KKEE 2113 PERANTI SEMIKONDUKTOR

KKEE2113 SEMICONDUCTOR DEVICES

TUGASAN MAKMAL BERKUMPULAN

LABORATORY GROUP ASSIGNMENT (OPEN ENDED LABORATORY)

Hasil Pembelajaran Kursus – HPK (Course Outcomes – CO)

HPK3 Berkebolehan memperihalkan fungsi asas peranti semiconductor seperti kapasitor
(CO3): MOS, transistor kesan medan (MOSFET, JFET, MESFET), transistor simpang dwikutub
(BJT), peranti optoelektrinik termasuk fenomena quantum dan kesannya, serta konsep
asas heterosimpang;
Ability to describe the basic functions of semiconductor devices such as the MOS
capacitor, field effect transistors (MOSFET, JFET and MESFET), bipolar junction
transistors (BJT), optoelectronic devices including quantum phenomena and their
effects, and the basic concept of heterojunction.
HPK4 Berkebolehan untuk mengatur kajian kepustakaan dan membuat laporan bertulis
(CO4): tentang penyelidikan terkini dalam teknologi peranti semikonduktor;
Ability to organise literature review and make written reports on the latest research in
the current advancement of semiconductor device technologies.

ARAHAN UMUM/ GENERAL INSTRUCTIONS:

1. Anda dikehendaki membentuk kumpulan sendiri yang terdiri daripada TIGA (3) orang sahaja.
You are required to form a group consist of THREE (3) members.
2. Setiap kumpulan hanya perlu menyediakan SATU (1) laporan sahaja.
Each group needs to submit only ONE (1) report.
3. Laporan WAJIB ditulis dalam BAHASA MELAYU dan BAHASA INGGERIS.
It is COMPULSORY to write the report in both BAHASA MELAYU and ENGLISH.
4. Tarikh akhir penghantaran laporan: 6 JULAI 2023 (KHAMIS) selewatnya 11.59 malam melalui
UKMFolio.
The deadline for report submission: 6th JULY 2023 (THURSDAY) latest by 11.59 PM via
UKMFolio.
5. Ujikaji ini adalah berdasar konsep “open ended laboratory”, di mana hanya sebahagian arahan
dan panduan akan diberikan untuk menjalankan ujikaji. Manakala selebihnya memerlukan
pelajar mengaplikasikan pengetahuan yang diperolehi daripada kuliah untuk menjalankan
ujikaji dan analisa.
The laboratory is conducted based on the “open ended laboratory” concept, in which that only
partial of the instruction and information are given, while the remaining tasks for performing
the laboratory and analyzing the results may require the students to apply the knowledge that
they have gained from the lectures in class.

1
 PERANTI MOSFET DAN CIRI-CIRINYA
MOSFET DEVICE AND ITS CHARACTERISTICS

Ujikaji 1/Experiment 1: Kajian ciri-ciri asas bagi peranti MOSFET saluran-n. Fundamental
characteristic of n-channel MOSFET device.
1. Anda dikehendaki menjalankan simulasi litar berkaitan dengan peranti MOSFET, dengan
menggunakan perisian LTSpice. (https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-
and-calculators/ltspice-simulator.html)
You are asked to run a circuit simulation for MOSFET device, by using an LTSpice software.
(https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-
simulator.html)
2. Dengan menggunakan komponen MOSFET saluran-n, bina litar asas untuk menjalankan
simulasi litar untuk menganalisa ciri-ciri asas bagi peranti n-channel MOSFET. Sila pilih
komponen “nmos” di dalam senarai komponen di dalam LTSpice.
Using n-channel MOSFET device, create a basic circuit for analyzing the fundamental
characteristics of the n-channel MOSFET. Please choose component named “nmos” when
selecting the component in the LTSpice software.
3. Anda bebas menetapkan nilai voltan bagi Gate voltage (Vgs), Drain voltage (Vds), dan juga nilai
voltan sapuan (sweep voltage) untuk menjalankan analisis litar. Sebagai contoh: Vgs = 5V,
voltan sapuan bagi Vgs setiap 0.1 V, Vds = 10 dan voltan sapuan bagi Vds setiap 0.5V. Ambil
perhatian bahawa type of sweep perlu disetkan sebagai “linear”.
You are free to set the values of Gate voltage (Vgs), Drain voltage (Vds) and the sweep voltage
for your analysis. For example, Vgs = 5V with sweep voltage (increment) of every 0.2V, and Vd
= 10 V with sweep voltage (increment) of every 0.5V. Take note that the type of sweep should
be “linear”.
4. Berdasarkan keputusan simulasi, anda dikehendaki menganalisa graf bagi mendapatkan
hubungan di antara Ids dan Vds, dan juga hubungan di antara Ids dan Vgs.
From the simulation, analyze and explain the results related to the relations between Ids and
Vds, and the relationship between Ids and Vgs.
5. Terangkan pemerhatian dan analisa yang diperolehi daripada ujikaji ini.
Explain in detail your observation and analysis.

Ujikaji 2/Experiment 2: Kajian ciri-ciri asas bagi peranti MOSFET saluran-p. Fundamental
characteristic of p-channel MOSFET device.
1. Anda dikehendaki menjalankan simulasi litar berkaitan dengan peranti MOSFET, seperti Ujikaji
1, namun kali ini dengan menggunakan peranti MOSFET saluran-p. Sila pilih komponen “pmos”
di dalam perisian LTSpice.
You are asked to run a simulation on a MOSFET device like Experiment 1, but this time using a
p-channel MOSFET device. Choose a component named “pmos”in the LTSpice software.
2. Anda bebas menetapkan nilai voltan bagi Gate voltage (Vgs), Drain voltage (Vds), dan juga nilai
voltan sapuan (sweep voltage) untuk menjalankan analisis litar.
You are free to set the parameter for Vgs, Vds and the sweep voltage (increment) for you
analysis.

2
 3. Berdasarkan keputusan simulasi, anda dikehendaki menganalisa graf bagi mendapatkan
hubungan di antara Ids dan Vds, dan juga hubungan di antara Ids dan Vgs.
From the simulation, analyze and explain the results related to the relations between Ids and
Vds, and the relationship between Ids and Vgs.
4. Terangkan pemerhatian dan analisa yang diperolehi daripada ujikaji ini.
Explain in detail your observation and analysis.

Ujikaji 3/Experiment 3: Pengaruh nilai voltan ambang terhadap peranti MOSFET. / The effect of
threshold voltage on the MOSFET device.
1. Anda dikehendaki membina litar seperti proses Ujikaji 1 dengan menggunakan peranti
MOSFET saluran-n, namun dengan menambahkan nilai-nilai parameter (model file) bagi
peranti tersebut.
You are asked to develop a n-channel MOSFET circuit like in Experiment 1, but this time by
addind parameters from a model file.
2. Dengan menggunakan nilai-nilai yang disenaraikan pada Apendik A, salin dan masukkan nilai-

nilai tersebut ini di dalam bahagian model file, dengan cara klik butang ini → (sebelah
atas kanan).
Referring to all values in the Appendix A, insert these values into the model file, by clicking this

button in the software . (This button is at the top right of the LTSpice window).

3. Setelah anda klik pada butang , paparan seperti berikut akan kelihatan di skrin.

After clicking the button, the screen below will appear.

4. Salin dan masukkan semua nilai-nilai di Apendik A ke dalam ruangan yang disediakan dan klik
OK. Kemudian litar akan menjadi seperti berikut, di mana nilai-nilai parameter akan terpapar.
Copy and paste all values in Appendix A into the window “Edit Text on the Schematic” and click
OK. Then your circuit will appear as follow.

3
 5. Nilai parameter penting yang akan diubah adalah nilai Vth0, di mana ia adalah nilai voltan
ambang bagi sesebuah peranti MOSFET.
The parameter value that will be studied is Vth0, which is the threshold voltage of a MOSFET
device.
6. Dengan menggunakan nilai Vth0 yang sedia ada (0.3999V), lakukan simulasi untuk mengkaji
kaitan di antara Ids dan Vgs. Terangkan keputusan simulasi tersebut berserta pemerhatian
anda. *Sila tutup paparan mesej “SPICE error log” dan jalankan simulasi seperti biasa.
With the default value of Vth0 (0.3999V), run your simulation to analyze the relationship
between Ids and Vgs. Explain your observation and analysis from the simulation results. *Close
the window that shows “SPICE error log” if it appears, and run the simulation a usual.
7. Kemudian, dengan mengubah nilai Vth0 (anda bebas memilih nilai Vth0 tersebut, namun
mesti diterangkan di dalam laporan), jalankan simulasi hubung kait di antara Ids dan Vgs sekali
lagi dan laporkan keputusan dan pemerhatian anda.
Then, by changing the value of Vth0 (you are free to set the Vth0 value, but you need to specify
it in the report), run the simulation again to study the relationship between Ids and Vgs again,
and report your observation and analysis in detail.

Sedikit panduan penyediaan laporan. Some tips on preparing the report.

1. Pastikan laporan anda menerangkan semua proses perjalanan ujikaji seperti objektif kajian,
metodologi kajian, nilai parameter, rajah-rajah eksperimen, rajah keputusan dan penerangan-
penerangan berkaitan.
Make sure your report includes all details of the experiment process, such as objectives,
methodology, parameter values, figures of experiment, results and all the relevant explanation.
2. Apabila menerangkan keputusan eksperimen, anda perlu menerangkan perkara-perkara
penting yang boleh dilihat daripada keputusan, dan juga perkara-perkara yang tidak dapat
diperhatikan daripada rajah keputusan (biasanya penerangan ini melibatkan penerangan
untuk menjawab persoalan KENAPA dan BAGAIMANA).
When explaining and analyzing your results, you must explain the important things that we
can see from the results and what we cannot see (thing that needs to be explained in details,
that usually involving the answer to WHY and HOW).

4
Apendik A/Appendix A
NMOS Model file:
Copy the following parameter setting and paste in your simulation model file setting.

.model NMOS NMOS

+Level = 49

+Lint = 4.e-08 Tox = 4.e-09

+Vth0 = 0.3999 Rdsw = 250

+lmin=1.8e-7 lmax=1.8e-7 wmin=1.8e-7 wmax=1.0e-4 Tref=27.0 version =3.1

+Xj= 6.0000000E-08 Nch= 5.9500000E+17
+lln= 1.0000000 lwn= 1.0000000 wln= 0.00
+wwn= 0.00 ll= 0.00
+lw= 0.00 lwl= 0.00 wint= 0.00
+wl= 0.00 ww= 0.00 wwl= 0.00
+Mobmod= 1 binunit= 2 xl= 0
+xw= 0 binflag= 0
+Dwg= 0.00 Dwb= 0.00

+K1= 0.5613000 K2= 1.0000000E-02

+K3= 0.00 Dvt0= 8.0000000 Dvt1= 0.7500000
+Dvt2= 8.0000000E-03 Dvt0w= 0.00 Dvt1w= 0.00
+Dvt2w= 0.00 Nlx= 1.6500000E-07 W0= 0.00
+K3b= 0.00 Ngate= 5.0000000E+20

+Vsat= 1.3800000E+05 Ua= -7.0000000E-10 Ub= 3.5000000E-18

+Uc= -5.2500000E-11 Prwb= 0.00
+Prwg= 0.00 Wr= 1.0000000 U0= 3.5000000E-02
+A0= 1.1000000 Keta= 4.0000000E-02 A1= 0.00
+A2= 1.0000000 Ags= -1.0000000E-02 B0= 0.00
+B1= 0.00

+Voff= -0.12350000 NFactor= 0.9000000 Cit= 0.00

+Cdsc= 0.00 Cdscb= 0.00 Cdscd= 0.00
+Eta0= 0.2200000 Etab= 0.00 Dsub= 0.8000000

+Pclm= 5.0000000E-02 Pdiblc1= 1.2000000E-02 Pdiblc2= 7.5000000E-

03
+Pdiblcb= -1.3500000E-02 Drout= 1.7999999E-02 Pscbe1=
8.6600000E+08
+Pscbe2= 1.0000000E-20 Pvag= -0.2800000 Delta= 1.0000000E-02
+Alpha0= 0.00 Beta0= 30.0000000

+kt1= -0.3700000 kt2= -4.0000000E-02 At= 5.5000000E+04

+Ute= -1.4800000 Ua1= 9.5829000E-10 Ub1= -3.3473000E-19
+Uc1= 0.00 Kt1l= 4.0000000E-09 Prt= 0.00

+Cj= 0.00365 Mj= 0.54 Pb= 0.982

+Cjsw= 7.9E-10 Mjsw= 0.31 Php= 0.841
+Cta= 0 Ctp= 0 Pta= 0
+Ptp= 0 JS=1.50E-08 JSW=2.50E-13
+N=1.0 Xti=3.0 Cgdo=2.786E-10
+Cgso=2.786E-10 Cgbo=0.0E+00 Capmod= 2
+NQSMOD= 0 Elm= 5 Xpart= 1
+Cgsl= 1.6E-10 Cgdl= 1.6E-10 Ckappa= 2.886
+Cf= 1.069e-10 Clc= 0.0000001 Cle= 0.6
+Dlc= 4E-08 Dwc= 0 Vfbcv= -1