ELETRÔNICA – UNIDADE 1

UNIVERSIDADE CANDIDO MENDES

FORMAÇÃO PROFISSIONAL
Engenheiro Eletricista-Eletrônica
Mestre em Economia e Gestão Empresarial
Pós-Graduado em Engenharia de Automação e Eletrônica Industrial
Licenciado em Matemática e Física
Técnico em Eletrônica
ESTRUTURA ATÔMICA
ESTRUTURA ATÔMICA
• O átomo é constituído basicamente de prótons, elétrons e
nêutrons.
• Prótons e nêutrons estão no centro do átomo, enquanto elétrons
estão na eletrosfera.
• Prótons são cargas elétricas positivas, elétrons cargas elétricas
negativas e nêutrons não possuem cargas elétricas.
• O núcleo é denso e carregado positivamente.

4
 ESTRUTURA ATÔMICA
• Uma importante regra em eletricidade é que cargas opostas se atraem e
iguais se repelem.
• Os elétrons são distribuídos em 7 camadas.
K=2
L=8
M = 18
N = 32
O = 32
P = 18
Q=2

5
 ESTRUTURA ATÔMICA
• Todo elemento químico possui um número atômico que representa o
número de prótons e elétrons do átomo.
• Exemplos
Cobre: Z = 29
Silício: Z = 14
Arsênio: Z = 33

6
DISTRIBUIÇÃO ELETRÔNICA
• Átomo de Cobre (Cu) : Z = 29
K = 2, L = 8, M = 18, N = 1

• Átomo de Silício (Si): Z = 14

K = 2, L = 8, M = 4

• Átomo de Arsênio
K = 2, L = 8, M = 18, N = 5

7
DISTRIBUIÇÃO ELETRÔNICA
• A camada mais distante com presença de elétrons é chamada de
camada de valência.
• Dela dependem as propriedades elétricas de um átomo.
• Nela estão os elétrons livres. Por estarem mais afastados do núcleo, a
força de atração é menor.
• A camada de valência define se o elemento é um bom condutor, mau
condutor e um semicondutor.

8
CLASSIFICAÇÃO DOS MATERIAIS QUANTO A CONDUÇÃO

• Condutores: São materiais que necessitam de pouca quantidade de energia

para conduzir. Exemplos: Cobre, ouro, metais em geral...
• Isolantes: São materiais que necessitam de grande quantidade de energia
para conduzir. Exemplos: Borracha, madeira, plástico, vidro,...
• Semicondutores: São materiais que necessitam de determinada quantidade
de energia para conduzir. Exemplos: Silício e Germânio

9
ELETRÔNICA
• Ciência que estuda os semicondutores.
• São substâncias cujos átomos apresentam 4 elétrons na última camada.
• Não são bons nem maus condutores de eletricidade.
• Sua condutividade depende da temperatura.
• Silício e Germânio são utilizados como semicondutores.

10
 LIGAÇÃO COVALENTE
• Como visto o átomo de silício possui 4 elétrons na última camada.
• Para formação do sólido um átomo deve possuir 8 elétrons na camada de
valência.
 LIGAÇÃO COVALENTE

• Para que um átomo de silício possua 8 elétrons na última camada,

é realizado uma ligação covalente, onde acontece o
compartilhamento de elétrons.

12
LIGAÇÃO COVALENTE
 LIGAÇÃO COVALENTE
• Na ligação covalente, cada átomo compartilha um elétron com o átomo
vizinho. Desta forma, o átomo central apanha quatro elétrons
emprestados, o que lhe dá um total de oito elétrons na camada de
valência, adquirindo estabilidade química para formar o sólido.
LIGAÇÃO COVALENTE
• Os elétrons compartilhados não passam a fazer parte
efetivamente do átomo central, Portanto, eletricamente falando,
cada átomo ainda continua com quatro elétrons na camada de
valência e quatorze no total, ou seja, eletricamente neutro.

15
 LIGAÇÃO COVALENTE
• Os átomos de silício se distribuem no sólido formando uma estrutura
cúbica, onde os átomos ocupam os vértices do cubo. Esta estrutura
cúbica é normalmente chamada cristal. É por isso que nós dizemos
que o sólido de silício é um cristal de silício.
 SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS

• É o nome dado a todo semicondutor puro.

• Um cristal de silício é intrínseco se todos os átomos do sólido
forem de silício.
 SEMICONDUTORES INTRÍNSECOS
• A condutividade do silício a temperatura ambiente de
25ºC é tão baixa que não existe aplicação prática para o
mesmo. Uma maneira de aumentar a condutividade de
um cristal de silício é introduzindo átomos de impureza.

18
 DOPAGEM DE UM SEMICONDUTOR
• A dopagem de um semicondutor consiste em introduzir no cristal,
átomos de impurezas.
• O objetivo da dopagem é aumentar a condutividade do cristal.
DOPAGEM DE UM SEMICONDUTOR

• Um semicondutor dopado com átomos de impurezas

é um semicondutor extrínseco.

20
SEMICONDUTOR TIPO N
• É um semicondutor que recebeu átomos pentavalentes, ou
seja, átomos que possuem cinco elétrons na camada de
valência.
• Exemplos: arsênio, antimônio e fósforo.
 SEMICONDUTOR TIPO N
• Quando um cristal de silício puro é dopado com átomos
pentavalentes, ele se transforma num semicondutor tipo
N.
• A sua condutividade agora é maior, por causa dos
elétrons livres.
 SEMICONDUTOR TIPO P
• Um semicondutor tipo P é obtido através da injeção de
átomos trivalentes no cristal puro.
• Exemplos: alumínio, boro e gálio.
 SEMICONDUTOR TIPO P

• Um cristal dopado com átomos trivalentes é um semicondutor tipo

P.
• Ele possui uma grande quantidade de lacunas e alguns elétrons
livres produzidos termicamente, devido à quebra de ligações
covalentes.
SEMICONDUTOR TIPO P
• As lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres
são os portadores minoritários.
• Da mesma forma que os elétrons livres no semicondutor tipo N
aumentam a condutividade do cristal, o aumento do número
de lacunas no semicondutor tipo P também aumenta a
condutividade do cristal.

25
 SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO
• Quando um cristal puro é dopado, seja ele com impurezas pentavalentes
ou trivalentes, ele se transforma em um semicondutor extrínseco, o que
significa que ele não é mais puro.
ATIVIDADES
1 – Explique a ligação covalente utilizada na construção dos semicondutores.
2 – Como é chamado o cristal de silício puro?

27
ATIVIDADES
3 - O processo de dopagem é realizado em cristais de silício com o intuito de
torna-lo do tipo N ou do tipo P. Em relação a camada de valência, para que
um cristal de silício puro seja transformado em tipo P, adiciona-se que tipo de
elemento químico? E, para ser transformado em tipo N?

4 – O Silício e o germânio utilizados na fabricação de semicondutores possuem

quantos elétrons na camada de valência?

28
ATIVIDADES
5 – Qual o nome dado ao processo utilizado para aumentar a condutividade em um
cristal de silício?

29
ATIVIDADES
6 - Quando um cristal puro é dopado, seja ele com impurezas
pentavalentes ou trivalentes, ele se transforma em um
semicondutor _________________, o que significa que ele não é
mais puro.

7 – Cite dois exemplos de materiais condutores, isolantes e

semicondutores.

30
JUNÇÃO PN
• No lado P, há lacunas livres (ausência do elétron).
• No lado N, há o elétron livre.
• A junção PN é quando juntamos esse dois lados, P e N.
• O diodo semicondutor é formado por uma junção PN.

31
DIODO SEMICONDUTOR
• É formado por uma junção PN.
• Simbologia

32
DIODO SEMICONDUTOR
• Estrutura Física

33
POLARIZAÇÃO DO DIODO
a) Polarização Direta

- Estreitamento da barreira de Potencial

- Circulação de corrente
- Lâmpada acesa

34
POLARIZAÇÃO DO DIODO
b) Polarização Inversa

- Alargamento da barreira de potencial

- Não existe circulação de corrente
- Lâmpada apagada

35
DIODO IDEAL (CHAVE)
a) Polarização direta
- R (diodo) = 0 ohms
- V (diodo) = 0 Volts

b) Polarização inversa
- R (diodo) = infinita
- I (diodo) = 0 Ampere

36
DIODO REAL
a) Polarização direta
- R (diodo) = baixa
- V (diodo) = 0,6V ou 0,7V (silício)

b) Polarização inversa
- R (diodo) = alta
- I (diodo) = próxima de zero (fuga)

37
ATIVIDADES
1 - Um diodo é considerado ideal quando, na polarização direta,
apresenta resistência? E, na polarização inversa?
Nula. Infinita
2 – Considerando um diodo real, a resistência na polarização direta e
inversa devem ser?
Baixa. Alta.

38
 EXEMPLO
• Considerando os diodos ideais, verifique que lâmpadas estarão acesas no
circuito.

39
ELETRÔNICA – UNIDADE 2
UNIVERSIDADE CANDIDO MENDES
ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS
• Corrente direta máxima (IDmáx ou IFmáx) – é um dado
fornecido pelo fabricante. Todo diodo possui um valor máximo
de corrente de condução.
• Tensão Reversa Máxima (VR) - também é um dado fornecido
pelo fabricante. Cada diodo pode suportar até certo ponto de
tensão reversa. Se essa tensão subir até o que chamamos de
tensão de ruptura, teremos a destruição do diodo. Essa
tensão também é conhecida como tensão de avalanche.

41
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

42
EXERCÍCIOS
1) Considere o diodo ideal e calcule a corrente do circuito.

43
EXERCÍCIOS
2) Considere o diodo real com VDQ = 0,6 V e calcule a corrente do circuito.

44
RETA DE CARGA E PONTO QUIESCENTE (Q)

45
RETA DE CARGA E PONTO QUIESCENTE (Q)
ID = IR = Ifonte

Pela Lei de Kirchoff, temos que:

E – VD – VR = 0
E = VD + VR

Também, pela lei de Ohm sabemos que

VR = R . I R ,
Como ID = IR
Podemos escrever: E = VD + ID . R

46
OBTENÇÃO DA RETA DE CARGA E PONTO Q

47
EXERCÍCIOS
1) Calcule a corrente que circula no circuito, onde E = 12 V, VDQ = 0,7 V e RL =
200Ω. Desenhe a reta de carga do circuito.

48
SINAL SENOIDAL

49
SINAL SENOIDAL - CONCEITOS GERAIS
• Período: é o tempo que o sinal leva para
completar um ciclo. No SI é medido em segundos.
• Frequência: é o número de ciclos que se repete a
cada segundo. É medido em Hertz (Hz)

50
SINAL SENOIDAL - CONCEITOS GERAIS
• Valor de pico: é o valor máximo que ocorre em
determinados instantes de tempo.
• Valor de pico a pico: Corresponde ao dobro do
valor de pico quando os picos positivos e
negativos são simétricos.

51
SINAL SENOIDAL - CÁLCULOS
𝟏
• 𝑻= 𝒇

• 𝑽𝑷𝑷 = 𝟐 . 𝑽𝑷
• 𝒗 𝒕 = 𝑽𝒑 . 𝒔𝒆𝒏 𝝎𝒕
𝑽𝑷
• 𝑽𝒆𝒇 = = 𝟎, 𝟕𝟎𝟕 . 𝑽𝑷
√𝟐

• 𝑽𝒎 = 𝟎, 𝟔𝟑𝟕 . 𝑽𝑷

52
SINAL SENOIDAL – VALOR MÉDIO E EFICAZ

53
SINAL SENOIDAL – VALOR MÉDIO E EFICAZ
• Valor eficaz: É equivalente a tensão contínua que, aplicada, a
uma resistência, dissiparia a mesma potência que a tensão
alternada.

• Valor médio: corresponde a média aritmética sobre todos os

valores numa onda senoidal para um meio ciclo.

54
SINAL SENOIDAL – VALOR MÉDIO E EFICAZ
𝑽𝑷
• 𝑽𝒆𝒇 = = 𝟎, 𝟕𝟎𝟕 . 𝑽𝑷
√𝟐

• 𝑽𝒎 = 𝟎, 𝟔𝟑𝟕 . 𝑽𝑷

55
SINAL SENOIDAL- EXERCÍCIO
Um sinal ca de tensão 12 Volts com frequência de 60 Hz é utilizado
para alimentar um circuito eletrônico. Determine:
a) a tensão de pico;
b) a tensão de pico a pico;
c) o período.

56
MEDIÇÕES AC E DC
• A tensão de pico, pico a pico, o período e a
frequência são medidos pelo osciloscópio,
enquanto a tensão eficaz é medida pelo voltímetro
nas escalas AC e a tensão média no voltímetro,
escala DC.
edições AC e DC

57
OSCILOSCÓPIO

58
MULTÍMETRO

59
FONTE DE ALIMENTAÇÃO DC
FONTE DE ALIMENTAÇÃO - DIAGRAMA EM BLOCOS

60
FORMAS DE ONDA – FONTE DE ALIMENTAÇÃO DC

61
TRANSFORMADOR BÁSICO

• Basicamente o transformador é formado por um enrolamento

primário, onde é aplicada a tensão da rede elétrica e um
enrolamento secundário, onde será obtida a tensão desejada.
• Seu funcionamento é baseado na lei de Faraday.
• As bobinas são isoladas eletricamente e acopladas
magneticamente.

62
TRANSFORMADOR BÁSICO

• O enrolamento conectado a fonte é chamado de primário

por convenção. Já o enrolamento ligado a carga é
denominado de secundário.

63
TRANSFORMADOR IDEAL

64
LEI MÁXIMA DOS TRANSFORMADORES (TRANSFORMADOR IDEAL)

▪ Nesta situação, a potência de saída (secundário) é igual a

de entrada (primário).
PP = PS

• Como P = V.I, temos que VP . IP = VS . IS

𝑽𝑺 𝑰𝒑
Então: =
𝑽𝑷 𝑰𝑺

65
 EXERCÍCIOS

1) Considere um transformador ideal com as

seguintes especificações: tensão e corrente do
primário respectivamente iguais a 120 V e 0,5A.
Caso a primário tenha 800 espiras e o secundário
200 espiras, calcule a tensão, corrente e
impedância do secundário.

66
 EXERCÍCIOS

2) Um transformador ideal é projetado para ser

aplicado no primário uma tensão de 120 Volts e,
sua bobina atravessada por uma corrente de 200
mA. A relação de espiras é de 1:5. Qual a corrente,
tensão e impedância do secundário. Determine
também a impedância do primário.

67
NÚMERO DE ESPIRAS
• Cada enrolamento é composto por um número de espiras
responsáveis pela relação de conversão, ou seja, a tensão do
primário está para tensão do secundário, assim como o
número de espiras do primário está para o número de espiras
do secundário.

𝑉𝑠 𝑁𝑆
=
𝑉𝑃 𝑁𝑃

68
PERDAS NO TRANSFORMADOR

• Efeito Joule
• Histerese
• Corrente Parasita

OBS.: As perdas no transformador são insignificantes no transformador

de baixa potência e não serão levadas em consideração.

69
ALGUNS TIPOS DE TRANSFORMADORES UTILIZADOS EM FONTE DE ALIMENTAÇÃO

• Primário e secundário com enrolamento

simples
• Exemplo:
• Primário: 110 V
• Secundário: 9V / 500mA

70
ALGUNS TIPOS DE TRANSFORMADORES UTILIZADOS EM FONTE DE ALIMENTAÇÃO

• Primário e Secundário com center tap (derivação

central):
• Primário: 110 V/220 V
• Secundário: 9V + 9V / 500mA

71
CIRCUITOS RETIFICADORES
• Retificador de meia-onda

72
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
• Formas de onda

73
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
• Retificador de meia-onda

74
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE

• Retificador de meia-onda

- Tensão média na carga

𝑽𝒎á𝒙
𝑽𝒎𝒆𝒅 𝑹𝑳 =
𝝅

75
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE
- Corrente no diodo e na carga

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝒅 = 𝑰𝑳 =
𝝅

76
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE
- Tensão eficaz na carga

𝑽𝒎á𝒙
𝑽𝒆𝒇 =
𝟐

- Corrente eficaz na carga e no diodo

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝒆𝒇 = 𝟐

77
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE
Vmed(RL) é o valor médio da tensão contínua em R L.

VP é o valor de pico da tensão.

Vef é o valor eficaz ou rms da tensão alternada no secundário do

transformador.

• OBS 1.: As formas de onda estão representadas, considerando

o diodo como ideal.

78
CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES DO DIODO QUE
DEVEM SER LEVADAS EM CONSIDERAÇÃO

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝒅𝒄 > 𝝅

𝑽𝑹 > 𝑽𝒎á𝒙 𝒐𝒖 𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐

79
RETIFICADOR DE MEIA ONDA – TENSÃO NEGATIVA

80
EXERCÍCIO
1) Um retificador de meia onda tem um sinal de saída com
tensão de pico de 18 V(máxima). Determine:
a) A tensão média sobre a carga;
b) A tensão eficaz sobre a carga

81
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM CENTER TAP

82
FORMAS DE ONDA NO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM
CENTER TAP

83
 TENSÕES NO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Tensão média na carga

𝟐. 𝑽𝒎á𝒙
𝑽𝑫𝑪 =
𝝅

Tensão eficaz na carga

𝑽𝒎á𝒙
𝑽𝒆𝒇 =
√𝟐

84
CORRENTE E TENSÃO REVERSA

Corrente Média na Carga

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝑫𝑪 =
𝝅

Tensão reversa máxima sobre os diodos

𝑽𝑹 = 𝟐. 𝑽𝒎á𝒙

85
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA TENSÃO NEGATIVA

86
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA TENSÃO NEGATIVA

Cuidado: Se inverter somente um dos

diodos tem-se uma sobrecarga que poderá
danificar os diodos e o transformador.

87
EXERCÍCIO
1) Um retificador de onda completa tem um sinal
de saída com tensão de pico de 12,7 V
aproximadamente(máxima). Determine:
a) O valor médio da tensão na carga;
b) O valor eficaz da tensão na carga

88
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

89
FORMAS DE ONDA NO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

90
TENSÃO DE SAÍDA NA CARGA

91
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE NO RETIFICADOR DE ONDA
COMPLETA EM PONTE

Corrente média na carga

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝑫𝑪 =
𝝅

Tensão reversa sobre os diodos

𝑽𝑹 = 𝑽𝒎á𝒙

92
CÁLCULOS DE TENSÃO E CORRENTE NO RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

𝑰𝒎á𝒙
𝑰𝒅𝒄 > (corrente média)
𝝅

𝑽𝑹 > 𝑽𝒎á𝒙 𝒐𝒖 𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 (Tensão Reversa Máxima)

93
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE - TENSÃO NEGATIVA

94
EXERCÍCIO
1) Um retificador de onda completa tem um sinal de saída com tensão de pico de
12,7 V aproximadamente(máxima). Determine:
a) O valor médio da tensão na carga;
b) O valor eficaz da tensão na carga

95
RECAPTULANDO

96
RECAPTULANDO

97
 FILTRAGEM
CONCEITOS GERAIS

• Devido a ondulação na saída do circuito retificador ser muito grande, o que torna
a tensão de saída inadequada para alimentar a maioria dos circuitos eletrônicos,
faz-se necessário fazer uma filtragem na tensão de saída do retificador.

• A filtragem nivela a forma de onda na saída do retificador tornando-a próxima de

uma tensão contínua pura fornecida pela bateria e pilha.

98
FILTRO CAPACITIVO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA

99
FILTRO CAPACITIVO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA

▪ O pico inverso de tensão no diodo é o dobro da tensão de pico (PIV = -2VP).

O capacitor aumenta a tensão inversa no diodo devido a que o mesmo
permanece carregado quando o diodo não estiver conduzindo.

100
FILTRO A CAPACITOR PARA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

101
FUNCIONAMENTO
• A filtragem para o retificador de onda completa é mais eficiente do que para o
retificador de meia onda.
• Em onda completa o capacitor será recarregado 120 vezes por segundo. O
capacitor descarrega durante um tempo menor e com isto a sua tensão
permanece próxima de VP até que seja novamente recarregado.

102
FUNCIONAMENTO
• Quando a carga (RL) solicita uma alta corrente é necessário que o retificador seja
de onda completa.

103
FUNCIONAMENTO
• VCC é o valor médio da tensão contínua na saída.
• VP é o valor de pico da tensão no capacitor (desconsiderou-se a queda de tensão
nos diodos).
• Vef é o valor eficaz ou rms da tensão alternada na saída do transformador (VAB)
• Vond é a tensão de ondulação ou de ripple na saída e quanto menor for Vond
mais próxima de uma tensão contínua pura será a tensão de saída.

104
FUNCIONAMENTO
IL é a corrente em RL
f é a frequência de ondulação na saída e é igual a 120 Hz para onda completa.
C é o valor do capacitor em FARADS

105
EXERCÍCIO
• Em um retificador de onda completa em ponte temos uma frequência de 120Hz,
IL = 200 mA, VCC = 12V e Vond = 1V. Determine o valor do capacitor de filtro que
deve ser utilizado.

106
RETIFICADOR DE MEIA ONDA X RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
• Em onda completa a filtragem é mais eficiente do que para meia onda e isto por
que, no retificador de onda completa com filtro, a tensão de ondulação é menor.
O filtro a capacitor, em onda completa, torna a tensão de saída mais próxima de
uma tensão contínua pura.

107
REGULADOR ZENER
• Diodo zener
• É um tipo feito essencialmente de silício.
• É formado por uma junção PN.
• Possui os mesmos terminais do diodo retificador: anodo(+) e catodo(-).
• Quando polarizado diretamente comporta-se como um diodo retificador e
inversamente opera como regulador de tensão.

108
REGULADOR ZENER
• Pode também ser utilizado com um diodo de referência de tensão.
• A sua capacidade de regular a tensão, é usada nas fontes de alimentação, com
propósito de obter-se uma tensão de saída fixa e sem ripple.
• A região de operação em que o diodo mantém a tensão sobre a carga constante
é conhecida como região de avalanche ou ruptura.

109
REGULADOR ZENER
A simbologia do diodo zener está representada na figura .

11
0
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER

11
1
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER
• O fabricante determina no datasheet do componente a tensão zener, as
correntes zener mínima e máxima.

• Essas correntes determinam o limite da região de operação do dispositivo como

regulador.

11
2
REGULADOR ZENER

11
3
REGULADOR ZENER
• Observe que a carga representada pela resistência está em paralelo com o diodo
zener. Essa condição faz com que o diodo zener mantenha a carga com tensão
constante.

VZ = VL

• Outra coisa que pode-se ser observado é que o diodo está polarizado
inversamente.

11
4
REGULADOR ZENER
• A corrente oriunda da tensão de entrada é dividida em dois ramos: uma parte vai
para o diodo zener e outra para a carga. Observe o nó do circuito. A primeira lei
de Kirchoff é definida como: a soma das correntes que chegam em um nó é igual
a soma das correntes que saem deste nó.
• Logo, teremos que: IENT = IZ + IL (Equação I)

11
5
REGULADOR ZENER
• Pela segunda lei de Kirchoff (lei das malhas) obtemos: VENT = VZ + VR1 (equação
II)

• Sabendo que VR1 = R . I (equação III) e substituindo essa equação na equação II

teremos: VENT = VZ + R . I (equação IV)

• Agora substituindo a equação I na IV, temos:

VENT = VZ + R . (IZ + IL )

11
6
REGULADOR ZENER
• Como o zener tem sua corrente variando dentro da região zener, temos as
tensões mínima e máxima que são expressas pelas equações V e VI:
VENT(mín) = VZ + R1 ( IL + IZ mín) (Equação V)
VENT(máx) = VZ + R1 ( IL + IZ máx) (Equação VI)

11
7
REGULADOR ZENER
• Exemplo: Calcule as tensões mínima e máxima que a fonte pode variar para que
um regulador zener de 12 V mantenha a carga estabilizada. O diodo zener possui
as seguintes características: IZmín=4 mA ,IZmáx=40 mA e PZmáx = 480 mW. A
resistência de carga é 1,2 KΩ e o resistor limitador de corrente 1KΩ.

11
8
REGULADOR DE TENSÃO COM CI´S
• Como já foi visto para uma tensão de ondulação muito pequena como a que é
exigido pelos circuitos pré-amplificadores de áudio, transmissores de RF, circuitos
digitais etc, deve-se utilizar um regulador de tensão na saída do retificador com
filtro.

• Além do diodo zener, temos circuitos integrados reguladores de tensão

largamente utilizados nos circuitos eletrônicos.

11
9
DIAGRAMA EM BLOCOS DE UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO COM TENSÃO DE SAÍDA REGULADA.

120
FAMÍLIA 78XX
Exemplos:
7805 – Regulador de tensão positivo de +5V

121
FAMÍLIA 78XX
7809 – Regulador de tensão positivo de +9V
7812 - Regulador de tensão positivo de +12V

122
FAMÍLIA 78XX
As características dos reguladores de tensão 78XX são:
- Máxima tensão de entrada = 35 V
- Máxima corrente de saída = 1 A
- Tensão mínima de entrada de aproximadamente 3V acima da tensão de saída.

123
FAMÍLIA 79XX
• A família 79XX estabiliza a tensão com valor negativo. Como exemplo, o CI7905
estabiliza em –5V.
• Ainda é possível termos uma fonte simétrica (tensão positiva e negativa)
estabilizada.

124
FONTE SIMÉTRICA

125
PINAGEM DOS REGULADORES
Pinagem do CI78XX
Pino 1 – Entrada
Pino 2 – GND
Pino 3 - Saída

Pinagem do CI79XX
Pino 1 – GND
Pino 2 – Entrada
Pino 3 - Saída

126
FONTE AJUSTÁVEL
• É possível ter também uma fonte regulada e ajustável de 1,25V a 16,5V com o
LM317.

• O circuito integrado regulador de tensão LM317 permite ajustar a tensão de

saída de 1,25V a 16,5V.

127
FONTE AJUSTÁVEL COM LM317

128
ELETRÔNICA – UNIDADE 3
UNIVERSIDADE CANDIDO MENDES
FUNDAMENTOS DOS TRANSISTORES
• Os transistores são componentes eletrônicos
constituídos por materiais semicondutores, capaz de
atuar como controlador de corrente o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou interruptor
eletrônico.
 FUNDAMENTOS DOS TRANSISTORES
• Estrutura básica: Os transistores são constituídos de duas
pastilhas semicondutoras de mesmo tipo, entre as quais é
colocado uma outra pastilha mais fina de material
semicondutor com tipo diferente de dopagem. Podem ser de
dois tipos: NPN e PNP.
FUNDAMENTOS DOS TRANSISTORES
TERMINAIS E DOPAGEM DE UM TRANSISTOR
• Os transistores possuem três terminais: base, coletor e
emissor.
• Base: fracamente dopada e, é a pastilha central. É
responsável pelo controle da corrente em um transistor.
• Coletor: menos dopado que o emissor e mais dopado que a
base e é uma das pastilhas externas do transistor.
TERMINAIS E DOPAGEM DE UM TRANSISTOR
• Já o emissor é fortemente dopado e a outra pastilha
externa do transistor.
• Embora, as pastilhas do coletor e emissor sejam de
mesmo tipo de material não é possível trocar as ligações
de um material com o outro nos circuitos eletrônicos,
isto porque existe uma diferença de volume de material
semicondutor e de intensidade de dopagem entre as
pastilhas.
SIMBOLOGIA E ESTRUTURA INTERNA DO
TRANSISTOR
 EXERCÍCIOS
1) Quais são os terminais de um transistor?
2) Quais são os dois tipos de transistores?
3) Quanto a dopagem, como são dopados os terminais de um
transistor?
4) Cite duas aplicações do transistor.
5) Que terminal é responsável pelo controle da corrente em um
transistor?
6) Que terminal é responsável pela dissipação de corrente em um
transistor?
POTÊNCIA EM UM TRANSISTOR
Baixa Potência
POTÊNCIA EM UM TRANSISTOR
Média e Alta Potência
TENSÕES E CORRENTES EM UM TRANSISTOR
 TENSÕES E CORRENTES EM UM TRANSISTOR
• A alimentação simultânea das duas junções, através das baterias
externas, dá origem a três tensões entre os terminais do
transistor.
• Elas são relacionadas pela equação:

VCE = VBE + VCB

EXERCÍCIOS
1) Um transistor é polarizado de forma que a tensão entre a
base e o emissor é 0,7 V e a tensão entre o coletor e a base
5,3 Volts. Qual o valor da tensão entre o coletor e o
emissor?
2) Um transistor é polarizado com Vce = 5 Volts e Vbe = 0,6
Volts. Qual o valor de tensão entre o coletor e a base?
 TENSÕES E CORRENTES EM UM TRANSISTOR
• A aplicação de tensões externas ao transistor provoca o movimento de
elétrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina. O
movimento dos portadores livres (elétrons) dá origem a três correntes
que circulam nos terminais do transistor que são:
a) corrente de emissor (I E),
b) corrente de coletor(IC) e
c) corrente de base(IB).
 TENSÕES E CORRENTES EM UM TRANSISTOR

• A relação entre as correntes é descrita pela equação:

IE = IB + IC

• A junção base-emissor tem que está polarizada diretamente

para que circule corrente entre a base e o emissor, e para que
depois circule entre a base-coletor. A base depende do emissor,
coletor depende da base. O coletor sempre precisa ter um
potencial maior que o da base para que circule corrente.
 TENSÕES E CORRENTES EM UM TRANSISTOR

• Em um transistor a corrente de base controla a corrente de coletor.

Esse controle se deve ao fato de que a corrente de base influi na largura
da barreira de potencial da junção base-emissor.
• Quando a tensão VBE aumenta, a barreira de potencial na junção base-
emissor torna-se mais estreita.
• Dessa forma, podemos afirmar que quando I B aumenta, IC aumenta e
vice-versa.
EXERCÍCIOS
1) Um transistor é polarizado de forma que a corrente que
atravessa o coletor é igual a 2 mA e a que circula pela base
equivale a 10 µA. Calcule a corrente de emissor.
GANHO DE CORRENTE CONTÍNUA
• A corrente controlada IC e a corrente de controle IB
relacionam-se entre si para determinar quantas vezes uma é
maior que a outra. O resultado dessa relação é denominado
tecnicamente de ganho de corrente contínua (βCC).

𝐼
β𝐶𝐶 = ℎ𝐹𝐸 = 𝐼𝐶
𝐵
EXERCÍCIOS
1) Um transistor é polarizado de forma que a corrente que atravessa o emissor é
igual a 2,03 mA e a que circula pela base equivale a 30 µA. Calcule a corrente de
coletor e o ganho de corrente βcc.
MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR
BÁSICA COM TRANSISTOR
MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR
RELAÇÃO 𝑰𝑩 VERSUS 𝑽𝑩𝑬
RELAÇÃO 𝑰𝑪 VERSUS 𝑽𝑪𝑬
 REGIÕES DE OPERAÇÃO
• Saturação: nesta região o diodo coletor está polarizado diretamente, por isso
perde-se o funcionamento convencional do transistor.

• Ativa: Nesta região é necessária uma polarização reversa do diodo coletor. O VBE
na região ativa é em torno de 0,7V. Com isso o VCE deve ser maior que 1V.

• Corte: É uma região especial da curva onde I B = 0. A corrente de coletor é muito

pequena, quase zero.
CURVA IC X VCE
 REGIÕES DE OPERAÇÃO

• Os transistores operam na região ativa quando são usados

como amplificadores, sendo a corrente de coletor
proporcional a corrente de base. As regiões de corte e
saturação são utilizadas em circuitos digitais quando
desejamos simular uma chave controlada pela corrente.
RETA DE CARGA
 RETA DE CARGA
• Para introduzir o conceito de reta de carga vamos utilizar o exemplo da figura
anterior. Considere um resistor de base de 500 KΩ.
Resolução:
a) Cálculo do ponto de corte
b) Cálculo do ponto de saturação
c) Cálculo da corrente de base quiescente
d) Cálculo da corrente de coletor quiescente
e) Cálculo do Vce quiescente
 RETA DE CARGA
• Primeira etapa: cálculo do ponto (superior) de saturação.
• Considere que na saturação o valor de 𝑉𝐶𝐸 é próximo de zero.
• Substituindo na equação:

𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

1500. 𝐼𝐶 + 0 = 15

15
𝐼𝐶 = 1500 = 0,01 𝐴 = 10𝑚𝐴 (corrente de coletor na saturação)
 RETA DE CARGA
• Segunda etapa: cálculo do ponto (inferior) de corte.
A corrente de base é nula (IB = 0)
Logo, a corrente de coletor se aproxima de zero.
VCE na região de corte é aproximadamente igual a VCC.
 RETA DE CARGA
• Terceira etapa: Cálculo da corrente de base quiescente (estável).

500K . IB + 0,7 = 15

500K . IB = 14,3

IB = 14,3/500K

IB = 0,029 mA = 29µA.
 RETA DE CARGA
• Quarta etapa: Valor de ICQ (corrente de coletor quiescente)
• É determinado pelo gráfico a partir do valor da corrente de base
quiescente.
GRÁFICO
RETA DE CARGA
• Pelo gráfico, na curva de I BQ = 30 µA, temos: ICQ = 6 mA
 RETA DE CARGA
• Quinta etapa: Valor de VCEQ

𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

1,5K . 6 mA + VCEQ = 15

9 + VCEQ = 15

VCEQ = 15 – 9

VCEQ = 6 Volts
 TRANSISTOR COMO CHAVE
• Quando o transistor opera como chave ou interruptor eletrônico,
ele opera na região de corte (desligado) e saturação (ligado).
• A corrente de base controla a posição da chave.
• Caso IB seja zero, a corrente de coletor é próxima de zero e o
transistor está no corte.
• Se IB for IBsat ou maior, a corrente de coletor será máxima e o
transistor satura.
Regra de Projeto
• βcc (sat) = 10, ou seja, a corrente de coletor será 10
vezes maior do que a de base.
• Quando a tensão de entrada for zero, o transistor está em corte. Nesse caso,
ele se comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de
coletor, a tensão de saída será 15V.

• Quando a tensão de entrada for de 5V, a corrente de base será:

𝑉𝑆 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
 TRANSISTOR COMO CHAVE

• Supondo um curto entre coletor e emissor (totalmente saturado). A

tensão de saída vai a zero e a corrente de saturação será:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = 𝑅𝐶
TRANSISTOR COMO CHAVE – EXEMPLO PRÁTICO
ELETRÔNICA – UNIDADE 4
UNIVERSIDADE CANDIDO MENDES
 TRANSISTORES ESPECIAIS - JFET
• Transistor de Efeito de Campo
• Possui três terminais: Gate, Dreno e Fonte.
• Possui uma única junção PN.
• É um dispositivo controlado por tensão.
• Podem ser de dois tipos: Canal n e canal p.
SIMBOLOGIA
VANTAGENS EM RELAÇÃO AOS TRANSISTORES BIPOLARES
• Apresentam alta impedância de entrada (MΩ),
• Possuem capacidade de dissipação de potência elevada
• Comutação de grandes correntes em frações de tempo pré-estabelecido.
• É mais imune a ruídos.
ESTRUTURA INTERNA
 PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO
• Aplicação de uma tensão VGS < 0 (-).
• Quanto mais negativa, mais estreito o canal e menor a corrente de dreno.
• Com VGS = 0, a corrente de dreno será máxima (I DSS).
CURVA VDS X ID
 PRINCIPAIS APLICAÇÕES
• chaves eletrônicas,
• retificadores,
• Inversores,
• acionadores de carga no ambiente industrial.
 MOSFET
• Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET)

• No MOSFET, normalmente o material semicondutor é o silício, os contatos

metálicos são de alumínio e o isolante é um óxido de silício.
SIMBOLOGIA DO MOSFET
ESTRUTURA INTERNA
 FUNCIONAMENTO DO MOSFET
• Corte
• VGS< V T
• Quando o dispositivo opera como chave eletrônica, ele está nas regiões de corte e
saturação.
• Para que o transistor opere na região de corte a tensão aplicada no gate,
controlada pelos circuitos de comando, deverá ser menor que a tensão mínima para
saturação, V T.
 FUNCIONAMENTO DO MOSFET
• Saturação
• VGS > V T (limiar de saturação) e V DS > VGS – V T .

• Ocorre formação do canal entre o dreno e a fonte.

• Logo temos corrente de dreno.
CIRCUITO COM MOSFET