Jfet

SEP
SNEST
DGEST
INSTITUTO TECNOLGICO DE TOLUCA
INGENIERA ELECTRNICA
DIODOS Y TRANSISTORES
PRACTICA 5 Amplificacin JFET y MOSFET
PRESENTA: OLIVEROS MARTINEZ SERGIO
CATEDRTICO: ING. JAVIER DE JESS GUADARRAMA GRANADOS
Metepec, estado de Mxico a 6 de junio de 2013
SUMMARY
With the theoretical seen in class provided by Prof. proceeded to make the corresponding mathematical analysis to calculate the components to be used in the design of each amplifier, starting with polarization Q to ensure the operating point as was indicated by the drain voltage source, taking into account that the values proposed and theoretically could vary according to the approaches of resistors to use physically since these are not entirely consistent with those calculated in mathematical analysis, with this in mind we expect a slight variation in measurements with respect to theoretical values in the measurement and simulation.
What is sought in this practice is the use of two polarization and amplification circuits for connecting device JFET and MOSFET (N channel) enrichment and watch the behavior of the transistor based on the graphics of these devices in this way you can see if is in the region of saturation or cut on the ohmic region. having suitable operating point is performed to reach the amplification target practice.
INTRODUCTION The JFET is a unipolar device, since its operation involves only majority carriers. There are two kinds of N-channel JFET and P-channel JFET In both types of JFET, the current output ID is controlled by a voltage between the gate and the source.
MOSFET MOSFET transistors or Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) are field effect devices that use an electric field to create a conducting channel. Devices are more important than JFET since most digital integrated circuits are constructed using MOS technology. There are two types of MOS transistors: N-channel MOSFET, or NMOS and P-channel MOSFET or PMOS. In turn, these transistors can be of accumulation (enhancement) or deplexion (deplexion), at present the latter are virtually obsolete and will be described here only the accumulation MOS also known as enrichment. Figure 1.14 indicates the various symbols used to describe the MOS transistors.
Amplifiers with field effect transistors provide excellent voltage gain with the added benefit of a high input impedance. Configurations also are low power consumption with a good frequency range and minimum size and weight, can be used JFET, MOSFET amplifiers impoverishment to design with similar voltage gains. The depletion MOSFET circuit, however has a much higher input impedance than a similarly JFET configuration.
ANALISIS PREVIO
Se utilizara un transistor JFET (2N3819) canal N para la polarizacin por divisor de tensin. Tenemos los siguientes datos.
FCL= 15000 Hz Para poder obtener los valores de la polarizacin se tiene que recurrir a las hojas de especificaciones para obtener los valores de algunos datos y sus valores de fabricacin. JFET POLARIZACIN
Para
para que la ID=0
)(
Teniendo los valores para el circuito de polarizacin se calculan los capacitores para la amplificacin.
Para obtener Ci
)(
Para obtener Co
)(
)(
( ( )(
)(
) )
Para obtener Cs
)(
AMPLIFICACION JFET
SEAL DE ENTRADA Y SALIDA CON UNA
=23.6U
-Cambiando el valor de capacitancia se logr llegar a una ganancia de 25 unidades.
Para un transistor MOSFET (2N4351) canal N para la polarizacin por divisor de tensin. Tenemos los siguientes datos.
FCL= 15000 Hz MOSFET POLARIZACIN
Tomando un
el MOSFET no trabajara de forma adecuada se tomara un valor de
para que tenga un funcionamiento adecuado.
( VD = VGS VT
( )
Se propone una RG1= 560K
1+
RG2 =
Para Ci
)(
Para Co
)(
Para Cs
)(
Teniendo los valores de los resistores para el circuito de polarizacin se calculan los capacitores para la amplificacin.
MOSFET AMPLIFICACIN
Para Ci
)(
Para Co
)(
Para Cs
)(
CONCLUSIONES.
Mediante la implementacin de esta prctica se observ la capacidad que tiene un transistor JFET en su amplificacin es bastante alta y funcional ya que aunque el amplificador trabaje en pequea seal sirve como complemento en una serie de amplificadores que tienen una amplia aplicacin en el mundo real ya sea en telecomunicaciones, dispositivos de amplificacin de audio solo por mencionar algunas.
Para obtener la ganancia de salida del JFET se tuvo que modificar los valores de la capacitancia, no se logr exactamente el objetivo se aproxim, pero la amplificacin de seal de entrada y salida se observ muy bien
Al trabajar con el FET se comprob que; la corriente mxima de cualquier FET se denota por y ocurre cuando .
La corriente mnima de un JFET ocurre en el estrechamiento definido por (voltaje de pinch-off o voltaje de oclusin).
En MOSFET se tuvo el problema de la realizacin de la simulacin ya que en el simulador no est existente el MOSFET, se intent con un genrico pero la respuesta no fue la esperada. Los transistores MOSFET dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
REFERENCIAS Circuitos micro electrnicos, Anlisis y diseo, Muhammad H. Rashid, International Thompson Editores, Mx., D.F. Dispositivos micro electrnicos, Sedra y K.C, Smith. Electrnica teora de circuitos y aplicaciones, Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky.

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Metepec, estado de Mxico a 6 de junio de 2013

para que la ID=0

SEAL DE ENTRADA Y SALIDA CON UNA

-Cambiando el valor de capacitancia se logr llegar a una ganancia de 25 unidades.

FCL= 15000 Hz MOSFET POLARIZACIN

el MOSFET no trabajara de forma adecuada se tomara un valor de

para que tenga un funcionamiento adecuado.

Se propone una RG1= 560K

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