CRISTIANO ROSSI

INVERSOR DE FREQUÊNCIA

MODULAÇÃO SENOIDAL PWM UNIPOLAR

LONDRINA

2011
 UNIVERSIDADE ESTADUAL DE LONDRINA

CURSO DE GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

INVERSOR DE FREQUÊNCIA

MODULAÇÃO SENOIDAL PWM UNIPOLAR

Trabalho de conclusão de curso submetido à

Universidade Estadual de Londrina
como parte dos requisitos para obtenção
do grau de Engenheiro Eletricista

CRISTIANO ROSSI

Londrina, outubro de 2011.

 INVERSOR DE FREQUÊNCIA

MODULAÇÃO SENOIDAL PWM UNIPOLAR

Cristiano Rossi

„Este trabalho foi julgado adequado para a conclusão do curso de

engenharia elétrica aprovado em sua forma final pela Coordenação do
Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Estadual de Londrina.‟

___________________________________
Profº Dr. Carlos Henrique Gonçalves Treviso
Orientador

_____________________________________
Profª Maria Bernadete de Morais França

Banca examinadora:

___________________________________
Profº Msc. André Luiz Batista Ferreira

___________________________________
Profº Dr. Walter Germanovix
Dedico este trabalho a Deus, aos meus pais e irmão que sempre estiveram
presentes me apoiando, e a todos aqueles que estiveram presentes em
minha vida me motivando.
 AGRADECIMENTOS

Agradeço a Deus por estar vivo e chegar até aqui, e que se faz
presente em tudo o que faço.
Agradeço ao meu pai Luis Roberto e minha mão Maria do Rosário e
ao meu irmão Rafael por todo o apoio e compreensão ao longo desses
anos de vida e convivência sempre amparando e apoiando uns aos outros.
Agradeço ao professor Dr. Carlos Henrique Gonçalves Treviso,
orientador deste trabalho, pelos momentos dedicados a me transmitir
conhecimento e idéias além de todo suporte técnico por ele fornecido, para
que pudesse realizar este trabalho.
Agradeço ao professor André Luiz Batista Ferreira por sempre me
auxiliar quando necessário com idéias, assim como aos demais membros do
laboratório que sempre me auxiliaram tecnicamente: Luis, Older, Luis Mathias.
Muito obrigado a todos pela cooperação para a realização deste trabalho.
Agradeço também ao João que sempre estava no laboratório compartilhando
idéias.
Agradeço ao meu amigo Régis que esteve comigo sempre presente na
realização deste projeto. Agradeço também aos demais amigos que sempre
estiveram comigo durante estes anos de curso, por todos os momentos de
apoio: Danilo, Heitor, Guilherme, César, Kawana, Raul, Anderson, Fabio, José
Octavio, Thiago, Douglas, Tulio, Fernanda, Gustavo, Edivaldo, Aline, João
Klayton, Cintia, Helton.
Agradeço a todo o corpo docente e técnico do Departamento de
Engenharia Elétrica da UEL, por todo o conhecimento disponibilizado por todos
as duvidas sanadas e pelos momentos de dedicação.
Agradeço a UEL e a todos os funcionários desta instituição que me
proporcionou a oportunidade de realizar este curso.
E por fim agradeço aos meus demais familiares e amigos que sempre
estiveram ao meu lado, me orientando e me ajudando.
Resumo do trabalho de conclusão de curso apresentado à UEL como parte
dos requisitos necessários para a obtenção do grau de Engenheiro
Eletricista.

INVERSOR DE FREQUÊNCIA

MODULAÇÃO SENOIDAL PWM UNIPOLAR

CRISTIANO ROSSI

Outubro/2011

Orientador: Dr. Carlos Henrique Gonçalves Treviso

Palavras chaves: modulação PWM, senoidal, inversor, freqüência

Uma das principais dificuldades quando falamos de conversão de

energia, está na transformação de sinais de tensão continua em tensões
alternadas. São necessárias técnicas complexas, e nem sempre o
rendimento dos conversores é satisfatório. Neste projeto pretende-se
estudar a técnica de modulação PWM senoidal unipolar empregado na
conversão de sinais de tensão continua em tensões alternadas de formato
senoidal utilizando-se também de filtros passivos, para uma avaliação da
mesma, e compará-la a técnica de modulação senoidal PWM bipolar.
 Conteúdo

Lista de Siglas .................................................................................................. viii

Lista de Figuras .................................................................................................. ix
Lista de Tabelas ................................................................................................. xi
1. Introdução .................................................................................................... 1
2. Revisão de Literatura ................................................................................... 3
2.1. Modulação PWM ................................................................................... 4
2.2. Técnicas PWM senoidal ........................................................................ 5
2.3. Analise Espectral modulação senoidal PWM unipolar ........................ 16
2.4. Taxa de distorção harmônica .............................................................. 18
3. Desenvolvimento ....................................................................................... 20
3.1. Inversor ............................................................................................... 20
3.1.1. Snubbers ...................................................................................... 22
3.2. Filtro de saída ..................................................................................... 24
3.2.1. Indutor .......................................................................................... 25
3.2.2. Capacitor ...................................................................................... 29
3.2.3. Resposta do Filtro......................................................................... 29
3.3. Circuito de Controle............................................................................. 31
3.4. Circuito de Drive .................................................................................. 35
4. Resultados e análise.................................................................................. 39
4.1. Protótipos ............................................................................................ 39
4.1.1. Drive isolador de pulsos ............................................................... 39
4.1.2. Inversor e filtro .............................................................................. 39
4.1.3. Circuito de controle ....................................................................... 40
4.2. Saídas dos Circuitos de controle e drive ............................................. 40
4.2.1. Circuito de controle ....................................................................... 40
4.2.2. Drive isolador de pulso ................................................................. 44
4.3. Resultados saída do inversor .............................................................. 45
5. Conclusões ................................................................................................ 59
6. Bibliográfia ................................................................................................. 61
7. Apêndice .................................................................................................... 64
 Lista de Siglas

PWM – Pulse Width Modulation

MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

PCB – Printed Circuit Board

CI – Circuito Integrado

RMS – Root Mean Square

CA – Corrente Alternada

CC – Corrente Contínua

DC – Direct Current

LED – Light-Emitting Diode

SMD – Surface Mount Device

AWG – American Wire Gauge

DIP – Dual In-line Package

Vin – Tensão de alimentação

Vout – Tensão de saída

fm – Frequência da modulante

fp – Frequência da portadora
 Lista de Figuras

Figura 2.1- Modelo ponte H ...................................................................................................... 3

Figura 2.2 - Razão Ciclica ......................................................................................................... 4
Figura 2.3 - Sinal PWM gerado com onda triangular ............................................................ 5
Figura 2.4-PWM Senoidal Bipolar............................................................................................ 5
Figura 2.5 - Modulação PWM senoidal unipolar.................................................................... 7
Figura 2.6 - Inversor alimentando carga indutiva .................................................................. 7
Figura 2.7 - Ondas de tensão e corrente sobre carga indutiva ........................................... 8
Figura 2.8 - Circulação de corrente sobre as chaves 1........................................................ 9
Figura 2.9 - Circulação de corrente sobre as chaves 2 ........................................................ 9
Figura 2.10 - Circulação de corrente sobre as chaves 3 ..................................................... 9
Figura 2.11 - Circulação de corrente sobre as chaves 4 ................................................... 10
Figura 2.12 - Circulação de corrente sobre as chaves 5 ................................................... 10
Figura 2.13 - Circulação de corrente sobre as chaves 6 ................................................... 11
Figura 2.14 - Circulação de corrente sobre as chaves 7 ................................................... 11
Figura 2.15 - Circulação de corrente sobre as chaves 8 ................................................... 11
Figura 2.16 - Geração do sinal T1 ......................................................................................... 12
Figura 2.17 - Sinal de controle de T4 .................................................................................... 13
Figura 2.18 - Tensão entre as chaves T1 e T4.................................................................... 13
Figura 2.19 - Sinal de controle de T2 .................................................................................... 14
Figura 2.20 - Sinal de controle de T3 .................................................................................... 14
Figura 2.21 - Sinal de tensão entre as chaves T2 e T3 ..................................................... 15
Figura 2.22 - Tensão de saída ............................................................................................... 15
Figura 2.23 - Harmônicas para portadora de 10kHz. ......................................................... 17
Figura 2.24 - Harmônicas para portadora de 20 kHz ......................................................... 17
Figura 2.25 - Harmônicas para portadora de 30 kHz .......................................................... 18
Figura 3.1 - Inversor em ponte com filtro .............................................................................. 20
Figura 3.2 - Snubber ................................................................................................................ 22
Figura 3.3 - Resposta do filtro ................................................................................................ 31
Figura 3.4 - Gerador triangular ............................................................................................... 32
Figura 3.5 – Adequação da triangular ................................................................................... 33
Figura 3.6 - Adequação dos sinais para comparação ........................................................ 34
Figura 3.7 - Comparadores PWM .......................................................................................... 35
Figura 3.8 - Circuito de Drive ................................................................................................. 36
Figura 3.9 - Fontes isoladas ................................................................................................... 37
Figura 4.1 - Protótipo do drive isolador de pulso ................................................................. 39
Figura 4.2 - Protótipo do inversor .......................................................................................... 39
Figura 4.3 - Triangular gerada pelo CI LM566 ..................................................................... 40
Figura 4.4 - Triangular na entrada do comparador PWM .................................................. 41
Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparação PWM .............................................. 41
Figura 4.6 - Ondas senoidais defasadas 180º ..................................................................... 42
Figura 4.7 - Pulsos complementares T1 e T4 ...................................................................... 42
Figura 4.8 - Sinais dos pulso T1 e T4 razão cíclica alta. ................................................... 43
Figura 4.9 - Sinais de controle de T1 e T2 ........................................................................... 43
Figura 4.10 - Pulsos PWM complementares com atraso ................................................... 44
Figura 4.11 - Pulso PWM mosfet (drive) ............................................................................... 44
Figura 4.12 - Tensão no transformador das fontes isoladas ............................................. 44
Figura 4.13 - Pulsos PWM obtidos na saída do drive isolador de pulso ......................... 45
Figura 4.14 - Vin = 30V............................................................................................................ 45
Figura 4.15 - Vin = 30V............................................................................................................ 46
Figura 4.16 - Tensões entre as chaves T1 e T4 e entre T2 e T3 ..................................... 46
Figura 4.17 - Vin = 60V............................................................................................................ 47
Figura 4.18 - Vin = 90V............................................................................................................ 48
Figura 4.19 - Vin = 120V ......................................................................................................... 48
Figura 4.20 - Vin=180 V .......................................................................................................... 48
Figura 4.21 - Vin=201 V .......................................................................................................... 49
Figura 4.22- fp=100 kHZ ......................................................................................................... 50
Figura 4.23 - fp = 50 kHz ......................................................................................................... 51
Figura 4.24 - fp = 30 kHz ......................................................................................................... 51
Figura 4.25 - fm = 1kHz e fp = 100kHz ................................................................................. 52
Figura 4.26 - fm = 1k e fp = 50k ............................................................................................. 52
Figura 4.27 - fm = 1k e fp = 30k ............................................................................................. 53
Figura 4.28 - fm = 1k e fp = 25k ............................................................................................. 53
Figura 4.29 - fm = 1k e fp = 20k ............................................................................................. 53
Figura 4.30 - fm = 1k e fp = 15k ............................................................................................. 54
Figura 4.31 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=100 kHz e FM=1 kHz .......... 55
Figura 4.32 - Saída inversor senoidal PWM unipolar fp=50 kHz Fm=1kHz .................... 56
Figura 4.33 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=50 kHz e FM=1 kHz ............ 56
Figura 4.34 - Saída do inversor senoidal PWM unipolar fp=25 kHz e FM=1 kHz .......... 56
Figura 4.35 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=30 kHz e FM=1 kHz ............ 57
Figura 4.36 - Saída do inversor senoidal PWM unipolar fp=15 kHz e FM=1 kHz .......... 57
Figura 7.1 - Arquivo PCB do circuito de Drive ..................................................................... 64
Figura 7.2 – Top Layer ............................................................................................................ 64
Figura 7.3 – Bottom Layer ....................................................................................................... 65
Figura 7.4 - Esquematico Circuito completo ........................................................................ 66
 Lista de Tabelas

Tabela 3.1 - Coeficiente de densidade de corrente nos fios[4] ......................................... 26

Tabela 4.1 - Variação de tensão de entrada ........................................................................ 47
Tabela 4.2 - Variação de carga (Vout=110 V RMS, fm=60Hz, fp=100kHz) .................... 49
Tabela 4.3 - Variação de tensão ( fm=60, fp=100k, carga indutiva ) ............................... 50
Tabela 4.4 - Variação de fp (fm=60, R=1k) .......................................................................... 50
Tabela 4.5 - Variação de fp (fm=1k, R=1k) .......................................................................... 52
 1. Introdução

A aplicação dos inversores de freqüência, surge da necessidade de se

converter um sinal de tensão constante em um sinal de tensão alternado com o
formato de uma onda senoidal, ou a partir de uma tensão alternada com uma
determinada freqüência conseguir uma forma de tensão alternada com outro
valor de freqüência.
Hoje em dia os motores de indução possuem grande aplicação no setor
da indústria, no entanto temos que seu modo de operação depende da forma
de tensão que o mesmo recebe, sendo que a velocidade de operação do
mesmo assim como seu conjugado depende dos valores de freqüência e
amplitude do sinal de tensão que alimenta o motor. No entanto, a energia
elétrica que recebemos em nossas residências e indústrias, chegam até nós
com valores fixos de freqüência e tensão, então quando necessitamos controlar
a velocidade de um motor por exemplo, precisamos dos inversores de
frequência para realizar a conversão da forma de tensão aplicada ao motor e
assim controlar sua velocidade[3].
As principais formas de produção e de transmissão de energia elétrica
são nas formas de tensão alternada, portanto praticamente tudo que
conhecemos de aparelhos elétricos e eletrônicos funcionam sob a forma de
tensão alternada ainda que muitos dos mesmos utilizem de fontes para
converter a tensão AC. Contudo muitas vezes a forma de energia que temos a
nossa disposição está sob a forma de tensão constante, como uma bateria, por
exemplo, por isso para utilizarmos de tal fonte precisamos adequar a mesma
as nossas necessidades, sendo assim o inversor de freqüência realizar esta
conversão fornecendo uma tensão alternada a partir de uma fonte de tensão
constante.
Com o aumento populacional e a evolução da tecnologia a demanda de
energia elétrica cresceu muito nos últimos tempos, então se passou a procurar
por novas formas de fontes de energia, como a conversão da energia solar em
energia elétrica, porém tal conversão de energia se da na forma de tensão

1
constante, por isso é necessário se realizar a conversão de energia para que a
mesma possa ser transmitida através do sistema de distribuição que funciona
sobre o principio de transmissão de corrente alternada.
O processo de conversão de tensão continua para tensão alternada não
é tão simples, por isso se investe constantemente em pesquisas para
aperfeiçoar os métodos de conversão. Outro fato é que na conversão de
energia sempre ocorrem perdas por parte dos componentes dos próprios
inversores por isso se buscam métodos que minimizem a perda de energia em
um conversor a fim de se obter um melhor aproveitamento de energia.
Com o avanço da eletrônica esta se tornando possível melhorar cada
vez mais os processos de conversão, a pesar das técnicas e métodos de
conversões serem os mesmos de tempos atrás, a melhoria e o surgimento de
novos componentes eletrônicos tem tornado tais métodos cada vez mais
eficientes.
A principal metodologia utilizada em inversores é a modulação PWM
senoidal e todas as suas variantes. A eficiência de funcionamento desta técnica
depende sobe tudo da freqüência de chaveamento em que o inversor pode
operar, tal característica está diretamente ligada, ao tempo de resposta dos
dispositivos eletrônicos presentes nos inversores, com o avanço tecnológico a
capacidade de respostas dos mesmos esta cada vez maior, possibilitando
assim a utilização de altas freqüências na modulação PWM e como
conseqüência, melhorando a capacidade dos inversores.

2
 2. Revisão de Literatura

As principais metodologias sobre inversores de freqüência se baseiam

na aplicação de um sinal de tensão pulsada sobre uma carga, a fim de se
conseguir uma forma de onda alternada possa ter se conteúdo harmônico
atenuado por um filtro passa baixa, com o intuito de obter uma forma de onda
puramente senoidal ou pelo menos com baixa taxa de distorção.
De posse de uma fonte de tensão constante se utilizando de transistores
na condição de chaves, é possível controlarmos a forma com que essa tensão
é aplicada sobre a carga realizando os disparos das chaves da maneira
adequada, conseguindo assim sobre a carga uma forma de onda pulsada.
Uma das principais configurações utilizadas para se conseguir realizar o
controle de tensão sobre a carga esta representada pela figura 2.1, esta
configuração é conhecida por topologia ponte H.

Figura 2.1- Modelo ponte H

Através de uma lógica de controle adequada podemos produzir um sinal
de onda pulsada e alternada sobre a carga.

3
 2.1. Modulação PWM

Quando temos um sinal de onda quadrada, a razão entre o tempo em

que o sinal permanece em nível alto pelo período do sinal, é chamado de razão
cíclica, isto pode ser visualizado na figura 2.2, sendo o valor da razão cíclica
dado pela equação 2.1

Figura 2.2 - Razão Ciclica

(2.1)

A modulação PWM consiste em aplicar um sinal de onda retangular de

período constante, porém com razão cíclica variável, sendo que o valor da
razão cíclica é proporcional a um sinal de referência.
Uma maneira de se gerar um sinal PWM é comparar um sinal de
referencia com um sinal de onda triangular, sendo em que esta é uma
comparação simples em que quando a onda de referencia possui valor maior
do que o da onda triangular o sinal de saída assume valor alto caso contrário
valor baixo, a freqüência do PWM é determinada pela freqüência da onda
triangular que é chamada de portadora, já a razão cíclica em determinado
instante depende do valor da onda de referência naquele determinado instante.

4
 Figura 2.3 - Sinal PWM gerado com onda triangular

2.2. Técnicas PWM senoidal

Na figura 2.4 temos um exemplo de uma modulação PWM, em que é

utilizada uma onda quadrada de 10 kHz em que sua razão cíclica varia de
acordo com uma senoide de 1kHz.

Figura 2.4-PWM Senoidal Bipolar

5
 Tal forma de onda pode ser obtida utilizando uma onda triangular
chamada de portadora com uma freqüência de 10 kHz, sendo comparada com
uma onda senoidal chamada de modulante que possui freqüência de 1kHz,
com visto na figura 2.4.
A forma de onda obtida diretamente da comparação entre as duas
formas de ondas produz a lógica utilizada pra acionar os MOSFETS T1 e T3
em contrapartida um sinal complementar a este deve ser produzido para gerar
os pulsos que acionaram os mosfets T2 e T4 da figura 2.1. Esta técnica é
conhecida com modulação senoidal PWM bipolar [1].
Um fator que ajuda a avaliar a eficiência da modulação é o índice de
modulação expresso pela equação 2.2.

(2.2)

Neste trabalho utilizaremos a técnica de modulação senoidal PWM

unipolar, em que o grande diferencial com relação a técnica de modulação
PWM senoidal bipolar é a geração de uma roda livre para a corrente que
circula pela carga, ou seja, aplicação de 0V sobre a carga, sendo que para o
semi ciclo em que a onda senoidal possui valores positivos temos a comutação
da tensão na carga entre Vcc e 0V, já para o semi ciclo negativo da onda
senoidal temos a comutação da tensão na carga entre 0V e -Vcc como pode
ser visualizado na figura 2.5.[26]

6
 200

150

100

50

Tensao (V)
0

-50

-100

-150

-200
0 0.5 1 1.5
tempo (ms)

Figura 2.5 - Modulação PWM senoidal unipolar

Podemos verificar que quando as chaves T1 e T3 estão acionadas, esta

sendo colocada sobre a carga uma tensão de Vcc, já quando as chaves T2 e
T4 são acionadas a mesma tensão é colocada sobre a carga, porém com
polaridade oposta, sendo assim surge uma tensão de -Vcc sobre a carga. No
entanto quando as chaves T1 e T2 são acionadas simultaneamente, ou quando
as chaves T3 e T4 são acionadas simultaneamente, criamos um caminho de
roda livre para a circulação da corrente na carga, sendo a mesma sujeita a uma
tensão de 0 V.
Se imaginarmos essa forma de onda aplicada a uma carga indutiva
como um motor, por exemplo, temos a seguinte situação:

Figura 2.6 - Inversor alimentando carga indutiva

7
 Figura 2.7 - Ondas de tensão e corrente sobre carga indutiva
Como a tensão sobre uma carga indutiva é proporcional a derivada de
corrente, como descreve a equação 2.3 quando se aplica uma tensão positiva
constante sobre a carga a corrente cresce linearmente e quando aplicamos
uma tensão negativa constante a corrente decresce linearmente e na ausência
de tensão a derivada de corrente é zero por isso a corrente permanece
constante. [8]

(2.3)

É interessante notar que a forma da corrente se aproxima de uma onda

senoidal e esta perfeitamente atrasada 90º com relação ao sinal de tensão.
Como base nisso podemos ter oito situações distintas.
Primeiro quando a corrente tem sentido positivo e as chaves T1 e T4
estão conduzindo a corrente circula pelas chaves e a tensão sobre o motor
possui valor igual a V+.

8
 Figura 2.8 - Circulação de corrente sobre as chaves 1

Quando a corrente tem sentido positivo porem as chaves T1 e T2 estão

acionadas é gerado um caminho de roda livre, tendo uma tensão nula sobre a
carga e a corrente circula por T1 e o diodo em paralelo a T2.

Figura 2.9 - Circulação de corrente sobre as chaves 2

Quando a corrente é positiva e conduzimos T2 e T4 geramos uma
tensão negativa V- sobre o motor, sendo que a corrente circula pelo diodos em
paralelo as chaves T2 e T4.

Figura 2.10 - Circulação de corrente sobre as chaves 3

9
 As chaves T3 e T4 sendo colocadas em condução e a corrente
permanecendo positiva a corrente de roda livre circula por T3 e pelo diodo em
paralelo a T4.

Figura 2.11 - Circulação de corrente sobre as chaves 4

Tendo agora que a corrente circula em sentido negativo, quando
acionamos T1 e T3 a carga esta submetida a uma tensão positiva V+ e a
corrente circula pelos diodos em paralelo a T1 e T3.

Figura 2.12 - Circulação de corrente sobre as chaves 5

A corrente permanecendo em sentido negativo e acionando as chaves
T1 e T2 temos a roda livre pelo diodo em paralelo com T1 e pela chave T2.

10
 Figura 2.13 - Circulação de corrente sobre as chaves 6
Agora disparando as chaves T2 e T4 teremos sobre a carga uma tensão
negativa de V- , sendo que a corrente ira circular pelas chaves T2 e T4.

Figura 2.14 - Circulação de corrente sobre as chaves 7

Por fim, a corrente permanecendo negativa e dispararmos as chaves T4
e T3, a corrente ira circular pelo diodo em paralelo a T3 e pela chave T4.

Figura 2.15 - Circulação de corrente sobre as chaves 8

A realização da lógica de controle necessária para gerar tal forma de
onda, é um pouco mais complexa que a apresentada para a modulação PWM
senoidal bipolar [1].

11
 Primeiramente é necessário gerar dois sinais de onda senoidal idênticos
em valores de amplitude e freqüência, no entanto eles devem estar defasados
de 180º. Com isso realizamos a comparação de nossa onda triangular de
referencia com ambas as ondas de forma senoidal.
Teremos quatro tipos de comparação, sendo que cada uma das
comparações ira gerar o sinal de controle de um dos MOSFETS.
Na primeira comparação temos que a onda senoidal é comparada com a
onda triangular, sendo que nesta comparação quando o sinal de tensão da
onda senoidal for maior que o da onda triangular o nível lógico de saída do
comparador será alto e caso contrário será baixo, sendo assim gerado o sinal
do MOSFET T1 com mostrado na figura 2.16.

Figura 2.16 - Geração do sinal T1

No segundo comparador iremos comparar a onda senoidal com a onda
triangular mas utilizando lógica contraria ao do primeiro comparador, ou seja,
quando a onda senoidal for maior que a onda triangular o nível lógico de saída
do comparador será baixo e caso contrário alto, assim geramos um sinal de
saída complementar a T1 que será o sinal de T4 como pode ser observado na
figura 2.17.

12
 Figura 2.17 - Sinal de controle de T4
Ao aplicarmos tais sinais nas chaves, será obtido entre as chaves T1 e
T4 uma forma de onda como a que se segue na figura 2.18.

Figura 2.18 - Tensão entre as chaves T1 e T4

No terceiro comparador, iremos comparar a onda senoidal defasada de
180º, com a onda triangular da portadora sendo que, quando o nível de tensão
da onda senoidal for maior do que ao da onda triangular o nível lógico de saída
do comparador será baixo, caso contrário será alto como visto na figura 2.19.
sendo este o sinal de controle de T2.

13
 Figura 2.19 - Sinal de controle de T2
No quarto comparador, iremos comparar a onda senoidal defasada de
180º, com a onda triangular da portadora, sendo que, quando o nível de tensão
da onda senoidal for maior do que ao da onda triangular o nível lógico de saída
do comparador será alto, caso contrário será baixo gerando assim um sinal de
controle complementar a T2 como visto na figura 2.20 sendo este o sinal de
controle de T3.

Figura 2.20 - Sinal de controle de T3

Ao se aplicar estes pulsos sobre as chaves T2 e T3 a forma de onda de
tensão que surge entre as chave pode ser visualizada na figura 2.21.

14
 Figura 2.21 - Sinal de tensão entre as chaves T2 e T3
No entanto a tensão que surge sobre a carga é igual a diferença de
potencial ente tensão entre as chaves T1 e T4, e a tensão entre as chaves T3 e
T2 como pode ser visualizado na figura 2.22.

Figura 2.22 - Tensão de saída

Podemos verificar que quando as chaves T1 e T3 estão acionadas, está
sendo colocada sobre a carga uma tensão de Vcc, já quando as chaves T2 e
T4 são acionadas a mesma tensão é colocada sobre a carga porém com
polaridade oposta, sendo assim surge uma tensão de -Vcc sobre a carga. No
entanto quando as chaves T1 e T2 são acionadas simultaneamente, ou quando
as chaves T3 e T4 são acionadas simultaneamente, criamos um caminho de
roda livre para a circulação da corrente na carga, sendo a mesma sujeita a uma
tensão de 0 V. [26]

15
 Fazendo uma analise gráfica das formas de onda dos sinais de controle
das chaves utilizando como onda de referencia um sinal senoidal de 2.4 V de
amplitude e freqüência de 1 kHz, sendo a onda portadora uma onda triangular
com amplitude de 2,6 kHz e freqüência de 10 kHz, é possível verificar a forma
de onda de tensão sobre a carga, figura 2.22.
É interessante notar que devido a tal técnica de controle, a freqüência de
comutação entre um estado e outro tem o dobro da freqüência da onda
triangular portadora.

2.3. Analise Espectral modulação senoidal PWM unipolar

A forma de onda obtida na saída ainda é uma onda quadrada, porém

com razão cíclica variável de acordo com a amplitude de uma onda senoidal
sendo o mesmo um sinal periódico com período igual ao da onda senoidal de
referencia, sendo assim o mesmo pode ser expandido em serie de Fourier [6].

(2.4)
Onde T é o período da onda são as amplitudes de suas componentes
harmônicas calculadas pela equação (2.5).

(2.5)

Devido a forma de onda do sinal de saída ser complexa é difícil ser

calculada suas componentes da serie de Fourier, por isso se faz uso do de
métodos numéricos para se realizar a analise espectral da mesma. Nota-se
que o sinal de saida possui um conteúdo harmônico relativamente baixo sendo
possível a utilização de filtros passivos para a eliminação do mesmo.

16
 Assumindo que a onda da figura 2.22 é um sinal periódico com
freqüência de 1kHz podemos calcular seu espectro de freqüência, assumindo
um período de 1 ms e utilizando o software matlab conseguimos o espectro de
freqüência do mesmo representado na figura 2.23 em que temos as cinqüenta
primeiras componentes harmônicas múltiplas da freqüência fundamental do
sinal.

Figura 2.23 - Harmônicas para portadora de 10kHz.

Neste gráfico é importante observar que a componente harmônica na
freqüência fundamental tem amplitude quase igual ao nível de alimentação do
inversor e que as demais componentes harmônicas possuem amplitude bem
menor se comparadas a componente fundamental. No entanto, aumentando a
freqüência da portadora para 20 kHz e 30 kHz e fazendo a análise, encontra-se
os gráficos presentes na figura 2.24 e 2.25.

Figura 2.24 - Harmônicas para portadora de 20 kHz

17
 Figura 2.25 - Harmônicas para portadora de 30 kHz

Um fator importante, é que, as harmônicas com maiores valores de

amplitude se posicionam ao redor da freqüência que é o dobro freqüência da
onda portadora, portanto para maiores valores de freqüência portadora temos
uma menor quantidade de harmônicas de baixa freqüência isto facilita a ação
dos filtros passa baixo utilizados para filtrar tais harmônicas, gerando assim um
sinal de saída com menor distorção harmônica, portanto quanto maior a
freqüência da onda portadora melhor o desempenho do inversor, contudo, a
freqüência de operação do inversor esta limitada pelo tempo de resposta dos
componentes do mesmo, tais como dos MOSFETS utilizados como chave,
como também dos comparadores utilizados no circuito de controle dos
componentes do circuito de drive.

2.4. Taxa de distorção harmônica

A taxa de distorção harmônica é um indicativo de quanto a forma de

onda de um sinal é distorcida. Trata-se de um índice que nos fornece uma
indicação do conteúdo harmônico presente em nosso sinal, por meio deste
índice verificamos se um sinal apresenta muita distorção, ou se o nível de
distorção apresentado é aceitável para determinadas aplicações, sendo que
existem normas pré estabelecidas que nos dão tal indicativo.

18
 De acordo com a norma IEC 61000-2-2 de distorção harmônica é
definida pela equação (2.6)[5].

(2.6)
Onde é o valor eficaz da harmônica de n-ésima ordem e V1 é o valor
eficaz da harmônica de freqüência fundamental.
A norma IEC 61000-2-2 [5] permite que se utiliza-se até os harmônicos
de ordem n igual a 50.
Se calculada a TDH para ondas apresentadas anteriormente geradas a
partir de onda portadora triangular de amplitude 2,6 V e amplitude de referencia
de 2,4 V com freqüência de 1 kHz, terá que para portadora de 10kHz a TDH
igual a 0,57 já para uma portadora com freqüência de 20 KHz a TDH é igual a
0,53 e para portadora de freqüência de 30 kHz a TDH é igual a 0,47 , ou seja,
para maiores valores de freqüência da portadora espera-se menor distorções.

19
 3. Desenvolvimento

3.1. Inversor

O inversor tem por finalidade gerar em sua saída um sinal de tensão

senoidal a partir de uma fonte de tensão continua. Para se conseguir tal fato se
utiliza de técnicas de modulação que tem por finalidade controlar a aplicação
de pulsos de tensão continua sobre a carga a fim de proporcionar a mesma
uma tensão alternada que com a utilização de filtros pode ter seu conteúdo
harmônico atenuado a fim de obter em sua saída um sinal puramente senoidal.
Neste projeto iremos utilizar a topologia de modulação PWM senoidal
unipolar. Nesta topologia o que se faz é aplicar pulsos de tensão com largura
de pulso variável sobre um filtro passa baixa que tem a função de rejeitar a as
componentes harmônicas indesejadas visando transferir para a carga, um sinal
senoidal com a menor distorção possível. O sinal pulsado aplicado é de
freqüência extremamente elevada e sua largura de pulso varia de acordo com
a onda senoidal desejável na saída que possui freqüência bem inferior.
O circuito que será utilizado esta representado na figura 3.1. Trata-se da
utilização da topologia full-bridge, alimentado por uma fonte de tensão DC, com
um filtro passa baixa para adequar o sinal de saída.

Figura 3.1 - Inversor em ponte com filtro

20
 Os transistores MOSFETS presentes no circuito, operam no mesmo na
condição de chaves, estando em corte ou saturação, sendo que na saturação o
potencial entre dreno e source é praticamente zero e estando em corte é como
se o MOSFET fosse um circuito aberto [2].
Este presente circuito possui quatro estados de operação distintos. Em
um determinado momento temos os MOSFET T1 e T3 acionados, com isso
uma tensão positiva de Vcc é aplicada sobre a carga, em um segundo
momento os MOSFETS T4 e T3 são colocados em condução criando assim
uma condição de roda livre para a corrente, gerando uma tensão de 0V sobre a
carga, já em um terceiro estado os MOSFETS T2 e T4 são colocados em
condução, fornecendo assim uma tensão de -Vcc sobre a carga, em um quarto
estado quando T1 e T2 são colocados em condução também ocorre a situação
de roda livre gerando assim uma tensão de 0V sobre a carga.
Para a escolha dos MOSFETS que irão atuar como chaves deve-se
levar em conta a corrente que passará pelos mesmos, a tensão máxima que
cada um irá ficar submetido como também o tempo de resposta de cada um,
visto que eles devem ser capazes de comutar dentro da freqüência de 100 kHz.
Tendo que a potência máxima do inversor é de 500 W com isso se
calcula a corrente para uma carga resistiva com fator de potencia igual a 1.

(3.1)

Sendo assim nossa corrente de pico será dada pelo valor da corrente
eficaz multiplicado por um fator igual a raiz quadrada de dois.

(3.2)

21
 O MOSFET deve suportar tal corrente.
Quando uma chave esta em corte a chave complementar a ela está em
condução sendo assim a tensão máxima que esta submetido uma chave é a
tensão da fonte de alimentação menos a queda de tensão entre os terminais de
dreno e fonte da outra chave, com isso pode se considerar uma máxima tensão
de 200V que é a tensão de alimentação do inversor.[8]
Devido a tais características optou-se por utilizar o MOSFET IRF 840
[23] que pode suportar uma tensão de 500 V e uma corrente de 8 A e seu
tmepo de resposta é de 3,5 V/ns.

3.1.1. Snubbers

Devido as indutâncias e capacitâncias parasitas presentes nos

semicondutores e no circuito de uma forma geral, durante a comutação das
chaves ocorrem oscilações de alta freqüência sobre as mesmas, por isso se
faz uso de circuitos que visam minimizar a presença de tais oscilações, que
podem gerar tensões de pico e assim danificar os semicondutores.
Os circuitos utilizados para minimizar tal efeito são conhecidos como
“snubber” sendo estes colocados em paralelo com o semicondutor como pode
ser visualizado na figura 3.2.

Figura 3.2 - Snubber

22
 Este circuito faz com que, quando a chave que está conduzindo fique
bloqueada a tensão não sofra uma variação imediata mais sim determinada
pelo carregamento do capacitor, assim não ocorrem oscilações muito grandes
na tensão.
O método utilizado para projetar os componentes do snubber consiste
em, primeiro determinar a máxima potência dissipada no resistor do snubber,
em nosso caso tomamos com referencia uma potencia de 1W, o seguinte
passo é determinar a máxima tensão sobre a chave e consequentemente sobre
o resistor que no caso é a tensão de alimentação do inversor, ou seja, 200 V.
Utilizando da equação 3.3 calculamos o resistor.

(3.3)

O valor comercial de resistor mais próximo e superior a este valor é 47

kΩ, sendo adotado este valor.
Para calcular o capacitor deve-se admitir a menor tensão que este deve
atingir durante o período em que a chave está fechada, sendo que este valor
não pode estar muito abaixo da tensão de alimentação. Vamos assumir um
valor de 90 % da tensão total, ou seja, 180 V. Levando em consideração que o
período de chaveamento é de 10 us, e nos utilizando da equação de
descarregamento do capacitor dada pela equação 3.4.

(3.4)

Como é igual a 200 V o tempo t é igual a 10µs e a mínima

tensão atingida é 180 V temos que:
23
 O valor de capacitor que dispomos no laboratório com valor mais
próximo a este é de 22 nF sendo este o valor escolhido para o snubber.[4]

3.2. Filtro de saída

Poderia ser gerado um sinal senoidal a partir de um sinal de tensão

quadrada com razão cíclica de 0.5 por exemplo, por meio da utilização de
filtros, no entanto quando levamos em conta uma carga que consome grande
potência, as dimensões dos componentes que constituem o filtro tornariam o
projeto inviável, no entanto devido a modulação PWM senoidal, conseguimos
uma forma de onda com teor harmônico muito menor, facilitando assim a ação
dos filtros Na estrutura do inversor existe a presença de um filtro passivo
projetado com indutores e capacitores. Trata-se de um filtro passa baixa que
tem por finalidade eliminar as componentes harmônicas de alta freqüência do
sinal de saída, deixando apenas a componente fundamental da forma de onda,
que é uma onda senoidal com a mesma freqüência do sinal de tensão
modulante.
A utilização de um filtro simples através de um indutor e um capacitor
não é recomendada, por isso faz-se uso da topologia que pode ser visualizada
na figura 3.1. Nesta topologia quando tomamos o equivalente de Thevenin os
capacitores são vistos pela carga como se estivessem em paralelo com ela e
os indutores em serie, portanto a expressão para a função de transferência do
filtro pode ser dada pela equação 3.5.[5]

24
 (3.5)
Da equação 3.5 pode-se chegar ao calculo da freqüência de corte do
filtro dada pela equação 3.6:

(3.6)
Também é possível obter o fator Q dado pela equação 3.7:

(3.7)
É interessante buscar um fator Q igual a 0,707 que produz assim um
filtro passa baixa com característica de Butterworth, no entanto devido ao fato
do fator Q depender da carga sendo esta variável, então adota-se para projeto
a maior carga que nosso inversor irá alimentar.

3.2.1. Indutor

Segundo [5] a freqüência de chaveamento deve ser de pelo menos 10

vezes a freqüência do filtro, por isso optou-se por utilizar um filtro na freqüência
de 5 kHz visto que a freqüência da onda portadora triangular é de 100 kHz, e
que para a construção de um filtro de menor freqüência de corte é necessário
indutores e capacitores de valores de indutância e capacitância muito elevados
tornando sua construção inviável.
Em nosso projeto buscamos construir um filtro com freqüência de corte
de 5 kHz, devido a geometria do inversor foi adotado o núcleo de ferrite EE
30/15/7 [24] para as construção dos indutores. Verifica-se que o núcleo
escolhido possui um Ap igual a 0,71 [24], com base neste valor se calcula
a maior energia que este núcleo suporta.

25
 (3.8)

Onde E é a energia máxima no núcleo

Ku é o fator de utilização das janelas;
Kj é o coeficiente de densidade de corrente nos fios;
Bmax é a máxima densidade de fluxo magnético
Sendo z=1/(1-x) onde x é dado pela tabela 3.1.

Tabela 3.1 - Coeficiente de densidade de corrente nos fios[4]

Núcleo Kj X
20 ºC< < 60ºC
POTE 74,78. 0,17
EE 63,35. 0,12
X 56,72. 0,14
RM 71,70. 0,13
EC 71,70. 0,13
PQ 71,70. 0,13

Com este valor de energia se calcula o valor da indutância.

(3.9)

26
 A corrente de pico sobre a carga é igual a 6,41 A, contudo é importante
adotar um valor de corrente 20 % maior para melhor segurança no projeto.

O próximo passo é o calculo do fator de indutância do indutor.

(3.10)
Consultando o catalogo do fabricante encontramos que Ae é igual a 60
e utilizando Bmax com sendo 0,3 T encontra-se o fator de indutância Al.

No entanto o valor do fator de indutância do fabricante é 1800 nH/esp 2,

por isso se faz uso de um entreferro.

(3.11)

Onde: = 4.π.
Al=
Ae=60
le=67 mm

(3.12)
27
 Onde é o comprimento do entreferro

Sabendo os valores do fator de indutância e a indutância pode-se

calcular o numero de espiras.

(3.13)

Neste caso opta-se por utilizar 26 espiras.

Deve-se calcular a densidade de corrente que irá passar pelo indutor

(3.14)

Sendo J a densidade de corrente:

Utilizando o valor eficaz de corrente se calcula a área de cobre (Acu)

necessária para suportar tal corrente:

Fazendo uso do fio AWG 23 que possui um secção transversal de

0,002582 calcula-se o numero de fios necessário para suportar a corrente.

28
 Neste caso opta-se por utilizar 5 fios.[4]

3.2.2. Capacitor

As indutâncias dos dois indutores são 58 uH portanto a indutância

equivalente do filtro é dada pela soma das indutâncias devido a sua
configuração em serie com a carga, sendo igual a 116 uH. De posse deste
valor pode-se calcular o valor da indutância equivalente do filtro;

Devido a configuração de nosso filtro temos que cada capacitor deve

possuir um quarto desta capacitância portanto cada capacitor deve possuir
uma capacitância de 2,19 µF.
Por não se encontrar capacitâncias com valores comerciais neste valor
de capacitância optou-se por utilizar capacitâncias de 1 µF em paralelo,
gerando uma capacitância equivalente de 2 µF, sendo este um valor muito
próximo do encontrado.[4]

3.2.3. Resposta do Filtro

Após construídos os indutores verificou-se que suas indutâncias

correspondiam aos valores de 57,6 µH e 58,5 µH. os capacitores utilizados
também não possuem a capacitância exata calculada mas um valor próximo

29
logo pode-se notar que existe uma pequena variação do modelo de filtro
idealizado para o modelo real.
Utilizando do modelo matemático do filtro dado pela equação 3.5 temos:

Considerando uma carga de 25 Ω e levando em consideração que:

Chegamos ao seguinte modelo de filtro:

Temos que:

Esta freqüência é um pouco mais elevada que a freqüência de corte

planejada inicialmente de 5 kHz, porém este valor é próximo o suficiente do
valor que necessitamos visto que este é um filtro passa baixa onde desejamos
eliminar freqüência diferentes de 60 Hz.
O fator de mérito do circuito por sua vez é dado por:
30
 Este valor encontrado é um pouco elevado o ideal era que fosse igual a
0,707, entanto ele não afeta muito o funcionamento do circuito sendo possível
compensá-lo em um controle de malha fechada.
Utilizando o modelo matemático desenvolvido e o software matlab pode-
se obter o diagrama de bode do filtro, sendo este visualizado na figura 3.3.

Figura 3.3 - Resposta do filtro

Como podemos observar se trata de um filtro passa baixa de segunda
ordem, em que após a freqüência de corte tem uma queda de 40 dB por
década.

3.3. Circuito de Controle

O circuito de controle tem por principal finalidade gerar os pulsos

necessários para a modulação senoidal de maneira adequada.

31
 O principio de geração dos pulsos está em comparar um sinal senoidal
de referencial com uma onda triangular, portanto, o passo inicial é gerar a onda
triangular portadora para a comparação e geração do sinal PWM.
O circuito integrado NE566 pode ser utilizado para a geração do sinal de
onda triangular portadora. O capacitor C e o resistor R, como a tensão V5 são
responsáveis por realizar o controle da freqüência do sinal sendo relacionados
pela equação 3.15 [9].

(3.15)

Utilizando se de um trimpot no resistor R e no divisor de tensão que

determina a tensão em V5 pode-se ajustar com precisão a freqüência desejada
como é possível visualizar na figura 3.4.
V1
12Vdc R1
22k
SET = 0.5

6V

R3
100k
C1
C3 U1 47p U2A
4

5.6n 5 3 C4 TL074A
6 MOD SQWOUT 4 3 TRIANG
TRES TRWOUT +
7 1
TCAP 47u
2
-
LM566C OUTPAD
R2 C2
11

10k 2.2n
SET = 0.5

0 0

Figura 3.4 - Gerador triangular

32
 12V
10k
POT
3 1
12V
6V 12V

2
0 U3A

4
R11 U3C

4
C2 1k 3 trian_port
10 R8 + 1
+ 8 2
triangular
1n
9 -
- 3k3
TL074

11
TL074

11
0
0

2
1 3

10k
POT

Figura 3.5 – Adequação da triangular

Após a geração do sinal de onda triangular o mesmo passa por um
estagio que adequada o sinal triangular gerando um sinal triangular com nível
DC de 6V e em seguida ele passa por um estagio onde sofre uma adequação
em seu valor de amplitude [10][7].
O sinal de referência de 6V foi gerador através de um TL431[25].
Deve-se adequar o sinal de referência senoidal para que seja realizada a
comparação, portanto existe um estágio para a adequação de nível DC da
onda senoidal pra que a mesma esteja no mesmo referencial que a onda
triangular, para que a comparação seja realizada de maneira simétrica. O
próximo passo é realizar a geração da onda senoidal complementar, para isso
se utiliza de um estágio amplificador inversor com ajuste de ganho e nível DC,
por meio de potenciômetros, assim pode-se colocar as duas ondas
complementares no mesmo referencial da onda triangular portadora, e fazer
com que elas tenham a mesma amplitude estando perfeitamente defasadas de
180º. Para tal tarefa se utiliza de amplificadores operacionais com configuração
de amplificador inversor com ajuste de offset, isto pode ser visualizado na
figura 3.5 [7].

33
 12V
12V R6
R3 10k
10k 3 1
3 1 12V
12V

2
6V 12V

2
0 U1B

4
0 U1A

4
R7 U1C 5
+

4
C1 1k 3 R4 7
10 R1 + 1 6
+ 8 2 -
1n - 3k3
ref 9 TL074

11
- 3k3
TL074

11
TL074
11
0
0 10k

2
0 POT snoide_c

2
1 3
1 3

10k
POT senoide

Figura 3.6 - Adequação dos sinais para comparação

Em seguida vem o processo de comparação entre os sinais. Primeiro
iremos comparar o sinal de referencia com a onda portadora triangular sendo
que nesta comparação o sinal de saída deve ser alto quando o valor da onda
de referencia for maior do que a da onda triangular. Em um outro comparador
realizamos a comparação mas com as entradas trocadas, assim o nível alto de
saída no comparador acontece quando o sinal de referência é menor que o
sinal da portadora. Com estas duas comparações geramos os sinais para as
chaves T1 e T4. No segundo processo as outras duas comparações são iguais
porém para a comparação se utiliza do sinal complementar ao sinal de
referência, gerando assim os pulsos para T2 e T3.
Antes que estes sinais sejam enviados para os circuitos de drive e
inversor, no entanto, eles devem passar por um estagio de adequação que visa
proteger o inversor de curtos circuitos entre chaves. O circuito tem por objetivo
impedir que uma chave entre em condução quando a sua chave complementar
ainda estiver em condução. Este circuito gera um pequeno atraso no sinal de
acionamento das chaves para que as mesmas só entrem em condução quando
sua complementar estiver completamente bloqueada, porém este atraso não
pode ser muito grande para que não gere imperfeição nos sinais PWM e por
conseqüência, leve a realização de um sinal de saída com distorção.
Utilizando do circuito da figura 3.7 quando o pulso de T1 que esta em
nível alto comuta de para nível lógico baixo, ao atingir nível zero a porta
inversor ligada a este irá para nível lógico alto, então através de um circuito RC
e de uma porta lógica AND se cria um circuito habilitador para o pulso T4

34
complementar a este. Quando s situação é inversa, ou seja, T1 esta em nível
baixo e irá comutar para alto, mesmo que a saída do comparador responsável
por gerar a lógica de comutação de T1 esteja em nível lógico alto, a saída da
porta AND correspondente ao pulso T1 só ira comutar para nível lógico alto
quando o sinal de T4 habilitar a porta AND através do circuito RC[13][12][11].

12V
12V
U12
senoide U10 1
5
6
8 R20 3
2 1k 2
+ 7
1k AND2 T1
3
-
1k R24 U14
trian_port LM311
4
1

C6 10k
3 12 1
0
1n

2
0 INV
R25 U15
12V
12V C5 10k
3 12 1
0R23
U11 1n
5
6
8

1k
2

2 1k
+ 7 INV
3
- U13
1k LM311 1
4
1

3
2

AND2 T4

Figura 3.7 - Comparadores PWM

Outro circuito idêntico ao da figura 3.6 é utilizado substituindo a onda de
referencia senoidal pela sua complementar que é idêntica a está porém
defasada de 180º, para geração dos pulsos das chaves T2 e T3.
Utilizou-se de potenciômetros nos circuitos de atraso RC para que se
pudesse encontrar o melhor ajuste das resistências do circuito, proporcionando
o maior atraso entre as chaves mais que não cause uma grande distorção no
sinal de saída.

3.4. Circuito de Drive

O circuito de drive é utilizado para realizar a polarização dos mosfets

utilizados como chaves no inversor. Os mosfets operam em dois possíveis
estados no inversor, estando em corte ou em saturação.
Os sinais provenientes dos circuitos de controle devem ser
condicionados, para que possam realizar os disparos dos mosfets. Isto é

35
necessário, pois os mosfets necessitam de um nível de tensão entre seus
terminais de gate e source para que entre em saturação, sendo também
interessante propiciar um sinal de tensão negativo entre os mesmo para
garantir que os mesmos permaneçam em corte nos períodos de tempo em que
não devem conduzir. Contudo devido a estrutura do inversor temos que os
mosfets estão posicionados de tal maneira que estejam em níveis de potenciais
diferentes, como os sinais oriundos do circuito de controle estão todos sobre
um mesmo referencial e os mesmo não possuem níveis altos de tensão mas
apenas níveis lógicos (0 e 5V) que representam os dois modos de operação do
mosfet, então se faz uso de um circuito responsável por interpretar tal lógica e
assim, proporcionar os níveis de tensão necessários sobre os terminais de gate
e source dos mosfets.
O circuito proposto para realização do condicionamento dos sinais de
controle e disparo dos mosfets está representado na figura 3.8.

Figura 3.8 - Circuito de Drive

No presente circuito temos que o pino 3 do optoacoplador [14]está ligado

ao referencial do circuito de controle sendo que o restante do circuito esta
conectado a uma fonte de alimentação de 15 V isolada. O pino 2 do
optoacoplador esta ligado a um resistor que por sua vez é ligado a um dos
sinais de controle, quando obtivermos um nível de 5 V no sinal de controle o
diodo interno do optoacoplador entra em condução e devido ao acoplamento
ele faz com que o transistor entre em saturação, com isso a saída do
optoacoplador é levada ao nível de 3,3 V assegurado pelo diodo zener Z4 no
36
pino 5, este sinal vai para o circuito inversor[17], sendo um nível lógico baixo,
portanto ele responde em sua saída com nível lógico alto de aproximadamente
15 V este sinal faz como que o transistor PNP [18]entre saturação, temos
assim na saída um sinal que é dado pela diferença entre o potencial de 15 V e
o de 3,3 V sendo assim de aproximadamente 11,7 V tal sinal é aplicado entre
os terminais de gate e source do mosfet levando o mesmo à saturação.
Quando o sinal de controle, no entanto, possui um nível de 0V não há
condução do diodo interno ao optoacoplador, portanto o transistor permanece
em corte, o nível de tensão no pino 6 é dado pela soma das tensões do diodos
zener Z2 e Z4 com isso temos um nível lógico alto na entrada do circuito
inversor que responde com um nível lógico de 0V sendo assim ele leva o
transistor NPN [19]a saturação e o transistor PNP [18] ao corte, com isso a
saída do circuito é dada pela diferença de potencial de 0V e 3,3V sendo assim
entre os terminais de saída surge uma tensão de -3,3V que faz com que o
mesmo permaneça em corte[15].
Cada um dos mosfets necessita de um circuito de drive, sendo assim
para cada um desses circuitos é necessário uma fonte isolada sendo
independentes entre si. O circuito utilizado para tais fontes esta mostrado na
figura 3.9.

Figura 3.9 - Fontes isoladas

37
 Neste circuito temos que o amplificador operacional que funciona como
um comparador, sendo que ele realiza a comparação entre um nível de tensão
DC, ajustado por um trimpot e uma onda triangular proveniente do circuito de
controle. Quando a onda triangular assume valores menores do que o nível DC
o amplificador operacional satura para a tensão de 12V e quando a tensão da
onda triangular tem níveis de tensão maiores que o nível DC o amplificador
operacional satura para a tensão de 0V, com resultado da comparação temos
na saída do amplificador operacional um onda pulsada com sendo seu ciclo
ativo (Duty cicle) dependente do nível DC, que pode ser ajustado pelo trimpot.
O sinal de saída do amplificador operacional é aplicado em um transistor
IRF540 [21], sendo que durante o ciclo ativo do sinal o transistor é colocado em
saturação com isso o transformador fica sujeito a uma tensão de 12V sendo
assim aparece um corrente de magnetização no enrolamento primário do
transformador que induz tensão nos enrolamentos secundários do
transformador, quando transistor esta em corte o enrolamento primário do
transformador agora esta sujeito à tensão do diodo zener e do diodo retificador
em série fazendo com que surja uma corrente de desmagnetização evitando
assim a saturação do núcleo.
Devido a relação de espiras dos enrolamentos primário e secundários,
surge uma tensão de 15 V nos enrolamentos secundários durante o ciclo ativo
dos pulsos, devido a conexão dos mesmos com diodos retificadores durante o
ciclo ativo os mesmo fornecem tensão ao circuito de drive e carregando um
capacitor, durante a desmagnetização do núcleo a tensão que surge nos
secundários é inversa sendo assim o diodo retificador permanece em corte
então quem exerce o papel de fornecer tensão ao circuito de drive é o
capacitor.
O circuito possui dois transformadores sendo cada um tendo
enrolamento primário de 29 espiras e dois secundários de 36 espiras sendo
ambos construídos com núcleo EE 25/10/6 [22] e fio AWG 23. Sendo assim
obtemos quatro fontes independentes e isoladas eletricamente sendo cada
uma alimentando um circuito de drive que realiza o controle de um mosfet.[16]

38
 4. Resultados e análise

4.1. Protótipos

4.1.1. Drive isolador de pulsos

A figura 4.1 mostra a foto do protótipo do drive isolador de pulsos.

Figura 4.1 - Protótipo do drive isolador de pulso

4.1.2. Inversor e filtro
A implementação do circuito inversor e do filtro foi feito com base em um
modelo genérico desenvolvido pelo orientador deste trabalho sendo apenas
necessária a determinação dos componentes a serem utilizados, apresentados
no desenvolvimento do circuito.

Figura 4.2 - Protótipo do inversor

39
 4.1.3. Circuito de controle

Foi realizada uma montagem em protoboard do circuito de controle para o

ajuste do mesmo.

4.2. Saídas dos Circuitos de controle e drive

4.2.1. Circuito de controle

Na figura 4.3 é possível visualizar a saída do circuito LM566 que gera a

onda triangula verificar que a frequencia da onda portadora é de 100 kHz.

Figura 4.3 - Triangular gerada pelo CI LM566

Após passar pelo estagio de adequação onda triangular obtida pode ser
visualizada na figura 4.4, podemos verificar que seu valor de pico a pico é 4,8 V
e que a mesma possui um nivel DC de 5.32 V, sendo esta a onda utilizada na
comparação para a geração do sinal PWM.

A figura 4.5 mostra a onda senoidal portadora utilizada para a

comparação, sendo que a onda senoidal proveniente de um gerador de
funções passa por um estagio de adequação para que a mesma possua um
nível DC de 5.32V assim como a onda triangular pois para a comparação é
necessário que ambas estejam no mesmo referencial.

40
 Figura 4.4 - Triangular na entrada do comparador PWM

Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparação PWM

Na figura 4.6 pode-se observar as duas ondas senoidais utilizadas para
a geração dos sinais PWM, nesta figura é interessante analisar como ambas as
ondas estão defasadas de 180º, possuindo a mesma amplitude e tendo o
mesmo nível DC de 6V.

41
 Figura 4.6 - Ondas senoidais defasadas 180º
As formas de onda da figura 4.7 representam aos sinais dos pulsos
necessários para acionar as chaves do circuito inversor, nela estão
representados os sinais de T1 e T4 em um momento em que o valor da onda
senoidal atinge seu pico negativo e com isso temos valores pequenos de razão
cíclica.

Figura 4.7 - Pulsos complementares T1 e T4

Na figura 4.6 podemos ver o momento em que a onda senoidal de
referencia esta proxima a seu valor de pico por podemos notar altos valores de
razão ciclica para T1.

42
 Figura 4.8 - Sinais dos pulso T1 e T4 razão cíclica alta.
Na figura 4.9 podemos verificar os sinais de onda enviados para as
chaves T1 e T2, nesta figura é possivel visualizar a diferença entre os dois
pulso. É interessante observar que quando as chaves T1 e T2 estão em
condução temos que se cria uma roda livre através dessas duas chaves, e com
isso uma potencial de 0V sobre a carga.

Figura 4.9 - Sinais de controle de T1 e T2

Diminuindo a escala de tempo no osciloscópio obtemos a figura 4.10
onde podemos perceber um pequeno atraso de comutação entre os pulsos
complementares, necessario para evitar curtos circuitos.

43
 Figura 4.10 - Pulsos PWM complementares com atraso

4.2.2. Drive isolador de pulso

A figura 4.11 mostra a forma de onda aplicada ao mosfet para que
ele gere o chaveamento sobre o transformador do circuito de drive.

Figura 4.11 - Pulso PWM mosfet (drive)

Na figura 4.12 pode-se observar o formato de onda sobre o primário dos
transformadores, sendo que a tensão de pico é a da própria alimentação
menos a queda de tensão sobre o mosfet, já o pico de onda negativo, quando o
transformador esta desmagnetizando, a tensão é igual as tensões dos diodos
zener colocados em paralelo com o primário do transformador.

Figura 4.12 - Tensão no transformador das fontes isoladas

44
 Os pulos da figura 4.13 mostram os sinais dos pulsos das chaves T1 e
T4 após passarem pelo circuito de drive e serem adequados, sendo estas as
ondas aplicadas sobre os mosfets do inversor.

Figura 4.13 - Pulsos PWM obtidos na saída do drive isolador de pulso

4.3. Resultados saída do inversor

Inicialmente ajustou-se os valores da frequência modulante (60 Hz), da

frequência da portadora (100 kHz), da carga (1 kΩ) e da amplitude da
portadora (5 V). Com isto alimentou-se o inversor com 30 V e realizou-se um
aumento da amplitude da onda senoidal modulante, monitorando através do
osciloscópio a tensão de saída do inversor até que tivesse perda da
modulação.

Figura 4.14 - Vin = 30V

Na figura 4.14 pode-se observar a tensão de saída saturada devido à
amplitude da onda senoidal ter ultrapassado os limites de amplitude da onda
45
triangular, com isto a razão cíclica atinge valor igual a um o que acarreta em
uma perda da modulação.

Após, isto reduziu-se lentamente o valor de amplitude da onda senoidal

de referencia, até que desaparece-se a distorção no sinal de saída, obtendo
assim a máxima tensão de saída sem distorção.

Figura 4.15 - Vin = 30V

Podem ser visualizadas na figura 4.16 as formas de onda das tensões

entre as chaves T1 e T4 e entre T2 e T3, como podemos visualizar elas
possuem amplitude próximas a 30 V que era a tensão de alimentação do
inversor no memento. A tensão de saída da ponte de transistores é igual a
diferença entre estas tensões, já a saída será esta tensão diferencial após
passar pelo filtro, resultando na forma de onda da figura 4.15.

Figura 4.16 - Tensões entre as chaves T1 e T4 e entre T2 e T3

46
 Tendo sido ajustada a onda modulante para se obter a melhor tensão de
saída, variou-se o valor da tensão de alimentação do inversor (Vin) e
monitorou-se as correntes de entrada, de saída e a tensão de saída.

Tabela 4.1 - Variação de tensão de entrada

Vin [V] Iin [mA] Iout [mA]

30 20 23
60 40 39
90 70 66
120 90 77
180 130 111
201 150 118

Os gráficos da tensão de saída capturadas do osciloscópio, estão

representados a seguir.

Figura 4.17 - Vin = 60V

47
Figura 4.18 - Vin = 90V

Figura 4.19 - Vin = 120V

Figura 4.20 - Vin=180 V

48
 Figura 4.21 - Vin=201 V
Com o intuito de se observar a resposta do inversor para uma variação
de carga resistiva, ajustou-se o inversor com uma tensão de entrada de até se
obter na saída um sinal com 110 V eficaz, sinal da portadora como sendo sinal
triangular de 5 V de pico a pico e freqüência de 100 kHz. Ajustou-se a
modulante acompanhando a tensão de saída a fim de se obter o maior valor de
amplitude sem distorção na tensão de saída. Utilizando como carga um
reostato de 1kΩ e máxima potencia de 1kW, alimentando-se o mesmo com o
inversor, e monitorando as correntes de entrada e saída, variou-se resistência
do reostato. Os resultados podem ser verificados na tabela 4.2.

Tabela 4.2 - Variação de carga (Vout=110 V RMS, fm=60Hz, fp=100kHz)

R [Ω] Iin [mA] Iout [mA]

1000 150 117
800 160 146
600 180 190
400 230 280
200 340 528
100 540 966

A fim de se avaliar o comportamento do inversor uma carga de caráter

indutivo, utilizou-se o inversor para alimentar um motor de indução monofásico
do fabricante Promec com as seguintes características:

 Rotação: 15000 RPM;

 Tensão de alimentação: 110 V;
 Potência: 150 W;
 Corrente: 1,4 A;

49
 Monitorando-se as correntes de entrada e de saída com a freqüência da
modulante mantida em 60 Hz, a freqüência da portadora em 100 kHz, realizou-
se uma variação na tensão de alimentação entre 60 e 120 V. Os resultados
obtidos estão na tabela 4.3.

Tabela 4.3 - Variação de tensão ( fm=60, fp=100k, carga indutiva )

Vin [V] Vout (V) Iin [mA] Iout [mA]

60 30 100 400
90 42 180 471
120 59 240 480
180 88 300 545
228 110 360 600

Na seguinte etapa realizou-se teste para avaliar o desempenho do

inversor com para variações na freqüência de modulção da onda portadora.

Inicialmente ajustou-se a tensão de alimentação para 60 V, freqüência

da onda senoidal, a modulante, em 60 Hz, colocando a freqüência da onda
portadora em 100 kHz e ajustando a amplitude do sinal senoidal modulante a
fim de obter o maior valor de amplitude do sinal de saída. Com o inversor
ajustado, diminui-se a freqüência da onda portadora, a triangular, visando
monitorar o comportamento da saída para índices de modulação inferiores. A
tabela(4.4) apresenta os resultados encontrados.

Tabela 4.4 - Variação de fp (fm=60, R=1k)

Vin [V] fp [Hz] Iin [mA] Iout [mA]

60 100k 40 39
60 50k 60 40
60 30k 160 50

Figura 4.22- fp=100 kHZ

50
 Figura 4.23 - fp = 50 kHz

Figura 4.24 - fp = 30 kHz

Pode-se perceber que a freqüência de modulação da onda portadora
interfere diretamente na saída do inversor, isto ocorre, pois o espectro de
freqüência do sinal PWM depende da onda portadora, sendo que surgem
harmônicas com altos valores de amplitude em torno do dobro freqüência da
onda portadora, por isso quanto menor o valor da freqüência da mesma, menor
será a freqüência das harmônicas com alto valor de amplitude, isto acaba
dificultando a ação do filtro passa baixo da saída do inversor, pois existem
harmônicas de altos valores mais próximas a freqüência de corte do filtro sendo
assim, não é possível atenuar de maneira satisfatória as componentes
harmônicas indesejadas, no entanto para altos valores no índice de modulação,
a presença de distorções é tão baixa que não é possível percebê-las
visualmente com o osciloscópio, no entanto para menores valores de
freqüência portadora pode-se observar graficamente a presença de distorções.

51
 Devido à baixa freqüência da modulante é difícil avaliar a presença de
distorção, por isso para se ter uma melhor visualização, realizou-se o teste com
uma freqüência de onda modulante de 1 kHz.
Tabela 4.5 - Variação de fp (fm=1k, R=1k)

Vin [V] fp [Hz] Iin [mA] Iout [mA]

60 100k 70 40
60 50k 80 43
60 30k 180 50
60 25k 240 59
60 20k 350 61
60 15k 1000 94

Figura 4.25 - fm = 1kHz e fp = 100kHz

Figura 4.26 - fm = 1k e fp = 50k

52
Figura 4.27 - fm = 1k e fp = 30k

Figura 4.28 - fm = 1k e fp = 25k

Figura 4.29 - fm = 1k e fp = 20k

53
 Figura 4.30 - fm = 1k e fp = 15k
Constatou-se que para freqüências de onda portadora abaixo de 50 kHz
à presença de distorções se tornam mais evidentes visualmente com o auxilio
do osciloscópio. Na imagem da figura 4.27 podemos observar uma forma de
onda bem distorcida.
Na tabela 4.5 podemos verificar um aumento na corrente de entrada
para a diminuição da freqüência da onda portadora mostrando uma queda de
rendimento do inversor para uma diminuição de freqüência de chaveamento.
Calculo dos índices de modulação observados.
 fm = 1 kHz e fp = 100 kHz:

 fm = 1 kHz e fp = 50 kHz:

 fm = 1 kHz e fp = 30 kHz:

 fm = 1 kHz e fp = 25 kHz:

 fm = 1 kHz e fp = 20 kHz:

 fm = 1 kHz e fp = 15 kHz:

54
 Como pode ser observado quanto menor o índice de modulação maior
será a distorção sofrida pela tensão de saída. Tal efeito pode se explicado
porque um índice de modulação baixo resulta em uma menor resolução na
amostragem dentro de um período do sinal modulante, sendo assim temos um
aumento de harmônicas próximas a freqüência de saída do sinal dificultando
assim a ação do filtro.
Com o objetivo de realizar uma avaliação das técnicas empregadas na
geração do PWM senoidal, realizou-se uma analise comparativa com a técnica
de modulação PWM senoidal bipolar realizada em [27].
A técnica utilizada neste trabalho faz com que a frequência de
chaveamento do inversor seja duas vezes a da onda portadora, sendo assim,
para efeito de comparação devemos tomar a modulação senoidal PWM bipolar
sempre com a frequência da portadora igual ao dobro da portadora da
modulação senoidal PWM unipolar pois assim teremos as duas com a mesma
freqüência de chaveamento.
Uma principal vantagem apresentada pela técnica bipolar é que seu
circuito possui um número menor de componentes, tornando sua
implementação e manutenção menos complexas e, consequentemente, com
custo mais baixo.
Realizando uma comparação das formas de onda das figuras com as de
[27] podemos observar que a técnica PWM senoidal unipolar, gera uma menor
distorção na saída do que a técnica de modulação PWM senoidal bipolar.

Figura 4.31 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=100 kHz e FM=1 kHz

55
 Figura 4.32 - Saída inversor senoidal PWM unipolar fp=50 kHz Fm=1kHz

Figura 4.33 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=50 kHz e FM=1 kHz

Figura 4.34 - Saída do inversor senoidal PWM unipolar fp=25 kHz e FM=1 kHz

56
 Figura 4.35 - Saída do inversor PWM senoidal bipolar fp=30 kHz e FM=1 kHz

Figura 4.36 - Saída do inversor senoidal PWM unipolar fp=15 kHz e FM=1 kHz
Tal diferença se justifica pelo fato de que a técnica PWM senoidal
bipolar, gerar uma forma de onda com um maior conteúdo harmônico,
apresentando componentes harmônicas de baixa freqüência com valores mais
altos de amplitude, sendo estas mais difíceis de serem eliminadas pela ação do
filtro causando assim uma maior distorção no sinal de saída.
Contudo observa-se que na modulação unipolar, os níveis de corrente
de entrada são mais altos do que na modulação PWM senoidal bipolar.
Para um alto índice de modulação, contudo a diferença entre as duas
técnicas é muito pequena, pois o conteúdo harmônico está diretamente ligado
com a freqüência da onda portadora, assim a distorção causada por ambas as
técnicas é muito pequena, se analisadas com o osciloscópio é quase que
imperceptível sendo assim a resposta do inversor para ambas as técnicas é
57
muito parecido, portanto para determinada aplicação qualquer uma das duas
técnicas pode ser empregada.

58
 5. Conclusões

O projeto apresentado neste trabalho é um modelo de inversor de

freqüência utilizando a modulação PWM unipolar. Constatou-se que meio de tal
técnica de modulação, e se utilizando, do auxilio de um filtro passa baixo
passivo de segunda ordem, é possível conseguir um sinal de tensão de saída
com pouca distorção harmônica, sendo possível empregar este sinal em
diversos sistemas que necessitam de uma tensão puramente senoidal.
Utilizando a modulação PWM senoidal unipolar, conseguimos produzir
uma forma de onda pulsada com harmônicas de alta freqüência possuindo
valores baixos tensão se comparadas aos da onda fundamental sendo que o
filtro passivo de segunda ordem pode remover com certa eficiência esta
harmônicas indesejadas.
Pode ser observado como o índice de modulação interfere na resposta
do inversor, isto se deve à presença das harmônicas de alta freqüência
dependem da onda portadora estando localizadas ao redor do dobro da
freqüência da mesma, por isso para baixos índices de modulação temos a
presenças de harmônicas de alto valor mais próximo da freqüência da onda
fundamental e da freqüência de corte do filtro prejudicando assim a ação do
mesmo.
Outro fator importante foi à comparação realizada com a técnica PWM
senoidal bipolar, sendo que, apresenta uma melhor resposta do que está, isto
porque a técnica PWM senoidal unipolar, gera uma forma de onda com
harmônicas de alta freqüência de menor magnitude por isso apresenta menor
distorção em seu sinal de saída, sendo que para altos índices de modulação a
diferença é imperceptível, porem para baixos índices de modulação a diferença
fica mais evidente.
O projeto de modulação apresentado pode ser melhorado, no que diz
respeito ao circuito de controle isto pode ser feito com um controle de malha
fechada, sendo que realizando uma realimentação da tensão de saída pode-se
criar um compensador que faça com que a mesma siga uma tensão de
referencia, melhorando a resposta do circuito.

59
 Para trabalhos futuros pretende-se realizar a melhoria do circuito de
controle com a inserção de um compensador, para uma melhor resposta do
filtro, além da criação de circuitos para a proteção contra curtos circuitos e
sobre aquecimento.

60
 6. Bibliográfia

[1] RASHID, Muhammad H.. Eletrônica de Potência : Circuitos, dispositivos e

aplicações. 2. Ed. São Paulo: MAKRON Books, 1999.

[2] SEDRA, A; SMITH, K. C.. Microeletronics Circuits. 4. Ed. Nova Iorque:

Oxford University Press, 2004.

[3] FITZGERALD, A. E.; KINGSLEY, Charles; UMANS, Stephen D.. Electric

Machinery. 6. Ed. Nova Iorque: McGraw-Hill, 2003.

[4] TREVISO, Carlos H. G.. Apostila de eletrônica de potência. 2006.

[5] CANÔNICO, Rodolfo Barreto. Amplificador de áudio tipo classe D,

reposta em frequência 20 Hz a 20 kHz, alta fidelidade e modulação
multiplexada. 2011. 118 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) –
Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[6] OPPENHEIM, Alan V.; WILLSKY, Alan S.; NAWAB, S. Hamid. Signals and
Systems. 2. Ed. Nova Jersey: Prentice-Hall, 1997.

[7] MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. Ed. São Paulo: MAKRON Books,
1997. V. 2.

[8] EDMINISTER, Joseph A.; NAHVI, Mahmood. Circuitos elétricos. 4. Ed.

São Paulo: BOOKMAN, 2003.

[9] National Semiconductor. LM566C Datasheet. 1995.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/166/53609_DS.pdf (acessado em
23/10/11)

[10] Texas Instruments. TL074 Datasheet. 1996.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/texasinstruments/tl074.pdf
(acessado em 23/10/11)

[11] National Semiconductor. LM311 Datasheet. 1994.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS007766.P
DF (acessado em 23/10/11)
61
[12] Philips Semiconductors. HEF4081B Datasheet. 1995.
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/17734/PHILIPS/HEF4081B.html (acessado em 23/10/11)

[13] Philips Semiconductors. HEF4049B Datasheet. 1995.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/HEF4049BF.pdf (acessado
em 23/10/11)

[14] Fairchild Semiconductor. 6N137 Datasheet. 2001.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/6N137.pdf (acessado em
23/10/11)

[15] BORSATO, Luiz Fernando Furlan. Controle do circuito de potência do

módulo de posicionamento de painel solar de baixo custo para uso
residencial. 2009. 50 f. Trabalho de conclusão de curso (Graduação em
Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[16] GUTANSKIS, José Augusto Machado. Estrutura mecânica e circuito de

potência do módulo de posicionamento de painel solar de baixo custo
para uso residencial. 2010. 52 f. Trabalho de conclusão de curso (Graduação
em Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[17] National Semiconductor. CD4049A Datasheet. 1988.

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/8178/NSC/CD4049.html
(acessado em 23/10/11)

[18] Fairchild Semiconductor. BC327 Datasheet. 2002.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC327.pdf (acessado em
23/10/11)

[19] Fairchild Semiconductor. BC337 Datasheet. 2002.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC337.pdf (acessado em
23/10/11)

[20] Intersil Americas. CA3140 Datasheet. 2002.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/intersil/fn957.pdf (acessado em
23/10/11)

62
[21] Fairchild Semiconductor. IRF540N Datasheet. 2002.
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF540N.pdf (acessado em
23/10/11)

[22] Thornton Eletrônica. NEE 25/10/5 Datasheet.

http://www.thornton.com.br/produtos/nee.htm (acessado em 23/10/11)

[23] Fairchild Semiconductor. IRF840 Datasheet. 2002.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF840.pdf (acessado em
23/10/11)

[24] Thornton Eletrônica. NEE 30/15/7 Data sheet.

http://www.thornton.com.br/produtos/nee.htm (acessado em 23/10/11)

[25] Fairchild Semiconductor. TL431 Datasheet. 2003.

http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/90/321931_DS.pdf (acessado em
23/10/11)

[26] GERENT, Fernando Haeming. Metodologia de projeto de inversores

monofásicos de tensão para cargas não-lineares. 2005. 184. f. Dissertação
(Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianópolis.

[27] FEROLDI, T. Regis. Modulação senoidal bipolar PWM aplicada em

inversores de freqüência. 2011. 82 f.Trabalho de conclusão de curso
(graduação em Engenharia Elétrica) – Universidade Estadual de Londrina,
Londrina.

63
7. Apêndice

Figura 7.1 - Arquivo PCB do circuito de Drive

Figura 7.2 – Top Layer

64
Figura 7.3 – Bottom Layer

65
 V
12Vd 8 R7
c 22
4
SET =
k 12V
0.5 1 2
0
1
12 C5
10k 470 0
PO V 5
8 u
6 3 T 1 D
V 12 R10 TRAFO UF400
2 V1
6 12 2 V 10
1 23 6
V V K Z1 1 7 C6 6
0 1N474 7 470 OUTPA
4 U41 8 0
R7 R11
4 U41 D
7 9 u D
100 C6 1 3 + A TRIMP UF400
6 2
C3 6 14 + C R9 1 20
2
2
7 4 1 GND_
C3 U2 47 k U24 k 8 2 - D
7 4 1 09 7 K 0 1
5.6
9 5 3 3 p C4 TL074
B - 3k UF400
3 V1
n 6 MO SQWOU 4
0 5 + A n 1 TL07 R10 7 7
7 TRE
D
TCA
TRWOU
T 47 7 1 TL07 3 4 0 0 75
S T 6 - 1 AO C6 OUTPA
u 1 4 10 R10 MOS
P
LM566 0 3 + 1 470
2 D
R7 C3 1 TRIANG K
R9 6 3 IRF54
1
C 2.2 0 2 2 - u
10
5 8 1 2 1 9 0
SET = n 1 10 CA314 R10 1 GND_
k 1 3 1 D
0.5 481 0 2 0 2
K k TRAFO UF400
4 V1
0 0 24 6
10 0 7 9
PO 0 C6 OUTPA
k 0 7
T 9 470
3 D
INV4 0
INPA CD4049 1 INPA 1 u
D 9 4 GND_3
V1
D A 0 V2
D 0
5 2 D V2
12 R11 5 1
12 R13 R9 OPTO 47 5 4 UF4007
OUTPA
R13 10
5 V 47 6N13 3 C64
10 V 8 5 0 T1 D 470u
3 3 k 1 0 2 7 8
3 k 1 12 R11 BC33
5 R12
12 2 V 7 1
0 7 1
3 G
6 12 2 V 0 6 7 6 5 1 9 GND_
U42 3 K 2
V V 0 4 R12 4
4 U41 B
R13
4 U42 5 + 1
2
C6 1 1 D R13 7 Z2 T1
16 + C R12 + 1 0 Z1 1N473 1 K BC32
9 k 2 4 6 - 5 0 9 6
1 0 8 4 1 - 4 3k 1N473
9 6 0 7
re 9 - 3k 3 1 TL07 3 GND_
f n 1 TL07 3 4 1
TL07 3 1 Z1 C5 GND_
1 1 4
4 1N472
4 47
7 1
1 0
0 10k1 9 u
0 2 11 12
2 PO
0
1 T 3
1 3
GND_
10k 1 14 15
9PO INV4
T CD4049
B
INPA A 5 4 INPA
V1
D V1
D
1 2
R10
R10 OPTO 47
6 5 4
47
4 6N13
6 0
0 2 7 8 T
R10 BC33
9 R10
7 1
5 7 81 G1
6 7 6 5 1 0
3 K 2
R10
1
7
Z1 Z1 T1
0 1N473 1N473 9 1 K BC32
5 6 7 0
12 3 6 0 7
V 12 GND_
V U3 2
568 U3 1 6 Z1 C5 GND_
R12 R12 3 1N472
5 47
6 1 1 2
2 + 4 1 2
5
R12 7 7 9 u 1 2
1 3 - k AND
6
k1
LM31 R13 U32 1 1
k 41 10 8
1 C6 1 INV4 GND_ 4 5
0 8 3 k 12 1 CD4049
C 2
1 INPA A 7 6 INPA
2 V1
D V1
D
n 3 4
0 IN
12 R13 U3 R11
V
12 C6 210 9 R10 OPTO 47 5 4
V 47 6N13 2
V 0 3 k 12 1 9
568 U3 R13 7
1 0 2 7
7 8 0 T1
R12 0 2 R11 BC33
1 R11
2 + 5 1 n 7 1 1 G1
8
R12 IN 1 7 6
1 7 6 7 6 5 1 1
3 - k V 3 K 2
9
k1 U3 R11
41 LM31 1 7 1
5
k 1 3 Z2 Z2 T1
2 0 1N4732 1N473 9 1 K BC32
5 3 2
AND 3 6 0 GND_ 7
0 2 3
Z2 C6 GND_
1N472
1 47
1 1 1 3
9 u 1 2

1 1
12 GND_ 4 5
V 12 3
V U2
568 U2 1 7
R7 R7 3
2 + 5 1 2
7
R7 7 9 INV4
1 k AND CD4049
8 3 - E
k1 U22 INPA A 1 1 INPA
LM31 R9 V1 V2 C5 C4 C4 C5
41 D 1 2 D
k 1 C5 10
5 9 8 0 DR 3 5 1
7 1
4 DR
G R8 S 1 G R8 S
9 3 k
0 12 1
R11
UF400
5 1 u u UF400
6
1 2
5 1 0 3 7 u u 2
7 1 2 4 7
2 47
9 5 4 10 C4 10
n 0 IRF84 9 IRF84
0 IN T1 R R
12 R9 U4 R11 BC33 R12 0 1 0
V 3
12 C5 610 0 1 1 R8 u R9
V 8 7 1 R8 C4 47 R8 C4 47
V 0R9 8 3 k 12 1 K 7 6 5 22 9 SAÍDA 22 0
568 U2 1 6 1 k 5 2 k
R9 4 2 R12 1 n 11 2 1 n
2 + 6 1 n 1 L L
2
R9 IN 0 k k
1 7 Z2 T1 1 3 2 1 4 2
3 - k V R117 OPTO8 1N473 9 1 K BC32 V
3
k1 U2 6 4 202.8Vd 59 59
470 6N137 6 0 7 9
41 LM31 1 8 2 8 GND_ c u u
k 1 3 4
2 7 GND_ G12 DR DR
1 1 G R8 D UF400 C5 G R8 D1 UF400
AND 6 4 1 8 7
3 1 2 2 6 2 1 9 7 0 8 2 3 0 7
0 2 1 10 1 1 10
IRF84 IRF84
R u R
Z25 1 1 0 C5 C4 C4 C5 0
0 1N4733 R8 1 1 1 1 R9
5 4 5 2 6 8 1
R8 C4 47
8 u u u u R8 C4 47
1
7 22
4 k 4 22
3 k
Rs 1 n 1 n
Z24 C65 1 k k
1N4729 47u 1
k

GND_4

Figura 7.4 - Esquematico Circuito completo

66