‫خودآموز نرم افزار تحلیل قطعات‬

‫نیمه هادی‬
‫‪SILVACO‬‬
‫محمد مهدی خاتمی‬
‫تحت نظارت دکتر مجید شالچیان‬

‫دانشکده مهندسی برق و الکترونیک‬

‫پاییز ‪1394‬‬
‫‪ -‬نرم افزار سیلواکو نرم افزار قدرتمندی در زمینه شبیه سازی قطعات الکترونیکی نیمه هادی و‬
‫همچنین تحلیل رفتاری این قطعات میباشد که در حوزه افزاره قطعات الکترونیک ایفای نقش میکند‪.‬‬
‫‪ -‬در این خودآموز ما با قابلیت های تحلیل قطعات الکترونیکی از این نرم افزار آشنا میشویم‪.‬‬
‫‪ -‬ابزارهای مختلفی به صورت زیرمجموعه های این نرم افزار قرار دارند که از آنها میتوان به ابزار‬
‫‪ DeckBuild‬و ‪ TonyPlot‬اشاره کرد‪.‬‬
‫‪ -‬خود ابزار ‪ DeckBuild‬به قسمت های ‪ Athena‬و ‪ Atlas‬تقسیم بندی میشود‪.‬‬
‫‪ Athena -‬به منظور خلق یک قطعه الکترونیکی در محیط شبیه سازی از طریق اعمال پارامترهای‬
‫تکنولوژی ساخت میباشد و در انتها ابعاد و خواص قطعه ساخته شده را تحت شبیه سازی شرایط‬
‫ساخت اعمال شده میدهد و ‪ Atlas‬به منظور شناساندن ابعاد قطعه و الیه های مختلف آن به منظور‬
‫دستیابی به عملکرد قطعه در مدار الکترونیکی میباشد‪.‬‬
‫‪ -‬در این خودآموز ما با روند ‪ Atlas‬آشنا میشویم و یک قطعه مشخص را به کمک آن برای نرم افزار‬
‫تعریف میکنیم و به کمک نرم افزار آن را مشخصه یابی میکنیم‪.‬‬
 ‫‪ -‬در این خودآموز نحوه بهره گیری از تحلیل گر قطعات ‪ ATLAS‬را فرا میگیریم‪.‬‬
‫‪ -‬ورودی این تحلیل گر هم میتواند یک فایل فراخوانی شده از خروجی ‪ ATHENA‬باشد و هم‬
‫میتواند به صورت مستقیم قطعه مورد نظر را باتعریف ابعاد و نواحی و مواد بکار رفته و ‪ ...‬به ابزار‬
‫شناساند‪.‬‬
‫‪ -‬خروجی ‪ ATLAS‬را هم میتوان بطور مستقیم از پنجره ‪ Output‬استخراج کرد و یا میتوان به‬
‫صورت فایل های الگ ذخیره کرد و با ابزار های ‪ TonyPlot‬مشخصه های رفتاری را رسم کرد‪.‬‬
‫مطابق شکل زیر ابزار ‪DeckBuild‬‬
‫را اجرا میکینم و در این خودآموز از‬
‫این ابزار کمک گرفته و آن را بهتر‬
‫میشناسیم‪.‬‬
‫‪ -‬ابزار در محیطی به صورت زیر دیده‬
‫میشود که از دو پنجره تشکیل شده‬
‫است‪ .‬پنجره دستورات و پنجره نتایج‬
‫خروجی‬
‫‪ -‬اگر بخواهیم از این ابزار به منظور‬
‫تعریف یک قطعه از لحاظ ابعاد و الیه ها‬
‫و جنس الیه ها و ‪ ...‬استفاده کنیم و از ان‬
‫نتایج تحلیلی مداری را بدست بیاوریم در‬
‫ابتدای دستورات همانطور که نشان داده‬
‫شده است از دستور ‪ go atlas‬استفاده‬
‫میکنیم‪.‬‬
‫‪ -‬در ادامه خود آموز روند صحیح تعریف‬
‫یک قطعه برای ابزار را توضیح میدهیم و‬
‫در انتها یک قطعه را به صورت موردی‬
‫تعریف و تحلیل خواهیم کرد‪.‬‬
 ‫نحوه نوشتن دستورات در اطلس‪:‬‬
‫‪ -‬به کوچک و بزرگ حساس نیست‬
‫‪ -‬حداکثر ‪ 256‬کاراکتر در هر خط‬
‫‪ -‬با اسلش میتوان دوخط پشت سر هم را مربوط ساخت’\’‬
‫‪ -‬عالمت هش در ابتدا به معنای خطوط توضیحی‬
‫‪ -‬استفاده از مختصر نویسی ‪ conc‬به جای ‪ concentration‬ویا ‪ R‬به جای ‪Region‬‬
‫دستورات به ترتیب زیر برای ابزار نوشته میشود‪:‬‬
‫مش بندی ابعاد قطعه مورد نظر‬
‫تعریف ناحیه های مختلف قطعه‬
‫تعریف الکترود های متصل به قطعه‬
‫تعریف دوپینگ های در نظر گرفته شده برای هر ناحیه‬

‫ماده عمده بکار رفته در قطعه‬

‫مدل قطعه‬
‫اتصاالت فیزیکی و مداری‬

‫روش تحلیل ریاضی قطعه‬

‫ذخیره سازی تنایج تحلیل در فایل های الگ و ‪...‬‬

‫استفاده از نتایج ذخیره شده در رسم مشخصه های مداری‬

‫‪ -‬کد ها را میتوان در خود ابزار نوشت و ذخیره کرد و یا میتوان یک فایل تکست با پسوند ‪Name.in‬‬
‫ایجاد کرد و آن در یک پوشه مشخص به همراه مابقی فایل هایی که در ادامه گفته خواهد شد‪ ,‬ذخیره‬
‫کرد‪.‬‬
‫‪ -‬در این خودآموز در نظر داریم یک پیوند ‪ pn‬را مورد بررسی قرار دهیم‪ .‬همانطور که میدانید پیوند ‪pn‬‬
‫اصل و مبدا تمامی قطعات نیمه هادی میباشد بدین معنا که اگر شما تسلط کافی بر روی این پیوند‬
‫بدست بیاورید بعد از آن میتوانید رفتار تمامی قطعات را تحلیل کنید و یا قطعه ای با خواص جدید را‬
‫معرفی کنید‪.‬‬
‫‪ -‬در ادامه یک دیود سیلیکانی ‪ pn‬را تحت این نرم افزار شبیه سازی کرده و مشخصه ولتاژ‪-‬جریان آن را‬
‫استخراج میکنیم‪.‬‬
‫‪ -‬همچنین در حین بررسی‪ ,‬نحوه نگارش صحیح دستورات را با شرح و تفضیل خواهیم داشت‪.‬‬
‫در این قسمت نمایی از برنامه‬
‫نوشته شده دیود سیلیکون را‬
‫مشاهده میکنید و در ادامه‬
‫تمامی خطوط برنامه شرح‬
‫داده خواهد شد‪.‬‬
#host:Amirkabir University / Electronic Engineering Faculty evsatmod=0 hvsatmod=0 bgn print temperature=300
#Supervision By Dr.Shalchian #set work function of gate
#October 2015 9:contact name=Kathode neutral
# Self Study / Pn junction behavior contact name=Anode neutral
1:go atlas 10:method newton
2:mesh space.mult=1.0 11:save outf=main1.str
x.mesh loc=0 spac=0.1 #solve
x.mesh loc=5 spac=0.1 12:solve init
y.mesh loc=0.0 spac=0.1 13:log outf=main1.log
y.mesh loc=0.15 spac=0.1 14:solve vAnode=0 vstep=0.01 vfinal=1 name=Anode
y.mesh loc=0.5 spac=0.1 solve vKathode=0 name=Kathode
3:region number=1 x.min=0 x.max=5 y.min=0 y.max=0.5 material=Silicon 15:extract init inf="main1.log"
4:electrode name=Kathode number=1 x.min=0 x.max=5 y.min=0 y.max=0 log off
electrode name=Anode number=2 bottom # plot results
5:doping uniform conc=9.5e13 p.type direction=y regions=1 16:tonyplot main1.log
6:doping gaussian characteristic=0.1 conc=1e15 n.type x.left=0 x.right=5 17:tonyplot main1.str
y.top=0 lat.char=4 direction=y
18:quit
7:Material material=si EG300=1.12
8:models auger srh conmob b.electrons=2 b.holes=1 \
‫‪1:go atlas‬‬
‫‪2:mesh space.mult=1.0‬‬
‫‪x.mesh loc=0‬‬ ‫‪spac=0.1‬‬
‫‪x.mesh loc=5‬‬ ‫‪spac=0.1‬‬
‫‪y.mesh loc=0.0‬‬ ‫‪spac=0.1‬‬
‫‪y.mesh loc=0.15‬‬ ‫‪spac=0.1‬‬
‫‪y.mesh loc=0.5‬‬ ‫‪spac=0.1‬‬
‫‪3:region number=1 x.min=0 x.max=5 y.min=0 y.max=0.5 material=Silicon‬‬

‫‪ :1‬در ابتدای کار باید اطلس فراخوانی شود‪.‬‬

‫‪ :2‬مش بندی بدین معناست که ابتدا طول و عرض قطعه مورد نظر را تعیین میکنیم و سپس‬
‫مشخص میکنیم محاسبات نرم افزاری در چه گره هایی از مش تعریف شده انجام شود‪ .‬هرچقدر‬
‫این گره ها بیشتر و زیر تر باشند نتایج بدست آمده دقیق تر است‪.‬‬
‫‪ :3‬در این قسمت نواحی مختلف را تعریف میکینم‪ .‬بطور مثال اگر از اکسید هم در ساختار‬
‫استفاده میکردیم یک ناحیه با گوشه های مشخص نیز با شماره ‪ 2‬برای ‪ oxide‬تعریف میکردیم‪.‬‬
‫‪4:electrode name=cathode number=1 x.min=0 x.max=5 y.min=0 y.max=0‬‬
‫‪electrode name=Anode number=2 bottom‬‬
‫‪5:doping‬‬ ‫‪uniform conc=9.5e13 p.type direction=y regions=1‬‬
‫‪6:doping gaussian characteristic=0.1 conc=1e15 n.type x.left=0 x.right=5‬‬ ‫‪y.top=0‬‬
‫‪lat.char=4 direction=y‬‬

‫‪ :4‬الکترودها اتصاالت فلزی در ساختار نیمه هادی ما هستند که با اتصال کانتکت به انها میتوان از‬
‫خارج از قطعه به بخش های مختلف آن ولتاژ اعمال کرد‪ .‬الکترودها نیز در طول و عرض مشخص‬
‫شده تعریف میشوند‪.‬‬
‫‪ :5‬در قسمت دوپینگ میزان ناخالصی ها مشخص میشود‪ .‬این دوپینگ به صورت یکنواخت با تمرکز‬
‫‪ 9.5e13‬و از نوع نیمه هادی ‪ p‬میباشد که در جهت ‪ y‬در ناحیه ‪ 1‬اعمال میشود‪.‬‬
‫‪ :6‬در این قسمت دوپینگی با پروفایل از نوع گوسی و ثابت گوسی ‪ 0.1‬و به میزان ‪ 1e15‬و بطور‬
‫کامل از چپ تا راست و از لبه باال با میزان نفوذ عرضی ‪ 4‬و در جهت ‪ y‬اعمال میشود‪.‬‬
‫در حقیقت زمانی که یک قطعه ساخته میشود در بستری که در شکل زیر نشان داده شده است‬
‫قسمتی تحت نفوذ قرار میگیرد و خاصیت ماده از ‪ P‬به ‪ n‬ویا برعکس عوض میشود‪ .‬اما در‬
‫مراحل مقدماتی تحلیل قطعات نیمه هادی ما لبه های قطعه را نامحدود در نظر میگیریم و در‬
‫نفوذ ناخالصی در بستر متغییر نفوذ عرضی را چنان انتخاب میکنیم که گویی تمام سطح به طور‬
‫یکنواخت ناخالص شده است‪.‬‬
‫پارامتر نفوذ عرضی در دستورات ابزار‬
‫‪lat.char=1‬دیده‬ ‫تحت عنوان‬
‫میشود‪.‬‬
‫‪doping gaussian‬‬
‫‪characteristic=0.1‬‬
‫‪conc=1e15 n.type x.left=2‬‬
‫‪x.right=3 y.top=0‬‬
‫‪lat.char=1 direction=y‬‬
‫همچنین پنجره نفوذ ناخالصی از ‪ 2‬تا‬
‫‪ 3‬میکرون در نظر گرفته شده است‪.‬‬
‫اگر این پارامتر را زیاد کنیم کل سطح یکنواخت ناخالص میشود‪ .‬مقدار عددی این پارامتر با‬
‫عرض قطعه رابطه دارد‪.‬‬
‫‪doping gaussian‬‬
‫‪characteristic=0.1‬‬
‫‪conc=1e15 n.type x.left=0‬‬
‫‪x.right=5 y.top=0‬‬
‫‪lat.char=4 direction=y‬‬
‫در این حالت پنجره نفوذ ناخالصی از‬
‫‪ 0‬تا ‪ 5‬میکرون در نظر گرفته شده‬
‫است‪.‬‬
‫‪7:Material material=si EG300=1.12‬‬
‫\ ‪8:models auger srh conmob b.electrons=2 b.holes=1‬‬
‫‪evsatmod=0 hvsatmod=0 bgn print temperature=300‬‬
‫‪9:contact‬‬ ‫‪name=cathode neutral‬‬
‫‪contact‬‬ ‫‪name=anode neutral‬‬
‫‪10:method newton‬‬
‫‪11:save outf=main1.str‬‬
‫‪:7‬ماده بکار رفته در بستر سیلیکون با تراز انرژی ‪ 1.2ev‬در دمای ‪ 300‬کلوین است‪.‬‬
‫‪ :8‬در این قسمت مدل های پروفایل های مخالف را برای ابزار تعریف شده است تا بوسیله انها ساختار‬
‫تعریف شده را پایه زیری کند‪.‬‬
‫‪ :9‬جنس اتصاالت هم قابل تعریف است بطور مثال میتوان از پالی سیلیکون هم در اتصاالت استفاده‬
‫کرد‪.‬‬
‫‪ :10‬روش نیوتن از روشهای حل معادالت میباشد که تعریف شده است‪.‬‬
‫‪ :11‬ساختارهای تعریف شده را در فایل هایی به گونه ای که گفته شده با پسوند ‪ name.str‬ذخیره‬
‫میکنیم و در ادامه این ساختار های تعریف شده را بوسیله ابزار ‪ TonyPlot‬از زیر مجموعه ابزارهای‬
‫‪ SILVACO‬رسم میکنیم‪.‬‬
‫‪12:solve init‬‬
‫‪13:log outf=main1.log‬‬
‫‪14:solve vanode=0 vstep=0.01 vfinal=1 name=anode‬‬
‫‪solve vcathode=0 name=cathode‬‬
‫"‪15:extract init inf="main1.log‬‬
‫‪log off‬‬
‫‪ :12‬در ابتدای پیکربندی قسمت محاسباتی نوشته میشود‪.‬‬
‫‪ :13‬جواب محاسبات ریاضی برای رسم توسط ‪ TonyPlot‬باید در فایلی ذخیره شود که در ابن‬
‫قسمت این فایل قبل از پیکربندی محاسبات ایجاد شده و نتایج در آن قید میگردد‪.‬‬
‫‪ :14‬برای اتصاالت فلزی که برای قطعه تعریف کردیم از خارج از قطعه ولتاژهایی را اعمال میکنیم و‬
‫این ولتاژها به روشی که نوشته شده است قابل سوئیپ کردن با پله های مشخص شده میباشد‪.‬‬
‫‪ :15‬نتایج فایل الگ فراخوانی شده و با دستور ‪ log off‬در این فایل ذخیره میشود‪.‬‬
‫‪# plot results‬‬
‫‪16:tonyplot main1.log‬‬
‫‪17:tonyplot main1.str‬‬
‫‪18:quit‬‬
‫‪ :16‬ابزار ‪ TonyPlot‬از فایل الگ که شما تعریف کرده اید مشخصه ولتاژ‪-‬جریان دیود را رسم میکند‪.‬‬
‫‪ :17‬ابزار ‪ TonyPlot‬از فایل ساختار که شما تعریف کرده اید ساختار قطعه را رسم میکند‪.‬‬
‫‪ :18‬خط پایان برنامه‪.‬‬
 ‫نحوه بکارگیری قابلیت های ابزار ‪TonyPlot‬‬
‫بر روی صفحه رسم شده با کلیک راست و گزینه ‪ Display‬پنجره نشان داده شده را باز کنید‪.‬‬
 ‫در این صفحه میتوان اسکیل محورهای افقی و عمودی با خطی و یا لگاریتمی انتخاب کرد‪.‬‬
‫همچنین متغییر های این محورها هم قابل انتخاب است که برای محور افقی ولتاژ اعمال شده به‬
‫دیود و برای محور عمودی جریان بوجود آمده در دیود را انتخاب و رسم کردیم‪.‬‬
‫همچنین در صفحه ساختار رسم شدهربا کلیک راست و گزینه ‪ Display‬پنجره نشان داده‬
‫شده را باز کنید‪ .‬میتوانید مش بندی و نواحی اتصال و عناصر بکار رفته و پروفایل ناخالصی‬
‫عناصر و عمق اتصال و الکترودهای بکار رفته را مشاهده کنید که با کلیک چپ فعال میشوند‪.‬‬
‫سمت چپ مش بندی و عمق اتصال پیوند ‪ pn‬و محل قرار گیری الکتروها را مشاهده میکنید‪.‬‬
‫سمت راست تمرکز ناخالصی ‪ n‬و ‪ p‬را در جهت عمق اتصال مشاهده میکنید‪.‬‬
‫همچنین میتوانید از قسمت ‪ Help‬ابزار به مثال های متنوع موجود در ابزار دسترسی پیدا کرده و‬
‫روند آنها را مرور کرده و با روش های بکار گفته شده بیشتری آشنا شوید‪.‬‬

‫در این خودآموز نحوه بکارگیری ابزار‬

‫‪ SILVACO‬را در تحلیل قطعات نیمه‬
‫هادی را بطور کامل آشنا شدید‪.‬‬
‫در ادامه میتوانید مطالعات و شبیه سازی‬
‫های خود را بر روی این پیوند بیش از پیش‬
‫تقویت کنید‪ .‬بطور مثال اثرات تغییرات‬
‫ابعادی در جریان دهی و همچنین اثرات‬
‫ناخالصی ها و انواع آنها و بایاس های‬
‫مختلف را بررسی کنید‪.‬‬
‫همچنین میتوانید به کمک این ابزار‬
‫ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدان را‬
‫پیاده سازی کرده و رفتار های این ادوات را‬
‫هم بررسی کنید‪.‬‬