Este documento contém 15 exercícios sobre propriedades elétricas de materiais. Os exercícios cobrem tópicos como condutividade elétrica, resistência, mobilidade de elétrons, concentração de portadores, capacitância e campo elétrico em capacitores. As respostas são fornecidas em um gabarito detalhado.
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LISTA DE EXERCICIOS VII: Propriedades Elétricas
1) (a) Calcule a condutividade elétrica de uma amostra cilíndrica de silício com diâmetro de 5,1 mm e 51 mm de comprimento, através da qual uma corrente de 0,1 A passa em uma direção axial. Uma voltagem de 12,5 V é medida entre duas sondas que estão separadas por uma distância de 38 mm. (b) Calcule a resistência ao longo de toda a extensão de 51 mm da amostra.
2) Um fio em aço-carbono com 3 mm de diâmetro deve oferecer uma resistência que não seja superior a 20 . Calcule o comprimento máximo do fio. Dado: Condutividade elétrica do aço carbono: σ = 0,6 x 107 (Ω-m)-1
3) Qual é a diferença entre condução eletrônica e condução iônica?
4) (a) Calcule a velocidade de arraste dos elétrons no germânio à temperatura ambiente e
quando a magnitude do campo elétrico é de 1000 V/m. (b) Sob essas circunstâncias, quanto tempo um elétron leva para se deslocar transversalmente através de uma distância de 25 mm de cristal?
5) À temperatura ambiente, a condutividade elétrica e a mobilidade eletrônica para o cobre
são de 6,0.107 (Ω-m)-1 e 0,0030 m2/V-s, respectivamente. (a) Calcule o número de elétrons livres por metro cúbico para o cobre à temperatura ambiente; (b) Qual é o número de elétrons livres por átomo de cobre? Considere uma densidade de 8,9 g/cm3 para o cobre.
6) A condutividade elétrica do PbS à temperatura ambiente é de 25 (Ω-m)-1, enquanto as
mobilidades dos elétrons e dos buracos são de 0,06 e 0,02 m2/V-s, respectivamente. Calcule a concentração de portadores intrínsecos para o PbS à temperatura ambiente.
7) Sabe-se que um semicondutor do tipo n possui uma concentração de elétrons de 5.1017 m-3. Se a velocidade de arraste do elétron é de 350 m/s em um campo elétrico de 1000 V/m, calcule a condutividade desse material. 8) Um fio metálico cilíndrico com 3 mm de diâmetro é exigido para conduzir uma corrente de 12 A com uma queda mínima de voltagem de 0,01 V por 300 mm de fio. Quais dos metais e ligas listados na tabela abaixo são possíveis candidatos?
9) Cada um dos elementos a seguir irá atuar como um doador ou um receptor quando for adicionado ao material semicondutor indicado? Considere que os elementos de impureza sejam substitucionais.
Impureza Semicondutor N Si B Ge S InSb In CdS As ZnTe
10) (a) A condutividade elétrica à temperatura ambiente de uma amostra de silício é de 500 (Ω-m)-1. Sabe-se que a concentração de buracos é de 2.1022 m-3. Usando as mobilidades para os elétrons e para os buracos no silício como 0,14 m2/V.s e 0,05 m2/V.s respectivamente, calcule a concentração de elétrons. (b) Com base no resultado obtido para a parte a, você diria que a amostra é intrínseca, extrínseca do tipo n ou extrínseca do tipo p? Por quê?
11) Calcule a condutividade elétrica à temperatura ambiente para um silício que foi dopado com 1023 átomos de arsênio. 12) Um metal hipotético possui uma resistividade elétrica de 4.10-8 (Ω-m). Uma corrente de 30 A é passada através de uma amostra desse metal com 25 mm de espessura; quando um campo magnético de 0,75 tesla é imposto simultaneamente em uma direção perpendicular à da corrente, uma voltagem de Hall de 1,26.10-7 V é medida. Calcule (a) a mobilidade dos elétrons nesse metal e (b) o número de elétrons livres por metro cúbico.
13) Um capacitor de placas paralelas que utiliza um material dielétrico com uma εr de 2,2 possui um espaçamento entre placas de 2 mm. Se for usado um outro material, porém com uma constante dielétrica de 3,7, e a capacitância não for alterada, qual deve ser o novo espaçamento entre placas?
14) Considere um capacitor de placas paralelas que possui uma área de 2500 mm2 e uma separação entre placas de 2 mm, e que contém um material com constante dielétrica de 4,0 posicionado entre as placas. (a) Qual é a capacitância desse capacitor? (b) Calcule o campo elétrico que deve ser aplicado para que uma carga de 8,0.10-9 C seja armazenada em cada placa.
15) Em suas próprias palavras, explique o mecanismo segundo o qual a capacidade de
armazenamento de cargas é aumentada pela inserção de um material dielétrico entre as placas de um capacitor. GABARITO Callister 5 1) a) 14,9 (Ω-m)-1 b) 166,9 Ω
2) 848 m
3) Quando uma corrente surge de um fluxo de elétrons, a condução é denominada eletrônica;
para a condução iônica, a corrente resulta do movimento da rede de íons carregados.
4) a) 380 m/s b) 6,6.10-5 s
5) a) 1,25 x 1029 m-3 b) 1,48 elétrons livres/átomo de cobre
6) 1,95 x 1021 m-3
7) 0,028 (Ω-m)-1
8) Cobre e prata
9) Impureza Semicondutor Resposta N Si Doador B Ge Receptor S InSb Doador In CdS Doador As ZnTe Receptor
10) a) 2,97.1020 m-3
b) Uma vez que p (2,0.1022 m-3) é maior que n (2,97.1020 m-3), a amostra é extrínseca do tipo p.
11) 1040 (Ω−m)−1
12) a) 0,0035 m2/V-s b) 4,46 x 1028 m-3
13) 3,36 mm
14) a) 44,3 pF b) 9,1 x 104 V/m
15) Explicação na seção 18.19, entre as páginas 516 e 518, da 7ª edição do Callister.
