Unidades y constantes:

e
-
= -1610
-19
C
melectrn=9 1 10
-31
kg mprotn=1 65 10
-27
kg
1eV=1610
-19
J
Hi lo car gado
| | j i
a
k
E
o

) sen (sen ) cos (cos
2 1 2 1
u u u u

+ + =
Campo elctr ico
Ani ll o cargado
=
+

3
2 2 2
( )
o
Qa
E K i
R a
Esfera cargada

E u
o
=
o
c 2
Pl ano car gado
Hil o i ndefini do
2
0
2
1
E
E
c =
Densidad de
energa del
campo el ctri co
2
9
2
1
910
4
o
o
Nm
K
C tc
= ~
u =
}}

E dS
S
U r d F B A W
B
A
C C
A = =
}

) (
) ( ) (
B A C
V V q B A W =
u = =
}}

=

E dS
q
S
i
i
n
O
1
c
0
2
r r
E K u
r

r R s


E K
Q
r
u ru
o
o
= =
i nt
2
3

c
r R >


E K
Q
r
u
R
r
u
o
o
= =
2
3
2
3

c
W
ext
= A E =A E
c
+A U

=
pares ij
j i
r
q q
K U
0

=
=
n
i ij
i
r
q
K V
1
0
G T
4
10 1 =
Wb Maxwell
m T Wb
8
2
10 1
1 1

=
=
2
7
0
10 4
A
N

= t
1 2
2 1
( )
o
R R
C
k R R
=

2
1
2 ln
o
L
C
r
K
r
=
Condensadores
Condensador
plano
Condensador
esfri co
Condensador
cil ndr ico
o
S
C
d
c =
2 1
1 1 1
C C C
eq
+ =
2 1
C C C
eq
+ =
Asoci aciones
Carga condensador
RC t
o
e I t I
/
) (

=
) 1 ( ) (
/RC t
max
e Q t Q

=
) 1 ( ) (
/RC t
C
e t V

= c
RC t
R
e t V
/
) (

= c
RC t
o
e I t I
/
) (

=
RC t
o
e Q t Q
/
) (

=
) ) (
/ RC t
Co C
e V t V

=
RC t
Co R
e V t V
/
) (

=
Descarga condensador
2
2
( ) 1
( )
2 2 2
A B
A B
Q V V Q
U C V V
C
-
= = = -
0
0
c c
o
c
r r
E
E = =
o r
C C c =
RC = t
Corr ient e elctr ica
( )
o
V
I t sen t
R
e =
( )
2
o
V
I t sen t
L
t
e
e
| |
=
|
\ .
( )
2
o
C
V
I t sen t
X
t
e
| |
= +
|
\ .
Circui tos c.a.
R
( )
o
V t V sen t e =
C
L
dt
dQ
I =
di
n
i
i i
v q n J

=
=
1
d
I nqv S =
E J

o =
IR V V =
2 1
S
R

=
= = I V V P
b a
) (
R
V V
R I
b a
2
2
) (
=
Ir V V
b a
= c ) (
1 2
1 1 1
eq
R R R
= +
1 2 eq
R R R = +
Asoci aci ones
T
f
1
= = u tu
t
e 2
2
= =
T
t sen V t V e
0
) ( =
( ) e + = t sen I t I
0
) (
2
2
0
0
I
I
V
V
e
e
=
= C
L X
e
e
1
=
L X
L
e =
C
X
C
e
1
=
Campo magntico

F qv B
m
=
( ) B v E q F

+ =
R
mv
q B
=

d v T
mv
q B
ll
ll
= =
2t
Fuerza magntica sobre de una corriente
}
=
cond
B Id F

B I F

= B M B S I

= = t
Espira circular
Toroide
Solenoide
( )

B
IR
R a
u
s
=
+

0
2
2 2
3
2
2
a R B
IR
a
u
a R s
>> ~
>>

0
2
3
2
a
I I F F
2 1 0
2
21
1
12
2t

= =

neta
n
i
i
I I l d B
0
1
0
= = -
}

=

B nI =
0
B
NI
a
=

t
0
2
}}
- = u
S
m
S d B

Corriente rectilnea
| | B
I
a
sen sen = +

t
u u
0
1 2
4


=
>>
B
I
a
a

t
0
2
m
B q
R
v
= = e
B q
m
T
t
e
t
2
2
= =
Ondas electromagnticas
o o
E c B =
2
0 2
1 1 1
2 2 2
zo y
zo
o yo m
o o
B E
B
E
c
q c

= = =
m m
I c S q = =
o
zo
m
B
c S
2
2
=
) (
2
1
2 2
t kx sen E
yo o E
e c q =
) (
2
1
2 2
t kx sen B
zo
o
E
e

q =
) (
2
1
2
2
2
t kx sen
B
E
o
zo
yo o
e

c q
|
|
.
|

\
|
+ =
o
o
B E
B E c S

c

= =
2
k ) t kx ( sen B ) t , x ( B
j ) t kx ( sen E ) t , x ( E
zo
yo

e
e
=
=
LeydeGauss Flujoelctrico
Condensadorrellenodedielctrico
Constantede
tiempo
M
d
N z n
m
A
=
r 2 m
u d
r
I
k B d

=
LeydeBiotySavart
Corrientes
paralelas
Flujomagntico
Leyde
Ampre
Vectorde
Poynting

Concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco

kT E E
C
F C
e N n
) (
=
Densidad efectiva de
estados en la banda
de conduccin
2
3
2
2
2
|
|
.
|

\
|
=
h
kT m
N
n
C
t
kT E E
V
V F
e N p
) (
=
2
3
2
2
2
|
|
.
|

\
|
=
h
kT m
N
p
V
t
Densidad efectiva de
estados en la banda
de valencia
2
-
= = =
G
E
kT
i C V
n p n N N e
Posicin del nivel de Fermi en un semiconductor intrnseco
C
V V C
F
N
N kT E E
E ln
2 2
+
+
=
n
p
V C
F
m
m
kT
E E
E ln
4
3
2
+
+
=
Conductividad en un semiconductor intrnseco
( )
p n i
e n o + =
2
i
n np =
kT
E
V C
G
e N N np

=
Ley de acci n de masas Ley de neutralidad elctrica
= n p
Semiconductores intrnsecos
kT
E
o
G
e
2

=o o
Unidades y constantes:
h = 66210
-34
Js
k = 13810
-23
J/K =
= 86210
-5
eV/K

Concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco

n N p N
A D
+ = +
D n
N n ~
D
i
n
N
n
p
2
~ Tipo-N N
A
= 0
Tipo-P N
D
= 0
A p
N p ~
A
i
p
N
n
n
2
~
Posicin del nivel de Fermi en un semiconductor extrnseco
kT E E
C
F C
e N n
) (
=
D n
N n ~
D
C
C n F
N
N
kT E E ln
) (
=
kT E E
V
V F
e N p
) (
= A p
N p ~
A
V
V p F
N
N
kT E E ln
) (
+ =
Conductividad en un semiconductor extrnseco
e n
n n n
o ~
e p
p p p
o ~
Tipo-N
Tipo-P
Tipo-N
Tipo-P
2
i
n np =
Ley de accin de masas Ley de neutralidad elctrica
Semiconductores extrnsecos
kT E E
i
F Fi
e n p
) (
=
kT E E
i
Fi F
e n n
) (
=

Radiacin
cuer po negro
Ley de Stefan: R
T
= o T
4
\ octe de Stefan-Boltzman
Ley de despl azamiento de Wien:
w max
K T =
K
w
= cte de Wi en
Fotn: E = hv h = cte de Pl anck
hv = Ec + W
Efecto
fotoelctr ico
Efecto Compton
l ongi tud de
onda Compton
Pr incipio de
i ncer ti dumbr e
hv = Ec
max
+ Wo Ec
max
= e V
frenado
Fsica cuntica
Uni dades y constantes:
\ = 56703 10
-8
W m
-2
K
-4
K
w
= 289810
-3
m K
h = 66210
-34
Js
\
C
= 0024310
-10
m
c = 310
8
m/s
k = 13810
-23
J/K = 86210
-5
eV/K
N
A
= 6 02310
23
mol
-1
1 = 10
-10
m

h
p c p E = =
u = c
) cos 1 ( u = A
c m
h
o
c m
h
o
C
=
Princi pio de De
Brogli e
p
h
=
4
x
h
x p
t
A A >
4
h
t
t
AE A >
12 21
2 1
1 2
d d
M N N
dI dI
| |
= =
d
L N
dI
|
=
Coef. de i nduccin
mutua y
autoi nduccin
Induccin magntica
}}
- = =
S
m
S d B
dt
d
dt
d

|
c ( ) l d B v
b
a

- =
}
c
2
2
1
LI U =
2 1
1 1 1
L L L
eq
+ =
2 1
L L L
eq
+ =
Asociaciones
2
0
2
1
B
B

=
Densidad de energa
magnti ca
t sen NBS t V t e e c = = ) ( ) (
Generador de f.e.m. sinusoidal
Transitor io RL
L
R
t =
|
|
.
|

\
|
=
t
L
R
e
R
t I 1 ) (
c
t
L
R
e I t I

=
0
) (
Model o cunti co para l a
conducci n en metal es
dE E g dn
e
) ( =
E E
h
m
E g
t
= =
3
2
3
) 2 ( 4
) (
kT
E E
F
e
E f
) (
1
1
) (

+
=
Funci n densi dad de estados
Funci n de distribucin de
Fermi-Dir ac
dE E f E g dE E n dn ) ( ) ( ) ( = =
3
2
2
3
|
|
.
|

\
|
=

n
E
F
Energa de Fermi
Densidad de
el ectrones
( )
( )
1
F E E
kT
E
n E
e
-
g
=
+
= 6,8210
27
m
-3
eV
-3/2
Estadoslido
M
d
N z n
m
A
=
E v
d
=
E E n v n
S
J
d
= = = = e e
I
Densidaddeelectronesdeun
conductor
Modelode
conduccinclsico