Tantal(V) oxide
Tantal(V) oxide | |
---|---|
Danh pháp IUPAC | Tantalum(V) oxide |
Tên hệ thống | Ditantalum pentaoxide |
Tên khác | Ditantal pentoxide |
Nhận dạng | |
Số CAS | |
PubChem | |
Ảnh Jmol-3D | ảnh |
SMILES | đầy đủ
|
InChI | đầy đủ
|
ChemSpider | |
Thuộc tính | |
Công thức phân tử | Ta2O5 |
Khối lượng mol | 441,891 g/mol |
Bề ngoài | Bột trắng, không mùi |
Khối lượng riêng | β-Ta2O5 = 8,18 g/cm³[1] α-Ta2O5 = 8,37 g/cm³ |
Điểm nóng chảy | 1.872 °C (2.145 K; 3.402 °F) |
Điểm sôi | |
Độ hòa tan trong nước | ít tan |
Độ hòa tan | không hòa tan trong dung môi hữu cơ và hầu hết các acid khoáng, phản ứng với HF |
BandGap | 3,8–5,3 eV |
MagSus | -32,0·10-6 cm³/mol |
Chiết suất (nD) | 2,275 |
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). |
Tantal(V) oxide, còn được gọi dưới một cái tên khác là tantal pentoxide, là một hợp chất vô cơ có thành phần gồm hai nguyên tố tantal và oxy, có công thức hóa học Ta2O5. Về mặt bề ngoài, hợp chất này là một chất rắn màu trắng không tan trong tất cả các dung môi, trừ các base mạnh và axit fluorhydric. Ta2O5 là một vật liệu trơ với chỉ số khúc xạ cao và hấp thụ thấp (không màu), làm cho nó có ứng dụng rộng rãi trong việc chế tạo các lớp phủ.[2] Hợp chất này cũng được sử dụng rộng rãi trong sản xuất tụ điện, do hằng số điện trở cao của nó.
Sử dụng
[sửa | sửa mã nguồn]Trong điện tử
[sửa | sửa mã nguồn]Tantal(V) oxide đã được sử dụng trong nhiều linh kiện điện tử, đặc biệt là trong các tụ điện tantal. Chúng được sử dụng trong điện tử ô tô, điện thoại di động và máy nhắn tin, mạch điện tử; các bộ phận màng mỏng; và các công cụ tốc độ cao.[3][4] Ngoài ra, tantan(V) Oxide còn có những ứng dụng khác, ví dụ như trong các bộ cảm biến chuyển đổi.[5]
Sử dụng khác
[sửa | sửa mã nguồn]Do chỉ số khúc xạ cao, Ta2O5 được sử dụng trong chế tạo thấu kính thủy tinh.[2][6]
Tham khảo
[sửa | sửa mã nguồn]- ^ Reisman, Arnold; Holtzberg, Frederic; Berkenblit, Melvin; Berry, Margaret (ngày 20 tháng 9 năm 1956). “Reactions of the Group VB Pentoxides with Alkali Oxides and Carbonates. III. Thermal and X-Ray Phase Diagrams of the System K2O or K2CO3 with Ta2O5”. Journal of the American Chemical Society. 78 (18): 4514–4520. doi:10.1021/ja01599a003.
- ^ a b Fairbrother, Frederick (1967). The Chemistry of Niobium and Tantalum. New York: Elsevier Publishing Company. tr. 1–28. ISBN 978-0-444-40205-9.
- ^ Ezhilvalavan, S.; Tseng, T. Y. (1999). “Preparation and properties of tantalum pentoxide (Ta2O5) thin films for ultra large scale integrated circuits (ULSIs) application - a review”. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 10 (1): 9–31. doi:10.1023/A:1008970922635.
- ^ Chaneliere, C; Autran, J L; Devine, R A B; Balland, B (1998). “Tantalum pentoxide (Ta2O5) thin films for advanced dielectric applications”. Materials Science and Engineering: R. 22 (6): 269–322. doi:10.1016/S0927-796X(97)00023-5.
- ^ Lee, M-.J; và đồng nghiệp (2011). “A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5−x/TaO2−x bilayer structures”. Nature Materials. 10: 625. Bibcode:2011NatMa..10..625L. doi:10.1038/NMAT3070.
- ^ Musikant, Solomon (1985). “Optical Glas Composition”. Optical Materials: An Introduction to Selection and Application. CRC Press. tr. 28. ISBN 978-0-8247-7309-0.