ECE

 305     Spring  2015  

ECE  305  Homework:  Week  14  

 
Mark  Lundstrom  
Purdue  University  
 
(4.17.15)  
 
1) For  MOSFETs,  we  focus  on  understanding  drain  current.    The  gate  current  is  taken  to  
be  negligibly  small.    For  BJTs,  we  focus  first  on  the  collector  current.    For  good  BJTs,  
the  base  current  is  small,  but  not  negligible.    Before  we  discuss  the  base  current,  we  
focus  on  the  collector  current.    We  can  understand  the  most  important  features  of  the  
common  emitter  collector  current  characteristic,   I C (VBE ,VCE )  or  the  common  base  
collector  current  characteristic,   I C (VBE ,VCB ) ,  by  examining  the  minority  carrier  
concentration  in  the  base.    Answer  the  following  questions  for  an  NPN  BJT  by  
providing  a  sketch  of   Δn ( x )  in  the  base.      
 
1a)   Sketch   Δn ( x ) vs.  x  for  the  forward  active  region  of  operation.  
1b)   Sketch   Δn ( x ) vs.  x  for  the  saturation  region  of  operation.  
1c)   Sketch   Δn ( x ) vs.  x  for  the  reverse  active  region  of  operation.  
1d)   Sketch   Δn ( x ) vs.  x  for  the  cut-­‐off  region  of  operation.  
 
HINT:    Begin  with  the  Law  of  the  Junction  and  assume  a  good  transistor,  which  means  
the  base  is  short  compared  to  a  minority  carrier  diffusion  length.  
 

 
 

ECE-­‐305     1   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  14  (continued)  

 
2) The  sketch  below  shows  an  NPN  BJT.    Assume  that  it  is  in  the  forward  active  region  
with   I C = 1.23 mA  and   I E = 1.27 mA .    Answer  the  following  questions.  

 
2a)   What  is  the  common  emitter  current  gain,   β dc ?      
2b)   What  is  the  common  base  current  gain,   α dc ?  
2c)   What  is  the  base  transport  factor,   α T ?  
2d)   What  is  the  emitter  injection  efficiency,   γ ?  
2e)   What  is  the  emitter  injection  efficiency  assuming  that  there  is  no  recombination  
in  the  base?  
 
 
3) The  sketch  below  shows  an  NPN  BJT  biased  in  the  forward  active  region  with  the  four  
current  components  indicated.    Assume:  
 
I En = 1.000 mA  
I Ep = 0.005 mA  
I Cn = 0.995 mA  
I Cp ≈ 0  
 
and  answer  the  questions  below.  

 
 
 

ECE-­‐305     2   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  14  (continued)  

 
3a)    What  is  the  emitter  injection  efficiency?  
3b)    What  is  the  base  transport  factor?  
3c)    What  is  the  common  emitter  current  gain?  
3d)    What  is  the  common  base  current  gain?  
 
 
4) The  four  current  components  for  the  two  diodes  in  a  PNP  transistor  are  defined  
below.    Assume  that  the  base  width  is  short  (i.e.   WB << Ln )  and  that  the  transistor  is  
biased  in  the  forward  active  region  with   VCB = 0 .    The  common  emitter  current  gain  is  
β dc = 100 .    Answer  the  following  questions  assuming  that   I Cp = 10 mA .    Note  that  
VCB = 0  places  the  transistor  on  the  borderline  of  the  active  and  saturation  regions.    
The  behavior  is  continuous  from  one  region  to  the  next,  so  we  can  call  this  the  active  
or  saturation  region.    It  is  better  to  consider  it  to  be  the  active  region,  because  it  takes  
a  moderate  forward  bias  on  the  base-­‐collector  junction  to  really  get  into  the  
saturation  region  and  see  the  collector  current  drop.  

 
4a)    What  is   I Ep ?  
4b)  What  is   I En ?  
4c)    What  is   I Cn ?  
4d)    What  is  the  common  base  current  gain,   α dc  ?  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     3   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  14  (continued)  

 
5) Consider  a  bipolar  junction  transistor.    All  three  regions  (emitter,  base  and  collector)  
are  composed  of  the  same  semiconductor  material  (except  for  doping  type/density).    
The  excess  minority  carrier  concentrations  for  a  specific  bias  point  are  shown  in  the  
figure  below  –  note  that  the  scale  is  linear  (although  the  concentrations  near  the  CB  
junction  are  exaggerated  for  clarity).    Assume  that   T = 300 K  and  that  the  base  is  
doped  at   N B = 1.0 × 1017 cm −3  ( N B is  either   N A  or   N D  you  will  need  to  figure  out  
which.)    The  diffusion  coefficients  for  electrons  and  holes  are   Dn = 20 cm 2 /s  and  
D p = 10 cm 2 /s  respectively.  Answer  the  following  questions.  
 
 

 
 
5a)     What  type  of  transistor  is  this?    NPN  or  PNP?    Explain  how  you  know.  
5b)     What  bias  regime  is  illustrated  in  the  figure?  
5c)     What  is  the  doping  density  in  the  emitter  (recall  that   N B  is  given)?  
5d)     Which  of  the  following  best  describes  the  base  region?  Explain  your  answer.  
5e)     What  is  the  emitter  injection  efficiency  (numerical  answer)?  
5f)     What  is   β dc  for  this  transistor?  
 

ECE-­‐305     4   Spring  2015