Advances in Computer Random Access Memory 

Himadri Barman 
 

Introduction 

Random‐access memory (RAM) is a form of computer data storage and is typically associated with 
the main memory of a computer. RAM in popular context is volatile but as would be seen later on in 
the discussion, they need not be. Because of increasing complexity of the computer, emergence of 
portable  devices,  etc.,  RAM  technology  is  undergoing  tremendous  advances.  This  report  looks  at 
some  recent  advances  in  RAM  technology,  including  that  of  the  conventional  Dynamic  Random 
Access Memory in the form of DDR 3 (Double Data Rate Type 3). We also look at the emerging area 
of Non‐volatile random‐access memory (NVRAM). NVRAM is random‐access memory that retains its 
information when power is turned off, which is described technically as being non‐volatile. This is in 
contrast  to  the  most  common  forms  of  random  access  memory  today,  dynamic  random‐access 
memory (DRAM) and static random‐access memory (SRAM), which both require continual power in 
order to maintain their data. NVRAM is a subgroup of the more general class of non‐volatile memory 
types, the difference being that NVRAM devices offer random access, unlike hard disks. 

Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory 

DDR  3,  the  third‐generation  of  DDR  SDRAM  technology,  is  a  modern  kind  of  DRAM  with  a  high 
bandwidth interface. It is one of several variants of DRAM and associated interface techniques used 
since  the  early  1970s.  DDR3  SDRAM  is  neither  forward  nor  backward  compatible  with  any  earlier 
type  of  RAM  due  to  different  signaling  voltages,  timings,  and  other  factors.  It  makes  further 
improvements in bandwidth and power consumption in comparison to DDR 2 . DDR3 manufacturers 
began  fabrication  using  with  90  nm  technologies.  With  increasing  production  volumes,  they  are 
moving  toward  70  nm  technology.  DDR3  operates  at  clock  rates  from  400  MHz  to  1066  MHz  with 
theoretical peak bandwidths ranging from 6.40 GB/s to 17 GB/s. DDR3 DIMMs (Dual Inline Memory 
Modules) can reduce power consumption by up to 30% compared to DDR2 DIMMs operating at the 
same speed. DDR3 DIMMs use the same 240‐pin connector as DDR2 DIMMs, but the notch key is in 
a different position. DDR3 sales account for around 70 percent of the total DRAM units sold in 2011. 

DDR3 SDRAM DIMM manufacturers produce two types of DIMMs: Unbuffered DIMMs (UDIMM) and 
Registered DIMMs (RDIMM). UDIMMs are the most basic type of memory module and offer a lower 
latency and low power consumption but are limited in capacity. RDIMMs offer larger capacities than 
UDIMMs and include address parity protection. 

Zero‐capacitor Random Access Memory 

Z‐RAM is a memory technology which relies on the "floating body effect" observable in SOI (Silicon 
on Insulator) substrates.   Basically, a type of charge accumulates within the  transistor when SOI is 
used as a substrate, creating an undesirable parasitic effect.  While normally unwanted, a technique 
to  utilize  the  known  effect  for  a  type  of  memory  storage  in  high‐speed  data  systems  has  been 
developed,  which  forms  the  technological  basis  for  Z‐RAM.    Since  their  design  does  not  use 
capacitors,  but  rather  relies  upon  the  capacitance  effect  of  the  floating  body,  Z‐RAM  requires 
significantly  less  power  to  operate,  for  reads,  writes  and  refreshes.  Z‐RAM  is  a  denser  form  of 

Downloaded from http://himadri.cmsdu.org  1
memory,  when  compared  to  DRAM.    It  is  a  capacitor‐less  design,  and  therefore  consumes 
significantly less power for data retention, and a commensurate amount of power for data reads and 
writes.   

A non‐SOI version of Z‐RAM that could be manufactured on lower cost bulk CMOS (Complementary 
Metal Oxide Semiconductor) technology is supposedly under way. 

Thyristor RAM  

T‐RAM is a new type of DRAM computer memory which departs from the usual designs of memory 
cells, combining the strengths of the DRAM and SRAM: high speed and high volume. This technology, 
which  exploits  the  electrical  property  known  as  negative  differential  resistance  and  is  called  thin 
capacitively‐coupled thyristor, is used to create memory cells capable of very high packing densities. 
Due  to  this,  the  memory  is  highly  scalable,  and  already  has  a  storage  density  that  is  several  times 
higher than found in conventional six‐transistor SRAM memory. 

Twin Transistor RAM  

TTRAM  is  a  new  type  of  computer  memory  in  development  which  is  similar  to  conventional  one‐
transistor,  one‐capacitor  DRAM  in  concept,  but  eliminates  the  capacitor  by  relying  on  the  floating 
body  effect  inherent  in  a  Silicon  on  Insulator  (SOI)  manufacturing  process.  This  effect  causes 
capacitance to build up between the transistors and the underlying substrate, originally considered a 
nuisance, but here used to replace a part outright. Since a transistor created using the SOI process is 
somewhat  smaller  than  a  capacitor,  TTRAM  offers  somewhat  higher  densities  than  conventional 
DRAM. Since prices are strongly related to density, TTRAM is theoretically less expensive. However 
the requirement to be built on SOI fab lines, which are currently the “leading edge”, makes the cost 
somewhat unpredictable at this point. 

In  the  TTRAM  memory  cell,  two  transistors  are  serially  connected  on  an  SOI  substrate.  One  is  an 
access transistor, while the other is used as a storage transistor and fulfils the same function as the 
capacitor  in  a  conventional  DRAM  cell.  Data  reads  and  writes  are  performed  according  to  the 
conduction  state  of  the  access  transistor  and  the  floating‐body  potential  state  of  the  storage 
transistor. The fact that TTRAM memory cell operations don't require a step‐up voltage or negative 
voltage, as DRAM cells do, makes the new cell design suitable for use with future finer processes and 
lower operating voltages. 

Magnetoresistive Random Access Memory 

Magnetoresistive  Random  Access  Memory  (MRAM)  is  a  non‐volatile  computer  memory  (NVRAM) 
technology  that  has  been  under  development  since  the  1990s.  Unlike  conventional  RAM  chip 
technologies,  in  MRAM  data  is  not  stored  as  electric  charge  or  current  flows,  but  by  magnetic 
storage elements. The elements are formed from two ferromagnetic plates, each of which can hold a 
magnetic field, separated by a thin insulating layer. One of the two plates is a permanent magnet set 
to a particular polarity, the other's field can be changed to match that of an external field to store 
memory. This configuration is known as a spin valve and is the simplest structure for a MRAM bit. A 
memory device is built from a grid of such "cells". 

Downloaded from http://himadri.cmsdu.org  2
Ferroelectric Random Access Memory 

Ferroelectric  RAM  (FeRAM  or  FRAM)  is  a  random‐access  memory  similar  in  construction  to  DRAM 
but uses a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non‐volatility. FeRAM is one of a 
growing number of alternative non‐volatile memory technologies that offer the same functionality 
as  Flash  memory.  FeRAM  advantages  over  Flash  include:  lower  power  usage,  faster  write 
performance  and  a  much  greater  maximum  number  (exceeding  1016  for  3.3  V  devices)  of  write‐
erase cycles. Disadvantages of FeRAM are much lower storage densities than Flash devices, storage 
capacity limitations, and higher cost. 

Ferroelectric RAM was proposed by MIT graduate student Dudley Allen Buck in his master's thesis, 
Ferroelectrics  for  Digital  Information  Storage  and  Switching,  published  in  1952.  Development  of 
FeRAM  began  in  the  late  1980s.  Work  was  done  in  1991  at  NASA's  Jet  Propulsion  Laboratory  on 
improving methods of read out, including a novel method of non‐destructive readout using pulses of 
UV  radiation.  Much  of  the  current  FeRAM  technology  was  developed  by  Ramtron,  a  fabless 
semiconductor  company.  One  major  licensee  is  Fujitsu,  who  operate  what  is  probably  the  largest 
semiconductor foundry production line with FeRAM capability. Since 1999 they have been using this 
line  to  produce  standalone  FeRAMs,  as  well  as  specialized  chips  (e.g.  chips  for  smart  cards)  with 
embedded FeRAMs within. Fujitsu produces devices for Ramtron. FeRAM remains a relatively small 
part of the overall semiconductor market. 

Ferroelectric Transistor Random Access Memory 

Researchers are developing a new type of computer memory that could be faster than the existing 
commercial  memory  and  use  far  less power  than  flash  memory  devices.  The  technology  combines 
silicon  nanowires  with  a  "ferroelectric"  polymer,  a  material  that  switches  polarity  when  electric 
fields are applied, making possible a new type of ferroelectric transistor. 

The  ferroelectric  transistor's  changing  polarity  is  read  as  0  or  1,  an  operation  needed  for  digital 
circuits  to  store  information  in  binary  code  consisting  of  sequences  of  ones  and  zeroes.  The  new 
technology is called FeTRAM, for ferroelectric transistor random access memory. 

The FeTRAM technology has non‐volatile storage, meaning it stays in memory after the computer is 
turned off. The devices have the potential to use 99 percent less energy than flash memory, a non‐
volatile computer storage chip and the predominant form of memory in the commercial market. The 
FeTRAM  technology  fulfills  the  three  basic  functions  of  computer  memory:  to  write  information, 
read the information and hold it for a long period of time.   

The  new  technology  also  is  compatible  with  industry  manufacturing  processes  for  complementary 
metal  oxide  semiconductors,  or  CMOS,  used  to  produce  computer  chips.  It  has  the  potential  to 
replace  conventional  memory  systems.  The  FeTRAMs  are  similar  to  state‐of‐the‐art  ferroelectric 
random access memories, FeRAMs, which are in commercial use but represent a relatively small part 
of  the  overall  semiconductor  market.  Both  use  ferroelectric  material  to  store  information  in  a 
nonvolatile  fashion,  but  unlike  FeRAMS,  the  new  technology  allows  for  nondestructive  readout, 
meaning information can be read without losing it. This nondestructive readout is possible by storing 
information  using  a  ferroelectric  transistor  instead  of  a  capacitor,  which  is  used  in  conventional 
FeRAMs. 

Downloaded from http://himadri.cmsdu.org  3
Resistive random‐access memory  

RRAM or ReRAM is a new non‐volatile memory type being developed based on different dielectric 
materials,  spanning  from  perovskites  to  transition  metal  oxides  to  chalcogenides.  Even  silicon 
dioxide  has  been  shown  to  exhibit  resistive  switching  as  early  as  1967  and  has  recently  been 
revisited.  The  basic  idea  is  that  a  dielectric,  which  is  normally  insulating,  can  be  made  to  conduct 
through  a  filament  or  conduction  path  formed  after  application  of  a  sufficiently  high  voltage.  The 
conduction path formation can arise from different mechanisms, including defects, metal migration, 
etc.  Once  the  filament  is  formed,  it  may  be  reset  (broken,  resulting  in  high  resistance)  or  set  (re‐
formed, resulting in lower resistance) by an appropriately applied voltage giving us a memory cell. 

ReRAM  has  been  demonstrated  even  by  a  new  circuit  element  called  memristor.  Till  now,  the 
resistor, the capacitor, and the inductor; all of which are significant because circuitry is the backbone 
of memory functionality were the known circuit elements. Hewlett Packard which has pioneered the 
new circuit element has announced plans to commercialize ReRAM based on the memristor. 

Nano‐RAM 

NRAM is a type of nonvolatile random access memory based on the mechanical position of carbon 
nanotubes deposited on a chip‐like substrate. In theory, the small size of the nanotubes allows for 
very high density memories. The first generation NRAM technology was based on a three‐terminal 
semiconductor  device  where  a  third  terminal  is  used  to  switch  the  memory  cell  between  memory 
states. The second generation NRAM technology is based on a two‐terminal memory cell. The two‐
terminal cell has advantages such as a smaller cell size, better scalability to sub‐20 nm nodes), and 
the ability to passivate the memory cell during fabrication. 

Phase‐change Random Access Memory  

PRAM (also called PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM and C‐RAM) is a type of non‐
volatile  computer  memory.  PRAMs  exploit  the  unique  behaviour  of  chalcogenide  glass.  Heat 
produced by the passage of an electric current switches this material between two states, crystalline 
and amorphous. Recent versions can achieve two additional distinct states, in effect doubling their 
storage  capacity.  PRAM  is  one  of  several  new  memory  technologies  competing  in  the  non‐volatile 
role. 

Conclusion 

The constant need to boost memory performance for increasingly powerful system processors drives 
the development of advanced RAM technologies. The success of the technologies of course depends 
on a number of factors including that of market forces. Market forces are an important determinant 
in  the  success  as  considerable  investment  has  been  made  for  the  commercialization  of  existing 
technologies.  Many  of  the  technologies  discussed  are  proprietary  in  nature  like  Z‐RAM,  NRAM, 
ReRAM, etc. which are impediments in their future development and universal acceptability. 

The discussion also points out to the fact that there is an increasing trend of developing non‐volatile 
random  access  memory  or  NVRAM.  This  is  primarily  driven  by  the  fact  that  such  memory  can  be 
used also to replace the non‐volatile memory technologies that are in use today. 

Downloaded from http://himadri.cmsdu.org  4
References 
http://en.wikipedia.org/wiki/MRAM 
http://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_RAM 
http://en.wikipedia.org/wiki/T‐RAM 
http://en.wikipedia.org/wiki/Nano‐RAM 
http://en.wikipedia.org/wiki/Phase‐change_memory 
http://www.sciencedaily.com/releases/2011/09/110927155228.htm 
http://h20000.www2.hp.com/bc/docs/support/SupportManual/c00256987/c00256987.pdf 
http://www.tgdaily.com/business‐and‐law‐features/35339‐zram‐announces‐latest‐advances‐in‐floating‐body‐
memory 
http://www.thetechlabs.com/tech‐news/reram‐maybe‐hitting‐shelves‐in‐2013/ 

Downloaded from http://himadri.cmsdu.org  5