1 – SEMICONDUTOR

1.1– INTRODUÇÃO:

O átomo é basicamente constituído de prótons, nêutrons e elétrons, sendo que,

os prótons e os nêutrons estão na região central do átomo denominado de núcleo, e os
elétrons girando ao redor deste núcleo sendo que, para um átomo eletricamente neutro
há um elétron na eletrosfera para cada prótons do núcleo.

Assim, cada elemento químico possui certo número de prótons e elétrons. De

acordo com a teoria quântica, esses elétrons estão distribuídos em camadas
denominados níveis energéticos. Estas camadas estão divididas em sete grupos
denominados K, L, M, N, O, P e Q.

Olhando para a figura, verificamos que, os elétrons à medida que afastam do

núcleo, apresenta menor energia cinética; como conseqüência, a sua energia potencial
aumenta, uma vez que é uma energia conservativa. Logo, podemos concluir que, a
energia (potencial) dos elétrons aumenta de K para Q.

Num átomo a medida que os elétrons afastam do núcleo, vão se tornando

fracamente ligados ao núcleo e, assim, estes elétrons mais afastados podem
eventualmente tornar independentes, inclusive participando das ligações químicas.
Assim, os elétrons que pertencem a última camada recebe o nome de elétrons de
valência.
 1.2 – PORTADORES DE CARGA NUM CRISTAL

Em um átomo com quatro elétrons na última camada, podemos fazer com que
este átomo fique com oito elétrons, fazendo com que cada átomo vizinho “empreste” um
elétron de cada, compartilhando a ligação química, este tipo de ligação recebe o nome
de ligação covalente.

Na figura abaixo, (+4) representa as cargas positivas do núcleo que neutralizam

os elétrons de valência.

As ligações covalentes, quando constituído pelos átomos, silício ou germânio

forma-se um modelo bem definido que se repete na natureza tendo um arranjo
repetitivo de estrutura, este modelo completo é denominado cristal. Outro fator
importante é que, uma eventual adição de impurezas (átomos não tetravalentes) não
altera significativamente a sua estrutura.

As ligações covalentes podem, a uma temperatura ambiente, receber energia

suficientemente elevada a tal ponto de romper as ligações químicas, criando alguns
elétrons livres. O átomo que perdeu o elétron apresenta na sua estrutura, uma vaga
que denominamos lacuna.
 Logo, quando este cristal fica sujeito a uma ddp, surgem no seu interior, dois
tipos de elétrons em movimento: um devido ao elétron livre e, o outro, devido aos
elétrons que “pulam” de lacuna em lacuna.

Porém, para facilitar a idéia, surgiu o conceito de “movimento de lacunas”, uma

vez que, a posição da mesma pode alterar de instante para instante. Mas, para
simplificar ainda mais o estudo, foi apresentado um conceito de que a lacuna seja uma
carga positiva em virtude de atrair o elétron para completar a ligação química.

Isto significa que, para cada elétron tornar livre, devemos fornecer certa
quantidade de energia. Logo, também podemos concluir que, quando um elétron
aproxima do núcleo, irradia certa quantidade de energia.

Assim sendo, podemos concluir que, se os elétrons e as lacunas movimentam

dentro da estrutura quando aplicamos uma ddp e, de acordo com a teoria da
eletricidade, temos aí, uma intensidade de corrente devido a estes elétrons e lacunas.
Em função deste fenômeno, os elétrons e as lacunas recebem o nome de portadores
de cargas.

1.3 – CRISTAIS DOPADOS

 Denominam-se cristais dopados, extrínsecos, impuros ou imperfeitos, aos cristais
tetravalentes que foram adicionados intencionalmente átomos de impurezas (átomos
que não são tetravalentes).

Por exemplo, se adicionarmos de propósito, átomos de arsênio que possui cinco

elétrons na última camada, o quinto elétron fica fracamente ligado ao núcleo e não
participa da ligação química. Logo, com uma pequena energia externa (calor), podemos
fazer com que estes elétrons tornem livres.

Nas temperaturas normais (ambiente), a probabilidade de que estes elétrons

estejam na faixa de condução é extremamente alta; neste caso, dizemos que estes
elétrons estão ativados. E a estes cristais que foram dopados com átomos
pentavalentes damos o nome de cristal tipo N, devido a maioria dos portadores de
carga serem negativos (elétrons), estes portadores recebem o nome de portadores
majoritários. Por outro lado, apesar de existirem excesso de elétrons, podem surgir
algumas lacunas geradas termicamente, mas, como é minoria, chamamos portadores
minoritários.

Se adicionarmos uma pequena quantidade de átomos trivalentes como o

alumínio na estrutura, no interior do cristal, para cada átomo de impureza fica faltando
um elétron para completar a ligação covalente. Este átomo de impureza é denominado
aceitador criando uma lacuna para cada átomo trivalente. Neste caso, a lacuna é
denominada portadora majoritária e o elétron, se existir de portador minoritário.
Como foi atribuída a idéia de que a lacuna seja uma carga positiva, este cristal que
possui excesso de lacunas, damos o nome de cristal tipo P.

2 – DIODO SEMICONDUTOR:

2.1 – JUNÇÃO PN

O diodo é um dispositivo de duas camadas que permite a passagem da corrente

em um único sentido. Tal dispositivo é formado ligando-se um semicondutor P a um
semicondutor N.

Nestas condições, cada átomo doador “doa” um elétron para átomo aceitador,
fazendo com que as lacunas do cristal P na região de junção fiquem preenchidas. O
doador (cristal N) ao perder os elétrons fica carregado com cargas positivas, causando
na região de junção uma concentração de cargas negativas no lado do cristal P e
positivas no lado do cristal N.
 Como consequência nesta região não existe nenhum par elétron-lacuna
disponível, comportando como se fosse um isolante, uma vez que não há possibilidade
de ocorrer o movimento de portadores de carga. Esse fenômeno recebe o nome de
zona de depleção

2.2 – POLARIZAÇÃO DIRETA E INVERSA DO DIODO

Polarização direta

Conectando os terminais do diodo em uma fonte de tensão contínua, os íons

positivos migram para o polo negativo da bateria. Como os íons positivos são
chamados de cátions, o polo negativo pode ser chamado de cátodo. O polo positivo
será então chamado de ânodo e, da mesma forma, receberão os ânions.
 Quando ligamos o terminal positivo de uma fonte no anodo (cristal P) e o
negativo desta fonte no catodo (cristal N) ou, quando o potencial no anodo é maior que
o catodo, o diodo está diretamente polarizado.

Quando o diodo está diretamente polarizado, as cargas negativas da fonte

neutralizam os íons positivos do cristal N e, simultaneamente, o enorme potencial
positivo da fonte “arrancam” os elétrons que preencheram as lacunas do cristal P,
diminuindo assim, o número de íons positivos e negativos na região de junção.

Com a diminuição dos íons, diminui a barreira de potencial na região de junção e,

dependendo do potencial do gerador, pode comportar como se fosse um curto-circuito,
a partir de um determinado valor, assim os elétrons livres de N e as cargas negativas da
fonte são capazes de atravessar a junção, formando desta forma, um enorme fluxo de
elétrons do catodo para o anodo.

Polarização inversa:

Ao polarizarmos inversamente do diodo, as cargas negativas da fonte (elétrons)

preenchem as lacunas do cristal P e o potencial positivo da fonte arrancam os elétrons
livres do cristal N, aumentando o número de íons positivos e negativos na região de
junção.

Como consequência, aumenta a barreira de potencial proporcionalmente à

tensão externa da fonte e simultaneamente a largura da região de depleção, assim os
elétrons livres do cristal N não podem migrar para o cristal P, porque existe um
potencial mais negativo no anodo em relação ao catodo e, além disto, existe uma
região de isolação muito extensa;

Podemos concluir que, num diodo ideal, quando polarizamos diretamente

comporta como um curto-circuito e quando polarizamos inversamente como um circuito
aberto.

3 – RETIFICADORES:

3.1 – TEORIA DA RETIFICAÇÃO

Na maioria dos circuitos eletrônicos, para que possam entrar em funcionamento,

há necessidade de serem alimentado por uma fonte de tensão contínua.
 A fonte pode ser obtida por processo eletroquímico ou simplesmente
transformando a corrente alternada em contínua, o circuito que realiza tal operação,
recebe o nome de retificador.

A fonte de corrente contínua (por exemplo, pilha, bateria célula foto-voltáica,

etc...) quando ligado em um circuito elétrico, fornece uma corrente contínua, uma vez
que, sua amplitude permanece sempre constante com o tempo. Por outro lado, a fonte
de tensão alternada ligada a um circuito elétrico, circula uma corrente onde o sentido
varia de instante em instante.

Logo, quando temos uma corrente alternada, se encontrarmos um dispositivo

que bloqueasse a passagem da corrente num dos sentidos, essa corrente deixa de ser
alternada. Neste caso como o diodo semicondutor permite a passagem da corrente
num único sentido vamos utiliza-lo nessa operação.

Quando a chave está fechada, toda a energia elétrica será aplicada na carga e,
como consequência, a ddp na chave é zero. Por outro lado, se a chave está aberta toda
a ddp está aplicada sobre a ela.
 3.2 – TIPOS DE RETIFICADORES

MEIA ONDA

Neste circuito, quando aparece um pulso positivo no anodo do diodo, como fica
diretamente polarizado, há uma diminuição da barreira de potencial na junção e,
consequentemente, a passagem da corrente elétrica com uma pequena queda de
tensão que, no nosso estudo será representada como sendo uma resistência interna do
diodo rd. Por outro lado, se aparecer um pulso negativo no anodo, como o diodo fica
inversamente polarizado, comporta como uma chave aberta, portanto, toda a queda de
tensão recai sobre o diodo. Em outras palavras, isto significa que devemos tomar certo
cuidado com a máxima tensão reversa do diodo.

Quando a chave está fechada, toda a energia elétrica será aplicada na carga,
como consequência a ddp na chave é zero. Por outro lado, se a chave está aberta,
como não circula a corrente no circuito, toda a ddp está aplicada sobre a chave.

Como a corrente varia a cada instante, há necessidade de avaliar o valor médio

da tensão. Para tanto, calculamos a área da meia senóide e transformamos em outra
figura de amplitude constante, porém, de mesma área. Em outras palavras, isto significa
determinar a altura de um retângulo equivalente.

Vp
VDC =

 ONDA COMPLETA

Com 2 diodos

Neste circuito, o transformador, além de abaixar a ddp da rede, tem como

finalidade criar uma defasagem de 180° nas saídas em relação à derivação central.
Assim, quando D1 conduz, como o diodo D2 fica inversamente polarizado, comporta
como uma chave aberta. Por outro lado, quando aparece um pulso negativo no diodo
D1, agora, este diodo fica aberto e, neste instante, como surge um pulso positivo em D 2,
este diodo conduz e, assim, na carga temos uma onda completa. Em outras palavras,
isto significa que, no circuito, cada diodo conduz nos semiciclos opostos.

Com 4 diodos (ponte)

Este circuito conhecido como ponte retificadora, dispensa o uso de um

transformador com a derivação central, porém para cada semiciclo há necessidade de
utilizar dois diodos em série como ilustra a figura. Assim, neste caso, devemos
computar duas vezes a resistência do diodo, mas em compensação para cada diodo é
aplicada a metade da tensão reversa, o que oferece maior proteção do diodo. Por outro
lado, caso a tensão de entrada seja de baixo valor, como a queda no diodo fica
considerável, não podemos admitir que a tensão de pico na entrada seja igual a tensão
de pico na carga. Caso esteja visualizando com o osciloscópio, percebemos que o
período de condução e não condução são diferentes.
 Como a corrente varia a cada instante, há necessidade de avaliar o valor médio
da tensão. De forma similar ao circuito de meia onda calculamos a área, porém de 2
senóide e transformamos em outra figura de amplitude constante, porém, de mesma
área. Em outras palavras, isto significa determinar a altura de um retângulo equivalente.

2.V p
VDC =


Exercícios de fixação

1. Dado um circuito retificador de meia onda com uma tensão de pico V p = 50 V no

secundário, calcular a tensão média na carga de 50 Ω e o valor da corrente
média que circula pela carga.

2. Dado um circuito retificador de onda completa com 2 diodos e uma tensão de

pico Vp = 50 V no secundário, calcular a tensão média na carga de 60 Ω e o valor
da corrente média que circula pela carga.
 3. Em um retificador de onda completa do tipo ponte retificadora com tensão eficaz
no secundário do transformador de 12 V. Esse circuito esta conectado a uma
carga de 1KΩ, calcule a corrente que vai circular nessa carga.

4. Projete uma fonte de tensão contínua pulsante de 10 VDC com uma capacidade
de corrente máxima de 1 A, descreva todos os componentes que deverão ser
utilizados, considere o retificador de meia onda. Qual será carga mínima que
poderá ser conectada a essa fonte para que evite a queima dos componentes?

5. Projete uma fonte de tensão contínua pulsante de 22 V DC com uma capacidade

de corrente máxima de 2 A, descreva todos os componentes que deverão ser
utilizados, considere o retificador de onda completa.

Qual será carga mínima que poderá ser conectada a essa fonte para que evite a
queima dos componentes?

3.3 – FILTROS CAPACITIVOS

Quando estudamos o retificador constatamos uma ondulação (onda pulsante).

Porém, existem alguns circuitos que procuram atenuar de alguma forma, estes
dispositivos dão o nome de filtros retificadores.

Para montar o filtro retificador, podemos utilizar o capacitor.

MEIA ONDA
 Colocando um capacitor em paralelo com a carga e ainda a tensão variando de
forma senoidal, aparece um semiciclo positivo no anodo, no momento inicial é feita uma
polarização direta carregando o capacitor até o valor máximo V p.

Quando a tensão do gerador começa a diminuir, neste momento o capacitor

começa a descarregar através do resistor de carga RL, antes de zerar a carga do
capacitor ocorre um novo ciclo de carregamento repetindo o fenômeno, enquanto o
circuito estiver funcionando.

Mesmo com a aplicação do capacitor no circuito fazendo com que a tensão

média na carga eleve-se a valores próximos da tensão de pico do secundário do
transformado, é possível verificar de forma discreta uma pequena tensão ondulatória,
onde o seu valor de pico a pico recebe o nome de tensão de ripple. A existência dessa
pequena tensão provoca uma variação da tensão na carga fazendo com que o calculo
da tensão média na carga passa a ser calculado através da seguinte formula:

Vr
VDC = V p −
2

Para calcular a tensão de pico a pico chamada de tensão de ripple, vamos

utilizar a seguinte formula:

𝑉𝑚
𝑉𝑟 =
𝑓̇ ⋅ 𝐶 ⋅ 𝑅𝐿
 ONDA COMPLETA:

Neste caso, pelo gráfico percebemos que, a única diferença em relação a meia
onda é a frequência, ou seja, neste caso, a sua frequência é o dobro da meia onda. Daí,
temos:

Vm
Vr =
f .C.RL

EXERCÍCIOS DE FIXAÇÃO:

6. Ao medir a tensão contínua em um filtro retificador, 60Hz, encontramos 6V. Se a

tensão de ripple é 10% da tensão contínua, encontre o valor dela.

7. A figura abaixo foi obtida pelo osciloscópio ligado em um filtro retificador com
carga. Encontre a tensão contínua VDC.

8. No exercício anterior, se IDC vale 25mA, encontre o valor de RL e C, supondo a

frequência 60Hz.
9. Um circuito retificador meia onda com filtro capacitivo na f = 60Hz, o valor da
tensão de pico no secundário é de 31,2V, Considerando I DC = 20mA e Vr = 8%
de UDC. Determine a tensão contínua na carga, a resistência de carga, o valor do
capacitor.

10. Um circuito retificador meia onda com filtro capacitivo na f = 60 Hz tem o valor da
tensão contínua na carga é de 12 V com corrente IDC = 10 mA. Determine o valor
da tensão eficaz na entrada do retificador e o valor do capacitor, sabendo-se que
a tensão de ripple é de 5% da tensão contínua na carga.

11. Em um filtro retificador de onda completa com frequência de 60 Hz, a tensão

contínua vale 50V com uma tensão de ripple de 10% desta tensão e dissipa na
resistência de carga, uma potência equivalente a 500mW. Calcule o valor do
capacitor.

12. Em um circuito com filtro capacitivo de meia onda na frequência de 60 Hz, com a
tensão de pico igual a 100 V, o valor do capacitor em paralelo com a carga de
10K é 10F. Determine a tensão contínua na carga.

13. Calcular o valor de C e RL de um filtro RC de onda completa com frequência de

60 Hz que apresenta uma tensão média de 80 V produzindo uma corrente de 15
mA quando o riplle vale 12% da tensão média.
 4 – DIODO ZENER

O diodo zener é aquele projetado e construído para trabalhar na região de

avalanche ou ruptura de junção. É, portanto, o diodo na qual, a corrente inversa
mantém-se reduzida até que se alcance a tensão de ruptura e, aí, cresce rapidamente
com um pequeno incremento de tensão sobre este diodo.

Para que isto seja possível sem danificar o diodo, foi feita uma dopagem
consideravelmente maior que o diodo convencional, assim na região de junção surge
uma barreira de potencial consideravelmente maior em função da alta concentração de
impurezas.

Porém, no caso da polarização inversa, devido a alta barreira existente, uma

pequena tensão externa reversa é capaz de levar o diodo na condição de avalanche.
Esta propriedade é extremamente interessante quando ligamos este diodo na condição
de ruptura em paralelo com uma carga qualquer uma vez que permite manter a ddp
praticamente constante mesmo que ocorra a variação da corrente que nele circula.
 Os diodos zener são comercializados por sua Vz (tensão de Zenner) e por sua Pz
(potência de trabalho), calculada através da seguinte formula:

𝑃𝑧 = 𝑉𝑧 . 𝐼𝑧 𝑚𝑎𝑥

Através da formula acima podemos calcular a Iz max (corrente máxima de zener).

Para fins de projetos é possível estimar a Iz min (corrente mínima de zener) usando a
relação abaixo. Lembrando que esse parâmetro deve ser consultado no datasheet do
componente.

𝐼𝑧 𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑧 𝑚𝑖𝑛 =
10

4.1 – ESTABILIZAÇÃO DE TENSÃO

Uma fonte de tensão ideal é um dispositivo que apresenta em seus terminais,

uma tensão constante a qualquer que sejam as correntes solicitadas. Na prática, em
função da resistência interna da fonte mais a queda na linha surge uma queda de
tensão proporcional à carga.

Assim sendo, para manter a tensão constante colocamos um diodo zener em

paralelo com a carga, pois assim mantemos a tensão na carga praticamente constante
em Vz com a possibilidade de variação de corrente nela.

O diodo zener, ao atingir a tensão de avalanche Vz, provocara a circulação da

corrente elétrica iniciando pela corrente Iz min aumentando até o valor máximo Iz max

(valor que depende da potência desenvolvida por zener) que o usuário deverá limitar
para não danificar o diodo.
 Podemos concluir que quaisquer variações de corrente na carga, será
compensada através do diodo zener respeitando os valores de correntes Iz min e Iz max.

Para aplicar o diodo zener no circuito, é necessário instalar juntamente um

resistor em série, o resistor Rs tem a finalidade de limitar a corrente total calculada por:

𝐼𝑇 = 𝐼𝑧 + 𝐼𝐿

Com esse resistor é possível manter a corrente de zener em um valor

compreendido pelo intervalo de Iz min e Iz max . Para tanto levamos em consideração duas
situações criticas:

Quando a carga for infinita, ou seja, a fonte esta em aberto onde I L = 0 A, e ainda
com a tensão máxima na entrada do circuito zener, poderemos calcular o valor mínimo
para Rs:

𝑉𝐸 𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑧
𝑅𝑠 𝑚𝑖𝑛 =
𝐼𝑧 𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝐿

Para calcular o valor máximo do resistor Rs, vamos levar em consideração valor
de tensão mínima na entrada do circuito zener, e a corrente mínima necessária para
manter o diodo zener na zona de avalanche, vamos adotar a seguinte equação:

𝑉𝐸 𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑧
𝑅 𝑠 𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝑧 𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿

A escolha do resistor a ser aplicado, faz-se usando o valor médio entre os

valores que calculamos acima, usando a seguinte equação:

𝑅𝑠 𝑚𝑎𝑥 + 𝑅𝑠 𝑚𝑖𝑛
𝑅𝑠 =
2
 EXERCÍCIOS DE FIXAÇÃO:

14. Considere o diodo 1N4738 com as seguintes características Pz = 1 W e Vz = 8V2,

Calcule Rs max e Rs min para aplicarmos VE = 12 V  10% em uma carga com RL =
470 .

15. Temos um diodo zenner BZX-79 com as seguintes características Vz = 6V2 com
Pz = 400 mW, ligado em uma tensão de entrada de V E = 10V  10% e com uma
carga em paralelo RL = 820, determine os valores máximo e mínimo para a
resistência em série.

4.2 - CÁLCULO DO RESISTOR DO ZENER COM A CORRENTE 10% DA

CORRENTE MÁXIMA.

Exemplo:

Temos uma placa de ensaios de microcontrolador que é alimentada por uma

fonte de tensão contínua de 12 VDC, porém o microcontrolador deve ser ligado a uma
tensão de 5 VDC. Para conversão dessa tensão foi escolhido um diodo zener 1N4733A,
com as seguintes características:

VZ = 5,1 V PZ = 1 W

Considerando que a corrente consumida pelo microcontrolador é de IL= 100 mA, vamos
calcular o resistor RS para trabalhar em conjunto com o diodo zener.
Solução:

1. Considerando a potência máxima do diodo de 1 W, podemos verificar qual será a

corrente máxima admitida.

PZ 1
PZ = VZ ∗ IZ max ↔ IZ max = ↔ IZ max = ↔ IZ max = 196,1 ∗ 10−3 A
VZ 5,1

2. Podemos calcular a corrente mínima Iz min:

IZ min = 10% de IZ max ↔ IZ min = 10% de 196,1 ∗ 10−3 ↔ IZ min = 19,6 ∗ 10−3 A

3. Calculo da corrente total que vai passar pelo resistor Rs:

IT = IL + IZ min ↔ IT = 100 ∗ 10−3 + 19,6 ∗ 10−3 ↔ IT = 119,6 ∗ 10−3 A

4. Comparando as correntes, concluímos que o diodo escolhido é indicado, pois

sua corrente máxima é maior que a corrente total IT.

5. Agora, podemos proceder com o calculo do resistor Rs:

VE − VZ 12 − 5,1
RS = ↔ RS = ↔ R S = 57 Ω
IT 119,6 ∗ 10−3

16. Temos uma placa de ensaios de microcontrolador que é alimentada por uma
fonte de tensão contínua de 12 VDC, nessa placa temos um periférico de
Bluetooth deve ser ligado a uma tensão de 3,3 VDC. Para conversão dessa
tensão foi escolhido um diodo zener 1N4728A, com as seguintes características:

VZ = 3,3 V PZ = 1 W
Considerando que a corrente consumida pelo periférico é de I L= 100 mA, calcule
o resistor Rs para trabalhar em conjunto com diodo 1N4728A.