Electrónica I

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Semicondutores
MÁRIO PAÍM
Departamento de Engenharia
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 Sumário
1. Evolução dos componentes. Principio de funcionamento
da válvula

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 A válvula
A criação da primeira válvula, foi 1904. Esta válvula, chamada
díodo, é composta por duas placas metálicas, colocadas numa cápsula de
vidro em vácuo. Um filamento aquece uma das placas polarizada
negativamente, denominada cátodo, gerando fluxo de electrões (corrente
eléctrica) que atinge a segunda placa polarizada positivamente,
denominada anodo.

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 A válvula
A válvula foi, portanto, o primeiro dispositivo que permitiu conduzir a
corrente eléctrica num único sentido.
Quatro anos mais tarde, DeForest acrescentou ao díodo uma nova placa
entre o cátodo e ânodo, denominada grade. Este terceiro elemento passou a
exercer um controlo do fluxo de electrões, criando-se a possibilidade de
amplificar sinais.

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 O Semicondutor
Na década de 40, se investiga a estrutura, as propriedades e o
comportamento eléctrico dos semicondutores.
Surge, então, o díodo semicondutor, que substitui a válvula díodo com a
vantagem de consumir uma menor quantidade de energia, além de ter
dimensão bem menor.

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 Semicondutores tipo N e tipo P

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1. Bandas de energia
2. Materiais semicondutores intrínsecos
3. Semicondutor tipo N e tipo P

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 Bandas de energia
Um átomo é formado por electrões que giram ao redor de um núcleo
composto por protões e neutrões. Sendo que o número de electrões, protões
e neutrões é diferente para cada tipo de elemento químico.
Os electrões giram em orbita ou níveis bem definidos,
conhecidos como K, L, M, N, O, P e Q como mostra a
figura.

Quanto maior a energia do electrão, maior é o raio da sua

orbita. Assim, um electrão da orbita Q tem mais energia

Figura: Modelo atómico de Bohr que um electrão da orbita P.

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 Bandas de energia
A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja a quantidade de
electrões desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio
de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a um
átomo através de ligações covalente.

Esta órbita mais externa recebe, por isso, o nome de órbita

de valência ou banda de valência.

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 Bandas de energia
Os electrões da banda de valência são os que têm mais facilidade de sair do
átomo:
 Porque eles têm uma energia maior;
 Por eles estarem a uma distância maior em relação ao núcleo do átomo, a
força de atracção electrostática é menor.

Figura : Electrões livres, Banda de

condução e Corrente eléctrica.

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 Bandas de energia
O facto de estas órbitas estarem a distâncias bem definidas em relação ao núcleo do
átomo, faz com que entre uma órbita e outra exista uma região onde não é possível
existir electrões, denominada banda proibida.
O tamanho dessa banda proibida na última
camada de electrões define o
comportamento eléctrico do material,
como na figura, onde três situações
diferentes estão representadas.
Figura: Isolantes, Condutores e Semicondutores.

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 Materiais semicondutores intrínsecos
Existem vários tipos de materiais semicondutores. Os mais comuns e mais
utilizados são o silício (Si) e o germânio (Ge).
Figura: Átomos de Silício e Germânio.
Estes dois elementos caracterizam-
se por serem tetravalentes, ou seja,
por possuírem quatro electrões na
camda de valência.

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 Materiais semicondutores intrínsecos
Por serem tetravalentes, cada um de seus átomos pode realizar quatro ligações
covalentes com outros quatro átomos como na fig.

Figura : Representação plana dos semicondutores.

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 Materiais semicondutores intrínsecos
Esses materiais (Si, Ge, arsénio de Gálio GaAs)e o fosfeto de Índio InP) são
chamados de semicondutores intrínsecos ou puros pois encontram-se em
seu estado natural.
Hoje em dia, o silício é o material mais utilizado já que é bastante
abundante na natureza (pode ser obtido a partir do quartzo que é
encontrado na areia da praia e na terra) e, portanto, é o mais barato.

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 Semicondutores tipo N
Quando num cristal de silício é acrescentado uma quantidade de átomos de
um material pentavalente (Arsénio (As), Antimónio (Sb) e o Fósforo (P)),
estes elementos são chamados de impurezas.

As impurezas pentavalentes são chamadas de impurezas tipo N.

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 Semicondutores tipo N
Neste semicondutor o número de electrões livres é maior que o número de
lacunas, ou seja, os electrões livres são portadores maioritários e as lacunas
são portadores minoritários, como mostra a figura.
Figura : Semicondutor tipo N
Como os electrões livres são cargas
eléctricas negativas, este semicondutor é
chamado tipo N.

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 Semicondutores tipo P
Quando num cristal de silício é acrescentado uma quantidade impurezas
de um átomo de material trivalente (Alumínio (Al), Boro (B) e o Gálio (Ga))

As impurezas trivalentes são chamadas de impurezas tipo P.

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 Semicondutores tipo P
Neste semicondutor o número de lacunas é maior que o número de
electrões livres, ou seja, as lacunas são portadores maioritários e as
electrões livres são portadores minoritários, como mostra a figura 2.15
Figura : Semicondutor tipo P
Como as lacunas podem ser
consideradas cargas eléctricas positivas,
este semicondutor é chamado tipo P.

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 Semicondutores tipo N e tipo P
Os cristais semicondutores N ou P, por conterem impurezas, são também
denominados semicondutores extrínsecos.

A técnica de se acrescentar impurezas ao semicondutor para aumentar

tanto o número de electrões livres quanto o número de lacunas é chamada
de dopagem.

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CUIDEM-SE