Efeito Hall

Em 1879 E.H.
Hall realiza uma esperincia

com o fim de determinar se a influncia de um
campo magntico externo aplicado a um fio
metlico, gerava uma fora sobre o fio, ou s
sobre os portadores de carga (que hoje
chamam-se electres), em movimento. Hall
observou que surge uma tenso elctrica
perpendicular ao fio.

Fsica dos semicondutores e dispositivos semicondutores
1
Efeito Hall
EFEITO HALL

O efeito de Hall consiste no aparecimento de um
campo elctrico transversal num condutor
percorrido por corrente numa regio onde est
definido um campo magntico, geralmente esttico.

EFEITO HALL EM
SEMICONDUTORES

Consideremos um circuito formado por uma
placa metlica como mostra a figura:

fig.1Electres acelerados pelo campo elctrico E = Ex, para a esquerda, e deflectidos para cima, por aco
do campo magntico By.

4

os electres ao moverem-se, devido a aco
do campo magntico externo experimentam
uma fora igual a fora de Lorentz dada por:

Se admitirmos que aps uma coliso, o momento
mdio por electro nulo (colises aleatrias),

F = - e( E + v x B ) ( eq.1)
5

a variao mdia do momento por electro num
intervalo de tempo dt dada aproximadamente
por:
(eq.2)

que portanto a equao geral do movimento

6
Explanao
Tema: Efeito Hall

de um electro livre num condutor sujeito
a uma fora exterior, F(t);
no entanto segue:

( eq.3)

7

na forma explicita obtem-se:

(eq.4)

A dimensao representa a frequncia e chama-
se frequncia ciclotrnica
c
;

8

e representa a frequncia do movimento de um
electro livre em torno do campo magntico
aplicado.
De facto, se a (eq.4) for tomada no estado
estacionrio, j= 0 (p= 0--- os electres no podem
sair do condutor) e , isso resulta portanto,
para a resistncia o mesmo valor que na ausncia
do campo.

,
9

do sistema de equaes, obtm-se o valor do
campo de Hall, E
H
, que dever compensar a
componente E
z
, ou seja:

(eq.5)
se atendermos que:
(eq.6)

10

vem para o coeficiente de Hall:

logo teremos : (eq.7)

para electres

para lacunas ou buracos


.
11

Consideracoes finais
a densidade e o tipo de portadores de carga
(electres ou buracos) pode ser, portanto,
medidos recorrendo ao efeito de Hall. Este
tipo de medida de grande utilidade na
caracterizao de semicondutores dopados.

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de referir que; experimentalmente pode-se obter
valores de n diferentes, consoante a experincia
feita pois no possvel fazer uma contagem dos
electres como se estes fossem objectos comuns.
consideremos alguns metais como mostra a
tabela abaixo:

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Resumindo
Medindo a diferena de potencial de Hall,
pode-se determinar o campo magntico
aplicado;
O sinal de RH (constante de Hall), determina a
espcie de portadores em causa;
Podemos conhecer a concentrao dos
portadores de carga do nosso sistema.

14
Bibliografia Consultada

BIBLIOGRAFIA CONSULTADA

Livros/Artigos

1. Moreira, Jos A.. Miguel de Jesus.(2001/2002). Fisica Do Estado
Solido. Impresso acadmica. Universidade Beira do Interior.

2. Alcacr, Lus.(2009).Fsica do Estado Slido. Instituto de
Telecomunicaes

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