Circuit I La
Circuit I La
vD
iD
Modello a iD = 0 iD > 0 iD
Soglia v D < Vγ v D = Vγ
Vγ vD
Modello iD ≅ − I S ⎛ vD
⎜
⎞
⎟
iD
Esponenziale i D = I S ⎜ e VT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
vD IS
0.0
iD ≅ I S ⋅ e VT
0.0 vD
DIODO ZENER
vD
iD
iB
Base (B) i E = iC + i B
vCE
vCE = v BE − v BC
iE
vBE
Emettitore (E)
Modello a v BE < Vγ , v BC < V γ' v BE = Vγ , v BC < V γ' , vCE > VCEsat iC < β F ⋅ i B
iC = i B = i E = 0 iC = β F ⋅ i B > 0, i E ≅ iC v BE = Vγ , v BC = V γ'
soglia
vCE = VCEsat
BJT PNP
Emettitore (E)
vEB iE
iB
Base (B) i E = iC + i B
vEC
v EC = v EB − vCB
vCB iC
Collettore (C)
Modello v EB < 0, vCB < 0 v EB > 0, vCB < 0, v EC > VECsat iC < β F ⋅ i B
iC = i B = i E = 0 ⎛ v ⎞ v EB > 0, vCB > 0
a3 I S = I S 0 ⎜⎜1 + BC ⎟⎟
⎝ VA ⎠ v EC = V ECsat
parametri ⎛ v ⎞
β F = β F 0 ⎜⎜1 + BC ⎟⎟
(IS0 , βF0 , VA) ⎝ VA ⎠
⎛ vEB ⎞
⎜ ⎟
iC = I S ⎜ e VT − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
iC = β F ⋅ i B ed i E ≅ iC
Modello a v EB < Vγ , vCB < V γ' v EB = Vγ , vCB < V γ' , v EC > V ECsat iC < β F ⋅ i B
v SG < VTp v SG > VTp , v DG > VTp ⇔ 0 < v SD < v SG − VTp v SG > VTp , v DG < VTp ⇔
iD = 0 ⎡
( 1
) ⎤
i D = k p ⎢ v SG − VTp ⋅ v SD − v SD 2 ⎥
v SD > v SG − VTp > 0
⎣
(
(se v SD << v SG − VTp
2 ⎦
) iD =
1
2
(
k p v SG − VTp ) 2
⇒ iD ≅ k p (v SG − VTp )⋅ v SD
BJT NPN: stadi amplificatori elementari
configurazione EMETTITORE COLLETTORE BASE
COMUNE COMUNE COMUNE
caratteristiche (EC) (CC) (BC)
Schema +VCC +VCC +VCC
RC
RC Q1
Q1
VIN VIN VOUT
Q1 VOUT VOUT
VIN RE
Amplificazione in Si Si No
Corrente (Iout / Iin ≈ 1+βF) (Iout / Iin ≈ 1)
Amplificazione in Si No Si
Tensione (Invertente) (Vout / Vin ≈ 1) (NON Invertente)
RC Q1 RC
VIN Q1
VOUT VIN VOUT
Q1 RE VOUT
VIN
Amplificazione in Si Si No
Corrente (Iout / Iin ≈ 1+βF) (Iout / Iin ≈ 1)
Amplificazione in Si No Si
Tensione (Invertente) (Vout / Vin ≈ 1) (NON Invertente)
OPAMP: configurazioni elementari