musi by wi ksza od energii pasma zabronionego WG.
hc
hQ ! WG (3.19)
O
gdzie: h  staa Plancka,
Q  cz stotliwo fali wietlnej,
O  dugo fali wietlnej,
c  pr dko wiata.

Z tego warunku mona wyznaczy maksymaln dugo fali, która jest w stanie spo-
wodowa generacj pary noników. Fale o wi kszej dugoci s przepuszczane przez pó-
przewodnik, czyli dla strumienia fotonów o zbyt maych energiach póprzewodnik jest
prze roczysty. Dla krzemu próg dugofalowy mieci si w zakresie podczerwieni i dlatego
dla wiata widzialnego krzem jest nieprze roczysty.
Pochoni te fotony, o wystarczajcych energiach, wywouj dodatkow generacj par
noników dziura-elektron, powodujc wzrost koncentracji noników obydwu typów ponad
warto równowagow, waciw dla danej temperatury. Ilo par noników generowanych
fotoelektrycznie w jednostce obj toci póprzewodnika i w jednostce czasu jest proporcjo-
nalna do mocy strumienia wietlnego padajcego na powierzchni póprzewodnika, a od-
wrotnie proporcjonalna do energii fotonu hQ.
 73

Stan powierzchni póprzewodnika, kt padania oraz energia fotonu decyduj o tym,
czy zderzenie fotonu z powierzchni wywoa wnikni cie do wn trza krysztau, czy odbicie
od powierzchni. Dla fotonów o duych energiach wzrasta prawdopodobiestwo odbicia od
powierzchni póprzewodnika, a maleje prawdopodobiestwo pochoni cia.
W analizie zjawisk fotoelektrycznych
uwzgl dnia si jeszcze g boko absorbcji,
czyli skutki zrónicowania g bokoci, na któ- S
rej nast puje absorbcja fotonu w póprzewodni-
ku. Niektóre fotony przekazuj swoj energi
elektronom blisko powierzchni, przez któr
wnikn y do póprzewodnika, inne przesuwaj
si wewntrz krysztau nawet na g boko F C
M
kilku milimetrów. W zwizku z tym, e prak-
tyczna grubo pytki póprzewodnika jest oko- Rys. 3.28. Charakterystyka widmowa czu-
o jednego milimetra, to oprócz tego, e na ró- oci S krzemu
nych g bokociach powstaj pary noników,
moe take nastpi przelot fotonu przez ca grubo pytki. Dla tego fotonu pytka jest
prze roczysta. Przezroczysto póprzewodnika jest bardziej prawdopodobna dla fotonów
o wi kszych energiach.
Powyej wzmiankowane zjawiska ksztatuj tzw. charakterystyk widmow póprzewod-
nika, przykad pokazano na rys. 3.28, wskazujca na skuteczno oddziaywania wiata o ró-
nych dugociach fali O (i odpowiadajcych im barwach) na póprzewodnik. Dla krzemu mak-
simum wraliwoci na promieniowanie wyst puje przy podczerwieni, dla wiata widzialnego
(zaznaczonego na rysunku. jako pasmo od fioletu F do czerwieni C) krzem jest mniej wraliwy.
Fotoelektryczny przyrost koncentracji noników, ponad równowagow dla danej tem-
peratury, dotyczy zarówno noników wi kszociowych, jak i mniejszociowych; ale
wzgl dny (procentowy) przyrost koncentracji noników wi kszociowych zwykle jest nie-
znaczny, podczas gdy wzgl dny przyrost koncentracji noników mniejszociowych moe
by bardzo duy, koncentracja tych noników moe zwi kszy si wielokrotnie, zalenie
od owietlenia póprzewodnika.

3.6.1. Fotodioda
Zcze pn umieszczone w obudowie umoliwiajcej dost p wiata nazywa si foto-
diod. Przy owietleniu zcza nast puje wzrost koncentracji noników ponad równowa-
gow dla danej temperatury, co zakóca stan równowagi elektrycznej zcza. Wzgl dny
przyrost koncentracji noników wi kszociowych jest nieznaczny, wi c i wzgl dny wzrost
prdów dyfuzyjnych jest nieznaczny. Wzgl dny wzrost koncentracji noników mniejszo-
ciowych moe by bardzo duy, co powoduje duy przyrost prdów unoszenia, tworz-
cych prd wsteczny zcza.
Z tego powodu, w wielu zastosowaniach technicznych, wykorzystuje si waciwoci
fotoelektryczne zcza przy polaryzacji wstecznej. Prd wsteczny fotodiody nieowietlonej,
zwany prdem ciemnym, po owietleniu zwi ksza si o warto wprost proporcjonaln do
74

mocy strumienia wietlnego. Przy intensywnym

I owietleniu prd wsteczny zcza moe zwi kszy si
wielokrotnie.
Na rys. 3.29 pokazano statyczne charakterysty-
ki prdowo-napi ciowe fotodiody, na których mo-
U na zauway, e w stanie przewodzenia wpyw
I =0 owietlenia na przebieg charakterystyki jest stosun-
kowo niewielki, podczas gdy przy polaryzacji
I >> 0 wstecznej charakterystyki dla rónych strumieni
wiata róni si mi dzy sob znacznie.
W stanach dynamicznych, przy zmianach
Rys. 3.29. Charakterystyki fotodiody
owietlenia wyst puje opó nianie zmian prdu foto-
elektrycznego wzgl dem zmian strumienia wietl-
nego. Spowodowane to jest skoczon szybkoci przemieszczania si noników przez
obszar zcza, a take ich czasem ycia, powodujcym e np. po skokowym zaciemnieniu
prd zanika stopniowo, odpowiednio do stopniowego zmniejszania si koncentracji rekom-
binujcych noników.
Warto dostrzec, e charakterystyki owietlonej fotodiody przebiegaj take przez IV
wiartk ukadu wspórz dnych, co wiadczy o wystpieniu take zakresu generatorowego.
Jak wspomniano powyej owietlenie zcza zakóca zerowy bilans zjawisk dyfuzji i
unoszenia powodujc wzrost wartoci prdów unoszenia ponad dyfuzyjne. Jeeli elektrody
owietlonej fotodiody s zwarte, to obserwuje si wypadkowy prd pyncy w takim kie-
runku jak prd wsteczny zcza, warto tego prdu jest proporcjonalna do nat enia
owietlenia. Jeeli owietlon fotodiod pozostawi si w stanie rozwarcia to nast puje a-
dowanie obszarów p oraz n tak, aby nastpio zwi kszenie prdów dyfuzyjnych do warto-
ci kompensujcej zwi kszone prdy unoszenia. Temu odpowiada wytworzenie napi cia,
pomi dzy obszarami p oraz n, o wartoci nie wi kszej od napi cia bariery potencjau. Sta-
nom porednim pomi dzy zwarciem a rozwarciem odpowiadaj napi cia i prdy pokazane
na charakterystykach statycznych w IV wiartce ukadu wspórz dnych.
W ten sposób owietlona fotodioda moe sta si ródem energii elektrycznej, jeeli
doczy si do niej jakiekolwiek obcienie. Dobór wartoci optymalnego obcienia jest
do trudny, wymaga to zazwyczaj odpowiednich ukadów regulacji. Napi cie pojedynczej
fotodiody jest mniejsze od jednego wolta, prd, zalenie od powierzchni zcza i owietle-
nia, przyjmuje wartoci tysi cznych lub setnych cz ci ampera, dla otrzymania znaczcych
mocy trzeba wi c czy wiele fotodiod szeregowo i równolegle w tzw. baterie, umoliwia-
jce przetworzenie energii np. sonecznej w elektryczn.

3.6.2. Fototranzystor
Fototranzystor ma najcz ciej struktur bipolarn, owietlany jest obszar bazy. Foto-
elektryczna generacja par noników wywouje dwa skutki:
1) noniki mniejszociowe, generowane w bazie, s unoszone do obszaru kolektora i sta-
nowi cz  prdu kolektora;
 75

2) noniki wi kszociowe, generowane w bazie, cz ciowo kompensuj adunki jonowe i

obniaj w ten sposób barier potencjau na zczu emiterowym.
To drugie zjawisko umoliwia wstrzykiwanie noników z emitera do bazy, jak przy kon-
wencjonalnym dziaaniu tranzystora bipolarnego. Strumie tych noników stanowi znaczn
cz  prdu kolektora.
Dzi ki akcji tranzystorowej fotoelektryczny prd kolektorowy jest znacznie wi kszy,
anieli prd podobnej fotodiody. Inaczej okrelajc, czuo fototranzystorów jest kilka-
dziesit razy wi ksza anieli czuo fotodiod. Ze wzgl du na pojemno obydwu zczy
szybko zmian fotoprdu w tranzystorach jest znacznie mniejsza anieli w fotodiodach.
Parametry fototranzystorów okrela si podobnie jak tranzystorów konwencjonalnych, po-
dobne s te ich charakterystyki wyjciowe.
Fototranzystory wytwarzane s jako elementy dwuelektrodowe (emiter-kolektor) lub
trójelektrodowe, z elektrod bazy, co umoliwia kombinowane, optyczno-elektryczne, ste-
rowanie prdem kolektora.

3.6.3. Diody wiecce

Przepyw prdu przewodzenia przez zcze pn polega na przemieszczaniu si noni-
ków wi kszociowych do obszarów o przeciwnym typie przewodnictwa (zob. p. 2.1). Te
noniki, po przejciu przez zcze, ulegaj rekombinacji, z czym zwizany jest zwrot ener-
gii, uprzednio pobranej przy uwalnianiu elektronów z wiza. Zwrot energii nast puje pod
postaci ciepa i pod postaci promieniowania. Tak wi c w kadej diodzie, przez któr
przepywa prd przewodzenia, nast puje wydzielanie energii.
Proporcje pomi dzy iloci energii przemienianej na ciepo wewntrz zcza pn a ilo-
ci energii wypromieniowanej na zewntrz zcza s róne. Na przykad w krzemie wi k-
szo energii odzyskiwanej w procesie rekombinacji (okoo 99%) powoduje podgrzanie
diody, a tylko niewielka cz  jest wypromieniowana jako promienie podczerwone. W z-
czach ze zwizków galu (arsenek, fosforek) energia promieniowana stanowi do du
cz  (do kilkudziesi ciu procent) energii odzyskiwanej w procesie rekombinacji.
Wyrónia si dwa mechanizmy promieniowania: spontaniczny i wymuszony. Promie-
niowanie spontaniczne wykorzystuje si w diodach elektroluminescencyjnych, natomiast
promieniowanie wymuszone w diodach laserowych.
Dioda elektroluminescencyjna (LED  Light Emitting Diode), zasilana prdem prze-
wodzenia, promieniuje wiato o cz stotliwoci zalenej od szerokoci pasma zabronionego
Q = WG/h (por. wzór (3.19)). Oprócz promieniowania o tej cz stotliwoci pojawiaj si fale
i o innych cz stotliwociach, poniewa rekombinujce noniki mog mie energie z ró-
nych poziomów pasma przewodnictwa i przeskakiwa na róne poziomy pasma walencyj-
nego. Przez dobór odpowiednich materiaów (np. kompozycja arsenku i fosforku galu)
i technologii wykonania zcza pn mona modyfikowa promieniowany kolor od zielonego
przez óty, czerwony a do podczerwieni.
Podstawowymi parametrami diod elektroluminescencyjnych s parametry optyczne,
jak pasmo promieniowanych dugoci fal (z przedziau 550 d0 950 nm) i moc promienio-
76

wana (0,2 do 2 mW) oraz parametry elektryczne, jak dopuszczalny prd przewodzenia (10
do 300 mA) i spadek napi cia przy przewodzeniu (1,5 do 3,5 V).
Dioda laserowa (LASER  Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
dziaa na podstawie zjawiska promieniowania wymuszonego. Warunkiem promieniowania
wymuszonego jest inwersja obsadzenia stanów czyli wywoanie takiej sytuacji, e w pa-
mie przewodnictwa jest wi cej elektronów anieli pozostao ich w pamie walencyjnym.
Jeeli w takiej sytuacji w póprzewodniku pojawi si foton o waciwej energii, to nastpi
jednoczesny powrót elektronów do pasma walencyjnego, czemu towarzyszy emisja pro-
mieniowania o duym nat eniu i praktycznie jednej dugoci fali (promieniowanie mono-
chromatyczne). Poniewa promieniowanie ma miejsce dopiero po pobudzeniu póprze-
wodnika fotonem, to jest ono nazywane wymuszonym.
W zczu pn inwersj obsadzenia uzyskuje si stosujc bardzo silne domieszkowanie
oraz du warto prdu przewodzenia (g sto ponad 10 A/mm2, tj. 1020 razy wi cej
anieli w innych diodach). Fotony wzbudzajce promieniowanie wymuszone pochodz z
emisji spontanicznej, która w ograniczonym zakresie zawsze wyst puje.
Dioda laserowa ma specyficzn konstrukcj ,
pokazan na rys. 3.30. Dwie z bocznych po-
wierzchni prostopadociennej diody s gadkie, a
dwie matowane. Fotony emitowane spontanicznie i
trafiajce w boczne powierzchnie matowane s
usuwane na zewntrz diody, a fotony padajce na
powierzchnie gadkie s odbijane mi dzy nimi. Te
p fotony stanowi pobudzenie promieniowania wy-
n muszonego, które wydostaje si przez gadkie
cianki w postaci wizki wiata prawie monochro-
matycznego o maym kcie rozwartoci.
Akcja laserowa w diodzie wyst puje jeeli
prd przewodzenia przekroczy warto progow,
Rys. 3.30. Dioda laserowa
przy mniejszych prdach dioda emituje promienio-
wanie spontaniczne, o szerszym pamie. Poniewa
warto progowa prdu akcji laserowej jest znaczna, to cz sto dla ograniczenia nagrzewa-
nia stosuje si prac impulsow, impulsom prdu odpowiadaj impulsy wietlne, cz stotli-
wo impulsowania moe by do znaczna, rz du setek megaherców.

3.6.4. Transoptory
Transoptorem nazywa si par zoon z diody wieccej jako nadajnika wiata i ele-
mentu czuego na wiato jako odbiornika, zamkni tych w jednej obudowie. Nadajnikiem
jest najcz ciej dioda elektroluminescencyjna a odbiornikiem fotodioda, fototranzystor lub
inny element fotoelektryczny. Elementy lokuje si tak, aby wiato wydzielane przez diod
emitujc padao na odbiornik. Dla zapewnienia prawidowego poprowadzenia strumienia
wietlnego stosuje si wiatowód, np. w postaci przezroczystego kleju epoksydowego, jak
pokazano na rys. 3.31.
 77

a) b) A K
A
p
n K

E
n
p
n
C
C E

Rys. 3.31. Transoptor zawierajcy LED i fototranzystor, budowa (a), schemat (b)

Wejciem transoptora jest dioda emitujca, a wyjciem np. fototranzystor. Ilo wia-
ta wydzielanego przez diod wiecc jest proporcjonalna do prdu wejciowego, a prd
fototranzystora jest proporcjonalny do iloci odbieranego wiata. W ten sposób sterujc
prdem diody emitujcej powoduje si zmian prdu fototranzystora  mona wi c przeka-
zywa np. impulsy prdu elektrycznego za porednictwem wiata. W takiej sytuacji obwo-
dy elektryczne s odseparowane galwanicznie, tj. nie ma pocze elektrycznych mi dzy
nimi, ale jest zapewnione przekazywanie sygnaów prdowych.
Parametry elektryczne transoptora to parametry obwodu wejciowego (diody wiec-
cej), parametry obwodu wyjciowego (fototranzystora) i parametry przejciowe, jak np.
stosunek prdu wyjciowego do wejciowego, maksymalna cz stotliwo impulsowania,
wytrzymao elektryczna izolacji pomi dzy obwodem wejciowym a wyjciowym i in.
Podobnie moe by skonstruowane cze optoelektroniczne, w którym odlego po-
mi dzy nadajnikiem wiata o odbiornikiem jest dua  do dziesitków kilometrów. W
takim przypadku dla prowadzenia wiata stosuje si cienkie wókna szklane, obj te
ochronnym paszczem i zwane kablem wiatowodowym.
4. MIKROELEKTRONIKA, ENERGOELEKTRONIKA

W odlegej przeszoci kultury i cywilizacji mona odnale  pocztki dylematu poj -

ciowego: materia  idea. To rozrónienie pojawiao si w filozofii i innych dziedzinach
wiedzy, a take w yciu codziennym, jako przeciwstawienia: ciao  dusza, sia  rozum i
temu podobnych. W epoce nowoytnej materia staa si przedmiotem zainteresowania nauk
cisych jak fizyki, chemii, biologii i in. dzi ki czemu szereg poj  uzyskao do cise
definicje, wykryto liczne zalenoci i prawa po einsteinowskie stwierdzenie równowano-
ci masy i energii. Równolegle z opracowaniami naukowymi, szczególnie fizyków, liczne
zagadnienia z tej dziedziny stay si te przedmiotem zainteresowania techniki dla prak-
tycznego ich wykorzystania.
Inaczej toczya si historia stosunku ludzi do zjawisk z gatunku "idea". Prawdopodob-
nie od zarania kultury zdawano sobie spraw z tego, e istnieje co takiego jak wiadomo
lub wiedza, lub  jak dzisiaj to si okrela  informacja, ale jako co niematerialnego trak-
towano to zupenie inaczej anieli zjawiska materialne. Taki stan utrzymywa si bardzo
dugo i dopiero w ostatnich kilkudziesi ciu latach zacz to wprowadza tu zmiany. Zmiany
te zostay zapewne wywoane rozwojem technik przesyu wiadomoci, co pocign o za sob
konieczno podejcia technicznego do tej dziedziny. Brak wyczerpujcych bada podstawo-
wych powoduje, e problemy dotyczce informacji nie s tak ucilone i jednoznacznie zdefi-
niowane jak problemy fizyczne. Jednak silny zwizek elektroniki z technicznym podejciem
do informacji nakazuje zwrócenie uwagi na t problematyk w tym skrypcie.
Techniczne podejcie do informacji charakteryzuje si cakowitym pomini ciem treci
czy sensu informacji, natomiast zainteresowaniem si form informacji i procesami, jakim
moe ona podlega. Do procesów takich nale:
 przechowywanie informacji,
 przesy informacji,
 przetwarzanie informacji.
W kadym przypadku informacja, jako abstrakt, musi zosta zwizana z materialnym no-
nikiem, który moe by poddawany zabiegom technicznym. Istnieje bardzo wiele sposobów
zwizania informacji z nonikami, poczynajc od kucia napisów na kamieniu do odpowiednie-
go namagnesowania drobnych fragmentów powierzchni komputerowego twardego dysku.
Techniki przesyu, przetwarzania i przechowywania informacji musz by nie tylko dostoso-
wane do typu nonika, ale take uwzgl dnia niektóre "wrodzone" cechy samej informacji.

4.1. Sygna elektryczny, energia elektryczna

W procesach przesyu i przetwarzania bardzo dogodne jest korzystanie z napi cia i
prdu elektrycznego jako nonika informacji. W takim przypadku uywa si nazwy "sygna
elektryczny" dla podkrelenia faktu, e nadrz dnym czynnikiem jest informacja, a prd czy
napi cie s tylko jej nonikiem. Z dowiadczenia wynika, e zwykle przesy czy przetwa-
 79

rzanie sygnaów elektrycznych moe odbywa si przy stosunkowo maych prdach i na-
pi ciach, czyli przy maym poziomie mocy elektrycznej, ale wymaga do cz sto skompli-
kowanych operacji technicznych na sygnale. Do takich celów zostay rozbudowane ukady
elektroniczne, niekiedy o duym stopniu zoonoci, ale pracujce przy maej mocy. Do
tych ukadów mona stosowa ogólne poj cie "mikroelektronika", obejmujce zarówno ich
zastosowanie do obróbki sygnaów, jak i technologi pozwalajc na budow skompliko-
wanych urzdze o maych wymiarach.
Napi cie i prd elektryczny s te powszechnie uywanymi nonikami energii. Obec-
nie uwaa si , e energia elektryczna jest najbardziej uniwersaln i najczystsz form ener-
gii, umoliwiajc atwy przesy od miejsca uzyskania do miejsca uytkowania, a take
atwe przetwarzanie na inne, dogodne dla okrelonych celów technicznych postacie (me-
chaniczna, cieplna i in.). Jedyn powan wad energii elektrycznej jest niemono jej
magazynowania. W procesach przesyu i uytkowania energii elektrycznej cz sto wyst pu-
je konieczno przeksztacenia jej parametrów technicznych (napi cia i prdu).
Jedno z takich przeksztace realizuj konwencjonalne transformatory energetyczne,
zmieniajce warto napi cia przy prdzie przemiennym. Inne przeksztacenia, jak na przy-
kad zmiana prdu przemiennego na stay czy zmiana cz stotliwoci prdu, wymagaj od-
powiednich urzdze przeksztacajcych. Obecnie takie przeksztatniki budowane s na
bazie elektronicznych elementów póprzewodnikowych. Przeksztatniki energii elektrycz-
nej projektowane s zazwyczaj tak, aby umoliwiay przetwarzanie znacznych mocy. Do
tego rodzaju ukadów oraz elementów stosuje si nazw "energoelektroniczne", dla pod-
krelenia ich przeznaczenia oraz zwykle, relatywnie duej mocy.
Tak wi c wielkoci elektryczne (prd, napi cie) poddawane przetworzeniom w uka-
dach elektronicznych, mog mie dwojaki charakter: sygnau elektrycznego nioscego in-
formacj lub nonika energii elektrycznej. To rozrónienie, w niektórych sytuacjach ca-
kowicie oczywiste, w innych przypadkach moe by rozmyte. Tak jak kady sygna ma
pewne parametry energetyczne (np. moc), tak i kad form energii elektrycznej mona
powiza z pewn informacj (np. obniona warto napi cia w gniazdku wtykowym nie-
sie informacj o przecieniu systemu energetycznego). Waniejszym od prób ustalania
granic ilociowych jest ustalenie priorytetów technicznych.
Jeeli, obok uzyskania zaoonych parametrów technicznych, podstawowym zadaniem
jest zachowanie nieznieksztaconej informacji, to mamy do czynienia z przetwarzaniem
sygnaów, jeeli natomiast nadrz dnym wymaganiem jest wysoka sprawno, to dotyczy to
przeksztacania energii. Tak wi c rónice mi dzy mikroelektronik a energoelektronik
sprowadzaj si nie tylko do rónic w parametrach ilociowych, ale te rónic jakocio-
wych, polegajcych na odmiennym ustaleniu priorytetowych zada technicznych.

4.2. Sygna analogowy a sygna cyfrowy

Wielkoci, szczególnie dotyczce procesów technicznych, mona podzieli na cige i
niecige. Wielkociami cigymi s takie, których moliwie wiernym modelem jest mate-
matyczna funkcja ciga; do tej grupy nale: pr dko, temperatura, napi cie itp. Wielko-
80

ciami niecigymi s takie, których moliwie wiernym modelem jest matematyczna funk-
cja nieciga; do tej grupy nale takie wielkoci jak stan ustawienia zaworów dwupooe-
niowych (zamkni te  otwarte), stan nagrzewnic elektrycznych sterowanych stycznikami
(wyczone  zaczona 1 sekcja  zaczone 2 sekcje  ...), liczba wyprodukowanych
sztuk okrelonego produktu itp. Sygnay, przenoszce informacje o wielkociach cigych
lub niecigych, powinny by dostosowane do ich charakteru.
Prost form sygnaów otrzymuje si np. w metrologii elektrycznej wielkoci nieelek-
trycznych, stosujc przetworniki wytwarzajce napi cie lub prd proporcjonalne do innej
wielkoci fizycznej. W takim przypadku wielko elektryczna jest odzwierciedleniem czyli
analogiem innej wielkoci, a sygna nazywamy analogowym. Sygna analogowy (napi -
ciowy lub prdowy) jest cig funkcj czasu: u(t) lub i(t).
Na przykad napi cie na kocówkach termoelementu (termopary) zmienia si tak, jak
zmienia si temperatura spoiny termoelementu. Mierzc to napi cie, odpowiednio wyska-
lowanym woltomierzem, moemy odczytywa wprost temperatur , czyli uzyskiwa infor-
macj o temperaturze obiektu z zainstalowanym termoelementem. Dla prawidowego od-
czytu konieczne jest waciwe dobranie zakresu woltomierza, poprowadzenie prawidowej
instalacji ewentualnie dobór innych elementów obwodu pomiarowego. Warto zauway, e
w tym przykadzie kady uchyb pomiaru napi cia powoduje znieksztacenie informacji o
temperaturze obiektu.
Prawidowy dobór aparatury do obróbki sygnau analogowego wymaga znajomoci cech
tego sygnau, czyli znajomoci funkcji u(t) lub i(t). Jednak zazwyczaj dokadne, matematyczne
postacie tych funkcji nie s znane a priori, dlatego stosuje si róne sposoby opisu sygnau,
umoliwiajce wyciganie wniosków projektowych i konstrukcyjnych. Wan cech sygnaów
analogowych jest konieczno zachowania duej dokadnoci w ich obróbce.
Sygnay odpowiadajce wielkociom niecigym nazywane s dyskretnymi. Szczegól-
nym, acz bardzo szeroko rozpowszechnionym przypadkiem sygnaów dyskretnych, s sy-
gnay cyfrowe.
Na przykad sygna elektryczny, przekazujcy informacj z tamy produkcyjnej o licz-
bie wyprodukowanych konserw, zwykle ma posta impulsów wytwarzanych wg zasady:
jedna sztuka  jeden impuls. Tak wi c jest to dyskretny sygna dwustanowy, zmieniajcy
si w pewnych momentach (czasu) ze stanu "brak impulsu" na stan "impuls" lub odwrotnie.
Bardzo wan zalet takiego sygnau s minimalne wymagania co do dokadnoci. Warto
napi cia odpowiadajcego impulsowi musi tylko zdecydowanie róni si od wartoci od-
powiadajcej brakowi impulsu. Pozwala to na przyj cie dwu przedziaów dopuszczalnych
wartoci sygnau, rozdzielonych przedziaem wartoci niedozwolonych. Na przykad sta-
nowi "impuls" moe odpowiada warto napi cia od 5 do 15 woltów, a stanowi "brak
impulsu" warto od 0 do 2 woltów. Z tego wynika, e bezwzgl dna warto sygnau dys-
kretnego nie jest wana dla wiernoci przenoszonej informacji, co agodzi wymagania od-
nonie dokadnoci obróbki tych sygnaów.
Aby uzyska informacj o liczbie wyprodukowanych sztuk, np. od pocztku zmiany,
trzeba zastosowa licznik impulsów, którego stan b dzie wzrasta o jeden pod wpywem
kadego doprowadzonego impulsu. Stan licznika elektronicznego moe by uzewn trznio-
ny dwojako: wywietlenie odpowiednich cyfr w sposób czytelny dla obsugi oraz uformo-
 81

wanie sygnaów elektrycznych, prezentujcych zawart w nim liczb . Takie wanie sygna-
y dyskretne, niosce informacj o liczbie, przedstawionej w sposób umowny (zakodowa-
ny), nazywa si sygnaami cyfrowymi.
Sygnay cyfrowe zachowuj informacj , nawet przy niewielkiej dokadnoci ich pa-
rametrów napi ciowych czy prdowych. To pozwala do atwo dokonywa dalszych ope-
racji na takich sygnaach. W powyszym przykadzie, zliczania sztuk, mona przewidywa
np. take obliczanie iloci opakowa zbiorczych, obliczanie wydajnoci (liczba
sztuk/godz.) i innych danych.
Zalety techniczne sygnaów cyfrowych wywoay ich coraz szersze zastosowania.
Oczywistym przykadem jest obserwowany rozwój technik komputerowych. Te techniki
wykroczyy poza progi specjalizowanych orodków obliczeniowych i wypieraj skutecz-
nie, w postaci ukadów mikroprocesorowych, inne rozwizania uprzednio stosowane w
automatyce, metrologii i podobnych dziedzinach. Wiele urzdze pomiarowych, regulacyj-
nych, sterujcych, które poprzednio przetwarzay informacje przekazywane sygnaami ana-
logowymi, obecnie realizuje si korzystajc z sygnaów cyfrowych. Pojawiaj si take
nowe dziedziny, np. robotyka, których rozwój jest niemoliwy bez wprowadzenia cyfro-
wych technik obróbki informacji.
Zastosowanie sygnaów cyfrowych rozszerza si take na przenoszenie informacji o
wielkociach cigych, dla których bardziej "naturaln" form s sygnay analogowe. Dla
takich celów opracowano ukady przetwarzania sygnaów analogowych na cyfrowe i od-
wrotnie. Tego rodzaju ukady znane s pod nazw przetworników A/C (analogowo-
cyfrowych) lub A/D (Analog to Digital) i przetworników C/A lub D/A.

4.3. Zakócenia, szumy, dryft

W rzeczywistych warunkach pracy urzdze przesyajcych czy przetwarzajcych sy-
gnay elektryczne obserwuje si dodatkowe, zmienne w czasie, napi cia i prdy, których
róda nie s zaprojektowane przez konstruktorów. Te dodatkowe napi cia nazywa si za-
kóceniami lub szumami lub dryftem, odpowiednio do tego, co jest ich rzeczywist przy-
czyn i jaki maj one charakter.
Powodem wystpienia zakóce s zmienne w czasie pola elektromagnetyczne, wy-
twarzane przez inne obiekty anieli ten, w którym s obserwowane. Znane zjawisko induk-
cji elektromagnetycznej dziaa take przy oddaleniu obwodów elektrycznych. Np. prze-
pyw zmieniajcego si prdu w przewodzie trakcyjnym, zasilajcym elektrowóz pocigu,
powoduje powstanie napi  we wszystkich przewodach elektrycznych, zarówno poczo-
nych w ukady jak i w niepoczonych, znajdujcych si w pobliu, lub w oddaleniu, od
torowiska. Wartoci tych napi  s stosunkowo niewielkie i malej ze wzrostem odlegoci
od obiektu, który je wywouje.
W urzdzeniach zaprojektowanych do przetwarzania sygnaów elektrycznych o ma-
ych mocach, nawet takie mae napi cia mog by obserwowalne wanie jako zakócenia.
Cechami zakóce s: wielo ich róde i przypadkowy (z punktu widzenia projektanta lub
uytkownika urzdzenia elektronicznego) sposób ich pojawiania si . ródami zakóce s
82

waciwie wszystkie urzdzenia i instalacje elektryczne, szczególnie takie, w których wy-

st puj szybkie zmiany duych prdów (spawanie elektryczne, iskrzenie komutatorów ma-
szyn elektrycznych itp.), a take wyadowania atmosferyczne. Chwile powstawania zakó-
ce oraz ich przebieg w czasie jest praktycznie niemoliwy do wyznaczenia a priori, dlate-
go opisuje si te zjawiska przy uyciu statystyk lub wybranych wska ników syntetycznych.
Oprócz zakóce wprowadzanych za porednictwem zjawiska indukcji elektromagne-
tycznej (sprz enia indukcyjne), wyst puj te zakócenia wprowadzane przez zmienne
pola elektryczne na zasadzie indukcji elektrycznej (sprz enia pojemnociowe). Ogólnym
sposobem przeciwdziaania zakóceniom jest ich tumienie w ródach oraz zmniejszanie
wraliwoci urzdze, na które mog one oddziaywa przez np. ekranowanie metalowymi
obudowami. W zwizku z coraz wi kszym rozpowszechnieniem urzdze elektrycznych
(potencjalne róda zakóce) i elektronicznych (wraliwych na zakócenia) problem ich
bezkonfliktowej wspópracy, czyli kompatybilnoci elektromagnetycznej, nabiera coraz
wi kszej wagi.
Niezalenie od zakóce pochodzcych z zewntrz, w urzdzeniach elektronicznych
wyst puj dodatkowe napi cia i prdy, powstajce przypadkowo wewntrz tych urzdze.
Takie napi cia czy prdy nazywa si szumami, jeeli zmieniaj si one szybko w czasie
(doprowadzone do gonika daj syszalny szum) lub dryftem, jeeli zmiany s powolne.
Powodem szumów s zjawiska wyst pujce w rezystorach, diodach, tranzystorach i in-
nych elementach elektronicznych, a zwizane z fizyczn niecigoci prdu elektrycznego.
Prd elektryczny, przy bardziej szczegóowych analizach, trzeba traktowa jako ruch strumie-
nia pojedynczych elektronów, na dodatek poruszajcych si do bezadnie. Oznacza to, e
wartoci chwilowe prdu ulegaj przypadkowym zmianom, przypadkowo dotyczy zarówno
wartoci, jak i szybkoci zwi kszania si lub zmniejszania prdu. Warto rednia tych zmian
wynosi zero, ale warto rednia kwadratu prdu, czyli kwadrat wartoci skutecznej jest nie-
zerowy. Stopie nieuporzdkowania ruchu elektronów, a wi c i stopie zmiennoci prdu,
charakteryzowany wartoci skuteczn skadowej przypadkowej, s zalene od temperatury.
Prd pyncy nierównomiernie przez rezystor powoduje, podobnie nierównomierne,
przypadkowo zmienne napi cie, zwane szumem cieplnym. Warto skuteczn szumu cieplne-
go wyznacza si jako napi cie na rezystorze o rezystancji R, mierzone woltomierzem reaguj-
cym na warto skuteczn napi  sinusoidalnych o cz stotliwociach nie mniejszych ni f i
nie wi kszych ni (f + 'f). Warto skuteczn Uc tego napi cia okrela wzór Nyquista:

Uc 4kTR 'f (4.1)

gdzie: k  staa Boltzmanna,
T  temperatura bezwzgl dna.

Na przykad warto skuteczna szumu cieplnego rezystora 10 k:, w temperaturze

300 K, mierzona w pamie 10 kHz wynosi 1,3 PV. Warto napi cia szumu cieplnego nie
zaley od cz stotliwoci, a jedynie od szerokoci pasma pomiarowego 'f, szum niezaleny
od cz stotliwoci nazywa si szumem biaym.
Podobne zjawisko w elementach póprzewodnikowych wywoane przypadkowoci
procesów generacji i rekombinacji, powodujcych przypadkowo zmienn ilo noników
 83

prdu, nazywa si szumem rutowym, szum rutowy te jest biay. Ponadto w póprzewod-
nikach obserwuje si szum nazywany "1/f", powodowany prawdopodobnie przez efekty
powierzchniowe. Warto tego szumu maleje wraz ze wzrostem cz stotliwoci f, przy cz -
stotliwociach rz du pojedynczych herców lub dziesitków herców szum 1/f moe by
wi kszy od szumu rutowego i cieplnego, przy wyszych cz stotliwociach jest niezauwa-
alny. Wartoci napi cia szumów s zwykle rz du mikrowoltów, a cz stotliwoci na jakich
s obserwowane obejmuj zakres od zera do setek gigaherców.
Wytwarzanie szumów w czwórnikach, do których daj si sprowadzi tranzystory, opisuje
si wspóczynnikiem szumów F, definiowanym przez porównanie mocy szumów. Zakada si ,
e do wejcia czwórnika zostaje doprowadzony szum, który na wyjciu czwórnika pojawi si
wzmocniony, lub osabiony, stosownie do waciwoci tego czwórnika. Gdyby sam czwórnik
by bezszumny, to na jego wyjciu byby wycznie ten przeniesiony szum wejciowy. W rze-
czywistoci warto mocy szumu wyjciowego jest wi ksza o moc szumu powstajcego w
czwórniku. Stosunek rzeczywistej mocy szumu wyjciowego do, przeliczonej na wyjcie, mocy
szumu wejciowego jest wanie wspóczynnikiem szumów czwórnika.
Zmiany temperatury elementów, zarówno póprzewodnikowych jak i rezystorów oraz
kondensatorów, powoduj zmiany ich parametrów elektrycznych, co z kolei wywouje
zmiany prdów i napi  w ukadach elektronicznych. Takie zmiany, te o charakterze przy-
padkowym dla obserwatora, nazywa si dryftem cieplnym. Zwykle pierwotn przyczyn s
tu zmiany temperatury otoczenia, a obserwowane efekty prdowe i napi ciowe nast puj
stosunkowo powoli, w cigu minut, godzin, dni lub miesi cy. Jeszcze wolniej przebiegaj
dryfty starzeniowe, powodowane zmianami chemicznymi w materiaach. Napi cia dryftu
mog przyjmowa wi ksze wartoci, znacznie przekraczajce poziom miliwoltów, szcze-
gólnie w trudnych warunkach przemysowych.
Minimalizacja szumów i dryftów, polegajca na odpowiednim doborze konstrukcji i
technologii elementów oraz ukadów, jest jednym z trudniejszych zada konstruktorów.
Skutkiem wyst powania zakóce, szumów i dryftów jest to, e kady sygna elek-
tryczny, poddawany obróbce w rzeczywistych warunkach, naley traktowa jako sum
dwu skadników. Jednym z nich jest "czysty" sygna, przebieg elektryczny nioscy zapla-
nowan informacj , a drugim "szum", przebieg elektryczny przypadkowy, wynikajcy z
cznego oddziaywania powyej wyliczonych zjawisk. Obecno szumu moe zniekszta-
ci informacj przenoszon przez sygna. O wielkoci takiego zagroenia decyduje stosu-
nek mocy sygnau do mocy szumu. Dla zapewnienia najmniejszych znieksztace informa-
cji naley zwi ksza sygna a minimalizowa szum. Taki sposób atwo mona stosowa
przy sygnaach dyskretnych (cyfrowych) a znacznie trudniej przy sygnaach analogowych,
co jest jednym z powodów rozwoju technik cyfrowych.

4.4. Przeksztacanie sygnaów elektrycznych

Procesy przechowywania (pami tania), przesyania lub przetwarzania informacji z regu-
y wymagaj dokonywania przeksztace sygnaów nioscych te informacje. W tym punkcie
przedstawia si poj cia, opisujce wybrane operacje techniczne dokonywane na sygnaach.
84

4.4.1. Widmo sygnau, filtracja

Sygna analogowy jest to napi cie lub prd zmieniajce si w czasie. Dobrze zaprojek-
towana aparatura przesyajca czy przetwarzajca sygna powinna by dostosowana do
jego cech. Zazwyczaj funkcja u(t) lub i(t) jest trudna do opisania a priori  jak np. matema-
tycznie opisa, w postaci funkcji czasu, napi cie jakie b dzie wytworzone w mikrofonie
przy rejestracji koncertu? Z tego powodu stosuje si inne formy opisu, przenoszc zagad-
nienie z dziedziny czasu do dziedziny cz stotliwoci. Podstaw teoretyczn s przekszta-
cenia Fouriera, wedug których funkcj czasu mona przeksztaci w funkcj innej zmien-
nej, majcej sens cz stotliwoci.
Na rys. 4.1 pokazano niektóre sygnay jako funkcj czasu i funkcje cz stotliwoci.
Sygnaowi sinusoidalnemu o cz stotliwoci f odpowiada, w ukadzie wspórz dnych (u, Z),
jeden prek o wysokoci równej amplitudzie sinusoidy, umieszczony przy wartoci
zmiennej Z równej cz stoci 2 Sf.

a) u(t) u ( Z)
A
A Z
t
T 2T 2S
T
b) u(t) u (Z )
A A
t Z
T 2T 2S 6S 10 S
T T T

c) u(t) u ( Z)
A A (T)
t Z
T 2S 4S
T T

Rys. 4.1. Funkcje czasu i odpowiadajce im funkcje cz stotliwoci: sinusoida (a),

cig impulsów prostoktnych (b), pojedynczy impuls prostoktny (c)

Sygnaowi w postaci nieskoczonego, okresowego cigu impulsów prostoktnych od-

powiada nieskoczony cig malejcych prków, umieszczonych przy okrelonych cz sto-
tliwociach. Równowano sygnaów w dziedzinie czasu i cz stotliwoci w tym przypad-
ku naley rozumie tak, e sygna u(t), b dcy funkcj czasu, jest te nieskoczon sum
sygnaów, z których kady jest sinusoidalnie zmienny w czasie. Amplitudy Ai, cz stotliwo-
ci iZ oraz fazy Ii tych sygnaów sinusoidalnych s odpowiednie, opisane we wzorach
przedstawiajcych zasady budowy szeregu Fouriera.
f
u (t ) ¦ A i sin (iZt  Mi ) (4.2)
i 1
 85

Podobnie sygnaowi nieokresowemu w postaci pojedynczego impulsu, pokazanemu

na rys. 4.1c), odpowiada sumowanie nieskoczenie wielu sinusoid, o nieskoczenie mao
rónicych si cz stotliwociach i odpowiednich amplitudach i fazach, czyli caka Fouriera.
Zalenoci amplitud i faz od cz stotliwoci nazywa si widmami, amplitudowym i fazo-
wym, sygnau u(t). Widma amplitudowe sygnaów okresowych s niecige (prkowe) jak
pokazano na rys. 4.1a i b, widmo sygnau nieokresowego jest cige  rys. 4.1c.
Cz sto niektóre parametry widma sygnau atwiej mona oszacowa anieli parametry
tego sygnau jako funkcji czasu. Wiadomo np., e sinusoidalne zmiany cinienia powietrza,
aby byy syszalne przez czowieka jako tony, powinny mie cz stotliwoci zawarte w
przedziale akustycznym (w fizyce przyjmuje si 20 Hz do 20 kHz, w elektroakustyce zwy-
kle ten przedzia jest mniejszy, np. w telefonii 300 Hz do 3 kHz). Mona zatem przyj
zaoenie projektowe, e aparatura dobrze dziaajca dla elektrycznych sygnaów sinuso-
idalnych, o cz stotliwociach z pasma akustycznego, powinna dobrze przenosi sygna u(t)
odwzorowujcy koncert.
Podobnie jak widma sygnaów mona okreli widma zakóce i szumów. Jeeli wid-
mo sygnau wyst puje w innym zakresie cz stotliwoci anieli widmo zakóce i szumów,
to pojawia si moliwo oddzielenia sygnau od zakóce i szumów metod filtracji.
Filtrem elektrycznym nazywa si czwórnik, który przepuszcza sygnay sinusoidalne o
pewnej cz stotliwoci, lub z pewnego przedziau cz stotliwoci, oraz tumi (nie przepusz-
cza) sygnay sinusoidalne o innych cz stotliwociach. Wprowadzajc na wejcie filtru li-
niowego sygna sinusoidalny, zapisany w rachunku symbolicznym jako:

u we U we max e jZt (4.3)

otrzymujemy na wyjciu filtru sygna o takiej samej cz stotliwoci, który moe mie inn
amplitud oraz by przesuni ty fazowo wzgl dem sygnau wejciowego:

u wy U wy max e j( Zt M) (4.4)

Stosunek sygnau wyjciowego do wejciowego jest to transmitancja filtru, liczba zespolo-

na, której modu i argument s funkcjami cz stotliwoci:

K ( jZ) K (Z) e jM(Z) (4.5)

Zaleno moduu transmitancji filtru od cz stotliwoci nazywa si amplitudow cha-

rakterystyk cz stotliwociow, a zaleno argumentu od cz stotliwoci nazywa si fazo-
w charakterystyk cz stotliwociow.
Stosujc filtracj sygnaów analogowych, dobiera si taki filtr, który przenosi dobrze
widmo sygnau, tj. w pamie sygnau transmitancja filtru K jest dua, natomiast cz stotli-
woci spoza widma sygnau s tumione; poza widmem sygnau warto K powinna by
maa. Dzi ki temu procesowi zostaje stumiona cz  zakóce i szumów, co poprawia sto-
sunek sygna/szum i sprzyja zachowaniu wiernoci przenoszonej informacji. Niekiedy do-
puszcza si nawet utrat cz ci widma sygnau, jeeli w tej cz ci wyst puje zwi kszony
poziom widma zakóce.
86

4.4.2. Próbkowanie, kwantowanie

Próbkowanie polega na zastpieniu oryginalnego sygnau analogowego cigiem war-
toci, ustalanych zwykle w regularnych odst pach czasu. Na rys. 4.2 pokazano przykad
przebiegu sygnau u(t) oraz próbki tego sygnau pobierane w odst pach czasu T.

u(t)

1 2 3 4 5 6 t/T

upr.

1 2 3 4 5 6 t/T

Rys. 4.2. Przebieg oryginalny u(t) i cig próbek upr

Próbkowanie stosuje si w rónych sytuacjach. Np. przy wyst powaniu okresowych

zakóce mona skorzysta z próbkowania tak, aby moment pobierania próbki "min si "
z momentem wystpienia zakóce. Próbkowanie jest te stosowane przy jednoczesnej (ci-
lej: cyklicznie powtarzalnej) obróbce wielu podobnych sygnaów pochodzcych z rónych
róde. Np. rejestracja danych z kilkunastu czujników pomiarowych, przy uyciu jednej
aparatury rejestrujcej, moe by realizowana tak, aby rejestrator przycza kolejno do
czujników, zapisujc warto sygnau z danego czujnika w chwili poczenia tego czujnika
z rejestratorem. W ten sposób z kadego czujnika zapisywany jest sygna w postaci cigu
wartoci wyst pujcych w momentach pocze, a wartoci sygnau w pozostaych chwi-
lach s pomijane, czyli sygna podlega próbkowaniu.
Jest oczywiste, e zbyt due przerwy pomi dzy kolejnymi pobieraniami próbek sygna-
u zagraaj utrat cz ci informacji przekazywanej tym sygnaem. Dlatego naley stoso-
wa dostatecznie cz ste pobieranie próbek, czyli dostatecznie du cz stotliwo próbko-
wania. Wedug twierdzenia Shannona o próbkowaniu, jednoznaczno cigu próbek i sy-
gnau oryginalnego wyst puje, jeeli cz stotliwo pobierania próbek jest nie mniejsza
anieli podwójna warto najwyszej cz stotliwoci widma tego sygnau. Poniewa cise
oznaczenie najwyszej cz stotliwoci widma sygnau nie zawsze jest atwe, a cz sto jest
oparte na przyblionych oszacowaniach, to w praktyce stosuje si raczej zawyone cz sto-
tliwoci próbkowania w stosunku do teoretycznych.
 87

Kwantowanie sygnau analogowego polega na okreleniu z góry wartoci, jakie moe

on przybiera i biecym przyporzdkowywaniu aktualnej wartoci sygnau do odpowied-
niej wartoci z uprzednio wybranego zbioru.
Odpowiednikiem kwantowania jest, przyj ta w metrologii, zasada podawania wyni-
ków pomiaru z okrelon dokadnoci. Jeeli np. zakres pomiarowy suwmiarki wynosi
100 mm, a jej dokadno 0,1 mm, to kady wynik pomiaru jest wybrany jako jeden z 1001
moliwych. Najmniejszy moliwy wynik wynosi 0, kolejne s 0,1; 0,2; 0,3 ..... a po naj-
wi ksze 99,8; 99,9; 100. Wynik pomiaru (nie pó niejszych oblicze uredniajcych) nie
moe wynosi np. 2,83. Powodem kwantowania jest, m.in. wiadomo ograniczonej do-
kadnoci sygnaów analogowych, a take jest to zabieg niezb dny przy zamianie sygnaów
analogowych na cyfrowe.

u(t)
5
4
3
2
1

1 2 3 4 5 6 t/T

u*(t)
5
4
3
2
1

1 2 3 4 5 6 t/T

Rys. 4.3. Przebieg analogowy oryginalny u(t) i zdyskretyzowany u*(t)

Efektem kwantowania jest przeksztacenie cigego sygnau analogowego w sygna

"schodkowy". Kwantowanie jest cz ciej przeprowadzane na próbkach sygnaów analogo-
wych, anieli na sygnaach oryginalnych.
Na rys. 4.3 pokazano przykad sygnau analogowego poddanego próbkowaniu i kwan-
towaniu. Realizacja obydwu tych procesów nazywa si dyskretyzacj sygnau analogowego.

4.4.3. Modulacja, demodulacja

Oryginalny sygna elektryczny jest cz sto niedogodny technicznie, szczególnie przy
przesyaniu (transmisji) sygnaów. W takich przypadkach wytwarza si sygna pomocni-
czy, zwany nonym, o parametrach odpowiednich dla przesyu i sygna oryginalny, który
ma by transmitowany, wie si z sygnaem nonym. Taki proces nazywa si modulacj,
a ukad realizujcy to zadanie nazywa si modulatorem.
88

Proces odwrotny, oddzielanie sygnau oryginalnego z sygnau zmodulowanego nazywa

si demodulacj, któr realizuje demodulator cz ciej zwany detektorem. Modulacj stoso-
wano od dawna, przy transmisji sygnaów akustycznych w radiofonii, uywajc jako fali no-
nej sygnau sinusoidalnego. Poniewa sygna sinusoidalny ma posta: u(t) = A sin(Zt + M), to
parametrami, które mona wykorzysta do zwizania z sygnaem modulujcym (zapisywa-
nym) s: amplituda A, cz stotliwo Z lub faza M. Odpowiednio mona stosowa modula-
cj amplitudy (AM  Amplitude Modulation), cz stotliwoci (FM  Frequency Modula-
tion) lub fazy (PM  Phase Modulation).
W technice pomiarowej i sterowania cz ciej korzysta si z cigu impulsów prosto-
ktnych jako fali nonej. Opis parametrów impulsu jest bardziej rozbudowany, co pociga
za sob wi cej moliwoci modulacyjnych. Podstawowymi parametrami cigu impulsów
prostoktnych, o staym okresie powtarzania, s: amplituda, szeroko i pooenie. Kady z
tych parametrów moe by modulowany, co prowadzi do trzech odmian modulacji: modu-
lacja amplitudy impulsów (PAM  Pulse Amplitude Modulation), modulacja szerokoci
impulsów (PWM  Pulse Width Modulation), modulacja pooenia impulsów (PPM  Pul-
se Position Modulation). Nadto stosowana jest modulacja cz stotliwoci impulsów (PFM 
Pulse Frequency Modulation), cz sto cznie z inn odmian modulacji. Na rys. 4.4 poka-
zano przykady modulacji cigu impulsów prostoktnych.

Rys. 4.4. Sygna oryginalny (a) i przebiegi zmodulowanych impulsów prostoktnych

przy modulacji: amplitudy (b), szerokoci (c), pooenia (d) impulsów
 89

Przy modulacji impulsów prostoktnych, inaczej anieli przy modulacji sinusoid,

przebieg nony, wprowadzany do modulatora nie musi by przebiegiem prostoktnym. Na
rys. 4.5 pokazano zasad modulacji szerokoci impulsów z zastosowaniem komparatora,
czyli ukadu o dwu wejciach i jednym wyjciu. Napi cie wyjciowe komparatora przyj-
muje tylko dwie wartoci, np. +U albo U, zalenie od znaku rónicy dwu sygnaów wej-
ciowych. Wprowadzajc do jednego wejcia komparatora fal non w postaci sygnau
trójktnego, o staej amplitudzie i okresie, a do drugiego wejcia sygna modulujcy, o do-
wolnym przebiegu (z ograniczeniami, których omawianie przekracza ramy tego skryptu),
otrzymuje si na wyjciu sygna prostoktny, o zmodulowanych szerokociach impulsów.

b)
u1 u3
u2 +U

1 2 3 4 t/T u1- u2
-U

u3 u1
+U Komp. u
u2 3
1 2 3 4 t/T
-U

Rys. 4.5. Zasada modulacji szerokoci impulsów przy zastosowaniu komparatora (a),
charakterystyka komparatora (b)

Widmo zmodulowanych sygnaów impulsowych teoretycznie si ga od podstawowej

cz stotliwoci powtarzania impulsów do nieskoczonoci. W praktyce przyjmuje si , e
wystarczajce jest uwzgl dnienie pierwszych kilku do kilkunastu harmonicznych (co i tak
zazwyczaj narzuca konieczno stosowania urzdze szerokopasmowych).

4.4.4. Kodowanie i transmisja sygnaów cyfrowych

Sygna cyfrowy przenosi informacj w postaci liczby. Do tego celu moliwe byoby
uycie sygnau skwantowanego, np. napi cie o wartoci 1 wolta odpowiadaoby liczbie 1,
a napi cie o wartoci 13 woltów liczbie 13. W takim przypadku pojawiby si problem
dokadnoci wytwarzania, przekazywania i pomiaru napi . Z tego powodu powszechnie
stosuje si sygna tylko dwuwartociowy, o poziomie napi cia albo niskim (L  Low) albo
wysokim (H  High).
Pojedynczy sygna dwuwartociowy moe przekaza tylko dwie liczby, np. 0 lub 1.
Aby przedstawi wi cej ni 2 liczby trzeba uy albo wi kszej iloci sygnaów dwuwarto-
ciowych, albo dokona odpowiedniej interpretacji pojedynczego sygnau. To prowadzi do
dwu sposobów przesyania i obróbki sygnaów cyfrowych: równolegle lub szeregowo.
W kadym przypadku pojawia si konieczno wyraenia okrelonego zbioru liczb przy
90

zastosowaniu tylko dwu wartoci L oraz H. W tablicy 4.1 przedstawiono moliwoci zako-
dowania liczb cakowitych od 0 do 15 za pomoc czterech sygnaów dwuwartociowych,
oznaczonych a, b, c, d, a take przykady innych kodów.
Tablica 4.1
Kody binarne

Liczba
d c b a Kod BCD Kod HEX
dziesitna
L L L L 0 0 0
L L L H 1 1 1
L L H L 2 2 2
L L H H 3 3 3
L H L L 4 4 4
L H L H 5 5 5
L H H L 6 6 6
L H H H 7 7 7
H L L L 8 8 8
H L L H 9 9 9
H L H L 10  A
H L H H 11  B
H H L L 12  C
H H L H 13  D
H H H L 14  E
H H H H 15  F

W tablicy podano tzw. kod BCD (Binary Coded Decimal) oraz kod HEX (hexadeci-
mal). Kod BCD jest uywany do wyraania liczb od 0 do 9, które s stosowane jako cyfry
w liczbach dziesi tnych. Cz  moliwych kombinacji sygnaów abcd nie jest wykorzy-
stywana w kodzie BCD. Kod hexadecymalny odpowiada szesnastkowemu systemowi li-
czenia i jest on tak stworzony, aby kadej kombinacji czterech sygnaów abcd odpowiadaa
jedna cyfra, wobec zbyt maej iloci cyfr w dziesi tnym systemie liczenia wykorzystano
jako cyfry litery od A do F. Liczba w tym systemie ma posta np. 3D (3 u 16 + 13 = 61)
lub 7F5 (7 u 16 u 16 + 15 u 16 + 5 = 2037) lub 24 (2 u 16 + 4 = 36).
Jeeli sygnay dwuwartociowe a, b, c, d wyst puj jednoczenie w czterech rónych
obwodach elektrycznych, to okrela si to jako równolege przekazywanie sygnaów cyfro-
wych. Na rys. 4.6 pokazano szkic schematu wytwarzajcego cztery sygnay o wartociach 0 V
lub 4,5 V, schemat narysowano przy takim ustawieniu przeczników, aby wytworzony
sygna cyfrowy (zoony z czterech sygnaów elementarnych a, b, c, d i dlatego nazywany
czterobitowym) odpowiada liczbie dziesi tnej 6. Równolega transmisja sygnaów cyfro-
wych jest stosowana w komputerach; zespó przewodów nazywa si szyn lub magistral
(ang. bus), uzupeniajc okrelenie o ilo przesyanych sygnaów elementarnych, np. szy-
na omiobitowa lub szesnastobitowa.
Liczb , np. 6, mona take przekaza pojedynczym sygnaem dwuwartociowym, je-
eli ustali si nast pujce warunki: czas b dzie traktowany dyskretnie i sygna b dzie prze-
kazywany w okrelonych momentach, wyznaczonych przez zegar (np. na pocztku kadej
 91

sekundy zegarowej); w sekundach o numerach 0; 5; 10; 15... b dzie przekazywany pierw-

szy bit (poziom odpowiadajcy sygnaowi "a" przy transmisji równolegej); w sekundach o
numerach 1; 6; 11; 16... b dzie przekazywany drugi bit (odpowiednik sygnau "b") itd. Na
rys. 4.7 pokazano sygna szeregowego przesyu liczby 6.

a
b
4,5V c
d

Rys. 4.6. Przesy równolegy sygnau cyfrowego

u(t) synchr. synchr.

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 t

Rys. 4.7. Przesy szeregowy sygnau cyfrowego

Warunki techniczne realnego przesyu szeregowego s zwykle bardziej zoone anieli

podany wyej zarys tej koncepcji. Transmisja szeregowa dyskretnych sygnaów dwuwarto-
ciowych stosowana jest od dawna, np. przy "wybieraniu" numeru tarcz telefonu, a obecnie
wykorzystywana przy wspópracy komputerów w sieciach, o rónym zasi gu, od sieci lokal-
nych po mi dzykontynentalne. Dla przetwarzania zbioru sygnaów wyst pujcych równole-
gle, w jeden sygna nioscy informacj szeregowo lub odwrotnie, stosuje si urzdzenia zwa-
ne, odpowiednio, interfejsami równolego-szeregowymi i szeregowo-równolegymi.

4.5. Przeksztacanie energii elektrycznej

Najwi ksza cz  energii elektrycznej jest wytwarzana w generatorach synchronicz-
nych w postaci napi cia przemiennego, trójfazowego. To napi cie ma ksztat bardzo zbli-
ony do przebiegu sinusoidalnego i jest zwykle traktowane jako realizacja funkcji sinus, o
ustalonym okresie 20 ms (cz stotliwo 50 Hz) i okrelonej amplitudzie. Tradycyjne prze-
ksztacanie polega na zmianie (transformacji) amplitudy napi cia. Przy przesyle energii
stosuje si wysokie napi cie, dla zmniejszenia strat przesyowych, natomiast przy jej uyt-
kowaniu dogodne s niskie wartoci napi cia.
Róne procesy techniczne wywoay potrzeb stosowania jeszcze innych postaci ener-
gii elektrycznej. Np. przy elektrolizie konieczne jest stosowanie prdu staego, w trakcji
elektrycznej (tramwaj, elektrowóz pocigu) ze wzgl dów ruchowych stosuje si szeregowe
92

silniki prdu staego itd. Dlatego jednym z rozpowszechnionych typów przeksztacenia jest
prostowanie prdu przemiennego, czyli zamiana prdu przemiennego (o zerowej wartoci
redniej) na prd jednokierunkowy, zawierajcy skadow sta.
Niektóre obiekty wymagaj cakowitej pewnoci zasilania elektrycznego, nale tu np.
szpitalne sale operacyjne lub intensywnej terapii, systemy komputerowe lotnicze, bankowe
i wojskowe, systemy zabezpiecze energetyki jdrowej i in. W takich przypadkach tworzy
si dodatkowe systemy zasilania awaryjnego, które powinno wcza si samoczynnie przy
uszkodzeniu w normalnym systemie zasilania. Cz sto stawie si warunek, aby przeczenie
na zasilanie awaryjne nastpio bardzo szybko (np. w czasie 0,01 s), tak aby caa zasilana
aparatura nie przerwaa swojego normalnego dziaania (UPS  Uninterruptible Power Sys-
tem). Awaryjnym ródem energii elektrycznej, utrzymywanym w stanie gotowoci, s
zwykle akumulatory, dostarczajce napi cia staego, podczas gdy nowoczesna aparatura
jest dostosowana do zasilania prdem przemiennym. Z tego powodu konieczne s prze-
ksztatniki zamieniajce prd stay w przemienny, sinusoidalny, o cz stotliwoci 50 Hz.
Takie elektroniczne przeksztatniki nazywa si falownikami niezalenymi lub autonomicz-
nymi, akcentujc w ten sposób ich zdolno do dziaania bez zasilania z sieci elektrycznej.
W niektórych przypadkach wymaga si pynnej regulacji napi cia przemiennego jak
np. przy ciemnianiu owietlenia teatralnego, dokadnej regulacji podgrzewania elektrycz-
nego w niektórych urzdzeniach gospodarstwa domowego itp. Istotnym warunkiem jest
cz sto wymóg minimalnych gabarytów oraz kosztu urzdzenia regulacyjnego. W podob-
nych przypadkach stosuje si przeksztatniki zwane sterownikami napi cia lub prdu prze-
miennego. Podobnie, warunek pynnej regulacji wartoci, moe dotyczy napi cia staego.
W takim przypadku stosuje si sterowniki napi cia lub prdu staego, np. dla agodnego
rozruchu silnika prdu staego, czy stabilizacji napi cia pobieranego z niestabilnej baterii
lub akumulatora.
Przytoczone przykady wskazuj na cztery podstawowe typy przeksztatników: pro-
stownik, falownik, sterownik napi cia przemiennego, sterownik napi cia staego. Oczywi-
cie w kadym typie istnieje wiele odmian i modyfikacji niezb dnych do spenienia róno-
rodnych wymaga stawianych przeksztatnikom.
Cz sto warunki techniczne wymuszaj konieczno stosowania dwu przeksztatników,
dziaajcych kaskadowo. Np. napi cie przemienne o cz stotliwoci 50 Hz zostaje przetwo-
rzone w napi cie stae, a z kolei to napi cie stae podlega przetworzeniu w napi cie prze-
mienne o cz stotliwoci innej anieli 50 Hz.
Przeksztatnik energii, lub przeksztatniki, s instalowane pomi dzy podstawowym
ródem energii elektrycznej (prdnica, sie energetyczna, bateria) a odbiornikiem tej ener-
gii. Dla uzyskania duej sprawnoci caego ukadu konieczna jest minimalizacja strat ener-
gii w przeksztatniku. Z tego powodu w przeksztatniku powinny by stosowane elementy
moliwie mao stratne.
Wród typowych elementów elektrycznych kondensatory i dawiki (cznie z trans-
formatorami) zalicza si do elementów konserwatywnych, tj. zdolnych do pobierania, prze-
chowania i zwrotu energii elektrycznej (tak cech maj przynajmniej idealizowane modele
tych elementów). Rezystory natomiast s elementami dyssypatywnymi, tj. pobieraj ener-
gi elektryczn i zamieniaj j w ciepo, bez moliwoci odwrócenia tego zjawiska.
 93

Dlatego w konstrukcji przeksztatników unik si wprowadzania rezystorów oraz ele-

mentów zachowujcych si podobnie jak rezystory, natomiast mog by stosowane ele-
menty konserwatywne. Zbudowanie przeksztatnika z samych dawików i kondensatorów
jest niemoliwe, musz tam by stosowane i inne elementy. Elementem bezstratnym jest
np. idealny cznik, w stanie otwarcia utrzymujcy napi cie, ale bez przepywu prdu, w
stanie zamkni cia umoliwiajcy przepyw prdu, ale bez spadku napi cia. W obydwu
przypadkach strata mocy i energii w czniku (p = u i) jest zerowa. Dlatego w przeksztat-
nikach stosuje si elementy zachowujce si podobnie do idealnego cznika, czyli dziaa-
jce dwustanowo: dobre zamkni cie obwodu z moliwoci przewodzenia prdu przy mi-
nimalnym (najlepiej zerowym) spadku napi cia lub dobre rozwarcie obwodu przy mini-
malnym (najlepiej zerowym) prdzie. Podobne waciwoci maj diody prostownicze i
tyrystory, a take mona uzyska taki sposób dziaania w tranzystorach, przy odpowiednim
ich sterowaniu. Te wanie grupy elementów elektronicznych s obecnie stosowane w
przeksztatnikach energoelektronicznych.
Dla uzyskania kontroli nad przepywem energii ze róda do odbiornika, przy korzy-
staniu z elementów dziaajcych podobnie do czników, trzeba stosowa metod "dawko-
wania". Metoda polega na tym, aby czy ródo z odbiornikiem na okrelony, krótki czas,
potem rozcza, te na okrelony czas, znowu czy i rozcza i powtarza to cyklicznie.
Na przykad prostownik mona traktowa jako urzdzenie czce ródo napi cia prze-
miennego, sinusoidalnego, z odbiornikiem energii tylko wtedy, gdy chwilowa warto na-
pi cia róda jest dodatnia, a odczajce odbiornik wtedy, gdy napi cie róda jest ujemne;
takie czynnoci s powtarzane 50 razy w cigu sekundy.
Sposób pracy przeksztatników energoelektronicznych mona wi c przedstawia jako
realizacj jednej z metod modulacji impulsowych, cz sto jest to PWM. Mona te doszu-
kiwa si analogii pomi dzy prac przeksztatnika a prac silnika spalinowego, gdzie ener-
gia mechaniczna jest dostarczana do wau te metod "dawkowania" z kolejnych cylin-
drów.
Dokadniej zagadnienia przeksztacania energii elektrycznej s rozwaane w energo-
elektronice.
5. WZMACNIACZE

Nazw wzmacniacz okrela si jeden z najwaniejszych podzespoów elektronicznych, o

bardzo szerokim i rónorodnym zastosowaniu. Ze wzgl du na wielo zastosowa wzmacnia-
cze róni si mi dzy sob konstrukcj, parametrami, technologi wykonania itp., ale wyka-
zuj te wane cechy wspólne. Na pocztku niniejszego rozdziau b d podane wiadomoci
ogólne o wzmacniaczach, a w dalszej cz ci wybrane przykady wzmacniaczy.

5.1. Schemat blokowy

Powszechnie znany "wzmacniacz" stanowi jeden z elementów wyposaenia profesjo-
nalnych zespoów muzycznych. Do "wzmacniacza" podcza si mikrofon, lub mikrofony
oraz gonik, lub goniki, uzyskujc w ten sposób podane nat enie d wi ku. Oczywi-
cie, aby aparatura dziaaa, to sam "wzmacniacz" musi by wczony do sieci zasilajcej,
zwykle 220 V. Najprostsz struktur pocze
pokazano na rys. 5.1, przedstawiajc wzmac-
220V/50Hz niacz w postaci umownego bloku. Takie przed-
stawienie (black box  czarna skrzynka) stosuje
WZMACNIACZ
si wtedy, gdy analizuje si dziaanie urzdze-
nia, na podstawie waciwoci podzespoów,
M G nie wnikajc jednak w wewn trzn budow sa-
mych podzespoów.
Rys. 5.1. Wzmacniacz w elektroakustyce, W ukadzie przedstawionym na rys. 5.1
M  mikrofon, G  gonik mikrofon jest ródem analogowego sygnau
elektrycznego doprowadzonego do wejcia
wzmacniacza (ang. input, symbole wielkoci wejciowych maj indeks "i"). Napi cie ui(t),
wytworzone pod wpywem d wi ków w mikrofonie, powoduje przepyw prdu ii(t) w ob-
wodzie wejciowym wzmacniacza (cz sto ten prd jest znikomo may). Pod wpywem sy-
gnau wejciowego, wzmacniacz wytwarza na swoim wyjciu (ang. output, symbole wiel-
koci wyjciowych maj indeks "o") napi cie uo(t), które jest proporcjonalne do napi cia
wejciowego ui(t):
uo t Kuui t (5.1)

Wspóczynnik proporcjonalnoci Ku nazywa si wspóczynnikiem wzmocnienia na-

pi ciowego. W niektórych zastosowaniach, szczególnie elektroakustycznych, stosuje si
inn miar wzmocnienia, obliczan dla sygnaów sinusoidalnych o wartociach skutecz-
nych Ui, Uo, wedug zalenoci logarytmicznej:
U
K u >dB@ 20 lg o (5.1a)
Ui
 95

Otrzymany wynik opatruje si mianem "decybel"; np. wspóczynnikowi wzmocnienia

Ku = 100 V/V odpowiada 40 dB, a warto 60 dB odpowiada wspóczynnikowi Ku =
1000 V/V.
Jeeli do wyjcia wzmacniacza jest doczone obcienie (np. gonik), to pod wpy-
wem napi cia uo(t) nast puje przepyw prdu wyjciowego io(t). Prd wyjciowy mona
opisa przy uyciu wspóczynnika wzmocnienia prdowego Ki zalenoci
io t K iii t (5.2)

W sytuacji, kiedy wzmacniacz jest poczony ze ródem sygnau oraz obcieniem

mona okreli moc elektryczn (mnoc prd przez napi cie) doprowadzan do wejcia
wzmacniacza pi(t) i moc elektryczn odprowadzan z wyjcia wzmacniacza do obcienia
po(t). Podstawow cech wzmacniacza jest to, e:
po(t) >> pi(t) (5.3)
czyli moc i energia elektryczna oddawane do obcienia przez wzmacniacz s wi ksze od
mocy i energii doprowadzonej do wzmacniacza ze róda sygnau.
Aeby taka sytuacja bya fizycznie realizowalna konieczne jest doprowadzanie dodat-
kowej mocy (i energii) do wzmacniacza. Dodatkowa energia, pobierana np. z sieci 220 V i
odpowiednio przeksztacona, jest doprowadzana przez tzw. zasilanie wzmacniacza. Zazwy-
czaj wzmacniacz wymaga zasilania ze róda napi cia staego, które tworzy si , korzystajc z
prostownika napi cia przemiennego sieci energetycznej lub baterii. Moc zasilania i moc sy-
gnau wejciowego w sumie s wi ksze od mocy wyjciowej, poniewa w elementach we-
wn trznych wzmacniacza cz  mocy zostaje zamieniona w ciepo, czyli stracona w sensie
procesu wzmacniania sygnau. Ponadto zwykle moc sygnau wejciowego jest pomijalnie
maa wzgl dem mocy zasilania i dlatego do wyznaczania sprawnoci wzmacniacza (jeeli jest
to konieczne) uwzgl dnia si tylko moc wyjciow i moc zasilania.
Analiza wzmacniacza najcz ciej ma na celu okrelenie co si dzieje z sygnaem do-
prowadzonym do jego wejcia, czyli powinna doprowadzi do opisu procesu wzmacniania
sygnau, przez wyznaczenie gównych parametrów wzmacniacza. Zazwyczaj zasilanie
wzmacniacza jest traktowane jako oczywista konieczno techniczna i jest pomijane
w podstawowych rozwaaniach. W ten sposób najprostszy ukad z wzmacniaczem zostaje
sprowadzony do postaci pokazanej na rys. 5.2.

rg
Eg Wzmacniacz rL

Rys. 5.2. Wzmacniacz jako czwórnik

Na tym rysunku wyst puje czwórnik elektryczny, reprezentujcy wzmacniacz oraz

dwójniki elektryczne, elementy Eg oraz rg symbolizuj si elektromotoryczn i rezystancj
wewn trzn róda sygnau wejciowego, wielko rL przedstawia obcienie wzmacniacza.
96

5.2. Opis wzmacniacza

5.2.1. Parametry czwórnikowe wzmacniacza
Dla opisu waciwoci wzmacniacza, traktowanego jako czwórnik, dogodne jest za-
stosowanie równa o postaci:
I i a 11U i  a 12 I o (5.4)
U o a 21U i  a 22 I o

Sens fizyczny parametrów aij czwórnika jest niejednorodny. Parametr a11 opisuje
wpyw napi cia wejciowego na prd wejciowy i ma wymiar konduktancji (odwrotno
rezystancji), nazywa si go przewodnoci wejciow lub odwrotnoci rezystancji wej-
ciowej ri.
Parametr a12 opisuje wpyw prdu wyjciowego na prd wejciowy czyli przedstawia
oddziaywanie zwrotne we wzmacniaczu. Zwykle we wzmacniaczach elektronicznych ta-
kie oddziaywanie jest pomijalnie mae i z reguy przyjmuje si a12 = 0. Czwórnik o takiej
waciwoci nazywa si unilateralnym.
Parametr a21 przedstawia wpyw napi cia wejciowego na napi cie wyjciowe, czyli
pokazuje jak wzmacniacz zmienia napi cie sygnau wejciowego. Jest to wspóczynnik
wzmocnienia napi ciowego, rozwarciowy (ze wzgl du na sposób jego definiowania, wy-
znacza si go bowiem jako stosunek napi  przy Io = 0, zob. równanie (5.4) przy takim
warunku), oznaczany symbolem Ku0, wielko bezwymiarowa, niekiedy opatrywana pseu-
do-mianem V/V lub V/mV dla podkrelenia jego sensu.
Parametr a22 przedstawia wpyw prdu wyjciowego na napi cie wyjciowe, ma wy-
miar rezystancji i nazywa si go rezystancj wyjciow ro. Oddziaywanie rezystancji wyj-
ciowej objawia si tym, e przy zwi kszaniu obcienia wzmacniacza (wzrost Io) nast pu-
je zmniejszenia napi cia Uo, co prowadzi do znaku minus w równaniach.

Ii Io
rg ro
r Ku0 Ui rL
Eg Ui i Uo

Rys. 5.3. Model czwórnikowy wzmacniacza

Uwzgl dniajc powysze uwagi i okrelenia mona zapisa uproszczone równania

czwórnikowe wzmacniacza w postaci:
Ui
Ii
ri (5.5)
U o K u 0 U i  ro I o
 97

Czwórnikowy model wzmacniacza odpowiadajcy takiemu opisowi pokazano na rys.

5.3. Do modelu wzmacniacza doczono model rzeczywistego róda sygnau zoony ze
róda siy elektromotorycznej Eg i rezystancji wewn trznej tego róda rg oraz rezystancj
rL modelujc obcienie wzmacniacza. Elementy narysowane wewntrz bloku czwórnika
modeluj parametry czwórnikowe wzmacniacza.
ródo napi ciowe umieszczone wewntrz czwórnika jest ródem sterowanym, jego
SEM zaley od napi cia wejciowego. W takim ukadzie, jeeli parametry s znane, to
mona wyliczy prdy i napi cia wyst pujce przy pracy wzmacniacza.
Jeeli np. rg = 1 k:, ri = 1 k:, ro = 1 k:, rL = 1 k:, Ku0 = 100, to dla sygnau np. Eg =
1 V mona wyznaczy Ui = 0,5 V, Ii = 0,5 mA, Uo = 25 V, Io = 25 mA. Znaczy to, e w tym
przypadku wzmocnienie napi ciowe wynosi 50, wzmocnienie prdowe te 50, a wzmoc-
nienie mocy sygnau 2500. Jak mona zauway, skuteczno wzmacniania sygnau zaley
nie tylko od parametrów wzmacniacza, ale te od rezystancji róda sygnau i obcienia
wzmacniacza. Taka zaleno prowadzi do tzw. problemu dopasowania wzmacniacza do
róda i obcienia.
Na schemacie pokazanym na rys. 5.3 mona zauway dwa podobne oczka, jedno w
obwodzie wejciowym a drugie w obwodzie wyjciowym. Kade z oczek prezentuje model
rzeczywistego róda, z rezystancj wewn trzn i jego obcienie. Analizujc wpyw ob-
cienia na wartoci prdu, napi cia na obcieniu i mocy wydzielanej w obcieniu znaj-
duje si zalenoci jak pokazano na rys. 5.4.
Jeeli rezystancja obcienia jest znacznie wi ksza od rezystancji wewn trznej róda to
otrzymuje si due napi cie na obcieniu, jeeli jest odwrotnie wyst puje duy prd w ob-
cieniu a jeeli te dwie rezystancje s równe, to w obcieniu wystpi maksymalna moc.

a) b)
P
U
rg I
Eg rL
U
I
0 rg rL

Rys. 5.4. Dopasowanie obcienia do róda: schemat (a), zaleno prdu,

napi cia i mocy od rezystancji obcienia rL(b)

Przenoszc te wnioski na wzmacniacz mona znale , e dla ri >> rg jest Ui | Eg jeeli

take rL >> ro, to Uo | Ku0 Eg. W takim przypadku otrzymuje si najwi ksze moliwe
wzmocnienie SEM róda sygnau bo Uo /Eg | Uo /Ui | Ku0 i wzmacniacz nazywa si na-
pi ciowym. Jeeli natomiast rg = ri, to Ui = Eg/2, i jeeli take ro = rL, to Uo = Ku0, Ui/2,
czyli cznie Uo/Eg = Ku0/4; skuteczne wzmocnienie SEM róda sygnau jest cztery razy
mniejsze ni w wzmacniaczu napi ciowym, ale otrzymuje si maksymalne wzmocnienie
mocy sygnau (sprawdzenie tego wniosku pozostawia si czytelnikowi), czyli otrzymuje si
wzmacniacz mocy. Podobnie mona okreli wzmacniacz prdu wejciowego. Jeeli dopa-
98

sowanie rezystancji na wejciu i wyjciu wzmacniacza odbiega od wartoci teoretycznych,

to wzmocnienie napi cia, mocy czy prdu jest mniejsze od maksymalnego, moliwego do
uzyskania z danego wzmacniacza.
Bardzo cz sto stawia si warunek, aby wzmacniacz by napi ciowy tj. silnie wzmac-
nia napi cie sygnau. Spenienie takiego warunku wymaga, aby rezystancja wejciowa
wzmacniacza ri bya moliwie dua a rezystancja wyjciowa ro moliwie maa. W idealnym
wzmacniaczu napi ciowym rezystancja wejciowa ri = f, natomiast rezystancja wyjciowa
ro = 0.
W konkretnym wzmacniaczu warto parametrów czwórnikowych zaley od zastoso-
wanych elementów i sposobu ich pocze i nie moe by zmieniana w dowolnie szerokich
granicach. Sprz enie zwrotne, obok innych zalet, umoliwia modyfikacj parametrów
wzmacniacza.

5.2.2. Sprz enie zwrotne

Sprz enie zwrotne polega na tym, e cz  sygnau wyjciowego wzmacniacza wpro-
wadza si z powrotem na jego wejcie. W obwodzie wejciowym moe nastpi dodawanie
sygnau sprz enia zwrotnego do sygnau pochodzcego ze róda sygnau lub odejmowa-
nie sygnau sprz enia od sygnau róda. W pierwszym przypadku okrela si sprz enie
jako dodatnie, w drugim jako ujemne. We wzmacniaczach stosuje si sprz enie ujemne i
tylko takie jest rozpatrywane w niniejszym punkcie. Tor powrotny sygnau sprz enia
zwrotnego prowadzi przez drugi czwórnik, cz sto o bardzo prostej budowie wewn trznej.
Na rys. 5.5 pokazano przykad poczenia wzmacniacza K (parametry z indeksem K) z
czonem sprz enia zwrotnego B (parametry z indeksem B). Jest to sprz enie ujemne  co
wynika z wzajemnego ukierunkowania strzaek Eg oraz UoB  napi ciowe, bo sygnaem
wejciowym czwórnika sprz enia zwrotnego jest napi cie wyjciowe wzmacniacza oraz
szeregowe, bo sygna sprz enia zwrotnego jest poczony szeregowo ze ródem sygnau
wejciowego.
Wzmacniacz K opisuj równania, uproszczone podobnie jak równania (5.5):
U iK
I iK
riK (5.6)
U oK K u 0 U iK  roK I oK

a czwórnik sprz enia zwrotnego B opiszemy równaniami jeszcze bardziej uproszczonymi,

aby unikn komplikacji formalnych:
UiB
IiB r
iB (5.7)
UoB BUiB
Ukad dwu czwórników, pokazany na rys. 5.5, mona potraktowa jako pewien nowy,
wypadkowy czwórnik, którego parametry (z indeksem W) s okrelone przez parametry
obydwu czwórników skadowych oraz sposób ich poczenia.
 99

I iW I iK Io K Io W
rg r oK
Eg U UiK r Uo K Uo W r
iK Ku0K Ui K
iW
K L

IiB
I oB

UoB BUiB r iB UiB

B
W
Rys. 5.5. Wzmacniacz K z czonem sprz enia zwrotnego B tworz nowy czwórnik W

Na podstawie schematu mona zapisa ponisze równania, dotyczce wielkoci elek-

trycznych tego poczenia:
U iW U iK  U oB
I iW I iK I oB
(5.8)
U oW U oK U iB
I oW I oK  I iB

Na podstawie tych równa, uwzgl dniajc parametry czwórników K oraz B, mona

zapisa pene równania czwórnikowe dla wypadkowego ukadu W, czyli wzmacniacza ze
sprz eniem zwrotnym. Po przeksztaceniach otrzymuje si :
roK
1
1 riB roK B
I iW U iW  I oW
riK r riK roK
1  oK  K u 0 K B 1  K u 0K B
riB riB (5.9)
K u 0K roK
U oW U iW  IoW
roK roK
1  K u 0K B 1  K u 0K B
riB riB

Powysze wzory zawieraj parametry nowego, "wypadkowego" czwórnika, jaki po-

wsta przez poczenie wzmacniacza z czonem sprz enia zwrotnego. Posta wzorów
wskazuje, e prd wejciowy zaley od napi cia wejciowego, ale take od prdu wyjcio-
wego, co jest skutkiem wprowadzonego sprz enia. Napi cie wyjciowe zaley od napi cia
wejciowego i prdu obcienia, podobnie jak w innych wzmacniaczach.
Aby oszacowa skutki ilociowe sprz enia zwrotnego zaómy, e wzmacniacz K
jest dobrym wzmacniaczem napi ciowym i jego rezystancja wyjciowa roK jest znacznie
mniejsza od rezystancji wejciowych riK oraz riB. Wówczas wzory (5.9) upraszczaj si
do postaci:
100

1
I iW | U iW
riK (1  K u 0 K B)
(5.10)
K u 0K roK
U oW | U iW  I oW
1  K u 0K B 1  K u 0K B

Te wzory dobitniej pokazuj, e nowy czwórnik jest wzmacniaczem, którego rezy-

stancja wejciowa wzrosa (1+Ku0KB) razy w stosunku do rezystancji wejciowej wzmac-
niacza K, natomiast wzmocnienie napi ciowe, rozwarciowe zmniejszyo si (1+Ku0KB)-
krotnie, podobnie jak jego rezystancja wyjciowa. W ten sposób, dobierajc parametry
czonu sprz enia zwrotnego, mona modyfikowa parametry "wypadkowego" wzmacnia-
cza. Interesujc cech wzmacniacza ze sprz eniem zwrotnym mona zauway, przyjmu-
jc e wzmocnienie rozwarciowe wzmacniacza Ku0K jest bardzo due, zmierzajce do nie-
skoczonoci (cilej warunek dotyczy iloczynu Ku0KB, który powinien by znacznie wi k-
szy od jednoci). W takim przypadku wzory przyblione (5.10) redukuj si do postaci:
IiW |0
1 (5.11)
U oW | U iW
B
Ten zapis oznacza, e jeeli wzmacniacz realny ma bardzo due wzmocnienie napi -
ciowe i zostanie zaopatrzony w ujemne sprz enie zwrotne, to powstajcy czwórnik ma
cechy wzmacniacza napi ciowego idealnego. Jego rezystancja wejciowa jest nieskocze-
nie dua (prd wejciowy wynosi zero) natomiast rezystancja wyjciowa nieskoczenie
maa (napi cie wyjciowe nie zaley od prdu obcienia). Wzmocnienie napi ciowe po-
wstaego czwórnika zaley tylko od parametru B czonu sprz enia zwrotnego. Zatem, je-
eli tylko wzmocnienie napi ciowe realnego wzmacniacza jest bardzo due, to jego pozo-
stae parametry nie wpywaj na parametry ukadu ze sprz eniem zwrotnym. To zjawisko
umoliwio szerokie zastosowanie scalonych wzmacniaczy operacyjnych.
Na koniec naley zaznaczy, e pokazany na rys. 5.5 ukad pocze wzmacniacza z
czonem sprz enia zwrotnego jest tylko jednym z kilku moliwych. W literaturze np. [1]
mona znale  wyczerpujce opisy i porównania rónych ukadów.

5.2.3. Charakterystyki wzmacniaczy

Dogodn form przedstawiania pewnych waciwoci wzmacniaczy s charakterysty-
ki, czyli zalenoci prezentowane graficznie. Do waniejszych charakterystyk wzmacnia-
czy nale:
 charakterystyki cz stotliwociowe,
 charakterystyka przenoszenia.
Charakterystyki cz stotliwociowe pokazuj, w jakim stopniu jest wzmacniany sygna
o ksztacie sinusoidalnym, o rónych cz stotliwociach, czyli przedstawiaj zaleno
wspóczynnika wzmocnienia napi ciowego od cz stotliwoci sygnau Z. Charakterystyka
przenoszenia pokazuje, jak s wzmacniane sygnay o rónych wartociach (amplitudach,
jeeli sygna jest sinusoidalny).
 101

Zaleno pomi dzy dziaaniem wzmacniacza a cz stotliwoci wzmacnianego sygna-

u, któr prezentuj charakterystyki cz stotliwociowe, wynika z tego, e w konstrukcji
wzmacniaczy s stosowane elementy o charakterze pojemnociowym (niekiedy i indukcyj-
nym), których reaktancja zaley od cz stotliwoci. Takimi elementami s stosowane w
ukadach wzmacniaczy kondensatory oraz tranzystory, diody itp., w których wyst puj
pojemnoci (pasoytnicze).
Te elementy powoduj, e stosunek amplitud, lub wartoci skutecznych, sinusoidalne-
go napi cia wyjciowego do równie sinusoidalnego napi cia wejciowego (wspóczynnik
wzmocnienia napi ciowego) jest róny przy rónych cz stotliwociach sygnau, a ponadto
wyst puje przesuni cie fazowe pomi dzy sinusoid napi cia wejciowego a sinusoid na-
pi cia wyjciowego. Z tego powodu stosuje si dwie charakterystyki cz stotliwociowe:
amplitudow i fazow.
Charakterystyka cz stotliwociowa: amplitudowa pokazuje zaleno moduu wspó-
czynnika wzmocnienia ~Uo/Ui~ = ~Ku(Z)~ od cz stotliwoci sygnau a charakterystyka
fazowa zaleno fazy ) = )(Z) od cz stotliwoci (zob. te p. 4.4.1  filtracja). Na rys. 5.6
podano przykady typowych charakterystyk cz stotliwociowych wzmacniaczy.

a) Ku Ku c) Ku
b)
Z Z Z
0 0 0
)
) )
Z Z Z
0 0 0

Rys. 5.6. Charakterystyki cz stotliwociowe wzmacniacza: prdu staego (a),

pasmowego (b), selektywnego (c)

Jedn z konsekwencji waciwoci cz stotliwociowych wzmacniaczy s tzw. znie-

ksztacenia liniowe, pojawiajce si przy wzmacnianiu sygnaów niesinusoidalnych. Sy-
gna niesinusoidalny, zgodnie z zalenociami Fouriera (szeregiem lub cak), mona trak-
towa jako nieskoczon sum sygnaów sinusoidalnych. W procesie wzmacniania róne
skadniki niesinusoidalnego sygnau wejciowego s wzmacniane w rónym stopniu i ró-
nie przesuwane fazowo. Skutkiem tego jest, e sygna wyjciowy ma inny ksztat anieli
wejciowy. Stopie znieksztacenia zaley od relacji pomi dzy skadowymi sygnau a cha-
rakterystykami wzmacniacza.
Przedstawiony w p. 5.2.1. opis wzmacniacza jako czwórnika liniowego jest zazwyczaj
suszny tylko w ograniczonym zakresie wartoci napi  wejciowego i wyjciowego. Dla
opisania tego zjawiska wyznacza si charakterystyk przenoszenia, jako zaleno wartoci
napi cia wyjciowego od napi cia wejciowego Uo(Ui). We wzmacniaczu liniowym po-
winna to by prosta, o nachyleniu proporcjonalnym do wspóczynnika wzmocnienia napi -
102

ciowego, zgodnie z zalenoci Uo = KuUI. We wzmacniaczu rzeczywistym zawsze wyst -

puje odchylenie od prostej, czyli pojawia si nieliniowo charakterystyki przenoszenia.
Powodem nieliniowoci charakterystyki jest nieliniowo samych elementów wzmacniaj-
cych (tranzystorów) i ograniczenia w ich warunkach pracy. Nieliniowoci s szczególnie
wydatne przy duych sygnaach, ale niekiedy take i dla sygnaów bliskich zera.
atwo sobie uzmysowi, e np. uzyskanie dowolnie
Uo duej wartoci napi cia wyjciowego jest technicznie nie-
moliwe (ograniczenie wnosi zwykle warto zastosowane-
go napi cia zasilania, dostosowana z kolei do wytrzymao-
ci napi ciowej uytych elementów).
Nieliniowo charakterystyki przenoszenia oznacza
Ui zmienno (niestao) wspóczynnika wzmocnienia napi -
0 ciowego. Skutkiem tego efektu jest, e sygnay o maych
wartociach s wzmacniane inaczej anieli sygnay o du-
Rys. 5.7. Charakterystyka ych wartociach. Powoduje to odksztacenie sygnau wyj-
przenoszenia sygnau ciowego np. po wzmocnieniu sygnau sinusoidalnego
sinusoidalnego
otrzymuje si napi cie wyjciowe o ksztacie prawie trape-
zowym. Te znieksztacenia nazywa si nieliniowymi.
Niekiedy zamiast charakterystyki przenoszenia mona poda zakres napi  (wejcio-
wych lub wyjciowych), w którym wspóczynnik wzmocnienia zachowuje sta warto
albo charakterystyka pokrywa si z lini prost. Na rys. 5.7 podano przykad rzeczywistej
charakterystyki przenoszenia, wyznaczonej z pomiaru wartoci skutecznej napi  przy si-
nusoidalnym sygnale wejciowym.

5.3. Wzmacniacz ró nicowy

W automatyce i metrologii najszerzej obecnie uywanym wzmacniaczem sygnaów,
zarówno przemiennoprdowych jak i staoprdowych, jest scalony wzmacniacz operacyj-
ny. Taki scalony wzmacniacz zawiera kaskadowe poczenie kolejnych stopni wzmacniaj-
cych, z których pierwszy jest z reguy wzmacniaczem rónicowym. Waciwoci wzmac-
niacza operacyjnego w znacznym stopniu wynikaj z cech wzmacniacza rónicowego.
W niniejszym punkcie wzmacniacz rónicowy jest przedstawiony w dwu etapach, na
pocztku opisuje si ogólne waciwoci wzmacniacza rónicowego i jego dziaanie pod
wpywem wybranych kombinacji sygnaów wejciowych. W dalszym cigu przedstawia si
parametry i model nieliniowy tego wzmacniacza. Waciwoci dynamiczne wzmacniacza
rónicowego nie s opisane, uzupeniajce informacje mona znale  w literaturze, np. [1].

5.3.1. Budowa i dziaanie wzmacniacza ró nicowego

Prosty schemat elektryczny wzmacniacza rónicowego, wykonanego z tranzystorów
bipolarnych, pokazano na rys. 5.8. Ukad zawiera dwie ga zie, z których kada jest zoo-
na z rezystora RC i tranzystora bipolarnego a ponadto jest wczony jeden rezystor RE,
 103

wspólny dla obydwu tranzystorów. Zasilanie ukadu stanowi dwa róda napi cia staego
poczone szeregowo, zwykle wartoci napi  tych róde s jednakowe np. po 6 V czy 12
V. rodkowy punkt poczenia róde zasilania jest traktowany jako punkt potencjau od-
niesienia dla caego wzmacniacza i nazywany "mas" lub "ziemi elektryczn", a oznacza-
ny umownie jako "zero woltów  0 V". W stosunku do masy jedno z napi  zasilania jest
wi c dodatnie a drugie ujemne, dlatego cz sto zasilanie wzmacniacza opisuje si skrótowo
jako np. r6 V albo r12 V.
Wzmacniacz rónicowy ma dwa wejcia: pierwsze z nich to baza tranzystora T1, a
drugie to baza tranzystora T2. Sygnay wejciowe, wprowadzane pomi dzy wejcie a mas ,
oznaczono Ui1 oraz Ui2. Wyjciami wzmacniacza, czyli punktami gdzie mona przyczy
obcienie, s: kolektor tranzystora T1  masa i/lub kolektor tranzystora T2  masa, s to
dwa tzw. wyjcia asymetryczne, sygnay na tych wyjciach oznaczono Uo1 oraz Uo2; okre-
la si te trzecie wyjcie, zwane symetrycznym lub rónicowym, s to obydwa kolektory
tranzystorów T1 i T2, sygna wyjciowy na tym wyjciu jest oznaczony Uo1–2.
Aby tranzystory mogy dziaa jako elementy wzmacniajce ich zcza musz by od-
powiednio spolaryzowane, czyli wszystkie elektrody tranzystora musz by poczone z
odpowiednimi napi ciami. Dla zapewnienia takiej polaryzacji kada z baz tranzystorów T1
i T2 musi by poczona ze wspóln mas albo przez ródo sygnau wejciowego, albo
przez inny element przewodzcy prd stay albo wprost przez zwarcie.
Analiz ukadu z dwoma ródami sygnaów wejciowych, którego schemat pokazano
na rysunku 5.8, przeprowadzimy najpierw opisujc ten ukad ogólnymi równaniami, a na-
st pnie b dziemy rozpatrywa wybrane przypadki szczególne, modyfikujc odpowiednio
do nich uprzednio zapisane równania.

+UCC
RC RC
UC C
Uo 1- 2

U o1 0V
T1 T2 U o2

UBE1 I E1 I E2 UBE2
Ui1 Ui2
UW W
UE E
RE
-U EE

Rys. 5.8. Wzmacniacz rónicowy z zasilaniem i dwoma ródami sygnaów wejciowych

Przy uproszczonej analizie wzmacniacza rónicowego przyjmuje si idealn symetri

ukadu, tj. zakada si , e rezystory kolektorowe s jednakowe, a obydwa tranzystory s
identyczne. Ponadto zakada si , e wzmocnienie prdowe tranzystorów jest bardzo due,
czyli sterujcy prd bazy jest znacznie mniejszy od prdu kolektora IB << IC, czego konse-
kwencj jest prd kolektora prawie równy prdowi emitera IC | IE.
104

Obwód wejciowy wzmacniacza opisuje równanie

Ui1 – Ui2 = UBE1  UBE2 (5.12)
Napi cie pomi dzy punktem W poczenia emiterów a mas wynosi:
UW = (IE1 + IE2) RE – UEE (5.13)
Wielkoci wejciowe mona te zapisa w uzalenieniu od potencjau punktu W:
UW = Ui1 – UBE1 = Ui2 – UBE2 (5.14)
Napi cia wyjciowe asymetryczne wynosz:
Uo1 = UCC – RCIC1; Uo2 = UCC – RCIC2 (5.15)
czyli ich warto zaley zarówno od parametrów ukadu (RC, UCC) jak i stanu tranzysto-
rów (IC).
Napi cie wyjciowe symetryczne jest:
Uo1–2 = Uo1 – Uo2 = –RC(IC1 – IC2) (5.16)
Warto zauway, e wpyw napi cia zasilajcego UCC na napi cia wyjciowe asyme-
tryczne jest jawny, natomiast napi cie wyjciowe symetryczne nie zaley (przynajmiej w
sposób jawny) od napi cia zasilania.

a) b) c) d)

Rys. 5.9. Wzmacniacz rónicowy przy rónych kombinacjach sygnaów wejciowych

Dla okrelenia jak wzmacniacz rónicowy wzmacnia sygnay wejciowe rozpatrzymy

cztery przypadki szczególne, których uproszczone schematy pokazano na rys. 5.9, kolejno
zakadajc e:
a) obydwa sygnay wejciowe wynosz zero, jest to sytuacja "gotowoci do pracy wzmac-
niacza", w tym stanie prdy i napi cia tranzystorów okrelaj ich punkt pracy;
b) do jednego z wej jest doprowadzony may sygna o niezerowej wartoci, a do drugie-
go wejcia sygna o tej samej wartoci, ale o odwrotnym znaku, wzmacniacz jest stero-
wany "rónicowo";
c) do obydwu wej doprowadzone s mae, niezerowe sygnay o takich samych warto-
ciach i znakach, jest to sytuacja równowana zwarciu obydwu wej i wprowadzeniu
sygnau "wspólnego" dla nich;
 105

d) do jednego z wej jest doprowadzony may sygna o niezerowej wartoci, a do drugie-

go wejcia sygna zerowy (drugie wejcie zwarte z mas), wzmacniacz jest sterowany
asymetrycznie.
Traktujc sytuacj w przypadku a jako stan odniesienia, b dziemy okrela zmiany
prdów i napi  we wzmacniaczu powstajce w sytuacjach b, c i d. Dla ujednoznacznienia
zapisu wartoci prdów i napi  w rónych przypadkach b dziemy je opatrywa górnymi
indeksami a, b, c lub d, odpowiednio do sytuacji której dotycz.
Przypadek a
Ui1 = Ui2 = 0
zatem:
U aBE1 U aBE 2 U aBE (5.17)

Przy jednakowych napi ciach baza  emiter w jednakowych tranzystorach pyn jed-
nakowe prdy:
I aC1 I aC 2 I aC ; I aE1 I aE 2 I aE (5.18)

Napi cie w punkcie W wynosi

U aW  U aBE ( 5.19)
albo
U aW 2I aE R E  U EE (5.20 )

a zatem prd emiterowy kadego z tranzystorów:

U EE  U aBE
I aE (5.21)
2R E

Zakadajc warto napi cia baza  emiter (np. 0,6 V), napi cie zasilanie i warto re-
zystora emiterowego mona obliczy prd emiterowy, a w kolejnoci i pozostae wielkoci
opisujce punkt pracy tranzystorów. Jak zaoono poprzednio, prdy kolektorowe s w
przyblieniu równe emiterowym IC | IE, co pozwala wyznaczy napi cia wyjciowe jako:

U ao1 U ao 2 U CC  R C I aC ! 0 (5.22)
oraz
U ao12 0 (5.23)

W opisanym stanie pracy, z trzech napi  wyjciowych wzmacniacza rónicowego

tylko wyjciowe napi cie rónicowe, na wyjciu symetrycznym, odpowiada cile najprost-
szemu obrazowi dziaania wzmacniacza, polegajcemu na przyj ciu, e jeeli sygna wej-
ciowy jest zero (jak w rozpatrywanej sytuacji), to sygna wyjciowy te ma by zero.
W odniesieniu do napi  na wyjciach asymetrycznych taki stan nie wyst puje, po-
mimo zerowych napi  wejciowych napi cia wyjciowe s niezerowe, co wymaga nast -
pujcego komentarza: jako sygna wyjciowy na wyjciu asymetrycznym naley traktowa
nie bezwzgl dn warto napi cia na tym wyjciu, ale zmian tego napi cia, obliczon
106

przez porównanie do wartoci, jaka wyst powaa bez sygnaów wejciowych, czyli w sta-
nie oznaczonym jako przypadek a.
Przypadek b
U i1 U ib ; U i2  U ib
zatem:
U bBE1  U bBE 2 2 U ib (5.24)

Doprowadzone sygnay wejciowe spowodoway zmian wysterowania tranzystorów

T1 i T2. Porównujc wartoci napi  baza  emiter w przypadku b ze stanem w przypadku
a zapisujemy zmiany tych napi  jako:
'U bBE1 U bBE1  U aBE ; 'U bBE 2 U bBE 2  U aBE ( 5.25)

Mona wykaza, e dla maych wartoci sygnau wejciowego (poj cie "may sygna"
b dzie sprecyzowane w nast pnym punkcie) jest:
'U bBE1 U ib ; 'U bBE 2  U ib (5.26)

co oznacza, e napi cie baza  emiter tranzystora T1 wzrasta, a tranzystora T2 maleje, w

porównaniu do stanu w przypadku a.
Dla wyznaczenia skutków zmiany wielkoci UBE w tranzystorze bipolarnym posuy-
my si równaniami (3.18), opisujcymi liniowy model tego tranzystora. Te równania jesz-
cze bardziej uprocimy, odrzucajc czony, które zazwyczaj s znacznie mniejsze od pozo-
staych, a pozostawiajc tylko zalenoci:
'U BE | h 11e 'I B ; 'I C | h 21e 'I B (5.27)
z których otrzymuje si :
h 21e
'I C | 'U BE |'I E ( 5.28)
h 11e

Zmiana napi  baza  emiter wywoa wi c zmiany prdów tranzystorów. W porówna-

niu do stanu w przypadku a zmiany prdów kolektorowych wynosz:
h 21e h
b
'I C1 I Cb 1  I aC1 | 'U bBE1 | 21e U ib
h11e h11e
(5.30)
h h
b
'I C 2 I Cb 2  I aC 2 | 21e 'U bBE 2 |  21e U ib
h11e h11e
Odnotujmy, e przyrost prdu w tranzystorze T1 jest równy zmniejszeniu prdu w
tranzystorze T2. Skutkiem tego jest stao sumy prdów kolektorowych:
I Cb 1  I Cb 2 I aC1  I aC 2 (5.31)

Pami tajc o zaoeniu IC | IE, mona stwierdzi, e w przypadku b prd pyncy

przez rezystor emiterowy pozostaje taki sam jak w przypadku a i dlatego potencja punktu
W dla obydwu tych przypadków jest taki sam. Wartoci sygnaów wyjciowych asyme-
trycznych okrelimy jako:
 107

h 21e b
'U o1 U o1  U o1  R C 'I Cb 1 | R c
b b a
Ui
h 11e
(5.32)
h 21e b
b
'U o 2 U ob 2  U ao 2  R C 'I Cb 2 | R c Ui
h 11e

Wprowadzone sygnay wejciowe spowodoway zmniejszenie napi cia na wyjciu

asymetrycznym z tranzystora T1 i wzrost napi cia na wyjciu z tranzystora T2. Zauwamy,
e zmiana napi cia wyjciowego jest proporcjonalna do sygnau wejciowego, wspóczyn-
nik proporcjonalnoci jest to wspóczynnik wzmocnienia napi ciowego i w tym przypadku
wynosi on h21eRC/h11e. Skutkiem przeciwbienych zmian napi  na obydwu wyjciach asy-
metrycznych jest pojawienie si dwukrotnie wi kszego sygnau na wyjciu symetrycznym:
h 21e b
U ob12 U ob1  U ob 2 | 2R c Ui (5.33)
h 11e
Przypadek c
U i1 U i2 U ic ! 0

Symetryczne wysterowanie obydwu tranzystorów powoduje jednakowe zmiany na-

pi  bazaemiter zatem:
U cBE1 U cBE 2 U cBE (5.34)

Podobnie jak w przypadku a, przy jednakowych napi ciach bazaemiter w obydwu

tranzystorach, take ich prdy b d jednakowe:

I cC1 I cC 2 I cC ; I cE1 I cE 2 I cE (5.35)

Napi cie w punkcie W wynosi

U cW U ic  U cBE (5.36)
albo moe by wyraone jako:
U cW 2I cE R E  U EE (5.37)

Porównujc warto tego napi cia w przypadku c z wartoci tego napi cia w przy-
padku a znajduje si :
U cW  U aW U ic  U cBE  U aBE U ic  'U cBE (5.38)
albo
c
U cW  U aW 2 R E I cE  I aE 2 R E 'I E (5.39)

Przyrównujc dwie powysze wielkoci i korzystajc z zalenoci (5.28): znajduje si :

h 21e
'I C |
c
U ic (5.40)
h11e  2h 21e R E

co pozwala obliczy zmiany napi  na wyjciach asymetrycznych, czyli warto sygnau

wyjciowego asymetrycznego:
108

h 21e R C R
c
'U o1
c
'U o 2  R C 'I cC |  U ic |  C U ic (5.41)
h 11e  2h 21e R E 2R E

Napi cia na obydwu wyjciach zmieniy si , ale w tym przypadku wspóczynnik

wzmocnienia wynosi w przyblieniu RC/2RE, czyli jest inny anieli by wyznaczony w
przypadku b. Napi cie wyjciowe rónicowe wynosi:

U co12 0 (5.42)

bo napi cia na obydwu wyjciach asymetrycznych zmieniy si jednakowo.

Przypadek d
U i1 U id ! 0; U i2 0.

Taka sytuacja wyst puje cz sto w praktyce, gdy sygna, okrelony jako napi cie
wzgl dem wspólnej masy caego ukadu elektronicznego, ma by wzmocniony we wzmac-
niaczu rónicowym (lub operacyjnym). Pomimo sterowania tylko jednego wejcia naley
zaoy, e zmieniaj si wielkoci elektryczne w obydwu tranzystorach. Napi cia baza 
emiter tranzystorów speniaj równo:

U dBE1 U dBE 2  U id (5.43)

Napi cie pomi dzy punktem W poczenia emiterów a mas wynosi:

U dW U id  U dBE1  U dBE 2 (5.44)

Wielko zmian napi  baza  emiter w tranzystorach okrelimy porównujc przypa-

dek d z przypadkiem a:

'U dBE1 U dBE1  U aBE U id  ( U dW  U aW ) (5.45)

oraz
'U dBE 2 U dBE 2  U aBE U id  ( U dW  U aW ) (5.46)

Zapisujc warto napi cia Uw w uzalenieniu od prdów emiterowych, otrzymuje-

my:

U dW ( I dE1  I dE 2 )R E  U EE (5.47)

Zmian wartoci tego napi cia, spowodowan sygnaem wejciowym, okrelamy

przez porównanie przypadków d i a:

U dW  U aW (I dE1  I aE  I dE 2  I aE )R E ( 'I dE1  'I dE 2 )R E (5.48)

Dla wyznaczenia zmian wartoci prdów emiterowych posuymy si równaniem

przyrostowym (5.28), otrzymujc po przeksztaceniach:
h 21e R E
U dW  U aW | ( 'U dBE1  'U dBE 2 ) (5.49)
h 11e
 109

Podstawiajc t warto do wzorów (5.45), (5.46) i odpowiednio je przeksztacajc,

otrzymujemy:
h  h 21e R E d 1 d
'U dBE1 | 11e Ui | Ui (5.50)
h11e  2h 21e R E 2
oraz
h 21e R E 1
'U dBE 2 |  U id |  U id (5.51)
h 11e  2h 21e R E 2

Powysze wzory potwierdzaj podan uprzednio uwag , e pomimo i sterowane jest

tylko jedno wejcie wzmacniacza, to w obydwu tranzystorach napi cia baza  emiter ulegy
zmianie. Przy znacznym uproszczeniu mona te przyjmowa, e w rozpatrywanej sytuacji
sygna wejciowy dzieli si na poowy, czyli rozkada si równo na obydwa tranzystory, dzia-
ajc na nie z odwrotnymi znakami. To powoduje, e w jednej ga zi wzmacniacza prd wzra-
sta a w drugiej maleje. Porównujc nieco mniej uproszczone zapisy mona jednak dostrzec,
e zmiany napi  sterujcych obydwa tranzystory róni si nie tylko znakiem ale i wartoci.
Jeeli speniony jest warunek: h11e << h21eRE, to ta rónica wartoci napi  jest pomijalnie maa.
Sygnay wyjciowe asymetryczne, rozumiane jako zmiana napi  na wyjciach asyme-
trycznych, wynosz:
h 21e h11e  h 21e R E d 1 h 21e R C d
'U do1 R C 'I dC1 | R C Ui |  Ui (5.52)
h 11e h 11e  2h 21e R E 2 h 11e

h 21e h 21e R E 1 h 21e R C d

'U do 2  R C 'I dC2 | R C U id | Ui (5.53)
h 11e h11e  2h 21e R E 2 h11e

Wartoci sygnaów wyjciowych asymetrycznych, podobnie jak napi cia baza  emi-
ter, róni si znakami i wartociami, i podobnie rónica wartoci moe by pomini ta przy
dostatecznie duej wartoci rezystancji RE. Sygna wyjciowy rónicowy, czyli napi cie na
wyjciu symetrycznym wynosi:
h R
U do12  R C ('I dC1  'I dC1 ) |  21e C U id (5.54)
h 11e

Uproszczenie tego wzoru nie wymaga zaoenia odpowiednio duej wartoci rezy-
stancji RE. Podobnie jak w przypadku a i b, take w przypadku d, napi cie na wyjciu sy-
metrycznym odpowiada cile najprostszemu obrazowi dziaania wzmacniacza, tj. potwier-
dza proporcjonalno sygnaów wyjciowego i wejciowego ze wspóczynnikiem wzmoc-
nienia napi ciowego h21eRC/h11e.
Rozpatrzone powyej przypadki wskazuj na pewne cechy wzmacniacza rónicowego:
 napi cia na wyjciach asymetrycznych zmieniaj si przy kadej kombinacji sygnaów
wejciowych, aczkolwiek z rónymi wspóczynnikami wzmocnienia napi ciowego
(por. np. wzory (5.32); (5.41); (5.52)),
 napi cie na wyjciu symetrycznym pojawia si tylko przy niejednakowym wysterowa-
niu obydwu tranzystorów, ale zawsze z takim samym wspóczynnikiem wzmocnienia
napi ciowego (wzory (5.54); (5.33)).
110

5.3.2. Parametry wzmacniacza ró nicowego

Sposób reakcji wzmacniacza rónicowego na sygnay wejciowe narzuca pewien typ
opisu jego waciwoci. Zamiast rozwaania fizycznie przyczanych sygnaów wejcio-
wych Ui1 oraz Ui2 wprowadza si dwie wielkoci pomocnicze: wejciowe napi cie róni-
cowe Uidiff oraz wejciowe napi cie wspólne (sumacyjne) Uicom, definiowane jak niej:
Uidiff Ui1  Ui 2
Ui1  Ui 2 (5.55)
Uicom
2
a napi cia wyjciowe uzalenia si od tych sygnaów nast pujco:
1
' Uo1  K udiff Uidiff  K ucom Uicom
2
1
' Uo 2 K udiff Uidiff  K ucom Uicom (5.56)
2
Uo12  K udiff Uidiff
Wielko Kudiff nazywa si wspóczynnikiem wzmocnienia napi ciowego wejciowego
sygnau rónicowego, a wielko Kucom wspóczynnikiem wzmocnienia napi ciowego wej-
ciowego sygnau wspólnego.
Sygnay wejciowe, zastosowane w uprzednio opisanych i pokazanych na rys. 5.9
przypadkach szczególnych, odpowiadaj nast pujcym wartociom sygnau rónicowego i
wspólnego:
przypadek b): U idiff 2U ib ; U icom 0

przypadek c): U idiff 0; U icom U ic

U id
przypadek d): U idiff U id ; U icom
2
Porównujc odpowiednie wzory, wyprowadzone dla przypadków szczególnych, mo-
na znale  wartoci wspóczynników wzmocnienia napi ciowego jako:
RC
K udiff | h 21e (5.57)
h 11e
oraz
h 21e R C R
K ucom |  | C (5.58)
h11e  2h 21e R E 2R E

Idealny wzmacniacz rónicowy powinien dobrze wzmacnia sygna rónicowy Uidiff

oraz nie powinien wzmacnia sygnau wspólnego Uicom, czyli powinien mie duy wspó-
czynnik Kudiff i may wspóczynnik Kucom. Taki warunek stawia si , poniewa reakcja
wzmacniacza (zmiana napi  wyjciowych) na sygna wspólny jest taka sama jak reakcja
na nast pujce, niekorzystne, czynniki:
 111

 dziaanie temperatury: zmiana temperatury powoduje zmiany prdów i napi  w tranzy-

storze, jeeli obydwa tranzystory b d zmienia temperatur tak samo, to mona to in-
terpretowa jako wprowadzenie sygnau wspólnego do nich;
 dziaanie zakóce: jeeli w przewodach prowadzcych do obydwu wej wzmacniacza
b d indukowane takie same napi cia zakóce, to b d one stanowiy sygna wspólny
dla wzmacniacza;
 niestabilno zasilania: zmiany wartoci napi  zasilajcych, dziaajce tak samo na
obydwa tranzystory, mona interpretowa jako wprowadzenie sygnau wspólnego do
wzmacniacza.
Jeeli wzmacniacz reaguje sabo, lub wcale, na jednakowe sygnay, których miar jest
wielko sygnau wspólnego Uicom, to równie jego reakcja b dzie saba lub adna na zmia-
ny temperatury, symetryczne zakócenia i niestabilnoci róde zasilania. Jest to bardzo
wana cecha wzmacniacza rónicowego, decydujca o jego szerokim zastosowaniu.
Wzory (5.56) mona przeksztaci do postaci:
1 § Uicom ·
' Uo1  K udiff ¨ Uidiff  ¸
2 © CMRR ¹
(5.59)
1 § Uicom ·
' Uo 2 K udiff ¨ Uidiff  ¸
2 © CMRR ¹

podkrelajcej, e sygna wejciowy wzmacniacza rónicowego naley traktowa jako zo-

ony z dwu skadników: "poytecznego" sygnau rónicowego i "szkodliwego" sygnau
wspólnego, przyczym sygna wspólny jest osabiony przez podzielenie jego wartoci przez
CMRR (Common Mode Rejection Ratio  wspóczynnik tumienia sygnau wspólnego).
Warto CMRR powinna by moliwie dua, w rozpatrywanym ukadzie wzmacniacza
wynosi ona:
 K udiff h 21e R C h 11e  2h 21e R E h 21e R E
CMRR | (5.60)
2K ucom h11e 2h 21e R C h11e

Praktycznie stosowanym sposobem zwi kszenia CMRR jest zastpienie rezystora emi-
terowego ródem prdowym. Idealne, teoretyczne ródo prdowe, jak pokazane na sche-
macie rys. 5.10, ma rezystancj wewn trzn nieskoczenie du i zapewnia sta warto
prdu. Praktyczny ukad tranzystorowy, dziaajcy podobnie jak ródo prdowe, ma rezy-
stancj wewn trzn du, ale nie nieskoczenie du, dlatego w praktycznych ukadach
wzmacniaczy rónicowych warto wspóczynnika tumienia sygnau wspólnego CMRR
jest dua ale skoczona.

5.3.3. Model nieliniowy wzmacniacza ró nicowego

Na rys. 5.10 pokazano schemat wzmacniacza zasilanego przez ródo napi ciowe UCC
i ródo prdowe IEE. Pozostae oznaczenia i zaoenia s takie same jak uywane w po-
przednich punktach. Analiz ukadu przeprowadza si opierajc si na modelach tranzysto-
rów przedstawionych w p. 3.4.2.
112

RC RC UCC

Uo1- 2

Uo1 T1 T2 Uo2

Uidiff
IEE
Ui1 Ui2

Rys. 5.10. Zasilanie prdowe emiterów we wzmacniaczu rónicowym

Tranzystory bipolarne opisuje si wzorem (3.14) w uproszczonej postaci:

U BE1
I C1 | D F I E 0 exp
VT
(5.61)
U BE 2
I C 2 | D F I E 0 exp
VT

Napi cie wejciowe rónicowe wynosi:

U idiff U BE1  U BE 2 (5.62)

Stosunek prdów tranzystorów mona wi c uzaleni od napi cia wejciowego

wzmacniacza:
U
D F I E 0 exp BE1
I C1 VT U
exp idiff (5.63)
I C2 U BE 2 VT
D F I E 0 exp
VT

uwzgl dniajc ponadto stao prdu zasilania:

I C1  I C 2 | I E1  I E 2 I EE (5.64)
mona zapisa:
U idiff
exp
VT
I C1 I EE
U
1  exp idiff
VT (5.65)
1
I C2 I EE
U idiff
1  exp
VT

Korzystajc ze wzoru definicyjnego funkcji tangens hiperboliczny, otrzymujemy:

 113

1 e 2x
1  tgh x
2 e 2x  1
co pozwala zapisa prdy tranzystorów jako:

1 § U ·
I C1 I EE ¨¨1  tgh idiff ¸¸
2 © 2VT ¹
(5.66)
1 § U idiff ·
I C2 I EE ¨¨1  tgh ¸
2 © 2VT ¸¹

Znajc zaleno prdów kolektorów od rónicowego sygnau wejciowego i korzy-

stajc z zalenoci (5.15) i (5.16), mona okreli napi cia wyjciowe wzmacniacza:

1 § U ·
U o1 U CC  I EE ¨¨1  tgh idiff
¸¸
2 © 2VT ¹
1 § U ·
U o2 U CC  I EE ¨¨1  tgh idiff ¸¸ (5.67)
2 © 2 VT ¹
U idiff
U o12 U o1  U o 2  I EE R C tgh
2VT

Zalenoci trzech napi  wyjciowych od wejciowego napi cia rónicowego, opisane

wzorami (5.67), s to charakterystyki przenoszenia wzmacniacza rónicowego, pokazane
na rys. 5.11. Jak wynika z wzorów i wykresów, charakterystyki przenoszenia wzmacniacza
rónicowego s nieliniowe. Stosujc konwencjonalne techniki linearyzacji mona znale ,
e jeeli zaoy si µUidiffµ< 0,5 VT (okoo 13 mV przy 300 K), to tangens hiperboliczny
we wzorach mona zastpi funkcj liniow z b dem nieprzekraczajcym 2%. Otrzymuje
si wtedy m.in. zaleno:
I R
U o12 |  EE C U idiff (5.68)
2VT

wyraajc, w jawnej formie, podstawowy parametr wzmacniacza rónicowego  wspó-

czynnik wzmocnienia napi ciowego sygnaów rónicowych:
I EE R C
K udiff |  (5.69)
2VT

Wzór (5.68) wskazuje na interesujc cech wzmacniacza rónicowego  napi cie

wyjciowe jest proporcjonalne do iloczynu prdu zasilania i sygnau wejciowego. Jeeli
staoprdowe ródo zasilajce IEE zastpi ródem prdowym sterowanym, to ten wzmac-
niacz umoliwia dokonywanie operacji mnoenia sygnaów.
Warunek przeprowadzenia linearyzacji wzorów (5.67) z okrelonym b dem (np. 2%)
moe suy jako kryterium okrelajce "mae sygnay" jako takie, przy których Uidiff jest
mniejsze od okrelonej wartoci (np. 13 mV).
114

Warto doda, e nawet przy stosunkowo niewielkiej rónicy napi  sterujcych oby-
dwa tranzystory, Uidiff okoo 0,1 V, jeden z nich zostaje zatkany, a cay prd IEE przepywa
przez drugi tranzystor. W takim stanie wzmacniacz nie reaguje na mae sygnay, czyli prze-
staje wzmacnia. Ten stan nazywa si nasyceniem wzmacniacza, na charakterystyce prze-
noszenia odpowiada mu odcinek paski.
Analizujc pozostae wzory (5.67) znajduje si , e w wartociach napi  na wyjciach
asymetrycznych s dwie skadowe, z których jedna zaley tylko od zasilania (UCC, IEE), a
druga od zasilania i sygnau wejciowego. Tylko t drug skadow traktuje si jako sygna
wyjciowy wzmacniacza, który w poprzednim punkcie by oznaczany jako 'U01 i 'U02.
Dokonujc odpowiednich przeksztace, znajduje si , e na wyjciach asymetrycznych
wspóczynniki wzmocnienia napi ciowego dla sygnau wejciowego rónicowego s o
poow mniejsze od Kudiff i maj róne znaki.

Uo

UCC
Uo2
UCC - 0,5I EER C
U o1
UCC - I EE RC
Uidiff

Uodiff

Rys. 5.11. Charakterystyki przenoszenia wzmacniacza rónicowego

Dwa wejcia wzmacniacza rónicowego umoliwiaj swoist "manipulacj " znakami

sygnaów. Przy przyj tych oznaczeniach dodatniemu sygnaowi wejciowemu, rónico-
wemu odpowiada ujemny sygna wyjciowy, rónicowy. Dodatni sygna wejciowy Uidiff
uzyskuje si np. zwierajc wejcie 2 z mas (Ui2 = 0) i podajc dodatnie napi cie do wej-
cia 1 (Ui1 > 0)  napi cie wyjciowe rónicowe b dzie ujemne. Ale dodatni sygna wej-
ciowy Uidiff mona te uzyska zwierajc wejcie 1 z mas (Ui1 = 0) i podajc ujemne na-
pi cie do wejcia 2 (Ui2 < 0)  napi cie wyjciowe rónicowe take b dzie ujemne. W
pierwszym przypadku wzmacniacz, oprócz wzmocnienia, powoduje te zmian znaku sy-
gnau i dlatego, dziaajce w tej sytuacji, wejcie 1 nazywa si odwracajcym i oznacza si
znakiem minus. W drugim przypadku znak sygnau nie zmieni si a dziaajce w tej sytu-
acji wejcie 2 nazywa si nieodwracajcym i oznacza znakiem plus.
Na koniec trzeba doda, i przedstawione analizy s niekompletne, poniewa nie
uwzgl dniaj efektów dynamicznych. Aby je uwzgl dni, naleaoby wprowadzi np. nie-
liniowe pojemnoci do modelu tranzystora. Przeprowadzane dokadniejsze analizy, cz sto
metod symulacji komputerowych, potwierdzaj intuicyjny wniosek, e wzmacniacz róni-
 115

cowy dobrze wzmacnia sygnay wolnozmienne oraz sygnay sinusoidalne o ograniczonych

cz stotliwociach, czyli jego charakterystyka cz stotliwociowa jest typow charakterysty-
k wzmacniacza prdu staego, jak pokazano na rys. 5.6.

5.4. Wzmacniacz operacyjny (WO)

Wzmacniacz operacyjny, którego nazwa wywodzi si od moliwoci realizacji opera-
cji matematycznych, zawiera stopnie wzmacniajce w poczeniu kaskadowym. Stopniem
wejciowym jest zwykle wzmacniacz rónicowy, stopniem kocowym jest wzmacniacz
mocy Cao jest wykonywana jako jeden ukad scalony, wyposaony w stosunkowo roz-
budowane podzespoy, cznie zawierajcy kilkanacie do kilkudziesi ciu tranzystorów,
diod, rezystorów. Zasilanie wzmacniacza jest zorganizowane tak, jak w ukadzie rónico-
wym, to jest z dwu róde napi cia staego.

+UC C
UC C
-

U i2
U i,diff
Uo
+
U i1 UE E
-UE E

Rys. 5.13. Wzmacniacz operacyjny

Wejcia wzmacniacza operacyjnego to wejcia pierwszego stopnia rónicowego, czyli

dwa zaciski ("+" oraz ""), do których mona przycza róda sygnaów, pami tajc o
koniecznoci zapewnienia poczenia, poredniego lub bezporedniego, kadego z wej z
ogóln mas. Wyjcie wzmacniacza jest zwykle asymetryczne, napi cie wyjciowe Uo jest
okrelane wzgl dem masy. Na rys. 5.13 pokazano szkic przedstawiajcy symbol wzmac-
niacza, uzupeniony o uproszczone elementy schematu wewn trznego i oznaczenia napi .
Producenci umieszczaj w jednej obudowie jeden lub dwa, a niekiedy i cztery, wzmacnia-
cze o wspólnym zasilaniu, pracujce niezalenie lub z ustalonym wspódziaaniem.

5.4.1. Parametry wzmacniacza operacyjnego

Parametry techniczne wzmacniacza obejmuj kilkadziesit pozycji i charakterystyk.
W dalszym tekcie przedstawia si wybrane, waniejsze parametry techniczne scalonego
wzmacniacza operacyjnego.
Wzmocnienie napi ciowe (rónicowe) wzmacniacza operacyjnego jest due, wynosi
kilkadziesit tysi cy do miliona V/V. Wynika to z przemnaania wspóczynników wzmoc-
116

nienia kolejnych stopni (kilkadziesit do kilkuset) przy ich poczeniu kaskadowym. Warto
zauway, e przy zasilaniu np. r12 V maksymalna warto napi cia wyjciowego jest
ok. r11 V, aby uzyska tak warto przy wzmocnieniu na przykad 100 000 V/V wystar-
czy doprowadzi do wejcia sygna rónicowy o wartoci rz du 0,1 mV. Tak mae wartoci
napi cia cz sto, w pierwszym przyblieniu, traktuje si jako zero, co przy skoczonej war-
toci napi cia wyjciowego, oznacza przyj cie nieskoczenie duego wzmocnienie wzmac-
niacza operacyjnego.
Prd wejciowy pierwszego stopnia jest bardzo may, zwykle ma warto poniej jed-
nego mikroampera, co pozwala w uproszczeniu traktowa go jako warto zerow. Innymi
sowy oznacza to przyj cie, e rezystancja wejciowa wzmacniacza operacyjnego jest nie-
skoczenie wielka. Przy dokadniejszych obliczeniach trzeba uwzgl dnia prdy wejciowe
opisane przez ich redni warto, zwan prdem polaryzacji oraz rónic , zwan prdem
niezrównowaenia i jej zmienno z temperatur.
Charakterystyka przenoszenia wzmacniacza operacyjnego jest pokazana na rys. 5.14.
Pracy liniowej odpowiada odcinek nachylony, odcinki poziome oznaczaj wprowadzenie
wzmacniacza w nasycenie. Przy wzmacnianiu sygnaów analogowych korzysta si z zakre-
su pracy liniowej, któremu odpowiada prze-
Uo dzia wejciowych napi  rónicowych rz du
+UCC uamka miliwolta. Aby zapewni tak mae
napi cia rónicowe wejciowe wzmacniacza
operacyjnego, zwykle zaopatruje si go w
silne ujemne sprz enie zwrotne. Sygna
Ui,diff
sprz enia zwrotnego, odejmujc si od sy-
-1mV +1mV gnau wejciowego doprowadzonego z ze-
2Ui,offset wntrz, cz ciowo kompensuje ten sygna,
tak aby pozostaa rónica nie powodowaa
- UEE nasycenia wzmacniacza.
Do cz sto, ze wzgl du na rozrzuty
produkcyjne, charakterystyka przenoszenia
wzmacniacza jest przesuni ta na osi odci -
Rys. 5.14. Charakterystyka przenoszenia
wzmacniacza operacyjnego tych (nie przechodzi przez punkt 0,0), jak
pokazano na rys. 5.14. W takich przypadkach
okrela si napi cie niezrównowaenia
wzmacniacza. Napi cie to moe by okrelone jako wyjciowe napi cie niezrównowaenia
przez podanie moliwej wartoci napi cia wyjciowego wzmacniacza przy zerowym na-
pi ciu wejciowym, ale cz ciej okrela si wejciowe napi cie niezrównowaenia wzmac-
niacza (input offset) jako maksymaln warto napi cia wejciowego, jaka moe by nie-
zb dna, aby napi cie wyjciowe sprowadzi do zera.
Charakterystyki cz stotliwociowe: amplitudow i fazow, wzmacniacza operacyjne-
go pokazano na rys. 5.15. Warto zauway, e te charakterystyki dotycz "goego" wzmac-
niacza; z otwart p tl sprz enia zwrotnego. Stosowane z reguy ujemne sprz enie
zwrotne modyfikuje silnie przebieg charakterystyk zespou zoonego ze wzmacniacza
poczonego z czonem sprz enia zwrotnego.
 117

Ku,diff
)
f

1 f
0 f1

Rys. 5.15. Charakterystyki cz stotliwociowe

Cz sto stosowan miar waciwoci dynamicznych wzmacniacza operacyjnego jest

podawanie cz stotliwoci granicznej f1, przy której modu wspóczynnika wzmocnienia
napi ciowego zmniejsza si do jednoci.

5.4.2. Zastosowania liniowe WO

W niniejszym punkcie podaje si tylko pi  (z poród setek) przykadów zastosowa
wzmacniaczy operacyjnych w ukadach liniowych. Okrelenie "liniowy" oznacza tutaj, e
w tych ukadach korzysta si z liniowego odcinka charakterystyki przenoszenia WO, stosu-
jc waciwe ujemne sprz enie zwrotne. W analizie wszystkich przykadów zastosowano
jednakowe uproszczenia przyjmujc, e wzmacniacz operacyjny jest idealnym wzmacnia-
czem napi ciowym o podstawowych parametrach:
 rezystancja wejciowa nieskoczenie dua (Ii = 0 take przy Ui z 0),
 zerowa rezystancja wyjciowa,
 wzmocnienie napi ciowe nieskoczenie due ( Ku = f zatem Uidiff = 0),
 cakowicie paska charakterystyka cz stotliwociowa (niezalena od f).
Przyj te zaoenie nieskoczenie duego wzmocnienia napi ciowego powoduje, e o
waciwociach ukadu zawierajcego wzmacniacz ze sprz eniem zwrotnym, decyduje
wanie to sprz enie a nie wzmacniacz (por. wzór 5.11), przytaczane poniej wzory, opi-
sujce analizowane przykady, potwierdzaj ten wniosek.
W praktyce projektowej, tak znaczne uproszczenie jak powysza idealizacja wzmac-
niacza operacyjnego, moe by stosowane wycznie na etapie wst pnych projektów kon-
cepcyjnych. Projekty techniczne musz uwzgl dnia rzeczywiste parametry rzeczywistych
ukadów scalonych, co wymaga znacznie bardziej szczegóowego opisu tych ukadów.
Odmienny sposób wykorzystania scalonych wzmacniaczy operacyjnych, z wykorzy-
staniem ich waciwoci nieliniowych, przedstawiono w nast pnym rozdziale, przy opisie
ukadu z dodatnim sprz eniem zwrotnym.
Wzmacniacz sygnau odwracajcy (znak)
Schemat ukadu pokazano na rys. 5.16, gdzie oznaczono te wielkoci elektryczne.
Sygna wejciowy Ui (mierzony wzgl dem wspólnej masy) jest doprowadzony do wejcia
"" wzmacniacza operacyjnego przez rezystor R1. Wzmocniony sygna wyjciowy Uo (te
mierzony wzgl dem wspólnej masy, a "wytworzony" przez wzmacniacz), otrzymuje si
118

z wyjcia wzmacniacza operacyjnego. Ten sygna moe by doprowadzony do obcienia

wzmacniacza, co na rysunku oznaczono zaciskiem, a take jest wykorzystany do utworze-
nia ujemnego sprz enia zwrotnego. Rezystory R1 i R2 tworz czwórnik ujemnego sprz -
enia zwrotnego. Równania opisujce dwa oczka ukadu i jeden w ze maj posta:
U i  I1R 1  U idiff 0
U o  I 2 R 2  U idiff 0 (5.70)
I1 Ii  I 2

Zakadajc dla uproszczenia, e Uidiff = 0 oraz Ii = 0 otrzymuje si :

R2
Uo  Ui (5.71)
R1

co oznacza e wspóczynnik wzmocnienia ukadu, tj. wzmacniacza operacyjnego z czo-

nem sprz enia zwrotnego, wynosi R2/R1. Znak minus oznacza "odwrócenie" sygnau tj.
dodatniemu sygnaowi wejciowemu odpowiada ujemny sygna wyjciowy i odwrotnie.
Dobierajc stosunek rezystancji R2 do R1 uzyskuje si potrzebne wzmocnienie napi ciowe,
wi ksze lub mniejsze od jednoci.

R2 I2

R1 I1 Ii
-

Ui Ui,diff
+
Uo

Rys. 5.16. Wzmacniacz odwracajcy

Rezystancja wejciowa ukadu moe by wyznaczona z definicji, jako stosunek napi -
cia doprowadzanego do wejcia Ui do prdu pobieranego ze róda sygnau czyli I1. W tym
ukadzie jest to warto rezystancji R1.
Dobór konkretnych wartoci rezystancji jest ograniczony parametrami technicznymi rze-
czywistego wzmacniacza. W bardzo zgrubnym podejciu projektowym mona wskaza, e
równania (5.70), oraz wnioski z nich wypywajc, b d suszne pomimo uproszcze, gdy
wszystkie napi cia: Ui, Uo, I1R1, I2R2 s znacznie wi ksze od pomini tej wartoci Uidiff, a pr-
dy: I1, I2 s znacznie wi ksze od pomini tej wartoci prdu wejciowego Ii. Przy dokadniej-
szym projektowaniu naley korzysta z bardziej szczegóowych analiz takich ukadów.
Wzmacniacz sygnau nieodwracajcy (zachowujcy znak)
Na rys. 5.17 pokazano schemat wzmacniacza nieodwracajcego, czyli zachowujcego
znak sygnau. Czwórnik sprz enia zwrotnego w tym schemacie jest to dzielnik oporowy
 119

utworzony z rezystorów R1 i R2. Wydzielona cz  napi cia wyjciowego jest doprowadzona

do wejcia "" wzmacniacza operacyjnego, a sygna wejciowy do wejcia "+", tak wi c sy-
gna rónicowy Uidiff, realnie oddziaywujcy na wzmacniacz operacyjny, jest rónic sygnau
wejciowego i sygnau sprz enia zwrotnego (sprz enie ujemne). Przyjmujc dla uproszcze-
nia Uidiff = 0, tym samym przyjmuje si , e napi cia wej "+" i "" s jednakowe, czyli:
R1
Ui Uo (5.72)
R1  R 2
skd otrzymuje si :
§ R2 ·
Uo ¨¨1  ¸¸ U i (5.73)
© R1 ¹
Wspóczynnik wzmocnienia wzmacniacza nieodwracajcego, wynosi wi c:
Uo R2
Ku 1 (5.74)
Ui R1

R2

R1
-

+
Uo
Ui

Rys. 5.17. Wzmacniacz sygnau nieodwracajcy

W rozpatrywanym przykadzie mona uzyska potrzebny wspóczynnik wzmocnienia

(nie mniejszy od 1) dobierajc odpowiednio stosunek wartoci rezystancji R1 i R2. W
szczególnoci mona zastosowa zwarcie wyjcia z wejciem "" i przerw zamiast rezy-
stora R1, otrzymujc wzmacniacz o wzmocnieniu jeden, czyli wtórnik.
Rezystancja wejciowa, czyli stosunek napi cia do prdu wejciowego, przy przyj -
tych uproszczeniach, jest nieskoczenie wielka.
Wzmacniacz ró nicy sygnaów
Schemat ukadu pokazano na rys. 5.18. Zadaniem tego ukadu jest wytworzenie sygnau
wyjciowego Uo, o wartoci równej rónicy waonej (tj. z ustalonymi wspóczynnikami przy
odjemnej i odjemniku) dwu sygnaów wejciowych Ui1 oraz Ui2. Równania opisujce oczka
(dla idealnego WO) maj posta:
U i1  I1R 1  I1R 2  U o 0
U i2  I 2 R 3  I 2 R 4 0 (5.75)
U i1  I1R 1  I 2 R 4 0
120

skd, po przeksztaceniach, otrzymuje si :

Uo R 2 §¨ R 1  R 2 R4 ·
U i 2  U i1 ¸¸ (5.76)
R1 ¨© R 2 R 3  R 4 ¹

a jeeli zastosuje si rezystory R1 = R3 oraz R2 = R4, to powstaje wzmacniacz rónicy sy-

gnaów:
R2
Uo U i 2  U i1 (5.77)
R1

R2 I1

R1 I1
-
Ui1 I2 R3
+
Uo
Ui 2
R4
I2

Rys. 5.18. Wzmacniacz rónicy sygnaów

Ukad moe by stosowany jako czon odejmujcy dwa analogowe sygnay w obwo-
dach automatyki, czyli speniajcy funkcj tzw. "w za sumujcego " w ukadach automa-
tycznej regulacji.
Sumator
Schemat ukadu pokazano na rys. 5.19. Zadaniem tego ukadu jest wytworzenie sy-
gnau wyjciowego Uo, o wartoci równej sumie waonej (tj. z ustalonymi wspóczynnika-
mi przy kolejnych skadnikach) dwu sygnaów wejciowych.

R2 I3

R 11 I1
-
Ui1
R 12 I 2 +
Ui2 Uo

Rys. 5.19. Wzmacniacz sumy sygnaów

 121

Sumowaniu mona te podda wi cej ni dwa skadniki. Rozbudowa sumatora polega
na zwi kszaniu iloci rezystorów czcych wejcie "" wzmacniacza z kolejnymi ródami
sygnaów. Równania opisujce oczka (przy zaoeniu idealnoci WO) maj posta:
U i1  I1R 11 0
U i 2  I 2 R 12 0 (5.78)
U o  I3R 2 0
a równaniem w za jest:
I1 + I2 = I3 (5.79)
skd otrzymuje si :
§R R ·
Uo ¨¨ 2 U i1  2 U i 2 ¸¸ (5.80)
R
© 11 R 12 ¹

Przy jednakowych rezystorach wejciowych R11 = R12 = R1 ukad wzmacnia sum sygna-
ów, nadajc jej odwrotny znak, zgodnie z zalenoci:
R2
Uo  U i1  U i 2 (5.81)
R1

Wzmacniacz cakujcy  integrator

Schemat ukadu pokazano na rys. 5.20, gdzie oznaczono te wielkoci elektryczne.
Rezystor R i kondensator C tworz czon ujemnego sprz enia zwrotnego. Przez kondensa-
tor C sygna z wyjcia wzmacniacza trafia do jego wejcia.

i C

R i
-

ui
+
uo

Rys. 5.20. Integrator

Formalnie opis dziaania ukadu otrzymuje si rozwaajc proces adowania konden-

satora C przy napi ciu na nim uc(t). Prd adujcy kondensator i(t) jest wymuszony przez
przyoony sygna wejciowy ui(t). Przy zaoeniu zerowej wartoci napi cia pomi dzy
wejciami wzmacniacza mona opisa dwa oczka ukadu równaniami:
u i (t ) R i (t )
(5.82)
u o (t ) u C ( t )
122

pami tajc o podstawowej zalenoci dla kondensatora:

d
i( t ) C [u C ( t )] (5.83)
dt
wyprowadza si wzór:
t
1
uo 
RC ³ u i ( t )dt  u o (0) (5.84)
0

Przebieg sygnau wyjciowego integratora jest proporcjonalny do caki z sygnau wej-

ciowego ze znakiem minus, z uwzgl dnieniem pocztkowej wartoci napi cia na konden-
satorze (oraz na wyjciu ukadu zgodnie z (5.82)).
Czytelnikowi pozostawia si ocen cisoci i prawidowoci tego zapisu oraz inter-
pretacj cakowania funkcji czasu u(t), po czasie dt, przy zmiennej z czasem t granicy ca-
kowania.

5.5. Wzmacniacze mocy

Wzmacniacze mocy s konstruowane dla dostarczenia odpowiednio duej mocy do
obcienia. Warto mocy wyjciowej jest zwykle podstawowym zaoeniem konstrukcyj-
nym, obok którego stawia si wymagania dotyczce sprawnoci, minimalnych zniekszta-
ce sygnau i inne, natomiast wzmocnienie napi cia jest zwykle osigane w stopniach
wzmacniajcych poprzedzajcych stopie mocy.
Dla uzyskania duej mocy wyjciowej niezb dne jest wytwarzanie duych wartoci
napi cia i prdu wyjciowego. Rzutuje to na dobór tranzystorów, które musz by odporne
na przepyw duych prdów i wytrzymujce wystpienie znacznych napi . Takie tranzy-
story nazywa si ogólnie tranzystorami mocy.
Praca tranzystora przy duych wartociach napi cia i prdu wie si zwykle z duymi
stratami mocy elektrycznej, zamieniajcej si na ciepo w tranzystorze. To z kolei kompli-
kuje konstrukcj , poniewa trzeba stosowa radiatory (chodnice) skutecznie odprowadza-
jce wytworzone ciepo do otoczenia, przy zachowaniu ograniczonego przyrostu tempera-
tury tranzystora.
Innym problemem technicznym jest to, e przy duych zmianach prdów i napi  w
tranzystorach wyra nie objawiaj si nieliniowoci ich charakterystyk elektrycznych, co
powoduje nieliniowo charakterystyki przenoszenia wzmacniacza i w efekcie prowadzi do
znieksztace wzmacnianych sygnaów.
Te dwa zadania, tj. zaprojektowanie wzmacniacza o maych stratach (duej sprawnoci) i
jednoczenie liniowej charakterystyce przenoszenia (maych znieksztaceniach), prowadz
najcz ciej do sprzecznych rozwiza. Z tego powodu spotyka si wiele rónych ukadów,
opartych na rónych koncepcjach, próbujcych znale  rozwizania kompromisowe.
Dla zilustrowania problematyki wzmacniaczy mocy rozpatruje si przykad wzmac-
niacza przeciwsobnego, wykonanego z tranzystorów komplementarnych. Schemat tego
wzmacniacza pokazano na rys. 5.21. Ukad skada si z dwu bipolarnych tranzystorów mo-
cy, komplementarnych, to znaczy o moliwie jednakowych waciwociach elektrycznych,
 123

a rónicych si budow, jeden typu pnp a +U

drugi typu npn. Zasilanie wzmacniacza jest U
Uo
podwójne: rU wzgl dem masy, wejcie po- npn
mi dzy zwartymi bazami a mas, wyjcie U BE 0V
pomi dzy zwartymi emiterami a mas. RL
pnp
Napi cie pomi dzy baz a emiterem jest Ui U
jednakowe w obydwu tranzystorach, ale ze -U
wzgl du na odmienne budowy tylko jeden z
nich moe zosta wprowadzony w stan ak-
tywny. Jeeli np. napi cie UBE jest dodatnie i Rys. 5.21. Przeciwsobny wzmacniacz mocy
przekracza warto ok. 0,6 V, to tranzystor
npn zacznie przewodzi, przy takim napi ciu zcze baza  emiter tranzystora pnp b dzie
spolaryzowane wstecznie i ten tranzystor b dzie zatkany. Przy napi ciu UBE mniejszym od
ok. 0,6 V obydwa tranzystory s zatkane.
Przy przewodzcym na przykad tranzystorze npn, prd ze róda zasilania +U prze-
pywa przez ten tranzystor i obcienie. Warto prdu jest taka, aby spadek napi cia na
obcieniu, czyli napi cie wyjciowe Uo, speniao równanie oczka:
Ui = UBE + Uo (5.85)
przy Ui > UBE. Podobne równanie otrzymuje si zakadajc, e sygna wejciowy jest ujem-
ny i przewodzi tranzystor pnp. Te równania przedstawiaj charakterystyk przenoszenia
wzmacniacza Uo(Ui), pokazan na rys. 5.22.
Maksymalne napi cie wyjciowe otrzy-
muje si wprowadzajc odpowiedni tranzy- Uo
+U
stor w nasycenie, czemu odpowiada napi cie
kolektor  emiter poniej 1 V. W uproszcze-
niu mona przyj, e maksymalne napi cie
wyjciowe jest równe napi ciu zasilania Uomax Ui
= U. Przy Ui >> UBE równanie (5.85) mona
2U
uproci do postaci: BE

Ui | Uo (5.86)
z której wynika, e ten wzmacniacz nie -U
wzmacnia napi cia, (wspóczynnik wzmoc-
nienia napi ciowego jest w praktyce nieco
mniejszy od jednoci) ale prd wejciowy jest Rys. 5.22. Charakterystyka przenoszenia
prdem bazy a prd wyjciowy prdem emite- wzmacniacza przeciwsobnego
ra, zatem nast puje wzmocnienie prdu tylo-
krotnie, ile wynosi wspóczynnik wzmocnienia prdowego tranzystora h21E + 1. Wzmoc-
nienie mocy we wzmacniaczu mona wi c oszacowa jako Kp | h21E.
Maksymalna moc sygnau staoprdowego jest wydzielana w obcieniu wzmacniacza
przy maksymalnym napi ciu wyjciowym i wynosi w przyblieniu:
124

U2
Po max | (5.87)
RL

Sprawno wzmacniacza jest stosunkiem mocy oddanej do obcienia do mocy po-

branej z zasilania i wynosi:
I U Uo
K| o o (5.88)
Io U U

czyli jest zmienna, zalenie od stosunku wartoci sygnau wyjciowego Uo do wartoci

napi cia zasilania U. Sprawno zblia si do jednoci dla sygnau bliskiego do maksymal-
nego (ten szacunek jest zbyt optymistyczny z powodu przyj tych zaoe upraszczajcych)
albo zmniejsza si do zera, gdy prd wyjciowy maleje do zera.
Maksymalna moc strat w tranzystorze wyst puje przy sygnale wyjciowym równym
poowie napi cia zasilania i wynosi:

(0,5U ) 2
PC max | 0,25Po max (5.89)
RL

czyli kady z zastosowanych we wzmacniaczu tranzystorów powinien by zdolny do pracy

przy wydzielaniu w nim mocy strat zamienianych na ciepo, tylko czterokrotnie mniejszej
od maksymalnej mocy oddawanej ze wzmacniacza.
Zarówno nieliniowo charakterystyki przenoszenia, jak i niekorzystnie due straty w
tranzystorach uzasadniaj poszukiwania lepszych ukadów wzmacniaczy.
Konwencjonalna droga poprawy liniowoci polega na zmianie warunków pracy tranzysto-
rów np. przez zapewnienie pracy wycznie w stanie aktywnym (bez stanów zatkania lub nasy-
cenia) ale prowadzi to do znacznego pogorszenia sprawnoci. Innym sposobem poprawy li-
niowoci jest wykorzystanie waciwoci ujemnego sprz enia zwrotnego, wymaga to jednak
rozbudowy ukadu o stopnie poprzedzajce i elementy sprz enia. Na takiej drodze konstru-
owane s scalone wzmacniacze mocy stosowane w urzdzeniach elektroakustycznych.
Popraw sprawnoci wzmacniaczy mocy nawet do ponad 95% uzyskuje si w ukadach
impulsowych, ale kosztem komplikacji ukadowych i zawyenia wymaga co do elementów.
Uwzgl dniajc znaczne rónorodnoci rozwiza wzmacniaczy mocy dzieli si je na
tzw. klasy. Pomijajc formalne kryteria podziau przyjmuje si , e:
 klasa A oznacza prac tranzystora wycznie w stanie aktywnym,
 klasa B to dwa tranzystory, z których jeden jest w stanie aktywnym przy jednej biegu-
nowoci sygnau wejciowego, a drugi jest aktywny przy przeciwnej biegunowoci sy-
gnau, jak w opisanym powyej ukadzie,
 klasa C to tranzystor (lub tranzystory) przewodzcy prd w postaci rónie odksztaco-
nych impulsów i wspópracujcy z obwodami rezonansowymi LC dla odtworzenia si-
nusoidalnych napi  i prdów,
 klasa D to tranzystory sterowane dwustanowo, zwykle z zastosowaniem modulacji sze-
rokoci impulsów, i wspópracujce z odpowiednimi demodulatorami.
Bardziej szczegóowe przedstawienie problemów wzmacniaczy mocy mona znale 
w literaturze [9, 10, 14, 27].
6. GENERATORY ELEKTRONICZNE

Generatorem nazywa si ukad elektroniczny wytwarzajcy okrelony sygna elek-

tryczny, tj. ukad majcy dwa zaciski (wyjciowe), pomi dzy którymi pojawia si napi cie
u(t), o znanym, zaplanowanym przez konstruktora, przebiegu. Generowany sygna moe
mie parametry ustalone lub nastawiane przez uytkownika, to drugie dotyczy najcz ciej
aparatury laboratoryjnej, ale nie tylko. Szczególne wymagania techniczne mog okrela
np. stabilno cz stotliwoci generowanego sygnau okresowego, dokadno odtworzenia
okrelonej funkcji matematycznej, warto mocy oddawanej przez generator do obcienia
lub jeszcze inne parametry.
Wród rónych klasyfikacji generatorów waniejszy jest podzia na generatory cz sto-
tliwoci i mocy. W pierwszym przypadku generator spenia funkcj wzorcowego zegara,
narzucajc rytm pracy komputera lub dugo fali nadajnika radiowego. W drugim przy-
padku zadaniem generatora jest dostarczy do obcienia odpowiednio du moc przy
okrelonej cz stotliwoci jak np. w kuchence mikrofalowej. W praktyce stosuje si róne
ukady generatorów, z których nieliczne b d opisane poniej.

6.1. Sprz enie zwrotne dodatnie

Znaczna wi kszo generatorów jest budowana z wzmacniaczy zaopatrzonych w do-
datnie sprz enie zwrotne. Przypomnijmy, e analizujc w p. 5.2.2 poczenie wzmacnia-
cza K z czonem sprz enia zwrotnego B zapisano m.in. równanie (5.8): UiW = UiK + UoB
oznaczajce, e przy sprz eniu ujemnym napi cie wejciowe wzmacniacza UiK jest róni-
c napi cia wejciowego ukadu UiW i sygnau sprz enia zwrotnego UoB.
Jeeli sprz enie zwrotne jest dodatnie to te sygnay sumuj si , jak pokazano na rys.
6.1, czyli obowizuje:
UiW = UiK – UoB (6.1)
Prowadzc dalej analiz , podobnie jak w p. 5.2.2, dochodzi si do uproszczonego
wzoru, podajcego zwizek pomi dzy sygnaem wejciowym UiW a sygnaem wyjciowym
UoW, dla wzmacniacza z dodatnim sprz eniem zwrotnym:
K u 0K
U oW | U iW (6.2)
1  K u 0K B

Interesujcy, z punktu widzenia teorii generatorów, przypadek ma miejsce, gdy mia-

nownik uamka przyjmuje warto zero, czyli gdy: Ku0KB = 1, tj. iloczyn rozwarciowego
wspóczynnika wzmocnienia wzmacniacza Ku0K i wspóczynnika sprz enia B jest równy
jednoci.
Taka sytuacja, niedopuszczalna w matematyce, moe by atwo zrealizowana tech-
nicznie, bo oznacza tylko dobór wspóczynnika dodatniego sprz enia zwrotnego B o war-
126

toci równej 1/Ku0K (np. dla wzmacniacza o wzmocnieniu 50 V/V naley zastosowa sprz -
enie o wspóczynniku B równym 0,02). Pewn interpretacj takiej sytuacji mona uzyska
zapisujc zaleno (6.2) w postaci:
U oW K u 0K
| (6.3)
U iW 1  K u 0 K B

i odczytujc j nast pujco: Jeeli Ku0KB = 1 to znaczy, e przy UiW = 0 wystpi skoczona
warto UoW, róna od zera. Innymi sowy: wzmacniacz z dodatnim sprz eniem zwrotnym
speniajcym warunek Ku0KB = 1 wytwarza sygna wyjciowy bez sygnau wejciowego,
czyli staje si generatorem.

U iW UiK Uo K UoW
K

UoB U iB
B

Rys. 6.1. Wzmacniacz z dodatnim sprz eniem zwrotnym

Podobn interpretacj warunku generacji Ku0KB = 1 mona uzyska przeprowadzajc

eksperyment mylowy w ukadzie, którego schemat pokazano na rys. 6.2. Jeeli przecz-
nik P jest ustawiony w pozycji 1, to obwód sprz enia zwrotnego jest rozwarty, do wejcia
wzmacniacza trafia napi cie UiK pochodzce z obcego, pomocnego tylko w tym ekspery-
mencie, róda Z.
Wzmacniacz wzmacnia sygna wejciowy tak, e na jego wyjciu otrzymuje si :
UoK = Ku0K UiK. Wzmocniony sygna trafia do czonu B i, po przejciu przez ten czon,
przyjmuje warto: UoB = B UoK = B Ku0K UiK, które b dzie równe UiK wówczas, gdy
Ku0K B = 1, wtedy z wyjcia czwórnika B otrzymuje si takie samo napi cie jak z po-
mocniczego róda Z.
Wystarczy teraz wyobrazi sobie byskawiczne przerzucenie przecznika w pozycj
2, co spowoduje zamkni cie obwodu sprz enia zwrotnego, ale nie zmieni warunków pra-
cy wzmacniacza K, który nadal otrzymuje sygna wejciowy UiK tylko ju nie z pomocni-
czego róda Z, ale z toru sprz enia zwrotnego. Jeeli nie zmienia si sygna wejciowy,
to i sygna wyjciowy wzmacniacza pozostanie bez zmian, pomimo odrzucenia róda Z.
Wzmacniacz ze sprz eniem zwrotnym dodatnim, które spenia warunek formalny B Ku0K
= 1 wytwarza wi c sygna wyjciowy, bez pobudzania wejcia z zewn trznego róda, czyli
staje si generatorem.
W ukadach praktycznych rol pomocniczego róda, pobudzajcego generacj , cz sto
speniaj szumy i zakócenia inicjujce tzw. wzbudzenie generatora, podtrzymywanie gene-
racji nast puje dzi ki dziaaniu obwodu dodatniego sprz enia zwrotnego.
 127

1 P
Z U iK 2
UiK UoK Uo
1 K
2

UoB UiB
B

Rys. 6.2. Model wzbudzenia generatora

Na koniec warto odnotowa, e dokadniejszy opis matematyczny generatorów wy-

maga przeprowadzania analizy ukadów nieliniowych. Dlatego powysze uwagi, oparte na
opisach (modelach) czwórnika liniowego, nie mog by kompletne i cise. W szczególno-
ci naley odnotowa, e wielokrotnie przytaczany powyej warunek B Ku0K = 1 jest tylko
przypadkiem szczególnym obowizujcego ogólnie warunku generacji:
Ku0K B t 1 (6.4)
Przykad realizacji praktycznej dodatniego
sprz enia zwrotnego pokazano na rys. 6.3. Taki -
ukad stanowi istotn cz  tzw. przerzutnika Ui,diff
Schmitta i wielu ukadów pochodnych. + Uo
Napi cie wejciowe rónicowe wzmacnia- R2
cza operacyjnego jest tu równe spadkowi napi -
cia na rezystorze R1, umieszczonym w dzielniku R1
napi cia R1/R2. W przypadku idealizowanym
mona by zaoy, e napi cie wyjciowe
wzmacniacza jest równe zero, zatem i napi cie
na rezystorze R1 jest zerowe czyli i napi cie Uidiff Rys. 6.3. Dodatnie sprz enie zwrotne
jest zero, co potwierdzaoby zaoenie zerowego
napi cia wyjciowego. Jednak w rzeczywistoci zawsze wystpi na wyjciu napi cie nie-
zrównowaenia wzmacniacza (niedoskonao technologiczna) lub napi cie zakóce
(wpyw otoczenia) czy szumu.
Bardziej realnym jest wi c zaoenie, e na wyjciu ukadu pojawia si przypadkowe,
niewielkie napi cie, np. dodatnie wzgl dem masy, o pewnej wartoci U. To napi cie, do-
prowadzone do dzielnika oporowego, powoduje, e na wejciu "+" wzmacniacza pojawi
si napi cie UR1/(R1 + R2), te dodatnie. Napi cie wejciowe zostaje wzmocnione, zatem
na wyjciu wzmacniacza wzrasta napi cie dodatnie, które poprzez dzielnik oddziauje na
jego wejcie. W ten sposób mona sobie wyobrazi przebieg lawinowy narastania napi cia
wyjciowego, zainicjowany dowolnie maym, przypadkowym napi ciem jakie pojawio si
w dowolnym punkcie ukadu.
Taki lawinowy proces doprowadza do nasycenia wzmacniacza tj. do stanu, w którym
na wyjciu pojawia si najwi ksze, moliwe technicznie, napi cie. To napi cie, zwane na-
pi ciem nasycenia Uosat, jest zwykle o ok. pó wolta mniejsze od napi cia zasilania.
128

Ukad wzmacniacza z dodatnim sprz eniem zwrotnym, przedstawiony na rys. 6.3,

ma wi c tak cech , e sam wprowadza si w stan nasycenia, z maksymalnym, staym na-
pi ciem wyjciowym. Znak napi cia wyjciowego jest przypadkowy, zaleny od wielu
czynników dziaajcych w momencie zaczenia ukadu. Ten ukad mona formalnie po-
traktowa jako generator napi cia staego o wartoci sygnau +Uosat lub Uosat. Warto za-
uway, e napi cie wejciowe wzmacniacza operacyjnego b dzie wynosi:
R1
U idiff r U osat (6.5)
R1  R 2

i jest zalene od doboru rezystancji dzielnika. W odrónieniu od ukadów z ujemnym

sprz eniem zwrotnym, gdzie dziaanie sprz enia zwrotnego sprowadzao warto Uidiff
praktycznie do zera, w ukadach z dodatnim sprz eniem zwrotnym, to napi cie moe
przyjmowa wzgl dnie due wartoci i powinno by uwzgl dniane w analizach ukadów.
Jeeli zadaniem generatora jest wytworzenie sygnau okresowego, to konieczne jest
wprowadzenie do ukadu elementów dynamicznych tj. takich, których dziaanie narzuci
okrelone zmiany napi cia czy prdu powtarzajce si cyklicznie (okresowo) w czasie,
czyli z okrelon cz stotliwoci.
Dobór i sposób dziaania elementów dynamicznych zaley od danego ksztatu gene-
rowanego sygnau. Ogólnie dzieli si generatory wg ksztatu sygnau na sinusoidalne i im-
pulsowe. W tym drugim przypadku zwykle konieczne s ucilenia jak np. impulsów pro-
stoktnych, trójktnych, pioksztatnych itd.
Elementami narzucajcymi ksztat i cz stotliwo sygnaów sinusoidalnych s obwo-
dy rezonansowe LC albo filtry RC. Wykorzystanie obwodów rezonansowych wynika z
tego, e opisuje si je równaniem róniczkowym drugiego rz du, którego rozwizanie
(przebieg napi cia lub prdu) moe zawiera funkcj sinus lub cosinus, jeeli spenione s
odpowiednie warunki. Zasady wykorzystania filtrów RC s mniej oczywiste i b d przed-
stawione w dalszej cz ci.
W generatorach impulsowych najcz ciej rol elementu narzucajcego przebieg cza-
sowy spenia kondensator adowany prdem jednokierunkowym ze róda napi cia lub
prdu. Skutkiem adowania kondensatora jest stopniowe narastanie jego napi cia, propor-
cjonalnie do gromadzonego adunku. To narastajce w czasie napi cie jest wykorzystywa-
ne w ukadach generatorów impulsowych do opó niania zjawisk elektrycznych tak, aby
uzyska okresowo powtarzajce si efekty
Oczywicie w generatorze, niezalenie od ksztatu sygnau, stosuje si z reguy dodat-
nie sprz enie zwrotne jako nadrz dny warunek generacji.

6.2. Generacja sygnaów sinusoidalnych

W elektronice jest znanych i stosowanych wiele rónych ukadów generatorów sygna-
ów sinusoidalnych. W ramach tego skryptu ograniczamy si do przytoczenia tylko jednego
przykadu generatora LC i jednego przykadu generatora RC, w literaturze przedmiotu, np.
[2, 9], mona znale  wiele innych rozwiza.
 129

6.2.1. Generator sygnau sinusoidalnego LC

Na rys. 6.4 pokazano schemat pocze generatora zbudowanego na bazie wzmacnia-
cza operacyjnego i obwodu rezonansowego LC.
Wzmacniacz pracuje w ukadzie wzmacniajcym, bez odwracania znaku sygnau, ze
wspóczynnikiem wzmocnienia ustalonym rezystorami R1 i R2 na warto:
R2
Ku 1 (6.6)
R1

Napi cie wyjciowe wzmacniacza, które jest jednoczenie napi ciem wyjciowym ge-
neratora, wynosi wi c:
uo = Ku u2 (6.7)
Napi cie wejciowe wzmacniacza u2, jak i w innych generatorach, otrzymuje si z to-
ru dodatniego sprz enia zwrotnego.

R1 R2
- R iR iL

+ iC
u2 uo u1
C L z2 u
z1 2

Rys. 6.4. Generator w ukadzie Meissnera

Obwód rezonansowy jest zbudowany z kondensatora o pojemnoci C i cewki o induk-

cyjnoci L. Oprócz uzwojenia podstawowego, o iloci zwojów z1, na tym samym obwodzie
magnetycznym wykonane jest drugie uzwojenie, o iloci zwojów z2, tak wi c ten element
jest waciwie transformatorem. Drugie uzwojenie suy do wykonania obwodu dodatniego
sprz enia zwrotnego. Napi cie u2, powstajce na tym uzwojeniu wynosi:
z2
u2 u1 u 1B (6.8)
z1

napi cie u1 wyst puje na obwodzie rezonansowym. Liter B oznaczono przekadni zwo-
jow, która w tym przypadku jest te wspóczynnikiem sprz enia. Dodatkowy rezystor R
odtumia obwód rezonansowy, czyli umoliwia powstawania sinusoidalnych drga napi -
cia na kondensatorze i cewce, w pewnym stopniu niezalenych od napi cia wyjciowego
wzmacniacza.
Dla w za w obwodzie rezonansowym zapisuje si równanie prdów w postaci: iR =
iC + iL, gdzie poszczególne prdy wynosz:
130

u o  u1 du1 1
iR
R
; iC C
dt
; iL ³
u dt
L 1
(6.9)

Podstawiajc te prdy do równania w za i przeksztacajc je z uwzgl dnieniem para-

metrów Ku oraz B otrzymuje si równanie:

d 2u o 1  K u B du o 1
2
  uo 0 (6.10)
dt RC dt 2 LC
Wprowadzajc pomocnicze parametry:
1 KuB 1
[ , Z2 (6.11)
2RC LC
przeksztaca si równanie (6.10) do postaci:

d 2u o du o
 2[  Z2 u o 0 (6.12)
dt 2 dt
Rozwizaniem tego równania jest funkcja uo(t):

uo U o exp([t ) cos §¨ Z2  [ 2 t ·¸ (6.13)

© ¹

warto Uo = uo(0) oznacza warunek pocztkowy, czyli napi cie na wyjciu wzmacniacza
w chwili t = 0. Dla przypadku [ = 0 rozwizanie upraszcza si do postaci:
uo = Uo cos (Zt) (6.14)
czyli przy spenionym warunku generacji KuB = 1, na wyjciu wzmacniacza, które jest jed-
noczenie wyjciem generatora, wyst puje napi cie kosinusoidalne, o cz stotliwoci wa-
snej obwodu rezonansowego i amplitudzie zalenej od warunku pocztkowego.
W ukadzie praktycznym doprowadza si do tego, aby iloczyn KuB by nieco wi kszy
od jednoci, wówczas funkcja uo(t) przedstawia "sinusoid " o narastajcej z czasem ampli-
tudzie, co powoduje, e przy dowolnie maym, przypadkowym napi ciu Uo nastpi jednak
wzbudzenie generatora do duych wartoci napi cia wyjciowego. Aby ustali warto
amplitudy generowanego napi cia wykorzystuje si naturaln, lub sztucznie powi kszon,
nieliniowo charakterystyki przenoszenia. Poniewa wzrostowi wartoci napi cia towa-
rzyszy zmniejszanie si wspóczynnika wzmocnienia, wi c pocztkowa nadwyka KuB
ponad jedno, wyst pujca przy maej wartoci generowanego napi cia, maleje ze wzro-
stem amplitudy a do wartoci granicznej KuB = 1, której odpowiada okrelona warto
generowanego napi cia.

6.2.2. Generator sygnau sinusoidalnego RC

Ze wzgl du na znacznie prostsze wytwarzanie rezystorów, w porównaniu do techno-
logii cewek indukcyjnych, szczególnie przy generacji sygnaów o niezbyt wysokich cz sto-
tliwociach, cz ciej stosuje si generatory, zwane skrótowo "generatorami RC". cilej t
 131

odmian generatorów naley nazywa "generator z dodatnim sprz eniem zwrotnym po-
przez filtr oporowo-pojemnociowy".

wyjcie
we Wzmacniacz wy generatora
W

wy Filtr RC we
F

Rys. 6.5. Schemat blokowy generatorów RC

Schemat blokowy generatora RC pokazano na rys. 6.5, skada si on ze wzmacniacza

W i filtru F poczonych w ukad sprz ony czyli wyjcie wzmacniacza jest poczone
z wejciem filtru a wyjcie filtru jest poczone z wejciem wzmacniacza.
Dla wyjanienia dziaania generatora z filtrem
RC naley, choby pobienie, naszkicowa zarys
analizy filtrów, które zostay wst pnie wzmianko- U R
wane w rozdziale 4. Rozpatrzmy ukad pokazany ui C uo
F
na rys. 6.6, przedstawiajcym schemat najprostsze-
go filtru RC, do wejcia którego doczono ródo
napi cia sinusoidalnego U.
Rys. 6.6. Filtr RC
Sam filtr stanowi dzielnik napi cia, warto
napi cia wyjciowego uo mona przedstawi jako
wynik podziau napi cia wejciowego ui stosownie do impedancji cz ci filtru:
Z2
uo ui (6.15)
Z1  Z 2
gdzie impedancje wynosz:
1
Z1 R, Z2 (6.16)
jZC
Po przeksztaceniach otrzymuje si :
uo 1
exp[ j (arc tg ZRC)] (6.17)
ui (ZRC) 2  1

Zapisujc sinusoidalne sygnay: wejciowy i wyjciowy w postaci zespolonej, ich sto-

sunek wyraa si przez:
u o U o exp[ j ((Z t  I)] U o
exp( jI) (6.18)
ui U i exp( j Z t ) Ui
132

Obydwa powysze wzory mona zinterpretowa nast pujco: jeeli do wejcia filtru o
schemacie pokazanym na rys. 6.6, doprowadza si napi cie sinusoidalne o amplitudzie Ui
oraz cz stotliwoci Z, to na wyjciu tego filtru otrzymuje si napi cie sinusoidalne, te o
cz stotliwoci Z, o amplitudzie Uo okrelonej zalenoci:
Ui
Uo (6.19)
(ZRC) 2  1

a ponadto przesuni te w fazie wzgl dem napi cia wejciowego o kt M:

I arc tg ZRC (6.20)

Poniewa w obydwu powyszych wzorach wyst puje cz stotliwo Z, to dla rónych

wartoci cz stotliwoci stosunek amplitud oraz przesuni cie fazowe b d róne. Zalenoci
tych wielkoci od Z, pokazane na rys. 6.7 s to wanie charakterystyki cz stotliwociowe,
amplitudowa oraz fazowa, analizowanego filtru.

Uo
)
Ui Z
1

Z
-90

Rys. 6.7. Charakterystyki filtru RC

Tak prosty filtr, jak pokazany na rys. 6.6, nie nadaje si jeszcze do budowy generato-
ra. Podobny filtr, zwany drabinkowym filtrem RC, którego schemat pokazano na rys. 6.8,
umoliwia ju wykonanie generatora. Niestety wzór opisujcy jego transmitancj widmo-
w jest bardziej rozbudowany anieli wzór (6.17), aczkolwiek jego sens pozostaje taki sam
jak w przypadku opisu pojedynczego czonu RC.

R R R
WE C C C WY

Rys. 6.8. Filtr drabinkowy

Charakterystyki filtru drabinkowego przedstawiono na rys. 6.9. Wan cech jest to,
e dla pewnej cz stotliwoci Z0
1 0,41
Z0 | (6.21)
6 RC RC

przesuni cie fazowe tego filtru wynosi 180 stopni elektrycznych, tj. sinusoida napi cia
wyjciowego o cz stotliwoci Z0 jest przesuni ta wzgl dem sinusoidy wejciowej o 180
 133

stopni, czyli jest "odwrócona". Dla cz stotliwoci Z0 tumienie amplitudy w tym filtrze
wynosi 29, tj. amplituda sinusoidy wyjciowej jest 29 razy mniejsza od amplitudy sinuso-
idy wejciowej (skutek dzielenia napi cia a w trzech dzielnikach napi cia).

Uo ) Zo Z
Ui
1

1 Z -180
29 Zo
-270

Rys. 6.9. Charakterystyki filtru drabinkowego

Generator napi cia sinusoidalnego RC powstaje, jeeli filtr drabinkowy RC poczy

si ze wzmacniaczem odwracajcym znak sygnau i majcym wzmocnienie 29 V/V, jak
pokazano na rys. 6.10.
Dowolny sygna sinusoidalny b dzie odwrócony (przesuni ty fazowo o 180 stopni)
we wzmacniaczu, ale tylko sygna sinusoidalny o cz stotliwoci Z0 b dzie te przesuni ty
o 180 stopni w filtrze. Zatem tylko sygna o tej cz stotliwoci, po dwukrotnym odwróce-
niu, trafi z powrotem do wejcie wzmacniacza bez przesuni cia fazowego. Dwudziesto-
dziewi ciokrotny ubytek amplitudy tego sygnau w filtrze b dzie skompensowany 29-
krotnym wzmocnieniem we wzmacniaczu i dzi ki temu tylko dla sygnau o cz stotliwoci
Z0 b dzie speniony warunek generacji KuB = 1.

R1 R2
-

+
Uo

R R R
C C C

Rys. 6.10. Generator z filtrem drabinkowym

Take i w tym przypadku, dla uatwienia wzbudzenia si generatora, naley tak ufor-
mowa charakterystyk przenoszenia wzmacniacza, aby jego wzmocnienie byo nieco
wi ksze od 29 V/V dla sygnaów o maych amplitudach i wynosio 29 V/V dla wymaganej
amplitudy generowanego sygnau.
134

6.3. Generacja sygnaów impulsowych

6.3.1. Przerzutnik Schmitta
Przerzutnik Schmitta (zob. p. 6.1 i rys. 6.3) sam nie jest generatorem sygnau okreso-
wego, jednak stosowany jest cz sto jako istotna cz  generatorów impulsowych. Na rys.
6.11 pokazano schemat jednego z wariantów ukadowych tego przerzutnika.
Rezystory R1 i R2 stanowi dodatnie
sprz enie zwrotne, zapewniajce wprowa-
-
dzenie wzmacniacza w stan nasycenia, czyli
U
Ui i,diff zapewniajce, e napi cie wyjciowe przyj-
+ Uo muje tylko wartoci +Usat lub Usat. Dodat-
R2
kowe ródo napi cia staego Up suy do
przesuwania charakterystyki przerzutnika.
R1
Dla uproszczenia analizy przyjmuje si ,
e jeeli napi cie wejciowe rónicowe
Up
wzmacniacza Uidiff jest dodatnie, to wzmac-
niacz jest nasycony z dodatnim napi ciem
Rys. 6.11. Przerzutnik Schmitta wyjciowym +Usat, a jeeli napi cie wejcio-
we Uidiff jest ujemne, to wzmacniacz jest na-
sycony z ujemnym napi ciem wyjciowym
Usat. Warto napi cia Uidiff jest rónic napi  obydwu wej wzmacniacza:
Uidiff = Ui+ – Ui– (6.22)
Symbolami Ui+; Ui oznaczono napi cia pomi dzy odpowiednio wejciem "+" albo
"" wzmacniacza a wspóln mas elektryczn caego ukadu.
Napi cie Ui jest równe napi ciu wejciowemu przerzutnika Ui, doprowadzonemu do
ukadu ze róda sygnau wejciowego.
Napi cie Ui+ pochodzi z toru sprz enia zwrotnego i jest okrelone przez warto na-
pi cia nasycenia wzmacniacza, napi cie pomocnicze Up oraz rezystancyjny dzielnik napi -
cia. Warto tego napi cia wynosi:
R1 R2
U i U o  Up (6.23)
R1  R 2 R1  R 2
Zakadajc na przykad, e wzmacniacz jest w nasyceniu dodatnim, tj. Uo = +Usat, za-
kadamy tym samym, e Uidiff > 0. Poniewa napi cie rónicowe zaley te od napi cia
wejciowego Ui, to trzeba sprawdzi, przy jakim napi ciu wejciowym Ui b dzie Uidiff > 0.
Na podstawie przytoczonych wyej wzorów mona znale , e taki stan wystpi jeeli:
R1 R2
U i  U sat  Up U1 (6.24)
R1  R 2 R1  R 2
Podobnie mona wyznaczy warunek wystpienia ujemnego nasycenia wzmacniacza:
R1 R2
U i !  U sat  Up U2 (6.25)
R1  R 2 R1  R 2
 135

Na rys. 6.12 pokazano zalenoci pomi dzy napi ciami: wyjciowym Uo i wejcio-
wym Ui. opisane wzorami (6.24) i (6.25), czyli tak zwan charakterystyk przejciow
przerzutnika Schmitta. Ta charakterystyka nie jest funkcj (w sensie matematycznym) po-
niewa ma przedzia niejednoznacznoci zwany p tl histerezy.
Zewn trzny sygna wejciowy, o warto-
+U sat U o
ciach przekraczajcych wyznaczone powyej
granice tj. Ui > U1 lub Ui < U2, wymusza okre-
lony znak wyjciowego napi cia nasycenia, tym UH
samym ustawiajc przerzutnik jednoznacznie w Ui
okrelony stan. W przedziale rodkowym, U1 > U2 Us U1
Ui > U2, wewntrz p tli histerezy, znak napi cia
wyjciowego nie zaley od aktualnej wartoci
-Usat
sygnau wejciowego, ale pozostaje taki, jaki by
wymuszony poprzednio. Szeroko p tli histere-
zy wynosi: Rys. 6.12. Charakterystyka przerzutnika
Schmitta
2R 1
U H U1  U 2  U sat (6.26)
R1  R 2
a pooenie jej rodka: Ui
U1  U 2 R2
US Up (6.27) U1
2 R1  R 2
U2
Zarówno szeroko p tli histerezy, jak i jej t
przesuni cie wzdu osi Ui mona dobiera nie-
zalenie, stosownie do potrzeb, operujc podzia-
Uo
em w dzielniku oporowym oraz wartoci do-
+ U sat
datkowego róda polaryzacji Up.
t
Przykad zastosowania przerzutnika
Schmitta do przeformowywania impulsów "roz-
-U sat
mytych" w prostoktne pokazano na rys. 6.13.
Takie zabiegi stosowane s szczególnie cz sto
przy wspópracy podzespoów analogowych z Rys. 6.13. Dziaanie przerzutnika Schmitta
podzespoami cyfrowymi. Niekiedy nawet na- jako ukadu formujcego
zywa si przerzutnik Schmitta jednobitowym impulsy prostoktne
przetwornikiem analogowo-cyfrowym.

6.3.2. Multiwibrator astabilny

Multiwibrator astabilny jest generatorem cigu impulsów prostoktnych o okrelonej
cz stotliwoci i amplitudzie. Schemat tego generatora, wykorzystujcy przerzutnik Schmit-
ta, pokazano na rys. 6.14.
Aby wyjani dziaanie ukadu zaómy, e po wczeniu kondensator C jest nienaa-
dowany (uC = 0) przez co napi cie wejcia "" wzgl dem masy wynosi zero. Dziaanie
136

dodatniego sprz enia zwrotnego  rezystory R1 i R2  powoduje, e wzmacniacz wprowa-

dza si w nasycenie i napi cie na jego wyjciu wynosi np. +Usat, zatem napi cie na wejciu
"+" wzgl dem masy wynosi +UsatR1/(R1 + R2). Pod wpywem napi cia wyjciowego +Usat
nast puje adowanie kondensatora C przez rezystor R. Napi cie na kondensatorze narasta
wykadniczo: zdajc do wartoci +Usat.
ª § t ·º
u C ( t )  U sat «1  exp ¨  ¸» (6.28)
¬ © RC ¹¼

Zmiana napi cia na kondensatorze, od przyj tej wartoci zero, w kierunku wartoci
+Usat, powoduje, e w pewnym momencie napi cia na wejciach "" oraz "+" wzmacniacza
przyjmuj takie same wartoci. W takiej sytuacji wejciowe napi cie rónicowe maleje do
zera, a nast pnie narastaoby z przeciwnym znakiem. Ale zmniejszenie napi cia uidiff do
wartoci bliskiej zeru powoduje wyprowadzenie wzmacniacza ze stanu nasycenia, w
zwizku z czym jego napi cie wyjciowe zmniejsza si .

R
-
C u i,diff
uC
+
R2 uo

R1

Rys. 6.14. Multiwibrator astabilny

Przyjmujc dla uproszczenia, e wyprowadzanie wzmacniacza ze stanu nasycenia roz-

poczyna si przy zerowym napi ciu rónicowym w chwili t1, mona wyznaczy ten mo-
ment z warunku:
R1 ª § t ·º
 U sat  U sat «1  exp ¨  1 ¸» (6.29)
R1  R 2 ¬ © RC ¹¼
skd:
§ R1  R2 ·
t1 RC ln ¨¨ ¸¸ (6.30)
© R2 ¹

Zmniejszenie napi cia wyjciowego poniej wartoci +Usat, poprzez dziaanie dzielni-
ka oporowego powoduje bezzwoczne obnienie napi cia na wejciu "+". Poniewa napi -
cie na kondensatorze nie moe zmienia si bardzo szybko (zmiana zgromadzonej energii),
to na wejciu "" napi cie zmienia si wolniej anieli napi cie na wejciu "+". W ten spo-
sób pojawia si narastajcy sygna wejciowy rónicowy, powodujcy wysterowanie
wzmacniacza tak, e jego napi cie wyjciowe zmierza do wartoci ujemnych.
 137

,
+Usat u c u i +
+Usat R1 u i+
R1 + R2
uc
t
t1 t2
- Usat R R1
1 + R2
-U sat

T
uo
+Usat

- Usat

Rys. 6.15. Przebiegi napi  w multiwibratorze astabilnym

Dodatnie sprz enie zwrotne powoduje, e proces przesterowania wyjcia wzmacnia-

cza od wartoci +Usat do wartoci Usat przebiega bardzo szybko, przy niezbyt dokadnej
obserwacji wydaje si to przeskokiem z dodatniego napi cia nasycenia do ujemnego napi -
cia nasycenia.
Po "przeskoku" napi cie wejcia "" pozostaje pocztkowo przy poprzedniej wartoci
+Usat[1  exp(t1/RC)], natomiast napi cie wejcia "+" b dzie wynosi teraz UsatR1/(R1 +
R2). Kondensator C b dzie teraz adowany przez opornik R do wartoci Usat, tj. poczt-
kowo b dzie rozadowywany od pozostaej wartoci dodatniej napi cia do zera, a nast pnie
b dzie narastao na nim napi cie ujemne. Ten proces opisuje wzór:
ª §  t ·º R1 § t ·
u C (t )  U sat «1  exp ¨ ¸»  U sat exp ¨  ¸ (6.31)
¬ © RC ¹ ¼ R 1  R 2 © RC ¹

W chwili t2 napi cie na przeadowujcym si kondensatorze (czyli i napi cie na wej-

ciu ""), przyjmie warto tak, jaka wyst puje na wejciu "+", co zainicjuje kolejny
"przeskok" wzmacniacza od nasycenia ujemnego do dodatniego. Zapisujc równo oby-
dwu napi  w chwili t2:

ª §  t ·º R1 § t · R1
 U sat «1  exp ¨ 2 ¸»  U sat exp ¨ 2 ¸  U sat (6.32)
¬ © RC ¹ ¼ R 1  R 2 © RC ¹ R1  R 2
wyznacza si :
§ 2R 1 ·
t 2 RC ln¨¨1  ¸ (6.33)
© R 2 ¸¹
138

Wyznaczony czas t2 odpowiada czasowi wyst powania napi cia ujemnego na wyjciu
wzmacniacza. Identyczna procedura moe by wykorzystana do wyznaczenia czasu wyst -
powania napi cia dodatniego. Procesy przeskoków i przeadowa kondensatora b d po-
wtarza si jak pokazano na rys. 6.15. Na wyjciu wzmacniacza otrzymuje si wi c cig
prostoktnych impulsów napi cia o wartociach na przemian +Usat i Usat okres powtarza-
nia impulsów T wynosi dwukrotn warto t2, czyli:

§ 2R 1 ·
T 2RC ln¨¨1  ¸ (6.34)
© R 2 ¸¹

Dobierajc wartoci rezystancji R, R1,R2 oraz pojemno kondensatora C mona uzyska

potrzebn warto cz stotliwoci f = 1/T powtarzania impulsów prostoktnych na wyjciu mul-
tiwibratora, amplituda tych impulsów jest równa napi ciu nasycenia wzmacniacza.
Multiwibrator astabilny moe by wykonywany i w
+ UC C innych ukadach, niekoniecznie z zastosowaniem wzmac-
niacza operacyjnego.
RC Konwencjonalne rozwizanie, stanowice tranzysto-
RC R R
row modyfikacj lampowego ukadu EcclesJordana,
znane jest w licznych modyfikacjach ukadowych ju od
C C dziesitków lat. Schemat najprostszego wariantu pokazano
T1 T2 na rys. 6.16. Stosowane s tu dwa elementarne wzmacnia-
cze w ukadzie wspólnego emitera, z których kady zawie-
ra jeden tranzystor oraz dwa rezystory a ponadto dwa kon-
densatory sprz gajce, które s odpowiednio przeadowy-
Rys. 6.16. Tranzystorowy mul- wane w czasie pracy.
tiwibrator astabilny
Dziaanie generacyjne zapewnia dodatnie sprz enie
zwrotne, polegajce na tym, e wyjcie pierwszego
wzmacniacza jest poczone przez kondensator sprz gajcy z wejciem drugiego wzmac-
niacza (kaskadowe poczenie dwu wzmacniaczy), a sygna z wyjcia drugiego stopnia, te
przez kondensator, powraca na wejcie pierwszego wzmacniacza.

6.3.3. Multiwibrator monostabilny

Multiwibrator monostabilny jest generatorem pojedynczego impulsu prostoktnego o
okrelonej amplitudzie i czasie trwania. Multiwibrator monostabilny jest generatorem wy-
zwalanym, to znaczy normalnie jest w stanie oczekiwania na impuls pobudzajcy, który
moe mie do dowolny ksztat. Po pobudzeniu ukad monostabilny wytwarza jeden stan-
dardowy impuls prostoktny i powraca do stanu oczekiwania na nast pne pobudzenie.
Schemat tego generatora, wykorzystujcy przerzutnik Schmitta, pokazano na rys. 6.17.
Stabilny stan oczekiwania polega na wprowadzeniu wzmacniacza w nasycenie z do-
datni wartoci napi cia wyjciowego. W tym stanie w ukadzie pyn dwa prdy: od wyj-
cia wzmacniacza przez dzielnik rezystancyjny R1/R2 oraz przez rezystor R i diod D. Na-
pi cie na wejciu "+" wzgl dem masy wynosi +UsatR1/(R1 + R2), napi cie na wejciu ""
 139

jest równe spadkowi napi cia na przewodzcej diodzie, czyli ok. 0,6 V. Aby taki stan by
stabilny, to napi cie wejciowe rónicowe powinno by dodatnie, zatem powinno by:
R1
U sat ! 0,6 V (6.35)
R1  R 2

R
-
D u i,diff
C uC
+
uo
R2

we R1

Rys. 6.17. Multiwibrator monostabilny (uniwibrator)

Pobudzenie multiwibratora powoduje si wprowadzajc do wejcia dowolny impuls,

który obniy chwilowo napi cie wejcia "+" poniej wartoci 0,6 V, aby spowodowa
chwilow zmian znaku wejciowego napi cia rónicowego. Wtedy nastpi przejcie
wzmacniacza do stanu nasycenia ujemnego i wymuszona chwilowym pobudzeniem ujemna
warto Uidiff zostanie podtrzymana przez zmienion warto napi cia z dzielnika oporo-
wego. Jednoczenie rozpocznie si adowanie kondensatora przez rezystor R od pocztko-
wej wartoci +0,6 V do wartoci Usat. Na rys. 6.18 pokazano przebiegi napi  w ukadzie.
Przebieg napi cia na kondensatorze opisuje wzór:
ª §  t ·º § t ·
u C (t )  U sat «1  exp ¨ ¸»  0,6 [V] exp ¨ ¸ (6.36)
¬ © RC ¹¼ © RC ¹

Po czasie T napi cie na przeadowywanym kondensatorze osignie warto napi cia,

jakie jest ustalone dzielnikiem na wejciu "+". W tym momencie zmienia si znak napi cia
wejciowego rónicowego, co powoduje prawie skokowe przejcie wzmacniacza do stanu
nasycenia dodatniego czyli zakoczenie generacji pojedynczego impulsu. Czas trwania
impulsu wyznacza si przez porównanie napi cia na wejciu "" z napi ciem na wejciu
"+":
ª §  T ·º §T· R1
 U sat «1  exp ¨ ¸»  0,6 [ V] exp ¨ ¸  U sat (6.37)
¬ © RC ¹ ¼ © RC ¹ R1  R 2

przy uproszczeniach wyznacza si

§ R  R2 ·
T | RC ln¨¨ 1 ¸¸ (6.38)
© R2 ¹
140

u we
t

+ Usat u c , u i+

+Usat R1 u i+ u i+
R1+ R2
uc uc t

R1 uc
- Usat
R 1+ R 2 u i+
- Usat

uo T
+ Usat

- Usat

Rys. 6.18. Przebiegi sygnaów w multiwibratorze monostabilnym

Po wygenerowaniu impulsu w ukadzie musi jeszcze nastpi powtórne przeadowanie

kondensatora do pocztkowej wartoci napi cia, tj. 0,6 V. W tym czasie naley unika po-
budzania generacji nast pnego impulsu, bo jego czas trwania b dzie odbiega od standardu
zapisanego wzorem (6.38).

6.3.4. Generator sygnau trójktnego

Na rys. 6.19 pokazano schemat ukadu generatora wytwarzajcego dwa róne sygnay
na dwu wyjciach. Na jednym wyjciu jest generowany sygna trójktny u1(t), a na drugim
wyjciu sygna prostoktny u2(t).

R C -
- R1 WO2
WO1 + u (t)
2
+ R2
u1 (t)

Rys. 6.19. Generator impulsów prostoktnych i trójktnych

 141

W ukadzie generatora mona zauway dwa podzespoy: przerzutnik Schmitta oraz

integrator (zob. p. 5.4.2). Przerzutnik Schmitta wykonany jest na wzmacniaczu WO2 z
dodatnim sprz eniem zwrotnym przez rezystor R2, a integratorem jest wzmacniacz WO1
zaopatrzony w ujemne sprz enie zwrotne przez kondensator C.
W rozpatrywanym generatorze zastosowano nieco inny wariant przerzutnika Schmitta
anieli przedstawione poprzednio. Niezmienn cech jest dodatnie sprz enie zwrotne (re-
zystory R1 i R2), rónica polega na wprowadzeniu sygnau wejciowego przerzutnika przez
rezystor R1 i poczeniu wejcia "" z mas
elektryczn. Charakterystyk tego przerzut- u2
nika czyli zaleno jego napi cia wyjcio- +U
Usat
wego u2 od wejciowego u1 pokazano na rys.
6.20. Wartoci napi  progowych oblicza si - Usat R1
podobnie jak pokazano w p. 6.3.1, aby te R2 u1
napi cia byy mniejsze od wartoci Usat musi +Usat R1
by speniony warunek R1 < R2 (niespenie- R2
nie tego warunku spowoduje przesterowanie
-
wzmacniacza WO1 w integratorze poza za- - Usat
kres pracy liniowej).
Przerzutnik moe znajdowa si w jed-
nym z dwu stanów nasycenia, zatem z jego
Rys. 6.20. Charakterystyka przerzutnika
wyjcia do wejcia integratora zostaje do- Schmitta wg fragmentu schematu z rys. 6.19
prowadzone napi cie o ustalonej wartoci
Usat o znaku dodatnim lub ujemnym.
Integrator na swoim wyjciu wytwarza napi cie proporcjonalne do caki po czasie z
sygnau wejciowego. Jeeli sygnaem wejciowym jest napi cie stae Usat, to napi cie wyj-
ciowe integratora jest liniowo zmienne w czasie:
t
u1 ( t )  U sat  U0 (6.39)
RC
od pocztkowej wartoci napi cia na kondensatorze U0. Przy np. dodatnim napi ciu wej-
ciowym integratora na jego wyjciu napi cie maleje liniowo od wartoci dodatnich do
ujemnych z szybkoci zalen od wartoci Usat oraz R i C.
Dziaanie caego ukadu generatora rozpatrzmy zakadajc, e napi cie na wyjciu
przerzutnika jest u2 = +Usat i na wyjciu integratora te jest dodatnie u1(0) = U0 > 0. W ta-
kim stanie napi cie u1 b dzie si zmniejsza, zmierzajc do wartoci UsatR1/R2, a prze-
rzutnik b dzie pozostawa w stanie dodatniego nasycenia.
Po zmniejszeniu napi cia u1 do wartoci progowej nastpi przesterowanie przerzutni-
ka, który przechodzi prawie skokowo do stanu nasycenia ujemnego. Ujemny sygna wej-
ciowy integratora spowoduje narastanie jego napi cia wyjciowego od wartoci
UsatR1/R2 w kierunku napi cia dodatniego. Przy osigni ciu wartoci +UsatR1/R2 nastpi
kolejne przesterowanie przerzutnika ze stanu nasycenia ujemnego do dodatniego.
Takie zmiany napi  b d powtarzay si cyklicznie. Przebiegi napi  pokazano na
rys. 6.21.
142

u Uwzgl dniajc szybko narastania

+Usat napi cia i wartoci progowe wyznacza si
u2 okres T powtarzania cyklu pracy generatora:
R
+Usat R 1
2
R1
U0 T 4RC (6.40)
t R2

u1 Na wyjciu wzmacniacza WO1 otrzy-

R1
- Usat muje si wi c napi cie trójktne, o cz sto-
R2
tliwoci f = 1/T i amplitudzie UsatR1/R2, a na
- Usat
T wyjciu WO2 wyst puje napi cie prosto-
ktne o amplitudzie Usat i tej samej cz sto-
tliwoci f.
Rys. 6.21. Sygnay w generatorze trójkta Na koniec warto zaznaczy, e genera-
i prostokta
tory, szczególnie impulsowe, ale take i
sygnaów sinusoidalnych, s obecnie pro-
dukowane jako ukady scalone w rónych odmianach. Do takiego ukadu scalonego zwykle
docza si tylko kondensator (niekiedy dwa kondensatory lub kondensator i dokadne re-
zystory) otrzymujc generator sygnau o okrelonych waciwociach.

6.4. Stabilizacja cz stotliwoci  "generator kwarcowy"

Stao cz stotliwoci generatorów, zarówno sygnaów impulsowych jak i sinusoidal-
nych, zaley w pierwszym rz dzie od staoci parametrów elementów okrelajcych cz sto-
tliwo tj. od staoci wartoci indukcyjnoci L i pojemnoci C w obwodach rezonanso-
wych lub staoci rezystancji R i pojemnoci C w filtrach RC.
Niestety wartoci parametrów podlegaj zmianom, wywoywanym przez zmiany tem-
peratury elementów lub ich starzenie (zmiany skadu chemicznego). Najbardziej kopotliwe
s zmiany temperaturowe, które powoduj, e w przeci tnych warunkach uytkowania
niestabilno cz stotliwoci generatorów wynosi od dziesi tnych cz ci do pojedynczych
procentów cz stotliwoci projektowanej. Dla wielu zastosowa, szczególnie w aparaturze
pomiarowej, zegarach, radiostacjach itp. s to zbyt due wahania i od dawna poszukiwano i
stosowano rodki poprawiajce stabilno cz stotliwoci generowanych sygnaów.
Popularnym rodkiem stabilizacji cz stotliwoci generatorów sygnaów sinusoidal-
nych jest wykorzystanie efektu piezoelektrycznego w rezonatorach kwarcowych, zwa-
nych "kwarcami".
Efekt piezoelektryczny, wyst pujcy w niektórych krysztaach, polega na wzajemnym
oddziaywaniu zjawisk: elektrycznego i mechanicznego. Kryszta umieszczony w polu elek-
trycznym podlega odksztaceniu i odwrotnie, kryszta odksztacony skutkiem napr e me-
chanicznych wytwarza pole elektryczne, powodujce powstanie napi cia na jego ciankach.
Oczywicie te efekty zale te od kierunku dziaania napr e wzgl dem osi krystalicznych.
Rezonator kwarcowy to odpowiednio wyci ty fragment krysztau kwarcu zaopa-
trzony w dwie okadziny metalowe z wyprowadzeniami elektrycznymi, szkic budowy
 143

pokazano na rys. 6.22. Z punktu widzenia elektro-

techniki jest to kondensator paski o dieelektryku
kwarcowym.
Przykadajc napi cie przemienne do takiego metal
elementu wywouje si napr enia zmienne, powodu- SiO2
jce cykliczne ciskanie i rozciganie krysztau, czyli
pobudza si drgania mechaniczne tego elementu.
Pytka kwarcowa ma okrelon cz stotliwo drga Rys. 6.22. Rezonator kwarcowy
wasnych (cz stotliwo rezonansow) zalen od jej
wymiarów, masy i sposobu zamocowania. Jeeli cz stotliwo napi cia pobudzajcego
drgania zostanie odpowiednio dobrana, to mona pobudzi i podtrzymywa w elemencie
kwarcowym drgania mechaniczne o jego wasnej cz stotliwoci rezonansowej.
Przy rezonansie mechanicznym tj. przy cz stotliwoci rezonansowej, a take w bardzo
wskim przedziale wokó tej cz stotliwoci, wyst puje szczególne zjawisko elektryczne. O ile
dla cz stotliwoci odlegych od rezonansowej rezonator zachowuje si jak kondensator, tj. prd
przemienny wyprzedza w fazie napi cie, to przy rezonansie mechanicznym prd opó nia si
wzgl dem napi cia. Oznacza to, e dla tej cz stotliwoci rezonator zachowuje si jak indukcyj-
no a nie jak kondensator. Wyjanienia tego zjawiska mona poszukiwa w analizie wzajem-
nych przemian energii elektrycznej i mechanicznej w stanie rezonansu mechanicznego.
Zastosowanie rezonatora kwarcowego w prostym przypadku polega na budowie uka-
du rezonansowego elektrycznego LC, w którym zamiast cewki indukcyjnej montuje si
rezonator kwarcowy. Taki ukad moe oscylowa, czyli podtrzymywa drgania elektrycz-
ne, tylko cznie z mechanicznymi i w ukadzie generatora zachowuje si jak obwód rezo-
nansowy LC tylko dla cz stotliwoci rezonansowej i w niewielkim przedziale wokó niej.
Dla cz stotliwoci silniej odbiegajcej od rezonansowej ukad zachowuje si elektrycznie
jak dwa kondensatory, co uniemoliwia generacj drga elektrycznych. Zastosowanie re-
zonatora kwarcowego zapewnia utrzymywanie staej cz stotliwoci generatora z uchybem
rz du promila bez szczególnych zabiegów, a po np. termostabilizacji rezonatora niestao
cz stotliwoci moe wynosi 106.

6.5. Generator mocy

Jednym z zastosowa technologicznych generatorów mocy jest grzejnictwo indukcyj-
ne metali. Nagrzewany wsad jest umieszczony wewntrz uzwojenia, zwanego wzbudni-
kiem, które jest zasilane prdem przemiennym. Przemienne pole elektromagnetyczne
wzbudza prd w metalowym wsadzie, a poniewa kady metal ma okrelon rezystancj
Rw, to nast puje w nim wydzielenie mocy elektrycznej I2Rw zamieniajcej si w ciepo.
Na rys. 6.23a pokazano szkic konstrukcji wzbudnika ze wsadem. Wzbudniki wyko-
nywane s w postaci jednego lub wi cej zwojów, o ksztacie dopasowanym do ksztatu
wsadu. Dla topienia metali stosuje si prdy o stosunkowo niskich cz stotliwociach (50
Hz), poniewa wtedy wydzielanie ciepa nast puje prawie równomiernie w caej obj toci
wsadu. Prdy o wyszych cz stotliwociach, wywoujce silniejszy efekt naskórkowy,
144

powoduj nagrzewanie gównie warstwy przypowierzchniowej wsadu, umoliwiajc np.

hartowanie powierzchniowe stali.

a) b) Rw c)
I1 I2
I1 I1
z 1 I2 z2Rw L

Rys. 6.23. Wzbudnik i wsad (a), schematy zast pcze (b) i (c)

Prdy o podwyszonych cz stotliwociach wytwarza si w elektronicznych generato-

rach mocy, nazywanych tak, poniewa istotnymi ich cechami s stosunkowo due moce
oddawane do wsadu i wysoka sprawno, a wymagania odnonie do np. stabilnoci cz sto-
tliwoci generowanej czy ksztatu prdu zwykle nie s ostre.
Z punktu widzenia elektrotechniki zespó wzbudnik-wsad mona traktowa jak trans-
formator, którego uzwojeniem pierwotnym jest wzbudnik o liczbie zwojów z, natomiast
uzwojeniem wtórnym jest jeden zwój wsadu. Ten jeden zwój jest zwarty (zamkni ty), a
jego rezystancj reprezentuje rezystor Rw. Na rys. 6.23b pokazano schemat elektryczny
przedstawiajcy zespó wsad-wzbudnik, a na rys. 6.23c schemat zast pczy, jaki uzyskuje
si przeliczajc obcienie strony wtórnej transformatora na stron pierwotn z uwzgl d-
nieniem przekadni zwojowej transformatora, w tym przypadku z:1, i uwzgl dniajc take
indukcyjno wzbudnika L.

a) LR b)

L1 L2
C R
W1 W2
L
E
L1 L2 C

E
T1 T2 T1 T2

Rys. 6.24. Schemat generatora przeciwsobnego (a) i schemat zast pczy (b)

Na rys. 6.24a pokazano uproszczony schemat generatora mocy w ukadzie przeciw-

sobnym. Elementy L i R reprezentuj wzbudnik i wsad, kondensator C zapewnia utworze-
nie obwodu rezonansowego. Dawiki L1 i L2 umoliwiaj zasilanie prdowe obwodu RLC
ze róda napi cia staego E.
 145

W obwodzie rezonansowym pobudza si i podtrzymuje drgania elektryczne tj. wytwa-

rza si i utrzymuje napi cie prawie sinusoidalne na elementach R, L, C, co wymusza prd
przemienny we wzbudniku. Prac generatora zapewniaj tranzystory T1 i T2, które s ste-
rowane dwustanowo, tj. gdy jeden z nich jest zatkany (nie przewodzi prdu), drugi zostaje
wysterowany tak silnie, aby przewodzi duy prd przy moliwie maym spadku napi cia.
Po czasie jednego póokresu drga w generatorze nast puje zamiana funkcji i tranzystor
uprzednio przewodzcy zostaje zatkany, a uprzednio zatkany zostaje wysterowany. Syn-
chronizacj kluczowania i odpowiednie sterowanie tranzystorami zapewniaj wzmacniacze
W1 i W2.
Dziaanie ukadu rozwaymy na podstawie uproszczonego schematu rys. 6.24b zaka-
dajc, e zosta wysterowany tranzystor T1, co zamyka obwód, w którym ze róda E przez
dawik L1 i tranzystor T1 zaczyna pyn prd. Ten prd b dzie stopniowo narasta z pr d-
koci di/dt = E/L1 i dlatego, po pewnym czasie, trzeba ten obwód przerwa, zatykajc
tranzystor T1, zanim prd osignie zbyt du, niszczc, warto; jednoczenie z wycze-
niem T1 zostaje zaczony tranzystor T2. Wywoanie prdu w dawiku L1 oznacza zgro-
madzenie w nim energii pola magnetycznego, próba przerwania tego prdu wywouje zja-
wisko samoindukcji elektromagnetycznej (rozadowanie zgromadzonej energii), polegajce
tutaj na wytworzeniu siy elektromotorycznej, podtrzymujcej przepyw prdu teraz od
róda E, przez L1, obwód rezonansowy i tranzystor T2.
Po wczeniu tranzystora T2 zamyka si te drugi obwód, obejmujcy E, L2 i T2. W
tym obwodzie przepywa narastajcy prd, to znaczy, e w indukcyjnoci L2 nast puje
gromadzenie energii.
Po czasie jednego póokresu drga rezonansowych wycza si tranzystor T2 a jedno-
czenie ponownie wcza si tranzystor T1. Przerwanie prdu przez T2 powoduje teraz
przekazywanie energii z dawika L2 przez wymuszenie przepywu prdu w obwodzie E 
L2  obwód rezonansowy  T1. Jednoczenie nast puje gromadzenie energii w dawiku L1
przez przepyw narastajcego prdu w obwodzie E  L1  T1.
Cykliczne powtarzanie tych procesów powoduje okresowe zasilanie obwodu rezonanso-
wego prdami o zmiennych kierunkach, co podtrzymuje drgania elektryczne w tym obwodzie.
Waciw synchronizacj drga wasnych obwodu z impulsami prdu zasilania zapewnia
sprz enie zwrotne, polegajce na przeczaniu tranzystorów w takt drga rezonansowych.
Prd wpywajcy do obwodu rezonansowego powoduje adowanie kondensatora,
przepywajc przez uzwojenie wytwarza pole elektromagnetyczne wzbudnika, a cz  tego
prdu, zaindukowana we wsadzie, powoduje wydzielanie w nim ciepa. Aby pobudzi
drgania w obwodzie rezonansowym konieczne jest spenienie warunku, znanego z analizy
równa róniczkowych:
L
4R 2 ! (6.41)
C
oraz zapewnienie, aby w momencie przeczania tranzystorów prd zasilajcy (prd dawi-
ka L1 lub L2) by wi kszy od prdu pyncego przez indukcyjno obwodu L o warto 'I.
Jeeli spenione s te dwa warunki, to nastpi wzbudzenie drga rezonansowych w obwo-
dzie RLC, a napi cie na elementach tego obwodu jest opisane wzorem:
146

2[R'I
u(t) exp([t ) sin §¨ Z 2  [ 2 t ·¸ (6.42)
Z [
2 2 © ¹

Parametry RLC obwodu rezonansowego s wyraone przez wspóczynnik tumienia [

i cz stotliwo wasn Z, zdefiniowane wzorami:
1 1
[ , Z2 (6.43)
2RC LC
Prd pyncy przez rezystancj , dostarczajcy mocy grzewczej do wsadu wyraa si
zalenoci i(t) = u(t)/R. Zarówno napi cie jak i prd maj ksztat bliski do sinusoidy, o
cz stoci Z2  [ 2 .
Przedstawiony ukad jest tylko jednym ze stosowanych generatorów. Warto zauwa-
y, e w generatorach mocy unika si stosowania pomocniczych rezystorów, a take wy-
musza si dwustanow prac tranzystorów, aby zminimalizowa straty, czyli uzyska wy-
sok sprawno, niezb dn przy przetwarzaniu mocy na poziomie do kilkudziesi ciu kilo-
watów.
7. ELEKTRONIKA CYFROWA

Wiele ukadów scalonych jest konstruowanych i produkowanych dla przetwarzania

sygnaów dwuwartociowych. Takie ukady nazywa si popularnie ukadami cyfrowymi
lub logicznymi, chocia nie zawsze odpowiada to cile ich dziaaniu. Analiz i syntez
urzdze przetwarzajcych sygnay dwuwartociowe zajmuj si takie dziedziny jak tech-
nika cyfrowa i informatyka. W niniejszym skrypcie przedstawia si tylko rozwizania
techniczne niektórych podzespoów ukadów cyfrowych i logicznych i, tylko w minimal-
nym zakresie, wprowadza si poj cia specjalizowanych dziedzin projektowania urzdze
cyfrowych.

7.1. Podstawowe poj cia elektroniki cyfrowej

Kady ukad logiczny lub cyfrowy posiada wejcie (lub kilka wej) oraz wyjcie (lub
kilka wyj), a wszystkie sygnay wejciowe i wyjciowe s dwuwartociowe, speniajce
okrelone warunki techniczne.

0 L U1 U2 H U3
warto niska Wartoci zabronione warto wysoka U

Rys. 7.1. Dozwolone i zabronione wartoci sygnaów

Jak podano w rozdziale 4, elektryczne sygnay dwuwartociowe s stosowane w uka-

dach przetwarzania informacji ze wzgl du m.in. na du odporno na zakócenia oraz na
niewygórowane wymagania co do dokadnoci wykonania elementów i ukadów, co ma
wpyw na ich cen . Warunkiem wystpienia odpornoci na zakócenia jest m.in. waciwy
dobór przedziaów wartoci sygnaów:
 zakres dopuszczalnych wartoci sygnau, które s traktowane jako sygna "niski" (L 
Low),
 zakres dopuszczalnych wartoci sygnau, które s traktowane jako sygna "wysoki" (H
 High),
 zakres wartoci niedopuszczalnych (umownie zabronionych), rozdzielajcy przedzia L
od H.
Na rys. 7.1 pokazano o liczbow z oznaczonymi przedziaami przykadowych warto-
ci sygnau dwuwartociowego.
Wartoci sygnau: niska i wysoka mog by umownie nazwane liczbami zero (0) i je-
den (1). Takie przyporzdkowanie moe by zrobione albo w tzw. konwencji pozytywnej,
gdzie warto nisk przedstawia zero a warto wysok jeden, albo w konwencji negatyw-
nej stanowicej odwrotnie.
148

Liczbowy, umowny, zapis wartoci sygnau pozwala na stosowanie terminologii i re-

gu zaczerpni tych z logiki matematycznej do opisu operacji wykonywanych na sygnaach
dwuwartociowych, w takim przypadku do elementów i ukadów powinno si stosowa
okrelenie "logiczne".
Liczbowy, zerojedynkowy, opis sygnaów mona te interpretowa jako zapis liczb
w systemie dwójkowym i przeksztacanie sygnaów traktowa jako wykonywanie opera-
cji arytmetycznych na tych liczbach, w takim przypadku powinno si stosowa okrele-
nie "cyfrowe".
Pojedynczy sygna dwuwartociowy, przyjmujcy wartoci 0 lub 1, przenosi minimal-
n dawk informacji i jest nazywany bitem (bit  binary digit). Zespó kilku sygnaów
dwuwartociowych, przenoszcych bity skadajce si na jedn informacj nazywa si sy-
gnaem wielobitowym lub sowem binarnym. Zespó omiu sygnaów, czyli sygna omio-
bitowy, jest szeroko stosowany w technice komputerowej i nazywany bajtem (byte).
Na pojedynczym sygnale dwuwartociowym mona wykona dwie róne operacje:
1) zachowanie wartoci (wzmocnienie),
2) zmiana wartoci (inwersja).
W pierwszym przypadku, doprowadzajc do wejcia ukadu sygna o wartoci 0 po-
wodujemy, e na wyjciu tego ukadu wyst puje sygna o wartoci 0, i podobnie sygna
wejciowy 1 wywouje sygna wyjciowy te 1. Takiemu dziaaniu nie przypisuje si ad-
nej funkcji logicznej, a jedynie techniczn funkcj zwi kszenia mocy sygnau (wzmocnie-
nia), niezb dn w bardziej rozbudowanych urzdzeniach logicznych.
W drugim przypadku sygna wejciowy 0 wywouje sygna wyjciowy 1, a sygna
wejciowy 1 wywouje sygna wyjciowy 0. Jest to dziaanie odpowiadajce logicznemu
zaprzeczeniu, czyli negacji lub inwersji. Ukad logiczny realizujcy tak funkcj nazywa
si negatorem, inwertorem lub funktorem NOT.
Dla dwu sygnaów wejciowych i jednego wyjciowego istnieje wiele moliwych uza-
lenie, czyli rónych funkcji logicznych uzaleniajcych sygna wyjciowy Y od sygna-
ów wejciowych A i B. Ukady o dwu wejciach i jednym wyjciu nazywa si ogólnie
bramkami, dodajc w nazwie okrelenie realizowanej funkcji. Najwaniejszymi funkcjami
logicznymi dwu zmiennych s:
1) koniunkcja (iloczyn logiczny),
2) alternatywa (suma logiczna).
Bramk realizujc koniunkcj nazywa si bramk AND, a bramk realizujc alter-
natyw bramk OR. Na rys. 7.2 pokazano niektóre z 16 moliwych funkcji logicznych dwu
zmiennych, podajc nazwy odpowiednich bramek.
Bramki mog by wykonywane take jako trzywejciowe, czterowejciowe a po
omiowejciowe z jednym wyjciem. Wszystkie wejcia w bramce s zazwyczaj "równo-
prawne", w bramce np. AND podanie zera na dowolne wejcie spowoduje pojawienie si
zera na wyjciu, a w bramce OR jedynka na dowolnym wejciu wymusza jedynk na wyj-
ciu. Niektóre bramki maj dwa wyjcia, o rónych uzalenieniach od wej.
czc odpowiednio wyjcia bramek z wejciami innych bramek buduje si tzw. uka-
dy kombinacyjne, charakterystyczne tym, e wartoci sygnau czy sygnaów wyjciowych
caego ukadu s w kadej chwili jednoznacznie okrelone wartociami sygnaów wejcio-
 149

wych tego ukadu, aczkolwiek to przyporzdkowanie moe mie posta do zoonych
funkcji logicznych lub operacji arytmetycznych.

Wej. AND OR NOR NAND EXOR

A B Y Y Y Y Y
A
Y 0 0 0 0 1 1 0
0 1 0 1 0 1 1
B
1 0 0 1 0 1 1
1 1 1 1 0 0 0

Rys. 7.2. Niektóre funkcje logiczne dwu zmiennych

Niektóre z tych do rozbudowanych ukadów wykonuj typowe operacje na wielobi-

towych sygnaach, potrzebne w rónych urzdzeniach cyfrowych, i z tego powodu s one
produkowane w postaci ukadów scalonych (zawierajcych kilka do kilkudziesi ciu bra-
mek w jednej strukturze póprzewodnikowej) o okrelonym przeznaczeniu. Tak wytwarza-
ne s np. sumatory, w których sygnay wyjciowe przedstawiaj sum arytmetyczn dwu
sygnaów wejciowych, czy komparatory porównujce dwa sygnay wejciowe i wytwarza-
jce sygna wyjciowy okrelajcy, która z liczb wyraonych sygnaami wejciowymi jest
wi ksza i inne ukady. Takie ukady nazywa si cyfrowymi blokami funkcjonalnymi, nie-
które z nich s przedstawione dalej.
Jednostk arytmetyczno-logiczn (ALU  Arithmetic Logic Unit) nazywa si blok
funkcjonalny o zmiennej, sterowanej funkcji przetwarzania wielobitowych sygnaów wej-
ciowych na wyjciowe. Taki ukad przy okrelonym sygnale sterujcym dziaa np. jak
sumator arytmetyczny, a przy innym sygnale sterujcym dziaa jak funktor iloczynu lo-
gicznego itd. Jednostka arytmetyczno-logiczna jest podstawowym skadnikiem procesora
komputerowego.
Warto zauway, e przy stosowaniu sygnaów wielobitowych kade z pojedynczych
wej czy wyj bloku funkcjonalnego ma cile okrelone przeznaczenia. Jeeli s np.
cztery wejcia jednobitowe A0, A1, A2, A3, tworzce razem czterobitowe wejcie A cy-
frowego bloku funkcjonalnego, to podanie sygnau A = 1000 (A0 = 1; pozostae zero) ma
zupenie inny sens anieli podanie sygnau A = 0001 (pierwsze trzy zera; A3 = 1). W
bramce czterowejciowej sygnay wejciowe 1000 i 0001 s z reguy równowane.
Odmienn grup ukadów logicznych i cyfrowych stanowi tzw. ukady sekwencyjne,
budowane z wykorzystaniem przerzutników (por. przerzutnik opisany w p. 6.3.1). W tych
ukadach wartoci sygnaów wyjciowych w kadej chwili zale nie tylko od sygnaów
wejciowych w tej chwili, ale take od stanu ukadu, jaki by wywoany uprzednio. W
skrócie opisuje si to, mówic o "pami ci" ukadu, zachowujcej informacj o przeszoci.
Przerzutniki s cz sto stosowane do zapami tywania wartoci sygnaów wielobito-
wych. W takim przypadku konieczny jest odpowiedni zespó przerzutników nazywany
rejestrem. Produkowane s wi c nie tylko pojedyncze przerzutniki ale i rejestry o rónych
waciwociach.
150

Wan dziedzin zastosowa przerzutników s liczniki, zespó przerzutników zmie-

niajcych odpowiednio swoje stany pod wpywem kadego impulsu wprowadzonego do
tzw. wejcia liczcego. Sprawdzajc stan przerzutników licznika mona otrzyma informa-
cj , ile impulsów byo poprzednio doprowadzonych do jego wejcia.
Wi ksze zespoy przerzutników, przeznaczone do pami tania wi kszej iloci liczb bi-
narnych nazywa si pami ciami póprzewodnikowymi. Warto odnotowa, e due pami ci
wykonywane s take na podstawie innych koncepcji, bez stosowania przerzutników.

7.2. Funktory TTL, CMOS i ECL

Bramki, przerzutniki i inne ukady wykonywane s w rónych technikach, z tranzysto-
rów bipolarnych i unipolarnych, zwykle w postaci zestawu elementów scalonych o rónych
funkcjach, ale o jednakowych okreleniach poziomów sygnau, napi ciach zasilajcych i
innych parametrach technicznych. Takie zestawy zwykle nosz nazw pochodzc od ja-
kiej istotnej ich cechy konstrukcyjnej. Obecnie do szeroko stosowana jest rodzina TTL
(TransistorTransistorLogic), rodzina CMOS (Complementary MOS) i rodzina ECL
(Emitter Coupled Logic). Kada z rodzin skada si z kilkudziesi ciu do kilkuset rónych
bramek, przerzutników, cyfrowych bloków funkcjonalnych i innych elementów. Konstruk-
torzy gwarantuj poprawn wspóprac wszystkich elementów jednej rodziny mi dzy sob,
natomiast wspópraca elementów z rónych rodzin wymaga zwykle szczegóowej analizy
warunków technicznych i niekiedy wymaga stosowania elementów poredniczcych.
Na rys. 7.3a pokazano uproszczony schemat dwuwejciowej bramki z serii TTL. Taka
bramka, podobnie jak inne elementy TTL, jest zasilana napi ciem +5 V z tolerancj 5%,
sygna wyjciowy w stanie niskim wynosi od 0 do 0,4 V, a w stanie wysokim od 2,8 do
5,0 V.

a) +5V b) +5V
R4 R1
R1 R2
T1 T4
we1 we1
T2 wy
we2 we2
T3 U
R3 I
0V
0V

Rys. 7.3. Bramka TT: schemat (a) i model wej (b)

Elementem wejciowym bramki TTL jest tzw. tranzystor wieloemiterowy, który tutaj
dziaa podobnie jak zestaw diod pokazany na rys. 7.3b. Dziaanie caego ukadu rozpatruje
si przy dwu wartociach sygnau wejciowego
Podanie sygnau niskiego  np. przez zwarcie wejcia z mas elektryczn  powoduje
przepyw prdu przez rezystor R1 oraz diod wejciow poczon z mas. Napi cie U
 151

przyjmuje wówczas warto spadku napi cia na

Uo
przewodzcej diodzie (okoo 0,6 V), co nie wy-
starcza do wysterowania dwu dalszych tranzy-
storów T2 i T3. W takiej sytuacji wyjcie uka- H
o
du jest odczone od masy przez nieprzewodz-
cy tranzystor T3. Jednoczenie moliwy jest
przepyw prdu przez rezystor R2, czyli moli-
we jest wysterowanie tranzystora T4. Ten tran-
zystor zamyka poczenie pomi dzy dodatnim
biegunem zasilania (+5 V) a wyjciem. Dzi ki Ui
Lo
temu na wyjciu pojawia si napi cie dodatnie o
Li Hi
poziomie wysokim. Warto te zwróci uwag
na to, e w stanie niskim prd wejciowy wy-
pywa z bramki, zatem ukad sterujcy wej- Rys. 7.4. Charakterystyka przejciowa
bramki TTL
ciem musi by zdolny do przyj cia prdu (ok.
1,5 mA) i odprowadzenia go do masy.
Gdy do obydwu wej bramki, pokazanej na rys. 7.3, doprowadzone s sygnay o poziomie
wysokim (np. przez zwarcie obydwu wej z zasilaniem +5 V) nast puje inny rozpyw prdów.
Prd przepywa przez rezystor R1, zcze bazaemiter tranzystora T2 i zcze bazaemiter tranzy-
stora T3. Dzi ki temu te obydwa tranzystory s wysterowane i wyjcie ukadu przez wysterowany
tranzystor T3 zostaje poczone z mas, co zapewnia niski poziom sygnau wyjciowego. Jedno-
czenie prd, doprowadzany z zasilania przez rezystor R2, przepywa teraz przez T2 i R3, omijajc
tranzystor T4. Nieprzewodzcy tranzystor T4 odcina wyjcie ukadu od poziomu wysokiego. W
takim stanie do wejcia bramki wpywa prd spolaryzowanego wstecznie zcza (ok. 40 PA). Jak
wynika z podanych uwag w bramce TTL mog wystpi dwa stany:
1) wszystkie wejcia na poziomie wysokim  wyjcie na poziomie niskim,
2) jedno lub wi cej wej na poziomie niskim  wyjcie na poziomie wysokim.
Zapisujc te zwizki w konwencji pozytywnej (niski  0;
wysoki  1) mona znale , e ta bramka realizuje funkcj lo- + UDD
giczn NAND. Mona te sprawdzi, e w konwencji nega-
tywnej ta sama bramka realizuje inn funkcj logiczn. S
Mona te uywa bramki TTL niestandardowo, tj. do-
p
prowadzajc do jednego lub dwu wej sygna analogowy, ci-
D
gy. W takim przypadku sygna wyjciowy te b dzie niestan-
dardowy, analogowy. Charakterystyk przenoszenia, czyli za-
leno sygnau wyjciowego od wejciowego, pokazano na D
rys. 7.4, oznaczajc zakresy napi  odpowiadajce typowemu, Ui Uo
dwustanowemu sterowaniu bramki. n
Na rys. 7.5 pokazano schemat inwertora w technice S
CMOS. Taki inwertor skada si tylko z dwu tranzystorów
MOS typu wzbogacanego, o rónych kanaach, których bramki
oraz dreny s zwarte mi dzy sob. Poczone bramki stanowi
wejcie inwertora, a poczone dreny jego wyjcie. Rys. 7.5. Inwertor CMOS
152

Sygna wejciowy o poziomie niskim (np. zwarcie wejcia z mas) powoduje, e na-
pi cie bramka ródo tranzystora z kanaem n wynosi zero, tak wi c ten tranzystor jest w
stanie zatkania i nie przewodzc prdu odcza wyjcie ukadu od masy elektrycznej. Ten
sam sygna wejciowy dla tranzystora z kanaem p oznacza napi cie bramka ródo o war-
toci równej napi ciu zasilania. To napi cie jest wi ksze od progowego i powoduje, e
tranzystor z kanaem p zostaje wysterowany do stanu dobrego przewodzenia prdu, zapew-
niajc poczenia wyjcia ukadu z dodatnim biegunem zasilania. Dzi ki temu na wyjciu
otrzymuje si sygna o poziomie wysokim.
Przy sygnale wejciowym o poziomie wysokim (np. zwarcie wejcia z dodatnim bie-
gunem zasilania) nast puje odwrócenie sytuacji. Teraz napi cie bramka ródo tranzystora
z kanaem p wynosi zero i ten nieprzewodzcy tranzystor odcza wyjcie od napi cia zasi-
lania, a napi cie bramka ródo tranzystora z kanaem n jest due, wi ksze od progowego,
co zapewnia dobre przewodzenie tego tranzystora, czyli poczenie wyjcia z poziomem
masy elektrycznej. Dzi ki temu na wyjciu otrzymuje si sygna o poziomie niskim.
Przy sygnaach niestandardowych charakterystyka przenoszenia inwertora CMOS jest
podobna do charakterystyki bramki TTL pokazanej na rys. 7.4.
W technice CMOS buduje si i inne elementy. Na rys. 7.6 pokazano przykadowe
schematy dwuwejciowych bramek CMOS. Na tych schematach mona zauway, e
bramki s zbudowane z elementów dwu inwertorów z dodatkowymi poczeniami we-
wn trznymi. Pokazane na rys. 7.6a tranzystory T1 i T2 stanowi typowy inwertor, podob-
nie jak tranzystory T3 i T4. Wprowadzenie sygnau wysokiego na dowolne wejcie lub na
obydwa wejcia powoduje, e jeden z tranzystorów T2, T4 (lub obydwa) przechodz w
stan dobrego przewodzenia zapewniajc niski sygna wyjciowy. Jednoczenie odpowiedni
tranzystor T1 czy T3 (albo obydwa) odczaj wyjcie od zasilania napi ciem wysokim.
Tylko podanie obydwu sygnaów wejciowych o poziomie niskim zapewnia jednoczesne
przewodzenie tranzystorów T1, T3 oraz nieprzewodzenie T2, T4, co gwarantuje poziom
wysoki na wyjciu. Taka bramka w konwencji pozytywnej realizuje funkcj NOR. Od-
mienna konfiguracja pocze, pokazana na rys. 7.6b, odpowiada bramce NAND.

a) + U DD b) S
+ U DD
S S T3
T1 T1
we1 p we1 p p
D D D
S D wy
T3 T4
we2 p we2 n
D wy S
D
T2
D D n
T2 T4
n n S
S S

Rys. 7.6. Dwuwejciowe bramki CMOS

 153

Inwertory, bramki, jak i inne elementy, CMOS mona zasila napi ciami z zakresu od
3 do 18 V (inaczej ni w rodzinie TTL która wymaga zasilania 5 V). Z tego powodu okre-
lenie przedziaów napi  niskich i wysokich jest dla ukadów CMOS odmienne ni dla
TTL i np. dla sygnaów wyjciowych bramki poziom niski to napi cie od 0 do 50 mV, a
poziom wysoki to warto mieszczca si pomi dzy napi ciem zasilania a napi ciem zasi-
lania pomniejszonym o 50 mV.
W funktorach ECL wykorzystuje si waciwoci wzmacniacza rónicowego, (patrz p.
5.3). Schemat bramki ECL pokazano na rys. 7.7. Wzmacniacz rónicowy zbudowany jest
niesymetrycznie, w jednym ramieniu ukadu wyst puj dwa tranzystory, T1 i T1A, których
obwody wyjciowe s poczone równolegle, a w drugim ramieniu tranzystor T2. Napi cie
wejciowe wzmacniacza od strony tranzystora T2 jest ustalone dzielnikiem rezystancyjnym
RA, RB. Napi cia dwuwartociowych sygnaów wejciowych, wprowadzanych do tranzy-
storów T1 i T1A, s znacznie wi ksze lub znacznie mniejsze od napi cia panujcego na
bazie tranzystora T2.
Taki dobór wartoci napi  wejciowych powoduje, e wzmacniacz zawsze jest wpro-
wadzany w stan nasycenia. Jeeli obydwa sygnay wejciowe s niskie, to nasycenie
wzmacniacza polega na tym, e tranzystory T1 i T1A s zatkane a tranzystor T2 przewodzi
prd (ale to nie znaczy e jest on w stanie nasycenia, wr cz odwrotnie, elementy ukadu s
tak dobrane, aby tranzystor przewodzcy pozosta w stanie aktywnym). Jeeli do jednego
lub obydwu wej doprowadzi si sygna wysoki to jeden lub obydwa tranzystory T1 przej-
d do stanu aktywnego a tranzystor T2 zostaje zatkany.

+UCC
RC RC RA

T3
T4

wy1
T1A T1 T2

wy2

we1 we2 RE RB R R
- UEE

Rys. 7.7. Bramka ECL

Napi cie na kolektorze tranzystora zatkanego jest bliskie do wartoci UCC, napi cie na
kolektorze tranzystora przewodzcego jest znacznie nisze. Napi cia wyjciowe wzmac-
niacza rónicowego s doprowadzone do dwu wzmacniaczy, których wyjcia s wyjciami
bramki. Zadaniem tych wzmacniaczy jest m.in. wytworzenie napi  wyjciowych o warto-
ciach odpowiednich do dwustanowego wysterowania kolejnej bramki. W konwencji pozy-
154

tywnej taka bramka na jednym wyjciu realizuje funkcj OR, a na drugim wyjciu jej nega-
cj , czyli NOR.
Funktory ECL te dopuszczaj róne wartoci napi  zasilajcych, aczkolwiek pro-
ducent zaleca stosowanie wartoci UCC równej zero (zwarcie zacisku +UCC z mas el.)
natomiast UEE moe wynosi od 3 do 10V. Poziomy sygnaów w ukadach ECL te
zale od obranych napi  zasilania i wynosz przykadowo poziom wysoki 0,75V, a
poziom niski 1,6 V.
Jak wynika z powyszego przegldu, elementy z rónych rodzin, nawet realizujce
identyczne funkcje logiczne, róni si mi dzy sob budow i dziaaniem wewn trznym.
Konsekwencj tego s te rónice w parametrach technicznych, obejmujce nie tylko war-
toci napi  zasilania, czy wartoci (poziomy) sygnaów logicznych, ale take i inne cechy,
jak szybko dziaania elementu, pobór mocy ze róda zasilania itd.
Wybór elementów do realizacji okrelonego urzdzenia cyfrowego powinien by po-
przedzony nie tylko analiz stawianych wymaga i planowanych warunków pracy projek-
towanego obiektu, ale powinien te uwzgl dnia dost pno elementów w rónych rodzi-
nach funktorów. Obecnie najszerszy wybór rónych typów elementów mona znale  w
rodzinie TTL, nieco "modsza" rodzina CMOS jest aktualnie wzbogacana o nowe typy
ukadów scalonych.
Sporód syntetycznych wska ników, charakteryzujcych waniejsze cechy rodzin ele-
mentów, poniej przytacza si niektóre.

Cecha ECL TTL CMOS

gsto upakowania
ilo  standardowych bramek jak mona ulokowa 10 20 300
2
na powierzchni 1 mm p ytki krzemowej
czas propagacji [ns]
opó nienie z jakim wyj cie bramki reaguje 0,3  2,0 2,0 30 3,0 100
na zmian sygna u wej ciowego
moc strat [mW]
moc tracona na ciep o w standardowej bramce 2560 1,020 0,01
w okre lonych warunkach pracy

Jak wynika z tych wska ników ukady ECL s najszybsze, ale zajmuj najwi cej miej-
sca i zuywaj najwi cej mocy, ich przeciwiestwem s ukady CMOS, najwolniejsze, ale
najbardziej podatne na du skal scalenia, ukady TTL maj waciwoci porednie.

7.3. Cyfrowe bloki funkcjonalne

W niniejszym punkcie przedstawia si kilka przykadów cyfrowych bloków funkcjonal-
nych, majc na celu pokazanie typowych operacji dokonywanych na sygnaach cyfrowych. W
opisie przyj to zasad "kocówkow", tj. ograniczono si do pokazania, dost pnych dla uyt-
kownika, wyprowadze ukadu scalonego i opisano ich gówne przeznaczenie, nie wnikajc
ani w konstrukcj wewn trzn, ani w podstawy teoretyczne dziaania tych ukadów.
 155

7.3.1. Kodery
Koder (dekoder, transkoder) to ukad przetwarzajcy wielobitowy sygna wejciowy w
okrelonym kodzie na, te wielobitowy, sygna w innym kodzie. Przedrostki de- lub trans- s
stosowane dla okrelenia, które kody uwaa si za pierwotne a które za wynik przeksztace.
Cz sto stosowane s dekodery sygnau BCD (zob. tabl. 4.1) na kod wska nika sied-
miosegmentowego. Na rys. 7.8 pokazano ukad blokowy kodera ze wska nikiem. Na ry-
sunku zastosowano uproszczenie graficzne polegajce na tym, e zamiast rysowania 7 linii
przedstawiajcych 7 pocze elektrycznych dekodera z wska nikiem narysowano jedn
pogrubion strzak , wskazujc jednoczenie kierunek przepywu sygnaów.

A0
a
A1 BCD d e

A2 b
7seg. f g
A3 c

Rys. 7.8. Dekoder BCD na 7 segmentów i wska nik

Wska nik siedmiosegmentowy zawiera 7 diod wieccych, odpowiednio rozmiesz-

czonych, tak aby zaczenie odpowiednich z nich powodowao wywietlenie cyfry ze zbio-
ru od 0 do 9. Na przykad wczenie diod eg powoduje wiecenie cyfry 1 a wczenie diod
adbgc cyfry 5. Dekoder przetwarza czterobitowy sygna wejciowy tak, aby liczba repre-
zentowana tym sygnaem spowodowaa wywietlenie odpowiadajcej jej cyfry. Na przy-
kad sygna wejciowy kodera A0 = 1; A1 = A2 = A3 = 0
(A = 1000) powoduje zawiecenia cyfry 1, a sygna A = A0 Y0
1010 cyfry 5. Y1
Do celów sygnalizacyjnych stosuje si te dekoder A1 BCD
kodu BCD na kod "jeden z dziesi ciu", którego schemat
blokowy pokazano na rys. 7.9. Czterobitowy sygna wej- A2
ciowy A, o wartociach zawartych w kodzie BCD, powo- Y8
A3 1z10
duje wystpienie sygnau 1 na wyjciu Y o numerze odpo- Y9
wiadajcym wartoci A, na pozostaych dziewi ciu wyj-
ciach Y wyst puj wtedy sygnay o wartoci zero. Sygnay wyjciowe mog by wykorzy-
stane do wczania podwietlenia odpowiednich cyfr.
Rys. 7.9. Dekoder BCD
na 1 z 10
7.3.2. Multipleksery, demultipleksery
Multiplekser i demultiplekser speniaj funkcj bezstykowych przeczników sygna-
ów binarnych. Na rys. 7.10 pokazano ich schematy blokowe.
Multiplekser pozwala skierowa jeden z czterech jednobitowych sygnaów, dopro-
wadzonych do wej A0, A1, A2 i A3 na wyjcie Y. O tym, który sygna zostanie skiero-
156

wany do wyjcia Y decyduje stan wej X1 i X0 zwanych wejciami adresowymi. Np. ad-
res X0 = 0; X1 = 0 (X = 00) powoduje wewntrz multipleksera proste poczenie wejcia
A0 z wyjciem Y. Podobnie sygna adresowy np. X = 10 poczy wejcie A1 z wyjciem
Y, a sygna X = 01 spowoduje przekazywanie sygnau z wejcia A2 na wyjcie Y.

a) b)
A0 Y0
A1 Y1
Y A
A2 MUX DMUX Y2

A3 Y3

X0 X1 X0 X1

Rys. 7.10. Schematy blokowe: multipleksera (a) i demultipleksera (b)

Istniej róne warianty multiplekserów, przeznaczone do przeczania sygnaów wej-

ciowych jedno- lub wielobitowych, a ilo wej A moe wynosi 2, 4 lub 8. Oczywicie
liczba bitów sygnaów A oraz Y musi by taka sama, natomiast liczba bitów sygnau adre-
sowego X zaley od liczby wej A. Przy dwu wejciach A wystarcza jednobitowy sygna
adresowy tak, aby przy X = 0 poczy wejcia A0 z wyjciami Y, a przy X = 1 poczy
A1 z Y. Przy omiu wejciach A potrzebny jest trzybitowy sygna adresowy X.
Odwrotn funkcj wzgl dem multipleksera spenia demultiplekser  schemat bloko-
wy na rys. 7.10b. Demultiplekser zapewnia przekazanie sygnau z jednego wejcia A na
jedno z czterech wyj Y0 lub Y1 lub Y2 lub Y3. O wyborze wyjcia decyduje sygna ad-
resowy X. Na wybranym przez adres wyjciu wyst puje sygna wejciowy A, na pozosta-
ych wyjciach jest wówczas stan ustalony przez producenta, najcz ciej na pozostaych
wyjciach wyst puje zero. Podobnie jak multipleksery produkuje si te róne warianty
demultiplekserów, zazwyczaj wytwarzane s pary ukadów o pokrewnych waciwociach
np. multiplekser "4 na 1" oraz demultiplekser "1 na 4"
Multiplekser pozwala na przyczenie kilku róde sygnaów binarnych do jednej linii
przesyowej, moe to by np. zbieranie danych z kilku czujników pomiarowych do jednego
urzdzenia pomiarowego. Demultiplekser pozwala np. na sterowanie kilkoma obiektami z
jednego punktu. W kadym przypadku b dzie obowizywa zasada "obsuga po kolei"
czyli szeregowego przesyu informacji.

7.3.3. Sumator
Sumator jest typowym blokiem cyfrowym, dokonujcym operacji arytmetycznej do-
dawania dwu liczb, zwykle wyraonych w kodzie binarnym naturalnym. Schemat blokowy
sumatora pokazano na rys. 7.11.
Do sumatora wprowadza si dwa sygnay wejciowe A oraz B, zwykle czterobitowe, przed-
stawiajce skadniki, a na wyjciu S otrzymuje si sygna czterobitowy wyraajcy ich sum .
 157

Dodatkowe wyjcie P dostarcza sygnau

przeniesienia. Ten sygna przyjmuje warto 1 A
jeeli wynik sumowania przekracza maksymaln
liczb wyraon przez cztery bity, tj. 15. Przy 6 S
B
dodawaniu binarnym jest podobnie jak w dzie-
si tnym, gdzie dodanie dwu liczb jednocyfro- P-1 P
wych moe da w wyniku liczb jednocyfrow
(0...9) lub dwucyfrow (10...18). W tym drugim
przypadku pojawiajca si jedynka jest przenie- Rys. 7.11. Sumator
siona do wyszego rz du. Sygna przeniesienia P
odpowiada takiej "jedynce" w dodawaniu binar-
nym. A0
Dla umoliwienia dodawania liczb wi k-
szych, anieli wyraone przez cztery bity, przewi-
B0
6 "0" S0

duje si czenie sumatorów w zespoy, jak poka-

zano na rys. 7.12. W takim przypadku przeniesie- P-1 P
nie powstajce w niszym rz dzie musi by doda-
ne w wyszym rz dzie. Dla tego celu sumatory s
zaopatrzone w wejcie P1, do którego wprowa-
dza si sygna przeniesienia z niszego rz du. A1

7.3.4. Komparator 6 "1" S1

B1
Komparator suy do porównania dwu liczb P-1 P
binarnych A i B. Wynikiem porównania jest
stwierdzenie czy s one równe, a jeeli nie, to która jest wi ksza. Dlatego komparator ma trzy
wyjcia: A = B; A < B; A > B oczywicie tylko na
jednym z nich moe pojawi si sygna o wartoci Rys. 7.12. czenie sumatorów
jeden a na dwu pozostaych b dzie zero.

< = > < = >

A1
A0 A>B A>B

A=B A=B
B1
B0 A<B
A<B

Rys. 7.13. Poczenie komparatorów

Sygnay wejciowe A i B komparatora s zwykle czterobitowe, jeeli trzeba porów-

nywa wi ksze liczby to stosuje si odpowiedni ilo komparatorów, jak pokazano na rys.
7.13. W takim przypadku mog zaistnie róne sytuacje, np. liczba z niszego rz du A0
158

jest wi ksza od B0, ale w wyszym rz dzie A1 jest równe B1 itp. Dla uwzgl dnienia tego
typu zdarze i wyznaczenia relacji mi dzy kompletnymi liczbami A i B, komparator w
wyszym rz dzie musi mie informacj o wyniku komparacji w niszym rz dzie i dlatego
komparatory wyposaone s w wejcia " =; <; > " przyjmujce odpowiedni informacj z
czonu poprzedniego.

7.3.5. Jednostka arytmetycznologiczna

Jednostka arytmetycznologiczna (ALU  Arithmetic Logic Unit) jest blokiem wyko-
nujcym róne operacje na dwu wielobitowych sygnaach wejciowych A i B lub na jed-
nym z nich. Rodzaj wykonywanej operacji zaley od sygnau sterujcego F, te wielobito-
wego. Dodatkowe wejcie A/L pozwala przestawia jednostk na tryb pracy arytmetyczny
lub logiczny. Na rys. 7.14 pokazano blok ALU z oznaczeniem wej i wyj.
Przy czterobitowym sygnale sterujcym F jednostka
moe wykona jedn, wybran z 16 rónych, operacj
A arytmetyczn lub jedn z 16 rónych operacji logicz-
nych. Zmieniajc wartoci sygnaów F oraz A/L mona
ALU Y wi c, w przypadku tej jednostki, realizowa 32 róne
B operacje na sygnaach A i B.
A/L Przy dokonywaniu operacji arytmetycznych sygna-
y A i B s traktowane jako liczby zapisane w kodzie
binarnym. Operacjami arytmetycznymi, wykonywanymi
F przy odpowiednich wartociach sygnau F, s np.: A +
B; A + A; A  1; A  B  1 itd. Warto wiedzie, e nie
wszystkie operacje arytmetyczne, które wydawayby si
Rys. 7.14. Jednostka aryt-
metyczno-logiczna podstawowymi, s wykonywane przez ALU. Z reguy
jednostka nie wykonuje mnoenia dwu liczb przez sie-
bie, aczkolwiek wykonuje operacj A + A, która odpo-
wiada mnoeniu przez 2. Rodzaj wykonywanych operacji jest kompromisem pomi dzy
wymaganiami uytkowników a moliwociami technicznymi wykonania przy zachowaniu
rozsdnego stopnia komplikacji konstrukcji.
Przy wykonywaniu operacji logicznych sygnay A i B s traktowane jako zoenie po-
jedynczych bitów. Wykonanie operacji np. AND na sygnaach A i B polega na obliczeniu
iloczynu logicznego wartoci pierwszych bitów A0 i B0 oraz przesaniu wyniku do Y0,
podobnie traktowane s pary A1 i B1, A2 i B2 itd czyli w tym przypadku ALU dziaa jak
zespó niezalenych bramek AND. Operacjami logicznymi wykonywanymi przez ALU s:
NOT(A); AND(A,B); NAND(A,B); NOR(A,B) itp.
Dla umoliwienia zestawiania pojedynczych, scalonych jednostek arytmetyczno-
logicznych w zespoy, przetwarzajce sygnay A i B o wi kszej liczbie bitów, ALU jest
wyposaone w dodatkowe wejcia i wyjcia jednobitowe pozwalajce na przekazywanie
sygnau przeniesienia przy dodawaniu i inne, podobnego typu informacje.
 159

7.4. Przerzutniki, rejestry

W ukadach logicznych przerzutniki s wykonywane z bramek typu NOR lub NAND
przez poczenie, co najmniej dwu bramek, w ukad z penym sprz eniem zwrotnym. Na
rys. 7.15 pokazano schemat pocze najprostszego przerzutnika oraz tablic zero-
jedynkow wartoci sygnaów wejciowych i wyjciowych tego ukadu. Tablic wyznacza
si , analizujc dziaanie kadej z dwu bramek, z uwzgl dnieniem wzajemnego ich oddzia-
ywania  sprawdzenie prawdziwoci tej tablicy pozostawia si czytelnikowi.

a) b) c)
Wej. Wyj.
NAND R Y1 R S Y1 Y2
Wej. Wyj.
0 0 1 1 zabron.
0 0 1
0 1 1 0 ustaw.
0 1 1
S Y2 1 0 0 1 kasow.
1 0 1
1 1 0 1
1 1 0 pami 
1 1 1 0

Rys. 7.15. Tablica prawdy bramki NAND (a), poczenie dwu bramek NAND w przerzutnik
typu RS (b), tablica prawdy przerzutnika RS (c)

W przerzutnikach przyjmuje si , e jeeli istniej dwa wyjcia z przerzutnika, to ich

sygnay powinny by wzajemnie zanegowane. Dlatego na rys. 7.15 zapisano jako zabro-
nion kombinacj sygnaów wejciowych R = 0 i S = 0, powodujcych wystpienie jedna-
kowych sygnaów na obydwu wyjciach Y1 i Y2.
Kombinacje sygnaów wejciowych 0 1 i 1 0 wymuszaj sygna wyjciowy przerzut-
nika Y1 o wartoci odpowiednio 1 lub 0 (Y2 odpowiednio 0 lub 1). Opisuje si to jako
ustawienie przerzutnika w stan 1 (operacja S  set) lub kasowanie przerzutnika czyli usta-
wienie w stan 0 (operacja R  reset).
Kombinacja sygnaów wejciowych 1,1 nie wymusza okrelonego stanu przerzutnika,
pozostaje on w stanie jaki by wymuszony poprzednio, czyli pami ta stan poprzedni. Po
wprowadzeniu sekwencji sygnaów wejciowych np. 0 1, a nast pnie 1 1, przerzutnik po-
zostaje z sygnaem o wartoci 1 na wyjciu Y1, opisuje si to mówic, e przerzutnik pa-
mi ta, zapisan w nim poprzednio, jedynk .
Na rys. 7.16 pokazano jedn z moliwoci rozbudowy przerzutnika, w tym przypadku
rozbudowano cz  poprzedzajc waciwy przerzutnik, tak aby wyeliminowa moli-
wo wprowadzenia zabronionej kombinacji sygnaów wejciowych 0,0 do dwu bramek
tworzcych przerzutnik. Sygna D pozwala wpisa do przerzutnika jedynk lub zero przy
sygnale T o wartoci 1, sygna T = 0 wprowadza przerzutnik w stan pami tania. Inne od-
miany przerzutników, o rónych sposobach ustawiania, kasowania i przechowywania war-
toci sygnau opisane s w literaturze [3].
Przytoczone powyej dwa ukady reprezentuj te dwie koncepcje dziaania ukadów
cyfrowych: dziaanie asynchroniczne i dziaanie synchroniczne. W ukadach asynchronicz-
160

nych, takich jak przerzutnik RS, nie czyni si adnych zaoe co do momentów zmian
sygnaów wejciowych i wyjciowych, zwykle zmiana sygnau wejciowego powoduje
natychmiastow zmian sygnau wyjciowego. Inaczej jest w ukadach synchronicznych, w
których wprowadza si generator impulsów taktujcych zwany zegarem, i wszystkie zmia-
ny sygnaów nast puj w momentach okrelanych impulsami taktujcymi. W opisanym
wyej przerzutniku D sygna D mona wykorzysta jako sterujcy (ustawiajcy lub kasuj-
cy) a sygna T jako sygna synchronizujcy (zegarowy). Zmiana sygnau na wyjciu prze-
rzutnika moe nastpi tylko przy sygnale zegarowym T = 1, bo tylko wtedy informacja z
wejcia D moe by wprowadzona do przerzutnika. Przy sygnale T = 0 (przerwa pomi dzy
impulsami zegarowymi) przerzutnik nie moe zmieni stanu, niezalenie od tego, jakie
wartoci wyst puj w tym czasie na wejciu sterujcym D.

a) b)

D Wej. Wyjcia
Y D T Y Y
1 1 0 1 kasow.
T
0 1 1 0 ustaw.
Y
X 0 0 1
pami 
X 0 1 0
X - warto 0 lub 1

Rys. 7.16. Przerzutnik D: schemat (a) i tablica prawdy (b)

Ukady dziaajce synchronicznie s szczególnie dogodne w zoonych urzdzeniach

cyfrowych, takich jak komputery, poniewa uatwiaj wspóprac rónych podzespoów
mi dzy sob i umoliwiaj dziaanie w okrelonej kolejnoci, co jest podstaw wykonywa-
nia programów komputerowych.
Rejestrem nazywa si zespó przerzutników speniajcych jednakowe, okrelone za-
danie w urzdzeniu cyfrowym. Stosowane s zespoy 4, 8, 16 a po 1024 przerzutniki w
jednym rejestrze.
Najprostszym rejestrem jest ukad z równolegym wejciem i równolegym wyjciem (zwany
PIPO  Parallel Input, Parallel Output), którego schemat blokowy pokazano na rys. 7.17.
Dziaanie tego rejestru polega tylko na pami taniu sygnaów dwuwartociowych a, b,
c, d wpisanych do przerzutników impulsem
A B C D zegarowym. Zapami tane wartoci sygnaów
wyst puj na wyjciach przerzutników A, B,
C, D. Niekiedy stosuje si dodatkowe wejcie
zerow.
zegar kasujce (zerowanie), pozwalajce wymusi
stan zero we wszystkich przerzutnikach nieza-
a b c d lenie od sygnaów wejciowych i zegara. Sto-
suje si to np. po wczeniu ukadu do pracy,
Rys. 7.17. Rejestr równolegy
aby mie pewno, e stan adnego z przerzut-
ników nie jest przypadkowy.
 161

Wan grup stanowi rejestry przesuwajce, w których mona przenie stan pami -
tany w jednym przerzutniku do przerzutnika ssiedniego. W takich rejestrach cz sto sygna
wejciowy jest doprowadzany do pierwszego, "skrajnego" przerzutnika i stan tego prze-
rzutnika jest przenoszony, w takt impulsów zegarowych, do nast pnych przerzutników. Na
rys. 7.18 pokazano sygna wejciowy i stany rejestru w trakcie wpisywania informacji,
poniewa informacja wprowadzana jest kolejno, to tego typu wejcie nazywa si szerego-
wym (SI  Serial Input).
Rejestry mog realizowa przesuw w prawo lub przesuw w lewo, lub te kierunek
przesuwu moe by ustalony dodatkowym sygnaem dwuwartociowym w odpowiednio
skonstruowanym rejestrze.
a) b)
zegar t

wejcie 0 1 0 1 1 t
A B C D
wejcie A
0 1 0 1 1 t
B
0 0 1 0 1 t
zerowanie
zegar C
0 0 0 1 0 t
D 0 0 0 0 1 t
przesuw

7.18. Rejestr SIPO: budowa (a), przebieg sygnaów (b)

W rejestrach przesuwajcych zoonych z duej liczby przerzutników jest niemoliwe

zaopatrzenie kadego przerzutnika w oddzielne wyjcie (ze wzgl du na ograniczon tech-
nologicznie ilo wyprowadze z ukadu scalonego). W takich przypadkach tylko ostatni,
w kolejnoci wpisywania, przerzutnik ma wyjcie zwane szeregowym wyjciem rejestru
(SO  Serial Output). czc wyjcie SO z wejciem SI tworzy si rejestr zamkni ty. W
takim rejestrze wpisana informacja kry w takt impulsów zegarowych. To rozwizanie
jest stosowane jako pami  dynamiczna o znacznej pojemnoci.

7.5. Liczniki
Licznikiem nazywa si zespó przerzutników, o od-
powiednich poczeniach mi dzy nimi, przeznaczony do WL
zliczania iloci impulsów wprowadzonych na jego wej- A B C D
cie liczce. Na rys. 7.19 pokazano schemat blokowy
licznika zoonego z czterech przerzutników, których zerowanie
wyjcia s jednoczenie wyjciami licznika. Kady licz-
nik ma wejcie liczce, oznaczone na rysunku WL, a Rys. 7.19. Budowa licznika
ponadto moe mie dodatkowe wejcia np. kasujce
(zerujce) wszystkie przerzutniki lub ustawiajce je w okrelony stan i in.
162

W licznikach stosowane s róne kody zliczania (por. tabl. 4.1), najprostszy kod to
tzw. binarny naturalny, w którym przerzutnik A zmienia swój stan po kadym impulsie
wejciowym, przerzutnik B po kadych dwu impulsach, przerzutnik C po kadych czterech
a przerzutnik D po kadych omiu impulsach.
Traktujc sygnay wyjciowe przerzutników A, B, C, D jako sygna czterobitowy (so-
wo binarne) i rozpoczynajc od stanu wyzerowania wszystkich przerzutników czyli od
stanu 0000, otrzymuje si po kolejnych impulsach wartoci: 1000; 0100; 1100; 0010; 1010
itd. Po stanie 1111 wystpi stan 0000 i licznik b dzie dziaa dalej tak samo. Interpretujc
te wartoci jako liczby zapisane w kodzie binarnym okrela si bit A jako najmniej znacz-
cy (LSB  Lowest Significant Bit), a bit D jako najwi cej znaczcy (MSB  Most Signifi-
cant Bit). Przeliczenie na system dziesi tny wykonuje si wg zalenoci:
L = A + 2B + 4C + 8D
obliczajc liczb L, która jest dziesi tnym odpowiednikiem liczby binarnej DCBA. Najmniej-
sza warto liczby L wynosi 0 a najwi ksza warto L dla licznika czterobitowego jest 15.
Liczniki mona budowa z dowolnej liczby przerzutników, albo korzysta z typowych liczni-
ków, np. czteroprzerzutnikowych w taki sposób, aby sygna z wyjcia MSB pierwszego licz-
nika wprowadza do wejcia liczcego drugiego licznika itd. Dla licznika zoonego z liczby
n przerzutników (licznika n-bitowego) najwi ksza warto L wynosi 2n  1, np. dwa liczniki
czterobitowe pozwalaj zlicza 256 impulsów (stan licznika od 0 do 255).
Stosowane s te liczniki zliczajce w kodzie BCD, tzw. liczniki dekadowe. W tych
licznikach nast puje wykrycie stanu 1001 (odpowiadajcego liczbie 9) przez jego ukad
wewn trzny i wyzerowanie licznika, czyli przejcie do stanu 0000, po nast pnym impulsie
wejciowym. W ten sposób licznik wraca do stanu pocztkowego po zliczeniu dziesi ciu
impulsów, co uatwia przetwarzanie stanu licznika do postaci czytelnej dla uytkownika.
Dla ukadów wykorzystywanych przy odliczaniu czasu stosowane s liczniki zliczaj-
ce w kodzie szóstkowym lub dwunastkowym dla atwiejszego dostosowania do obowizu-
jcego systemu pomiaru czasu  sekundy, minuty, godziny. W tych licznikach stosuje si ,
podobnie jak w liczniku dekadowym, ukady wewn trzne wykrywajce odpowiedni liczb
i zerujce licznik.
W ukadach automatyki znajduj zastosowanie liczniki nawrotne (rewersyjne) zdolne
do dodawania lub odejmowania kolejnego impulsu. W tych licznikach albo wyst puj dwa
wejcia liczce, jak pokazano na rys. 7.20, albo jedno wejcie liczce i jedno wejcie okre-
lajce kierunek zliczania. Zliczane impulsy, wprowadzane do wejcia WL+ powoduj
wzrost liczby pami tanej w liczniku, takie same impulsy doprowadzane do wejcia WL
powoduj zmniejszanie tej liczby. Kady zliczany impuls zwi ksza lub zmniejsza stan licz-
nika o jeden. Takie liczniki s stosowane np. do pomiaru
wspóbienoci dwu waów zaopatrzonych w impulsato-
WL+
ry. W liczniku z jednym wejciem liczcym kolejne im-
WL- A B C D
pulsy s dodawane do stanu licznika jeeli na wejciu
kierunku zliczania jest utrzymywany sygna 1, albo
zerowanie
odejmowane, jeeli na wejcie kierunku zliczania poda
Rys. 7.20. Licznik nawrotny si 0.
 163

Liczniki programowalne pozwalaj na wpisanie do nich dowolnej liczby (oczywicie

z przedziau obejmowanego tym licznikiem), a impulsy zliczane s odejmowane od wpisa-
nej liczby. Wpisywanie zadanej liczby odbywa si równolegle albo, w licznikach o duej
liczbie przerzutników, liczba jest wpisywana w kilku kolejnych etapach, w kadym etapie
do okrelonej cz ci przerzutników licznika.
Schemat blokowy licznika pokazano na rys. 7.21. "0"
Licznik jest zaopatrzony w wewn trzny ukad wykry-
wania stanu zero (detektor zera) i wyjcie z tego uka- Detektor zera
du. Takie liczniki s stosowane na przykad do odli-
WL -
czania potrzebnej zwoki (opó nienia czasowego). A B C D
Wprowadzajc do licznika liczb np. 9 i doprowadza-
jc do wejcia WL impulsy z generatora o cz stotli- a b c d
woci np. 1 Hz (okres powtarzania 1 s), otrzymuje si
sygna zera w liczniku po dziewi ciu sekundach. Rys. 7.21. Licznik programowalny

7.6. Mikroprocesor
Mikroprocesor (PP) jest ukadem scalonym przeznaczonym do przetwarzania sygna-
ów cyfrowych wg zadanego programu. Ze wzgl du na zaoon uniwersalno i znaczny
stopie trudnoci nakadanych zada, mikroprocesor ma do skomplikowan budow
wewn trzn, jak i rozbudowany system komunikacji z elementami wspópracujcymi. O
stopniu zoonoci zada mona si przekona analizujc dziaanie komputera osobistego
(PC), którym wanie steruje mikroprocesor. W budowie wewn trznej ukadu scalonego
mikroprocesora uywa si do miliona tranzystorów, z odpowiednimi poczeniami, co zaj-
muje stosunkowo znaczn powierzchni na pytce krzemowej  okoo 1 cm2. Produkowa-
nych jest kilkadziesit typów rónych mikroprocesorów, w niniejszym punkcie przedstawia
si tylko waniejsze waciwoci, wspólne dla wi kszoci odmian mikroprocesorów.
Efektywne dziaanie mikroprocesora jest moliwe we wspópracy z innymi elementa-
mi, tworzcymi razem system mikroprocesorowy czyli mikrokomputer. Takimi elementami
s: pami  programu (ROM  Read Only Memory), pami  danych (RAM  Random Ac-
ces Memory), urzdzenia wejcia i wyjcia czce mikroprocesor z operatorem lub stero-
wanym obiektem technicznym (I/O  Input, Output) oraz elementy pomocnicze jak zasila-
cze i zegar (generator impulsów), synchronizujcy prac caego mikrokomputera. Systemy
mikroprocesorowe s z reguy elastyczne, to znaczy mog by powi kszane o dalsze, po-
trzebne podzespoy, bez naruszania podstawowej struktury systemu.
Moliwoci funkcjonalne mikroprocesora przedstawia jego lista rozkazów, wykaz
wielobitowych (8, 16, lub 32 bity) sygnaów, które wprowadzone do mikroprocesora po-
woduj jego okrelone dziaanie. Ilo rónych rozkazów wynosi od ok. 30 do ok. 150 w
rónych mikroprocesorach. Rozkazy dotycz rónych czynnoci, które mona podzieli na
nast pujce grupy:
 arytmetyczne (dodaj, odejmij, dodaj 1 itp.),
 logiczne (zaneguj, porównaj i in.),
164

 przesyu (przelij z pami ci do rejestru, z rejestru do wyjcia i in.),

 skoku (skocz z wykonywanego programu do innego programu),
 przerwa (przerwij wykonywany program i wykonuj inny program),
 stanu procesora (zatrzymaj dziaanie, wyzeruj wszystkie rejestry i in.).
Na rys. 7.22 pokazano uproszczony schemat blokowy budowy mikroprocesora, na
schemacie nie oznaczono wszystkich pocze, aby go nadmiernie nie komplikowa.
Gównymi podzespoami mikroprocesora s:
 jednostka arytmetyczno-logiczna,
 rejestry, o przeznaczeniu okrelonym jak i ogólnym,
 licznik rozkazów,
 dekoder rozkazów,
 ukad sterowania wewn trznego i zewn trznego,
 system przerwa.
Przesy informacji, zarówno wewntrz procesora, jak i mi dzy procesorem a innymi
elementami, odbywa si przez tzw. szyny, inaczej zwane magistralami (bus). Sama magi-
strala jest zespoem równolegle biegncych przewodów (8, 16 lub 32 przewody), do któ-
rych poczone s wielobitowe wejcia i/lub wyjcia rónych podzespoów. Budowa tych
podzespoów musi by taka, aby pomimo zwarcia elektrycznego pomi dzy wyjciami ró-
nych podzespoów oraz ich wejciami, nie powodowao to kolizji w ich pracy. Taki sposób
dziaania osiga si to przez uaktywnianie (wprowadzanie w stan pracy) tylko okrelonego
podzespou waciwym sygnaem sterujcym, kierowanym do tego podzespou w odpo-
wiednim momencie.

DANE WEWN TRZNE BUFOR DANE

ZEGAR
ZASILANIE
LICZNIK REJESTR 1
DEKODER ROZKAZÓW ALU
ROZKAZÓW
REJESTR N

SYSTEM STEROWANIE
WEWN TRZNE ADRESY WEWN TRZNE ADRESY
BUFOR
PRZERW.
ZEWN TRZNE

Rys. 7.22. Mikroprocesor

W niektórych przypadkach kierunek przesyu informacji przez magistral jest ustalo-

ny, np. tylko mikroprocesor wysya adresy na szyn adresow i wówczas wystarcza uak-
tywnienie tylko jednego z podzespoów jako odbiorcy tego adresu. W innych przypadkach,
np. przy przesyle danych, kierunek przepywu sygnaów jest róny, albo mikroprocesor
otrzymuje dane z innego podzespou albo mikroprocesor wysya tam wynik swoich obli-
cze. W takim przypadku, oprócz uaktywnienia odpowiednich podzespoów, konieczne jest
 165

jeszcze wysterowanie jednego z nich jako róda sygnau (poczenie jego wyj z szyn), a
drugiego jako odbiornika tego sygnau (poczenia jego wej z szyn). Organizacj przesyu
informacji realizuje ukad sterowania wysyajcy waciwe sygnay przez szyn sterujc.
Dziaanie mikroprocesora polega na pobraniu rozkazu, a nast pnie na wykonaniu go i
przygotowaniu si do pobierania nast pnego rozkazu. Cig rozkazów, czyli program dzia-
ania, jest utrwalony w pami ci programu, w jej kolejnych komórkach. Aby pobra rozkaz
mikroprocesor wysya, przez poredniczcy rejestr zwany buforem, adres komórki zawiera-
jcej pierwszy rozkaz. Adres ma posta zespou zer i jedynek, wyraajcy umown liczb
przyporzdkowan okrelonej pami ci (lub urzdzeniu wejcia czy wyjcia) oraz okrelo-
nej komórce w tej pami ci. W odpowiedzi pami  przekazuje zawarto swojej wywoanej
komórki do szyn danych, poprzez które ten wielobitowy sygna trafia do mikroprocesora,
gdzie zostaje zapisany w buforze i przekazany do dekodera rozkazu w mikroprocesorze.
Oczywicie tym operacjom musz towarzyszy odpowiednie sygnay sterujce.
Rozkaz moe zawiera, oprócz cz ci operacyjnej, np. "dodaj", zapisanej w postaci
odpowiedniego cigu zer i jedynek, take adresy dalszych komórek pami ci, np. przecho-
wujcych skadniki, które maj by dodane oraz adres, pod którym ma by ulokowany wy-
nik dodawania. Takie informacje zostaj czasowo przechowywane w rejestrach wewn trz-
nych mikroprocesora.
Dekoder przetwarza otrzymany rozkaz, organizujc w ten sposób dalsze niezb dne
czynnoci. Moe to polega np. na przesaniu, pami tanego chwilowo w jednym z reje-
strów, adresu skadnika dodawania na szyny adresowe i przeniesieniu wartoci tego skad-
nika z szyn danych do innego, wewn trznego rejestru. Dalsze dziaania b d polegay na
sprowadzeniu drugiego skadnika, przekazaniu skadników dodawania do ALU, ustawieniu
ALU w tryb dodawania i wysaniu wyniku dodawania, poprzez szyny danych, do odpo-
wiedniej komórki pami ci danych.
Wykonywanie tych wszystkich dziaa odbywa si w takt impulsów zegarowych, któ-
rych cz stotliwo (od kilkunastu do kilkuset MHz) okrela szybko dziaania mikropro-
cesora. Wykonanie pojedynczej operacji, jak przesy zawartoci jednego rejestru do dru-
giego, nazywa si cyklem maszynowym i zajmuje zwykle kilka taktów zegarowych, wyko-
nanie caego rozkazu, to cykl rozkazowy, trwajcy kilka cykli maszynowych. W rezultacie
wykonanie jednego rozkazu moe trwa od uamka do kilku mikrosekund.
Po wykonaniu wszystkich operacji zwizanych z odebranym rozkazem naley przy-
gotowa adres komórki pami ci programu zawierajcej nast pny rozkaz. Do tego suy
licznik rozkazów, którego zawarto wzrasta o jeden po wykonaniu kadego rozkazu i
jest przekazywana na szyny adresowe jako adres kolejnego rozkazu. Ten sposób narzuca
umieszczanie kolejnych rozkazów programu w komórkach pami ci o kolejnych, rosn-
cych wartociach adresów.
Dla uelastycznienia moliwoci pracy w mikroprocesorach istnieje moliwo doko-
nywania tzw. skoków (jump) programowych. Ukad sterowania, po otrzymaniu odpowied-
niego, kolejnego rozkazu z programu podstawowego, powoduje przesanie na szyny adre-
sowe, zamiast zawartoci licznika rozkazów, zawarto rejestru wewn trznego. Uprzednio
w tym rejestrze musi zosta zapisany adres, pod którym znajduje si rozkaz do wykonania,
zamiast kolejnego rozkazu z podstawowego programu. Oczywicie przejcie do tego
166

innego, nie kolejnego, rozkazu jest pocztkiem wykonywania tzw. podprogramu, np.
cigu dziaa, które naley cz sto powtarza przy wykonywaniu gównego programu.
Ostatnim rozkazem podprogramu b dzie znowu skok, tym razem do gównego progra-
mu, tj. odtworzenie adresu, przy którym zosta wykonany skok do podprogramu. Dzi ki
temu, po wykonaniu przez mikroprocesor podprogramu, nast puje powrót do wykony-
wania podstawowego programu.
Podobne nieco dziaanie nast puje przy tzw. przerwaniu (interrupt). System przerwa
umoliwia porzucenie gównego programu w dowolnym momencie i przejcie do wyko-
nywania innego, okrelonego podprogramu. W mikroprocesorowych ukadach sterowania
ma to zastosowanie np. w sytuacjach awaryjnych, powodujcych wysanie sygnau prze-
rwania do procesora. W takiej sytuacji mikroprocesor musi przerwa podstawowe dziaanie
jako regulator i rozpocz wykonywanie podprogramu likwidacji awarii. Nieprzewidziane
uprzednio, w gównym programie, przejcie do podprogramu, wymaga zapami tania aktu-
alnie wykonywanego rozkazu z programu gównego cznie z wartociami danych, zawar-
tych w tej chwili w wewn trznych rejestrach mikroprocesora. Do tego celu suy tzw. stos,
zespó dodatkowych rejestrów, lub wyodr bniony obszar w pami ci danych, do którego
zostaj przeniesione dane aktualnie znajdujce si w mikroprocesorze tak, aby po zako-
czeniu realizacji podprogramu wywoanego przerwaniem, by moliwy powrót i kontynu-
acja programu gównego. Zwykle procesor moe przyjmowa kilka do kilkudziesi ciu sy-
gnaów przerwa, o ustalonych priorytetach wanoci, aby reagowa na przewidziane
przez projektantów sytuacje wyst pujce w nieprzewidywalnych momentach.
Dobór typu mikroprocesora oraz zestawianie elementów wspópracujcych dla kon-
kretnego zadania technicznego, a szczególnie ukadanie programu gównego i podprogra-
mów stanowi zadanie dla specjalistów informatyków i znacznie wykraczaj poza zakres
niniejszego skryptu.

7.7. Przetworniki c/a i a/c

Przy stosowaniu techniki cyfrowej w automatyce cz sto wyst puje konieczno ko-
rzystania z przetworników pomiarowych dostarczajcych elektrycznych sygnaów analo-
gowych, bd wytwarzania sygnau sterujcego w postaci analogowej.
Poniewa wszystkie operacje w systemach mikroprocesorowych przeprowadza si na
sygnaach cyfrowych (inaczej moe by w tzw. mikroprocesorach sygnaowych), to jest
konieczne przetwarzanie sygnau analogowego na cyfrowy lub odwrotnie. Ukady elektro-
niczne uywane w tym celu nazywa si przetwornikami analogowo-cyfrowymi czy cyfro-
wo-analogowymi, oznaczajc je w skrócie a/c i c/a.
Na rys. 7.23 pokazano uproszczony schemat jednego z rozwiza przetworników c/a.
Przetwornik zawiera ródo napi cia wzorcowego Uwz, zoony dzielnik rezystancyjny,
zwany drabink R  2R, podzespó cyfrowy, pokazany na rysunku jako blok zawierajcy
przeczniki i wzmacniacz operacyjny obj ty ujemnym sprz eniem zwrotnym przez rezy-
stor R1.
 167

16 I R R R R

2R 2R 2R 2R R
8I 4I 2I I R1
I
Uwz.
P3 P2 P1 P0
0 1 0 1 0 1 0 1 I1
-
U=0
+ wy Uo
we cyfrowe analogowe

Rys. 7.23. Przetwornik c/a z drabink R2R

Prd pobierany ze róda napi cia wzorcowego wpywa do dzielnika rezystorowego,

wykonanego z rezystorów o wartociach rezystancji R lub, dwukrotnie wi kszej, 2R. W
dzielniku nast puje podzia tego prdu w proporcjach 1:2:4:8, jak opisano na rysunku (ana-
lityczne uzasadnienie takiego podziau prdu nie jest trywialnie proste). Warto elemen-
tarnego prdu I wynosi w tym przypadku:
U wz
I (7.1)
16R
Podzespó cyfrowy stanowi ukady przeczajce, podobne w swej budowie we-
wn trznej do funktorów ECL, których zadaniem jest kierowanie prdu wpywajcego do
przecznika tak, aby wypyn on jednym z dwu wyj, stosownie do binarnego sygnau
wejciowego. Przy sygnale wejciowym przecznika równym "0", prd jest kierowany do
masy elektrycznej caego przetwornika i nie wpywa na dalsze jego dziaanie, przy sygnale
"1" prd jest kierowany do wejcia odwracajcego wzmacniacza.
Poniewa do wejcia wzmacniacza mog by kierowane prdy z wszystkich przecz-
ników, to nast puje tam ich sumowanie. Warto prdu pyncego w kierunku wejcia
wzmacniacza wynosi:
I1 = P0I + P12I + P24I +P38I = P I (7.2)
Wielkociami P0 do P3 oznaczono stany przeczników, gdy i-ty przecznik jest w
pozycji 0 ("na lewo") warto Pi wynosi 0, gdy jest w pozycji 1 warto Pi wynosi 1. Po-
niewa pooenie przecznika zaley od cyfrowego sygnau wejciowego, to wielkoci Pi
mona te traktowa jako poszczególne bity cztero-bitowego sygnau wejciowego. Wiel-
ko P okrelona zalenoci:
P = P0 +2P1 +4P2 + 8P3 (7.3)
przedstawia dziesi tny zapis wartoci czterobitowego sygnau wejciowego. Zalenie od
tego sygnau, prd doprowadzany do wejcia wzmacniacza moe zmienia si skokowo od
wartoci 0 do wartoci 15 I..
Zapisujc równanie napi  dla wzmacniacza otrzymuje si :
168

R1
Uo  I1R 1  U wz P (7.4)
16R
co oznacza, e napi cie wyjciowe wzmacniacza,
Uo b dce jednoczenie wyjciowym sygnaem analo-
gowym przetwornika, jest wprost proporcjonalne do
liczbowej wartoci cyfrowego sygnau wejciowego.
W przedstawionym ukadzie wyjciowy sygna ana-
logowy przetwornika przyjmuje jedn z 16 wartoci,
odpowiednio do 16 wartoci cyfrowego sygnau wej-
ciowego. Na rys. 7.24 pokazano charakterystyk
przetwornika, charakterystyka jest nieciga, ponie-
0 2 4 8 12 15 P wa w tym przypadku wejciowy sygna cyfrowy
reprezentuje tylko liczby cakowite od 0 do 15.
Rys. 7.24. Charakterystyka przet-
wornika cyfrowo-analogowego W ukadach praktycznych stosowane s prze-
tworniki c/a co najmniej 8 bitowe, wytwarzajce 256
poziomów napi cia, a w miar potrzeb take 10, 12 i
16 bitowe. Charakterystyki takich przetworników, dzi ki zwi kszeniu iloci punktów, staj
si podobne do linii prostej. W budowie przetworników c/a wykorzystuje si przedstawio-
n powyej drabink R  2R, ale take i inne koncepcje.

START
zerowanie
Generator Bramka WL
Impulsów LICZNIK
AND

Wyjcie
STOP cyfrowe

Wejcie
KOMPARATOR C/A
analogowe A

Rys. 7.25. Przetwornik analogowo-cyfrowy

Przetwarzanie odwrotne, to znaczy sygnau analogowego w cyfrowy, jest zwykle bar-

dziej zoone, anieli przetwarzanie c/a. Szeroko znanymi przetwornikami a/c s np. wol-
tomierze cyfrowe, o znacznym stopniu komplikacji budowy. Poniej przedstawia si jedn
z prostszych koncepcji przetwornika a/c, z wykorzystaniem przetwornika c/a.
Na rys. 7.25 pokazano schemat blokowy przetwornika a/c, zawierajcego przetwornik
c/a, komparator sygnaów analogowych, generator impulsów, bramk i licznik (który moe
by zastpiony odpowiednim rejestrem). Przetwarzanie odbywa si przez pewien czas,
dlatego proces przetwarzania musi by inicjowany sygnaem "START" (SOC  Start of
 169

Conversion), a zakoczenie procesu przetwarzania przetwornik kwituje sygnaem "STOP"

(EOC  End of Conversion).
Przetwarzany sygna analogowy A doprowadzany jest do jednego z wej kompartora,
do drugiego wejcia doprowadzany jest sygna analogowy z przetwornika c/a. Jeeli war-
to napi cia sygnau wejciowego A jest wi ksza od wartoci napi cia z przetwornika c/a,
to binarny sygna wyjciowy komparatora ma warto 1, jeeli jest odwrotnie to na wyjciu
komparatora wyst puje 0.
Zewn trzny sygna "START", inicjujcy przetwarzanie, zeruje licznik. Na wejciu
przetwornika c/a pojawiaj si wi c same zera, co powoduje, e sygna wyjciowy z tego
przetwornika przyjmuje te warto zero. Jeeli wejciowy sygna analogowy A ma war-
to wi ksz od zera, to komparator wytworzy sygna 1, otwierajcy bramk pomi dzy
generatorem a wejciem liczcym licznika. Ju pierwszy impuls zliczony przez licznik
zwi kszy jego stan, a zatem do przetwornika c/a zostanie przekazany sygna cyfrowy o
wartoci odpowiadajcej liczbie jeden. Po przetworzeniu na posta analogow przetwornik
c/a doprowadzi teraz do komparatora napi cie, o wartoci odpowiadajcej pierwszemu
schodkowi jego charakterystyki (najmniejszy, niezerowy sygna wyjciowy przetwornika
c/a). Jeeli to napi cie nadal b dzie mniejsze od sygnau A, to bramka pozostanie otwarta i
licznik zliczy drugi z kolei impuls.
Takie cykle b d si powtarza a do momentu, kiedy sygna wyjciowy przetwornika
c/a stanie si wi kszy od sygnau A. Wtedy komparator zmieni swój stan, przekae sygna
0 do bramki, zamykajc w ten sposób drog impulsom do licznika. Zmiana stanu kompara-
tora z 1 na 0 stanowi sygna "STOP", informujcy o tym, e w liczniku zostaa ju zapisana
taka liczba, która przetworzona na posta analogow, jest nieco wi ksza od sygnau A, i
moe by traktowana jako jego oszacowanie, oczywicie z pewnym b dem. Stan licznika
po sygnale "STOP" traktuje si wi c jako cyfrow warto analogowego sygnau A i jest
on sygnaem wyjciowym przetwornika a/c.
Przetworniki a/c buduje si na podstawie rónych koncepcji, poszukujc rozwiza
moliwie dokadnych, aczkolwiek sama zasada kwantowania sygnau cigego zawiera w
sobie ide zaokrgle, oraz rozwiza moliwie szybko realizujcych pojedynczy cykl
przetwarzania analogowo-cyfrowego.
8. ZASILACZE

Urzdzenia elektroniczne z reguy wymagaj zasilania napi ciami staymi. Niewielka

cz  urzdze, wykonanych jako przenone (kalkulatory, zegarki) jest zasilana z baterii
chemicznych, urzdzenia przewo ne (radia, odtwarzacze) s zasilane z akumulatorów oo-
wiowych pojazdu, ale znaczna wi kszo urzdze elektronicznych jest wykonywana jako
stacjonarne i jest zasilana z sieci elektroenergetycznej za porednictwem zasilaczy. Gów-
nym zadaniem zasilaczy jest przetworzenie napi cia przemiennego (220 V, 50 Hz) na na-
pi cie stae, o wymaganej wartoci, zazwyczaj jest to kilka czy kilkanacie woltów.

8.1. Struktury zasilaczy

Zasilacze wykonywane s na podstawie dwóch rónych struktur. Starsze rozwizanie,
stosowane obecnie do ukadów o mniejszej mocy, zwykle poniej 25 W, pokazano na rys.
8.1. Podstawowymi podzespoami tego zasilacza s: transformator sieciowy, prostownik,
filtr wygadzajcy napi cie i niekiedy stabilizator napi cia staego.

U=
1 2 3 4

Rys. 8.1. Struktura zasilacza: 1  transformator, 2  prostownik, 3  filtr, 4  stabilizator

Zadaniem transformatora jest dostosowanie napi cia sieci do potrzeb zasilanego uka-
du i, niekiedy konieczne, odseparowanie galwaniczne ukadu od sieci prdu przemiennego.
Prostownik przetwarza prd przemienny na prd jednokierunkowy, nie gwarantujc stao-
ci napi cia rozumianej jako warto staa w czasie. Popraw ksztatu napi cia, w sensie
zblienia przebiegu napi cia za prostownikiem do linii prostej, powoduj filtry wygadza-
jce (filtry prostownikowe nie s identyczne z filtrami liniowymi, rozwaanymi w elektro-
technice teoretycznej, gdzie zakada si , e napi cie wprowadzane do filtru zaley wycz-
nie od róda). W niektórych przypadkach, gdzie niedoskonao filtracji albo niestao
napi cia sieci elektroenergetycznej przeszkadzaj w normalnej pracy zasilanego ukadu
stosuje si stabilizatory, utrzymujce sta warto napi cia z du dokadnoci.
Podstawowym niedostatkiem takich zasilaczy s due gabaryty i masa transformatora
sieciowego, a take niewielka sprawno stabilizatorów o dziaaniu cigym. Te czynniki za-
decydoway o rozwoju drugiej struktury zasilaczy, zwanej impulsow, pokazanej na rys. 8.2.
Podstawowymi podzespoami zasilacza impulsowego s: prostownik sieciowy, filtr
wst pnie wygadzajcy napi cie, przetwornica zwykle zawierajca transformator, prostow-
nik prdu podwyszonej cz stotliwoci i filtr kocowy, a take cz sto impulsowa stabiliza-
cja napi cia staego.
 171

1 2 3 4 5

Rys. 8.2. Zasilacz impulsowy: 1  prostownik, 2  filtr wst pny, 3  przetwornica, 4  prostownik
wyszej cz stotliwoci, 5  filtr kocowy, 6  obwody stabilizacji napi cia

Prostownik, wraz z filtrem wst pnym, przetwarzaj napi cie sieciowe na napi cie sta-
e o wartoci okoo 300 V. Takie napi cie zasila przetwornic , czyli odmian generatora
impulsowego, o duej sprawnoci, która wytwarza napi cie w postaci cigu impulsów pro-
stoktnych. Cz stotliwo pracy tego generatora obiera si zwykle powyej 20 kHz, aby
uczyni niesyszalnym szum wytwarzany w elementach przetwornicy. Napi cie impulsowe
doprowadza si do transformatora dla przetworzenia na dogodn warto. Masa i gabaryty
tego transformatora mog by wydatnie zminiaturyzowane, dzi ki pracy z podwyszon
cz stotliwoci, co jednak zwi ksza wymagania jakociowe na materiay magnetyczne.
Po stronie wtórnej transformatora nast puje prostowanie i ostateczna filtracja, elemen-
ty filtrujce te mog by zminiaturyzowane dzi ki pracy z podwyszon cz stotliwoci.
W przypadkach koniecznych stosuje si ukady stabilizacji napi cia. S to stabilizatory
konwencjonalne, o dziaaniu cigym, ale cz ciej wprowadza si dodatkowe obwody, pra-
cujce impulsowo i dziaajce na przetwornic dla skorygowania niepodanych zmian
napi cia wyjciowego.

8.2. Prostowniki
W zasilaczach najcz ciej stosowane s trzy ukady prostowników, których dziaanie
przedstawia si w dalszych punktach.
Dla uproszczenia analizy prostowników przyjmuje si , e diody prostownicze s ide-
alne, to znaczy, e w kierunku przewodzenia przepyw prdu nast puje bez spadku napi -
cia, a w kierunku wstecznym nie wyst puje aden prd, ponadto w dziaaniu diod nie ma
adnych opó nie. Zaoenie idealnoci to inaczej przyj cie, e diody zachowuj si jak
idealne czniki zamykajce lub otwierajce obwody elektryczne.
Chwile przecze wyznaczane s przez przebiegi przeksztacanych prdów i napi .
Przyj te uproszczenie jest powszechnie stosowane w energoelektronice przy analizie prze-
ksztatników i jest ono dopuszczalne w przeci tnych warunkach ich pracy, jednake naley
o nim pami ta, aby nie stosowa pochopnie wniosków z przedstawionych rozwaa do
warunków znacznie odbiegajcych od przeci tnych, w sensie bardzo wielkich lub bardzo
maych wartoci prdów, napi  czy cz stotliwoci.
Prostowniki zasilane s napi ciem przemiennym, sinusoidalnym i dostarczaj do ob-
cienia prd jednokierunkowy. Prostownik jest dla sieci prdu przemiennego obcieniem
nieliniowym to znaczy, e ksztat prdu pobieranego przez prostownik z sieci cz sto nie
jest sinusoidalny, pomimo sinusoidalnoci napi cia zasilajcego ten prostownik. Podobnie
172

napi cie doprowadzane do obcienia prostownika te nie jest napi ciem staym, tj. nie jest
wartoci sta w czasie.

8.2.1. Prostownik jednopulsowy

Schemat najprostszego ukadu prostownikowego pokazano na rys. 8.3.
Dziaanie ukadu rozpatruje si zakadajc, e transformator i dioda s idealne, a ob-
cieniem prostownika jest tylko rezystor R. ródo napi cia przemiennego U1 przedstawia
sie zasilajc prostownik, napi cie tego róda
UR
wynosi:

i1 id
u1 ( t ) U m1 sin (Zt ) (8.1)
D
Transformator sieciowy Tr, o przekadni -,
U1 U2 R
U doprowadza napi cie U2 do obwodu z diod,
d
przebieg tego napi cia te jest sinusoidalny:
U m1
u 2 (t) U m 2 sin (Zt ) ; U m2 (8.2)
-
Rys. 8.3. Prostownik jednopulsowy
Uwzgl dniajc jednokierunkowe przewodze-
nie prdu przez diod atwo dostrzec, e tylko w
jednym póokresie napi cia przemiennego, kiedy jego wartoci chwilowe s dodatnie  zgod-
ne z kierunkiem strzaki na rysunku  moe przepywa prd przez diod i rezystor. W tym
póokresie napi cie wyprostowane ud, wyst pujce na rezystorze, jest równe napi ciu u2 (dio-
da idealna  zerowy spadek napi cia przy przepywie prdu). Formalnie zapisuje si to:
u d (t) u 2 (t) dla 0  Zt  S (8.3)
zatem prd wynosi:
U m2
i d (t) sin(Zt ) dla 0  Zt  S (8.4)
R
W drugim póokresie prd nie przepywa, a cae napi cie zasilania wyst puje na dio-
dzie, polaryzujc j wstecznie. Dla tego póokresu zapisuje si
u d (t) 0, i d ( t ) 0 dla S  Zt  2 S (8.5)
natomiast napi cie wsteczne diody wynosi:
u R (t) U m 2 sin(Zt ) dla S  Zt  2S (8.6)
W kolejnym dodatnim póokresie powtarza si sytuacja z pierwszego póokresu itd.
dziaanie ukadu jest okresowe, z cz stotliwoci sieci zasilajcej.
Przebiegi prdu i napi  pokazano na rys. 8.4. Poniewa, w czasie jednego okresu na-
pi cia zasilajcego, tylko jeden raz obcienie jest poczone z tym napi ciem (przez po-
ow okresu), dlatego taki prostownik nazywa si jednopulsowym.
Napi cie wyprostowane (i prd take) róni si znacznie od idealnego napi cia stae-
go. Rozkadajc je w szereg Fouriera mona znale , obok skadowej staej (idealnego na-
 173

pi cia staego), take nieskoczenie wiele wyszych harmonicznych powstaych w procesie

prostowania i "psujcych" jego skutek.

u d , id
id
ud
S 2S Zt
uR
Zt

u1, i1
u1
i1 S 2S
Zt
i1

Rys. 8.4. Prdy i napi cia w prostowniku jednopulsowym

Dla celów technicznych wane jest okrelenie wartoci skadowej staej napi cia wy-
prostowanego albo inaczej, wartoci redniej tego napi cia. W rozpatrywanym przypadku
wynosi ona:
S
1 U m2
2S ³0
U d ( AV) U m 2 sin Zt dZt (8.7)
S

Oczywicie rozwaania na temat napi cia dotycz te prdu wyprostowanego, którego
ksztat jest, w tym przypadku, taki sam jak napi cia. Warto rednia prdu wyprostowane-
go wynosi:
U m2
I d ( AV) (8.8)
SR
Warto mocy skadowych staych (tylko w pewnych warunkach jest to te moc czynna wy-
dzielana w obcieniu) okrela si jako iloczyn wartoci rednich prdu i napi cia w obcieniu:

U 2 m2 (8.9)
Pd I d ( AV) U d ( AV)
S2R
Obcienie transformatora oblicza si , wyznaczajc moce pozorne uzwoje. Warto
skuteczn prdu wyprostowanego, o ksztacie pósinusoidy, pyncego przez uzwojenie
wtórne oblicza si wedug definicji, otrzymujc:
S
1 U 2m 2 U m2
I d ( RMS)
2S ³ R2
sin 2 Zt dZt
2R
(8.10)
0
174

zatem moc pozorna transformatora, obliczana dla uzwojenia wtórnego, wynosi:

U m2 U m2 U 2m 2
S2 (8.11)
2 2R 2 2R

Prd uzwojenia pierwotnego wyznacza si zakadajc, e wszystkie skadowe harmo-

niczne prdu (sinusoidalne, przemienne) s transformowane z uwzgl dnieniem przekadni, ale
skadowa staa prdu nie jest transformowana, czyli prd uzwojenia pierwotnego wynosi:
1
i1 ( t ) [i d ( t )  I d ( AV) ] (8.12)
-
Warto skuteczna tego prdu, obliczana z definicji, wynosi:

1 U m2 1 1
I1( RMS)  (8.13)
- R 4 S2

zatem moc pozorna obliczana dla uzwojenia pierwotnego wynosi:

U m2 1 U m2 1 1
S1 -  (8.14)
R - R 4 S2

Dla ilustracji obliczmy wielkoci elektryczne w prostowniku zbudowanym wg schematu

rys. 8.3 z transformatorem o przekadni 10, zasilanym z sieci o napi ciu 220 V (warto sku-
teczna). Napi cie strony wtórnej b dzie 22 V, a jego amplituda Um2 b dzie wynosi okoo
31,1 V (1,41u22), warto skadowej staej napi cia wyprostowanego Ud(AV) b dzie okoo
9,9 V (31,1/3,14) i tak wanie warto wykae woltomierz napi cia staego przyczony
równolegle do obcienia R. Jeeli obcieniem b dzie rezystor 100 :, to skadowa staa pr-
du obcienia Id(AV), wskazywana przez miliamperomierz prdu staego, b dzie ok. 99 mA.
Iloczyn wskaza przyrzdów pomiarowych czyli moc skadowych staych b dzie 0,98 W.
Dioda prostownicza b dzie obciona prdem o wartoci redniej 99 mA, ale wartoci
maksymalne, chwilowe, pojawiajce si w kadym okresie napi cia zasilajcego b d wy-
nosi 311 mA (31,1/100) i takie wartoci maksymalne powinna dioda wytrzymywa. Dioda
powinna wytrzymywa napi cie wsteczne o wartoci 31,1 V.
Amperomierz wartoci skutecznej (np. elektromagnetyczny) w obwodzie prdu wy-
prostowanego wskae ok. 155 mA, a woltomierz wartoci skutecznej pokae napi cie
wtórne transformatora 22 V. Iloczyn tych wielkoci wyniesie 3,41 VA, co jest ok. 3,5 razy
wi cej anieli moc skadowych staych (0,98 W).
Amperomierz po stronie pierwotnej transformatora b dzie wskazywa ok. 12 mA (bez
uwzgl dnienia prdu magnesujcego), woltomierz 220 V, zatem moc pozorna doprowa-
dzana do transformatora wynosi ok. 2,64 VA, to jest ok. 2,7 razy wi cej anieli moc ska-
dowych staych.
Napi cie wyprostowane w rozpatrywanym ukadzie ma raczej kiepsk jako, trans-
formator wymaga okoo 3-krotnego przewymiarowania i dlatego ten ukad stosuje si wy-
jtkowo, do zasilania odbiorników o maych wymaganiach i maej mocy, dodajc jeszcze
elementy filtrujce.
 175

8.2.2. Prostowniki dwupulsowe

W praktyce cz ciej stosowane s ukady pokazane na rys. 8.5. Pierwszy z nich
wymaga koniecznie zastosowania transformatora, drugi moe by stosowany take bez
transformatora. Obydwa ukady dwukrotnie w cigu jednego okresu napi cia zasilajce-
go doprowadzaj do obcienia takie same fragmenty tego napi cia i dlatego nazywane
s dwupulsowymi.

a) UR b)
D1 D3 id
i1 i D1 i1
D1
1
U2 i2 U2
U1 U1 R ud
id
ud
U2 i D2
D2 D4
D2

Rys. 8.5. Prostowniki dwupulsowe

Dziaanie ukadu pokazanego na rys. 8.5a jest podobne do dziaania dwu ukadów jedno-
pulsowych, pracujcych z przesuni ciem o pó okresu napi cia zasilajcego. W dodatnim pó-
okresie przewodzi dioda D1, doprowadzajc napi cie z jednej poowy uzwojenia wtórnego do
obcienia. W drugim póokresie przewodzi dioda D2. Poniewa przez uzwojenia wtórne
transformatora przepywaj prdy w jednym kierunku, to ten ukad nazywa si jednokierunko-
wym.
Na rys. 8.6 pokazano przebiegi prdu i napi cia wyprostowanego w idealizowanym
ukadzie dwupulsowym, jednokierunkowym.

ud ,i d

id

ud
t

Rys. 8.6. Prd i napi cie wyprostowane w ukadzie dwupulsowym

Warto rednia napi cia wyprostowanego, podobnie jak warto rednia prdu, jest
dwa razy wi ksza anieli w ukadzie jednopulsowym, tj. wynosi
2U m 2 2U m 2
U d ( AV ) , I d ( AV ) (8.15)
S SR
gdzie: Um2  amplituda napi cia jednej poowy uzwojenia wtórnego.
176

Moc skadowych staych wynosi:

4U 2m 2
Pd (8.16)
S2R
Moc pozorn obydwu cz ci uzwojenia wtórnego podaje wzór:
§ U 1 U m2 · U 2m 2
S2 2 ¨¨ m 2 ¸¸ (8.17)
© 2 2 R ¹ 2R
Ta moc jest okoo 1,74 razy wi ksza od mocy skadowych staych.
Analizujc szczegóowo strumie magnetyczny, zwizany z prdami uzwoje wtórnych,
mona znale , e w rdzeniu nast puje wzajemna kompensacja, zarówno skadowych staych
strumienia, jak i wyszych harmonicznych zwizanych z niesinusoidalnymi prdami obydwu
cz ci uzwojenia wtórnego. Skutkiem tego jest, e prd uzwojenia pierwotnego zawiera wy-
cznie skadow podstawow, czyli jest sinusoidalny, o cz stotliwoci napi cia sieci zasilaj-
cej. Poniewa wartoci skuteczne napi cia i prdu uzwojenia pierwotnego wynosz:
-U m 2 1 U m2
U1 , I1 (8.18)
2 - 2R
to warto mocy pozornej uzwojenia pierwotnego jest:

U 2m 2
S1 (8.19)
2R
Ta warto jest okoo 1,23 razy wi ksza od mocy skadowych staych.
Ukad, pokazany na rys. 8.5b, zwany ukadem mostkowym, take dostarcza napi cia
wyprostowanego, dwupulsowego o ksztacie pokazanym na rys. 8.6. W ukadzie z obci-
eniem rezystancyjnym zawsze przewodz dwie diody. Jeeli w pierwszym póokresie prd
przepywa przez diod D1, obcienie i diod D4, to w drugim póokresie zamyka si ob-
wód: dioda D3, obcienie, dioda D2.
Wartoci rednie prdu i napi cia wyprostowanego opisuj wzory (8.15), moc ska-
dowych staych podaje wzór (8.16). Przy obcieniu rezystancyjnym prd zarówno uzwo-
jenia wtórnego, jak i pierwotnego, ma ksztat sinusoidalny a moc pozorna kadego z uzwo-
je wynosi (Um2)2/2R, czyli jest 1,23 razy wi ksza od mocy skadowych staych.
Ukady prostowników dwupulsowych s cz ciej stosowane, bo ksztat napi cia wy-
prostowanego jest lepszy, w sensie zblienia do idealnego napi cia staego, anieli w uka-
dzie jednopulsowym, a stopie przewymiarowania transformatora mniejszy. Niemniej
ksztat napi cia nie jest zadowalajcy i zwykle stosuje si róne rodki techniczne, aeby
ksztat przetwarzanego napi cia bardziej zbliy do idealnego napi cia staego.

8.2.3. Wygadzanie napi cia wyprostowanego

Dziaanie wygadzajce napi cie wyprostowane wykazuje kondensator przyczony
równolegle do obcienia. Nie jest to dziaanie cile filtrujce, ze wzgl du na to, e kon-
densator modyfikuje sposób pracy prostownika, aczkolwiek skutki takiego wygadzania
mona wyraa w poj ciach waciwych dla teorii filtrów.
 177

i1 iF
D1 iC iR
U2
U1 C Ud
R

U2 D2

Rys. 8.7. Prostownik z obcieniem RC

Wpyw kondensatora na dziaanie prostownika rozpatrzmy na przykadzie prostowni-

ka dwupulsowego, schemat pokazano na rys. 8.7. Dla uproszczenia rozwaa przyjmuje
si , e zaczenie napi cia zasilajcego nast puje w momencie przejcia sinusoidy tego
napi cia przez o odci tych, a kondensator nie by naadowany. Odpowiednia dioda, np.
D1, rozpoczynajc przewodzenie prdu, czy obcienie RC z poow uzwojenia wtórne-
go transformatora. Napi cie na rezystorze R oraz na kondensatorze C s jednakowe i równe
napi ciu z transformatora czyli:
u R ( t ) u C ( t ) U m 2 sin(Zt ) dla 0  Zt  Zt k (8.20)

(sens granicy tk jest wyjaniony poniej). Prdy pynce przez elementy obcienia oblicza
si jako:
uR du
iR , iC C C (8.21)
R dt
Prd diody iF, b dcy sum tych dwu prdów, wynosi wi c:
§ 1 · U m2
iF U m 2 ¨ ZC cos Zt  sin Zt ¸ tg 2 I  1 sin(Zt  I) (8.22)
© R ¹ R

gdzie: tgI = ZRC

Jak wynika z wzoru (8.22), prd diody ma te ksztat sinusoidalny, ale jest przesuni ty
fazowo o kt I wzgl dem sinusoidy napi cia i dlatego rozpoczyna si skokowo, jak poka-
zano na rys. 8.7. Ze wzoru (8.22) mona obliczy, e dodatni prd diody, który dla Zt = S
/2  I przyjmuje warto maksymaln, nast pnie maleje. W chwili tk prd przyjmuje war-
to zero, co oznacza, e dioda przestaje by w stanie przewodzenia i jej prd, przez pe-
wien czas b dzie wynosi zero. Moment zakoczenia przewodzenia diody wyznacza si ze
wzoru (8.22), rozwizujc równanie iF(Ztk) = 0
Ztk + I = S (8.23)
W momencie zakoczenia przepywu prdu przez diod (który to moment przypada
pomi dzy szczytem sinusoidy napi cia przy Zt = S/2, a przeci ciem tej sinusoidy z osi
przy Zt = S, zalenie od wartoci R i C) napi cie na kondensatorze wynosi:
UCk = Um2 sin I (8.24)
178

Od momentu tk nieprzewodzca dioda D1 przerywa poczenie mi dzy uzwojeniem

wtórnym transformatora a obcieniem, druga dioda pozostaje nadal w stanie nieprzewo-
dzenia. Dlatego po chwili tk nast puje rozadowanie kondensatora przez równolegy rezy-
stor, czyli napi cie na zespole RC maleje wg krzywej wykadniczej.

§ Zt  Zt k ·
u C ( Zt ) U Ck exp¨ ¸ (8.25)
© ZRC ¹

W tym etapie pracy prostownika prd pyncy przez obcienie tj. rezystor (i kondensa-
tor) te ma przebieg wykadniczy. W pewnym momencie kolejnego póokresu narastajce
napi cie zasilania zrówna si z malejcym napi ciem na kondensatorze, oznacza to zanik
wstecznej polaryzacji diody D2, która teraz moe poczy drugie uzwojenie wtórne trans-
formatora z obcieniem. Niestety wyznaczenie analityczne tego momentu, oznaczonego na
rys. 8.8 jako tp, jest niemoliwe, wiadomo tylko, e przypada on pomi dzy S a 1,5 S.
Od tego momentu napi cie na obcieniu ponownie staje si równe napi ciu zasilaj-
cemu, jak pokazano na rys. 8.8, a prdy ponownie przyjmuj przebieg sinusoidalny i cosi-
nusoidalny na czas mniejszy od poowy okresu napi cia zasilajcego.

uC

Zt
Zt
Ztk Zt p 2S

i
iF
iF
iC
iR
iR ZtZt
iC iC

Rys. 8.8. Prdy i napi cia w prostowniku z obcieniem RC

Jak wynika z rysunku, napi cie wyprostowane, acz nie jest idealne, to jest jednak bar-
dziej zblione do idealnego, anieli w przypadku braku kondensatora filtrujcego. Sku-
teczno wygadzania napi cia zaley od iloczynu ZRC = tgI, jeeli jest on znacznie wi k-
szy od jednoci, to zmniejszanie si napi cia na kondensatorze, a zatem i na obcieniu R,
w czasie kiedy diody nie przewodz, jest stosunkowo niewielkie. Warto rednia napi cia
wyprostowanego w tym przypadku jest bliska amplitudzie napi cia prostowanego.
Warto zauway, e prdy diod maj ksztat tylko fragmentów przebiegów sinuso-
idalnych, s wi c zblione bardziej do przebiegów impulsowych. Im bardziej wygadzone
 179

jest napi cie, tym czas przewodzenia diod jest krótszy, a szczytowa warto prdu wi ksza,
co jeszcze bardziej upodabnia przebieg prdu do impulsowego.
Na pocztku opisu zaoono, e ukad jest wczany do pracy w szczególnym momen-
cie, kiedy chwilowa warto napi cia zasilajcego jest zero. W praktyce taki warunek moe
by speniony tylko przypadkowo, zwykle ukad zostaje zaczony przy niezerowej warto-
ci napi cia zasilajcego. Powstaje wówczas sytuacja poczenia nienaadowanego konden-
satora ze ródem napi cia  warunki zblione do zwarcia. Analiza takiego stanu wymaga
dokadniejszego modelu transformatora i nie b dzie tutaj przeprowadzana. Warto jednak
wiedzie, e szczególnie przy wi kszych mocach, w momencie zaczenia moe pojawi
si duy prd adowania kondensatora, o charakterze udarowym, stanowicy zagroenie dla
diod i innych elementów ukadu. W takich przypadkach stosowane s elementy indukcyjne
lub rezystancyjne dla ograniczenia tego prdu.

8.3. Stabilizatory napi cia staego

Stabilizator napi cia staego jest nieliniowym czwórnikiem, instalowanym pomi dzy
niestabilnym ródem napi cia staego a obcieniem wymagajcym zasilania napi ciem
staym, o ustalonej i stabilnej wartoci jak pokazano na rys. 8.9.

Io
E STABILIZATOR RL Uo

Rys. 8.9. Wczenie stabilizatora

Niestabilno róde napi cia staego, realizowanych w praktyce najcz ciej jako pro-
stowniki, jest spowodowana niestabilnoci napi cia w sieci prdu przemiennego i niedo-
skonaoci filtrów dolnoprzepustowych, wygadzajcych napi cie wyprostowane. Jeeli
jako róda napi cia staego stosowane s róda elektrochemiczne powodem niestabilnoci
s procesy rozadowania i starzenia.
Drugim powodem niestabilnoci napi cia na zaciskach róda rzeczywistego, o nieze-
rowej rezystancji wewn trznej, s zmiany prdu pobieranego z tego róda.
Temperatura otoczenia take zwykle wpywa na waciwoci róda napi cia staego
(znane problemy uruchamiania silników spalinowych przy mrozach).
Jeeli stosuje si stabilizator, to mona oczekiwa podobnych oddziaywa czynników
zakócajcych na napi cie stabilizowane Uo. Traktujc Uo jako funkcj wartoci napi cia
zasilajcego E, prdu obcienia Io i temperatury otoczenia T; to jest zapisujc funkcj Uo
= f(E, Io, T), mona opisa niestao napi cia stabilizowanego, korzystajc z poj cia ró-
niczki zupenej, zmodyfikowanej do przyrostów skoczonych. Zmian napi cia stabilizo-
wanego 'Uo traktuje si wi c jako liniow kombinacj efektów dziaania zmian (') argu-
mentów funkcji Uo:
180

wU o wU o wU o
'U o 'E  'I o  'T (8.26)
wE wI o wT

Wspóczynnikami wraliwoci napi cia stabilizowanego na poszczególne zakócenia

s pochodne czstkowe obliczane wzgl dem tych zakóce. Pierwsza z nich przedstawia
wraliwo napi cia stabilizowanego na zmiany napi cia zasilajcego i moe by nazwana
napi ciowym wspóczynnikiem stabilizacji. Druga pochodna opisuje wraliwo napi cia
stabilizowanego na zmiany prdu obcienia, czyli przedstawia rezystancj wyjciow sta-
bilizatora albo moe by nazwana prdowym wspóczynnikiem stabilizacji. Trzecia po-
chodna opisuje podobnie wpyw temperatury i moe by nazwana temperaturowym wspó-
czynnikiem stabilizacji. Cakowita niestabilno napi cia stabilizowanego zalena jest od
wartoci zakóce i wspóczynników, które powinny by moliwie mae.
Znane i stosowane s róne ukady stabilizatorów napi cia staego, które mona po-
dzieli na:
 stabilizatory szeregowe i równolege,
 stabilizatory parametryczne i stabilizatory ze sprz eniem zwrotnym,
 stabilizatory o dziaaniu cigym i impulsowe.
Na rys. 8.10 pokazano zasad budowy stabilizatorów równolegych i szeregowych.

a) b)
Rs RN
RN RL Uo RL Uo
E E

Rys. 8.10. Stabilizator: równolegy (a) i szeregowy (b)

W stabilizatorze równolegym element nieliniowy jest umieszczony równolegle z ob-

cieniem. Dziaanie ukadu równolegego polega na tym, aby ewentualne zmiany napi cia
wyjciowego Uo byy kompensowane zmiennym spadkiem napi cia na rezystorze szere-
gowym Rs. Warto tego spadku napi cia zaley od zmian prdu przepywajcego ze ró-
da E przez rezystor szeregowy i element nieliniowy. Na przykad wzrost napi cia stabili-
zowanego, ponad warto zadan, powinien wywoa taki przyrost prdu w elemencie nie-
liniowym, aby zwi kszony spadek napi cia na rezystorze szeregowym spowodowa obni-
enie napi cia wyjciowego do wartoci zadanej.
W stabilizatorze szeregowym element nieliniowy, poczony szeregowo z obcie-
niem, powinien tak zmienia swoj rezystancj , aby napi cie wyjciowe Uo pozostawao
moliwie stae.
W stabilizatorach parametrycznych wykorzystuje si naturaln nieliniowo charakte-
rystyki prdowo-napi ciowej na przykad diody Zenera lub podobnego elementu.
W stabilizatorach ze sprz eniem zwrotnym tworzy si zamkni ty ukad regulacyjny,
stosujc wzorzec napi cia, czon porównujcy napi cie na obcieniu z wzorcowym oraz
 181

czon wykonawczy, o charakterze regulowanej rezystancji. Zarówno ukad ze sprz eniem,

jak i parametryczny, moe by typu szeregowego lub równolegego.
Czon wykonawczy w stabilizatorze moe pracowa w sposób cigy, jest to wów-
czas zwyky tranzystor mocy, ewentualnie rozbudowany do postaci zestawnej, czyli
ukadu Darlingtona. Mona te zastosowa jako czon wykonawczy ukad impulsowy,
co wymaga rozbudowy stabilizatora o elementy filtracyjne, ale wydatnie zwi ksza
sprawno ukadu.

8.3.1. Stabilizator równolegy, parametryczny

Na rys. 8.11. pokazano przykad schematu stabilizatora równolegego, parametryczne-
go z diod Zenera.
Warunkiem poprawnej pracy stabilizatora jest zapewnienie przepywu odpowiedniego
prdu IZ przez diod Zenera, co gwarantuje utrzymanie prawie staego spadku napi cia UZ
na niej.
Aby uzyska takie warunki, analizuje si podsta-
Rs Io
wowe równanie stabilizatora: Iz

E = Rs(Io + IZ) + UZ (8.27) E Uz RL Uo

dla skrajnych wartoci parametrów, zakadajc zmien- DZ

no napi cia zasilania E, prdu obcienia Io ewentu-
alnie dopuszczalny rozrzut wartoci napi cia Zenera
UZ. oraz tolerancje rezystora szeregowego Rs. Rys. 8.11. Stabilizator pa-
rametryczny, równolegy
Wynikiem analizy jest okrelenie wartoci mini-
malnych i maksymalnych prdu diody i porównanie ich
z dopuszczalnymi wartociami katalogowymi. Jeeli zostanie zapewniona praca diody na
stromo opadajcym odcinku charakterystyki, odpowiadajcym stabilizacji napi cia, to
mona wprowadzi uproszczony model liniowy diody, wany tylko dla pracy w tym stanie.
UZ = UZ0 + rZIZ (8.28)
gdzie: UZ0  umowna warto napi cia stabilizacji, wyznaczona w punkcie przeci cia prostej
aproksymujcej charakterystyk z osi odci tych,
rZ  nachylenie tej prostej, symbolizujce warto rezystancji dynamicznej diody.

Wprowadzajc schemat, opisany modelem dio-

dy, do schematu stabilizatora otrzymuje si schemat Rs IZ Io
zast pczy stabilizatora, pokazany na rys. 8.12.
rZ
Na podstawie tego schematu mona zapisa rów- E RL Uo
nanie, wice warto napi cia wyjciowego, stabili-
zowanego z wielkoci elektrycznymi zakócajcymi t UZ0
warto i z parametrami stabilizatora. To równanie,
podobnie jak równanie (8.28), jest wane tylko w
Rys. 8.12. Schemat zast pczy
ograniczonym zakresie wartoci prdów i napi . stabilizatora z diod Zenera
182

rZ R r Rs
Uo E  s Z Io  U Z0 (8.29)
R s  rZ R s  rZ R s  rZ

Analiza równania (8.29) pozwala okreli gówne parametry opisujce cechy jako-
ciowe kadego stabilizatora. Wartoci wspóczynników stabilizacji, dla rozpatrywanego
ukadu równolegego z diod Zenera, oblicza si wi c jako pochodne czstkowe, rónicz-
kujc równanie (8.29):
wU o R s rZ wU o rZ wU o R s wU Z0
 ; ; (8.30)
wI o R s  rZ wE R s  rZ wT R s  rZ wT

Powysze wzory mona zinterpretowa nast pujco: reakcja napi cia wyjciowego stabi-
lizatora na zmian prdu obcienia jest taka, jak gdyby wyjcie stabilizatora byo zaciskami
rzeczywistego róda napi ciowego, o rezystancji wewn trznej równej rezystancji równolege-
go poczenia Rs i rZ. Dla zmian napi cia zasilajcego stabilizator zachowuje si jak dzielnik
napi cia o rezystorach rZ i Rs Wpyw temperatury na napi cie stabilizowane jest nieco mniejszy
od wpywu temperatury na warto napi cia UZ0 zastosowanej diody Zenera.

8.3.2. Cigy stabilizator szeregowy ze sprz eniem zwrotnym

Na rys. 8.13 pokazano uproszczony schemat stabilizatora szeregowego, ze sprz e-
niem zwrotnym, o dziaaniu cigym. Ukad zawiera: wzorzec napi cia staego WN, pomia-
rowy dzielnik napi cia DN, wzmacniacz b du i szeregowy tranzystor mocy TM.

TM

R Uo
E WN DN L
+ -

U
n D Uo

Rys. 8.13. Uproszczony schemat stabilizatora szeregowego

Dziaanie stabilizatora polega na takim sterowaniu tranzystorem TM, aby prd pyn-
cy przez obcienie osign warto zapewniajc dane napi cie wyjciowe. W tym celu
porównuje si aktualn warto napi cia wyjciowego Uo (dokadniej: cz  tej wartoci
DUo okrelon w dzielniku oporowym) z wartoci wzorcow Un, wytworzon w stabiliza-
torze, rónica tych napi , stanowica bd stabilizacji, zostaje wzmocniona i powoduje
tak korekcj wysterowania tranzystora szeregowego i zmian wartoci prdu pyncego
do obcienia, aby bd stabilizacji sprowadzi do minimum.
 183

Przerysowujc schemat stabilizatora do

postaci pokazanej na rys. 8.14 atwiej za-
+
uway, e jest to w istocie wzmacniacz TM
-
prdu staego, zoony ze stopnia wst pnego,
nazwanego uprzednio wzmacniaczem b du i U2 E
stopnia mocy z tranzystorem TM w ukadzie U1 Uo
RL
Un
wtórnika emiterowego.
D Uo
Sygnaem wejciowym wzmacniacza
jest napi cie róda wzorcowego Un. Zapisu-
jc wspóczynnik wzmocnienia tego wzmac-
niacza jako: Rys. 8.14. Stabilizator szeregowy
Uo jako wzmacniacz
Ku (8.31)
U n  U1
oraz zapisujc sprz enie zwrotne jako warunek:
U1 DU o (8.32)
przy czym 0 < D < 1, mona znale , e:
Ku
Uo Un (8.33)
1  DK u
co oznacza, e napi cie wyjciowe, stabilizowane, zaley od napi cia wzorca, podziau w
dzielniku oporowym i cakowitego wzmocnienia wzmacniacza. Jeeli wzmocnienie tego
wzmacniacza jest due, a podzia w dzielniku niezbyt may tak, e DKu >> 1 to wzór (8.33)
przyjmuje posta uproszczon:
U
Uo | n (8.34)
D
Wzór (8.34) jasno wykazuje celowo stosowania dzielnika oporowego pozwalajce-
go, przez zmian wartoci rezystorów w dzielniku, na zmian wspóczynnika D, co z kolei
umoliwia regulacj wartoci napi cia stabilizowanego Uo przy ustalonej wartoci napi cia
wzorca Un. Ponadto ze wzoru wynika, e w rozpatrywanym ukadzie napi cie stabilizowa-
ne zawsze jest wi ksze od napi cia wzorcowego (0< D <1). Górne ograniczenie wartoci
napi cia Uo stwarza formalny warunek powyszego uproszczenia DKu >> 1 z czego wyni-
ka, e Uo << UnKu. W praktyce jednak, górn granic napi cia stabilizowanego narzuca
warunek zapewnienia pracy tranzystora TM w stanie aktywnym, czyli wyjciowe napi cie
stabilizowane musi by mniejsze o co najmniej 1 do 3 woltów od napi cia zasilania E.
Parametry jakociowe stabilizatora wyznacza si na podstawie wzoru (8.26), oblicza-
jc pochodne czstkowe z funkcji (8.33). Wymaga to jednak znacznie dokadniejszego
opisu stabilizatora, wskazujcego na zaleno wspóczynnika wzmocnienia Ku od napi cia
zasilania, prdu obcienia i temperatury a take podobnych uzalenie dla napi cia wzor-
ca. Jeeli spenione s warunki uproszczenia (8.34), to o jakoci stabilizatora decyduje ja-
ko wzorca napi cia i dzielnika.
Powanym zagroeniem dla stabilizatora szeregowego moe by przecienie prdowe, a
szczególnie zwarcie. Warto mocy traconej w tranzystorze szeregowym mona oszacowa na:
184

P | Io (E  Uo) (8.35)
Przy zwarciu wyjcia stabilizatora napi cie na tranzystorze osiga maksymaln war-
to E, a jednoczenie sygna sprz enia zwrotnego informuje o zbyt niskim napi ciu na
wyjciu, co powoduje intensywne sterowanie tranzystora TM w kierunku zwi kszania pr-
du Io. Skutkiem tego procesu moe by przegrzanie i uszkodzenie tranzystora szeregowego.
Jako zabezpieczenie przed przecieniem lub zwarciem wprowadza si dodatkowo
nieliniowe sprz enie zwrotne prdowe, dziaajce po przekroczeniu okrelonej wartoci
prdu. Takie sprz enie, speniajc funkcj nadrz dn nad sprz eniem napi ciowym, po-
woduje przejcie stabilizatora od trybu pracy z utrzymywaniem staego napi cia do trybu
pracy z utrzymywaniem staego prdu (albo nawet zmniejszaniem prdu).
Ograniczenia prdowe nie gwarantuj penej ochrony stabilizatora przed przegrza-
niem, które moe by wywoane niekorzystnym bilansem mocy strat i skutecznoci cho-
dzenia. Dlatego w bardziej rozbudowanych ukadach stabilizatorów wprowadza si dodat-
kowo zabezpieczenie termiczne. Wykorzystuje si tu np. róne wspóczynniki temperatu-
rowe takich elementów jak tranzystory i diody Zenera, tworzc ukady scalone ze stabiliza-
torem w jednym krysztale, w których po nagrzaniu caoci do okrelonej temperatury, ko-
cowy tranzystor powoduje zmniejszenie prdu stabilizatora.
Stabilizatory szeregowe wytwarzane s jako ukady scalone w dwu podstawowych
wariantach jako stabilizatory specjalizowane i stabilizatory uniwersalne. W pierwszym
przypadku producent umieszcza wszystkie elementy stabilizatora w ukadzie scalonym,
narzucajc w ten sposób warto napi cia stabilizowanego jak np. 5 V, 12 V lub 15 V i
pozostae parametry stabilizatora. Zadaniem uytkownika pozostaje doczenie filtrów po-
jemnociowych i zapewnienie odprowadzania ciepa. W drugim przypadku producent sca-
lonego stabilizatora pozostawia uytkownikowi moliwo dostosowania parametrów sta-
bilizatora do indywidualnych potrzeb. Do ukadu scalonego, oprócz niezb dnych konden-
satorów, uytkownik docza rezystory dzielnika, ustalajc potrzebn warto napi cia sta-
bilizowanego. Podobnie mona rozbudowa, istniejcy w ukadzie scalonym, tranzystor
szeregowy do postaci zestawnej (ukadu Darlingtona) powi kszajc zakres prdu obcie-
nia. Istotn modyfikacj moe by przeniesienie dzielnika napi cia z wyjcia stabilizatora
na wewn trzny wzorzec napi cia i doprowadzenie cakowitej wartoci napi cia stabilizo-
wanego jako sygnau sprz enia zwrotnego. Taki zabieg zmienia posta podstawowego
wzoru (8.33) i pozwala budowa stabilizatory o bardzo maych wartociach napi cia stabi-
lizowanego.

8.4. Przetwornice napi cia staego

Jednym z podzespoów zasilaczy impulsowych s ukady przetwarzajce napi cie sta-
e, otrzymywane z prostownika sieciowego (ok. 300 V), na napi cie stae o innej wartoci
(zwykle znacznie mniejszej np. 5 V lub 12 V). Z rónych znanych ukadów przeksztatni-
ków napi cia staego na napi cie stae [2] w zasilaczach stosuje si zwykle ukady zawiera-
jce transformator, który spenia tutaj dwa zadania: wst pne dostosowanie wartoci napi 
oraz separacja galwaniczna zasilanych urzdze od sieci elektroenergetycznej. Od tych
 185

ukadów zwykle wymaga si te moliwoci sterowania wartoci napi cia wyjciowego
dla uzyskania dokadnej stabilizacji.
W dalszej cz ci przedstawia si wybrane przykady przeksztatników, zwanych tra-
dycyjnie przetwornicami napi cia staego, stosowanych w zasilaczach. Naley zwróci
uwag na pewn osobliwo tych przeksztatników, jak jest wspópraca transformatora ze
ródem napi cia staego. Takie wspódziaanie jest moliwe, jednak nie wszystkie wnio-
ski, wynikajce z analizy konwencjonalnego sposobu uytkowania transformatora, mog
by tu bezkrytycznie stosowane.
Klasyfikacje przetwornic oparte s na rónych kryteriach. Kada przetwornica, wy-
twarzajc napi cie przemienne, pracuje cyklicznie czyli okresowo, jeeli w czasie jednego
okresu mona wyróni podokres pobierania energii ze róda i drugi podokres, w którym
nast puje przykazywania energii do obcienia, to mówi si o przetwornicy dwutaktowej,
w przeciwnym przypadku okrela si j jako jednotaktow.
Inny podzia jest oparty o kierunki prdów, pobieranego i oddawanego, odniesione
wzgl dem uzwoje transformatora i uwzgl dniajce zmienno strumienia magnetycznego w
rdzeniu. Dla dokonywania podziaów wykorzystywane s i inne cechy budowy przetwornic.

8.4.1. Przetwornica dwutaktowa, przeciwbie na

Na rys. 8.15 pokazano schemat przetwornicy dwutaktowej, przeciwbienej (zaporo-
wej, przeciwfazowej, flyback DCDC converter). Obcienie przetwornicy przedstawia
rezystor R, kondensator C spenia funkcj elementu wygadzajcego napi cie wyjciowe.
Tranzystor T pracuje jako cznik (klucz), sterowany z oddzielnego generatora impulsów
prostoktnych GI.
i1 i2
D
z1 z2 Uo
E C R

GI
T

Rys. 8.15. Schemat przetwornicy dwutaktowej

Impuls z generatora, o czasie trwania ti, wprowadza tranzystor w stan nasycenia, co

zamyka obwód, czc napi cie E do uzwojenia pierwotnego transformatora. W czasie
przerwy mi dzy impulsami, na czas tp, uzwojenie pierwotne zostaje odczone od róda E
przez nieprzewodzcy tranzystor, ale wyst puje wówczas przepyw prdu w uzwojeniu
wtórnym, przez diod D, uzupeniajcy adunek kondensatora. Po przerwie nast puje ko-
lejny impuls i cykl si powtarza, okres powtarzania impulsów T wynosi ti + tp.
W uproszczonej analizie zakada si , e tranzystor jest idealnym cznikiem, transfor-
mator jest idealnym sprz eniem magnetycznym dwu cewek i ponadto, e staa czasu RC
jest znacznie wi ksza od okresu impulsowania. Z ostatniego zaoenia wynika, e w czasie
186

jednego okresu, zmiana napi cia na kondensatorze (i rezystorze reprezentujcym obcienie)

jest pomijalnie maa. Mona wi c, na czas jednego okresu, elementy RC zastpi ródem
napi cia staego o wartoci Uo. Przy tych zaoeniach okrela si proste schematy zast pcze,
odpowiadajce obydwu stanom tranzystora, schematy te pokazano na rys. 8.16 i 8.18.

i 1 >0 D i2 = 0
z2
E E Uo
z1 E

z1 z2

Rys. 8.16. Schemat zast pczy przetwornicy; etap przewodzenia tranzystora

Uproszczon analiz przeprowadza si dla stanu ustalonego, jaki wystpi po znacznej

liczbie cykli pracy, pomijajc procesy przejciowe, towarzyszce zaczeniu przetwornicy,
zmianom jej obcienia lub zasilania. Analizuje si kolejno dwa schematy zast pcze, obo-
wizujce przy tranzystorze przewodzcym i zatkanym.
1. Przetwornica przy tranzystorze przewodzcym (rys. 8.16)
Napi cie na uzwojeniu pierwotnym transformatora jest stae i wynosi E, to znaczy, e
pochodna strumienia w rdzeniu jest staa czyli strumie narasta liniowo od wartoci po-
cztkowej M0:
dM E
E z1 , M t  M0 (8.36)
dt z1
napi cie uzwojenia wtórnego wynosi:
dM z2
U2 z2 E (8.37)
dt z1

u,I Zwrot tego napi cia jest przeciwny do kierunku

u
Im I t przewodzenia diody, co powoduje, e dioda jest spo-
I0 t laryzowana wstecznie i prd w uzwojeniu wtórnym
ti T nie pynie. W tej cz ci cyklu pracy strumie magne-
tyczny zwizany jest wycznie z prdem uzwojenia
i1 pierwotnego (i tranzystora), który zatem wynosi:
Im
t E
I0 i1 ( t ) t  I0 (8.38)
L1
i2 I2m
t gdzie: L1  indukcyjno uzwojenia pierwotnego,
I 20 i prdy
Rys. 8.17. Napi cie, strumie
I0  warto prdu i1 odpowiadajca strumie-
w przetwornicy
niowi M0.
 187

Przy kocu impulsu, dla t = ti, zarówno strumie jak i prd osigaj wartoci maksy-
malne, Mm oraz Im odpowiednio, jak pokazano na rys. 8.17. Warto maksymalna strumie-
nia wynosi:
E
Mm t i  M0 (8.39)
z1
a warto prdu Im wynosi:
E
i1 ( t i ) Im t i  I0 (8.40)
L1

2. Przetwornica przy tranzystorze zatkanym (rys. 8.18)

i 1= 0 D i2 > 0

z1 Uo Uo
E
z 2 Uo
z1 z2

Rys. 8.18. Schemat zast pczy przetwornicy; etap nieprzewodzenia tranzystora

Po przerwaniu obwodu zasilania uzwojenia pierwotnego, wzbudzony uprzednio stru-

mie magnetyczny w rdzeniu b dzie zanika, co powoduje zmian biegunowoci induko-
wanych napi . Dioda w obwodzie wtórnym zaczyna przewodzi prd i2. Dla zachowania
staoci strumienia, w pierwszym momencie po wyczeniu tranzystora, prd i2 przyjmie
warto maksymaln I2m, wynikajc z zalenoci:
z1Im = z2I2m (8.41)
Z zaoe wynika, e pojemno kondensatora jest na tyle dua, i adowanie go pr-
dem i2 powoduje pomijalnie may wzrost napi cia na kondensatorze. Skutkiem tego, oraz
pomini cia spadku napi cia na przewodzcej diodzie, jest przyj cie, e napi cie na uzwo-
jeniu wtórnym transformatora jest stae i wynosi Uo. Oznacza to, e pochodna strumienia w
rdzeniu jest staa, czyli strumie maleje liniowo od wartoci maksymalnej Mm:
dM Uo
Uo z 2 ; M( t )  t  Mm (8.42)
dt z2
Napi cie uzwojenia pierwotnego wynosi:
dM z1
U1  z1  Uo (8.43)
dt z2
W tej cz ci cyklu pracy strumie magnetyczny zwizany jest wycznie z prdem
uzwojenia wtórnego (i diody), który wynosi zatem:
Uo
i 2 (t)  t  I 2m (8.44)
L2
188

L2 oznacza indukcyjno uzwojenia wtórnego, a I2m jest to warto prdu odpowiadajca

strumieniowi Mm. Zwizek pomi dzy indukcyjnociami L1 a L2 wynika z budowy transfor-
matora:
2
§ z2 ·
L2 ¨¨ ¸¸ L1 (8.45)
© z1 ¹

Przy kocu przerwy mi dzy impulsami, dla t = tp, zarówno strumie jak i prd osiga-
j wartoci minimalne, jak pokazano na rys. 8.17.
W stanie ustalonym pracy ukadu, warto minimalna strumienia, wyst pujca na ko-
cu przerwy pomi dzy impulsami, czyli dla t = tp, jest równa wartoci pocztkowej M0, wy-
st pujcej na pocztku impulsu:
U
M( t p)  o t p  Mm M0 (8.46)
z2

Porównujc ten wzór z wzorem (8.39) znajduje si wan relacj dla rozwaanej prze-
twornicy:
Uo z 2 t i
(8.47)
E z1 t p

Z zalenoci tej wynika, e stosunek napi cia zasilajcego i wyjciowego, okrela za-
równo przekadnia zwojowa transformatora, jak i stosunek czasu impulsu do czasu przerwy
mi dzy impulsami. Oznaczajc stosunek czasu impulsu ti do okresu impulsowania T = ti+tp
jako wspóczynnik wypenienia impulsu D mona zapisa wzór (8.47) w wartociach
wzgl dnych:
Uo z 2 D
(8.48)
E z1 1  D

Przy kocu przerwy mi dzy impulsami, dla t = tp, nie tylko strumie ale i prd i2 osi-
ga wartoci minimaln I20, jak pokazano na rys. 8.17. W stanie ustalonym pracy ukadu,
warto minimalna strumienia, wyst pujca na kocu przerwy pomi dzy impulsami przy
prdzie I20, jest równa wartoci pocztkowej strumienia, wyst pujcej na pocztku impulsu,
przy prdzie uzwojenia pierwotnego I0. Z tego wynika zaleno:
z1I0 = z2I20 (8.49)
wica, podobnie jak wzór (8.40), wartoci minimalne obydwu prdów.
W stanie ustalonym, adunek elektryczny, doprowadzany do kondensatora prdem i2
w jednym okresie impulsowania, jest równy adunkowi odprowadzanemu przez rezystor
obcienia w tym okresie:

³
tp 1
i2 ( t ) dt U0 T ( I 20  I 2 m ) t p (8.50)
0 R 2
Ta ostatnia zaleno pozwala wyliczy wszystkie wartoci minimalne, maksymalne i
rednie prdów w przetwornicy, dostarczajcej napi cia Uo do rezystora obcienia R.
 189

Zalet przedstawionej przetwornicy jest korzystna moliwo sterowania wartoci

napi cia wyjciowego przez zmian wspóczynnika wypenienia impulsów wokó wartoci
0,5 (wzór (8.48)). Wad jest konieczno gromadzenia energii w rdzeniu przez czas impul-
su, a oddawanie jej w czasie przerwy mi dzy impulsami. Ten sposób pracy zawya wyma-
gania stawiane rdzeniowi magnetycznemu.

8.4.2. Przetwornica dwutaktowa wspóbie na

Na rys. 8.19 przedstawiono schemat przetwornicy dwutaktowej, wspóbienej (prze-
pustowej, synfazowej, forward DC  DC converter).

D3 i3
i1 D2 i 2 i 4 L
C R
z1 z2 Uo
E D1
GI z3
T

Rys. 8.19. Przetwornica wspóbiena

Obcienie przetwornicy przedstawia rezystor R, natomiast kondensator C, dawik L

oraz dioda D1 speniaj funkcj filtrujce, wygadzajce napi cie wyjciowe. Tranzystor T
pracuje jako cznik (klucz), sterowany z oddzielnego generatora impulsów prostoktnych GI.
Impuls z generatora, o czasie trwania ti, wprowadza tranzystor w stan nasycenia, co
zamyka obwód, czc napi cie E do uzwojenia pierwotnego transformatora. W tym stanie
nast puje te przepyw prdu uzwojenia wtórnego, przez diod D2 i dawik L, uzupeniaj-
cy adunek kondensatora. W czasie przerwy mi dzy impulsami, na czas tp, uzwojenie pier-
wotne zostaje odczone od róda E przez nieprzewodzcy tranzystor, prd obcienia
przepywa przez dawik i diod D1, a ponadto nast puje przepyw prdu przez diod D3,
zapewniajcy demagnetyzacj rdzenia. Po przerwie nast puje kolejny impuls i cykl si
powtarza, okres powtarzania impulsów T wynosi ti + tp.
Podobnie jak poprzednio, dla uproszczenia zakada si , e tranzystor jest idealnym
cznikiem, ale wskazuje si na moliwo uwzgl dnienia prdu magnesowania rdzenia
transformatora. Przyjmuje si , e wygadzenie napi cia wyjciowego jest idealne, czyli mo-
na, na czas jednego okresu, elementy RC zastpi ródem napi cia staego o wartoci Uo.
W ten sposób otrzymuje si proste schematy zast pcze, odpowiadajce obydwu sta-
nom tranzystora, schematy te pokazano na rys. 8.20 i 8.21.
Ograniczymy si tylko do opisu sownego procesów przebiegajcych w stanie ustalo-
nym.
1. Przetwornica przy tranzystorze przewodzcym (rys. 8.20)
Po zaczeniu tranzystora do uzwojenia pierwotnego zostaje doczone stae napi cie
zasilajce E, co wywouje liniowy wzrost strumienia magnetycznego w rdzeniu. Kierunki
190

nawini cia uzwoje i kierunek wczenia diody D2 s takie, e nast puje jednoczesny prze-
pyw prdów w uzwojeniu pierwotnym i wtórnym.

D3 i3 = 0 D2 i2 > 0 L

i1 > 0 i4 = 0
z2 C R
E Uo
E z1 E
z1 z2 D1
z
3

Rys. 8.20. Schemat zast pczy przetwornicy; etap przewodzenia tranzystora

Prd uzwojenia wtórnego narasta zgodnie z zalenoci:

d i2 z2
L E  Uo (8.51)
dt z1

Dzi ki równoczesnemu wzrostowi obydwu prdów, wzrost strumienia, który jest

zwizany z rónic przepywów (i w konsekwencji prdów) uzwoje pierwotnego i wtór-
nego, jest mniejszy anieli wzrost tych prdów. Pozwala to na minimalizacj przekroju
rdzenia lub zwi kszania mocy przetwornicy. Narastajcy prd i2 powoduje gromadzenie
energii w polu magnetycznym dawika L. Szkic przebiegów elektrycznych pokazano na
rys. 8.22.
2. Przetwornica przy tranzystorze nieprzewodzcym (rys. 8.21)

D3 i3 > 0 D2 i2 = 0 L
i1 = 0 i4> 0
z1 z2 Uo
E z3 E z3 E D1
C R
z1 z2
z3

Rys. 8.21. Schemat zast pczy przetwornicy; etap nieprzewodzenia tranzystora

Po zakoczeniu impulsu sterujcego tranzystorem, wzbudzony w rdzeniu transforma-

tora strumie, zaczyna si zmniejsza, co powoduje odwrócenie biegunowoci indukowa-
nych napi . Dioda D2 przestaje przewodzi, ale rozpoczyna przewodzenie dioda D3.
Prd i3, wywoany zanikajcym strumieniem w rdzeniu transformatora, przenosi ener-
gi zgromadzon w polu magnetycznym transformatora do róda zasilajcego E. To zjawi-
sko, aczkolwiek nie jest decydujce, to jednak korzystnie wpywa na sprawno przetwor-
nicy. Malejcy strumie magnetyczny, uprzednio wzbudzony w rdzeniu dawika L, powo-
duje powstanie siy elektromotorycznej samoindukcji i wymusza przepyw prdu i4 przez
 191

diod D1. Ten prd uzupenia adunek kondensa- u I

tora i przyczynia si do utrzymania prawie stae- I
go napi cia wyjciowego.
Zapisujc odpowiednie wzory, podobnie u1 T t
jak to przedstawiano przy opisie przetwornicy
i1
przeciwbienej, mona znale  m.in. zaleno:
Uo z2
D (8.52)
E z1 t
i2
We wzorze warto D, jak poprzednio,
oznacza wspóczynnik wypenienia impulsu czy-
i3 t
li stosunek czasu impulsu do okresu impulsowa-
nia. Ten wzór wskazuje, e i w tej przetwornicy
i4 t
mona sterowa wartoci napi cia wyjciowego
Uo poprzez zmian wspóczynnika wypenienia
impulsów sterujcych tranzystorem.
t

8.4.3. Stabilizacja, zabezpieczenia, Rys. 8.22. Przebiegi prdów i napi 

w przetwornicy
zakócenia
Powyej opisane przetwornice mona wykorzysta wprost do stabilizacji napi cia sta-
ego w ukadach ze sprz eniem zwrotnym. W tym celu naley zastosowa wzorzec napi -
cia zadanego, czon porównujcy napi cie wyjciowe z wartoci zadan i ukad koryguj-
cy wspóczynnik wypenienia impulsów  modulator szerokoci impulsów (zob. p. 4.4.3.).
Przykadowy schemat blokowy zasilacza impulsowego ze stabilizacj napi cia wyjciowe-
go pokazano na rys. 8.23.

U=
1 2 3

MODUL. 6 - 4
8 7 PWM 5 +

Rys. 8.23. Zasilacz impulsowy z impulsow stabilizacj napi cia staego: 1  prostownik sieciowy
i filtr wst pny, 2  przetwornica, 3  prostownik podwyszonej cz stotliwoci i filtr kocowy,
4  wzorzec napi cia staego, 5  wzmacniacz b du, 6  generator fali nonej,
7  modulator szerokoci impulsów, 8  separator optoelektroniczny

Na tym przykadzie mona zauway niektóre zadania techniczne zwizane ze specy-

fik zasilaczy impulsowych. Na przykad wytworzenie napi cia wzorcowego, cz sto
w ukadzie stabilizatora parametrycznego, wymaga zasilania tego ukadu. Bezporednio po
wczeniu zasilacza jest dost pne tylko wyprostowane napi cie sieci, co zwykle jest warto-
ci o wiele za du do zasilania niskonapi ciowej diody Zenera, a uycie tego napi cia
192

wprowadzioby potencja sieci do obwodów wyjciowych zasilacza. Zadanie rozwizuje

si wprowadzajc odmienny sposób pracy zasilacza na czas rozruchu ukadu.
Podobn trudno sprawia uruchomienie przetwornicy przy rozadowanym kondensa-
torze filtru kocowego, co daje efekt podobny do zwarcia na wyjciu i grozi uszkodzeniem
tranzystora. Zadanie jest rozwizywane przez wprowadzenie tzw. mi kkiego startu, to zna-
czy ograniczenie czasów pierwszych impulsów do bardzo maych wartoci, aby unikn
przet e.
Oczywicie w ukadach musi by stosowane ograniczenie prdowe, na wypadek
zwar lub przecie zasilacza. Dla wygody uytkowników to ograniczenie wspópracuje z
ukadem samoczynnego powtórnego zaczenia, aby krótkotrwae przecienia nie powo-
doway cakowitego wyczenia. Takie rozwizanie pociga za sob konieczno zliczania
iloci cykli samoczynnego wczania, aby dla przypadku trwaego przecienia lub zwarcia
po kilku czy kilkunastu próbach zacze przej do stanu trwaego wyczenia zasilacza.
Zespó przytoczonych wymaga jest na tyle zoony, e cakowicie uzasadnione jest
wytwarzanie ukadów scalonych, zawierajcych szereg podzespoów niezb dnych do ste-
rowania tranzystorem czy tranzystorami przetwornicy.
Zamkni cie toru sprz enia zwrotnego stabilizacji napi cia, z wyjcia zasilacza do
przetwornicy, poczonej galwanicznie z sieci, wymaga wprowadzenia separacji take w
tym torze, inaczej sens stosowania transformatora byby podwaony. Funkcj separacyjn
spenia drugi transformator lub transoptor.
Dodatkowym problemem s zakócenia radioelektryczne generowane przez zasilacz
impulsowy, który jest ich stosunkowo silnym ródem. Jednoczenie coraz bardziej po-
wszechne stosowanie tych zasilaczy w sprz cie komputerowym i podobnym, czyli w urz-
dzeniach wraliwych na zakócenia obcymi polami, narzuca konieczno obniania pozio-
mu zakóce, generowanych w zasilaczu, przez waciwy monta, ekranowanie, stosowanie
filtrów przeciwzakóceniowych i podobne rodki.
Odr bnym problemem, wywoanym przez masowe stosowanie zasilaczy impulso-
wych, o mocach si gajcych wieluset watów, jest odksztacenie prdu pobieranego z sieci
elektroenergetycznej. To pociga za sob znieksztacenia napi cia sieci, przeszkadzajce
innym uytkownikom energii elektrycznej i dlatego s wprowadzane przepisy narzucajce
dozwolony poziom odksztace prdu pobieranego a take wspóczynnika mocy zasilaczy
impulsowych. Szczegóowa prezentacja tych zagadnie jest zadaniem bardzo szerokim i
dlatego w tym skrypcie nie b dzie przytaczana.
LITERATURA

[1] Baranowski J., Nosal Z.: Ukady elektroniczne cz. I. Ukady analogowe liniowe. Warszawa:
WNT 1994.
[2] Baranowski J., Czajkowski G.: Ukady elektroniczne cz. II. Ukady analogowe nieliniowe i
impulsowe. Warszawa: WNT 1994.
[3] Baranowski J., Kalinowski B., Nosal Z.: Ukady elektroniczne cz. III. Ukady i systemy
cyfrowe. Warszawa: WNT 1994.
[4] Borkowski A.: Ukady scalone w stabilizatorach napi cia staego. Warszawa: WNT 1985.
[5] Borkowski A.: Zasilanie urzdze elektronicznych. Warszawa: WKi 1990.
[6] Cielak J.: Póprzewodnikowe elementy optoelektroniczne. Warszawa: Wyd. MON 1984.
[7] Ferenczi O.: Zasilanie ukadów elektronicznych. Warszawa: WNT 1988.
[8] Ferenczi O.: Zasilanie ukadów elektronicznych  zasilacze impulsowe. Warszawa: WNT 1989.
[9] Filipkowski A.: Ukady elektroniczne analogowe i cyfrowe. Warszawa: WNT 1995.
[10] Guziski A.: Liniowe elektroniczne ukady analogowe. Warszawa: WNT 1992.
[11] Gniewko B., Klimek C.: Rezonatory i generatory kwarcowe. Warszawa: WKi 1980.
[12] Golde W.: Wzmacniacze operacyjne i ich zastosowania. Warszawa: WNT 1980.
[13] Hennel J.: Podstawy elektroniki póprzewodnikowej. Warszawa: WNT 1995.
[14] Horowitz P., Hill W.: Sztuka elektroniki. Warszawa: WKi 1996.
[15] Jaczewski J., Opolski A., Stolz J.: Podstawy elektroniki i energoelektroniki. Warszawa: WNT
1981.
[16] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i ukadach póprzewodnikowych. Warszawa: WNT
1992.
[17] Kalisz J.: Podstawy elektroniki cyfrowej. Warszawa: WKi 1991.
[18] Ka mierkowski M., Nowak M., Wójciak A.: Urzdzenia elektroniki przemysowej. Warszawa:
WKi 1982.
[19] Kulka Z., Libura A., Nadachowski M.: Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe.
Warszawa: WKi 1987.
[20] akomy M., Zabrodzki J.: Scalone przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe.
Warszawa: PWN 1985.
[21] Marciniak W.: Przyrzdy póprzewodnikowe i ukady scalone. Warszawa: WNT 1984.
[22] Nadachowski M., Kulka Z.: Analogowe ukady scalone. Warszawa: WKi 1985.
[23] Nadachowski M., Kulka Z.: Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych. Warszawa: WNT 1986.
[24] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe póprzewodnikowe przyrzdy duej mocy.Warszawa:
WNT 1995.
[25] Nowakowski W.: Ukady impulsowe. Warszawa: WKi 1982.
[26] Pawowski J.: Podstawowe ukady elektroniczne. Wzmacniacze i generatory. Warszawa: WKi
1980.
[27] Polowczyk M.: Elementy i przyrzdy póprzewodnikowe powszechnego zastosowania. WKi,
Warszawa, 1986.
194

[28] Por bski J., Korohoda P.: SPICE. Program analizy nieliniowej ukadów elektronicznych.
Warszawa: WNT 1992.
[29] Prze dziecki F., Opolski A.: Elektrotechnika i elektronika. Warszawa: PWN 1986.
[30] Rusek M., wirko R., Marciniak W.: Przewodnik po elektronice. Warszawa: WNT 1986.
[31] Streetman B.: Przyrzdy póprzewodnikowe. Warszawa: WNT 1976.
[32] St pie C.: Mikroprocesory firmy Intel. Warszawa: PWN 1992.
[33] Till W.C., Luxon J.T.: Integrated circuits: materials, devices, and fabrication. Englewood Cliffs
N.J.: Prentice Hall Inc. 1982.
[34] Ziel A.v.d.: Podstawy fizyczne elektroniki ciaa staego. Warszawa: WNT 1980.