Ctlin-Daniel Cleanu

DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE

- Experimente i Simulare -

5V

VA+

Ar

V+

Ag
Al

V+

4 V-

V-

-5V

2
C1
Rg

v1

10F

VOFF = 0

R1
2K

R2
OUT
V+

BD135/PLP

LM741

600
Vg

Q1

V-

VA-

v3

6
v2
5

RL

470
BD136/PLP

100
Q2

U2
V+

VAMPL = 1V
FREQ = 1KHz

V-

EDITURA POLITEHNICA

Colecia "ELECTRONIC"

DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE

- Experimente i Simulare -

Referent tiinific: Prof.dr.ing. Mircea Ciugudean

Descrierea CIP a Bibliotecii Naionale

CLEANU, CTLIN-DANIEL
Dispozitive i Circuite Electronice, Experimente i Simulare / ef
lucr.dr.ing. Ctlin-Daniel Cleanu - Timioara : Editura Politehnica, 2003
200 p. : 24 cm - (Electronic aplicat)
Bibliogr.
ISBN xxx

ef lucrri dr.ing. Ctlin-Daniel Cleanu

DISPOZITIVE I CIRCUITE ELECTRONICE

- Experimente i Simulare -

Colecia "ELECTRONIC"

EDITURA POLITEHNICA
TIMIOARA - 2003

Copyright Editura Politehnica, 2003

Consilier editorial: Prof.dr.ing. Sabin IONEL

Tehnoredactare computerizat: Ctlin-Daniel CLEANU

Prefa

Cartea i propune s ofere n primul rnd studenilor Facultii de Electronic

i Telecomunicaii din cadrul Universitii POLITEHNICA din Timioara un ghid
practic n aprofundarea noiunilor legate de studiul Dispozitivelor i Circuitelor
Electronice. Ea este util ns i studenilor celorlalte faculti cu profil electric
(Automatizri i Calculatoare, Electrotehnic etc.) ce studiaz aceast disciplin, prin
coninutul detaliat i bogat n informaii. n sfrit, ea se adreseaz tuturor celor
preocupai de aplicarea principiilor teoretice ale circuitelor electronice n practic.
Fiecare experiment conine:
- un breviar teoretic necesar unei bune nelegeri ale fenomenelor abordate;
- descrierea prii practice (scheme electronice folosite, modaliti de msurare
a mrimilor electrice, completare a tabelelor etc.);
- parte de simulare PSPICE a circuitelor electronice.
Cele trei mijloace (teoretic, experimental, simulare) sunt folosite ntr-o manier
complementar, fiecare evideniind mai bine anumite aspecte ale temei considerate.
Uneori ns ele sunt folosite simultan, pentru a verifica validitatea rezultatelor i
pentru a explica motivele unor eventuale diferene.
Anexele cuprind programe MATLAB pentru calculul unor circuitelor prezentate
n lucrare i alte informaii utile, spre exemplu codul culorilor sau valorile standard
pentru rezistori.
Lucrarea este elaborat pe baza experienei ndelungate proprii colectivului
disciplinei Dispozitive i Circuite Electronice. n acest sens autorul mulumete
colegilor Sorin Popescu, tefan Gal, Titu Boto, Cristian Gurka i Valentin Maranescu
pentru contribuiile avute n dezvoltarea aplicaiilor coninute n aceast lucrare,
Prof.dr.ing. Virgil Tiponu, ef lucr.ing. Aurel Filip, consilierului editorial Prof.dr.ing.
Sabin Ionel pentru ndrumarea i observaiile deosebit de utile n conceperea structurii
i coninutului materialului, referentului tiinific - Prof.dr.ing. Mircea Ciugudean pentru sfaturile, sugestiile i criticismul constructiv care au nsoit elaborarea versiunii
finale a lucrrii.

Autorul

Cuprins
1. Aplicaie introductiv..pag. 7
2. Caracteristicile statice i parametri diodelor semiconductoare.pag. 15
3. Circuite cu diode i modelarea lor.pag. 21
4. Mediul de simulare SPICEpag. 27
5. Circuite de redresare..pag. 35
6. Experimente cu alte tipuri de diode (de comutaie, electroluminiscente,
fotodiode, varicap)....................................................................................pag. 43
7. Tranzistorul bipolar caracteristici statice...pag. 49
8. Tranzistorul bipolar circuite de polarizare.pag. 57
9. Tranzistorul cu efect de cmp caracteristici staticepag. 65
10. Tranzistorul cu efect de cmp circuite de polarizarepag. 71
11. Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare...pag. 79
12. Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar...pag. 85
13. Efectul capacitilor de cuplaj i de decuplare asupra caracteristicii de
frecven a unui amplificator...pag. 93
14. Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo..pag. 101
15. Amplificatoare de putere n contratimp cu tranzistoare complementare..pag. 113
16. Studiul efectului reaciei negative asupra semnalelor parazite
i distorsiunilor..pag. 123
17. Studiul efectului reaciei negative asupra caracteristicii de frecven
a amplificatorului......pag. 131
18. Analiza i experimentarea unui amplificator de semnal mic cu reacie
negativ paralel-serie.........pag. 141
19. Compensarea unui amplificator cu reacie negativ.pag. 149
20. Studiul i experimentarea unui oscilator RC cu reea Wien. pag. 161
Anexa 1. Codul culorilor.pag. 169
Anexa 2. Valori normalizate...pag. 170
Bibliografie..pag. 171

Aplicaia nr. 1
APLICAIE INTRODUCTIV
1. SCOPUL APLICAIEI
Scopul aplicaiei l constituie studiul funcionrii i utilizrii principalelor
aparate folosite pe parcursul desfurrii experimentelor practice descrise n cadrul
prezentului material. Se detaliaz aspecte legate de multimetrul digital, generatorul de
semnal, sursa de tensiune continu i osciloscop.
2. MULTIMETRUL DIGITAL
Este un aparat destinat msurrii mai multor mrimi electrice, n principal
tensiune i curent (CA sau CC), rezisten. Prin urmare acest aparat poate fi folosit, n
principal, ca voltmetru, ampermetru respectiv ohmmetru. Unele multimetre dispun i
de posibilitatea msurrii capacitii (capacimetru), inductivitii (L-metru) frecvenei
(frecvenmetru), factorului (-metru) pentru tranzistoare sau se pot folosi la testarea
continuitii unui circuit.
n fig. 1 este prezentat un multimetru digital al firmei Hameg, HM 8011-3.
Pentru efectuarea unei msurtori se vor selecta corespunztor:
- mrimea electric (tensiune, curent, rezisten etc.) din butoanele (2), (4) sau (6) i
tipul acesteia (curent continuu sau alternativ) din butonul (8);
- domeniul de msur - comutatorul (10) - indic valoarea maxim care poate fi citit
n cadrul acelei game.
- bornele ntre care se conecteaz cablurile de msur

Fig.1. Multimetru digital HM 8011-3.

8 Aplicaia nr. 1

Observaii:

Asigurai-v c domeniul selectat i bornele aparatului la care sunt legate

cablurile de msur sunt corespunztoare tipului de msurtoare ce se dorete
a fi efectuat.
Nu folosii multimetrul dac el sau cablurile de msur prezint fisuri.
Nu msurai rezistena ntr-un circuit sub tensiune.
Nu atingei terminalele metalice ale cablurilor de msur n momentul
efecturii msurtorii.
Se vor manipula cu atenie sporit circuitele n care tensiunea depete 60V
(CC) sau 30V (CA) deoarece exist pericol de electrocutare
3. GENERATORUL DE SEMNAL

Este un aparat destinat generrii unui semnal periodic, de amplitudine, offset,

frecvent i form modificabile.
n fig. 2 este prezentat generatorul de semnal HM-8030-5, produs al firmei
Hameg. Este capabil s genereze semnale de form sinusoidal, dreptunghiular i
triunghiular cu frecvena cuprins ntre 0,05Hz i 50MHz i amplitudine 10Vvv pe o
sarcin de 50 sau 20Vvv n gol. Reglajul frecvenei se face brut, n decade, sau fin.
Are i posibilitatea de vobulare intern sau extern, adic este capabil s genereze un
semnal de frecven variabil, peste maxim dou decade, ntr-un interval de timp
cuprins ntre 20ms i 15s. Semnalul de la ieire poate fi atenuat prin dou atenuatoare
separate de 20dB fiecare.
n fig. 3 sunt prezentate tipurile de semnale ce pot fi generate cu un astfel de
aparat.

Fig. 2. Generatorul de semnal HM 8030-5.

Aplicaie introductiv 9

Fig. 3. Exemple de semnale periodice care pot fi generate cu un generator de semnal.

4. SURSA DE TENSIUNE CONTINU

Este destinat alimentrii cu tensiune continu, stabilizat, a montajelor
electronice. Referirile se vor face vizavi de modelul HM8040-2 produs de firma
Hameg (fig. 4). n principal acesta prezint dou surse independente, cu tensiunea
reglabil n mod continuu ntre 0 i 20V i o a treia surs de 5V, ajustabil cu 0,5V,
folositoare n lucrul cu circuite TTL. De menionat i posibilitatea ajustrii curentului
surselor, n gama 10mA-500mA.
Aparatul poate fi utilizat ca o surs de tensiune reglabil ntre 0 i 40V dac
se leag borna + a canalului A cu borna - a canalului B.

10 Aplicaia nr. 1

Poate fi utilizat ca surs de tensiune diferenial 20V dac se leag dac se

leag borna + a canalului A cu borna - a canalului B i mpreun la potenialul de
referin (masa).
Prin legarea n paralel a celor dou canale se poate dubla curentul furnizat.

Fig. 4. Sursa de tensiune continu HM-8040-2.

5. OSCILOSCOPUL
Osciloscopul este un aparat destinat vizualizrii i aprecierii calitative i
cantitative a fenomenelor cu o variaie periodic n timp sau staionare. Funcionarea
sa este bazat pe utilizarea tubului catodic. Se folosete deflexia electrostatic pentru
deplasarea pe vertical i orizontal a fascicolului de electroni generat de un tun
electronic. Impactul fascicolului de electroni cu luminoforul (substana fotoemisiv)
determin efectul vizual.
Vizualizarea formei de variaie n timp a unor tensiuni cu osciloscopul
presupune aplicarea plcilor X (de deflexie orizontal) a unei tensiuni liniar variabile
avnd panta controlat prin coeficientul kt[sec/div] iar plcilor Y semnalul de
vizualizat uy(t). Imaginea pe ecran va fi stabil dac frecvena de repetiie a dinilor
de fierstru este multiplu/submultiplu ntreg fa de frecvena semnalului uy(t).
Sincronizarea poate fi realizat i n regim declanat cnd baza de timp genereaz
dini de fierstru numai corelat cu un semnal de sincronizare.
Se va considera n continuare cazul osciloscopului analogic HM303-6 (fig. 5)
produs de ctre firma Hameg.
Acesta prezint dou canale identice, ce permit vizualizarea tensiunilor de pn la
35MHz aplicate la intrare, separat sau mpreun (alternat sau chopat), a sumei sau
diferenei acestor semnale.
a) Punerea n funciune a osciloscopului.
nainte de alimentarea osciloscopului cu tensiune, se efectueaz astfel:

Aplicaie introductiv 11

- toate butoanele se comut pe poziia n afar (out);

- se rotesc butoanele de calibrare de la baza de timp (TIME/DIV) i atenuatoarele
(VOLTS/DIV) canalelor (CHI i CH2) astfel nct sgeata s indice poziia calibrat,
adic se rotesc n sensul acelor de ceasornic pn la limita din dreapta;
- toi ceilali marcheri se seteaz pe poziia median, la mijloc;
- selectorul TRIG. MODE se seteaz pe poziia AC;
- butoanele GD (ground, potenial de referin, mas) de la CHI i CHII se apas pe
poziia GD;
- prin operaiunea de mai sus intrrile vor fi scurtcircuitate i dup pornirea
osciloscopului (butonul POWER) se va putea ajusta corespunztor poziia trasei
(butoanele Y-POS, X-POS), de asemenea intensitatea (INTENS) i focalizarea
(FOCUS) spotului, dup care osciloscopul este pregtit pentru funcionare.
b) Msurarea tensiunilor.
Amplitudinea tensiunii (valoare vrf la vrf) se obine nmulind numrul de
diviziuni pe axa Y (Ny) cu coeficientul de deflexie (D) al atenuatorului (VOLTS/DIV)
canalului la care s-a aplicat tensiunea:
U[Vvv] = Ny [div] x D [volt/div]
(1)
Dac atenuatorul x10 al sondei este folosit rezultatul obinut cu rel. (1) trebuie nmulit
cu 10.
Exemplu: Se vizualizeaz pe ecranul osciloscopului semnalul dreptunghiular
din fig. 6. Atenuatorul canalului este pe poziia .2 volt/div. Amplitudinea semnalului
va fi: U = 5 div x 0.2 volt/div = 1V.
c) Msurarea timpului/frecvenei.
n mod analog cu msurarea tensiunii, timpul/perioada/frecven unui semnal
se determin nmulind numrul de diviziuni de pe axa X, Nx , cu coeficientul bazei de
timp Tc:
T [s] = 1/F = Nx [div] x Tc [s/div]
(2)
n care T reprezint timpul/perioada semnalului iar F [Hz] frecven sa.
Exemplu: Presupunem coeficientul bazei de timp pe poziia 1ms. Rezult
pentru semnalul din fig. 6 o perioad T = 5 div x 1 ms/div =5ms, adic o frecven F =
0.2 KHz.

12 Aplicaia nr. 1

Fig. 5. Osciloscop HM 303-6.

Fig. 6. Semnal dreptunghiular vizualizat pe ecranul osciloscopului.

d) Msurarea defazajului i a raportului de frecvene dintre dou semnale.

Se regleaz osciloscopul s lucreze n sistem XY. Semnalul X este adus la
canalul I, Y la canalul II. Pe ecran se vor obine diferite figuri (denumite figuri
Lissajous) corespunztoare celor dou frecvene i a defazajului dintre ele (fig. 7).

Aplicaie introductiv 13

Diferena de faz

45

90

135

180

Raport de frecven

1:1

1:2

1:3

Fig. 7. Figuri Lissajous pentru diverse rapoarte de frecven i defazaje.

e) Testarea componentelor.
HM 306 are inclus intern un tester electronic (butonul COMP. TESTER pe
poziia on) cu ajutorul cruia se pot obine informaii asupra bunei funcionri a
diverselor componente i dispozitive electronice: rezistor, condensator, bobin, diod
i tranzistor.
Principiul de test este foarte simplu: osciloscopul genereaz intern un semnal
sinusoidal (50Hz, 7Vef) ce este aplicat printr-un rezistor componentei de testat.
Semnalul sinusoidal este folosit pentru deflexia orizontal iar curentul prin
component (i rezistor) pentru deflexia vertical. Pe ecranul osciloscopului vor
aprea deci caracteristicile curent-tensiune ale componentelor testate.
6. PARTEA EXPERIMENTAL
6.1 Se vor identifica elementele de reglaj i de comand ale sursei de tensiune
continu i ale multimetrului.
6.2 Se conecteaz un canal al sursei de tensiune continu stabilizat la un
rezistor decadic (poziia 1K) - valoarea sa fiind confirmat i prin msurtoare cu
multimetrul (funcie ohmmetru).

14 Aplicaia nr. 1

6.3 Se urmrete prescrierea unei tensiuni de 1V la bornele rezistorului valoarea sa fiind confirmat i prin msurtoare cu multimetrul (funcie voltmetru).
Pentru msurarea unei tensiuni, voltmetrul se va conecta n paralel cu consumatorul a
crei tensiune la borne se vrea determinat.
6.4 Se determin pentru cazul anterior, valoarea curentului ce trece prin
consumator prin intercalarea n serie cu acesta a multimetrului (funcie ampermetru).
6.5 Se vor experimenta modurile de conexiune ale celor dou canale ale sursei
de tensiune continu descrise n 4.
6.6 Se vor identifica elementele de reglaj i de comand ale generatorului de
semnal i osciloscopului.
6.7 Se vor efectua msurtori de amplitudine i frecven pentru diverse
semnale de amplitudine, offset, frecven i form diferite, generate cu ajutorul
generatorului de semnal.

Aplicaia nr. 2
CARACTERISTICILE STATICE I PARAMETRI
DIODELOR SEMICONDUCTOARE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se va ridica caracteristica static curent-tensiune pentru diverse tipuri de diode
(redresoare, de comutaie rapid, Zener). Se msoar rezistena diferenial i
tensiunea Zener, comparndu-se rezultatele obinute cu datele de catalog. Se urmresc
aceleai probleme i prin simularea PSpice a circuitelor.
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1 ECUAIA DIODEI
n fig. 1 se prezint caracteristica static curent-tensiune pentru o jonciune pn
n care se disting urmtoarele trei zone:
ID [mA]

0,2 0,4 0,8

UD [V]

Fig. 1. Caracteristica static pentru o jonciune pn.

a) Zona de conducie direct, corespunztoare polarizrii directe a jonciunii,

este zona cuprins n cadranul nti. Pentru aceast regiune ecuaia ce caracterizeaz
comportarea dispozitivului este:

Uu D

i D = I S e T 1

unde:

(1)

16 Aplicaia nr. 2

UT =

kT
- tensiunea termic, care la temperatura camerei are o valoare de
e

25mV.
IS - curentul de saturaie (rezidual) al jonciunii. Pentru dispozitivele
semiconductoare moderne cu SI IS are valori foarte mici, de ordinul 10-9A.
- parametru tehnologic, 2 pentru cureni nominali i 1 la cureni
mari.
Rel. (1) se simplific n cazul polarizrii jonciunii cu tensiuni de cteva ori
mai mari dect UT, devenind:

iD = I S e

uD
U T

(2)
b) Zona de blocare, corespunde polarizrii inverse a jonciunii, fiind situat
n cadranul III. Uzual, u D >> U T astfel nct curentul prin diod devine:

iD -I S

(3)
fiind practic independent de tensiunea la borne. Curentul de saturaie IS este dictat de
concentraia purttorilor minoritari la echilibru, fiind dependent deci de materialul
folosit i de tehnologia de realizare.
c) Zona de strpungere, este situat tot n cadranul III, n continuarea zonei
de blocare. Caracteristic pentru aceast zon este fenomenul de multiplicare n
avalan a purttorilor minoritari, fenomen ce conduce la cderea rapid a
caracteristicii. Curentul prin jonciune crete foarte mult, pe cnd tensiunea la borne
rmne practic constant.
Rel. (1) rmne valabil cu o bun aproximare i n cazul diodelor reale, la
care se mai adaug totui cderea de tensiune pe rezistena regiunilor neutre i pe
rezistena firelor de contact.
2.2 REZISTENA DIFERENIAL
Derivnd n raport cu uD rel. (1) se obine:
uD

iD
i
1
= I S e UT
D
u D
U T U T

(4)

Rezistena diferenial este definit de relaia:

rD =

u D
iD

PSF

U T
ID

(5)

unde iD reprezint curentul prin diod n punctul static de funcionare (PSF)

considerat. Rezistena diferenial evaluat n zona de strpungere reprezint un
parametru important al diodelor Zener, fiind dat n catalog (rdz are valori cuprinse
ntre civa ohmi i sute de ohmi).

Caracteristicile statice i parametri diodelor semiconductoare 17

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 MSURAREA CARACTERISTICII STATICE
n fig. 2 se prezint circuitul utilizat la ridicarea caracteristicii statice. Dioda
studiat poate fi una redresoare (de exemplu 1N4001), de comutaie rapid (1N4148)
sau Zener (DZ4V7). Rezistorul RP va fi unul variabil, n decade.
R1
1k

R2

V1

mA

iV

1K

RP

V
iD

Fig. 2. Circuit pentru ridicarea caracteristicii statice curent-tensiune pentru o diod.

Curentul prin diod (iD) se calculeaz cu relaia:

iD = i iV

(6)
unde i este curentul indicat de miliampermetru, iar iV, curentul prin voltmetru. Acesta
din urm se calculeaz n funcie de tensiunea la bornele voltmetrului i rezistena
intern a acestuia. n cazul particular al msurrii tensiunii cu un voltmetru electronic,
iV poate fi aproximat cu zero, datorit impedanei de intrare mari a acestui tip de
aparat de msur.
Pentru ridicarea caracteristicii diodei, n polarizare direct, se va completa
tabelul urmtor:
UD [V]
ID [mA] msurat

0,2

0,4

0,5

0,60

0,62

0,64

0,66

0,68

0,7

0.72

0,74

ID [mA] calculat
cf. rel (1)

Tab. 1. Se completeaz cu valorile msurate respectiv calculate pentru curentul direct prin diod.

Observaie: a) Obinerea valorilor impuse pentru UD este posibil prin reglarea

tensiunii de alimentare i a rezistorului decadic.
b) Pentru calculul iD se vor folosi urmtoarele constante: = 1, UT =
25mV, IS = 210-15A.
Pentru ridicarea caracteristicii diodei, n polarizare invers, se va completa
tab. 2.

18 Aplicaia nr. 2

UD [V]
ID [mA] msurat

-1 -2 -3 -4 -4,1 -4.2 -4,3 -4,4 -4,5 -4,6 -4,7

Tab. 2. Se completeaz cu valorile msurate respectiv calculate pentru curentul invers prin diod.

Dup completarea celor dou tabele se vor trasa pe hrtie milimetric cele
dou grafice corespunztoare polarizrii directe (msurat i calculat) precum i
graficul aferent polarizrii inverse.
3.2 MSURAREA REZISTENEI DIFERENIALE
Schema circuitului utilizat pentru msurarea rezistenei difereniale este
ilustrat de ctre fig. 3. Se distinge n aceast schem circuitul de polarizare a diodei
(utilizat la stabilirea punctului static de funcionare) format din sursa de tensiune V1 i
rezistorul R1 i partea rspunztoare de regimul dinamic alctuit din rezistorul
decadic RP, condensatorul de cuplare C1 i generatorul de tensiune sinusoidal vg.
Miliampermetrul inserat n circuitul de polarizare servete la fixarea valorii curentului
aferent punctului static.
R1
V1

C1

mA
1K

RP
D

220F

vg

uD

Fig. 3. Circuit pentru determinarea practic a rezistenei dinamice a unei diode.

Msurtorile ncep prin stabilirea unui punct static de funcionare pentru

dispozitivul electronic prin modificarea tensiunii continue V1 urmrind indicaiile
miliampermetrului (iD ntre 0,1mA i 5mA). Reglnd apoi nivelul tensiunii sinusoidale
vg i valoarea rezistenei decadice RP se urmrete obinerea unei componente
alternative la bornele diodei ud de aproximativ 20mV (pentru orice punct static de
funcionare).
Din punct de vedere dinamic, circuitul din fig. 3 poate fi echivalat prin schema
din fig. 4.

Caracteristicile statice i parametri diodelor semiconductoare 19

RP
rd

R1

uD

vg

Fig. 4. Circuitul echivalent din punct de vedere dinamic al schemei din fig. 3.

n aceste condiii, pe baza formulei divizorului de tensiune, se poate scrie

relaia:

ud = v g

R1 || rd
R1 || rd + RP

(7)

Din (7) rezult c rezistena diferenial se calculeaz pe baza urmtoarelor

formule:

rd = RP

rd =

ud
v g ud

rd R1
R1 rd

(8)
(9)

Tensiunile alternative ud i vg se vor msura cu osciloscopul, frecvena

tensiunii sinusoidale fiind de 1KHz. Se vor face trei msurtori, n trei puncte statice
diferite.
3.3 SIMULAREA PSPICE A CIRCUITELOR
Se urmrete ridicarea caracteristicilor statice pentru diodele redresoare, de
comutaie rapid i Zener, prin descrierea SPICE a circuitului din fig. 2. n plus, se va
determina influena temperaturii asupra curentului din jonciune.
*

caracteristica statica a diodei semiconductoare

V1 1 0 DC 0.6V
R1 1 2 1K
RP 2 0 100K
R2 2 3 1K
D1 3 0 DZ4V7
*D1 3 0 D1N4148
*D1 3 0 D1N4001
.OP
.DC LIN V1 -20 10 0.01
*.TEMP 0 20 40
.PROBE
.model D1N4148 D(Is=0.1pA Rs=0.5)
.lib dce.lib
.END

20 Aplicaia nr. 2

Fig. 5. Caracteristica static a diodei Zener DZ4V7 obinut prin simulare PSpice.

Fig. 6. Influena temperaturii asupra curentului prin jonciune, pentru o diod de comutaie rapid tip
1N4148 n polarizare direct, aa cum reiese din simularea PSpice.

Se va determina prin simulare rezistena dinamic a unei diode.

*rezistenta dinamica pentru o dioda semiconductoare
V1 1 0 DC 10V
R1 1 2 3K
D1 2 0 D1N4148
RP 2 3 1K
C1 3 4 470uF
vg 4 0 ac 0.1V
.AC LIN 100 900 1100
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END

Fig. 7. Rezistena dinamic a diodei determinat prin simulare PSpice.

Aplicaia nr. 3
CIRCUITE CU DIODE I MODELAREA LOR
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete familiarizarea cu rezolvarea unor probleme de circuite cu diode.
Se proiecteaz i se realizeaz circuite simple cu diode, a cror performane se verific
experimental i prin simulare PSPICE.
2. CONSIDERAII TEORETICE
Caracteristica curent-tensiune a unei diode, dat de relaia (1) din lucrarea
precedent, este neliniar i ca urmare greu de utilizat n aplicaii concrete. De aceea,
n majoritatea situaiilor, se lucreaz cu modele pentru diode liniarizate pe poriuni. n
fig. 1 a) i b) se dau schemele echivalente, de semnal mare, pentru dioda n conducie
direct i invers, iar n fig. 1 c) schema echivalent pentru conducia n zona de
strpungere a unei diode Zener.
VCC

VCC
VCC

VCC

rd

VCC

VCC

VCC
VCC
VCC

Vd

Fig. 1 a) Diod n conducie

b) Diod blocat

VCC

VCC

Rdz

VCC
Vz0

c) Diod Zener

Folosind aceste scheme, circuitele cu diode se analizeaz sau proiecteaz cu

relaiile din electrotehnica liniar.
2.1 LIMITATOR ASIMETRIC CU DIOD
Schema circuitului se prezint n fig. 2. n funcie de valoarea tensiunii de
polarizare a diodei, Vp, se modific partea din semnalului sinusoidal aplicat la intrare,
Vg, care nu se mai transmite la ieire. Pentru analiza circuitului, se consider dou
situaii distincte n care dioda este blocat respectiv se gsete n conducie direct.
n ipoteza c rd << R L i folosind modelele echivalente din fig.1, tensiunea
de ieire u0 se poate calcula cu relaiile:

u0 = Vg

RL
R + RL

(1)

22 Aplicaia nr. 3

pentru dioda blocat i

rd || R L
RL || R
+ (VP U D 0 )
R + rd || RL
RL || R + rd
rd
RL || R
u0 V g
+ (VP U D 0 )
R + rd
RL || R + rd

u0 = V g

(2)
(3)

pentru dioda n conducie.

R
iD
D
RL

Vg

uo

VP

Fig. 2. Limitator asimetric cu diod.

n cazul unui circuit pasiv funcia u0 = f(Vg) este continu. Valoarea VgP a
tensiunii de intrare pentru care dioda trece dintr-o stare n alta se deduce din condiia
de continuitate a funciei dat de relaiile (1) i (2).
n reprezentare grafic, dependena u0 = f(Vg) se prezint ca n fig.3. n stare
de blocare, curentul prin diod este nul. n conducie, se poate calcula cu relaia:

iD =

u0 + U D EP
rd

(4)

Pentru rd se pot lua n considerare valorile msurate n cazul diodei redresoare,

la lucrarea nr.2 (ohmi zeci de ohmi).

u0
Panta

rd
rd + R

Panta

VgP

RL
R + RL
Vg

Fig. 3. Dependena tensiunii de ieire a limitatorului de tensiunea aplicat la intrarea circuitului.

Circuite cu diode i modelarea lor 23

2.2 STABILIZATOR DE TENSIUNE CONTINU CU DIOD ZENER

n fig. 4 este prezentat un circuit n care dioda Zener DZ este folosit pentru
stabilizarea tensiunii pe rezistena de sarcin RL. Funcionarea este simpl i se
bazeaz pe variaia neglijabil a tensiunii pe dioda Zener n conducie invers, la
variaii importante ale curentului prin diod. De exemplu, dac rezistena de sarcin RL
scade, curentul iz scade, dar tensiunea la bornele diodei rmne practic constant, deci
i tensiunea de ieire U0 (atta timp ct iz nu scade sub valoarea minim Iz min dat n
catalog).
iL

R
i

UO
DZ

RL
iZ

Fig. 4. Stabilizator cu diod Zener.

n scopul dimensionrii stabilizatorului, dioda este echivalat cu modelul

liniarizat pe poriuni prezentat n fig.1 c). Ca date iniiale se cunosc: tensiunea de
ieire U0, rezistena de sarcin R L [R L min , R L max ] i tensiunea de alimentare

V [Vmin ,Vmax ].

Dioda Zener se alege, ca tip, astfel ca relaiile de mai jos s fie ndeplinite:

UZ = U0
V UZ
I Z max max
R

(5)
(6)

Valoarea rezistenei R se determin din relaiile:

Rmin =

Rmax =

Vmax U Z 0 rdz I Z max

r UZ
I Z max 1 + dz +
RL max RL max

Vmin U Z 0 rdz I Z min

r U
I Z min 1 + dz + Z
RL min RL min

(7)

(8)

unde IZmin i IZmax i rdz sunt caracteristice diodei Zener utilizate i se extrag din catalog.
n relaiile (7) i (8) tensiunea de strpungere a diodei Zener, UZ0, poate fi
nlocuit, ntr-o bun aproximaie, cu valoarea nominal a tensiunii diodei Zener, UZ.
Pentru rezistena R se alege o valoare standardizat astfel ca R [Rmin , Rmax ] .

24 Aplicaia nr. 3

Totodat R trebuie s disipe o putere cel puin egal cu:

2
PR = R imax

unde:

imax =

(9)

Vmax U Z
R

(10)

2.3 PARAMETRII STABILIZATORULUI CU DIOD ZENER

Pentru a caracteriza funcionarea stabilizatorului se definesc doi parametri
importani:
- rezistena de ieire (intern) a stabilizatorului:

R0 =

u0
iL

=
V = const .

R rdz
rdz
R + rdz

(11)

- coeficientul de stabilizare:

S0 =

V
u0

=
iL = const .

rdz + R
rdz

(12)

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Pentru circuitul din fig.2, n care RL = 2,2K, R = 2,2K, VP = 1V i
dioda este de tipul 1N4148, se ridic caracteristica de transfer U0 = f(Vg), punct cu
punct. Se consider Vg [ 15V , + 15V ] . Pe aceeai hrtie milimetric se trec i
valorile gsite teoretic cu relaiile (1) i (3), aa cum se arat n Tab. 1.
Vg [V]

-15

-13

-11

-9

-7

-5

11

13

15

UO [V] msurat
UO [V] calc. cf.
rel (1), (3)

Tab. 1. Se completeaz cu valorile msurate respectiv calculate pentru tensiunea de la ieirea

limitatorului.

n regim de semnal sinusoidal se urmrete, pe osciloscop, tensiunea u0. Se

justific, pe baza formei de und a u0, denumirea circuitului de limitator asimetric.
3.2 tiind c RL [1K, 3K] , V [15V , 20V ] i U0 = 4,7V, se va proiecta
stabilizatorul din fig. 4. Cu valoarea gsit pentru R se realizeaz circuitul i se ridic
caracteristica U0 = f(V) pentru V [15V ,20V ] .

Circuite cu diode i modelarea lor 25

V [V]
UO [V] msurat

15

16

17

18

19

20

Tab. 2. Se completeaz cu valorile msurate pentru tensiunea de la ieirea stabilizatorului.

Din grafic se determin factorul de stabilizare S0 i se compar cu valoarea

gsit teoretic cu relaia (12).
3.3 Utiliznd circuitul realizat mai sus se ridic caracteristica U0 = f(RL)
pentru R L [1K, 3K] i V = 18V, cf. Tab. 3. Din caracteristic se determin R0 i
se compar cu valoarea gsit cu relaia (11).
Valorile rdz i UZ vor fi extrase din catalog pentru tipul de diod Zener utilizat.
RL [K]
UO [V] msurat

1,5

2,5

Tab. 3. Se completeaz cu valorile msurate pentru tensiunea de la ieirea stabilizatorului.

3.4 Se va realiza descrierea i simularea PSPICE a circuitelor de la punctele

anterioare.
* limitator asimetric cu dioda
Vg 1 0 DC 0V SIN(0V 2V 1KHz)
R1 1 2 2.2K
Vp 3 0 DC 1V
D1 3 2 D1N4148
R2 2 0 2.2K
.DC LIN Vg -15 15 0.1
.TRAN 300n 3m
.PROBE
.MODEL D1N4148 D(Is=0.1pA Rs=0.5)
.END

a)
b)
Fig. 5. Rezolvarea prin simulare a punctului 3.1. Se poate observa forma uO n curent continuu i
alternativ.

26 Aplicaia nr. 3
* stabilizator cu dioda Zener, U0=f(V)
V1 1 0 DC 10
R1 1 2 1K
D1 0 2 DZ4V7
R2 2 0 2K
.OP
.DC LIN VD 15 20 0.1
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END

Fig. 6. Caracteristica U0 = f(V) cerut la pct. 3.2 aa cum reiese din simularea PSPICE
a circuitului stabilizator cu diod Zener.
*stabilizator cu dioda Zener, U0=f(RL)
VD 1 0 DC 18
R1 1 2 1K
D1 0 2 DZ4V7
R2 2 0 {Rel}
.PARAM Rel=1k
.OP
.DC LIN PARAM Rel 1K 3K 1
.PROBE
.LIB DCE.LIB
.END

Fig. 7. Caracteristica U0 = f(RL) la pct. 3.3 aa cum reiese din simularea PSPICE
a circuitului stabilizator cu diod Zener.

Aplicaia nr. 4
MEDIUL DE SIMULARE SPICE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete prezentarea unor noiuni elementare de sintax, modelare,
analiz i simulare pentru circuite analogice, oferite de programele din familia SPICE.
2. INTRODUCERE
Conceput nc din anii 70 la University of California, Berkeley, SPICE
(Simulation Program with Integrated Circuit Emphazis) este un program de simulare
de uz general pentru circuitelor electronice, analogice i digitale. n scurt tip el a
devenit un standard industrial, datorit utilitii, funcionalitii sale dar i datorit
distribuiei libere a programelor surs (SPICE2G6, SPICE3f4). Versiunile comerciale
existente sub diferite denumiri (ex.: MicroSim Pspice v.8, OrCAD v.9.2) au ajuns s
ofere soluii EDA (Electronic Design Automation) complete; mediul integrat permite
parcurgerea tuturor etapelor (proiectare, desenare, simulare, optimizare, proiectare
cablaj imprimat) aferente realizrii unui produs electronic n mod automat.
Avantajele pe care le ofer acest mediu sunt:
- reducerea cheltuielilor de proiectare; simularea unui circuit este mult mai ieftin
dect experimentarea aceluiai circuit n laborator;
- dezvoltarea rapid a prototipurilor;
- analize multiple; SPICE poate s efectueze toate analizele care se fac n mod
tradiional ntr-un laborator dar i cele inaccesibile n mod normal (simulri ale
variaiei temperaturii, verificarea funcionrii unei arii dintr-un circuit integrat
fizic inaccesibil proiectantului etc.).
Pentru a descrie topologia unui circuit ntr-un mod acceptat de simulatorul
SPICE, este nevoie de un fiier tip list de legturi (netlist). Acesta poate fi generat
automat, pe baza schemei desenate ntr-un editor specializat, sau poate fi creat manual
cu ajutorul oricrui editor de text.
n cele ce urmeaz vor fi detaliate aspecte legate de definirea circuitelor,
discuia orientndu-se doar asupra componentelor cel mai des folosite n circuitele
analogice.
Elementele de sintax au fost preluate dup specificaiile produselor PSpice
v5v8 al firmei MicroSim Corporation.
Observaie: n cele ce urmeaz notaia <.> va desemna un cmp obligatoriu
iar [.] un cmp opional. Notaia <.>* specific posibilitatea existenei
subsecvente a mai multor cmpuri de acelai tip.

28 Aplicaia nr. 4

3. COMPONENTE I DECLARAII
3.1 COMPONENTE PASIVE
Dintre componentele pasive disponibile n SPICE se pot enumera: rezistor,
condensator, bobin, transformator, linie de transmisie. Acestea ncep respectiv cu
literele R, C, L, K i T. Rezistoarele pot avea i coeficieni de temperatur. Declaraiile
prin care aceste componente se specific n circuit sunt urmtoarele:
R<nume> <nod+> <nod-> [<model>] <valoare>
Exemplu: R1 15 0 2K;
C<nume> <nod+> <nod-> [<model>] <valoare> [IC=<valoare iniial>]
Exemplu: CCUPLAJ 15 0 10uF; C1 3 33 CMODEL 10pF IC=1.5v;
L<nume> <nod+> <nod-> [model] <valoare> [IC=<iniial>]
Exemplu: LSARCINA 15 0 20mH; L2 5 12 2uH IC=2mA;
K<nume> L<nume inductan> <L< nume inductan>> + <coeficient de cuplaj>
Exemplu: KXFR1 LPRIM LSEC .99;
T<nume> <A+> <A-> <B+> <B-> Z0=<valoare>
+ [TD=<valoare> | F=<valoare>[NL=<valoare>]]
Exemplu: T1 1 2 3 4 Z0=220 TD=115ns.
3.2 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE
Dintre dispozitivele semiconductoare disponibile n SPICE se pot enumera:
diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de cmp: cu jonciune, MOS, cu
GaAs. Acestea ncep respectiv cu literele D, Q, J, M, B. Toate aceste componente
necesit modele specificate de utilizator sau existente biblioteci. Declaraiile prin care
aceste componente se specific n circuit sunt urmtoarele:
D<nume> <nod+> <nod-> <model>
Exemplu: D1 2 3 D1N4148
Q<nume> < c > < b > < e > + [<nod substrat>] <model>
Exemplu: Q1 14 2 13 BC107
J<nume> < d > < g > < s > <model>
Exemplu: J1 20 1 0 J2N3819
M<nume> < d > < g > < s > +<substrat> <model>
Exemplu: M1 1 2 0 0 IRF150
B<nume> < d > < g > < s > <model>
Exemplu: BIN 100 1 0 GFAST.
3.3 SURSE DE CURENT I TENSIUNE
Acestea sunt singurele componente generatoare de putere. Sursele de curent
pot fi comandate sau independente.

Mediul de simulare SPICE 29

a) Surse comandate. n SPICE sunt disponibile patru tipuri de surse

comandate: surse de tensiune comandate prin tensiune, surse de curent comandate prin
curent, surse de curent comandate prin tensiune, surse de tensiune comandate prin
curent.
Acestea ncep respectiv cu literele E, F, G, H implementnd funciile:
va = E(vb)
ia = F(ib)
I a= G(vb)
va = H(ib)
Sursele pot fi comandate prin funcii liniare sau polinomiale de tipul:
2

f ( x1 ) = p0 + p1 x1 + p2 x1 + p3 x1 + p4 x1 + ... .
O funcie polinomial bidimensional este exprimat astfel:
2

f ( x1 , x2 ) = p0 + p1 x1 + p2 x1 + p3 x1 + p4 x1 x 2 + p5 x 2
3

+ p6 x1 + p7 x1 x 2 + p8 x1 x 2 + p9 x2

Declaraiile corespunztoare au urmtoarea form general:

E<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nod_comand(+)> <nod_comand(-)>
<amplificare>
E<nume>
<nod(+)>
<nod(-)>
POLY(<valoare>)
<nod_comand(+)>
<nod_comand(-)> <<valoare (coeficient polinomial)>>*
Exemple:
E1 1 2 10 11 48.21 specific o surs de tensiune comandat prin tensiune ntre
nodurile 1 i 2, liniar, comandat de tensiunea dintre nodurile 10 i 11: VE1_1-2 =
48,21*V10-11
ENELIN 1 2 POLY(2) 3 4 5 6 0.1 13.6 0.2 0.005 specific o surs de tensiune
comandat prin tensiune ntre nodurile 1 i 2, neliniar, comandat de tensiunile
dintre nodurile 3 i 4 respectiv 5 i 6: VNELIN1-2 = 0,1 + 13,6*V3-4 + 0.2*V5-6 +
0.005*V23-4
F<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nume (dispozitiv comand tensiune)
<amplificare>
F<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <nume (dispozitiv comand
tensiune) <<valoare (coeficient polinomial)>>*
Exemple:
FSENS 1 2 VSENS 10.0 specific o surs de curent liniar, ntre nodurile 1 i 2,
comandat de curentul ce circul prin sursa de tensiune VSENS: IFSENS =
10,0*I(VSENS).
FNELIN 101 102 POLY(2) V1 V2 0.0 0.9 0.2 0 1 specific o surs de curent
neliniar, ntre nodurile 101 i 102, comandat de curentul ce circul prin sursele de
tensiune V1 i V2: IFNELIN = 0,9*I(V1) + 0,2*I(V2) +1* I(V1)* I(V2)
G<nume> <nod(+)> <nod(-)> <<nod_comand(+)> <nod_comand(-)>>
<transconductan>
G<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <<nod_comand(+)>
<nod_comand(-)>> <<valoare (coeficient polinomial)>>*
H<nume> <nod(+)> <nod(-)> <nume (dispozitiv comand tensiune)
<transrezisten>

30 Aplicaia nr. 4

H<nume> <nod(+)> <nod(-)> POLY(<valoare>) <nume (dispozitiv comand

tensiune) <<valoare (coeficient polinomial)>>*
b) Surse independente. Fiecare surs poate fi specificat separat pentru
analizele n curent continuu, n curent alternativ sau analiza n domeniul timp. Sursele
independente de tensiune i semnal ncep cu litera V:
V<nume> <nod+> <nod-> + [[DC] <valoare>] + [AC <amplitudine> [<faza>]] +
[ <specificaii de regim tranzitoriu> ].
Specificaiile de regim tranzitoriu: EXP(iv vpk rdelay rtc fdelay ftc), PULSE(v1 v2 td
trise tfall pw per), PWL(t1 v1 t2 v2 ... tn vn), SFFM(voff vampl fc mod fm), SIN(voff
vampl freq td df phase).
Exemplu: V1 13 0 2.3mV; VAC 2 3 AC .001;
V3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5MEG).
iar sursele independente de curent i semnal cu I:
I<nume> <nod+> <nod-> + [[DC] <valoare>] + [AC <amplitudine> [<faza>]] +
[ <specificaii de regim tranzitoriu> ].
Specificaiile de regim tranzitoriu: EXP(i1 ipk rdelay rtc fdelay ftc), PULSE(i1 i2 td
trise tfall pw per), PWL(t1 i1 t2 i2 ... tn fn), SFFM(ioff iampl fc mod fm), SIN(ioff
iampl freq td df phase).
Exemplu: IBIAS 13 0 2.3mA; I2 2 3 AC .001;
I3 26 77 DC .002 AC 1 SIN(.002 .002 1.5K).
3.4 COMUTATOARE
Acestea sunt implementate pentru a permite schimbarea conexiunilor
circuitelor n timpul simulrii. Comutatoarele pot fi comandate prin curent sau
tensiune; pentru a crea un comutator comandat n timp se conecteaz nodurile de
control al comutatorului la o surs de tensiune cu valori de tensiune egale cu cele de
timp.
Comutatorul nu este ideal pentru c rezistenele de deschidere, respectiv de
nchidere sunt finite i se modific brusc ntre cele dou valori.
n practic, rezistena de deschidere poate fi foarte mic n comparaie cu
impedanele altor circuite, iar rezistena de nchidere poate fi foarte mare n
comparaie cu impedana altor circuite.
Un comutator comandat prin tensiune se apeleaz cu declaraia .MODEL de
tipul VSWITCH, iar un comutator comandat prin curent cu declaraia .MODEL de
tipul ISWITCH. Forma general a comutatorului comandat prin tensiune este
precedat de litera S iar a comutatorului comandat prin curent W:
S<nume> <nod+> <nod-> + <nod comand+> <nod comand-> <model>
Exemplu: S12 13 17 2 0 SMOD; SRESET 5 0 15 3 RELAY.
W<nume> <nod+> <nod-> + <nume dispozitiv comand tensiune> <model>
Exemplu: W12 13 17 VC WMOD ; WRESET 5 0 VRESET RELAY.

Mediul de simulare SPICE 31

3.5 ALTE DECLARAII

a) Declaraia .MODEL. Este utilizat pentru a defini un set de parametri ce
descriu un dispozitiv i are urmtoarea form:
.MODEL <nume model> <nume tip> + [<nume parametru>=<valoare> [<tol>]]
Exemplu: .MODEL Q1 NPN (IS=1e-7 BF=30).
b) Declaraia .LIB. Bibliotecile sunt fiiere de text ASCII coninnd
declaraii .MODEL care definesc fiecare dispozitiv acceptat de SPICE. Toate fiierele
bibliotec SPICE au extensia .LIB.
Formatul comenzii .LIB este:
.LIB [nume fiier]
Exemplu: .LIB F:\ELECTRO\DCE.LIB; SPICE va cuta n calea specificat fiierul
DCE.LIB.
c) Declaraia .PARAM. Cu ajutorul acestei declaraii se pot defini parametrii
globali ai circuitului:
.PARAM < <nume>=<valoare> >*
.PARAM < <nume>={<expresie>}>*
Exemplu: .PARAM pi=3.14159265
d) Declaraia .IC. Semnific specificaia condiiilor iniiale pentru punctul de
polarizare:
.IC < V(<nod>) = <valoare> >*
Exemplu: .IC V(2)=3.4 V(102)=0
e) Declaraia .END. Ea marcheaz sfritul fiierului. Forma general este:
.END
4. ANALIZE
Aceste comenzi se plaseaz n fiierul circuitului mpreun cu definiia
circuitului care se dorete a fi simulat. Toate comenzile sunt coninute n declaraii
care ncep cu .
4.1 ANALIZA N CURENT CONTINUU
Se presupune c se baleiaz o surs de tensiune sau de curent, un parametru al
modelului sau temperatura ntr-un anumit domeniu. Calculul punctului de polarizare
se face pentru fiecare valoare baleiat. Analiza se specific prin comanda .DC:
.DC [LIN] <nume variabil> + <start> <sfrit> <increment>
.DC [OCT][DEC] <nume variabil> + <start> <sfrit> <numr de puncte>
.DC <nume variabil> LIST + <valoare>*
Exemplu:
.DC VIN -7.25 7 .25 .05; .DC LIN I2 5mA -2mA 0.1mA
.DC TEMP LIST 0 20 27 50 80; .DC PARAM RS -1 1 0.1

32 Aplicaia nr. 4

4.2 ANALIZA
FRECVEN)

CURENT

ALTERNATIV

(N

DOMENIUL

Analiza n curent alternativ calculeaz rspunsul circuitului n complex, la

semnale mici, acestea fiind calculate prin liniarizarea circuitului n jurul punctului de
funcionare. Analiza se specific prin comanda .AC:
.AC [LIN][OCT][DEC] <nr. de puncte> <start> <sfrit>
Exemplu: .AC LIN 101 10Hz 200Hz; .AC OCT 10 1KHz 16KHz;
.AC DEC 20 1MEG 100MEG
4.3 ANALIZA N DOMENIUL TIMP
Declaraia .TRAN determin calculul rspunsului n regim tranzitoriu pornind
de la TIME = 0 pn la o valoare specificat. n timpul analizei, SPICE fixeaz un pas
de timp intern care este tot timpul ajustat pentru a se menine acurateea calculului. n
domenii cu variaii nesemnificative, pasul intern este incrementat iar n timpul
domeniilor cu variaii semnificative este decrementat. Dac se doresc parametrii de
semnal mic ai punctului de polarizare trebuie utilizate declaraiile .TRAN/.OP:
.TRAN[/OP] <pas tiprire> <valoare timp final>
+ [<pas netiprite> [<limit>]] [UIC]
Exemplu: .TRAN 1nS 100nS; .TRAN/OP 1nS 100nS 20nS UIC
.TRAN 1nS 100nS 0nS .1nS
4.4 ANALIZA STATISTIC MONTE CARLO
n acest regim este necesar s se specifice toleranele valorilor parametrilor
modelului. Aceast analiz permite rularea multipl a celorlalte analize, cu valori luate
aleator n domeniul lor de tolerane. Exist dou tipuri de tolerane: DEV i LOT.
Toleranele DEV sunt independente, n timp ce toleranele LOT sunt dependente.
Odat stabilite toleranele, analiza Monte Carlo se lanseaz cu .MC:
.MC <#rulri> [DC][AC][TRAN] + <var.de ieire> <funcie> [opiune]*
Exemplu: .MC 10 TRAN V(5) YMAX; .MC 50 DC IC(Q7) MIN LIST
4.5 ANALIZA COMPORTRII CIRCUITELOR CU TEMPERATURA
SPICE permite s se analizeze un circuit la orice temperatur. Valoarea
arbitrar a temperaturii la care se face analiza este 27C. Aceast valoare poate fi
modificat prin directiva .TEMP:
.TEMP <valoare>*
Exemplu: .TEMP 125; .TEMP 0 27 100.

Mediul de simulare SPICE 33

4.6 ANALIZA PARAMETRIC

SPICE poate s realizeze rulri multiple, variind temperatura sau diferii
parametrii ai modelului. Se utilizeaz comanda .STEP:
.STEP [LIN] <nume variabil> + <start> <sfrit> <increment>
.STEP [OCT][DEC] <nume variabil> + <start> <sfrit> <numr de puncte>
.STEP <nume variabil> LIST + <valoare>*
Exemplu: .STEP VIN -.25 .25 .05 ; .STEP LIN I2 5mA -2mA 0.1mA;
.STEP TEMP LIST 0 20 27 50 80 ; .STEP PARAM Cel LIST 0 200u
5. PARTEA EXPERMIMENTAL
Se vor descrie i simula PSPICE circuitele discutate n cadrul lucrrilor nr.2 i
3. n acest sens este necesar parcurgerea urmtoarelor etape:
a) Se numeroteaz nodurile schemei electronice. Este de preferat ca potenialului
de referin (masa) s i se atribuie valoarea 0, n acest fel toate tensiunile
nodurilor vor fi exprimate fa de mas.
b) Se descrie circuitul prin specificarea tipurilor i valorilor componentelor i a
legturilor dintre acestea.
c) Se specific tipul analizei (c.c., c.a., timp etc.). Este permis rularea unei
singure analize la un moment dat.
d) Alte declaraii de exemplu cele referitoare la biblioteci de componente sau
modelele acestora.
Observaie: 1. Este recomandat ca un program SPICE s nceap cu un scurt
comentariu (introdus prin caracterul * ) prin care s se descrie coninutul simulrii,
numele circuitului sau alte informaii utile.
2. Un program SPICE se ncheie prin directiva .END.
Exemplu. Considernd circuitul din fig.1 s se scrie un program PSPICE destinat
studiului timpilor de comutaie al diodelor.
R2

X1

100
R1
X2

X3

100
V1 = -5V
V2 = 5V
TD = 1ns
TR = 1ns
TF = 1ns
PW = 50ns
PER = 100ns

V1
D1

D2

D1N4148
X
0

X
0

D1N4001
X
0

Fig. 1. Circuit pentru studiul comparativ al timpilor de comutaie al diodelor.

34 Aplicaia nr. 4
* Studiul comutatiei diodei
*descrierea propriu-zisa a circuitului
Vg 1 0 PULSE(-5V 5V 1n 1n 1n 50n 100n)
R1 1 2 100
R2 1 3 100
D1 2 0 D1N4148
D2 3 0 D1N4001
*specificarea tipului analizei
.TRAN 10n 100n 0 0.1n
*alte declaratii
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END

Fig. 2. Rezultatele simulrii PSPICE pentru circuitul din fig. 1.

Aplicaia nr. 5
CIRCUITE DE REDRESARE

1. SCOPUL APLICAIEI
Se studiaz funcionarea circuitelor de redresare monofazate monoalternan
i bialternan i a circuitelor de filtrare.
2. PRELIMINARII
Redresarea reprezint un procedeu de transformare a tensiunii alternative n
tensiune continu. n funcie de numrul de faze ale transformatorului, redresoarele se
pot clasifica n: redresoare monofazate (folosite la puteri mai mici, de pn la 1KW) i
redresoare polifazate (folosite la puteri mari, de peste 1KW). n funcie de numrul de
alternane redresate se deosebesc cele de tip monoalternan, cnd se redreseaz o
singur alternan, respectiv cele bialternan, cnd sunt redresate ambele alternane.
Un redresor monofazat are schema bloc din fig. 1. Transformatorul modific
mrimea tensiunii alternative i izoleaz circuitul de reea, blocul redresor conine
elemente de circuit care realizeaz redresarea propriu-zis prin aceea c permit
conducia curentului numai ntr-un sens iar filtrul reduce pulsaiile (netezete)
formei de und.

~
u1
~

~
Transformator

u2

+
Redresorul
propriu-zis

iS

Filtru
-

uS

Rs

Redresorul

Sarcin

Fig. 1. Redresor monofazat - schema bloc.

Privit de la bornele de ieire, redresorul poate fi modelat n curent continuu ca

n fig. 2 a). Dependena tensiunii continue redresate Vo de curentul de sarcin Io este
reprezentat n fig. 2 b) sub forma caracteristicii externe.

36 Aplicaia nr. 5
uS

R0

Panta Rir
V0

Rs

V0, gol

V0
US0

Redresorul ca sursa
de tensiune continua

IS0

a)

iS

b)

Fig. 2. a) Schema echivalent a unui redresor. b) Caracteristica intern.

3. REDRESORUL MONOFAZAT MONOALTERNA

Redresoarele monofazate monoalternan se conecteaz la reeaua de
220V/50Hz prin intermediul unui transformator monofazat i prezint schema din fig.
3. Formele de und aferente funcionrii pot fi urmrite n fig.4.
D

Tr
r1

r2

u1

u2
N1

iS

uS

Rs

N2

Fig. 3. Redresor monoalternan.

Fig. 4. Formele de und pentru tensiunea din secundarul transformatorului, u2, i pentru tensiunea pe
rezistena de sarcin, uS.

Tensiunea din secundarul transformatorului este sinusoidal:

u2(t) = U 2m sint = 2 U 2ef sint
Valoarea medie a tensiunii pe sarcin se determin cu relaia de definiie

(1)

Circuite de redresare 37

pentru valoarea medie:

Uo =

1 T
1
u s (t )d (t ) =

2
T 0

U 2msin( t )d (t ) =

U 2m

2 U 2ef

(2)

iar pentru valoarea medie a curentului prin sarcin se poate scrie relaia:

2 U 2ef
U 2m
=
R S
R S

Io =

(3)

Puterea util reprezint puterea de curent continuu absorbit de sarcin:

Pu = Po = U o I o =

2 U 2 2 ef
2 RS

(4)

Puterea consumat se absoarbe de la reeaua de curent alternativ numai pe

durata unei semiperioade, deci puterea de curent alternativ absorbit de la reea va fi:

Pa =

1 U 2 2 ef
2 RS

(5)

n consecin, randamentul redresorului monoalternan este:

Pu
4
= 2 = 40,5%
Pa

(6)

n cazul redresorului monofazat real, trebuie s se ia n consideraie i

elementele interne ale transformatorului i diodei redresoare.
n alternana negativ a tensiunii alternative din secundar, la bornele diodei
blocate se aplic tensiunea invers avnd valoarea maxim:
U D inv max = U 2 max
(7)
4. REDRESORUL MONOFAZAT BIALTERNA
Redresoarele monofazate dubl alternan se utilizeaz sub forma a dou
montaje fundamentale: montajul cu transformator cu priz median n secundar (fig.5
a) i montajul n punte (fig.5 b). Formele de und prezente n funcionarea circuitelor
sunt nfiate n fig. 6 i 7.
D1

Tr
u21
u1
u22

Rs
uS

Tr
iS

r1

D4

r2
u2

u1

D1
+

iS
uS

N1

N2

D3

D2

D2

Fig.5. Redresoare bialternan

a) cu priz median

b) n punte

Rs

38 Aplicaia nr. 5

Fig. 6. Forme de und aferente redresorului bialternan cu priz median.

Fig. 7. Forme de und aferente redresorului bialternan n punte.

n primul caz, priza median din secundar asigur obinerea a dou tensiuni de
amplitudini egale i defazate cu 180. Prin rezistena de sarcin se aplic diodelor o
tensiune de polarizare direct sau invers, n alternana pozitiv conducnd D1 iar D2
fiind blocat, respectiv invers, n alternana negativ. n ambele alternane prin
rezistena de sarcin curentul circul n acelai sens, deci polaritatea cderii de
tensiune la bornele sarcinii nu se schimb.
ntr-o perioad T apar dou pulsuri ale tensiunii redresate astfel c valoarea
medie a tensiunii pe sarcin este:

Uo = 2

U 2m

(8)

iar valoarea curentului mediu redresat este:

Io = 2

U 2m
R S

(9)

Puterea util, respectiv cea consumat, au urmtoarele expresii:

Pu = Po = U o I o =

8 U 2 2 ef
2 RS

(10)

Circuite de redresare 39

Pa =

U 2 2 ef
RS

(11)

n aceste condiii, randamentul redresorului dubl alternan este:

Pu
8
= 2 = 81%
Pa

(12)

Pentru determinarea tensiunii inverse maxime pe diod, dac conduce dioda

D1 spre exemplu, rezult c dioda D2 este polarizat invers cu o tensiune egal cu
us+u21, deci:
U D inv max 2U 2 max
(13)
Pentru cazul redresorului dubl alternan n punte, relaiile (8)-(12) rmn
valabile. Difer doar valoarea tensiunii inverse maxime pe o diod a punii:
U D inv max = U 2 max
(14)
Observaii:
1. n calculele de mai sus s-a neglijat rezistena intern a redresorului Rir = rt + rD, cu rt
= r2 + r1(N2/N1)2 i rD = nrd, n care:
- rt reprezint rezistena echivalent a secundarului transformatorului;
- rD rezistena grupului de n diode n conducie simultan din redresor;
- r1, r2 rezistena nfurrilor primare, respectiv secundare;
- N1, N2 numrul de spire din primarul, respectiv secundarul transformatorului;
Faptul c redresorul prezint rezisten intern va determina micorarea
tensiunii la bornele rezistenei de sarcin Rs, cu coeficientul Rs/(Rir+Rs), fapt care va
reduce randamentul redresorului.
2. n prezentarea de pn acum s-a presupus c trecerea diodei din blocare n
conducie i invers se face instantaneu. n realitate, pentru fiecare din cele dou
procese tranzitorii, este necesar un timp determinat de fenomenele fizice ce stau la
baza funcionrii unei jonciuni p-n.
Pot fi definii, astfel, doi timpi de comutare, un timp de comutare direct (din
starea blocat n starea de conducie) i un timp de comutare invers (din starea de
conducie n starea blocat). Ambii parametrii menionai sunt indicai n datele de
catalog. Timpul de comutare direct este, n general, mult mai mic dect cel de
comutare invers.
n funcionarea redresorului, timpii de comutare au efect important dac sunt
compatibili cu durata unei alternane a semnalului redresat. ntrzierea n comutarea
invers determin, spre exemplu, micorarea componentei continue Uo i creterea
puterii disipate pe diod.
5. FILTRE DE NETEZIRE
Tensiunile i curenii rezultai prin redresare monofazat sunt funcii periodice
(nesinusoidale). Ele se pot descompune n serie Fourier:
- pentru cazul monoalternan:

40 Aplicaia nr. 5

u s (t ) =
-

U sm
cos(2kt )

1 + sin(t ) 2
2
k =1 ( 2k + 1)( 2k 1)

(15)

pentru cazul bialternan:

2U sm
cos(2kt )
u s (t ) =
1 2

k =1 ( 2k + 1)( 2k 1)

(16)

n acest context poate fi definit factorul de ondulaie:

amplitudinea componentei alternative de frecvent minim

componenta continu

(17)

n cazurile n care se dorete o form a tensiunii redresate ct mai stabil, ntre

redresor i sarcin se introduc filtre care s reduc pulsaiile sau ondulaiile
tensiunii/curentului redresate. Filtrele de netezire se clasific n funcie de elementul
cu care ncepe filtrul, n: filtre cu intrare pe capacitate i filtre cu intrare pe inductan.
Schemele unor circuite simple de filtrare sunt prezentate n fig. 8.
L

L
Rs

a) Filtru L

Rs

c) Filtru LC
R
Rs

b) Filtru C

Rs

d) Filtru RC
R

e) Filtru RC n .
Fig. 8. Scheme pentru circuitele de filtrare.

Un filtru este cu att mai bun cu ct are o eficacitate mai mare (raportul dintre
amplitudinea vrf la vrf a pulsaiilor la ieirea filtrului i amplitudinea vrf la vrf a
pulsaiilor la intrare, s fie ct mai mic) i cdere de tensiune continu pe el ct mai
mic. Pentru redresoarele de mic putere se utilizeaz de obicei filtre C sau RC fiind
mai simple, cu gabarit redus i mai ieftine, cu toate c au o eficacitate mai mic i
cderi de tensiune mai mari dect filtrele LC. Mrirea eficacitii unui filtru se poate

Circuite de redresare 41

realiza prin folosirea n cascad a mai multor filtre RC sau LC.

6. PARTEA EXPERMIMENTAL
6.1 Se consider redresorul monoalternan cu filtru capacitiv din fig. 9.
D

Tr
r1

iS

r2

u1

u2
N1

uS

Cf

Rs

N2

Fig. 9. Redresor monoalternan cu filtru capacitiv.

a) Oscilografiai pentru cazurile Cf = 0, Cf = C, Cf = 2C tensiunea de pe rezisten de

sarcin, uS, i comparai n aceste cazuri calitatea tensiunii redresate.
b) Completai cu rezultatele msurtorilor tabelul urmtor:
RS
2K 1,5K 1K 800 600 400 200 Filtraj
US [V]
Cf = 0
IS [mA]
US [V]
Cf = C
IS [mA]
US [V]
Cf = 2C
IS [mA]
Tab. 1. Se completeaz conform msurtorilor.

Pentru cazul Cf = 2C se va ridica caracteristica extern a redresorului, US =

f(IS), precum i dependena US = f(RS). Se va determina din grafic rezistena intern a
redresorului.
6.2 Reluai etapele punctului anterior pentru cazul redresorului bialternan, n
punte, cu filtru capacitiv (fig.10).
Tr
r1

D4

r2

u1

u2
N1

N2

D3

D1
iS

+
D2

Cf

uS

Fig. 10. Redresor bialternan, n punte, cu filtru capacitiv.

Rs

42 Aplicaia nr. 5

6.3 Calculai valoarea factorului de ondulaie pentru cazurile redresorului

monoalternan, respectiv bialternan i apreciai pe baza acestui criteriu calitatea
redresrii.
6.4 Studiai prin simulare PSPICE efectul capacitii de filtraj asupra tensiunii
redresate i a curentului tranzitoriu prin dioda unui redresor monoalternan.
* Redresor monofazat monoalternanta
* Studiul influentei capacitatii de filtraj
* asupra tensiunii pe sarcina si curentului prin dioda
Vg 1 0 SIN(0 7V 50HZ)
Ri 1 2 5
D1 2 3 D1N4001
Cf 3 0 {Cel}
Rs 3 0 1k
.LIB DCE.LIB
.PARAM Cel=200u
.STEP PARAM Cel LIST 200u 470u 1000u
.TRAN 0m 80m 0m 0.1m
.PROBE
.END

Fig. 11. Rezultatele simulrii PSPICE pentru circuitul din fig. 9.

Aplicaia nr. 6
EXPERIMENTE CU ALTE TIPURI DE DIODE
(DE COMUTAIE, ELECTROLUMINISCENTE,
FOTODIODE, VARICAP)
1. SCOPUL APLICAIEI
Se experimenteaz circuite cu alte tipuri de diode dect cele ntlnite pe
parcursul lucrrilor efectuate pn n prezent: diode de comutaie (de impulsuri), diode
electroluminiscente (LED, Light Emitting Diode), fotodiode i diode varicap
(parametrice).
2. DIODE DE COMUTAIE (DE IMPULSURI)
Sunt diode special construite pentru a lucra n regim de comutaie. Capacitatea
lor electric este, prin construcie, foarte mic.
Caracteristica static a unei astfel de diode nu se deosebete cu nimic de
caracteristica general a unei diode. Diferenele apar ns la parametrii proceselor
tranzitorii de comutaie i anume timpul de comutare direct td (de la starea de blocare
la starea de conducie) i timpul de comutare invers tinv (de la starea de conducie la
starea de blocare). Definiia acestor timpi este ilustrat grafic prin fig. 1.

Fig. 1. Rspunsul la impuls al diodei. Curentul i tensiunea prin diod.

44 Aplicaia nr. 6

Viteza de lucru a schemelor de comutaie cu diode este limitat de timpul de

comutare invers, compus din timpul de revenire, trev, n care are loc eliminarea
sarcinilor acumulate n jonciune i timpul de cdere, tc, comparabil cu timpul de
comutare direct td i deci mult mai mic dect trev.
2. DIODE ELECTROLUMINISCENTE
Simbolul diodei electroluminiscente (LED, Light Emitting Diode) este
prezentat n fig. 2. Aceast diod are proprietatea de a emite lumin atunci cnd este
polarizat direct. Jonciunile realizate cu GaAs emit radiaii electromagnetice n
domeniul infrarou (IR), iar introducerea atomilor de fosfor deplaseaz maximul de
emisie spre regiunea vizibil a spectrului. Se realizeaz astfel LED-uri emind lumin
de culoare roie, galben sau verde, n funcie de dopant.

Fig. 2. Simbolul diodei electroluminiscente.

Parametrii electrici ai diodelor electroluminiscente sunt apropiai ca valoare de

cei ai diodelor obinuite:
- curentul direct maxim are valori de ordinul zecilor de miliamperi;
- tensiunea de deschidere a jonciunii variaz de la 1,2V pentru un LED ce
emite n IR i poate ajunge la 3V pentru cele ce emit lumin verde.
- tensiunea invers poate avea valoarea maxim de civa voli.
Printr-o tehnologie special se pot realiza diode electroluminiscente a cror
lumin emis are caracteristicile luminii laser monocromaticitate pronunat,
directivitate, coeren. Acest dispozitiv poart numele de diod laser.
LED-urile se utilizeaz individual la anumite semnalizri, indicaii optice sau
la realizarea elementelor de afiare.
3. FOTODIODE
Fotodiodele au simbolul prezentat n fig.3 i reprezint diode semiconductoare
polarizate invers, bazate pe efectul fotoelectric intern (eliberarea electronilor sub
aciunea luminii n interiorul unui semiconductor, rezultnd astfel o mrire a
conductivitii). Sunt astfel construite nct jonciunea pn s poat fi iluminat i
curentul invers prin jonciune depinde, ntre anumite limite, de intensitatea fluxului
luminos incident. Ele sunt deci dispozitive optoelectronice care transform radiaia
electromagnetic n energie electric sau invers.

Fig. 3. Simbolul fotodiodei.

Experimente cu alte tipuri de diode 45

Prin fotodiod, n lipsa iluminrii trece un curent foarte mic curentul de

saturaie al unei jonciuni numit curent de ntuneric. Cnd jonciunea este iluminat,
cuantele de energie absorbite de semiconductor din fluxul luminos incident sparg un
numr de legturi covalente, producnd perechi electroni-goluri, i deci curentul prin
jonciune va crete cu att mai mult cu ct iluminarea este mai puternic.
Dintre aplicaiile acestui tip de diode se pot enumera utilizarea lor n
realizarea tuburilor videocaptoare (transform informaia purtat de lumin n
informaie electric) sau n realizarea optocuploarelor. Aceste din urm dispozitive,
denumite i cuploare optice, sunt formate dintr-un emitor i un receptor de lumin,
aezai fa n fa la distan mic, n aceeai capsul. Exist o diversitate foarte mare
de cuploare optice (fig. 4) i ele servesc la izolarea galvanic a etajelor unui circuit
electronic, de exemplu separarea prii de comand a unui circuit de cea de for.

a) LED - fotodiod

b) LED - fototranzistor
Fig. 4. Diverse tipuri de optocuploare.

c) LED fototiristor

4. DIODE VARICAP
Simbolul lor este prezentat n fig. 5. n polarizare invers aceste diode prezint
o capacitate a jonciunii pn variabil, ce depinde de valoarea tensiunii inverse UR pe
diod:

C~

1
kT
, unde U T =
n U U
e
R
T

(1)

Fig. 5. Simbolul diodei varicap.

Schema echivalent a diodei varicap (parametrice) este prezentat n fig. 6, n

care:
-

Rs - rezistena serie echivalent;

Cc - capacitatea intrinsec a diodei;
Ls - inductan serie echivalent;
C - capacitatea variabil a jonciunii.

46 Aplicaia nr. 6
Ls

Rs
VCC

Cc
VCC

Fig. 6. Schema echivalent a diodei varicap (parametrice).

Diodele cu capacitate variabil se folosesc drept condensatoare cu capacitate

variabil pe cale electric, n construcia circuitelor oscilante (acordate), filtrelor etc.
Diodele varicap cu jonciuni hiperabrupte, numite diode de acord, sunt folosite pentru
acordul fr comutare a ntregii game de frecvene n circuitele radio sau TV.
5. PARTEA EXPERMIMENTAL
5.1 Msurarea timpilor de comutaie la diode. Se msoar timpul de
comutare direct (timpul de tranziie) i timpul de revenire (timpul de stocare) pentru
o diod redresoare tip 1N4001 respectiv pentru o diod de comutaie, tip 1N4148.
Folosind montajul din fig. 7 se oscilografiaz variaia n raport cu timpul a tensiunii pe
diode respectiv a curentului prin diode dac tensiunea de la generator, vg, este
dreptunghiular i respectiv armonic.
R2
1K

R1
1K

V1
D1
D1N4148

D2
D1N4001

Fig. 7. Circuit pentru msurarea timpilor de comutaie ai diodelor.

Observaii:
- oscilogramele se traseaz pentru dou frecvene ale tensiunii vg: 10kHz i
100kHz.
- modificnd amplitudinea tensiunii vg se urmrete efectul acesteia asupra
timpului de stocare respectiv de tranziie.
5.2 Ridicarea caracteristicii statice pentru diode electroluminiscente. Se
urmrete trasarea caracteristicii iD = f(uD) la trei LED-uri diferite (rou, galben, verde)
i determinarea valorii minime a curentului iD la care LED-ul produce un efect

Experimente cu alte tipuri de diode 47

luminos vizibil. Montajul utilizat este cel din fig. 8. Curentul iD se msoar indirect,
prin tensiunea la bornele rezistorului, cf. tab. 1. n final caracteristicile se reprezint pe
acelai grafic.
R1
2K

D1

D2

D3

V1

Fig. 8. Circuit pentru ridicarea caracteristicilor statice ale unor diode electroluminiscente.
V1[V]
UR1 [V]
ID[mA] = UR1/R1
ULED 1 [V]
ULED 2 [V]
ULED 3 [V]

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

Tab. 1. Se va completa cf. msurtorilor specificate la pct.5.2.

5.3 Ridicarea caracteristici de transfer pentru un optocuplor. Se

urmrete trasarea caracteristicii Io = f(Ii) pentru optocuplorul din fig.9, prin
completarea tab.2 cu valorile gsite experimental pentru tensiunile de pe R1 i R2.
Curenii de intrare/ieire vor fi determinai prin calcul.
Ii

R1

Io

R2

8,2K

V2

22K

V1

20V

Fig. 9. Circuit pentru ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului.

V1 [V]
UR1 [V]
Ii [mA]
UR2 [V]
Io [mA]

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

Tab. 2. Se va completa cf. msurtorilor specificate la pct.5.3.

5.4 Ridicarea caracteristicii capacitate-tensiune la o diod varicap.

Capacitatea diodei varicap se va msura indirect, determinnd frecvena de oscilaie a
unui oscilator LC de tip Colpitts. Frecvena se msoar cu un frecvenmetru numeric.

48 Aplicaia nr. 6

Schema circuitului este prezentat n fig. 10 iar circuitul oscilant echivalent este cel
din fig. 11, n care C0 reprezint capacitatea diodei varicap iar Cp reprezint
capacitatea parazit a montajului. Deoarece frecvena oscilaiilor este:

f0 =

1
2 LC

1
2 L(C0 + C p )

(2)

rezult capacitatea diodei varicap de forma:

C0 =

1
Cp
4 f 2 L

(3)

R5
1,8K

C2
R1

R3

15K

1,8K

3,3nF

C4

C3

Q1

C1

V2 = -12V
VCC

22pF

3,9nF

BC171A
680pF

D1

R2

R4

L1

R6

56K

150K

8,2H

82K

D3
R7
75K

D2

V1

D4

VCC

La frecvenmetru

Fig. 10. Oscilatorul Colpitts folosit la determinarea dependenei capacitii diodei varicap fa de
tensiunea la borne.
V1 [V]
f [MHz]
C0 [pF]

11

13

15

17

19

21

23

25

Tab. 3. Se va completa cf. msurtorilor specificate la pct. 5.4.

C0

C0

C0

C0

L1

Cp

Fig. 11. Circuitul oscilant echivalent.

Se va ridica, n final, dependena capacitii diodei varicap fa de tensiunea la

borne, C0 = f(V1) considernd Cp = 17pF.

Aplicaia nr. 7
TRANZISTORUL BIPOLAR CARACTERISTICI
STATICE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se ridic experimental caracteristicele statice ale tranzistorului bipolar n
conexiune emitor comun (EC). Se studiaz dependena factorului de amplificare n
curent de valoarea curentului de colector, F = f(IC).
2. CONSIDERAII TEORETICE
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne (emitor,
colector i baz) conectate la trei regiuni semiconductoare, dintre care cea din mijloc
este dopat cu impuriti de tip opus regiunilor alturate. Se numete bipolar deoarece
conducia de curent electric se realizeaz prin aportul a dou tipuri de purttori de
sarcin (electroni i goluri).
Exist dou tipuri de tranzistoare bipolare, n funcie de modul n care sunt
aranjate cele trei regiuni semiconductoare: PNP i NPN (fig. 1). De asemenea, n
funcie de tipul semiconductorul folosit, exist n principal, tranzistoare cu Ge i cu Si.
Sensul sgeii din reprezentarea tranzistorului indic sensul real de circulaie a
curentului prin tranzistor atunci cnd jonciunea emitoare este direct polarizat. Cele
trei regiuni semiconductoare formeaz dou jonciuni: jonciunea emitoare i
jonciunea colectoare.

a) PNP

b) NPN

Fig. 1. Tipuri de tranzistoare bipolare. Simboluri folosite la reprezentarea tranzistoarelor.

50 Aplicaia nr. 7

Se folosesc urmtoarele notaii (fig. 2) pentru reprezentarea simbolic a

tranzistoarelor i a mrimilor aferente funcionrii acestora n polarizare direct.
iC

iE
uBE < 0

uCE > 0

iB

uCE < 0
iB

uBE > 0

iE

iC

Fig. 2. Notaii pentru reprezentarea simbolic a tranzistoarelor i a mrimilor aferente

funcionrii acestora n polarizare direct.

Structura unui tranzistor PNP polarizat normal precum i fluxurile purttorilor

de sarcin pot fi observate n fig. 3.
Emitor

Baz

Colector

iE

iE

(1-)iE

ICB0

iE
iC
iB
VE

VC

Fig. 3. Structura unui tranzistor PNP.

Se pot scrie urmtoarele relaii ntre cureni:

iC = iE + I CB 0
iE = iB + iC

(1)

(2)
n care ICB0 reprezint curentul rezidual colector-baz iar exprim fraciunea
din curentul de emitor care constituie curentul de colector. n general este o
constant subunitar, apropiat de unitate ( 1) deci iC iE. nlocuind n rel. (1)
expresia curentului din emitor din rel. (2) se obine:

iC =

iB +

1
I CB 0 = iB + I CE 0
1

(3)

n care ICE0 reprezint curentul rezidual colector-emitor iar este denumit

factor de amplificare n curent n conexiune EC, ca ordin de mrime cuprins ntre 10

Tranzistorul bipolar caracteristici statice 51

i 103.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar reprezint relaii de
interdependen ntre mrimile electrice (un curent n funcie de o tensiune) ce
caracterizeaz funcionarea acestuia.
n funcie de dependenele exprimate, se definesc urmtoarele caracteristici:
- caracteristica de intrare: I B = f (U BE ) |U CE = ct .
Denumirea este justificat prin faptul c exprim o dependen ntre dou
mrimi de intrare ale tranzistorului. Schema de principiu pentru ridicarea acestei
caracteristici este prezentat n fig. 4.

RC
RB
VC

VB

Fig. 4. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de intrare.

- caracteristica de transfer: I C = f (U BE ) |U CE = ct .

Exprim dependena dintre o mrime de la ieirea tranzistorului n funcie de o

mrime de la intrare. Schema de principiu pentru ridicarea acestei caracteristici este
prezentat n fig. 5.

RC
RB
VB

VC

Fig. 5. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de transfer.

- caracteristica de ieire: I C = f (U CE ) | I B = ct .

Denumirea este justificat prin faptul c ea exprim dependena dintre dou

mrimi de la ieirea tranzistorului. Schema de principiu pentru ridicarea acestei
caracteristici este prezentat n fig. 6.

52 Aplicaia nr. 7

RC
RB
VB

VC

Fig. 6. Schema de principiu pentru ridicarea caracteristicii de ieire.

Presupunem, n continuare, cazul unui tranzistor NPN de mic putere i medie

frecven. Ecuaiile Ebers-Moll corespunztoare modelului tranzistorului cu
generatoare de curent comandate de curenii prin diode sunt:

q u BC
q u BE
1] R I CS [exp
1]
k T
k T
q u BC
q u BE
iC = F I ES [exp
1] I CS [exp
1]
k T
k T

i E = I ES [exp

(4)
(5)

n care:
- IES i ICS sunt cureni reziduali ai jonciunii emitoare respectiv colectoare, cu
colectorul respectiv emitorul n scurtcircuit;
- F i R reprezint factori de amplificare n curent n sens direct respectiv invers.
Caracteristicile de transfer se pot deduce teoretic, pe baza ecuaiilor (4) i (5),
innd seama i de relaia care se stabilete ntre curenii tranzistorului sau
experimental, conform 3.
3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Utiliznd schema din fig. 7 sau cea din fig. 8 se ridic experimental (punct
cu punct) caracteristica de intrare I B = f (U BE ) |U CE = ct . i caracteristica de transfer

I C = f (U BE ) |U CE = ct . Schema din fig. 8 se va folosi dac VB este o surs tip

MULTISTAB la care tensiunea furnizat este dificil de reglat n trepte fine (zecimi de
volt). Rolul ajustrii n trepte fine a tensiunii aplicate n baza tranzistorului va reveni
rezistenei decadice RD. Se va stabili VB = 2V i RD se va regla n gama 5001K
cu un pas de 250 i ntre 1K10K, cu un pas de 1K.
Dac exist posibilitatea reglajului tensiunii aplicate la intrare n trepte fine, se
va putea renuna la divizorul rezistiv R1, RD i se va folosi schema din fig. 9. n acest
caz VB se va modifica n intervalul 02V, cu un pas de 0,2V.

Tranzistorul bipolar caracteristici statice 53

RC
R1

1K

VC

2,2K

RB

Q1

1nF

BC107

VB

100K

RD

Fig. 7. Schem pentru trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar. VB nu permite reglaj n
trepte fine.
RC
1K

VC

Q1

1nF

BC107

RB

VB

100K

Fig. 8. Schem pentru trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar. VB permite
reglaj n trepte fine.

Se va ntocmi una tabel n care vor fi notate urmtoarele mrimi:

UBE
[mV]

URB [mV]

IB [A]
IB = URB /RB

URC [mV]

IC [mA]
IC = URC /RC

UCE [V] const. se impune

prin modificarea VC
5

Tab. 1. Se va completa conform msurtorilor efectuate.

Observaie: Msurtorile tensiunilor se vor efectua cu ajutorul unui voltmetru

numeric. Curenii de baz i colector vor fi determinai indirect prin msurarea
tensiunilor URB i URC.
3.2 Folosind schemele din fig. 7 sau fig. 8, se va ridica experimental
caracteristica de ieire I C = f (U CE ) | I B = ct . . Modificnd VC n domeniul 015V, cu

un pas de 1V, pentru un anumit IB (sau echivalent, URB) constant se va completa

urmtorul tabel:

54 Aplicaia nr. 7

UCE [V]

URC [V]

IC [mA]
IC = URC /RC

URB [V] = const. se impune

din VB i/sau RD
1

Tab. 2. Se va completa conform msurtorilor efectuate.

3.3 Se va ridica curba de variaie F = f(IC), cu F = IC /IB. Se vor lua pentru IC

10 valori n domeniul 120mA, prin reglarea att a tensiunii VB ct i a rezistenei RD.
Se va trasa pe hrtie milimetric curba de variaie F = f(IC) la UCE = 5V. Se vor trage
concluzii asupra valorii optime a lui IC pentru care este maxim.
3.4 Scriei un program PSPICE pentru studiul caracteristicilor statice ale
tranzistorului bipolar.
* circuit de studiu a caracteristicii statice de intrare si transfer a
tranzistorului bipolar
VB 1 0 1V
Q1 2 1 0 BC107
VC 2 0 5V
.LIB DCE.LIB
.DC LIN VB 0 0.7 10mV VC LIST 0.3V 5V 20V
.PROBE
.END

Tranzistorul bipolar caracteristici statice 55

Fig. 10. Caracteristica de intrare i cea de transfer pentru un tranzistor bipolar.

*
circuit
de
studiu
tranzistorului bipolar

caracteristicii

IB 0 1 1uA
Q1 2 1 0 BC107
VC 2 0 1V
.LIB DCE.LIB
.DC LIN VC 0 5V 10mV IB LIST 5u 10u 20u
.PROBE
.END

statice

de

iesire

56 Aplicaia nr. 7

Fig. 11. Caracteristica de ieire (la IB = ct.= 5A, 10A, 20A) pentru un tranzistor bipolar.

Fig. 12. Variaia F = f(IC) obinut cu OrCAD Model Editor.

Aplicaia nr. 8
TRANZISTORUL BIPOLAR CIRCUITE DE
POLARIZARE
1. SCOPUL APLICAIEI
Aplicaia const n proiectarea i experimentarea a trei tipuri de circuite de
polarizare folosite n mod curent n practica circuitelor cu tranzistoare bipolare.
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1 CONDIIILE IMPUSE CIRCUITULUI DE POLARIZARE
O problem specific n proiectarea circuitelor cu tranzistoare o constituie
alegerea punctului static de funcionare (PSF), specificat n mod uzual printr-un
curent continuu de colector i o tensiune continu colector-emitor, perechea de
valori IC0, UCE0 ce se stabilesc n circuit n regim static. Obinerea PSF-ului implic
conectarea tranzistorului ntr-o schem de polarizare, creia i se impun o serie de
condiii legate de constana valorii acestuia n raport cu modificarea parametrilor
tranzistorului.
Valoarea PSF-ului, respectiv valoarea concret a IC0 i UC0 este impus, n
general, de funcionarea n regim dinamic a tranzistorului i constituie date iniiale la
proiectarea circuitului de polarizare.
Circuitului de polarizare trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii:
a) asigurarea punctului static de funcionare (IC0 , UC0 ) dorit;
b) asigurarea stabilitii PSF-ului prin:
- reducerea efectelor parametrilor sensibili la temperatur ai tranzistorului (ICB0, UBE ,
) asupra PSF-ului. La tranzistorul cu siliciu se va neglija efectul lui ICB0.
- reducerea la maxim a efectele toleranelor componentelor i a parametrilor
tranzistoarelor asupra PSF-ului, n scopul reproductibilitii circuitului.
2.2 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR N BAZ I
REZISTEN N EMITOR
Schema circuitului este dat n fig. 1. La proiectarea acestuia se cunosc:
- tipul tranzistorul (, UCEmax , UBE), PSF (IC0, UCE0),;
- tensiunea de alimentare VC < U CE max .
Se cere determinarea: RE, RB1, RB2, RC.

58 Aplicaia nr. 8

Divizorul RB1, RB2 se alege n aa fel nct curentul prin divizor s fie:
ID >> IB

(1)

n practic se admite relaia:

ID > 10 IB

(2)
+ VC
RC

IC0

RB1
Q

VB

UCE0

UBE
RB2

RE

Fig. 1. Circuit de polarizare cu divizor n baz i rezisten n emitor.

Legea lui Kirchhoff pentru circuitul de intrare i cel de ieire se scrie astfel:

VC = I C 0 (RC + RE ) + U CE 0

VB = RB 2 I D = U BE + I C 0 RE
V = I ( R + R )
D
B1
B2
C

(3)

Tensiunea de pe rezistena din emitor reprezint o fraciune (10...20%) din

tensiunea de alimentare:
(4)
VE = IC0RE 0,15 VC
Rezult urmtoarele valori pentru cele patru rezistene:

RE

0,15VC
IC0

RC =

VC U CE 0 I C 0 RE
IC0

RB 2

U + I C 0 RE
= BE
ID

R B1 =

VC I D RB 2
ID

Un calcul simplu conduce la urmtoarea relaie pentru IC0:

(5)

Tranzistorul bipolar circuite de polarizare 59

IC0 =

VB U BE

RB + (1 + ) RE

(6)

n care RB i VB sunt date de relaiile:

R B1 R B 2
RB1 + RB 2
V R
VB = C B 2
R B1 + R B 2
RB =

(7)
(8)

Ca elemente variabile se presupun UBE i . Considernd IC0 ca funcie de

dou variabile, se obine pentru abaterea absolut:
IC0 = SV UBE + S
(9)
unde:
SV = -

(10)

RB + (1 + ) RE

este coeficientul de sensibilitate al PSF-ului n raport cu UBE i:

S =

(VB U BE ) ( RB + RE )
[ RB + (1 + ) RE ]2

(11)

este coeficientul de sensibilitate al PSF-ului n raport cu .

n unele aplicaii, ca date iniiale, pot apare valorile RC i RB= RB1||RB2 impuse
din condiii de semnal variabil, ele contribuind la valoarea rezistenelor echivalente de
intrare/ieire ale etajului. Tensiunea de alimentare VC este impus, n general, de
ansamblul circuitului din care face parte tranzistorul bipolar Q.
2.3 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU REZISTEN SERIE N
BAZ I REACIE NEGATIV
Schema circuitului este cea din fig. 2.
+ VC
RC
RB
Q
UCE0

IB0
UBE

Fig. 2. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz i reacie negativ.

60 Aplicaia nr. 8

n proiectare se presupun cunoscute IC0, UCE0 , VC, i tipul tranzistorului (deci

UBE, ). RB se calculeaz scriind teorema lui Kirchhoff pentru intrarea circuitului:

U CE 0 = I B 0 RB + U BE RB =

U CE 0 U BE U CE 0 U BE
=

I B0
IC0

(12)

VC U CE 0

(1 + ) I C 0

(13)

iar RC cu relaia scris pentru ieirea circuitului:

VC = ( I B 0 + I C 0 ) RC + U CE 0 RC =

Curentul de colector n PSF, IC0 poate fi scris astfel:

IC0 =

EC UBE

RB + (1 + ) RC

(14)

Se observ o similitudine perfect cu relaia (6) dac considerm VC = VB i

RE = RC, relaiile de la punctul 2.2 fiind direct aplicabile n aceste condiii circuitului
de polarizare din fig. 2.
Observaie: Rezistena RB intervine ca mrime necunoscut att la polarizare ct i n
regimul de semnal variabil. Cnd cele dou condiii nu pot fi ndeplinite simultan de
aceiai valoare numeric a lui RB, se impune separarea prii de circuit ce determin
polarizarea de cea care impune condiiile de semnal. O modalitate de realizare a
acestui deziderat este cea dat n fig. 3.
+ VC
RB1

RC

RB2

A
C

Fig. 3. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz i reacie negativ, cu separare.

n acest caz RB1 + RB2 = RB i RB2 >> RC. n regim de semnal, punctul A este
pus la mas de rezistena mic a condensatorului C.

Tranzistorul bipolar circuite de polarizare 61

2.4 CIRCUIT DE POLARIZARE CU GENERATOR DE CURENT

CONSTANT
Din relaiile (9) - (11) se observ c pentru o valoare mare a lui RE , de ordinul
M, curentul IC0 practic nu depinde de UBE i .
O rezisten fizic att de mare pentru RE nu se poate lua n considerare
deoarece se obine pentru VC o valoare inacceptabil de mare. Soluia este dat de
realizarea lui RE sub form de generator de curent. Schema utilizat este prezentat n
fig.4, n care:
ICo =

1+

IG

(15)

SV = 0

(16)

1
IG
(1 + ) 2
I R
UGC = VB - G B - UBE
1+
UCE0 = VC - IC0RC - UG
S =

(17)
(18)
(19)
+ VC

R B1

RC

Q
R B2
IG

U GC

Fig. 4. Circuit de polarizare cu generator de curent

+ VC

IG

ID
RC

Q2
Q1

U GC
RE

RB

Fig. 5. Schem pentru generatorul de curent.

62 Aplicaia nr. 8

Din relaiile (18) i (19) rezult rolul rezistenelor RB1 i RB2: fixarea tensiunii
pe generatorul de curent i implicit a tensiunii UCE0. Generatorul de curent se poate
realiza dup configuraia din fig. 5.
Tranzistorul Q1, identic cu Q2, conectat ca diod, compenseaz parial efectul
variaiei UBE2 i 2 cu temperatura asupra lui IG.

R2
U BE 2
R1 + R2
IG
RE
R2
VB = VC
R1 + R2
VB

(20)
(21)

Generatorul realizat dup configuraia dat nu este ideal, avnd o rezisten

intern Rgc dat de relaia:

Rgc rce 2 +
unde rce2

rce RE

R + h11e 2 + RE

(22)

1
i h11e sunt parametrii de semnal pentru tranzistorul Q2 i R = R1 || R2.
h 22e

Din relaiile (20) i (21) rezult dou observaii importante pentru proiectare:
R1 >> R2 i RE ct mai mare posibil, pentru a avea o bun insensibilizare a lui IG cu
temperatura i o rezisten Rgc mare.
n proiectare se cunosc IC0, UCE0, RC, RB, VC, tipul tranzistorului. Din relaiile
(15), (18), (19) se calculeaz IG, UG, RB1, RB2. n mod curent pentru tranzistoarele cu
siliciu uzuale, cu RE [1K, 2 K] , se obine pentru generatorul de curent o
rezisten Rgc > 1M. Din relaia:
UGC UCE2 + IGRE
(23)
printr-un calcul iterativ se determin RE astfel ca UCE2 2V.
Curentul ID i IG se aleg egali pentru o bun similitudine ntre caracteristicile
B-E ale tranzistoarelor Q1 i Q2.

ID =

VC U BE1
R1 + R2

(24)

Din relaiile (20), (21), (24) se determin R1 i R2.

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Folosind indicaiile de proiectare date mai sus se vor proiecta cele trei
variante de polarizare discutate anterior. Ca date iniiale se impun : IC0 = 2mA, UCE0 =
5V, VC = 12V, tranzistoare de tipul BC107 ( = 300, UBE = 0,6V).
3.2 Realizai o descriere PSPICE a celor trei circuite calculate la punctul
anterior ntr-un singur fiier *.cir n scopul studierii comparative a performanelor
celor trei scheme de polarizare. Se va studia comportarea circuitelor (PSF) la variaii

Tranzistorul bipolar circuite de polarizare 63

n limite largi a temperaturii (-2040C) i a factorului de amplificare n curent

(100500).
*circuit de polarizare cu divizor in baza
rb11
rb12
rc1
re1
vc
q1

100
1
2
3
100
2 1

1
0
100
0
0
3

143k
38k
2.6k
0.9k
12v
bc107

*circuit
rb2 4
rc2 100
q2
4 5

de polarizare cu rezistenta serie in baza

5
660k
4
3.5k
0
bc107

*circuit
rb31 6
rb32 6
rc3 100
I1
8
q3
7 6

de polarizare cu sursa de curent in emitor

100 143k
0
38k
7
2.6k
0
DC 2mA
8
bc107

.lib dce.lib
.dc temp -20 40 1
*.dc npn bc107(BF) 180 460 10
.options reltol=1.0u
.probe
.end

Fig. 6. Variaia curenilor de colector cu temperatura, pentru cele trei scheme de polarizare.

64 Aplicaia nr. 8

Fig. 7. Variaia tensiunilor colector-emitor cu temperatura, pentru cele trei scheme de polarizare.

Fig. 8. Variaia curenilor de colector cu factorul de amplificare n curent, pentru cele trei scheme de
polarizare.

Fig. 9. Variaia tensiunilor colector-emitor cu factorul de amplificare n curent, pentru cele trei scheme de
polarizare.

Aplicaia nr. 9
TRANZISTORUL CU EFECT DE
CMP CARACTERISTICI STATICE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se ridic experimental caracteristicele statice de ieire iD = f(uDS)|UGS = ct. i
de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct. ale tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) i ale tranzistorului cu efect de cmp cu structur metal-oxid-semiconductor (TECMOS).
2. CONSIDERAII TEORETICE
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt dispozitive unipolare,
funcionarea lor implicnd un singur tip de purttori de sarcin. Prezint urmtoarele
avantaje fa de tranzistoarele bipolare: funcioneaz cu un singur tip de purttori - cei
majoritari - i de aceea sunt mult mai stabile cu temperatura; asigur un nivel redus de
zgomot i de distorsiuni pn la frecvene foarte nalte; prezint o impedan de intrare
foarte mare; sunt imune la radiaii; au amplificare de curent i de putere foarte mare.
TEC pot fi de dou feluri: cu canal n i cu canal p. Tranzistoarele TEC-MOS
pot fi clasificate, n continuare, n tranzistoare cu canal iniial i tranzistoare cu canal
indus. Simbolurile pentru cele dou tipuri de tranzistoare sunt prezentate n fig. 1,
terminalele purtnd denumirea de: dren (D), gril (G) i surs (S). Uneori mai poate
aprea i al patrulea terminal, substratul.
CANAL N
G

TEC-J

D
JFET N

CANAL
INITIAL

JFET P

MOSFET N

TEC-MOS

CANAL P

MOSFET P

CANAL
INDUS

MOSFETind N

MOSFETind P

Fig. 1. Simboluri pentru reprezentarea tranzistoarelor TEC.

66 Aplicaia nr. 9

Condiia | u DS | u DSsat = | uGS U P | definete regiunea de saturaie (regiune

de tip pentod), n care ID este practic independent de UDS, fiind dependent doar de
UGS. Caracteristica de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct. n regiunea saturat poate fi
descris prin formula:
a) pentru TEC-J i TEC-MOS cu canal iniial:

u
iD = I DSS 1 GS
UP

(1)

n care IDSS este curentul de dren maxim, la saturaie iar UP reprezint tensiunea de
prag.
b) pentru TEC-MOS cu canal indus:

iD = K (uGS U P )

(2)
unde K este un parametru ce depinde de tehnologie i ia valori uzuale n intervalul
(110) mA/V2.
Valorile concrete pentru curentul de saturaie IDSS i tensiunea de prag UP
depind de tipul tranzistorului i de tehnologia de realizare. n general aceste valori nu
sunt riguros controlate tehnologic, n cataloage fiind date plaje de valori ntre care se
pot situa aceti doi parametrii. Valorile date n cataloage pentru IDSS i UP sunt
considerate la temperatura de 300K (aproximativ 25C).
n regiunea liniar (regiunea de tip triod) definit de condiia UDS < UDSsat
curentul de dren crete rapid cu tensiunea UDS. Pentru tensiuni UDS mici, dispozitivul
se comport ca o rezisten comandat n tensiune.
Pentru caracterizarea TEC la variaii se definete transconductana sau panta
gm:

gm =

d iD
d uGS

U DS = const .

2 I DSS
Up

uGS
1
UP

(3)

Schema echivalent a tranzistorului TEC pentru variaii (semnal mic) este

prezentat n fig. 2.
G

D
ugs

gmugs

rds

uds

Fig. 2. Schema echivalent a tranzistorului TEC pentru variaii (semnal mic).

3. PARTEA EXPERIMENTAL
Pentru ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor TEC se va folosi
circuitul prezentat n fig. 3.
3.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului TEC-J.
a) Ridicarea caracteristicii de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct.; determinarea IDSS i UP.

Tranzistorul cu efect de cmp caracteristici statice 67

Se va alimenta circuitul avnd n vedere asigurarea unei tensiuni pozitive n

drena tranzistorului TEC-J (J1 n schema din fig. 3, de tip BF245C) i a unei tensiuni
negative n gril. Iniial se va asigura VG = 0V i UDS = 5V; n acest caz curentul de
dren va reprezenta valoarea IDSS. Apoi VG va fi sczut conform tab. 1, verificnd ca
UDS = 5V = ct. Valoarea UGS pentru care curentul de dren se anuleaz reprezint UP.
UGS [V]
0
-0,5
-1

-UP

URD1 [V]

ID [mA]
ID1= URD1 /RD1
IDSS

UDS [V]
const.
5
5
5

Tab. 1. Se va completa conform msurtorilor efectuate n scopul ridicrii caracteristicii de transfer a unui
TEC-J cu canal n: iD = f(uGS)|UDS = ct.

Observaie: Msurarea tensiunii se va efectua cu ajutorul unui voltmetru numeric.

Curentul de dren va fi determinat indirect prin msurarea tensiunii URD1.
VG
RD1
+VD1

R1
1,5K

D1

R4

R2

1N4151

10K

J1

1K
BF245C

1,5K

DZ
BZX79C

R3
1,5K

RD2
+VD2
M1

100
IRFD110

Fig. 3. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistoarelor TEC.

b) Ridicarea caracteristicii statice de ieire iD = f(uDS)|UGS = ct.

Considernd UDS = 5V se determin UGS pentru care ID = 10mA. Se va modifica n
continuare UDS n conformitate cu tab. 2 i se va determina ID.
3.2 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului TEC-MOS.
a) Ridicarea caracteristicii de transfer iD = f(uGS)|UDS = ct.

68 Aplicaia nr. 9

Se va alimenta circuitul avnd n vedere asigurarea unei tensiuni pozitive n

drena i n grila tranzistorului TEC-MOS. Iniial se va asigura VG = 0V i UDS = 6V; se
va urmrii creterea VG pn cnd curentul de dren va fi diferit de 0 (practic 10A).
Se va nota valoarea obinut pentru UGS, aceasta reprezentnd practic UP. Apoi VG va
fi modificat conform tab. 3, verificnd ca UDS = 6V = ct.
UDS [V]
5
4
3
2
1,5
1
0,5
0,1
0,05
0

URD1 [V]

ID [mA], ID = URD1 /RD1

10

UGS [V] const.

Tab. 2. Se va completa conform msurtorilor efectuate n scopul ridicrii caracteristicii statice de ieire
pentru un TEC-J cu canal n: iD = f(uDS)|UGS = ct.
UGS [V]
UP
UP + 0,25
UP+0,5

URD2 [V]

ID [mA], ID= URD2 /RD2

0 (10 A)

20

UDS [V], const.

6
6
6

Tab. 3. Se va completa conform msurtorilor efectuate n scopul ridicrii caracteristicii de transfer

pentru un TEC-MOS cu canal n: iD = f(uGS)|UDS = ct.

b) Ridicarea caracteristicii statice de ieire iD = f(uDS)|UGS = ct.

Considernd UDS = 6V se determin UGS pentru care ID = 5mA. Se va modifica n
continuare UDS n conformitate cu tab. 4 i se va determina ID.
UDS [V]
6
5
4
3
1,5
1
0,5
0,1
0,05
0

URD2 [V]

ID [mA], ID= URD2 /RD2

5

UGS [V], const.

Tab. 4. Se va completa conform msurtorilor efectuate, n scopul ridicrii caracteristicii statice de ieire
pentru un TEC-MOS cu canal n: iD = f(uDS)|UGS = ct.

Tranzistorul cu efect de cmp caracteristici statice 69

3.3 S se scrie un program PSPICE pentru ridicarea caracteristicilor statice ale

tranzistorului TEC-J.
*circuit pentru simularea caracteristicilor statice ale tranzistorului
TEC-J.
VG 1 0 -1V
VD 2 0 10V
J1 2 1 0 J2N3819
.LIB DCE.LIB
.DC VD 0V 10V 5mV VG LIST -1.8 -2 -2.2
*.DC VG 0V -6V 0.1V VD LIST 5V 10V
.PROBE
.END

Fig. 4. Caracteristica de transfer a unui TEC-J cu canal n, iD = f(uGS)|UDS = ct., ridicat prin simulare
PSPICE.

UGS = - 1,8V

UGS = - 2V

UGS = - 2,2V

Fig. 5. Caracteristica static de ieire pentru un TEC-J cu canal n, iD = f(uDS)|UGS = ct., ridicat prin
simulare PSPICE.

70 Aplicaia nr. 9

3.4. S se scrie un program PSPICE pentru ridicarea caracteristicilor statice

ale tranzistorului TEC-MOS. Verificai validitatea ec. (1).
*circuit de simulare a caracteristicilor statice ale tranzistorului
MOS.
VG 1 0 1V
VD 2 0 1V
M1 2 1 0 0 IRF150
.LIB DCE.LIB
*DC VD 0V 1V 5mV VG LIST 2.88 2.9 2.92
.DC VG 0V 4V 0.1V VD LIST 1V 5V
.PROBE
.END

Fig. 6. Caracteristica de transfer a unui TEC-MOS cu canal n, iD = f(uGS)|UDS = ct., ridicat prin simulare
PSPICE.

UGS = 2,92V

UGS = 2,9V

UGS = 2,88V

Fig. 7. Caracteristica static de ieire pentru un TEC-MOS cu canal n, iD = f(uDS)|UGS = ct., ridicat prin
simulare PSPICE.

Aplicaia nr. 10
TRANZISTORUL CU EFECT DE
CMP CIRCUITE DE POLARIZARE
1. SCOPUL APLICAIEI
Aplicaia const n proiectarea i experimentarea a trei tipuri de circuite de
polarizare folosite n mod curent n practica circuitelor cu tranzistoare TEC.
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1 GENERALITAI
Circuitele de polarizare trebuie s asigure polarizarea terminalelor unui TEC,
corespunztoare unui anumit punct de funcionare n regim static i meninerea acestui
punct n condiiile unei temperaturi variabile i a unei dispersii de fabricaie a
parametrilor tranzistoarelor.
2.2 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR N GRIL I
REZISTEN N SURS
Configuraia circuitului este dat n fig. 1. Se pot scrie urmtoarele ecuaii:

uGS 2
)
UP
U G = u GS + i D RS
RG 2
U G = VD
RG1 + RG 2
iD = I DSS (1

(1)
(2)
(3)

72 Aplicaia nr. 10
+ VD
RG1

RD
J
UD0

UGS
UG

RG2

RS

Fig. 1. Circuit de polarizare cu divizor n gril i rezisten n surs.

n fig. 2 este ilustrat o metod grafic de rezolvare a sistemului de ecuaii

(1) - (2).
Au fost trasate graficele determinate de relaiile (1) i (2) pentru perechile de
valori extreme (iD, uGS).
iD
IDSSmax

ID0M

IDSSmin

Panta 1/RS

ID0m
0
UPm

UPM UGSm UGSM

UGS

uGS

Fig. 2. Interpretarea grafic a ecuaiilor (1) i (2).

Din grafic se observ c diferena ntre curentul minim de dren ID0m i

curentul maxim de dren ID0M (corespunztoare celor dou perechi de valori extreme
pentru IDSS i UP) este cu att mai mic cu ct RS este mai mare.
Temperatura influeneaz parametrii IDSS i UP. Exist un punct (de deriv
nul) n planul (iD, uGS) prin care trec toate curbele date de relaia (1) indiferent de
temperatur. Dac dreapta din relaiile (2) trece prin acest punct, curentul de dren nu
depinde de temperatur. Pentru TEC-J coordonatele punctului cu deriv nul sunt date
de relaiile:

Tranzistorul cu efect de cmp circuite de polarizare 73

| uGS | | UP | - 0,63V

0,63

UP

(4 )

iD IDSS

(5)

Depinznd de IDSS i UP, punctul nu este reproductibil, pentru o bun

stabilitate cu temperatura preferndu-se soluia alegerii unei rezistene RS ct mai
mare.
n proiectare, de regul, se cunosc: VD, RD, RG1||RG2, ID0, UDS0 i tipul
tranzistorului. Valoarea rezistenei RS se calculeaz cu relaia:
RS =

VD U DS 0 I D 0 RD
I D0

(6)

Cu valorile nominale pentru IDSS i UP (de obicei medie ntre extreme) se

calculeaz UG din relaia (2) i apoi RG1 i RG2 din relaia (3).
Dac se dorete calculul celor patru rezistene de polarizare, plecnd de la
valorile limit acceptate pentru curentul de dren (IDm, IDM) i un anumit UDS0 se va
proceda dup cum urmeaz: din catalog se extrag valorile parametrilor IDSSM i IDSSm,
respectiv UPM i UPm. Particulariznd ecuaia (1) pentru aceste valori extreme, vom
gsi coordonatele punctelor de funcionare n planul caracteristicilor prin care trebuie
s treac dreapta de sarcin a circuitului de gril, numit uneori i dreapt de
negativare:

I Dm
U GSM = U PM 1
I DSSm

I DM
U GSm = U Pm 1
I DSSM

Folosind ecuaia (2) se determin RS:

VG = U GSM + I Dm RS = U GSm + I DM RS RS =

(7)

(8)

U GSM U GSm
I DM I Dm

(9)

Valorile RG1 i RG2 vor fi date de soluiile ecuaiei (3) i valoarea RG1||RG2 care
se presupune a fi cunoscut, ea reprezentnd chiar rezistena de intrare a etajului.
Rezistena RD se calculeaz cu valoarea medie a lui ID:

I D0 =

I DM + I Dm
2

(10)

folosind ecuaia circuitului de alimentare a tranzistorului:

VD = U DS 0 + I D 0(RD + RS )
din care rezult:

RD =

VD U DS 0
RS
I D0

(11)
(12)

74 Aplicaia nr. 10

2.3 CIRCUITUL DE POLARIZARE AUTOMAT A GRILEI

O reea de polarizare mai simpl, denumit i reea de polarizare automat a
grilei, este dat n fig. 3. n acest caz, pentru polarizarea grilei este utilizat numai
cderea de tensiune de pe rezistorul RS. Tensiunea de polarizare se aplic pe gril prin
RG, de valoare mare i impus de rezistena de intrare n circuit (1 2 M). Curentul
de gril IG foarte mic (10-9A pentru TEC-J sau 10-14A la TEC-MOS) determin o
cdere de tensiune neglijabil pe RG, valoarea ei neinfluennd tensiunea de polarizare.
+ VD
RD
J

RG

RS

Fig. 3. Circuit de polarizare automat a grilei.

Cunoscnd coordonatele punctului de funcionare n regim static ID0, UD0 i

parametrii tranzistorului UP i IDSS, se determin tensiunea necesar de polarizare i
apoi rezistenele circuitului de polarizare a grilei prin relaiile:

I D0

U GS 0 = U P 1

I
DSS

U
RS = GS 0
I D0
V U DS 0
RD = D
RS
I D0

(13)
(14)
(15)

2.4 CIRCUITUL DE POLARIZARE CU DIVIZOR N GRIL I

GENERATOR DE CURENT N SURS
Configuraia circuitului, dat n fig. 4, are la baz ideea desprins din fig. 2,
unde se observ c pentru RS = curentul ID0 nu depinde de UP i IDSS. Stabilitatea cu
temperatura a curentului de dren va depinde acum numai de stabilitatea cu
temperatura a generatorului de curent.

Tranzistorul cu efect de cmp circuite de polarizare 75

+ VD

RD

RG1

J
RG2

IG
UGC

Fig. 4. Circuit de polarizare cu divizor n gril i generator de curent n surs.

Pentru o bun reproductibilitate i independen de temperatur, generatorul

de curent se realizeaz, n mod frecvent, cu tranzistoare bipolare.
n proiectare se cunosc VD, RD, RG1||RG2, ID0, UDS0 i tipul tranzistorului. Se
determin tensiunea UGC n situaia cea mai defavorabil, conform relaiei:
UGC = UG - UGSm
(16)
n care UGSm este dat de relaia (8).
Se calculeaz n continuare tensiunea UG :
UG = VD - UDS0 - ID0RD + UGSM
(17)
UGSM fiind determinat cu relaia (7).
Din relaia (3) rezult apoi RG1 i RG2. Dimensionarea generatorului de curent
se va realiza conform indicaiilor oferite n aplicaia nr. 8.
3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Pentru circuitul din fig. 1 se consider: VD = 15V, RG1||RG2 =100K, IDSSM
= 7mA, IDSSm = 3mA, IDM = 2,2mA, IDm = 1,8mA, UPm = -2,2V, UPM = -0,5V, UDS0 =
5V, J1 = BF245A. Dimensionai circuitul de polarizare n conformitate cu relaiile de
la 2.2.
3.2 Pentru circuitul din fig. 3 se impun: VD = 15V, RG =1M, ID0 = 2mA, UDS0
= 5V, UP = - 1,4V, IDSS = 4mA, J2 = BF245A. Dimensionai circuitul de polarizare n
conformitate cu relaiile de la 2.3.
3.3 Pentru circuitul din fig. 4 se impun: VD = 15V, RG1||RG2 =100K, RD =
2,85K, ID0 = 2mA, UDS0 = 5V, J3 = BF245A. Dimensionai circuitul de polarizare n
conformitate cu relaiile de la 2.4.
3.4 Scriei un program PSPICE care s simuleze comportarea cele trei circuite
de polarizare. Se va realiza i un studiu comparativ al stabilitii celor trei circuite la
variaii n limite largi (-20C40C) ale temperaturii i la variaii datorit toleranelor
componentelor.

76 Aplicaia nr. 10
*Circuite de polarizare pentru tranzistorul TEC-J.
V1
Rg11
Rg21
Rs1
Rd1
J1

1
1
2
0
3
3

0
2
0
4
1
2

DC 15
400K
133k
2.15K
2.85k
4 BF245A

Rg2
Rd2
Rs2
J2

5
1
7
6

0
6
0
5

1Meg
4.8K
205
7 BF245A

Rg31
Rg32
I1
Rd3
J3

1 8 358k
8 0 139k
10 0 DC 2mA
9 1 2.85k
9 8 10 BF245A

.OPTIONS reltol=1.0U
.LIB dce.lib
.DC TEMP -20 40 1
.PROBE
.END

Fig. 5. Variaia curentului de dren i a tensiunii dren surs, n funcie de temperatur, pentru circuitul
de polarizare din fig.1.

Tranzistorul cu efect de cmp circuite de polarizare 77

Fig. 6. Variaia curentului de dren i a tensiunii dren surs, n funcie de temperatur, pentru circuitul
de polarizare din fig. 3.

Fig. 7. Variaia curentului de dren i a tensiunii dren surs, n funcie de temperatur, pentru circuitul
de polarizare din fig. 4..

78 Aplicaia nr. 10

Fig. 8. Variaia comparativ a curentului de dren, n funcie de temperatur, pentru circuitele de

polarizare discutate.

Fig. 9. Variaia comparativ a tensiunii dren surs, n funcie de temperatur, pentru circuitele de
polarizare discutate.

Aplicaia nr. 11
STUDIUL MODELULUI NATURAL (GIACOLETTO)
PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se introduc modelele echivalente ale tranzistorului bipolar pentru regimul
dinamic i se urmrete determinarea experimental i prin simulare a valorilor
parametrilor modelului natural.
2. CONSIDERAII TEORETICE
Circuitul echivalent al unui tranzistor bipolar pentru regimul dinamic se refer
la tranzistoarele care lucreaz la mici variaii ale curenilor i tensiunilor, n jurul
punctului static de funcionare. Aceast condiie, denumit de semnal mic, se exprim,
echivalent, prin:

| u BE | << U T =

kT
25mV la 25 C
q

(1)

Exist mai multe modele ce aproximeaz comportarea unui tranzistor bipolar

n regim dinamic, de exemplu modelul natural (fig. 1) sau modelul cu parametrii
hibrizi (fig. 2).
Parametrii circuitului echivalent natural (Giacoletto) sunt calculai n legtur
cu fenomenele electronice din tranzistor i depind de parametrii constructivi ai
acestuia. Modelul cu parametrii hibrizi (h) poate fi determinat complet
experimental.
Cb'c

rbb'

rb'c

ub'e
rb'e

gmub'e

rce

Cb'e
E

Fig. 1. Modelul echivalent natural (Giacoletto) al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.

80 Aplicaia nr. 11

ic

ib
1
h22e

h21eib

h11e

uce

ube
h12euce

Fig. 2. Modelul cu parametrii hibrizi (h) al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.

Avnd n vedere similitudinile existente ntre modelele de semnal mic, se vor

prezenta n cele ce urmeaz doar consideraii legate de modelul natural.
n continuare se va explica, pe scurt, semnificaia i relaiile de calcul pentru
cei 7 parametrii care intervin n acest model i care sunt definii n punctul static de
funcionare (PSF):

Transconductana (panta): g m =

Rezistena distribuit a bazei: rbb

Rezisten de intrare: rbe =

Rezistena de ieire: rce =

du BE
diB

duCE
diC

Rezistena colector-baz: rb c =

Capacitatea de intrare: Cb e

Capacitatea colector-baz: Cb c

diC
du BE

=
PSF

=
PSF

IC
40 I C
UT

T = 25o C

[mA/V]

1 diC

=
g m diB g m

PSF

duCE
diB

=
PSF

duCE diC
= rce
diC diB

Avnd n vedere valorile tipice ale acestor parametrii: rbb 100, rbc 2M,
rce 200K, Cbe 200pF, Cbc 5pF, se poate neglija efectul acestora. Se obine
astfel modelul natural simplificat (fig. 3), ce const din rezistena de intrare rbe (n
mod tipic rbe n x 1K) i o surs de curent controlat, de valoare gmube (de regul
gm n x 10 mA/V, i evident dependent de valoarea curentului de colector). Dup un
raionament absolut analog se obine i modelul de semnal mic, cu parametrii hibrizi,
simplificat (fig. 4).
Aceste dou modele sunt folosite n calculul manual al circuitelor n regim

Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare 81

dinamic, specific frecvenelor medii, unde este posibil neglijarea efectului

capacitilor, pe cnd modelele complete sunt folosite de ctre programele de simulare
a circuitelor electronice.
ib

ic

rb'e

ube

gmube

Fig. 3. Modelul echivalent natural simplificat al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal mic.
ib

ic

h11e

h21ib

Fig. 4. Modelul cu parametrii hibrizi (h) simplificat al tranzistorului bipolar pentru regimul de semnal
mic.

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Analiza n curent continuu (regim static).
a) Deducei teoretic valoarea PSF i panta tranzistorului gm.
b) Alimentai circuitul din fig. 5 n curent continuu i determinai experimental PSF-ul
tranzistorului.
c) Deducei valoarea PSF-ului prin simularea PSPICE a circuitului. Pentru tiprirea,
n fiierul rezultat n urma simulrii (*.out), a rezultatelor detaliate legate de PSF
folosii directiva .OP.
Comparai rezultatele de la punctele 3.1 a), b) i c) i explicai eventualele
diferene aprute.
3.2 Analiza n curent alternativ (regim dinamic).
a) Desenai schema echivalent pentru regimul dinamic (semnal mic i frecvene
medii) a circuitului din fig. 5 i propunei o modalitate de determinare experimental a
parametrilor modelului natural simplificat.
b) Se aplic, la intrarea circuitului, un semnal variabil, sinusoidal, prin intermediul

82 Aplicaia nr. 11

generatorului de joas frecven (ui = 50mV, f = 1KHz). Se vor msura tensiunile, cu

voltmetrul n curent alternativ, n punctele 1, 2 i 3 i pe baza acestora se vor calcula:

Amplificarea de tensiune a circuitului, AU =

Transconductana, g m

u o u3

ui
u1

u3 1
u 2 RC
u
u2
Rezistena de intrare, rbe 2 =
u1 u2
ib
RB
VC
VB

10V
20V

RB1

u1

1k

u3

4,7K

u2

CC1

RC

RB

CC2
10F

Q1
BC107

100F

100k

CB
0,1F

VAMPL = 50mV
FREQ = 1KHz

Vg
RB2

1,5K

RB3

RE

1M

2,2K

CE
220F

RS
120K

Fig. 5. Circuit pentru determinarea experimental a parametrilor naturali ai modelului simplificat pentru
tranzistorul bipolar.

c) Vizualizai forma iC i uCE n timp, determinai amplificarea circuitului AU, i

parametrii de semnal mic ai modelului natural gm i rbe prin simularea PSPICE a
circuitului. Se vor efectua analizele n timp i n frecven.
*L11 - Studiul modelului natural pentru tranzistoare bipolare
*Descrierea circuitului
Vg 1 0 ac 50mV sin(0V 50mV 1KHz)
Rg 1 2 10
C1 2 3 100u
Rb1 3 4 4.7K
Rb2 3 0 1.5K
Vb 4 0 20V
Rb11 3 5 100K
Rb12 6 0 1Meg
Cb 5 6 0.1u

Studiul modelului natural (Giacoletto) pentru tranzistoare bipolare 83

Q1 7 5 8 BC107
Re 8 0 2.2K
Ce 8 0 220u
Rc 7 9 1K
C2 7 10 10u
Rl 10 0 100K
Vc 9 0 10V
*Specificarea tipului de analize
.OP
.TRAN 0.1m 10m
.AC lin 100 1K 10K
*Alte declaratii
.lib dce.lib
.probe
.end
****
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
TEMPERATURE =
27.000 DEG C
******************************************************************************
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
(
1)
0.0000 (
2)
0.0000 (
3)
4.8323 (
4)
20.0000
(
5)
4.2724 (
6)
0.0000 (
7)
8.3342 (
8)
3.6770
(
9)
10.0000 (
10)
0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME
CURRENT
Vg
0.000E+00
Vb
-3.227E-03
Vc
-1.666E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
8.12E-02 WATTS
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME
Q1
MODEL
BC107
IB
5.60E-06
IC
1.67E-03
VBE
5.95E-01
VBC
-4.06E+00
VCE
4.66E+00
BETADC
2.97E+02
GM
6.40E-02
RPI
4.75E+03
RX
1.00E+01
RO
4.69E+04
CBE
6.12E-11
CBC
3.87E-12
CJS
0.00E+00
BETAAC
3.04E+02
CBX/CBX2
0.00E+00
FT/FT2
1.57E+08

Tab. 1. Prin vizualizarea fiierului *.out obinut n urma simulrii se poate deduce valoarea PSF-ului:
IC = 1,67mA, UCE = V(7) - V(8) = 4,65V.

84 Aplicaia nr. 11

Fig. 6. Variaia n timp a iC i uCE n jurul PSF-ului, obinut prin simulare PSPICE analiz n domeniul
timp.

Fig. 7. Determinarea prin simulare PSPICE - analiz AC - a pantei gm i a rezistenei rbe pentru
tranzistorul bipolar.

Fig. 8. Determinarea prin simulare PSPICE - analiz AC - a amplificrii de tensiune, AU, a tranzistorului
bipolar.

Aplicaia nr. 12
AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC
CU TRANZISTOR BIPOLAR
1. SCOPUL LUCRRII
Se experimenteaz un amplificator de semnal mic cu un tranzistor bipolar n
conexiune emitor comun (EC). Se verific aplicabilitatea modelului natural simplificat
la analiza circuitelor de semnal mic cu tranzistoare bipolare. Vor fi determinai
parametrii amplificatorului, teoretic, practic (experimental) i prin simulare.
2. CONSIDERAII TEORETICE
n fig. 1 este prezentat schema amplificatorului de semnal mic, cu un
tranzistor bipolar, ce urmeaz fi experimentat.
VA = +12V

Generator
de semnal

RB1

RC

33K

4.7K
CC2

Rg

600

CC1

Q1

BC107A

4.7F
1K

Vg

Ui

10F

RL
220K Uo

RE1

RB2
10K
RE2
1K

CE
470F

Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu un tranzistor.

n componena acestuia intr:

- Generatorul de semnal variabil, sinusoidal, reprezentat echivalent prin sursa ideal de
tensiune Vg i rezistena intern a generatorului Rg.
- Condensatoarele de cuplaj CC1, CC2 i de decuplare CE. Rolul condensatoarelor de
cuplaj este de a izola din punct de vedere galvanic amplificatorul fa de etajele

86 Aplicaia nr. 12

anterioare sau care sunt conectate la ieirea amplificatorului. n acest caz, posibilele
componente de curent continuu de la intrarea sau ieirea amplificatorului vor fi blocate
i deci funcionarea amplificatorului (PSF-ul tranzistorului) nu va mai fi influenat de
ctre acestea. Condensatorul CE scurtcircuiteaz RE2 n regim dinamic, contribuind la
creterea amplificrii etajului.
- Divizorul de tensiune rezistiv format din RB1 i RB2 asigur polarizarea
corespunztoare a tranzistorului, mpreun cu RC i RE = RE1 +RE2.
- Tranzistorul Q1, n conexiune EC, asigur amplificarea semnalului aplicat rezistenei
de sarcin RL.
Pentru obinerea schemei echivalente de regim dinamic, semnal mic i
frecvene medii, a amplificatorului este necesar ca tranzistorul s fie nlocuit cu unul
dintre modelele sale pentru regim dinamic, de exemplu modelul natural simplificat, i
s se scurtcircuiteze sursele de tensiune independente i condensatoarele circuitului,
acestea din urm prezentnd la frecvena de lucru o reactan X C =

1
1
=
C 2fC

neglijabil. Parametrii modelului natural se pot calcula, innd cont de valoarea

aproximativ a tensiunii termice, calculat la 25C (UT = 25mV), prin urmtoarele
relaii :

IC 0
40 I C 0 [mA/V]
UT
U

rb 'e = T =
[]
IC0
gm
gm =

(1)
(2)

Avnd n vedere aceste consideraii se obine urmtoarea schem (fig. 2)

echivalent de semnal mic:
Ri
Rg
vg

Ro

R'i

io

ii

Ui
RB1

RB2
RB

ub'e

gmub'e

rb'e

RC

RL uo

RE

Fig. 2. Schema echivalent pentru variaii a amplificatorului din fig. 1.

Parametrii ce intereseaz din punct de vedere al regimului de semnal sunt:

rezistena de intrare a etajului Ri =

ui
, rezistena de ieire a amplificatorului Ro =
ii

Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar 87

uo
io

, amplificarea de tensiune Au = uo/ui i amplificarea de tensiune raportat la

ui = 0

generatorul de semnal Aug = uo/vg. Aa dup cum au fost notate n fig. 2, rezistenele
de intrare respectiv cea de ieire se pot calcula cu relaiile:
Ri = RB || Ri = RB1 || RB 2 || Ri
(3)

Ri =

ui ube + (ib + g m ube ) RE1

=
=
ib
ib

ube + (

ube
+ g m ube ) RE1
rbe
=
ube
rbe

= rbe + (1 + g m rbe ) RE1

(4)
n cazul n care CE este conectat ntre emitorul Q1 i mas, ambele rezistene
RE1, RE2 vor fi untate n regim dinamic iar Ri se va obine cf. rel. (3) i (4) n care se
va considera RE1 = 0.
Din punct de vedere al rezistenei de ieire, RC apare n paralel cu rezistena,
considerat infinit, a unui generator de curent ideal. De aceea:
Ro = RC
(5)
Amplificarea de tensiune este dat de relaia:

Au =

g r R || RL
uo ic RC || RL
g u R || RL
= m b 'e C
= m b 'e C
=
ub 'e
Ri
ui
ib Ri
Ri
rb 'e

(6)

Pentru cazul n care CE este conectat ntre emitorul Q1 i mas Ri = rbe

/gm i deci:
Au = g m RC || RL
(7)
Amplificarea n tensiune raportat la generator este:

Aug =

uo
=
vg

uo
RB
= Au
R g + RB
R g + RB
ui
RB

(8)

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Se alimenteaz circuitul (VA = +12V) n curent continuu, conform schemei
electrice (fig. 1). n aceste condiii, fr aplicarea la intrarea amplificatorului a
semnalului variabil n timp, se determin punctul static de funcionare al tranzistorului
(PSF = IC, UCE). Se compar cu valorile obinute prin calcul.

88 Aplicaia nr. 12

Observaie: Tensiunea colector-emitor se va msura direct, cu ajutorul unui voltmetru

pe domeniul CC iar curentul de colector se va determina indirect, prin msurarea
tensiunii pe rezistena RC: IC =

U RC
RC

3.2 Se vor determina parametrii de semnal mic ai modelului natural pentru tranzistorul
Q1 conform relaiilor (1) i (2). Se consider = 200.
3.3 Se vor calcula numeric mrimile Ri, Ro, Au, Aug, pe baza relaiilor (3) - (8).
3.4 Se scurtcircuiteaz bornele 2-3 ale jumperului JP1 astfel nct schema rezultat s
fie identic cu cea din fig. 1. Pentru determinarea experimental a parametrilor
amplificatorului calculai la punctul anterior se va alege o frecven de lucru de 1KHz
pentru semnalului sinusoidal de intrare. De asemenea amplitudinea semnalului de
intrare va fi astfel aleas nct amplificatorul s rmn n regimul liniar de
funcionare (semnalul de la ieirea amplificatorului s rmn de form sinusoidal).
De exemplu ui = 10mV. Se trece la oscilografierea tensiunilor de intrare i ieire,
determinndu-se astfel amplificarea de tensiune. Se va explica valoarea defazajului
dintre ui i uo. Pentru un plus de acuratee ui i uo pot fi msurate cu un voltmetru
numeric de precizie, poziionat pe domeniul CA.
Pentru determinarea pe cale experimental a rezistenei de intrare a
amplificatorului se trece la modificarea montajului: se nseriaz pe calea semnalului,
ntre generator i condensatorul de cuplare CC1, rezistorul decadic RD. Schema din fig.
4 prezint aceast modificare.
Q1
BC107A
1
2
3

RE1

JP1

1K
RE2

CE

1K

470F

Fig. 3. Jumperul JP1 permite scurtcircuitarea n regim dinamic a lui RE2 (JP1 pe poziia 2-3)
sau RE1 i RE2 (JP1 pe poziia 1-2).

Generator
de
semnal

ii

RD
ui

Amplificator

uo

Fig. 4. Modificri aduse schemei iniiale pentru determinarea rezistenei de intrare.

Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar 89

n plus, pentru a evita induciile parazite, se mai leag la masa

amplificatorului cutia rezistorului decadic prin borna de pmntare. Se aduce
rezistorul decadic RD la valoarea zero i se noteaz valoarea tensiunii pe sarcin, la
ieirea amplificatorului. n continuare, se va crete gradat rezistorul decadic pn cnd
valoarea tensiunii de la ieire ajunge jumtate din cea iniial notat. n acest moment
se citete valoarea rezistorului decadic de pe vernierele acestuia i se calculeaz
rezistena de intrare cu relaia:
Ri = RD Rg
(9)
Msurarea rezistenei de ieire se efectueaz ca i n cazul rezistenei de
intrare: se va nlocui de aceast dat rezistorul de sarcin RL cu rezistorul decadic RD.
Schema din fig. 5 prezint aceast modificare.
Generator
de
semnal

Amplificator

RD

uo

Fig. 5. Modificri aduse schemei iniiale pentru determinarea rezistenei de ieire.

Algoritmul de determinare a rezistenei de ieire este asemntor cu cel aplicat

n cazul rezistenei de intrare. Se pleac de aceast dat cu rezistorul decadic adus la
valoarea sa maxim i se noteaz valoarea tensiunii de la ieire. Se scade apoi
progresiv valoarea rezistorului decadic pn cnd tensiunea de la ieire ajunge la
jumtatea celei iniiale. Se citete valoarea indicat de rezistorul decadic care este i
valoarea rezistenei de ieire a amplificatorului.
3.5 Se va descrie n PSPICE amplificatorul din fig. 1 i se vor determina prin
simulare: PSF, forma n timp a tensiunilor de intrare i ieire, mrimile Ri, Ro, Au, Aug..
Pentru aceasta este necesar efectuarea analizelor n timp (.TRAN) i n frecven
(.AC).
*L12 Amplificator cu un tranzistor
*Descrierea circuitului
Vg
Rg
Vc
RB1
RB2
Q1
RC
RE1
RE2
RS
CE
*CE
C1
C2

1
1
4
4
3
5
5
6
7
8
7
6
2
5

0
2
0
3
0
3 6
4
7
0
0
0
0
3
8

Ac 10mv sin(0 10mv 1khz)

600
DC 12V
33K
10k
BC107
4.7k
1K
1k
220K
470uF
470uF
4.7uF
10uF

90 Aplicaia nr. 12
*Specificarea analizelor
.TRAN 0.1m 10m 0m 0.01ms
.AC DEC 20 5Hz 10MEGHz
*Alte declaratii
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END

NODE

VOLTAGE

NODE

VOLTAGE

NODE

VOLTAGE

NODE

VOLTAGE

1)

0.0000

2)

0.0000

3)

2.7624

4)

12.0000

5)

6.8984

6)

2.1783

7)

1.0891

8)

0.0000

VOLTAGE SOURCE CURRENTS

NAME
CURRENT
Vg
0.000E+00
Vc
-1.365E-03
TOTAL POWER DISSIPATION

1.64E-02

WATTS

Fig. 6. Potenialele nodurilor circuitului, aa cum rezult din simularea PSPICE. Pe baza acestora se poate
determina PSF-ul tranzistorului:V(5)-V(6) = UCE = 4,72V, IC = 1,36mA.

Fig. 7. Tensiunile de la intrarea respectiv ieirea amplificatorului pentru cazul n care CE unteaz n
regim dinamic doar RE2.

Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar 91

Fig. 8. Tensiunile de la intrarea respectiv ieirea amplificatorului pentru cazul n care

CE unteaz n regim dinamic RE1 i RE2.

Fig. 9. Valoarea rezistenei de intrare Ri a amplificatorului determinat prin simulare.

92 Aplicaia nr. 12

Fig. 10. Valoarea rezistenei de ieire Ro a amplificatorului determinat prin simulare.

3.6. Se vor relua punctele 3.3 - 3.5 pentru cazul n care CE este conectat din emitorul
tranzistorului Q1 i pn la mas (JP1 pe poziia 1-2).

Aplicaia nr. 13
EFECTUL CAPACITILOR DE CUPLAJ I DE
DECUPLARE ASUPRA CARCATERISTICII DE
FRECVEN A UNUI AMPLIFICATOR
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete influena mrimii capacitilor de cuplaj i de decuplare din
structura unui amplificator cu tranzistor bipolar n conexiune emitor comun, asupra
frecvenei limit inferioar a benzii de trecere. Concluziile stabilite n lucrare se pot
extinde uor la amplificatoarele cu mai multe tranzistoare bipolare sau TEC.
2. PARTEA TEORETIC
Schema electric a circuitului propus pentru analiz i experimentare este
prezentat n fig. 1. Schema echivalent pentru regimul dinamic, folosind modelul
natural simplificat, rezult conform fig. 2.
VA = +12V

Generator
de semnal

RB1

RC

33K

4.7K
CC2

Rg

CC1

220K Uo

BC107A

600
1K
Vg

RL

Q1

Ui

RE1

RB2
10K
RE2

CE

1K

Fig. 1. Amplificator de semnal mic cu un tranzistor.

Se presupun urmtoarele notaii:

R B = RB1 R B 2

(1)

94 Aplicaia nr. 13

1
j C1
1
=
j C2

Z C1 =

(2)

ZC 2

(3)

RE
1
=
j C E 1 + j RE C E

Z E = RE ||

(4)

Z'i

Zi

Rg

C2

C1

ub'
e

RB

u'i

ui

gmub'e

rb'e

vg

RC

u'o

RL

uo

ZE

Fig. 2. Schema echivalent pentru regim dinamic.

Pentru determinarea amplificrii se ine cont de relaiile:

Au =

uo
ui

uo = u ' o

(5)

Z ' i || RB
RL
, u ' i = ui
RL + Z C 2
Z ' i || RB + Z C1

(6)

n care cu Zi s-a notat impedan de intrare echivalent vzut de dup RB:

Z 'i =

u' i ib rb 'e + (ib + g m ub 'e ) Z E

=
= rb 'e + (1 + g m rb 'e ) Z E
ib
ib

(7)

Z ' i || RB
u'o
RL
RL + Z C 2 Z 'i || RB + Z C1 u' i

(8)

Rezult deci:

Au =

dar uo i ui pot fi exprimate astfel:

u ' o = g m ub 'e RC || ( Z C 2 + RL )

u
u ' i = ub 'e + (ib + g m ub 'e ) Z E = ub 'e + b 'e + g m ub 'e Z E

rb 'e

(9)
(10)

Din relaiile (8)-(10) se obine expresia amplificrii pentru cazul n care

reactanele celor trei condensatoare nu sunt neglijate:

Au =

Z ' i || RB
g m rb 'e RC || ( Z C 2 + RL )
RL
RL + Z C 2 Z ' i || RB + Z C1 rb 'e + (1 + g m rb 'e )Z E

(11)

Efectula cap. de cuplaj i de decuplare asupra caract. de fr. a unui amplificator 95

2.1 EFECTUL CAPACITII DE CUPLAJ C1

n aceast situaie se presupun C2 i CE de valori foarte mari (ZC2, ZE 0),
astfel c relaia (11) devine:

Au =

RB rb 'e
RB rb 'e + Z C1

g m RC RL =

jC1 RB rb 'e

1 + jC1 RB rb 'e

g m RC RL (12)

Notnd cu:

Au 0 = g m RC RL

(13)

amplificarea la frecvene medii (domeniu n care se neglijeaz efectele capacitive), i

cu:

f j1 =

1
2C1 ( RB || rb 'e )

(14)

frecvena limit inferioar a benzii de trecere a amplificatorului, determinat de

capacitatea C1, atunci amplificarea Au se poate scrie:

f
f j1
Au = Au 0
f
1+ j
f j1
j

(15)

2.2 EFECTUL CAPACITII DE CUPLAJ C2

Vor fi considerate de aceast dat C1 i CE de valori mari, adic cu efect
neglijabil. n aceste condiii amplificarea de tensiune va deveni:

Au =

f j2
RL
g m RC || ( Z C 2 + RL ) = Au 0
f
RL + Z C 2
1+ j
f j2

(16)

n care:

f j2 =

1
2C2 (RC + RL )

(17)

exprim frecvena limit inferioar a benzii de trecere datorat capacitii C2.

2.3 EFECTUL CAPACITII DE DECUPLARE CE
Se vor presupune de aceast dat C1 i C2 de valori mari, adic cu efecte
neglijabile. Astfel amplificarea de tensiune

96 Aplicaia nr. 13

Au =

g m rb 'e RC || RL
=
rb 'e + (1 + g m rb 'e )Z E

g m rb 'e RC || RL
1 + j RE C E
(18)
RE C E
1
1 + j
1 + RE
+ g m
1

rb 'e

1 + RE
+ g m
rb 'e

n acest caz forma general pentru amplificare va fi:

1+ j

Au = AuCC

f ZE
f
1+ j
f PE

(19)

unde:

AuCC =

g m rb 'e RC || RL
1

+ g m
1 + RE
rb 'e

(20)

este amplificarea n curent continuu (la frecvena f = 0) iar:

f ZE =
f PE =

1
2C E RE
1
RE C E
2
1

+ g m
1 + RE
rb 'e

(21)
(22)

reprezint frecvenele zeroului respectiv polului introdus de CE.

Deoarece fPE este ntotdeauna mai mare dect fZE, frecvena limit inferioar a
benzii de trecere datorate capacitii CE, fjE, este practic egal cu fPE.
2.4 EFECTUL SIMULTAN AL CAPACITILOR DE CUPLAJ
C1 I C2
Se consider CE de valoare foarte mare i deci cu efect neglijabil. Influenele
celor dou capaciti fiind independente, rezult c:

f
f
j
f j2
f j1
Au = Au 0
f
f
1+ j
1+ j
f j2
f j1
j

(23)

iar frecvena limit inferioar a benzii de trecere fj se determin din condiia:

| Au | f = f =
j

1
Au 0 0,707 Au 0
2

(24)

Efectula cap. de cuplaj i de decuplare asupra caract. de fr. a unui amplificator 97

2.5 EFECTUL SIMULTAN AL CAPACITILOR C1, C2 I CE

Influenele capacitilor C1 i CE nu sunt independente, astfel c funcia Au(j)
nu poate fi, n general, descompus n factori elementari, ca la pct.2.4.
Frecvena limit inferioar a benzii de trecere, fj, se poate determina cu relaia
(24), n care Au este dat de relaia (11).
Observaie: n practic, se calculeaz fiecare condensator astfel nct s impun singur
fj apoi, n-1 condensatoare de valoare mai mic se mresc de 2050 de ori. n acest
fel, un singur condensator (de valoarea cea mai mare) dicteaz fj.
3. PARTEA EXPERIMENTAL
Se determin experimental PSF-ul tranzistorului Q1 i pe baza valorii IC se
deduce panta tranzistorului gm i rbe.
3.1 Determinarea experimental a efectului capacitii C1.
Circuitul din fig. 1 se realizeaz practic adoptnd pentru condensatoare
valorile C1 = 15nF, C2 = CE = 470F. Frecvena limit inferioar fj1 se determin
astfel: se pleac de la o frecven a generatorului care s fie cuprins n plaja
frecvenelor medii a amplificatorului, de exemplu se alege frecvena vg de aproximativ
10KHz. Se regleaz valoarea tensiune aplicate la intrare astfel nct la ieirea
amplificatorului s se obin un sinus nedistorsionat (regim liniar de lucru al
amplificatorului). Valoarea astfel obinut la ieire va fi notat Uo; se scade frecvena
semnalului dat de ctre generator pn cnd tensiunea de la ieire ajunge la valoarea

Uo
0.707Uo. Se citete acum valoare frecvenei indicate de ctre generator, care
2
este chiar frecvena fj1.
Se compar valoarea fj1 obinut experimental cu cea calculat pe baza
formulei (14).
3.2 Determinarea experimental a efectului capacitii C2.
Se procedeaz la fel ca la punctul 3.1, dar de aceast dat condensatoarele vor
fi: C2 = 15nF, C1 = CE = 470F.
3.3 Determinarea experimental a efectului capacitii CE.
n acest caz valorile capacitilor vor fi: CE = 3,3F, C1 = C2 = 470F.
Pentru a determina valoare polului introdus de CE se procedeaz n acelai
mod ca la punctele anterioare.
n plus, se mai poate determina experimental i frecvena zeroului introdus de
CE. Algoritmul este asemntor cu cel anterior, doar c acum se pleac de la frecvene
mici (20Hz) i se crete frecvena pn cnd amplitudinea ajunge la 2 1.41 din cea
iniial.
3.4 Determinarea experimental a efectului simultan al capacitilor C1 i C2.
Se prescriu urmtoarele valori: C1 = C2 = 15nF i CE = 470F. Se va
determina experimental i prin calcul frecvena limit inferioar, n conformitate cu

98 Aplicaia nr. 13

metodologia prezentat anterior.

3.5 Determinarea experimental a efectului capacitilor C1, C2 i CE.
Cu C1 = C2 = 15nF i CE = 3,3F se repet algoritmul de msurare a
frecvenei de trecere la joase, obinnd de aceast dat limita inferioar a benzii de
trecere ca urmare a efectului cumulat al celor trei capaciti.
3.6 Evaluarea prin simulare a efectului capacitilor C1, C2 i CE asupra benzii de
trecere.
Se va scrie un fiier PSPICE care s descrie circuitul din fig. 1 i se va
efectua o analiz AC pe decade (10 puncte de calcul pe decad) de la 1Hz la 1MHz.
Se vor reface prin simulare punctele 3.1 - 3.5, notnd frecvenele la joase obinute.
Se vor compara rezultatele modelrii teoretice, cu cele obinute experimental
i cu cele obinute prin simulare.
* L13 Efectul capacitatilor de cuplaj si de decuplare asupra
* caracteristicii de frecventa a unui amplificator
*Descrierea circuitului
Vg
Rg
C1
VA
RB1
RB2
Q1
RC
RE1
CE
RE2
C2
RS

1
1
2
4
4
3
5
5
6
7
7
5
8

0
2
3
0
3
0
3 6
4
7
0
0
8
0

Ac 10mv sin(0 10mv 1khz)

600
{CC1}
DC 12V
33K
10k
BC107
4.7k
1K
{CCE}
1k
{CC2}
220K

*specificarea analizelor
.OP
.PARAM CC1 = 15nF
.PARAM CC2 = 15nF
.PARAM CCE = 3.3uF
.STEP PARAM CC1 LIST 15nF 150nF 1.5uF
*.STEP PARAM CC2 LIST 15nF 150nF 1.5uF
*.STEP PARAM CCE LIST 1.5uF 15uF 150uF
.AC DEC 20 0.1Hz 100MEGHz
.LIB DCE.LIB
.PROBE
.END

Efectula cap. de cuplaj i de decuplare asupra caract. de fr. a unui amplificator 99

Fig. 3. Efectul C1 asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Fig. 4. Efectul C2 asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Fig. 5. Efectul CE asupra benzii de trecere a amplificatorului.

100 Aplicaia nr. 13

Fig. 6. Efectul cumulat al C1 i C2 asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Fig. 7. Efectul cumulat al C1, C2 i CE asupra benzii de trecere a amplificatorului.

Aplicaia nr. 14
ANALIZA DE SENSIBILITATE/CAZ CEL MAI
NEFAVORABIL I ANALIZA MONTE-CARLO
1. SCOPUL APLICAIEI
Se introduc analizele statistice de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil
(.WCASE) i Monte-Carlo (.MC).
Acestea variaz toleranele componentelor electronice n cadrul unor rulri
multiple ale uneia dintre analizele .DC, .AC sau .TRAN. nainte de rularea .WCASE
sau .MC trebuie definite toleranele modelelor utilizate. De menionat c doar una
dintre aceste analize statistice poate fi efectuat la un moment dat pentru un circuit.
Un exemplu al utilizrii acestor analize l-ar putea constitui realizarea unui
produs de serie. Se poate estima astfel cte dintre acestea se ncadreaz n anumite
cerine, de exemplu limite pentru tensiuni, cureni, band de frecven etc., folosind
anumite clase de precizie pentru componente. Totodat se poate observa contribuia
fiecrui parametru al modelelor componentelor n stabilirea cu exactitate a mrimilor
electrice de interes ale unui circuit.
Aspectele sus menionate vor fi aplicate pentru cazul unui amplificator de
semnal mic cu dou tranzistoare bipolare.
2. ANALIZA DE SENSIBILITATE/CAZ CEL MAI NEFAVORABIL
Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil (.WCASE, Worst-Case
Analysis) este folosit pentru gsirea valorii probabile cea mai nefavorabil a unui
circuit sau sistem, fiind dat variana limitat a parametrilor. De exemplu, dac
valorile R1, R2 i R3 variaz cu 10%, analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil va
ncerca s gseasc combinaia valorilor rezistenelor care genereaz ieirea cea mai
nefavorabil. WCASE variaz doar un singur parametru la o rulare i astfel este
posibil s se calculeze sensibilitatea formei de und de la ieire pentru fiecare
parametru. Odat ce toate sensibilitile sunt cunoscute, se va realiza o ultim rulare n
care toi parametrii sunt variai n aa fel nct s se obin cazul cel mai defavorabil.
nafara descrierii circuitului, sunt necesare urmtoarele informaii: a)
toleranele parametrilor i b) definirea cazului cel mai nefavorabil.
Sintaxa analizei este:
.WCASE <(analiz)> <(variabil de ieire)> <(funcie)> [opiune]*
n care:
<(analiz)> poate fi .DC, .AC, sau .TRAN
<(variabil de ieire)> ca si la .PROBE

102 Aplicaia nr. 14

<(funcie)> specific operaia prin care valorile variabilelor de ieire sunt reduse la o
singur valoare:
YMAX Gsete cea mai mare diferen n fiecare form de und fa de
valoarea nominal.
MAX Gsete valoarea maxim a fiecrei forme de und.
MIN Gsete valoarea minim a fiecrei forme de und.
RISE_EDGE(<valoare>) Gsete prima apariie a formei de und care
depete pragul (<valoare>).
FALL_EDGE(<valoare>) Gsete prima apariie a formei de und care se afl
sub pragul (<valoare>).
[opiune]* poate s lipseasc sau s fie una sau mai multe din urmtoarele:
OUTPUT ALL Cere scrierea tuturor ieirilor rulrilor dup rularea (prim) cu
valorile nominale. Dac este omis, numai rularea cu valorile nominale i cea
corespunztoare cazului cel mai nefavorabil vor produce ieiri.
RANGE*(<low value>,<high value>) Restrnge gama n care <(funcie)> va
fi evaluat.
HI sau LOW Specific direcia n care <(funcie)> este modificat.
VARY DEV| LOT| BOTH Implicit, orice component care are un parametru
al modelului specificate prin toleran de tip DEV sau LOT este inclus n
analiz. Analiza poate fi ns limitat la componentele cu toleran de tip DEV
sau LOT.
DEVICES (list cu tipurile de componente) Implicit, toate componentele sunt
incluse n analiz. Se poate ns limita analiza doar la anumite tipuri de
componente. De exemplu dac se dorete efectuarea analizei de
sensibilitate/caz cel mai nefavorabil doar pentru rezistori i tranzistori
MOSFET se va utiliza: DEVICES RM
Exemplu: .WCASE AC V(6) YMAX
3. ANALIZA MONTE-CARLO
Aceast analiz permite rularea multipl, de un numr de ori specificat apriori,
a celorlalte analize (n curent continuu .DC, n frecven .AC, n timp .TRAN) n care
se iau valori aleatoare n domeniul de toleran specificat pentru dispozitivele unde
aceast toleran a fost definit. Prima rulare se efectueaz cu valorile nominale ale
tuturor componentelor iar celelalte se efectueaz variind parametrii modelelor conform
datelor specificate pentru toleran.
Forma general pentru analiza Monte-Carlo este:
.MC <(#rulri)> <(analiz)> <(variabil de ieire)> <(funcie)> [(opiune)]*[SEED
= (valoare)]
n care:
<(#rulri)> reprezint numrul total de rulri ce vor fi efectuate.
<(analiz)> poate fi .DC, .AC, sau .TRAN.
<(funcie)> specific tipul operaiei efectuate asupra valorilor <(variabil de ieire)>

Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo 103

pentru a le reduce la o singur variabil. Aceast valoare va fi baza de

comparaie ntre rezultatul primei rulri i rulrile ulterioare. Expresiile valide
pentru <(funcie)> sunt identice cu cele prezentate la analiza .WCASE.
[opiune]* poate s lipseasc sau s fie una sau mai multe din expresiile prezentate la
cmpul omolog de la analiza .WCASE
[SEED = (valoare)] Permite definirea unei valori ntregi impare n intervalul
132767 care s iniializeze generatorul de numere aleatoare. Implicit, are
valoarea 17533.
Exemplu: .MC 10 AC V(6) MAX OUTPUT(ALL)
4. DEFINIREA TOLERANEI
Toleranele sunt specificate prin intermediul declaraiei .MODEL cu
urmtoarea form general (pentru detalii vezi Aplicaia nr. 4 - Mediul de simulare
SPICE):
.MODEL <nume model> <nume tip> [<nume parametru>=<valoare>
[<toleran>]]
Pentru definirea toleranei pot fi folosii specificatorii DEV (variaie
independent a toleranei) i LOT (variaie dependent a toleranei) mpreun cu tipul
distribuiei de probabilitate (fig. 1).
Probabilitate

Valoare
nominal
- x%

Valoare
nominal
a) UNIFORM

Valoare
nominal
+ x%

Probabilitate

Valoare
nominal
- x%

Valoare
nominal
b) GAUSS

Fig. 1. Distribuii de probabilitate uzuale.

Exemple:
.MODEL R_Real RES(R=1 DEV/UNIFORM 10%)
.MODEL C_Real CAP(C=1 DEV/UNIFORM 20%)
.MODEL BC107_Real NPN(Is=160.35f DEV/GAUSS 15%
+
Vaf=74.03 Ne=1.307 Ise=14.34f
+
Bf=320 DEV/UNIFORM 45%
+
Ikf=0.1 Xtb=1.5 Br=6.092 Ikr=0 Rc=1
+
Cjc=7.3p DEV/GAUSS 10%

Valoare
nominal
+ x%

104 Aplicaia nr. 14

+
+

Mjc=0.3416 Mje=0.377
Cje=22.10p DEV/GAUSS 10%)

5. PARTEA EXPERIMENTAL
5.1 Se urmrete proiectarea unui amplificator pentru urmtoarele date:
rezistena de intrare Ri = 50K;
rezistena de ieire Ro = 2.2K;
excursia de tensiune la ieirea amplificatorului uo = 1V pe o rezisten
de sarcin RL = 10K;
frecvena limit inferioar fj = 110Hz.
Se presupune c:
- tensiunea de alimentare a circuitului este VA = 12V;
- rezistena intern a generatorului este Rg = 600;
- tranzistoarele sunt identice, de tip BC107A i au gm1 = gm2 = 40mA/V, rbe1 =
rbe2 = 5K, UBE1 = UBE2 = 0,6V.
Cerinele impuse n proiectare pot fi ndeplinite de circuitul din fig. 2.
VA=+12V

RC2
RC1

C3
RL
Q2

Rg

C1

Q1
RB

Vg
RE1

RE2

CE

Fig. 2. Amplificator de semnal mic cu dou tranzistoare bipolare.

Schema conine dou etaje de amplificare cu tranzistoare n conexiune EC,

cuplate direct. Rezistena de intrare impus fiind mare, rezistena echivalent a
circuitului de polarizare a tranzistorului Q1 trebuie s fie de cel puin 50K. S-a optat
pentru varianta de polarizare cu rezisten serie n baz, modificat fa de configuraia
clasic prin conectarea rezistenei RB la emitorul tranzistorului Q2. Se asigur astfel o
insensibilizare a valorilor curenilor IC01 i IC02 (prin reacie negativ de curent) fa de
parametrii tranzistoarelor i temperatur.
Proiectarea circuitului implic desenarea schemei echivalente pentru regimul

Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo 105

dinamic, prezentat n fig. 3.

Ro

Ri
ib2

ib1
Rg
vg

gm1ub'e1

rb'e1
ui

RB

uo

rb'e2

ube1

gm2ub'e2
RC1
RE1

RC2

RL

ube2

Fig. 3. Schema echivalent n regim de semnal mic i frecvene medii a circuitului din fig. 2, folosind
modelul natural simplificat (Giacoletto) pentru tranzistoare.

Pe baza acestei scheme se pot scrie urmtoarele relaii:

R i = R B || [ rb 'e 1 + (1 + g m 1 rb 'e 1 ) R E 1 ]
Ro = RC 2
u
g m1rb 'e1 RC1
g r ( R || RL )
AU 0 = o =
m 2 b 'e 2 C 2
ui rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1
RC1 + rb 'e 2

(1)
(2)
(3)

n curent continuu, neglijnd curentul de baz fa de cel de colector i considernd

IC IE, rezult:

U CE 01 =
I C 01 =

RB I C 01

+ U BE1 + U BE 2

I C 02 RE 2 U BE1
RB
+ RE 1

(4)
(5)

U CE 02 + I C 02 ( RC 2 + RE 2 ) = V A

(6)
Dimensionarea amplificatorului implic n primul rnd alegerea unui PSF
pentru Q2, innd cont de excursia de tensiune maxim uo impus. Aceast valoare
maxim este practic minimul dintre uCE2M (valoarea maxim negativ) i iCEmRC2||RL
(valoarea maxim pozitiv). Condiia de minim ntre aceste dou valori extreme este
impus de simetria celor dou alternane. n consecin PSF va fi determinat astfel:
U CE 02 = uCE 2 m + uo
(7)
unde uCE2m este tensiunea minim colector-emitor pentru care tranzistorul mai poate fi
considerat ca un dispozitiv liniar (n general 1 2 V).

I C 02 =

u0
+ iC 2 m
RC 2 || RL

(8)

unde iC2m reprezint valoarea minim a curentului de colector al tranzistorului Q2

pentru care se mai poate admite funcionarea n regim liniar a tranzistorului (la
tranzistoarele de mic putere, cu Si, de uz general, iC2m = 50 100 A ).

106 Aplicaia nr. 14

n continuare se calculeaz RC2 i RE2 din relaiile (2) respectiv (6). Pentru
tranzistorul Q1 alegerea PSF-ului nu este aa de riguroas ca pentru Q2. De exemplu,
se poate alege UCE01 = 5V.
n principiu, relaiile (1), (4) i (5) formeaz un sistem de trei ecuaii cu trei
necunoscute: RB, RE1 i IC01. Rezolvarea sistemului este ns complicat, rezultnd mai
multe soluii. n plus, nu pentru orice date de proiectare impuse vor rezulta soluii cu
sens fizic. Programul MATLAB prezentat n ANEX permite determinarea exact a
celor trei necunoscute.
Deoarece RB rezult de valoare suficient de mare s-ar putea deduce RE1 din ec.
(1). Acum se pot determina RB i IC01 din rel. (4) i (5).
RC1 se exprim astfel:

RC1 =

V A U BE 2 I C 02 RE 2
I C 01

(9)

Pentru determinarea capacitilor circuitului de poate aplica metoda

constantelor de scurtcircuit:

C1 =

1
2Ri f1

1
R +r
2RE1 || C1 b 'e 2 f 2
g m 2 rb 'e 2
1
C3 =
2 ( RC 2 + RL ) f 3

C2 =

(10)
(11)

(12)

Se pot alege frecvenele limit determinate de fiecare capacitate suficient de

distanate ntre ele, astfel c se pot considera independente (practic dac distana ntre
frecvene este o decad). De exemplu: f1=1Hz, f2=10Hz, f3=100Hz. Rezult astfel fj =
f1 + f2 + f3.
5.2 Pentru amplificatorul proiectat realizai o descriere PSPICE folosind
valorile nenormalizate (adic exact cele rezultate prin calcul) ale componentelor.
Verificai dac rezultatele simulrii coincid cu cerinele din datele de proiectare.
*L14_1 Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil si
*
analiza Monte-Carlo
*Descrierea circuitului
vg 1 0 AC 1mV SIN(0 1mV 1KHz)
Rg 2 1 600
C1 3 2 3.18uF
Q1 4 3 5 BC107A
RE1 5 0 291
RC1 6 4 1.88K
RB 3 7 235K
Q2 8 4 7 BC107A
RE2 7 0 4.42K
C2 7 0 47uF

Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo 107

RC2
C3
RL
VA

8
8
9
6

6
9
0
0

2.2K
1.3uF
10K
12V

*Specificarea analizelor
.AC DEC 10 1Hz 10MEGHz
.TRAN 0.1m 10m
*Alte declaratii
.LIB d:\pseval50\library\DCE.LIB
.PROBE
.END

Fig. 4. Se constat n urma analizei n frecven a circuitului o amplificare la frecvene medii, AU0 = 361
i o frecven limit inferioar fj = 110Hz.

Fig. 5. Rezistena de intrare se situeaz foarte aproape (48.8K) de valoarea impus (50K).

108 Aplicaia nr. 14

5.3 Folosind acum valori normalizate i presupunnd c toate rezistenele

circuitului au toleran 10% iar capacitile 20% studiai prin metodele cazului cel
mai nefavorabil i Monte-Carlo efectul toleranelor componentelor asupra parametrilor
amplificatorului. Pentru cazul concret al amplificatorului discutat se presupune c
mrimea de interes este reprezentat de valorile extreme ale amplificrii acestuia (sau,
echivalent valorile extreme ale tensiunii de ieire).
Observaii:
a) Valorile nominale normalizate reprezint multipli sau submultipli ale urmtoarelor
iruri:
Toleran 10% : 1,0
1,2
1,5
1,8
2,2
2,7
3,3
3
4,7
5,6
6,8
8,2
Toleran 20% : 1,0
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
b) Componenta PSPICE ce se ocup de reprezentarea grafic a rezultatelor simulrii
(de regul Probe) dispune de aa-numita analiz de performan. n fapt Probe are
dispune de un meta-limbaj, bazat pe funcii obiectiv (goal functions) pentru
identificarea diverselor puncte de interes dintr-o form de und. Ele concentreaz
informaia de regul ntr-o singur valoare numeric. n cazul analizei Monte-Carlo
analiza de performan este prezentat sub form de histogram. Pentru crearea unei
histograme trebuie s fie extras o singur valoare de interes din fiecare rulare (fig. 9).
*L14_2 Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil si
*
analiza Monte-Carlo
*Descrierea circuitului
vg 1 0 AC 1mV SIN(0 1mV 1KHz)
Rg 2 1 600
C1 3 2 C_Real 3.3uF
Q1 4 3 5 BC107A
RE1 5 0 R_Real 330
RC1 6 4 R_Real 1.8K
RB 3 7 R_Real 220K
Q2 8 4 7 BC107A
RE2 7 0 R_Real 4.7K
C2 7 0 C_Real 47uF
RC2 8 6 R_Real 2.2K
C3 8 9 C_Real 1uF
RL 9 0 R_Real 10K
VA 6 0 12V
*Specificarea modelelor
.MODEL R_Real RES(R=1 DEV/UNIFORM 10%)
.MODEL C_Real CAP(C=1 DEV/GAUSS 20%)
*Specificarea analizelor
.AC DEC 10 1Hz 10MEGHz
.WCASE AC V(9) MIN
*.MC 10 AC V(9) MIN OUTPUT(ALL)
*Alte declaratii
.LIB d:\pseval50\library\DCE.LIB
.PROBE
.END

Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo 109

Fig. 6. Rezultatul rulrii analizei cazului cel mai nefavorabil MIN.

Fig. 7. Rezultatul rulrii analizei cazului cel mai nefavorabil MAX.

Fig. 8. Rezultatul rulrii analizei Monte-Carlo.

110 Aplicaia nr. 14

Fig. 9. Afiarea rezultatelor rulrii Monte-Carlo sub form de histogram. S-au apelat cteva
funcii obiectiv predefinite: Max (.) ia valoarea maxim a formelor de und din rulri, Bandwith(.,db)
calculeaz banda de trecere la un numr de decibeli specificat.

Prin inspectarea fiierului *.out rezultat n urma simulrilor evideniai

sensibilitatea amplificrii/tensiunii de ieire la variaia diverilor parametrii.
Recomandai metode pentru diminuarea efectului toleranei i dispersiei asupra
mrimilor electrice de interes.

Analiza de sensibilitate/caz cel mai nefavorabil i analiza Monte-Carlo 111

RUN
RC2 R_Real R
(
.7992% change
RC1 R_Real R
(
.3704% change
RB R_Real R
(
.2502% change
RL R_Real R
(
.1771% change
NOMINAL
C1 C_Real C
(
0
% change
C2 C_Real C
(
0
% change
C3 C_Real C
(
0
% change
RE2 R_Real R
(
-.6959% change
RE1 R_Real R
(
-.8938% change

per
per
per
per
per
per
per
per
per

MAXIMUM VALUE
.2963 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.2961 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.2961 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.2961 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.296 at F =
6.3096E+03
.296 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.296 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.296 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.2958 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)
.2958 at F =
6.3096E+03
1% change in Model Parameter)

Fig. 10. Sensibilitatea tensiunii de ieire la parametrii amplificatorului aa cum rezult din
analiza .WCASE. O soluie pentru diminuarea dispersiei amplificrii ar fi folosirea unor rezistene mai
precise pentru RC2 (influeneaz cel mai mult V(9), direct proporional) i RE1 (influeneaz cel mai mult
V(9), invers proporional).
RUN
Pass

Pass

Pass

10

Pass

Pass

Pass

NOMINAL
Pass
8
Pass

Pass

MAXIMUM VALUE
.3552 at F =
6.3096E+03
( 119.98% of Nominal)
.3266 at F =
6.3096E+03
( 110.31% of Nominal)
.3233 at F =
6.3096E+03
( 109.21% of Nominal)
.3223 at F =
6.3096E+03
( 108.88% of Nominal)
.2974 at F =
7.9433E+03
( 100.47% of Nominal)
.2967 at F =
6.3096E+03
( 100.21% of Nominal)
.296 at F =
6.3096E+03
.2949 at F =
6.3096E+03
( 99.611% of Nominal)
.2719 at F =
7.9433E+03
( 91.848% of Nominal)
.2649 at F =
7.9433E+03
( 89.493% of Nominal)

Fig. 11. Rezultatele rulrii analizei .MC pun n eviden o abatere de aproximativ +20% i -10%
fa de valoarea nominal a amplificrii, ca urmare a efectului toleranelor parametrilor componentelor.

5.4 Comparnd rezultatele simulrilor evideniai avantajele i dezavantajele

fiecrei analize.

112 Aplicaia nr. 14

ANEXA la Aplicaia nr. 14

Program MATLAB pentru calculul amplificatorului
prezentat n Aplicaia nr. 14
clear all
clc
%datele de proiectare
VA = 12
RL = 10e3
Ri = 50e3
Ro = 2.2e3
duo = 2
UCE2m = 2
ic2m = 0.1e-3
UBE1 = 0.6
UBE2 = 0.6
beta1=200
beta2=200
rbe1=5e3
rbe2=5e3
UCE01 = 5
fj1 = 1
fj2 = 100
fj3 = 10
%calculul amplificatorului
RC2 = Ro
RC2pRL = RC2*RL/(RC2+RL);
IC02 = (duo/RC2pRL) + ic2m
UCE02 = UCE2m + duo
RE2 = ((VA-UCE02)/IC02) - RC2
[x y z]=solve('Ri - (x*(rbe1+(1+beta1)*y)/(x + rbe1 +
(1+beta1)*y )) = 0', ...
'UCE01 - ((x*z/beta1) + UBE1 + UBE2) = 0', ...
'z - ((IC02*RE2-UBE1)/((x/beta1)+y))= 0');
RB=eval(x)
RE1=eval(y)
IC01=eval(z)
RC1 = (VA - UBE2 - IC02*RE2)/IC01(1,1)
AU=beta1*RC1*beta2*RC2pRL/((rbe1+(1+beta1)*RE1(1,1))*(RC1+rbe2))
C1= 1/(2*pi*Ri*fj1)
Rech1 = (RC1+rbe2)/beta2;
Rech2 = Rech1*RE2/(Rech1+RE2);
C2= 1/(2*pi*Rech2*fj2)
C3= 1/(2*pi*(RC2+RL)*fj3)

Aplicaia nr. 15
AMPLIFICATOARE DE PUTERE N CONTRATIMP
CU TRANZISTOARE COMPLEMENTARE
1. SCOPUL APLICAIEI
n cadrul aplicaiei se studiaz funcionarea amplificatorului de putere (final)
n contratimp i clas AB, cu tranzistoare complementare.
2. PARTEA TEORETIC
Un amplificator de putere este destinat furnizrii unui semnal de putere relativ
ridicat unei sarcini de rezisten redus. n mod tipic, un amplificator de putere
furnizeaz la ieire o putere de peste 1W pe o sarcin mai mic de 300.
Etajele de ieire clas A, examinate n lucrrile precedente, prezint dou
dezavantaje majore: pe de o parte randamentul lor este mic (maxim 25%) i pe de alt
parte puterea disipat n repaus, adic n lipsa semnalului, este mare.
Ambele dezavantaje pot fi eliminate prin utilizarea etajelor de ieire n contratimp
(push-pull) clas B (fig. 1) pentru care tranzistorul conduce doar pe o semiperioad
a unui semnal sinusoidal aplicat la intrare. Evident c pentru refacerea corect a
sinusoidei la ieire, n cealalt alternat a semnalului de la intrare va conduce cellalt
tranzistor al etajului. Rezult astfel un unghi de conducie pentru tranzistor = . PSFul tipic este IC0 = 0A, UCE0 = VA pentru alimentare diferenial simetric sau UCE0 =
VA/2 pentru alimentarea cu o singur surs de tensiune continu, ceea ce conduce la un
consum de curent i putere disipat, n repaus, practic nule. Randamentul maxim
teoretic este 78.5%.
VCC+
Q1

Vg
RL

Q2

Vo

VCC-

Fig. 1. Etaj tipic de ieire n contratimp, clas B, cu tranzistoare complementare.

114 Aplicaia nr. 15

La un anumit moment n alternan pozitiv, cnd Vg UBEon, Q1 se deschide i

ncepe s lucreze ca repetor pe emitor (conexiune CC). De observat c Q2 este blocat
cu o tensiune invers pe jonciunea baz-emitor egal cu UBEon. Este asigurat astfel
amplificarea de curent, cea de tensiune fiind uor subunitar (fig. 2a)). n mod analog
se ntmpl lucrurile n alternana negativ.
Caracteristica de transfer (fig. 2b)) pune n eviden o zon moart de mrime
2UBEon , n jurul originii, situaie caracteristic pentru etajele n clas B. Aceast zon
moart determin apariia distorsiunilor de racordare (crossover distortion), fapt
sesizabil i din forma de und a tensiunii de la ieire. n acest caz tensiunea aplicat n
bazele tranzistoarelor nu este suficient de mare/mic pentru ca s se deschid Q1 / Q2 i
deci curentul prin sarcin este nul.
Pe msur ce amplitudinea semnalului de la intrare devine mai mare, aceast
surs de distorsiuni este din ce n ce mai puin semnificativ (fig. 3).

a)
b)
Fig. 2. a) Semnalul de la intrarea (Vg) i ieirea (Vo) etajului n clas B. b) Caracteristica de transfer a
etajului n clas B.

Fig. 3. Dac amplitudinea semnalului de intrare devine mare, zona moart reprezint o fraciune mai mic
din semnal.

Amplificatoare de putere n contratimp cu tranzistoare complementare 115

Distorsiunile de racordare pot fi reduse prin utilizarea clasei de funcionare

AB. n aceast clas de funcionare dispozitivele active se polarizeaz astfel nct
pentru Vg = 0V s treac prin fiecare un curent static mic. Pentru clasa AB unghiul de
conducie este: < < 2.
O modalitate de prepolarizare a jonciunilor baz-emitor ale tranzistoarelor
finale este prezentat n fig. 4.
VCC+
RC

Q1
D1

D2
RL

Vo

Q2
Vg
VCC-

Fig. 4. Polarizarea bazelor tranzistoarelor finale folosind diode.

Diodele D1 i D2 sunt n conducie i asigur o tensiune de deschidere pentru

Q1 i Q2, astfel nct acestea intr mai rapid n conducie dect cele ce funcioneaz n
clas B, eliminnd aproape total distorsiunile de racordare din forma tensiunii de la
ieire, respectiv zona moart din forma caracteristicii de transfer (fig. 5).

a)
b)
Fig. 5. a) Formele de und ale tensiunilor de intrare i ieire pentru un etaj de ieire n clas AB. b)
Caracteristica de transfer pentru un etaj de ieire n clas AB. Se constat dispariia distorsiunilor de
racordare i a zonei moarte.

116 Aplicaia nr. 15

3. REALIZAREA PRACTIC A UNUI AMPLIFICATOR DE PUTERE

N CLAS AB
Se propune schema practic prezentat n fig. 6 pentru un amplificator de
putere n clas AB. Semnalul ce urmeaz a fi amplificat este aplicat prin intermediul
sursei de tensiune alternativ, sinusoidal, Vg. Condensatorul de cuplaj C1 realizeaz
izolarea galvanic a amplificatorului, mpiedicnd influenarea PSF-ului tranzistorului
Q3 de ctre eventuala component de curent continuu a Vg. I se permite ns
componentei alternative a Vg s ajung n baza lui Q3 (tranzistor pilot) care asigur
amplificarea de tensiune a schemei. Din cauza conexiunii EC apare i o defazare cu
180 a semnalului. Pe de o parte RB1 dar i RB2 i Rr asigur polarizarea
corespunztoare a bazei tranzistorului Q3. Rr mai realizeaz i:
- ajustarea unui tensiuni statice, la ieirea etajului final, egal cu VCC/2, n scopul unei
funcionri simetrice a tranzistoarelor finale.
- aducerea unei eantion din tensiunea de la ieire la intrarea amplificatorului; se
creeaz astfel o reacie negativ (tip paralel-paralel) care, n regim dinamic, fixeaz
valoarea amplificrii.
+VCC=20V
RL
75
16W

CB

BD135
Q1

470F
RC
3K

RE1
0.56
3W

Vcc/2

D1N4148
(Si)

D1

MA113
(Ge)

D2

RE2
0.56
3W

Q2
C1

BD136

Q3

R1

1.8K

BC107

22F
C2

Rg
600
Vg

330pF
DC = 1V
AC = 1V
TRAN = sin(0V 1V 1KHZ )

RB1

RB2

620

3.9K

RE3
11

Rr

5K

Fig. 6. Amplificator de putere cu tranzistoare complementare n clas AB.

Amplificatoare de putere n contratimp cu tranzistoare complementare 117

n continuare, semnalul se aplic celor dou baza ale tranzistoarelor finale,

complementare (unul NPN i altul PNP), prepolarizate prin intermediul diodelor D1 i
D2. Cele dou tranzistoare sunt conectate ca repetoare pe emitor (conexiune CC),
specific pentru aceast conexiune fiind:
- amplificarea mare de curent;
- amplificarea mic ( < 1) de tensiune;
- impedana de intrare relativ mare;
- impedana de ieire relativ mic.
n alternan pozitiv a semnalului de la intrare, prin defazarea de 180 dat de
Q3, ajunge s conduc Q2. n alternan negativ va conduce Q1, de unde i denumirea
etajului de ieire: n contratimp.
Rezistenele din emitoarele tranzistoarelor finale au rol n prevenirea
procesului de ambalare termic: cderea de tensiune pe aceste rezistoare reduce
tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor i tinde astfel s stabilizeze curenii de
polarizare printr-un mecanism de reacie negativ local. Valoarea acestor rezistoare
reprezint un compromis ntre creterea stabilitii PSF-ului (RE mari) i a unui
randament ridicat (RE mici).
Un amplificator cu o schem de principiu ca cea din fig. 4 are dezavantajul c
introduce o limitare suplimentar n amplitudinea tensiunii de comand a
tranzistoarelor finale (fig. 7a)). n plus, etajul prefinal, lucrnd la semnal mare,
introduce distorsiuni mari datorit caracteristicilor sale de transfer exponeniale, deci
puternic neliniare. Soluionarea problemelor sus-amintite se bazeaz pe bootstrap-area
rezistenei de colector a tranzistorului prefinal. Ea se realizeaz prin conectarea unui
condensator de bootstrap, CB, ntre punctul comun al RS i RC i punctul comun al RE1
i RE2. Condensatorul trebuie s prezinte la frecvena de lucru a amplificatorului o
reactan foarte mic, deci s fie practic un scurtcircuit. Conectarea sa conduce la
modificarea rezistenei echivalente de ieire vzut de Q3 i deci la mrirea excursiei
de tensiune de la ieirea acestuia (fig. 7b)). Prin satisfacerea condiiei de funcionare la
semnal mic se rezolv astfel i problema distorsionrii semnalului de ctre etajul
prefinal.
iC3

iC3
Dreapt de sarcin dinamic

Dreapt de sarcin dinamic

PSF

IC3

IC3

PSF
Dreapt de sarcin static

Dreapt de sarcin static

VCC/2 U
O3max

VCC

uCE3

VCC/2

VCC

uCE3

a)
b)
Fig. 7. a) Limitarea excursiei tensiunii de ieire a etajului pilot. b) Prin folosirea conexiunii bootstrap se
ajunge la modificarea rezistenei de intrare a etajului final i deci la mrirea excursiei tensiunii de atac a
tranzistoarelor complementare.

118 Aplicaia nr. 15

Schema din fig. 6 ar putea fi mbuntit prin:

montarea ntre bazele tranzistoarelor finale a unui circuit tip superdiod (diod
multiplicat) care s permit ajustarea tensiunii de prepolarizare a bazelor
tranzistoarelor;
- folosirea unor tranzistoare finale compuse (Darlington) n scopul creterii
puterii amplificatorului;
- introducerea unui circuit de protecie la scurtcircuit a tranzistoarelor etajului
de ieire.
La amplificatoarele de putere se poate pune problema folosirii unor soluii de
rcire pasiv, prin intermediul unui radiator metalic, plasat pe componentele ce disip
o cantitate mai mare de cldur (tranzistoarele finale). Se mrete astfel suprafaa
radiant a componentei i rezult o disipare mai rapid a cldurii i implicit o
temperatur mai sczut de funcionare pentru componenta prevzut cu radiator.
-

4. PARTEA EXPERIMENTAL
4.1 Cu generatorul de tensiune sinusoidal oprit, alimentnd doar n curent
continuu amplificatorul cu schema din fig. 6, se determin PSF-urile celor trei
tranzistoare. Din rezistena semireglabil Rr se urmrete ajustarea tensiunii statice
marcate pe schem la VCC/2 (ntr-un caz mai general - semisuma tensiunilor de
alimentare).
4.2 Se pune n funciune generatorul, la f = 1KHz, i se stabilete amplitudinea
maxim a tensiunii de ieire nedeformat sensibil, prin vizualizarea cu osciloscopul a
tensiunii de pe sarcin i reglajul amplitudinii tensiunii generate la intrarea
amplificatorului. Pentru acest caz se oscilografiaz tensiunile de intrare, de ieire dup
tranzistorul pilot i pe sarcin, determinndu-se valoarea amplificrii de tensiune.
4.3 Se scurtcircuiteaz cele dou diode de prepolarizare i se oscilografiaz n
acest caz tensiunea de la ieirea amplificatorului urmrindu-se evidenierea apariiei
distorsiunilor de racordare.
4.4 Se msoar curentul consumat de la sursa de alimentare. Pe baza acestuia
se calculeaz puterea consumat, PCC. Puterea util medie se determin din relaia
2

u
Po = om
iar randamentul
2 RL
P
= o 100 [%] .
PCC

amplificatorului

se

va

calcula

cu

formula

4.5 Se vor determina prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 6:

a) PSF-urile tranzistoarelor (cf. 4.1);
b) forma tensiunilor de intrare, de ieire dup tranzistorul pilot i pe sarcin,
determinndu-se valoarea amplificrii de tensiune i dependena acesteia de frecven
(cf. 4.2);
c) componentele spectrale ale semnalului de ieire, prin analiza Fourier.

Amplificatoare de putere n contratimp cu tranzistoare complementare 119

* L15 - Amplificator de putere in contratimp
* cu tranzistoare complementare
Vg
1 0
AC 1V SIN(0, 1V, 1KHz)
Rg
1 2
600
C1
3 2
22uF
R1
3 4
1.8K
RB1
4 0
620
C2
4 0
330pF
Q3
6 4 5
BC107
RE3
5 0
11
D1
8 7
D1N4148
D2
7 6
MA113
RC
8 9
3K
RL
9 10
75
VCC
10 0
20V
RB2
4 11
3.9K
Rr
11 12
{5K*0.5+.001}
Q1
10 8 14
BD135
RE1
14 12
0.56
Q2
0 6 13 BD136
RE2
12 13
0.56
CB
9 12
470uF
.LIB DCE.LIB
.LIB JDIODE.LIB
.OP
.AC DEC 10 1 10MEG
.TRAN 0.1m 2m 0 0.5u
.FOUR 1KHz V(9, 10)
.PROBE
.END
20.00V
966.3uW

VCC
RL
75
16W

3.589mA
CB

BD135

3.589mA
470uF

RC
19.73V 3K

15.12mA
Q1
187.1uA175.7mW
-15.30mA
8.382V
15.30mA
RE1
131.2uW
0.56
3W

38.65mW

8.963V
3.402mA
D1
2.319mW

D1N4148
(Si)

8.281V
3.402mA
D2
2.027mW

MA113
(Ge)
7.685V

C1
1.000V
1.000V

R1
0W
0A 733.3mV
1.8K

Q3

3.551mA

BD136

VCC

Vcc/2

14.11mA
RE2
0.56
111.5uW
3W
14.11mA

20Vdc
20.00V

-148.3uA
Q2
116.9mW
-13.96mA

27.16mW
733.3mV
11.05uA
BC107
1.183mA
-3.562mA
3.562mA
22uF
0W Rg
C2
RB1
RB2
RE3
139.5uW
0V
0A
867.2uW
5.558mW
Rr
600
330pF
620
3.9K
11
0V
0A
1.194mA
3.563mW
5.389V
1.194mA
0W Vg DC = 1V
0V
AC = 1V
5K
0V
0V
TRAN = sin(0V 1V 1KHZ )

8.373V

Fig. 6. Tensiunile, curenii i puterile din circuit, n regim static.

VCC
-374.1mW
18.71mA

120 Aplicaia nr. 15

25V

20V

10V

0V

0s

0.5ms
V(2)

V(6)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

V(9)
Time

Fig. 7. Forma tensiunilor de intrare, de ieire dup tranzistorul pilot i pe sarcin pentru
circuitul din fig. 5.

Fig. 8. Dependena amplificare-frecven.

Amplificatoare de putere n contratimp cu tranzistoare complementare 121

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(9,10)

DC COMPONENT =

HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9

FREQUENCY
FOURIER
(HZ)
COMPONENT
1.000E+03
2.000E+03
3.000E+03
4.000E+03
5.000E+03
6.000E+03
7.000E+03
8.000E+03
9.000E+03

2.559E+00
4.389E-04
2.746E-05
5.592E-05
4.832E-05
2.835E-05
2.796E-05
1.984E-05
2.375E-05

-2.703846E-01

NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.715E-04
1.073E-05
2.185E-05
1.888E-05
1.108E-05
1.092E-05
7.752E-06
9.281E-06

TOTAL HARMONIC DISTORTION =

PHASE
(DEG)
-1.796E+02
-8.059E+01
1.563E+02
2.225E+01
1.649E+00
1.878E+01
-1.177E+01
1.185E+01
-4.639E+00

NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
2.786E+02
6.951E+02
7.406E+02
8.996E+02
1.096E+03
1.245E+03
1.449E+03
1.612E+03

1.753442E-02 PERCENT

Fig. 9. Spectrului semnalului de la ieirea amplificatorului pentru tensiune mare de intrare. Rezult c
semnalul pe sarcin nu sufer distorsiuni nsemnate.

122 Aplicaia nr. 15

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(9,10)

DC COMPONENT =

HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9

FREQUENCY
FOURIER
(HZ)
COMPONENT
1.000E+03
2.000E+03
3.000E+03
4.000E+03
5.000E+03
6.000E+03
7.000E+03
8.000E+03
9.000E+03

2.523E-03
1.773E-05
2.533E-05
8.181E-06
1.216E-05
5.954E-06
9.067E-06
6.593E-06
3.705E-06

-2.894797E-01

NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
7.030E-03
1.004E-02
3.243E-03
4.820E-03
2.360E-03
3.594E-03
2.614E-03
1.469E-03

TOTAL HARMONIC DISTORTION =

PHASE
(DEG)
1.787E+02
-8.754E+01
1.785E+02
4.233E+01
-3.442E+01
2.461E+01
-1.780E+02
1.115E+02
-1.791E+02

NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-4.450E+02
-3.577E+02
-6.727E+02
-9.282E+02
-1.048E+03
-1.429E+03
-1.318E+03
-1.788E+03

1.454383E+00 PERCENT

Fig. 10. Spectrului semnalului de la ieirea amplificatorului pentru tensiune mic de intrare. Rezult c
semnalul pe sarcin sufer distorsiuni.

Aplicaia nr. 16
STUDIUL EFECTULUI REACIEI NEGATIVE
ASUPRA SEMNALELOR PARAZITE I
DISTORSIUNILOR
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete studiul experimental al efectului reaciei negative asupra
semnalelor parazite i distorsiunilor neliniare introduse de un amplificator de joas
frecven. Consideraiile teoretice anticipeaz din punct de vedere matematic
concluziile ce vor fi desprinse n mod practic i prin simulare. Totodat se realizeaz o
succint introducere referitoare la noiunea de reacie negativ i amplificator
operaional.
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1 EFECTUL REACIEI NEGATIVE ASUPRA SEMNALELOR
PARAZITE
Prin reacie se nelege procesul prin care o fraciune din semnalul de la
ieirea amplificatorului este adus la intrarea acestuia, cu ajutorul unor circuite
introduse n acest scop sau prin cuplaje parazite. Dac semnalul din circuitul de reacie
este n faz cu semnalul de la intrare se spune c exist o reacie pozitiv iar dac este
n antifaz rezult o reacie negativ. n fig. 1 este prezentat schema bloc a unui
amplificator cu reacie.
Xi

Xo

Xr

Fig. 1. Schema bloc pentru un amplificator cu reacie.

Se poate arta simplu c valoarea amplificrii cu reacie Ar este:

Ar =

A
1+ A

(1)

124 Aplicaia nr. 16

n care A reprezint amplificarea n bucl deschis (fr reacie) iar factorul

de transfer al cuadripolului de reacie.
Performanele unui amplificator sunt limitate de suprapunerea peste semnalul
util a unor semnale parazite cum sunt zgomotele sau tensiunile perturbatoare induse
din mediul exterior. Exemple de surse perturbatoare sunt staiile de emisie (radio, TV,
telefonie), motoare n funciune, tensiuni ale reelei de alimentare etc. n anumite
condiii, efectul acestor semnale poate fi considerabil diminuat utiliznd reacia
negativ.
Pentru a justifica afirmaia de mai sus se consider cazul unui amplificator cu
dou etaje n care acioneaz o tensiunile perturbatoare up1, up2 i up3 aa cum este
artat n fig. 2.

up1

up2

up3
uo

ui

A1

A2

Fig. 2. Amplificator cu reacie cu dou etaje asupra cruia acioneaz tensiuni perturbatoare
nspre intrare, la mijloc i nspre ieire.

Se poate echivala schema de mai sus cu un amplificator cu reacie ce are

A = A1A2 iar la intrare are aplicate tensiunile ui, up1, up2/A1, up3/ A1A2. n aceste
condiii se poate scrie valoarea tensiunii de la ieire:

uo =

A
1+ A

ui +

A
1+ A

u p1 +

A
1+ A

u p2
A1

u p3

1 + A A1 A2

(2)

Se observ c cu ct tensiunea perturbatoare este aplicat mai nspre ieirea

amplificatorului cu att este mai puin resimit n tensiunea de la ieirea
amplificatorului. Tensiunea perturbatoare nu va fi ns eliminat de ctre mecanismul
reaciei negative dac este suprapus peste semnalul util aplicat la intrare. Este
evident importana unei amplificri mari de tensiune n primul etaj, lucru ndeplinit
deobicei n practic prin aceea c primul etaj este realizat, de exemplu, cu un
amplificator operaional (ce are n mod tipic amplificarea n bucl deschis foarte
mare). Al doilea etaj va fi cel de putere, el nefiind obligat s mai aib o amplificare
mare n tensiune; poate fi realizat, de exemplu, cu tranzistoare n conexiune colector
comun.

Studiul efectului reaciei negative asupra semnalelor parazite i distorsiunilor 125

2.2 EFECTUL REACIEI NEGATIVE ASUPRA DISTORSIUNILOR

NELINIARE
Efectul distorsiunilor neliniare poate fi echivalat printr-o tensiune
perturbatoare care determin o aceeai modificare a formei semnalului de ieire. Spre
exemplu, considernd n cazul schemei din fig. 2 c numai cel de al doilea etaj
introduce distorsiuni neliniare, efectul acestora poate fi echivalat prin tensiunea up2.
Pe baza precizrilor de mai sus rezult c observaiile i precizrile stabilite la
punctul 2.1. i pstreaz i n acest caz valabilitatea. Se subliniaz, totui, c aceast
valabilitate este condiionat de evitarea intrrii n limitare a etajelor de amplificare,
situaie n care procesul de reacie negativ ar fi ntrerupt. Mai mult dect att, pentru
ca semnalul de ieire s prezinte distorsiuni neglijabile este necesar ca amplificarea
primului etaj s fie suficient de mare corespunztor tuturor valorilor momentane ale
semnalului de intrare.
Cerinele enumerate sunt, de regul, satisfcute n practic. Dac circuitul din
fig. 2 este un amplificator de joas frecven, spre exemplu, atunci:
- Primul etaj, reprezentnd preamplificatorul, funcioneaz la semnal mic (deci nu
intr n limitare) i are o amplificare mare (prin urmare va reduce prin procesul de
reacie negativ distorsiunile neliniare);
- Cel de al doilea etaj (etajul final) al amplificatorului, introduce distorsiuni
neliniare (echivalate prin tensiunea up2 ) fr a intra ns n limitare.
2.3 GENERALITI DESPRE AMPLIFICATORUL OPERAIONAL
Amplificatoarele operaionale (AO) sunt circuite integrate care conin n
interior mai multe etaje, n mod tipic, la intrare, un amplificator diferenial urmat de un
preamplificator i un etaj de ieire, de exemplu n contratimp cu tranzistoare
complementare. Ele pot fi aproximate prin urmtoarea schem echivalent (fig. 3) n
care Ri reprezint rezistena echivalent de intrare, AU0 amplificarea de tensiune i Ro
rezisten echivalent de ieire. Intrarea + se numete neinversoare iar cea -
inversoare datorit nedefazrii respectiv defazrii semnalului aplicat la aceste borne.

+
Ui

Ri

Ro
AU0Ui

Fig. 3. Schema echivalent a unui AO.

Uo

126 Aplicaia nr. 16

AO ideal este caracterizat prin rezisten diferenial de intrare infinit, curent

de polarizare (intrare) nul, diferena de potenial dintre intrri nul, rezisten de ieire
nul i amplificare de tensiune infinit. AO real se apropie de modelul ideal (a se
consulta foaia de catalog pentru AO LM741 prezentat n anexe pentru valorile
parametrilor electrici).
n continuare se vor prezenta trei circuite elementare cu AO, acestea fiind
folosite i n cadrul schemei aferente lucrrii practice.
Repetorul cu AO
Este caracterizat de amplificarea n tensiune strict unitar (spre deosebire de
repetorul pe emitor la care este uor subunitar). Modul de conectare este prezentat n
fig. 4. Se utilizeaz datorit rezistenei de intrare foarte mare.

Uo

Ui

Fig. 4. AO repetor.

Amplificatorul inversor
Valoarea amplificrii cu reacie (fig. 5a)) este:

Aur =

Rr
R1

(3)

i se deduce simplu deoarece potenialele intrrilor + i - sunt egale cu 0V.

Rezistena de intrare vzut de sursa Ui este aproximativ R1 (n x 10K).
Rr

Rr

R1

Ui

R1
0V

0V

Uo

+
Ui

R2 = Rr || R1

R2 = R1 || Rr

RL

Fig. 5
a) AO inversor

Uo

Amplificatorul neinversor
Valoarea amplificrii cu reacie (fig. 5b)) este:

b) AO neinversor

RL

Studiul efectului reaciei negative asupra semnalelor parazite i distorsiunilor 127

Aur = 1 +

Rr
R1

(4)

Rezistena de intrare vzut de sursa Ui este foarte mare (n x 10M) datorit reaciei
negative de tip paralel-serie.
3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Analizai rolul componentelor din schema propus (fig. 6) pentru experimentarea
efectului reaciei negative asupra perturbaiilor. Cum sunt introduse acestea n circuit ?
Dred

TR

Bcc

Bp

5V

D1N4001
VAMPL = 220Vac
FREQ = 50Hz

V+

RS
Cf
22F

VA+

2K2
VVA-

-5V

Bo

V+

Bi

R5
R2
6K2

3K16
V+

Q1
BD135/PLP

U1
Rg

v1

7
V+

Vg

OUT

R1
2
VAMPL = 100mV
FREQ = 1KHz

649
R3

LM741

R4

600

V-

v2

D1
D1N4148

v3
RL

649

115

D2
D1N4148

3K

BD136/PLP
Q2

VAl

R6

Rr
3K16

Ar
3K
Ag

V-

Fig. 6. Schema pentru studiul efectului reaciei negative asupra perturbaiilor.

128 Aplicaia nr. 16

3.2 Se realizeaz legtura Ar-Al, adic se folosete o reacie negativ local. Se

oscilografiaz v1, v2 i v3 i se explic forma acestor tensiuni pentru cazurile:
a) Bp-Bi (semnalul perturbator aplicat la intrare), Bcc-Bo (ieire alimentat la +5V);
b) Bp-Bo (semnalul perturbator aplicat nspre ieire), Bcc-Bi. Desprindei din analiza
semnalului de pe sarcin efectul reaciei negative locale asupra perturbaiilor.
3.3 Se realizeaz legtura Ar-Ag, adic se folosete o reacie negativ global. Se
oscilografiaz v1, v2 i v3 i se explic forma acestor tensiuni pentru cazurile:
a) Bp-Bi (semnalul perturbator aplicat la intrare), Bo-Bcc (ieire alimentat la +5V);
b) Bp-Bo (semnalul perturbator aplicat nspre ieire), Bcc-Bi. Desprindei din analiza
semnalului de pe sarcin efectul reaciei negative globale asupra perturbaiilor.

Fig. 7. Formele de und la ieirea amplificatorului corespunztoare cazurilor 3.2 a) i b). Se constat c
indiferent unde este aplicat semnalul perturbator, aceste perturbaii vor fi regsite pe sarcina
amplificatorului.

Fig. 8 a) Formele de und pentru cazul 3.3 a). Fig. 8 b) Formele de und pentru cazul 3.3 b).
Se constat n primul caz c dei e folosit reacia negativ global. deoarece perturbaia e suprapus
peste tensiunea de la intrare, tensiunea de pe sarcin e perturbat. n cazul n care semnalul perturbator
este aplicat nspre ieirea amplificatorului, mecanismul reaciei negative anuleaz efectul acestuia i deci
tensiunea la ieire va fi neperturbat.

Studiul efectului reaciei negative asupra semnalelor parazite i distorsiunilor 129

3.4 Pentru studiul efectului reaciei negative asupra distorsiunilor neliniare se

consider schema din fig. 9. Explicai din ce este compus schema i cum sunt
introduse distorsiunile neliniare.

5V

VA+

Ar

V+

Ag
Al

V+

4 V-

V-

-5V

2
C1
Rg

v1

10F

VOFF = 0
VAMPL = 1V
FREQ = 1KHz

R2

R1
2K

OUT
V+
+

BD135/PLP

LM741

600
Vg

Q1

V-

VA-

v3

6
v2
5

RL

470
BD136/PLP

100
Q2

U2
V+
V-

Fig. 9. Schema pentru studiul efectului reaciei negative asupra distorsiunilor neliniare.

3.5 Se vor oscilografia tensiunile de la intrare (v1), de la ieirea primului etaj (v2) i de
la ieirea amplificatorului (v3) n cazurile:
a) Ar-Al (reacie negativ local);
b) Ar-Ag (reacie negativ global).
Se vor explica formele de und ale acestor tensiuni.
3.6 Evaluai pentru schema din fig. 9 - ambele cazuri, prin simulare SPICE,
distorsiunile semnalului de la ieirea amplificatorului.

130 Aplicaia nr. 16

Fig. 10
a) Formele de und pentru cazul 3.5 a).
b) Formele de und pentru cazul 3.5 b).
Se constat n primul caz existena unor distorsiuni neliniare n semnalul de la ieirea
amplificatorului cauzate de lipsa diodelor de prepolarizare i neeliminate de ctre reacia negativ local.
n al doilea caz, reacia negativ global reuete s elimine distorsiunile neliniare prin generarea unui
semnal la intrarea etajului final ce compenseaz lipsa diodelor de prepolarizare.

a)
b)
Fig. 11. a) Distorsiuni evidente ale semnalului pentru RN local. b) O singur component
spectral pentru cazul RN global.

Aplicaia nr. 17
STUDIUL EFECTULUI REACIEI NEGATIVE
ASUPRA CARACTERISTICII DE FRECVEN A
AMPLIFICATORULUI
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete studiul experimental al efectului reaciei negative asupra
frecvenelor limit inferioar i limit superioar ale benzii de trecere a unui
amplificator. Se studiaz apoi modificrile survenite n caracteristica de frecven a
amplificatorului, n situaia n care funcia de transfer a cuadripolului de reacie
depinde de frecven.
2. CONSIDERAII TEORETICE
Pentru nceput se va lua n discuie efectul reaciei negative asupra comportrii
amplificatorului la frecvene nalte. Se consider, pentru a simplifica prezentarea, un
amplificator a crui funcie rspuns la frecven are un singur pol:

A( j ) =

A
1 + j T

(1)

Frecvena polului presupus este f = 1/2T unde A reprezint amplificarea n

bucl deschis, la frecvene medii, pentru amplificatorul fr reacie.
Dac se va aplica o reacie printr-un cuadripol a crui funcie de transfer (j)
s fie real, funcia rspuns n frecven a amplificatorului cu reacie va fi:

Ar ( j ) =

A( j )
1 + A( j )

(2)

Dac n relaia (2) se va introduce expresia comportrii la frecvene nalte a

amplificatorului dat de rel. (1), se va obine pentru Ar(j):

Ar ( j ) =

A
1

1 + A 1 + j T
1 + A

(3)

Se constat c datorit aplicrii reaciei negative apare o micorare a

amplificrii la frecvene medii de 1+A ori i n acelai timp o cretere a frecvenei
limit superioar a benzii de trecere de acelai 1+A numr de ori, polul la nalte
considerat avnd acum frecvena corespunztoare lui T/(1+A) din rel. (3). Aceste
concluzii pot fi uor evideniate i pe baza diagramelor Bode aferente caracteristicilor

132 Aplicaia nr. 17

A(j) i Ar(j) nfiate n fig. 1.

|A(j)|
|Ar(j)|

[dB]
|A(j)|

-20 dB/dec

|Ar(j)|

A
1 + A

log(/2)
1
2T

( 1+ A )

1
2T

Fig. 1. Efectul reaciei negative asupra frecvenei limit superioar.

Un efect asemntor cu cel prezentat anterior l are reacia negativ asupra

comportrii amplificatorului la joas frecven. Pentru a demonstra acest efect, se
consider funcia rspuns n frecven a amplificatorului, fr reacie, la frecvene
joase:

A( j ) = A

jT j

(4)

1 + jT j

Aceast form a funciei rspuns n frecven se datoreaz cuplajului capacitiv

al sursei de semnal la intrarea amplificatorului, aa cum se prezint n fig. 2.
Rg

vg

Ri
Tj=(Rg+Ri)C

Fig. 2. Condensatorul de cuplaj genereaz o funcie de transfer de genul celei prezentate n rel. (4).

Aplicarea reaciei negative va transforma ec. (4) n:

Ar ( j ) =

jT j (1 + A)
A

1 + A 1 + jT j (1 + A)

(5)

expresie ce relev comportarea la joas frecven a amplificatorului cu reacie. i de

Studiul efectului reaciei negative asupra caract. de frecven a amplificatorului 133

aceast dat, ca i la frecvene nalte, se constat o scdere a amplificrii la frecvene

medii de 1+A ori, n timp ce frecvena limit inferioar de trecere este sczut de
1+A ori.
Pe lng mecanismul de modificare a frecvenelor limit prezentat anterior, n
cazul cuplrii capacitive a sursei de semnal i a sarcinii, apare, n plus, efectul
modificrii, datorit reaciei negative, rezistenelor de intrare (Ri devine Rir) respectiv
de ieire (Ro devine Ror), asupra frecvenelor limit. Aceasta conduce, spre exemplu, la
o frecven limit inferioar modificat, corespunztoare constantei de timp
T j = Rg + Rir C . Asemntor se petrec lucrurile i n cazul efectului reaciei

negative asupra rezistenei de ieire.

Dac factorul de reacie depinde de frecven, concluziile stabilite mai sus
nu sunt n general valabile. Studiul comportrii cu frecvena a amplificatorului cu
reacie se face pe baza expresiei Ar(j), determinat pentru cazul concret considerat.
Unele simplificri sunt totui posibile, neglijnd unii termeni din expresia lui Ar(j),
dependent de intervalul de frecvene avut n vedere la un moment dat.
3. PARTEA EXPERIMENTAL
Schema amplificatorului folosit pentru studiul efectul reaciei negative asupra
caracteristicii de frecven este prezentat n fig. 3.
VA=+25V
RB2
22K

RC1
18K

RE22
100
B
A

RE21
8.2K
Rg
600

C2
A

Q1

C1
22F

Q2
BC177

BC107A

vg VOFF = 0V
VAMPL = 10mV
FREQ = 10KHz

RB3
110K

Ar

Ar

Rr
20K

RB1
3K

RE1
2K

1F

Cr

C3

470F

22F

RC2
2K

RL
5K

Fig. 3. Circuit pentru studiul efectului reaciei negative asupra caracteristicii de frecven.

134 Aplicaia nr. 17

3.1 Comentai structura i rolul componentelor schemei din fig. 3.

3.2 Se determin teoretic parametrii amplificatorului din fig. 3 pentru cazurile fr/cu
reacie.
a) Analiza n curent continuu.
Schema echivalent pentru regimul CC este prezentat n fig. 4.
Relaiile ce permit calculul PSF-ului primului tranzistor sunt:

iar pentru Q2:

R B1

VA
U BE1

R B1 + R B 2
I C1 =
, U BE1 = 0,6V
RB 2

RE1 +

U CE1 = V A I C1 ( RC1 + RE1 )

(6)

I C1 RC1 + U BE 2

, U BE 2 = 0,6V
IC2 =
RE 21 + RE 22

U
CE 2 = I C 2 ( RC 2 + RE 21 + RE 22 ) V A

(7)

VA
RB2
22K

RC1
18K

RE22
100

RE21
8.2K
Q1
BC107A

Q2
BC177

RB3
110K

RB1
3K

RE1
2K

RC2
2K

Fig. 4. Schema echivalent pentru regimul CC.

b) Analiza n curent alternativ, cazul fr reacie.

Pentru determinarea amplificrii de tensiune se pleac de la exprimarea
succesiv a tensiunii de ieire n funcie de tensiuni intermediare ale schemei, sfrind
prin exprimarea uo n funcie de ui:

Studiul efectului reaciei negative asupra caract. de frecven a amplificatorului 135

uo = g m 2 ub 'e 2 RC 2 || RL

ub 'e 2
= ub 'e 2 + RE 2 b 'e 2 + g m 2 ub 'e 2
RC 2 g m1ub 'e1 +
rb 'e 2

rb 'e 2

ui = ub 'e1 + ub 'e1 + g m1ub 'e1 RE1

rb 'e1

(8)

cu RE2 = 0 (C2 conectat n pct. A) sau RE2 = RE22 (C2 conectat n pct. B).
Ri

ub'e1

Ro

ub'e2

C1

Rg
vg

C3
rb'e1

gm1ub'e1

ui

rb'e2

gm2ub'e2

22u

RC1

RC2
RB=RB1||RB2+RB3

RE1||Rr

C2

RL

uo

RE2

Fig. 5. Schema echivalent la semnal mic, cazul fr reacie.

Din sistemul de ecuaii (8) rezult:

AU =

g m1rb 'e1 RC1

g m 2 rb 'e 2 RC 2 || RL

rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1 rb 'e 2 + (1 + g m 2 rb 'e 2 ) RE 2 + RC1

ub 'e1 + b 'e1 + g m1ub 'e1 RE1

rb 'e1

Ri = RB ||
= RB || (rb 'e1 + (1 + g m1ub 'e1 )RE1 )
ub 'e1
rb 'e1
Ro = RC 2

(9)

(10)

(11)
Prezena condensatoarelor C1, C2 i C3 limiteaz banda de trecere a
amplificatorului la frecvene joase, dup cum urmeaz:

f j 1=

1
2C1 ( Rg + Ri )

1
2C 2 [( RE 21 + RE 22 ) || Rech ]
1
f j 3=
2C3 ( Ro + RL )

f j2=

n care:

(12)
(13)
(14)

136 Aplicaia nr. 17

Rech U =0 =
i

ub 'e 2 + RC1

ub 'e 2
rb 'e 2

ub 'e 2
+ g m 2ub 'e 2
rb 'e 2

rb 'e 2 + RC1
1 + g m 2 rb 'e 2

(15)

Frecvena limit inferioar va fi suma acestor frecvene pariale.

c) Analiza n curent alternativ, cazul cu reacie.
n cazul existenei scurtcircuitului ntre punctele Ar-Ar se pornete de la
schema echivalent a amplificatorului fr reacie cu influena pasiv a circuitului de
reacie inclus. Se observ c tipul reaciei este paralel-serie, deci schema echivalent
se va obine prin ntreruperea buclei de la intrarea cuadripolului de reacie respectiv
scurtcircuitarea bornelor la ieirea acestuia (fig. 6).
Corespunztor frecvenelor medii se obin:

A'U =

Ri
Rg

g m1rb 'e1 RC1

g r [ R || RL || ( RE1 + Rr )]
m 2 b 'e 2 C 2
rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 )( RE1 || Rr ) rb 'e 2 + (1 + g m 2 rb 'e 2 ) RE 2 + RC1
R' i = rb 'e1 + (1 + g m1ub 'e1 )( RE1 || Rr )
R' o = RC 2 || ( RE1 + Rr )
ub'e1

(17)
(18)
Ro

ub'e2
C3

C1
rb'e1

vg

(16)

gm1ub'e1

ui

rb'e2

gm2ub'e2

RC1
RE1+Rr

RB=RB1||RB2+RB3

RE1||Rr

C2

RC2

RL

uo

RE2

Fig. 6. Schema echivalent la semnal mic, cazul cu reacie.

Totodat, expresiile (12) - (14) devin acum:

f ' j 1=

1
2C1 [ Rg + ( R ' i || RB )]

1
2C 2 [( RE 21 + RE 22 ) || Rech ]
1
f ' j 3=
2C3 ( R 'o + RL )

f ' j 2 = f j2 =

(19)
(20)
(21)

Parametrii amplificatorului cu reacie se determin conform teoriei reaciei,

din parametrii afereni cazului fr reacie, pe baza unor relaii specifice fiecrui tip de
reacie n parte:

Studiul efectului reaciei negative asupra caract. de frecven a amplificatorului 137

AUr =

U or
A'U
=
U ir 1 + A'U

R *ir = R' i (1 + A'U ) , Rir = RB || R *ir

R'o
Ror =
1 + A'U

(22)
(23)
(24)

Deoarece condensatorii C1 i C3 nu sunt inclui n bucla de reacie, frecvenele

limit inferioar introduse de acetia pentru cazul amplificatorului cu reacie nu se
modific fa de cele menionate n rel. (19) i (21). Cr, datorit valorii mari, are un
efect neglijabil n comportamentul n frecven al amplificatorului. Reacia
influeneaz ns polul introdus de C2, coninut n bucla de reacie, astfel:

f j2r =

f 'j2
1 + A'U

(24)

n care:

RE 1
R E 1 + Rr

(25)

reprezint funcia de transfer a cuadripolului de reacie, neglijnd efectul lui C4.

Frecvena limit inferioar pentru cazul amplificatorului cu reacie va fi suma
frecvenelor pariale fj1, fjr2, fj3.
3.3 Se determin experimental mrimile calculate anterior. Pentru una din modalitile
de conectare a lui C2 (n pct. A sau B) se efectueaz urmtoarele:
3.3.1 Se msoar PSF-urile tranzistoarelor Q1 i Q2. Curenii de colector se determin
indirect, prin msurarea cderilor de tensiune pe rezistene.
3.3.2 Pentru cazul fr reacie (legtura Ar-Ar ntrerupt):
a) Se determin, la frecvena de 10KHz, amplificarea de tensiune AU =

Uo
.
Ui

Amplitudinea tensiunilor de intrare respectiv ieire se msoar cu osciloscopul (pentru

diminuarea erorilor se iau valorile vrf la vrf). Se va avea n vedere ca amplificatorul
s funcioneze n regim liniar, adic amplitudinea tensiunii furnizate de generator s
fie reglat la o asemenea valoare nct tensiunea de la ieirea amplificatorului s fie
sinusoidal, nedistorsionat.
b) Modificnd frecvena generatorului se urmrete determinarea frecvenelor limit
inferioar i superioar. Se vor citi indicaiile frecvenei generatorului n momentele
cnd amplificarea scade, n domeniul frecvenelor joase i nalte, cu 3dB (echivalent,
de 2 ori) fa de valoarea avut n domeniul frecvenelor medii (10KHz). Pentru o
mai bun citire a valorii amplitudinii tensiunii de ieire se recomand suprimarea
baleiajului orizontal al osciloscopului.
c) Se determin banda amplificatorului, B = f - fj i se estimeaz valoarea produsului
amplificare-band, AB.
3.3.3 Se reiau etapele punctului anterior pentru cazul amplificatorului cu reacie.

138 Aplicaia nr. 17

3.4 Se evideniaz prin simulare PSPICE mrimile determinate anterior prin calcul i
experimental. Cu valorile obinute la punctele 3.2 -3.4 se va completa tab.1.
IC1 IC2 UCE1 UCE2 AU fj f AUB AUr fjr fr AUrBr
Msurat
Calculat
Simulat
Tab.1. Valori comparative obinute prin calcul, experimental (prin msurare direct) i prin simulare
PSPICE, pentru circuitul din fig. 3.
25.00V

VA
1.001mA

856.9uA

RB2
22K

RC1
18K

1.789mA
24.82V

RE22
100

2.986V
10.15V

1.789mA

9.576V

0V

Rg

0V
0A
0A

VOFF = 0V
VAMPL = 10mV
FREQ = 1KHz

600

in

Q2 1.789mA

BC107A
1.750V

2.409V

RB3
110K

1u

25Vdc

3.552V

BC177

-12.91uA

VA

C3
A

5.246uA

22u

RE21
8.2K
Q1 869.8uA

C1

25.00V
10.15V

0V

-875.1uA

Vg

V2

3.646mA
-1.776mA

Ar

Ar

Rr

Cr

C2

470u

22u

0V

0V
5.246uA

0.995mA

RB1
3K

0A

875.1uA

20K

1.750V

1.776mA

RE1
2K
0V

RC2
2K
1.750V

out

0V

0A

RL
5K
0V

0V

Fig. 7. Analiza de curent continuu obinut prin simulare PSPICE.

Fig. 8. Caracteristica amplificare-frecven obinut prin simulare PSPICE.

Caz fr reacie, C2 conectat n pct. A.

Studiul efectului reaciei negative asupra caract. de frecven a amplificatorului 139

Fig. 9. Caracteristica amplificare-frecven obinut prin simulare PSPICE.

Caz cu reacie, C2 conectat n pct. A.

ANEX
Program MATLAB pentru calculul amplificatorului
prezentat n Aplicaia nr. 17
%@Catalin-Daniel Caleanu 2003
%L17
%============
clear all
clc
close all
%============
Rg=600;
C1=22e-6;
RB1=3e3;
RB2=22e3;
RB3=110e3;
RC1=18e3;
RE1=2e3;
Rr=22e3;
C4=470e-6;
RC2=2e3;
RE21=8.2e3;
RE22=100;
C2=1e-6;
C3=22e-6;
RL=5e3;
VA=25;
%============
fprintf('Regim CC:\n\n')
UBE1=0.65;
UBE2=-0.65;
IC1=(((VA*RB1)/(RB1+RB2))-UBE1)/(RE1+(RB3/175)); fprintf('IC1=%4.2fmA\n',IC1*1e3)
IC2=(IC1*RC1+UBE2)/(RE21+RE22); fprintf('IC2=%4.2fmA\n',IC2*1e3)
UCE1=VA-IC1*(RC1+RE1); fprintf('UCE1=%4.2fV\n',UCE1)
UCE2=IC2*(RE21+RE22+RC2)-VA; fprintf('UCE2=%4.2fV\n',UCE2)
%============
caz = 'A';

140 Aplicaia nr. 17

switch caz
case('A')
RE2=0;
fprintf('\nC2 conectat in pct A\n')
case('B')
RE2=RE22;
fprintf('\nC2 conectat in pct B\n')
end
%============
fprintf('\nRegim CA, fara reactie:\n\n')
rbe1=4e3;
rbe2=2e3;
gm1=40*IC1;
gm2=40*IC2;
AU1=(gm1*RC1*rbe1)/(rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1);
AU2=(gm2*rbe2*paralel(RC2,RL))/(rbe2+RE2*(1+gm2*rbe2)+RC1);
AU=AU1*AU2; fprintf('AU=%4.2f \n',AU)
RB=paralel(RB1, RB2)+RB3;
Ri=paralel(RB,rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1); fprintf('Ri=%4.2fK \n',Ri/1e3)
Ro=RC2; fprintf('Ro=%4.2fK \n',Ro/1e3)
fj1=1/(2*pi*C1*(Rg+Ri)); fprintf('fj1=%4.2fHz \n',fj1)
Rech2=(RC1+rbe2)/(1+rbe2*gm2);
fj2=1/(2*pi*C2*paralel(Rech2,RE22+RE21)); fprintf('fj2=%4.2fHz \n',fj2)
fj3=1/(2*pi*C3*(Ro+RL)); fprintf('fj3=%4.2fHz \n',fj3)
fj=fj1+fj2+fj3; fprintf('fj=%4.2fHz \n',fj)
%============
fprintf('\nRegim CA, cu reactie:\n\n')
Beta_reactie = RE1/(RE1+Rr); fprintf('Beta_reactie=%4.2f \n',Beta_reactie)
AU1prim=(gm1*RC1*rbe1)/(rbe1+(1+gm1*rbe1)*paralel(RE1,Rr));
AU2prim=(gm2*rbe2*paralel(paralel(RC2,RE1+Rr),RL))/(rbe2+RE2*(1+gm2*rbe2)+RC1);
AUprim=AU1prim*AU2prim; fprintf('AUprim=%4.2f \n',AUprim)
AUr=AUprim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('AUr=%4.2f \n',AUr)
Riprim=paralel(RB,rbe1+(1+gm1*rbe1)*paralel(RE1,
Rr));
fprintf('Riprim=%4.2fK
\n',Riprim/1e3)
Roprim=paralel(RC2,RE1+Rr); fprintf('Roprim=%4.2fK \n',Roprim/1e3)
Rirstea=Riprim*(1+Beta_reactie*AUprim);
Rir=paralel(RB,Rirstea); fprintf('Rir=%4.2fK \n',Rir/1e3)
Ror=Roprim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('Ror=%4.2fK \n',Ror/1e3)
AUr=AUprim/(1+Beta_reactie*AUprim);
fjr1=1/(2*pi*C1*(Rg+paralel(Riprim,RB))); fprintf('fjr1=%4.2fHz \n',fjr1)
fjr2prim=1/(2*pi*C2*paralel(Rech2,RE22+RE21)); fprintf('fjr2prim=%4.2fHz \n',fjr2prim)
fjr2=fjr2prim/(1+Beta_reactie*AUprim); fprintf('fjr2=%4.2fHz \n',fjr2)
fjr3=1/(2*pi*C3*(Roprim+RL)); fprintf('fjr3=%4.2fHz \n',fjr3)
fjr=fjr1+fjr2+fjr3; fprintf('fjr=%4.2fHz \n',fjr)

Rezultatele rulrii programului:

Regim CC:
IC1=0.89mA
IC2=1.86mA
UCE1=7.12V
UCE2=-5.84V
C2 conectat in pct A
Regim CA, fara reactie:
AU=93.72
Ri=81.29K
Ro=2.00K
fj1=0.09Hz
fj2=1211.58Hz
fj3=1.03Hz
fj=1212.70Hz

Regim CA, cu reactie:

Beta_reactie=0.08
AUprim=96.37
AUr=10.67
Riprim=79.31K
Roprim=1.85K
Rir=97.33K
Ror=0.20K
fjr1=0.15Hz
fjr2prim=1211.58Hz
fjr2=134.15Hz
fjr3=1.06Hz
fjr=135.36Hz

Aplicaia nr. 18
ANALIZA I EXPERIMENTAREA UNUI
AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU REACIE
NEGATIV PARALEL-SERIE
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete punerea n eviden, pe cale experimental, a influenei reaciei
negative asupra principalilor parametrii ai unui amplificator: amplificare, rezisten de
intrare i de ieire, banda de trecere. Rezultatele experimentale vor fi comparate cu
mrimile corespunztoare stabilite prin calcul sau obinute prin simulare, urmnd a se
trage concluzii privind erorile pe care le comport metoda topologic de rezolvare a
amplificatoarelor cu reacie negativ.
2. CONSIDERAII TEORETICE. CALCULUL PARAMETRILOR
AMPLIFICATORULUI CU REACIE
Amplificatorul utilizat pentru experimentri are schema electronic
reprezentat n fig. 1. Aceasta const din dou etaje de amplificare:
- unul este de tip diferenial simetric, alctuit din Q1, RC1 i RE1 pe de-o parte i
Q2, RC2 i RE2 pe de alt parte, la care se mai adaug RE.
- urmeaz un al doilea etaj de amplificare realizat cu un amplificator operaional
(AO) de uz general de tip 741.
Semnalul de reacie este prelevat de pe rezistena de sarcin prin intermediul
cuadripolului de reacie format din Rr1 i Rr2 i C2. ntru-ct att intrarea cuadripolul de
reacie ct i sarcina amplificatorului i ieirea amplificatorului de baz au borne
comune ieirea AO i masa, nseamn c ntre ele exist o conexiune de tip paralel.
Deoarece Rr2 este nseriat, prin Q2, cu intrarea + a AO, rezult la intrarea
amplificatorului de baz o conexiune de tip serie, deci reacia negativ pentru
amplificator este de tip paralel-serie (de tensiune-curent sau cu eantionare n nod i
comparare n bucl). C2 are valoare suficient de mare astfel nct influena sa, n
limitele benzii de trecere a amplificatorului, s fie neglijat.

142 Aplicaia nr. 18

15
V
VA+
VA

15
V

VA+
VA
+

9.1K

LM74
1
3
Rir

Q1

C1

Q2

BC107
B

R1

22F

RE1

BC107
B

Ror

OU
T
V
+
VA+

U1

C3

10K

6
22F

ou
t

RL

3K

Rr1

Rr2

RE2

180K

VOFF =
VAMPL =
0
FREQ =
10mV
10KHz

VA-

4
2

i
n
600
Vg

RC2

9.1K
VA
-

R*ir
Rg

RC1

100
150

150

C2
220F
RE
15K

VA-

Fig. 1. Amplificator cu reacie negativ paralel-serie.

a) Studiul circuitului n curent continuu.

n curent continuu, PSF-urile celor dou tranzistoare sunt identice:

V A U BE
=
I
C R

1
+ R E 1 + 2 RE

U CE = V A + V A I C ( RC1 + RE1 + 2 RE )

(1)

b) Studiul circuitului n curent alternativ.

b1) Determinarea parametrilor de regim dinamic pentru amplificatorului cu
influena pasiv a cuadripolului de reacie inclus (fig. 2).
RoA
Ii

Ro
Ui

Ri

uo

Ri
R'g

A0Ui
ub'e1

v'g

gm1ub'e1

rb'e1

RC1
RE1

Rr1||Rr2
rb'e2

gm2ub'e2

ub'e2

RC2

Rr1+Rr2
RL

RE2

Fig. 2. Schema echivalent a amplificatorului cu reacie, cu influena pasiv a cuadripolului de reacie

inclus.

Analiza i experim. unui amplif. de semnal mic cu reacie negativ paralel-serie 143

S-au fcut urmtoarele notaii:

v ' g = vg

R1
, R ' g = Rg || R1
R1 + Rg

(2)

Pentru determinarea amplificrii sunt necesare urmtoarele relaii:

R L || ( R r1 + R r 2 )
u o = AU 0 u i R || ( R + R ) + R
L
r1
r2
o

Ui
u i = u RC 2 u RC 1 = ( g m1u b 'e1 I i ) RC 1 ( g m 2 u b 'e 2 + I i ) RC 2 , I i =
Ri

u b ' e1 '
u
'
( R g + rb 'e1 ) + ( b 'e1 + g m1u b 'e1 ) R E 1
v ' g = ib1 ( R g + rb 'e1 ) + ie1 R E 1 =
rb 'e1
rb 'e1

(3)

Deoarece etajul diferenial este simetric, iE1 = | iE2 | i deci ube1 = - ube2 i deci
a doua relaie a sistemului se poate rescrie astfel, innd cont i de faptul c rezistena
de intrare a unui AO este foarte mare (sute de K):

ui =

2 g m1ub 'e1 RC1

2 g m1ub 'e1 RC1
RC1 + RC 2
1+
Ri

(4)

Rezistenele de intrare i cea de ieire pentru amplificatorul cu influena

pasiv a cuadripolului de reacie inclus sunt date de relaiile:
RiA = R ' g + rb 'e1 + (1 + g m1rb 'e1 ) RE1
(5)

RoA = ( Rr1 + Rr 2 ) || Ro

(6)

Cu notaiile de mai sus, expresia final a amplificrii va fi:

AU = AU 0

RL || ( Rr1 + Rr 2 )

RL || ( Rr1 + Rr 2 ) + Ro

2 g m1 RC1
r
b 'e1
R + RC 2 RiA
1 + C1
Ri

(7)

Funcia de transfer a cuadripolului de reacie este:

Ur
Uo

=
I r =0

Rr 2
Rr 1 + Rr 2

(8)

b2) Determinarea parametrilor amplificatorului cu iniial, cu reacie, pa baza

mrimilor omoloage obinute la punctul anterior.

AU gr =

AU
R1

R1 + Rg 1 + AU

(9)

Rir = RiA (1 + AU ) , Rir = R ' g + R ' ir Rir = R1 Rir

*

Ror =

RoA
, Au = AU
1 + Au

RL

'

(10)
(11)

144 Aplicaia nr. 18

n privina benzii de trecere a amplificatorului, aceasta este limitat inferior la:

f jr =
i superior:

1
1
+
*
2C3 (Ror + RL )
2C1 Rg + Rir

f r = f (1 + AU )

(12)

(13)

cu f reprezentnd frecvena polului introdus de AO.

Observaie: De subliniat importana toleranelor reduse (de exemplu 1%) pentru Rr1,
Rr2. Este necesar folosirea unor rezistene precise n circuitul de reacie negativ
deoarece de aceasta depinde valoarea exact pentru amplificare. Se arat c eroarea
relativ n prescrierea amplificrii este dat de formula:

r =

1
100 [%]
AU

(14)

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Comentai structura i rolul componentelor schemei din fig. 1.
3.2 Analizai teoretic (prin calcul), practic (experimental) i prin simulare PSPICE:
- Comportarea circuitului n curent continuu. Se vor determina PSF-urile celor dou
tranzistoare.
- Comportarea n regim dinamic. Se vor determina AUgr, R*ir, Ror, fjr, fr.
3.3 Cu valorile astfel obinute se va completa tab.1 i se vor explica eventualele
diferene.
Regim C.C.
Teoretic Experimental Simulare
IC01
IC02
UCE01
UCE02
R*ir
Ror
AUgr
fjr
fr

Regim C.A.
Teoretic Experimental Simulare

Tab. 1. Se va completa conform pct. 3.2.

Observaii:
1. Pentru modelul AO se vor considera AU0 = 100103, Ri = 100K, Ro = 1K,
f = 10Hz i pentru ambele tranzistoare acelai factor de amplificare n curent, de

Analiza i experim. unui amplif. de semnal mic cu reacie negativ paralel-serie 145

valoare 200.
2. Pentru determinarea experimental a rezistenelor de intrare i de ieire pentru
amplificatorul cu reacie se vor folosi schemele din fig. 3 respectiv fig. 4. Procedura de
determinarea este descris n cele ce urmeaz.
Considernd rezistena R scurtcircuitat (comutatorul n poziia 1), poate fi
scris relaia:
U o1 = AU U i1 = AU U g
(14)
Pentru poziia 2 a comutatorului K se obine:

U o 2 = AU U i 2 = AU U g

Rir
Rir + R

(15)

Din relaiile (14) i (15) rezult:

uo1m
R
= 1+
uo 2 m
Rir

(16)

relaie cu ajutorul creia se calculeaz rezistena Rir, msurndu-se cu osciloscopul

amplitudinile uo1m i uo2m. Se va avea, de asemenea, n vedere asigurarea regimului
liniar de funcionare al amplificatorului.
2
1
Rg

R
Ror

vg
ug

Generator
de semnal

ui

Rir
AU0ui

RL

uo

Amplificator

Fig. 3. Schem pentru determinarea experimental a rezistenei de intrare a amplificatorului cu reacie.

Pentru determinarea rezistenei de ieire, cu un nivel constant al tensiunii

furnizate de generator, se msoar cu osciloscopul amplitudinea uom a tensiunii de
ieire, corespunztoare celor dou poziii ale comutatorului. Astfel, se poate scrie:

uo 2 m
R
= 1 + or
uo1m
RL
egalitate din care se poate calcula Ror, RL fiind cunoscut.

(17)

146 Aplicaia nr. 18

Rg

2
VCC
1

VCC
Ror

vg

Rir

ui

Generator
de semnal

RL

uo

AU0ui

Amplificator

Fig. 4. Schem pentru determinarea experimental a rezistenei de ieire a amplificatorului cu reacie.

V+
VA+

15V VA-

RC2
464.4uA

9.1K

9.1K

2.599mA

83.74nA 2
10.77V
464.4uA

-308.0mV

in
0V

-308.0mV
R1

22u

VOFF = 0
VAMPL = 10mV
FREQ = 10KHz

Q2

180K

OUT

3
84.38nA +

464.3uA
BC107B
-947.9mV
RE1
150

1.711uA
-308.0mV

BC107B

466.1uA
-947.9mV
RE2
150

1.711uA

Rr2
100

0A
-1.018V

0V

0V

10.77V

1.711uA

0A 600

0V
0AVg

Q1

C1

Rg

0V

V-1.667mA

LM741

0V

-15.00V

U2

0V

V-

RC1
464.5uA

V-

15V
2.597mA

6
-1.711uA

V+

V+

15.00V

1.668mA
V+

C3
22u

out
0V

-290.9mV

10K Rr1

RL
0A3K

0V

1.711uA

C2
22u

RE
15K

932.1uA
V-

Fig. 5. Analiza n C.C. rezultat din simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.

Fig. 6. Determinarea amplificrii i a frecvenelor limit prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.

Analiza i experim. unui amplif. de semnal mic cu reacie negativ paralel-serie 147

Fig. 7. Determinarea rezistenei de intrare prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.

Fig. 8. Determinarea rezistenei de ieire prin simularea PSPICE a circuitului din fig. 1.

ANEX
Program MATLAB pentru calculul
amplificatorului prezentat n Aplicaia nr. 18
%Catalin-Daniel Caleanu 2003
%L18
%============
clear all
clc

148 Aplicaia nr. 18

close all
%============
Rg=600;
C1=22e-6;
R1=180e3;
RC1=9.1e3;
RE1=150;
RC2=9.1e3;
RE2=150;
RE=15e3;
Rr1=10e3;
Rr2=100;
C2=220e-6;
C3=22e-6;
RL=3e3;
VAplus=15;
VAminus=-15;
hFE=200;
A0=100e3;
Ri=100e3;
Ro=1e3;
fi=10;
%============
fprintf('Regim CC:\n\n')
UBE=0.6;
IC1=(-VAminus-UBE)/((R1/hFE)+RE1+2*RE); IC2=IC1; fprintf('IC1=IC2=%4.2fmA\n',IC1*1e3)
UCE1=2*VAplus-IC1*(RC1+RE1+2*RE); fprintf('UCE1=UCE2=%4.2fV\n',UCE1)
%============
fprintf('\nRegim CA:\n')
gm1=40*IC1;
gm2=40*IC2;
rbe1=hFE/gm1;
rbe2=hFE/gm2;
Rprimg=paralel(Rg,R1);
%============
fprintf('\nParametrii fara reactie:\n\n')
RiA=Rprimg+rbe1+(1+gm1*rbe1)*RE1;fprintf('RiA=%4.2fK \n',RiA/1e3);
RoA=paralel(Ro,Rr1+Rr2);fprintf('RoA=%4.2fK \n',RoA/1e3);
t1=A0*(paralel(RL,Rr1+Rr2))/(Ro+paralel(RL,Rr1+Rr2));
t2=(2*gm1*RC1)/(1+(RC1+RC2)/Ri);
t3=rbe1/RiA;
AU=t1*t2*t3;fprintf('AU=%4.2e \n',AU)
Beta=Rr2/(Rr1+Rr2);fprintf('Beta=%4.2e \n',Beta)fprintf('\nParametrii cu reactie:\n\n')
Rir=RiA*(1+Beta*AU);
Rprimir=Rir-Rprimg;
Rsteair=paralel(R1,Rprimir);fprintf('R_stea_ir=%4.2fK \n',Rsteair/1e3);
Aumic=(A0*(Rr1+Rr2)/(Ro+Rr1+Rr2))*t2*t3;
Ror=RoA/(1+Beta*Aumic);fprintf('Ror=%4.2fohm \n',Ror);
Ar=(R1/(R1+Rg))*AU/(1+Beta*AU);fprintf('Ar=%4.2f \n',Ar)
fj1=1/(2*pi*C1*(Rg+Rsteair));
fj2=1/(2*pi*C3*(Ror+RL));
fjr=fj1+fj2;fprintf('fjr=%4.2fHz \n',fjr)
fir=fi*(1+Beta*AU);fprintf('fir=%4.2fKHz \n',fir/1e3)
n urma rulrii programului MATLAB rezult:
Regim CC:
IC1=IC2=0.46mA
UCE1=UCE2=11.80V
Regim CA:

Parametrii fara reactie:

RiA=41.53K
RoA=0.91K
AU=5.18e+006
Beta=9.90e-003

Parametrii cu reactie:
R_stea_ir=179.98K
Ror=0.01ohm
Ar=100.66
fjr=2.45Hz
fir=512.59KHz

Aplicaia nr. 19
COMPENSAREA UNUI AMPLIFICATOR CU
REACIE NEGATIV
1. SCOPUL APLICAIEI
Vor fi studiate trei metode uzuale de compensare (corecie) a
amplificatoarelor cu reacie negativ:
- Compensarea cu pol dominant (cu ntrziere de faz, lag compensation);
- Compensarea cu pol i zero (cu avans - ntrziere de faz, lead-lag compensation);
- Compensarea prin modificarea cuadripolului de reacie (cu avans de faz, lead
compensation).
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1 CRITERII DE STABILITATE
Funcia de transfer a unui amplificator cu reacie negativ exprimat n
complex este:

Ar ( j ) =

A( j )
1 + ( j ) A( j )

(1)

Dac rdcinile numitorului au partea real negativ (polii Ar(j) n

semiplanul stng) sistemul este stabil. O alt modalitate ce permite evaluarea
stabilitii este criteriul lui Nyquist: amplificatorul cu reacie este stabil dac
hodograful (graficul reprezentat n planul complex) lui W(j) = A(j)(j) NU
nconjoar punctul critic de coordonate (-1, 0) pentru ( -, ).
Fie * frecvena pentru care arg(W(j)) = i c frecvena pentru care
|W(j)| = 1. O reformulare echivalent a criteriului Nyquist este urmtoarea: dac fc <
f* amplificatorul este stabil. Se definesc noiunile:
- Rezerva de amplitudine (marginea de ctig): Ra = 20 lg(W ( j * )) ;
- Rezerva (marginea) de faz R = + arg(W ( jc )) .
Pentru ca un sistem s fie stabil este necesar ca Ra > 0 i R > 0.
Ilustrarea grafic pentru cele de mai sus se observ n fig. 1.

150 Aplicaia nr. 19

Im(W(j))

Ra

Re(W(j))
(-1, j0)

sistem stabil
c
sistem instabil

Fig. 1. Ilustrarea criteriului lui Nyquist.

Stabilitatea unui sistem poate fi judecat i pe baza reprezentrii W(j) cu

ajutorul diagramelor Bode (coordonate logaritmice). Spre exemplu, n fig. 2, sunt
reprezentate modulul (n decibeli) i faza (n grade) numrului complex:

W ( j ) =

10 3
f
f
f
(1 + j 2 )(1 + j 5 )(1 + j 6 )
10
10
10

(2)

Diagramele Bode pot fi trasate manual cu uurin, spre deosebire de

diagrama Nyquist. Trebuie inut cont de faptul c un pol introduce o cdere de
20db/dec n caracteristica modul-frecven i un defazaj de -90 (-/2) pe parcursul a
dou decade centrate n jurul polului, n caracteristica faz-frecven.

Compensarea unui amplificator cu reacie negativ 151

Ra

Fig. 2. Reprezentarea cu ajutorul diagramelor Bode a modulului i fazei W(j) n funcie de frecven.
Se observ definirea fc pentru |W(j)| = 1 sau, echivalent, n decibeli: 20lg(|W(j)|) = 0. n acel
punct se calculeaz rezerva de faz, R. Pentru acest caz concret ea este: -132 - (-180) = 48.
Se observ definirea f* pentru arg(W(j)) = -180. n acel punct se calculeaz rezerva de amplitudine, R.
Pentru acest caz concret ea este 0 - (-21) = 21 dB.Se constat deci c sistemul descris de rel. (1) este
stabil.

2.2 COMPENSAREA AMPLIFICATORULUI CU REACIE

NEGATIV
Compensarea const n acele msuri ce pot fi luate pentru ca un amplificator
cu reacie negativ instabil s poat fi adus ntr-un regim de funcionare stabil. Soluia
const n modificarea potrivit a caracteristicilor de frecven ale amplificatorului fr
reacie sau a cuadripolului de reacie.
Se urmrete ntrzierea variaiei fazei fa de cderea caracteristicii
amplitudine-frecven astfel nct pentru un defazaj de 180o caracteristica
amplitudine-frecven s fie negativ.
Exist mai multe metode de compensare a unui amplificator cu reacie. De
exemplu:
a) Compensare cu pol dominant (cu ntrziere de faz):

152 Aplicaia nr. 19

AC ( j ) = A( j )

(3)

f
1+ j
fd

f d << min( f pk ) unde fpk sunt frecvenele de pol pentru A(j).

Se constat, aa dup cum arat denumirea metodei, introducerea unui pol n
funcia rspuns la frecven A(j) a amplificatorului fr reacie. Se obine o cdere
suficient de rapid a caracteristicii amplitudine-frecven | Ac(j)| pentru o variaie
relativ mic a caracteristicii faz-frecven arg(Ac(j)), fapt ce conduce la o
comportare stabil a amplificatorului cu reacie (n bucl nchis).
Se poate arta c ntre frecven polului dominant i frecvena critic exist
relaia:

fd = fc

Ar
A0

(4)

n care Ar i A0 reprezint valoarea amplificrii cu reacie respectiv valoarea

amplificrii n bucl deschis, la frecvene medii.
n fig. 3 sunt prezentate dou metode uzuale de realizare a compensrii cu pol
dominant, ce constau n conectarea unei reele RC de ntrziere a fazei.
AO

AO

Rx

Ro

VCC

VCC

V1
Cc

Cc

a)
b)
Fig. 3. Circuite pentru compensarea cu pol dominant.
a) Compensarea cu condensator conectat la ieire. b) Compensare intern.

Ca i avantaj al soluiei poate fi menionat cel legat de simplitatea realizrii ei

practice; dezavantajul major este legat de limitarea drastic a benzii amplificatorului.
b) Cu pol i zero (cu avans - ntrziere modificat de faz):

f
fz
AC ( j ) = A( j )
f
1+ j
fp
1+ j

(5)

Compensarea unui amplificator cu reacie negativ 153

f z = ( f pk ) min , f p << f pk - rmai dup eliminarea lui (fpk)min

Difer de metoda precedent de corecie prin aceea c presupune, pe lng
introducerea unui pol dominant i a unui zero.
n fig. 4 sunt prezentate dou modaliti de realizare practic a compensrii cu
pol i zero.
R3
AO
AO

R2

Rx

VCC
Rc

Rc

Cc

Cc

R2||R3

a)
b)
Fig. 4. Circuite pentru compensarea cu pol i zero.
a) Compensarea cu condensator i rezisten conectate extern i rezisten intern.
b) Compensare cu reea conectat n circuitul de intrare.

Frecvenele introduse de reelele de compensare sunt, pentru schema din fig.

4a):

fz =

1
1
, fp =
2Rc C c
2 ( Rc + R x )C c

(6)

i pentru fig.4b):

fz =

R2 + R3
1
, fp =
2Rc C c
2 ( R2 R3 + R2 Rc + R2 R p + R3 Rc + R3 R p )Cc

(7)

cu R p = R2 || R3 .
Comparativ cu metoda de compensare cu ntrziere de faz, aceast metod
permite obinerea n aceleai condiii a unei benzi de trecere mai largi, fd rezultnd de
aceast dat de valoare mai ridicat.
c) Compensare cu ajutorul circuitului de reacie (cu avans de faz). De exemplu,
forma funciei de transfer corectate pentru cuadripolul de reacie poate fi:

C ( j ) = 0 1 + j

f z

(8)

Se schimb configuraia cuadripolului de reacie, dependent i de tipul

acesteia. Avantajul este obinerea unei frecvene limit superioar mult mai mare ca la
metodele prezentate anterior. Modaliti de implementare interne i externe al acestui

154 Aplicaia nr. 19

tip de corecie sunt prezentate n fig. 4. Dezavantajul metodei const n aceea c la

stabilirea rezervelor de faz i amplitudine apar dificulti din cauza faptului c
frecvenele fz i fp nu sunt independente:

f
R + Rr
1
1
, fp =
p =
Ar
2Rr Cc
fz
R
2 ( Rr || R )C c

fz =

Cc

(9)

AO

Rr

Rx

VCC

AO

Cc

Fig. 5. Circuite pentru compensarea cu avans de faz.

3. PARTEA EXPERIMENTAL
3.1 Se consider circuitul din fig. 6 pentru care se cunosc urmtorii parametrii:

2 10 3
,
f 2
(1 + j 5 )
10
Ro 2 = 10 .

A1: AU 1 =

Vg

Ri1 = 10 M, Ro1 = 10 , A2: AU 2 = 1, Ri 2 = 10 M,

R1

1K
A1

A2

+
C1

R2

50K
R3
1K

Fig. 6. Circuit cu compensare cu pol dominant, bucl nchis.

Uor

Compensarea unui amplificator cu reacie negativ 155

Pentru cazurile C1 = 160nF i 16nF s se efectueze analiza SPICE n timp i n

frecven.
Se vor vizualiza tensiunea de la ieirea circuitului, pentru analiza n timp, respectiv
modulul (exprimat n decibeli) i faza (exprimat n grade) amplificrii circuitului cu
reacie.
Observaii:
1. La declararea amplificatoarelor A1 i A2 se va folosi declaraia .SUBCKT
necesar definirii unui subcircuit:
.SUBCKT <nume> [nod]* - Reprezint nceputul unei definiii de subcircuit. Aceast
definiie se ncheie cu declaraia .ENDS.
<nume> este numele subcircuitului. Acesta trebuie s nceap cu o liter.
[nod] reprezint o list opional de noduri (pini). Numrul de noduri din
cadrul unui apel de subcircuit trebuie s coincid cu numrul nodurilor din definiia
subcircuitului.
Exemplu: Definim modelul unui amplificator, constituit dintr-o rezisten de intrare
conectat ntre pinii 1 i 2, i la ieire, o surs de tensiune controlat de tensiunea
dintre intrri plus rezistena de ieire:
.SUBCKT Amplif_operational 1 2 3
* Terminale IN+
INOUT
Rintrare 1 2 10Meg
E 4 0 1 2 1e5
Riesire 4 3 10
ENDS.

Care este dezavantajul unui astfel de model pentru un amplificator? Gsii o

modalitate de limitare a tensiunii de ieirea amplificatorului la valoarea aproximativ
egal cu VA.
2. Pentru Vg definit n domeniul timp se va alege forma unui impus
dreptunghiular, cu urmtorii parametrii: valoare iniial a tensiunii 0V, valoare final
1mV, ntrziere 0s, timp de ridicare = timp de coborre = 10ns, durata impulsului
100s, perioada 200s.
Ce fel de sisteme genereaz cele dou valori ale condensatorului C1 ?
S se compare valoarea amplificrii cu reacie calculat cu cea obinut
experimental.

156 Aplicaia nr. 19

a)
b)
Fig. 7. Analiza n domeniul timp pentru amplificatorul din fig. 6.
a) Pentru C1=160nF, tensiunea de ieire a circuitului arat un sistem stabil.
b) Pentru C1=16nF, tensiunea de ieire a circuitului arat un sistem instabil.

Fig. 8. Analiza n domeniul frecven pentru amplificatorul din fig. 6. Se desprind aceleai concluzii ca i
cele ce rezult pe baza figurii anterioare.

Compensarea unui amplificator cu reacie negativ 157

3.2 Pentru cazul amplificatorului cu bucla deschis (fig. 9) s se efectueze analiza n

frecven. Pentru cazurile C1 =160nF i 16nF s se reprezinte n diagrame Nyquist
funcia W(j) = A(j)(j), analizndu-se stabilitatea celor dou sisteme. Pentru
cazurile precizate mai sus s se determine rezervele de amplitudine i faz prin
prezentarea n coordonate logaritmice a funciei complexe W(j).
3.3 Calculai frecvena polului introdus de reeaua de corecie i comparai-o cu
valoarea obinut din simulare.
A1

Vg

R1

A2

+
C1

R2

Uo
R3

R2

Fig. 8. Circuit cu compensare cu pol dominant, bucl deschis.

R3

158 Aplicaia nr. 19

a)
b)
Fig. 9. Amplificarea (ctigul) pe bucl reprezentat n diagrame Nyquist.
a) Pentru C1=160nF, se observ un sistem stabil.
b) Pentru C1=16nF, se observ un sistem instabil.

a)
b)
Fig. 9. Amplificarea (ctigul) pe bucl reprezentat n diagrame Bode.
a) Pentru C1=160nF, se observ un sistem stabil deoarece exist Ra > 0 i R > 0.
b) Pentru C1=16nF, se observ un sistem instabil deoarece exist Ra < 0 i R < 0.

Compensarea unui amplificator cu reacie negativ 159

*L19
*Compensare cu pol dominant, bucla inchisa
Vg 1 0 AC 1mV PULSE(0, 1mV, 0, 10n, 10n, 100u, 200u)
X1 1 2 3 10 20 opamp1
Rl 3 4 1K
C1 4 0 {valoare}
X2 4 0 5 10 20 opamp2
VA+ 10 0 15V
VA- 20 0 -15V
*bucla inchisa
R2 2 5 50K
R3 2 0 1K
* pentru bucla deschisa se comenteaza cele doua linii de mai sus
* si se sterge comentariul urmatoarelor patru linii
*R2o 2 0 50K
*R3o 2 0 1K
*R2i 5 6 50K
*R3i 6 0 1K
.SUBCKT opamp1 1 2 3 4 5
*Terminale in+ in- out VA+ VARi 1 2 10MEG
Ro 10 3 10
*forma eleganta de scriere poate fi folosita
*doar pt. Pspice >=6.0.
*.func numitor(s) {1+(1/(2*3.14*1e5))*s}
*E1 10 0 LAPLACE {V(1)-V(2)} = {2e3/(PWR(numitor(s),2))}
*pt Pspice 5
E1 10 0 LAPLACE {V(1)-V(2)} =
{2e3/((1+(1/(2*3.14*1e5))*s)*(1+(1/(2*3.14*1e5))*s))}
D1 6 4
D2 5 7
VC 6 3
VE 3 7
.MODEL
.ENDS

DMOD
DMOD
0.7
0.7
DMOD D RS=1

.SUBCKT opamp2 1 2 3 4 5
*Terminale in+ in- out
Ri 1 2 10MEG
Ro 10 3 10
E1 10 0 1 2 1
D1 6 4
D2 5 7
VC 6 3
VE 3 7
.MODEL

DMOD
DMOD
0.7
0.7
DMOD D RS=1

160 Aplicaia nr. 19

.ENDS
.PARAM valoare=160nf
.STEP PARAM valoare LIST 16nF 160nf
.ac dec 100 1 10MEG
.TRAN 0.1m 0.4m 0 1u
.probe
.end

Aplicaia nr. 20
STUDIUL I EXPERIMENTAREA UNUI
OSCILATOR RC CU REEA WIEN
1. SCOPUL APLICAIEI
Se urmrete evidenierea particularitilor privind funcionarea unui oscilator
armonic cu o bucl de reacie pozitiv realizat cu o reea Wien i reglare automat a
amplificrii dependent de amplitudinea oscilaiilor.
2. CONSIDERAII TEORETICE
Schema bloc a oscilatorului (fig. 1) include un amplificator cu reacie negativ
(A, R1, R2), reeaua Wien (R3, R3, C1, C1) i un circuit de reglare automat a
amplificrii dependent de amplitudinea oscilaiilor (RAA). Se va analiza, pentru
nceput, funcionarea oscilatorului neglijnd prezena circuitului RAA.

Fig. 1. Schema bloc a unui oscilator Wien cu reglaj automat al amplificrii.

Funcia rspuns la frecven a reelei Wien este de forma:

Ur
=
Uo

astfel c pentru frecvena:

1
'
1

R
C
1
1 + 3' +
+ j (R3C1'
)
R3 C1
R3' C1

(1)

162 Aplicaia nr. 19

f0 =

0
1
=
2 2 R3 R3' C1C1'

(2)

defazajul introdus de reea este nul iar valoarea corespunztoare a transferului n

tensiune este dat de expresia:

= =
o

1
R
C'
1 + 3' + 1
R3 C1

(3)

Deoarece reeaua este conectat ntre ieirea i borna de intrare + a

amplificatorului, puncte ntre care defazajul A introdus de amplificator este nul i prin
urmare este ndeplinit condiia de faz:
(4)
A + B = 0
rezult c pot aprea oscilaii cu frecvena f0 dac este satisfcut i condiia de
amplitudine:

Aur

=0

=1

(5)

Pentru determinarea amplificrii cu reacie Aur se va avea n vedere c

influena pasiv a cuadripolului de reacie (rezistenele R1 i R2 introduc o reacie
paralel-serie) poate fi neglijat att la intrarea cuadripolului (datorit conectrii la o
intrare diferit de intrarea de semnal), ct i la ieire (ca urmare a rezistenei de ieire
reduse a amplificatorului utilizat). n aceste condiii:

Aur =

Au
1

1 + ' Au '

(6)

n egalitile de mai sus, Au reprezint amplificarea de tensiune a

amplificatorului A, presupus de valoare mare (ca ordin de mrime, de exemplu,
103106) iar semnific factorul de reacie al circuitului de reacie negativ.
Determinndu-se conform regulii cunoscute, se obine:

'=

R1
R1 + R2

(7)

R2
R1

(8)

i prin urmare:

Aur 1 +

Fig. 2. Schema cuadripolului de reacie negativ.

Studiul i experimentarea unui oscilator RC cu reea Wien 163

Se subliniaz c n relaiile de mai sus, Au i sunt mrimi reale.

Pentru a stabili expresia final a condiiei de amplitudine se va ine seama de
faptul c n general dar i n cazul de fa, elementele reelei Wien se aleg de valori
egale: R3 = R3 = R i C1 = C1 = C. Cu aceast precizare:

= =
0

1
3

(9)

iar condiia de amplitudine devine:

1+

R2
R
= 3 2 = 2
R1
R1

(10)

Totodat, n cazul particular considerat, frecvena de oscilaie se determin conform

expresiei:

f0 =

0
1
=
2 2RC

(11)

Este important de observat c n cazul oscilatorului cu reea Wien, spre

deosebire de oscilatoarele RC cu reea de defazare, frecvena de oscilaie este
determinat att de condiia de faz, ct i de condiia de amplitudine. Pentru
justificare se are n vedere reprezentarea caracteristicilor de frecven ale reelei Wien,
dat n figur:

Fig. 3. La oscilatorul Wien, f0 este determinat simultan de condiiile de amplitudine i faz.

Se constat uor c pentru frecvena de oscilaie f0, atenuarea reelei este

minim, putnd fi astfel compensat de amplificator; dimpotriv, pentru orice
frecven diferit de f0, atenuarea reelei este mai mare dect amplificarea, neputnd
aprea, deci, oscilaii cu frecvenele respective.
n cele prezentate pn aici s-a considerat c reeaua Wien are funcia rspuns
la frecven dat de rel. (1), stabilit n situaia c rezistena de ieire a amplificatorului
R0, respectiv rezistena lui de intrare Ri, satisfac condiiile: Ro << R3 i Ri >> R3.
Pentru un calcul exact, se vor nlocui n expresiile stabilite rezistenele R3, R3 cu Ro +

164 Aplicaia nr. 19

R3, respectiv R3 || Ri. Frecvena de oscilaie f0 se obine, n aceste condiii, sub forma:

f0 =

0
1
=
2 2C ( R3 + Ro )( R3' || Ri )

(12)

Se va observa, n fine, c dac defazajul introdus de amplificator este diferit

de zero, frecvena de oscilaie sufer o deviaie fa de valoarea dat de rel. (12).
Oscilaiile vor aprea pe o frecven f*0, pentru care defazajul *, introdus de reeaua
Wien, satisface condiia:
A + * = 0
(13)
3. CIRCUITUL DE REGLARE A AMPLIFICRII DEPENDENT DE
AMPLITUDINEA OSCILAIILOR
Satisfacerea riguroas a condiiei de amplitudine (5) este practic imposibil, ca
urmare a modificrii amplificrii respectiv atenurii introduse de circuitul de reacie,
determinat de factorii de influen extern. Pentru o amorsare sigur a oscilaiilor, se
asigur prin proiectare ca |Aur|||=o > 1. n aceast situaie, pe durata regimului
tranzitoriu de la conectare, amplitudinea oscilaiilor tinde s creasc, pn cnd
amplificatorul intr n limitare. Apariia strii de limitare echivalent cu scderea
amplificrii, pn la o valoare pentru care este satisfcut egalitatea (5). Funcionarea
oscilatorului n aceste condiii este stabilit, dar prezint dezavantajul unor distorsiuni
neliniare mari ale tensiunii generate.
Dezavantajul evideniat mai sus poate fi evitat modificnd amplificarea
dependent de amplitudinea oscilaiilor. Dac aceast dependen este potrivit aleas,
satisfacerea egalitii (5) are loc prin scderea amplificrii ca urmare a circuitului de
reglare automat i nu prin intrarea n limitare, astfel c distorsiunile vor fi neglijabile.
VCC
D1
U'r

J1

VCC
C2

Rd

Uo

Fig. 4. Circuit pentru reglarea automat a amplificrii (RAA).

Schema unui circuit de reglare automat a amplificrii funcie de amplitudinea

oscilaiilor este reprezentat n fig. 4, cu rezistena dren-surs a unui tranzistor TEC-J
comandat pe gril cu o tensiune continu de valoare aproximativ egal cu
amplitudinea oscilaiilor.
Dac tensiunea dren-surs satisface condiia uds uG - UP, UP reprezentnd
tensiunea de prag a tranzistorului, rezistena dren-surs variaz cu tensiunea de gril
uG conform relaiei:

Studiul i experimentarea unui oscilator RC cu reea Wien 165

rds =

ro
UP
, rds =
, uG < U P
uG
2 I DSS
1
UP

(14)

Se observ uor c la creterea amplitudinii oscilaiilor rds se mrete, fapt ce

determin aa cum este necesar micorarea amplificrii.
Pentru obinerea tensiunii de gril uG se utilizeaz un detector de vrf ( Rd, Cd
i dioda D) comandat cu tensiunea de la ieirea oscilatorului. Dac este satisfcut
condiia RdCd >> To, To fiind perioada oscilaiilor, tensiunea poate fi aproximat cu
relaia:
(15)
uG = uom - 0,6 [V]
4. PARTEA EXPERIMENTAL
4.1 Se va studia funcionarea oscilatorului pe baza schemei electronice din fig. 5, prin
analogie cu schema bloc prezentat la nceputul lucrrii (fig. 1).
4.2 Considernd hFE de valoare foarte mare i UBE = 0,6V pentru tranzistoarele din
schem, vor fi calculate PSF ale acestora i potenialul bornei de ieire. Se
deconecteaz bucla de reacie pozitiv (K3 deschis) i se verific experimental
mrimile calculate.
4.3 Cu K2 nchis - K1 deschis, se conecteaz bucla de reacie pozitiv (K3 nchis) i
prin modificarea amplificrii, cu ajutorul poteniometrului RP, se urmrete obinerea
oscilaiilor la ieire. Se va observa dependena formei tensiunii generate de valoarea
reglat a amplificrii.

166 Aplicaia nr. 19

RP
2.2K

VA+=15V
RC1
14K

D2

R2
115

BZ-071

BC107A

BC107A
Q1

Q2
R'3

K1

K2

RE11
115
J1

R1
1K

BSX45-10

B'

R3
6.8K

Q4

K3
C1
10nF

Uo

6.8K
RE21
115

C'3
10nF

RE2
820

C'

RE12
115

RE22
115

BFW10/PLP

D1
C2
0,63F

RE
14K

Rd
D1N4148
100K

VA-=-15V

Fig. 5. Schema electronic de detaliu pentru un oscilator Wien cu RAA.

4.4 n condiiile specificate la punctul precedent, se va urmri influena scurtcircuitrii

rezistenelor RE11, RE21 asupra funcionrii oscilatorului. Se vor explica rezultatele
obinute.
4.5 Cu valorile date n catalog pentru parametrii IDSS, UP s se determine valoarea
necesar a rezistenei introduse de poteniometrul RP, astfel nct amplitudinea
oscilaiei la ieire s fie de 1V. Se verific experimental mrimea calculat,
oscilografiind tensiunea la ieirea oscilatorului n situaia n care n locul rezistenei R1
este conectat circuitul de reglare automat a amplificrii. Rezistenele RE11, RE21 vor fi
scurtcircuitate.
4.6 Se va modifica defazajul A introdus de amplificator, prin conectarea ntre
colectorul tranzistorului Q1 i mas a unei capaciti C = 1,1nF. Se va msura noua
valoare f*0 a frecvenei de oscilaie.
4.7 Estimai distorsiunile oscilaiilor.
4.8 Se vor relua punctele anterioare prin simulare PSPICE a circuitului.

Studiul i experimentarea unui oscilator RC cu reea Wien 167

****

OPERATING POINT INFORMATION

**** DIODES
NAME
D_D2
MODEL
BZ-071
ID
-1.34E-04
VD
-6.96E+00
REQ
2.14E+02
CAP
6.76E-10
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME
Q_Q1
Q_Q2
MODEL
BC107A
BC107A
IB
2.74E-06
3.58E-06
IC
4.12E-04
5.95E-04
VBE
6.40E-01
6.48E-01
VBC
-7.43E+00
-1.50E+01
VCE
8.07E+00
1.57E+01

TEMPERATURE =

27.000 DEG C

Q_Q4
BSX45-10
1.34E-04
1.77E-02
6.80E-01
-1.46E+01
1.53E+01

Tab. 1. Analiza de curent continuu a circuitului (pct. 4.2).

Fig. 6. Deoarece prin proiectarea circuitului se asigur iniial |Aur|||=o > 1, oscilaiile tind s creasc n
amplitudine.

Fig. 7. Scderea amplificrii se face, dac nu exist circuitul RAA, pe seama tierii semnalului de ieire.

168 Aplicaia nr. 19

2.0V

0V

-2.0V
18.0ms

18.4ms

V(RP:1)

18.8ms

19.2ms

19.6ms

20.0ms

V(C2:2)
Time

Fig. 8. Forma tensiunii la ieirea oscilatorului este foarte apropiat de cea sinusoidal, n cazul n care
RAA este folosit, deoarece scderea amplificrii se face automat, dependent de amplitudinea oscilaiilor.
Se observ i forma tensiunii de gril, dac detectorul de vrf este corect dimensionat.

Fig. 9. Analiza Fourier a oscilaiei sinusoidale, cu bucla RAA conectat.

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(N02189)
DC COMPONENT =
HARMONIC
NO
1
2
3
4
5
6
7
8
9

-1.408650E-01

FREQUENCY
(HZ)
2.000E+03
4.000E+03
6.000E+03
8.000E+03
1.000E+04
1.200E+04
1.400E+04
1.600E+04
1.800E+04

FOURIER
COMPONENT

NORMALIZED
COMPONENT

1.376E+00
4.261E-01
6.865E-02
9.838E-02
4.590E-02
5.760E-02
3.600E-02
3.877E-02
2.945E-02

1.000E+00
3.096E-01
4.989E-02
7.149E-02
3.336E-02
4.186E-02
2.616E-02
2.817E-02
2.140E-02

TOTAL HARMONIC DISTORTION =

PHASE
(DEG)
5.709E+01
-1.471E+02
-1.397E+02
-1.332E+02
-1.678E+02
-1.422E+02
-1.622E+02
-1.456E+02
-1.590E+02

NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-2.613E+02
-3.109E+02
-3.616E+02
-4.533E+02
-4.847E+02
-5.619E+02
-6.023E+02
-6.728E+02

3.290569E+01 PERCENT

Tab. 2. Valoarea componentelor spectrale ale tensiunii de ieire, cu RAA conectat.

Anexa 1
CODUL CULORILOR PENTRU REZISTENE

cod cu 4 bare

CULOARE

BANDA 1

Negru
Maro
Rou
Portocaliu
Galben
Verde
Albastru
Violet
Gri
Alb
Auriu
Argintiu

cod cu 5 bare

BANDA 2

BANDA 3

MULTIPLICATOR

TOLERAN

Anexa 2
VALORI STANDARD
Valori standard 1%
Multiplii decadici disponibili de la 10.0 pn la 1.00 M
(de asemenea 1.10 M, 1.20 M, 1.30 M, 1.50 M, 1.60 M, 1.80 M, 2.00 M i 2.20 M)
10.0

10.2

10.5

10.7

11.0

11.3

11.5

11.8

12.1

12.4

12.7

13.0

13.3

13.7

14.0

14.3

14.7

15.0

15.4

15.8

16.2

16.5

16.9

17.4

17.8

18.2

18.7

19.1

19.6

20.0

20.5

21.0

21.5

22.1

22.6

23.2

23.7

24.3

24.9

25.5

26.1

26.7

27.4

28.0

28.7

29.4

30.1

30.9

31.6

32.4

33.2

34.0

34.8

35.7

36.5

37.4

38.3

39.2

40.2

41.2

42.2

43.2

44.2

45.3

46.4

47.5

48.7

49.9

51.1

52.3

53.6

54.9

56.2

57.6

59.0

60.4

61.9

63.4

64.9

66.5

68.1

69.8

71.5

73.2

75.0

76.8

78.7

80.6

82.5

84.5

86.6

88.7

90.9

93.1

95.3

97.6

Valori standard 5%
Multiplii decadici disponibili de la 10 pn la 22 M
10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

56

68

82

Valori standard 10%

Multiplii decadici disponibili de la 10 pn la 1 M
10

12

15

18

22

27

33

39

47

Bibliografie
[1] Robert T. Paynter, Introductory Electronic Devices and Circuits, Fifth Edition,
Prentice Hall, 2001.
[2] M. H. Miller, Introductory Electronics Course Notes, The University of MichiganDearborn, 2000.
[3] Paul R. Gray, Robert G. Meyer, Circuite integrate analogice. Analiz i
proiectare, Ed. Tehnic, Buc., 1999.
[4] Iosif Hoffman, Dispozitive i Circuite Electronice, IPTVT, 1984.
[5] T.L. Floyd, Electronic Devices, 5th Ed., Prentice Hall, 1996.
[6] Andrei Vladimirescu, SPICE, Ed. Tehnic, Buc., 1999.
[7] Virgil Tiponu, Mircea Ciugudean, Aurel Filip, Dispozitive i Circuite Electronice.
ndrumtor de lucrri de laborator, IPTVT, 1989.
[8] Mircea Ciugudean, Circuite Integrate Analogice, UPT, 1995.
[9] R.C. Dorf, J.A. Svoboda, Introduction to Electric Circuits, 5th Ed., Wiley, 2000.
[10] Anca Manolescu i colectiv, Circuite integrate liniare, Ed. Didactic i
pedagogic, Buc., 1983.
[11] Th. Dnil, N. Reus, V. Boiciu, Dispozitive i Circuite Electronice, Ed. Didactic
i pedagogic, Buc., 1982.
[12] J.W. Nilsson and S.A. Riedel, Using Computer Tools for Electric Circuits, 5th
Ed., Addison Wesley, 1996.
[13] Voloencu Constantin, Analiza circuitelor cu programul SPICE, Ed.
Electronistul, Timioara, 1994.
[14] Paul W. Tuinenga, SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using
PSPICE, Prentice Hall International, Inc., 3rd Edition, 1995.
[15] Matthew R. James, Electronic Circuits & Devices. Lecture Notes, Department of
Engineering, Australian National University, 2002.
[16] S.G. Burns and P.R. Bond, Principles of Electronic Circuits, 2nd Ed., PWS
Publishing, 1996.
[17] Cadence Design System, OrCAD 9.2 Online Manuals and Quick Reference
Cards, www.orcad.com.