GDE001‐*

IGBT Driver
Application Manual

1
 Consideration Needed for Safety Design
While our company has made significant effort to improve the quality and reliability of our products, 
semiconductor application products cannot be completely free from faults and malfunctions. 
Therefore, extreme care needs to be taken for safety design – for example, redundancy design, fire 
spread prevention design, and malfunction prevention design – so that fault or malfunction of our 
semiconductor application products will not result in an incident such as a fatal accident, fire 
accident, and social problem.

Important Notes for Use of This Document

‐ This document aims to help you choose and purchase our appropriate products which meet your 
applications. Regarding the technical information provided on this document, the implementation 
and use of intellectual property rights and other rights which have been possessed by our company 
are not granted by the document.
‐ Our company shall not be liable to a damage which attributes to the use of the product data, 
figures, tables, programs, algorithms, and circuit application examples which are presented in this 
document and to violation of rights possessed by third parties.
‐ The product data, figures, tables, programs, algorithms, and all other information presented in this 
document are those which were the latest when the document was generated. These are subject to 
change without notice for reasons such as improvement of characteristics. Therefore, before 
purchasing our products, check the latest information with our sales representative.
‐ When using technical information shown in the product data, figures, and tables in this document, 
perform thorough evaluation from the perspective of the entire system besides the technical 
information itself, and judge on your account whether the technical information is applicable. Our 
company shall not be liable to the applicability of our products.
‐ The products described in this document have not been designed and produced for use with 
equipment or system which is operated in an environment which involves human lives. If intending 
to use the products, for special purposes – for example, transportation, medical applications, 
aerospace, nuclear power control, and submarine relay equipment or systems, contact our sales 
representative.
‐ Reprint or reproduction of this document needs our written permission.
‐ For any inquiry about the contents written in this document, contact our sales representative.

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION

2
 Contents

● Features of ISAHAYA ELECTRONICS IGBT Drivers ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・4p

● IGBT Driver Product Tree ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・4p

● What is IGBT? ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・5p

● What is IGBT Driver? ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・5p

● Advantages of Containing Short‐Circuit Protection Circuit ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・6p

● Operation of Short‐Circuit Protection Circuit ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・7p

● Effectiveness of Latch/Timer Reset System in Short‐Circuit Protection Circuit ・・・・・・・・・8p

● Collector Clamp Circuit Operations                ･･････・・・・・・・・・・・・・・・・9p

● Gate Power Supply                     ･････・・・・・・・・・・・・・・・・10p

● Selection of Output Current Capacity of Gate Power Supply ･････・・・・・・・・・・・・・・・・11p

● Derating by Power Consumption or Gate Average Current       ････・・・・・・・ ・・・・・・・・・11p

● Gate Resistance                         ･･･・・・・・・・・・・・・・・・・・・12p

● Gate Driver Selection Guide                ･･・・・・・・・・・・・・・・・・13,14p

● Input Gate Signal Drive Circuit                              ･････・・・・・・・・・・・・・・・・15p

● Wiring for Gate, Emitter and Power Supply             ･･･・・・・・・・・・・・・・・・・・・16p

● Method for Deactivating Short‐Circuit Protection Circuit  ･･･・・・・・・・・・・・・・・・・・・16p

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 Features of ISAHAYA ELECTRONICS IGBT Drivers
Since around 1990, our company has developed and produced hybrid ICs for IGBT module drive to be used in the industrial 
equipment field, and has accumulated experience and accomplishment for over 25 years. The characteristics of our product 
lineup are as follows:

Wide application range
A wide range of products – from 15A current capacity class to 3600A class IGBT modules – are available.

Built‐in short‐circuit protection circuit
Most of our products contain short‐circuit protection circuits which are effective to prevent IGBTs from being damaged in terms 
of short‐circuit.

Wide structure variation
Wide structure variation (e.g., SIL, DIL, and unit type) serves to make your products smaller and to simplify your product 
assembly.

Provision of gate power supplies
Besides gate drive circuits, products which contain gate power supplies are available, so that an appropriate product can be 
chosen depending on equipment design conditions.

Effective to standardization of equipment design
Standardization is essential to improve design efficiency in the present situations where the shortage of analog engineers has 
been claimed.
Design standardization and component standardization are possible by using ISAHAYA ELECTRONICS gate drivers in gate drive 
circuits.

SIL DIL IGBT‐non‐mountable unit type IGBT‐mountable unit type

IGBT Driver Product Tree

VLA507 / VLA513
M57159L / M57959AL
Non‐Built‐in Power  M57962AL / M57962CL
Supply Type VLA520 / VLA531
VLA541 / VLA542
VLA546
Hybrid IC Type
VLA500 / VLA500K
Built‐in Power  VLA502 / VLA551
Supply Type VLA551K / VLA552
VLA554 / VLA567
IGBT Driver

IGBT‐Mountable Unit  Built‐in Power  VLA536 / VLA553

Type Supply Type VLA555 / VLA559

GAU205S‐15252
IGBT‐Non‐Mountable  Built‐in Power  GAU205P‐15252A
Unit Type Supply Type GAU205P‐15402
GAU208P‐15252
GAU212S‐15255
GAU212P‐15255
GAU405P‐15252
GAU605P‐15252

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 What is IGBT?

An IGBT stands for Isolated Gate Bipolar Transistor. (Its element symbol is shown in the figure below.)
It is a power device having a combination of the following good characteristics: large power characteristics of bipolar transistors and 
high‐speed switching and voltage drive characteristics of MOSFET.

Collector

ＣＣＧ

Gate

ＣＣＥ

Applications
ＣＧＥ General‐purpose inverter, UPS, AC servo 
Emitter robot, welding machine, large‐type power 
Charged/discharged current to 
supply unit, solar power generation, wind‐
switch ON/OFF the gate
power generation, induction heating 
equipment, etc.
Cies = CCG + CGE
IGBT is a voltage drive type element.
While an IGBT is a voltage drive type element, charge/discharge for input capacity (Cies) is needed to turn 
on and off the gate because of the presence of capacity between the individual terminals as shown above. 
Therefore, switching an IGBT needs a gate charge/discharge circuit. One gate drive circuit is needed for 
each IGBT element.

What is IGBT Driver?
The figure below is a block diagram which outlines a gate drive circuit.
A gate drive circuit is mainly composed of three sections.
One is an opto‐coupler which electrically isolates signals. Another is an interface circuit which receives and 
amplifies signals which come from the opto‐coupler. The other is a switching transistor which serves to charge 
and discharge the IGBT gate capacity.
When an IGBT is switched on, the gate voltage needs positive bias to 15V. When it is switched off, the gate 
voltage needs negative bias to around ‐10V.
The gate capacity charge and discharge which are needed at this time must be executed at high speed.
The ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers are hybrid ICs which integrate drive circuits for high‐speed gate capacity 
charge and discharge following reception of signals.
Vcc=+15V
IGBT Module
IGBT Driver

Short‐Circuit 
Detection Circuit
Opto‐coupler
Ig_ON
Interface and
ON/OFF Gate Signal  Amplifier
from Logic IC Ig_OFF
Gate Shutdown 
Circuit

Vee=‐10V
Electrical Isolation  Gate Signal  Current  (‐6 ~ ‐10)
Signal Conversion Amplification Amplification

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 Advantages of Containing Short‐Circuit Protection Circuit

Typically, it is desirable to perform IGBT short‐circuit protection by switching off the gate at 10µs or less.
For the purpose of this high‐speed protection, ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers (with some exceptions) contain short‐
circuit protection circuits. The product can be made smaller by building a gate drive circuit and short‐circuit protection 
circuit in one hybrid IC. As another advantage, since a short‐circuit detection circuit and gate shutdown circuit are 
immediately near a gate drive circuit, coordination among the circuits is easy: immediately after short‐circuit is detected, 
gate output can be shut down easily.
If a gate drive circuit and detection circuit are placed separately and detected signals are sent to an input‐side CPU to stop 
gate signals, it may take time to switch off the gate and thus it is highly probable that element damage is resulted.

Short‐Circuit Protection Circuit
Vcc
4
Detection  Detection Terminal IGBT 
Latch 1 Module
Circuit
14
Timer and 
Reset Circuits
RG
Interface and 5
Amplifier Vo
Gate 
Opto‐coupler Shutdown  8 Alarm Output
Circuit
13
6 VEE

VLA542‐01R (Representative Model) Function Block Diagram

6
 Operation of Short‐Circuit Protection Circuit
The short‐circuit protection circuit built in the IGBT driver recognizes short‐circuit status and immediately lowers the gate voltage 
when the gate output is ON and the collector voltage of the IGBT is high. At the same time, the protection circuit makes alarm signals 
be output from the alarm output terminal at “L” to tell that the protection circuit is functioning.
The figure below shows an example of operation waveform generation which takes place when short‐circuit occurs after the IGBT is
switched on.
When short‐circuit occurs, the collector current increases rapidly, followed by the increase of the collector voltage. The output of the 
comparison circuit shown in the short‐circuit protection circuit function block diagram below is reversed due to increase of the
collector voltage, and the latch and timer circuits start to operate, switching on Q1. Then, the Vout decreases slowly, resulting in slow 
decrease of the IGBT gate voltage and soft shutdown. Soft shutdown which decreases the gate voltage slowly suppresses increase of 
surge voltage which is generated when the short‐circuit current of is IGBT is shut down. The short‐circuit protection circuit of the 
IGBT driver does not directly monitor the collector current of the IGBT: it monitors the voltage of the VCE. Therefore, note that high‐
precision detection protection is not possible.

IC
VCE
Short‐circuit 
occurrence 
point

VCE: Large
(Detection)

VGE

Soft gate shutdown for suppression of surge voltage

Alarm output voltage

Vcc (15V)

4 FRD
Vref
RP1H (Sanken) etc.
1

Vf × n
Comparison 
Circuit Vout
Interface and 5 VCE
Amplifier
Latch 
and  8 Alarm Output
Timer
Q1  Csoft

VLA542 Short‐Circuit Protection Circuit Function Block Diagram VEE (‐10V)

The protection is performed by switching off the IGBT through the following sequence: short‐circuit occurrence ‐> VCE voltage 
increase ‐> comparison circuit reverse ‐> Q1 turn on ‐> Vout (VGE) voltage decrease ‐> alarm output start ‐> IGBT turn off.

The VCE voltage output when short‐circuit is actually detected is resulted from the following equation: Vref (approx. 9.5V) – Vf
x n (where n is normally 1).
The data sheet shows 15V (minimum) as the short‐circuit detection voltage VSC. This designates that detection is certainly 
possible at 15V or higher voltage.

The Csoft in the figure above is built in the gate driver. However, some products allow the gate decrease speed to be 
adjusted by connecting Csoft to an external terminal and connecting an external capacitor to the terminal.
See the product list in the “Gate Driver Selection Guide” section which is presented later.

7
 Effectiveness of Latch/Timer Reset System in Short-Circuit Protection Circuit
This section describes the characteristics of the short‐circuit 
Short‐Circuit Protection Circuit Operation Flow 
protection circuit of ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers. Once 
the short‐circuit protection circuit starts to function, it shuts  (Example of a representative model, VLA542‐01R) 
down the gate output and keeps alarm output, causing the latch 
status. This status is canceled if the input signal is OFF when  Start
specific time elapses after the activation of the short‐circuit 
protection circuit. Then, gate output depending on input signals 
becomes possible. If the input signal is ON when specific time  Detection of short‐circuit 
elapses, the latch status is not canceled: it is canceled when the  status
signal becomes OFF.
The flowchart shown to the right shows the operation flow 
regarding short‐circuit detection by VLA542, which is a  Gate output shutdown
representative model that contains this system. The upper time  Timer operation start
chart presented below shows the relationship between the  Alarm output Timer 
VLA542 input signals and gate output. 1 to 2ms
The lower time chart shows an operation example of a system 
which is reset through pule‐by‐pulse.
As shown in the upper time chart, on the latch/timer system, the  Timer end
latch status is resulted after activation of the protection circuit 
and shutdown of the gate output. Therefore, during this period, 
gate output is not made no matter how much input signals are 
received. For this reason, it is possible to safely stop the entire 
equipment by sending error signals to the microcomputer during  Is the input signal 
this period to stop gate signals. OFF?
However, for the pulse‐by‐pulse system shown in the lower time 
chart, resetting is made when the gate signal is OFF even after  The latch status is 
the gate output is decreased for protection. Thus, when the next  The alarm is cleared.
canceled.
gate signal is received, gate output is made and short‐circuit may  Gate output is possible.
be induced again. Therefore, it is necessary to stop gate signals 
by informing the microcomputer of an error at very high speed.
For the reason above, the latch/timer reset signal eases 
protection operations which are not tight on time.

Latch/Timer Reset Method (Mainstream of ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers)

Input Gate Signal

The gate shutdown status is kept until the timer time 
elapses, irrespective of input gate signals. The 
microcomputer is allowed to stop signals well in advance.
Gate Output

Ordinary Pulse‐by‐Pulse Reset Method

Input Gate Signal

Gate Output

The gate is turned on for each gate signal input, and thus short‐
circuit is repeated, resulting in IGBT damage unless the short‐
circuit status is canceled.
For this system, input signals must be stopped before the next gate 
rise.

Note: Some of our products have employed the pulse‐by‐pulse method as exceptions: check with the 
function block diagrams in the data sheets. For products with the latch/timer reset method, a latch circuit 
and a detection circuit are used as a suite.

8
 Collector Clamp Circuit Operations
In recent years, collector clamp built‐in units for driving large‐capacity IGBT modules have been developed. This section describes 
the operations of the collector clamp circuit that is built in the VLA553, which is a representative model.
The figure below shows operation waveforms of the gate voltage and collector voltage which are generated when the IGBT is 
turned off.
The collector voltage portion which jumps from the main‐power supply voltage attributes to the stray inductance of the main 
circuit. As the current value becomes larger when the IGBT is turned off, the degree of the jump becomes larger.
If the maximum voltage at that time is beyond the maximum rating of the collector voltage, the IGBT is damaged.
The collector clamp circuit aims to suppress this jump of the collector voltage.

Ls x di/dt
VDC_Link

VCE
This voltage must not exceed the specification of the VCES of the IGBT.

VGE

The portion circled with the dotted line is a collector clamp circuit.
When the IGBT is turned off, the collector voltage increases due to the effect of the stray inductance. When the collector voltage 
exceeds this zener voltage, zener current flow starts and the current is divided into the one which flows to the gate directly and 
the one which flows to the buffer section, eventually resulting in increase of the IGBT gate voltage.
The increase of the gate voltage suppresses the off‐speed of the collector current, resulting in suppression of the di/dt and thus 
suppression of the collector voltage.

Integrative stray inductance of the main wiring Ls
VDC_Link

Iz IC
Collector clamp circuit

Inter
face

Gate voltage increase

VLA553 collector clamp circuit function block diagram

The maximum VCE value is suppressed by the collector clamp circuit.
VCE
VDC_Link

The di/dt is suppressed by the work of the collector clamp circuit.
IC

VGE
9
 Gate Power Supply

In this document, gate power supply refers to a power supply for an IGBT gate drive circuit.
This gate power supply needs isolation‐type +15V and ‐10V power supplies.
Basically, one gate power supply needs a suite of positive and negative power supplies.
Regarding the input‐output isolation voltage of the gate power supply, it is recommended to choose the 
one which is not lower than the isolation voltage of the package of the IGBT module.

IGBT module
IGBT driver P
+15V

‐10V U or V or W
Isolation‐type power supply IGBT driver
(Gate power supply) +15V

N
‐10V

In a case where an isolation‐type power supply is chosen as a gate power supply, try to choose the one having small 
capacitance input to output . If capacitance input to output is large, switching noise of the IGBT is easily sent to the 
input side, possibly resulting in malfunction of the control circuit of the equipment. For ISAHAYA ELECTRONICS VLA106 
series power supplies for example, the capacitance input to output is 35pF (approx.) or less and has long been used for 
IGBT switching without any problems.
The figure below is the function block diagram of an isolation‐type DC/DC converter which employs the flyback
method. Some power supplies which are commercially available contain coupling capacitors between the primary and 
secondary sides as shown in the figure. For the reasons mentioned above, using this type is not recommended.

Transformer

Filter VCC

Constant 
Base drive  voltage 
circuit circuit

Overcurrent  GND
protection circuit

Coupling capacitor
Opto‐coupler

It is not recommended as a gate power supply to use the type which contains a coupling capacitor 
between the primary and secondary sides.

10
 Selection of Output Current Capacity of Gate Power Supply
As the output current capacity of the gate power supply, choose the one which allows supply of current which is obtained with
the calculation below:

Io = (ldrive + lcc) x (1 + M)
lo: Output current capacity of the gate power supply
ldrive = Gate average current
lcc: Constant current consumption of the IGBT driver (Read from the characteristic diagram regarding the current consumption 
vs. power supply voltage characteristics in the data sheet.)
M: Margin (0.2 to 0.5)
ldrive = (Q1 + lQ2l) x f
Q1: Gate charge at the time of positive bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
Q2: Gate charge at the time of negative bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
f: Switching frequency

For ISAHAYA ELECTRONICS gate drivers which contain gate power supplies, calculate gate average current (ldrive) with the 
formula below. In the data sheets of the gate drivers having built‐in gate power supplies, the maximum value of the gate average
current has been specified.
ldrive = (Q1 + lQ2l) x f
Q1: Gate charge at the time of positive bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
Q2: Gate charge at the time of negative bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
f: Switching frequency
IGBT Gate Charge vs. Gate Voltage Characteristics

VGE
(V)
15V

Gate charge
Negative bias 
voltage
Q2 Q1

Derating by Power Consumption or Gate Average Current
The gate driver needs derating by power consumption or gate average current.
Regarding ISAHAYA ELECTRONICS products, derating has been specified with power consumption (for products which do not contain 
gate power supplies) or gate average current (for products which contain gate power supplies). The data sheets of the products 
present characteristic diagrams which show power consumption vs. ambient temperature characteristics or ldrive vs.Ta
characteristics. The following calculation results, which depend on use conditions, have to be within the derating curve.

Power consumption of a product not having a built‐in gate power supply can be calculated with the formula below:
Pd = (VCC + lVEEl) x (ldrive + lcc)
VCC: Positive bias power supply voltage of gate
VEE: Negative bias power supply voltage of gate
ldrive: Gate average current
lcc: Constant current consumption of the IGBT driver (Read from the characteristic diagram regarding the current consumption vs.
power supply voltage characteristics in the data sheet.)
ldrive = (Q1 + lQ2l) x f
Q1: Gate charge at the time of positive bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data sheet.)
Q2: Gate charge at the time of negative bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
f: Switching frequency

The gate average current of a product having a built‐in gate power supply can be calculated with the formula below:
ldrive = (Q1 + lQ2l) x f
Q1: Gate charge at the time of positive bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data sheet.)
Q2: Gate charge at the time of negative bias (Read from the characteristic diagram regarding the gate charge in the IGBT data
sheet.)
f: Switching frequency
11
 Gate Resistance

For the gate resistance, choose the one which allows the power value which is calculated with the formula below:

Pd = ldrive (VCC + lVEEl )

Pd: Gate resistance tolerance loss
ldrive: Gate average current
VCC: Positive bias power supply voltage of gate
VEE: Negative bias power supply voltage of gate

Calculate gate average current ldrive with the formula below:

ldrive = (Q1 + lQ2l) x f
Q1: Gate charge at the time of positive bias (Read from the IGBT data sheet.)
Q2: Gate charge at the time of negative bias (Read from the IGBT data sheet.)
f: Switching frequency

The gate resistance value is to be determined, based on the value presented in the data sheet of the IGTB to be used. 
Generally, as the resistance value is made smaller, the switching noise of the IGBT and the surge voltage of the 
collector become larger: however, the switching loss in the element decreases. As the resistance value is made larger, 
the switching noise and the collector surge voltage become smaller: however, the switching loss in the element 
increases.
Generally, a resistance value larger than the minimum value indicated by the manufacturer is chosen to suppress the 
switching noise and collector surge voltage.
Regarding the gate driver, the minimum value of the gate resistance has been indicated in the electric characteristics 
columns on the data sheets. Choose a value which is larger than the indicated one.

The peak gate current can be calculated with the formula below:

VCC + lVEEl
Igpeak =
( RG + RG_in + α )

Igpeak Peak gate current
VCC       Positive bias power supply voltage
VEE      Negative bias power supply voltage
RG        External‐gate resistance value
RG_in Gate resistance value in the IGBT module
α           Factors such as gate, emitter wiring inductance, and gate driver output Tr switching delay

RG_in differs depending on the IGBT module model and may not be indicated in the data sheet of the IGBT.
It is difficult to calculate  accurately, and thus the formula below can be used for approximate calculation.

VCC + lVEEl
Igpeak = × A             *A: 0.4 to 0.8
RG 

Eventually, it is necessary to check with an actual product that the peak value of the gate current does not exceed the 
maximum rating of the output peak current of the driver

12
 Gate Driver Selection Guide

When choosing an ISAHAYA ELECTRONICS IGBT driver model, determine the following items first.

‐ Isolation Voltage
Determine based on the isolation voltage of the package of the IGBT module to be used.

‐ Output peak current
Choose so that the peak value of the gate current of the IGBT module does not exceed the maximum rating of the 
output peak current of the gate driver.
The peak gate current can be calculated with the formula below:

VCC + lVEEl
Igpeak =
( RG + RG_in + α )

Igpeak Peak gate current
VCC      Positive bias power supply voltage
VEE      Negative bias power supply voltage
RG        External‐gate resistance value
RG_in Gate resistance value in the IGBT module
α           Factors such as gate, emitter wiring inductance, and gate driver output Tr switching delay
RG_in differs depending on the IGBT module model and may not be indicated in the data sheet of the IGBT.
It is difficult to calculate α accurately, and thus the formula below can be used for approximate calculation.

VCC + lVEEl
Igpeak = × A             *A: 0.4 to 0.8
RG 

Eventually, it is necessary to check with an actual product. If the maximum rating of the output peak current of 
the driver is exceeded, it is necessary to lower the external‐gate resistance value or change the gate driver to 
the one whose output current is one‐level higher.
By choosing a driver whose output peak current value is larger than required, higher flexibility is allowed for 
external‐gate resistance value selection.

‐ Short‐circuit protection circuit built‐in/not built‐in
The ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers with some exceptions contain short‐circuit protection circuits. Some 
IGBTs have not been warranted by their manufacturers. Those products may be damaged when short‐circuit 
occurs, even if a short‐circuit protection circuit is used: you may use a driver which does not contain a short‐
circuit protection circuit or deactivate the protection function of a driver which contains a short‐circuit protection 
circuit. For the method for deactivating the protection function, see “Method for deactivating the short‐circuit 
protection circuit” described later.

‐ Gate power supply built‐in/not built‐in
Determine which is to be chosen between a product that contains a gate power supply and a product that does 
not contain it. Choosing a product that contains a gate power supply releases you from the burden of power 
supply design and also eases circuit board design. If intending to design a power supply on your own, choose a 
product which does not contain a power supply.

‐ Soft shutdown speed adjustment at the time of short‐circuit protection activation
The products which contain short‐circuit protection circuits are originally equipped with a soft shutdown function. 
Products equipped with a function which decreases the speed further are also available. This function is effective 
to suppress collector surge voltage which becomes especially large when short‐circuit current is shut down in a 
large‐capacity IGBT (1000A class or higher).

‐ Number of built‐in drive circuits
While most of the products contain a single gate drive circuit, some products contain two gate drive circuits.

From the product list on the next page, choose an appropriate model, based on the specifications and functions
determined above.

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 IGBT Driver Product List “Yes” in the table designates that the model supports the relevant item.

Output  Built‐in Gate Power  Soft Shutdown Speed 

Isolation  Short‐Circuit  Number of 
Peak  Supply Adjustment at the Time 
Type Name Voltage  Protection  Built‐in Drive  Notes
Current  (Maximum gate average  of Short‐Circuit 
(Vrms) Circuit Circuits
(A) current per circuit) Protection Activation
VLA507 2500 3 ‐ ‐ ‐ 1
VLA513 2500 5 ‐ ‐ ‐ 1
M57159L 2500 1.5 Yes ‐ ‐ 1
M57959AL 2500 2 Yes ‐ ‐ 1
M57962AL 2500 5 Yes ‐ ‐ 1
M57962CL 2500 5 Yes ‐ Yes 1
Built‐in opto‐coupler 
VLA520 2500 5 Yes ‐ ‐ 1
for alarm
Protection circuit 
VLA531 2500 2.5 Yes ‐ ‐ 1
pulse‐by‐pulse reset
Compatible with 
VLA541 2500 3 Yes ‐ ‐ 1
M57959AL
Compatible with 
VLA542 2500 5 Yes ‐ ‐ 1
M57962AL
Compatible with 
VLA546 4000 5 Yes ‐ Yes 1
M57962CL
VLA551 2500 5 Yes Yes（100mA) Yes 1
VLA551K 4000 5 Yes Yes(100mA) Yes 1
VLA567 2500 8 Yes Yes(100mA) Yes 2
VLA500 2500 12 Yes Yes(210mA) Yes 1
High‐speed model of 
VLA502 2500 12 Yes Yes(210mA) Yes 1
VLA500
VLA500K 4000 12 Yes Yes(210mA) Yes 1
VLA552 4000 24 Yes Yes(210mA) Yes 1
For fiber optic 
VLA554 4000 24 Yes Yes(210mA) Yes 1
interface
* Products whose type names start with M5 began to be sold many years ago. While stop of their production is not 
scheduled as of August 2014, it is recommended to choose products whose type names start with VLA.

For some of the products listed in the table above, circuit boards for evaluation are available. See the table below for the utilization.
All of the listed products contain a gate power supply.

IGBT‐Non‐Mountable Drive Unit Product List “Yes” in the table designates that the model supports the relevant item.
Isolation  Isolation  Short‐Circuit  Maximum Gate  Soft Shutdown Speed Adjustment  Number of 
Type Name Voltage  Voltage  Protection  Average Current per  at the Time of Short‐Circuit  Built‐in Drive  Built‐in HIC
(Vrms) (Vrms) Circuit Circuit Protection Activation Circuits

GAU205S‐15252 2500 5 ‐ 90mA ‐ 2 VLA513/VLA106

GAU205P‐15252A 2500 5 Yes 85mA ‐ 2 VLA542/VLA106

GAU208P‐15252 2500 8 Yes 100mA Yes 2 VLA567

GAU205P‐15402 4000 5 Yes 100mA Yes 2 VLA551K
GAU212S‐15255 2500 12 ‐ 210mA ‐ 2 VLA502
GAU212P‐15255 2500 12 Yes 210mA Yes 2 VLA500
GAU405P‐15252 2500 5 Yes 100mA Yes 4 VLA551
GAU605P‐15252 2500 5 Yes 100mA Yes 6 VLA551
*VLA106 in the Built‐in HIC column in the table is an HIC for gate power supply

ISAHAYA ELECTRONICS has commercialized HIC‐centered built‐in type drive units, for specific IGBT modules. Be careful that 
these units support only certain IGBT modules. 

IGBT‐Mountable Drive Unit Product List “Yes” in the table designates that the model supports the relevant item.
Isolation  Output  Short‐Circuit  Maximum Gate 
Number of Built‐
Type Name Voltage  Peak  Protection  Average Current per  Built‐in HIC Supporting IGBT
in Drive Circuits
(Vrms) Current (A) Circuit Circuit
Mitsubishi NX 2in1
VLA536‐01R 2500 5 Yes 83mA 2 VLA520/VLA106
EconoDual
VLA553‐01R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 CM2500DY‐24S
VLA553‐02R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 CM1800DY‐34S
VLA555‐01R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 CM2500DY‐24S
VLA555‐02R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 CM1800DY‐34S
VLA559‐01R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 PrimePack 1200V series
VLA559‐02R 4000 24 Yes 210mA 2 VLA552 PrimePack 1700V series
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 Input Gate Signal Drive Circuit
For most of the ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers, the gate signal input section is equipped with an opto‐coupler for the 
purpose of electrical isolation between the input and output sides: this can be identified with the function blocks in the 
product data sheets.
When the input LED is turned on, the gate output is turned on. For a drive circuit which causes this ON current to flow, the 
internal resistance is set so that appropriate amount of current flows when directly driven by a CMOS‐type IC, at 5V pull‐up 
power supply voltage. Therefore, an external limiting resistor is not needed to drive with a 5V circuit. If it is absolutely 
necessary to drive with a 15V circuit, an external limiting resistor needs to be attached as shown in the diagram below.
The function block diagrams on the data sheets of the individual products show limiting resistance values of the internal LED
current. Set an external resistance value so that the LED current falls in the range recommended as an electrical characteristic
in the data sheets.
As an IC which drives LED current, it is not recommended to use the one whose output is open collector or open drain type: 
on these types, the terminal voltage becomes unstable when the status is OFF. Use a totem‐pole output type having CMOS 
output, such as HC04.
Regarding gate signal wiring pattern, make the area surrounded by wiring as small as possible to minimize the effect of 
electromagnetic induction noise: this is also true of wiring from the CPU to the drive IC.

Representative HIC: VLA542/VLA541/VLA567
Case where pull‐up line voltage VIN = 5V
Vf ：1.5V
VIN : 5V VCC

HC04 etc. 1k Ω PC Detection

VIN
Latch
Vo
(Note) Interface
Gate signal from  IN1 Timer
the CPU            
240 Ω Gate shutdown 
IF:12~13mA F.O.
VoL: Approx. 0.5V VEE
(HC04)

Representative HIC: VLA542/VLA541/VLA567
Case where pull‐up line voltage VIN = 15V
Vf ：1.5V
VIN : 15V VCC
Totem‐pole output type IC PC Detection
Rout VIN 1k Ω
M81711FP, MAX626 etc.
Latch
Vo
(Note) Interface
Gate signal from  IN1 Timer
the CPU             
240 Ω Gate shutdown 
IF:12~13mA F.O.
VEE

IF = (15‐1.5‐VoL) / (240 + Rout )  * Adjust the Rout so that the LED current is 12 to 13mA.

Note: Design the wiring pattern so that the area surrounded by the input signal line becomes as small as 
possible to minimize the effect of electromagnetic induction noise.

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 Wiring for Gate, Emitter and Power Supply
Regarding IGBT gate and emitter wiring, minimize the effect of electromagnetic induction noise by, for example, connecting by
means of twisted pair wires. Design the wiring pattern so that the area surrounded by the gate driver power supply wiring 
becomes as small as possible. Especially make every effort to place power supply voltage compensation capacitors very close to 
the VCC and VEE terminals of the gate driver.

Gate driver VCC

VEE Twisted pair wires

Power supply voltage compensation capacitor

Method for Deactivating Short‐Circuit Protection Circuit 
Most of the ISAHAYA ELECTRONICS IGBT drivers contain a short‐circuit protection circuit. The protection circuit can be 
deactivated with the following method in a case where it need not be used because of initial evaluation or for design 
convenience.
As shown in the diagram below, connect the detection terminal to the GND level of the gate power supply via a 4.7kΩ resistor. At
this time, FRD for connection from the detection terminal to the IGBT collector and protection zener diode are not needed. 
Moreover, the alarm output terminal can be made open.

Short‐circuit protection circuit Detection terminal

Vcc
4
Latch Detection 
circuit 1
14 4.7kΩ
Timer and  1/4W
reset 
circuits RG
Interface and
Vo
5
amplifier

Opto‐coupler Gate 
shutdown  8
circuit
13 Alarm output terminal
6
VEE
Example of VLA542‐01R (representative model)

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