ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

AULA 1

Prof.ª Eliane Silva Custódio

 CONVERSA INICIAL

A eletrônica de potência é um ramo da eletrônica que trata de controle e

potência combinados. O controle cuida dos sistemas dinâmicos, e a potência
cuida dos equipamentos e componentes. É uma área muito fascinante e
totalmente interligada à indústria.
Nesta aula, vamos aprender sobre chaves semicondutoras de potência:
diodos, transistors bipolares, Mosfets, IGBTS e retificadores controlados de
silício. Por último, será estudada uma forma de se calcularem dissipadores de
potência para esses componentes.

TEMA 1 – DIODOS DE POTÊNCIA

Os diodos de potência têm o mesmo papel que diodos normais, porém

são mais preparados nas suas características elétricas, tais como valores altos
em corrente direta e tensão reversa.
São componentes usados em chaves retificadoras, diodos de roda livre
em circuitos chaveado, isolamento de tensão, entre outros circuitos que
necessitem de diodos mais potentes.

1.1 Noção básicas de semicondutores

Os diodos mais utilizados normalmente são feitos de silício ou germânio

(grupo IV da tabela periódica), tendo como maior representante o silício, que tem
um custo menor na obtenção e que permite que os componentes atuem em
temperaturas mais elevadas.
O silício é um elemento com número atômico 14 e tem na camada de
valência (última camada de distribuição eletrônica) quatro elétrons. Quando esse
material realiza uma ligação covalente apenas entre elementos iguais, é
chamado de semicondutor intrínseco e apresenta resistividade muito alta para
ser um condutor e muito baixa para ser um isolante (em temperatura ambiente).
Observe a Figura 1.

2
 Figura 1 – Ligação covalente Si

Pode-se controlar a resistividade e a quantidade de cargas disponíveis na

última camada de um semicondutor intrínseco acrescentando impurezas. Esse
processo de acrescentar impurezas (átomos diferentes) chama-se dopagem, e
o semicondutor passa a ser um condutor extrínseco.

1.2 Material tipo N e tipo P

Suponha que seja adicionado um átomo de impureza como antimônio
(que tem uma valência de cinco) no silício (Figura 2a). Quatro dos elétrons do
átomo de antimônio participam do processo de ligação covalente, enquanto o
elétron extra vai aumentar a condutividade. A dopagem com impurezas como o
antimônio (5 elétrons na camada de valência) gera um semicondutor tipo N.
Quando é adicionado uma impureza, como gálio ou boro, que tem uma
valência de três, no Si ou Ge, não há elétrons suficientes para completar o
processo de ligação covalente. Uma lacuna é criada na banda de valência, que
pode ser preenchida por elétrons, e isso também aumenta a condutividade do
material. Nesse caso, passa a ser um semicondutor tipo P (Figura 2b).

Figura 2 – Tipo N e tipo P

3
 1.2.1 Junção PN
A junção PN é a ligação do material tipo P ao material tipo N, e o
componente resultante dessa ligação é o diodo. Pode-se observar a camada de
depleção, que é uma região formada em torno da junção que tem carga neutra
(Figura 3).

Figura 3 – Junção PN

1.2.2 Polarização direta da junção PN

Quando aplicamos um potencial maior que 0,7 V (no caso do diodo de

silício) com o terminal positivo no lado P e o terminal negativo no lado N, temos
a polarização direta, e o diodo irá conduzir (Figura 4a).
Quando aplicamos um potencial com o terminal positivo ao lado N e
negativo ao lado P, temos a polarização reversa, e o diodo não conduz (Figura
4b).

4
 Figura 4 – Polarização direta e polarização inversa

1.3 Características do diodo

O diodo de potência é formado por uma junção PN, conforme revisão

anterior. Seu símbolo pode ser visto na Figura 5 em uma situação de polarização
direta.

Figura 5 – Símbolo do diodo em uma polarização direta

Fonte: Rachid, 2014.

Quando em polarização direta, o diodo tem uma queda de tensão

chamada tensão direta (VD), que depende do material utilizado e de uma corrente
de condução ID. Essa polarização reversa tem uma pequena corrente chamada
de corrente de fuga, que aumenta até que a tensão atinja a tensão máxima de
avalanche. Isso pode ser verificado na Figura 6a.

5
 Figura 6 – Curva característica V- i de um diodo

Fonte: Rachid, 2014.

A curva característica do diodo pode ser expressa pela equação de

Shockley para o diodo e em regime permanente ela é dada por:
𝑉𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐼𝐼𝑆𝑆 (𝑒𝑒 𝑛𝑛𝑉𝑉𝑇𝑇 − 1)

Onde: 𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎é𝑠𝑠 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 (𝐴𝐴)

𝐼𝐼𝑆𝑆 = 𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓 (𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠çã𝑜𝑜 𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟)(𝐴𝐴)

𝑉𝑉𝐷𝐷 = 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡ã𝑜𝑜 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝çã𝑜𝑜 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 (𝑉𝑉)

𝑛𝑛 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑒𝑒 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒ã𝑜𝑜 (𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖) 𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣𝑣 𝑑𝑑𝑑𝑑 1 𝑎𝑎 2

𝑉𝑉𝑇𝑇 = 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡ã𝑜𝑜 𝑡𝑡é𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 (V)

A tensão térmica é dada por:

𝑘𝑘𝑘𝑘
𝑉𝑉𝑇𝑇 =
𝑞𝑞

Onde: 𝑞𝑞 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑒𝑒𝑒𝑒é𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡: 1,6022𝑋𝑋10−19 (𝐶𝐶)

𝑇𝑇 = 𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑎𝑎 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾𝐾 (𝐾𝐾 = 273 + º𝐶𝐶)

𝑘𝑘 = 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵: 1,3806 𝑋𝑋 10−23 𝐽𝐽/𝐾𝐾

1.4 Tipos de diodos de potência

Uma característica importante de um diodo é o tempo de recuperação

reversa (trr), que é o tempo que o diodo demora para passar do estado de
condução para o estado de não condução. Essa característica não é tão
importante para a maioria de aplicação com diodos de potência, mas quando
esse diodo precisa responder frequência de chaveamento alta, isso passa a se
tornar uma característica importante.
6
 De acordo com o tempo de recuperação reversa, os diodos são
classificados como diodo de uso geral, diodo de recuperação rápida e diodo
Schottky. A Tabela 1 mostra os tempos de cada um e os parâmetros de corrente
e tensão de cada componente.

Tabela 1 – Tipos de diodos de potência

Tipo Tempo de recuperação Tensão (V) Corrente

Uso geral Até 25us 50 – 6000 1 – 4500
Recuperação rápida Até 5us 50 – 6000 1 – 1100
Diodo Schottky nanosegundos Até 100V Até 300

O transistor de junção bipolar (BJT) é o primeiro dispositivo semicondutor

criado para permitir controle total durante as operações de on e off de um circuito.
É um componente formado por 3 áreas dopadas de silício e podem ser NPN ou
PNP, conforme Figura 7.

Figura 7 – Estrutura e símbolo de transistores bipolares

Fonte: Rachid, 2014.

1.5 Configurações do transistor bipolar

Como o transistor bipolar é um dispositivo de três terminais, existem

basicamente três maneiras possíveis de conectá-lo dentro de um circuito
eletrônico, sendo um terminal comum à entrada e à saída. Cada método de
conexão responde diferentemente ao seu sinal de entrada dentro de um circuito,
já que as características estáticas do transistor variam de acordo com cada
arranjo do circuito: configuração base comum, configuração emissor comum e

7
 configuração de coletor comum. A configuração emissor comum é a mais
utilizada e pode ser vista na Figura 8.

Figura 8 – Configuração emissor comum

Fonte: NPN..., 2019.

O transistor é um componente que funciona por corrente elétrica na base

(IB) e que libera uma grande corrente sentido coletor emissor quando o transistor
está no modo saturado, porém esse valor de IB tem de ter um valor mínimo
informado pelas características do componente. Assim, pode-se falar que a base
atua como controladora de corrente em um transistor.
A relação (IC/IB) entre essas duas correntes, de base e de emissor, tem
um nome especifico chamada ganho de corrente DC, recebe dois símbolos como
representação que é HFE, ou β (beta).
Existem transistores que tem o β por volta de 200 (a grande maioria), mas
não é regra, e essa relação tem grande proporção e faz do transistor útil na
amplificação de sinais, atuando na região ativa dessa relação. O β não tem
unidade, pois é uma razão entre a corrente de base e a de coletor.
Já a razão entre a corrente de coletor e emissor é chamada de α (alpha),
como a diferente entre as duas é muito pequena gira em torno da unidade (entre
0,95 e 0,99).
O α e β podem ser relacionados

𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑠𝑠𝑠𝑠í𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐼𝐼𝐶𝐶

𝐷𝐷𝐷𝐷 𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔ℎ𝑜𝑜 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = =
𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝐼𝐼𝐵𝐵

𝐼𝐼𝐶𝐶
𝐼𝐼𝐸𝐸 = 𝐼𝐼𝐵𝐵 + 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑒𝑒 = 𝛼𝛼
𝐼𝐼𝐸𝐸

𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸ã𝑜𝑜 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐸𝐸 − 𝐼𝐼𝐶𝐶

𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐸𝐸 − 𝛼𝛼𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙𝑙 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐼𝐼𝐸𝐸 (1 − 𝛼𝛼)

8
 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝛼𝛼
𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 𝛽𝛽 = = =
𝐼𝐼𝐵𝐵 𝐼𝐼𝐸𝐸 (1 − 𝛼𝛼) 1 − 𝛼𝛼

A seguir, temos outras fórmulas úteis retiradas da relação entre alfa e beta
e que são úteis em projetos eletroeletrônicos.

𝛽𝛽
𝛼𝛼 = 𝑜𝑜𝑜𝑜 𝛼𝛼 = 𝛽𝛽(1 − 𝛼𝛼)
𝛽𝛽 + 1
𝛼𝛼
𝛽𝛽 = 𝑜𝑜𝑜𝑜 𝛽𝛽 = 𝛼𝛼(1 + 𝛽𝛽)
1 − 𝛼𝛼
0,99
𝑆𝑆𝑆𝑆 𝛼𝛼 = 0,99 𝛽𝛽 = = 99
0,01

Beta varia de cerca de 20 se forem usados transistores com alta

capacidade de corrente elétrica chegando até 1000 com transistores bipolares,
mas geralmente são de 50 – 200, sendo essa informação encontrada na folha
de dados do componente (datasheet)

1.5.1 A configuração do emissor comum

Existem outras configurações para o transístor além de corte e saturação.
Os TBJ (transistores bipolares de junção) são utilizados também na região ativa
no caso de usar o seu efeito amplificador.
Para exemplificar essa “amplificação”, na Figura 9 temos um esquemático
de um amplificador na configuração emissor comum, usando transistores NPN.
Esse amplificador também é chamado de amplificador classe A. Nessa
configuração, o transístor está operando no meio das regiões de corte e
saturação, possibilitando o sinal ser trabalhado no tanto no semiciclo negativo
quanto no positivo, porém essas tensões amplificadas têm um nível de DC que
fica sobreposto no sinal. Sem esse nível DC, somente metade da forma de onda
seria amplificada.
Na Figura 10, temos as curvas de saída dessa configuração, que relaciona
a corrente IC (corrente de coletor) com a tensão VCE (tensão de coletor emissor),
Esse VCE é relacionado também à medida que temos a variação de IB (corrente
de base) demonstrado pelas curvas azuis. Com esses dados temos o ponto
quiescente achado pelo ponto onde VCE e IC são a metade do valor máximo. O
ponto quiescente é o melhor ponto para se trabalhar com o efeito amplificação,
pois fica longe tanto do corte quanto da saturação.

9
 Figura 9 – Amplificador emissor comum

Fonte: NPN..., 2019.

Figura 10 – Curva característica do transistor

Fonte: NPN..., 2019.

Dentro dessa configuração, temos as seguintes premissas retiradas de

uma análise feita no gráfico da Figura 10.
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶− 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝐼𝐼𝐶𝐶 =
𝑅𝑅𝐿𝐿
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 −0 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑆𝑆𝑆𝑆: (𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0) 𝐼𝐼𝐶𝐶 = , 𝐼𝐼𝐶𝐶 = , saturação
𝑅𝑅𝐿𝐿 𝑅𝑅𝐿𝐿

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 −𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑆𝑆𝑆𝑆: (𝐼𝐼𝐶𝐶 = 0) 0= 𝑅𝑅𝐿𝐿
, 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 , corte

10
 Os transistores de potência são amplamente utilizados em eletrônica de
potência e sua principal vantagem é a alta velocidade de chaveamento. Podem
ser classificados em cinco categorias (Rashid, 2014):

1. BJTs – transistores bipolares de junção (bipolar junction transistors);

2. Mosfets – transistores de efeito de campo de oxido metálico semicondutor
(metal oxide semiconductor field-effect transistors);
3. COOLMOS;
4. IGBTs – transistores bipolares de porta isolada (insulated-gate bipolar
transistors);
5. SITs – transistores de indução estática (static induction transistors).

Nesta aula, vamos mostrar como funciona o Mosfet e o IGBT, pois já

estudamos o BJTs. Esses três tipos são os mais importantes e são consideradas
ideias-chave para explicar técnicas de conversão de potência.

TEMA 2 – MOSFETS DE POTÊNCIA

O Mosfet é um transistor de potência controlado por tensão através do

pino de gate com uma pequena corrente. Tem alta frequência de chaveamento
e por isso é cada vez mais usado em conversores de baixa potência com alta
frequência. Podem ser basicamente de dois modelos: o tipo depleção e o tipo
intensificação.
O Mosfet tipo depleção é um transistor que requer tensão gate-source
(VGS) para ser desligado e pode ser considerado uma chave tipo “normalmente
fechada”. O Mosfet tipo intensificação requer uma tensão de gate-source (VGS)
para ligar o dispositivo e pode ser considerada uma chave “normalmente aberta”.

2.1 Mosfet tipo depleção

O Mosfet-depleção Canal N é formado por um substrato tipo P de silício,

com duas regiões dopadas do tipo N chamadas de source (S) e dreno (D) com
um canal entre elas. Tem uma fina camada de óxido (isolante) que acaba em um
terminal chamado de gate (G), Figura 11 (a). O VGS pode ser positivo ou negativo:

• Se VGS negativo – resulta em uma RDS alta e não haverá corrente do dreno
para o source;
• Se VGS positivo – resuta em RDS baixo e haverá corrente.

11
 Para o canal P as polaridades de VDS, IDS e VGS são invertidas, conforme
Figura 11b.

Figura 11 – Mosfet depleção

Fonte: Rachid, 2014.

2.2 Mosfet tipo intensificação

O Mosfet intensificação tipo n possui não possui um canal físico. Caso VGS
for positiva, os elétrons do substrato p serão atraídos e acumulados na superfície
abaixo da camada de óxido.
Se VGS for maior ou igual a um valor conhecido como tensão de limiar
(threshold voltage), VT, um número suficiente de elétrons será acumulado na
forma de um canal n virtual, como indicam as áreas sombreadas na Figura 12a,
e ocorrerá um fluxo de corrente do dreno para a fonte.
Para um tipo P, as polaridades de VDS, IDS e VGS são invertidas como
apresenta a Figura 15b.

12
 Figura 12 – Mosfet intensificação

Fonte: Rachid, 2014.

2.2.1 Curva característica Mosfet intensificação tipo N

No Mosfet de Canal N temos três regiões de trabalho, mostradas na

Figura 13:
Região de corte: nesse região temos VGS < Vt, sendo que VGS é a tensão
entre o gate e source (porta e dreno), equivalente ao corte no transistor, nessa
região o Mosfet fica desligado e não há condução.
Região de triodo: Essa região também pode ser chamada de linear, onde
VGS>Vt e o VDS < VGS – Vt. O Mosfet está ligado e permite uma liberação de
corrente entre o dreno e fonte. A fórmula da corrente do dreno para a fonte::

13
 Região de saturação: nessa região acontecesse do VGS > Vt e VDS>VGS –
Vt. O Mosfet está ligado e em saturação. Também é chamada de pinch-off. E
usa a seguinte fórmula para ser calculada:

Figura 13 – Curva característica

Fonte: Transistores..., S.d.

TEMA 3 – IGBTs

Um IGBT tem os pontos bons dos dois seguintes componentes: transistor

bipolar de junção e o Mosfet. É um componente de alta impedância de entrada
caracteristica do Mosfet e baixas perdas de condução como o transistor bipolar
de junção.
Na Figura 14, está representada a uma seção transversal de um IGBT.
Pode-se notar que é bem parecida com o Mosfet a não ser pelo extrato p+, porém
o funcionamento está mais parecido com o transístor.
Na Figura 15b, há o circuito equivalente do IGBT e na Figura 15c, temos
uma simplificação para efeito de cálculos. Esse componente é constituído de 4
camadas alternadas PNPN.

14
 Figura 14 – Secção transversal

Fonte: Rachid, 2014.

Figura 15 – Circuito equivalente

Fonte: Rachid, 2014.

Na estrutura IGBT PT, o tempo de chaveamento é reduzido pelo uso de

uma camada de acoplamento n fortemente dopada na região de arraste próxima
ao coletor. Na estrutura NPT, a vida útil dos portadores é mantida maior do que
a da estrutura PT, o que causa uma modulação da condutividade da região de
arraste e reduz a queda de tensão no estado ligado. O IGBT se assemelha ao
Mosfet.

15
 Como um Mosfet, quando a porta fica positiva em relação ao emissor para
que o dispositivo possa ligar, portadores n são atraídos para o canal p próximo
a região da porta; isso resulta em uma polarização direta da base do transistor
NPN, que, desse modo, executa a operação “ligar”. Um IGBT é ligado
simplesmente pela aplicação de uma tensão de porta positiva para abrir o canal
para portadores n, e é desligado pela remoção da tensão de porta para fechar o
canal. Isso requer um circuito de comando muito simples. O IGBT apresenta
perdas menores de chaveamento e condução, e ao mesmo tempo compartilha
muitas das características atraentes dos Mosfets de potência, como facilidade
de acionamento, corrente de pico, capacidade e robustez.
Um IGBT é inerentemente mais rápido do que um BJT. Entretanto, a
velocidade de chaveamento dos IGBTs é inferior aos Mosfets.
O símbolo e o circuito de um IGBT como chave são mostrados na Figura
16. Os três terminais são porta, coletor e emissor, em vez de porta, dreno e fonte,
como em um Mosfet. As características de saída típicas de IC em relação a VCE
são indicadas na Figura 17 para várias tensões porta-emissor VGE. A curva
característica de transferência típica de IC em relação a VGE é apresentada na
Figura 17.
Os parâmetros e seus símbolos são semelhantes aos dos Mosfets, exceto
que as notações para fonte e dreno são mudadas para emissor e coletor,
respectivamente.
As especificações de um IGBT discreto podem ser de até 6500 V, 2400
A, e a frequência de chaveamento consegue chegar a 20 kHz. Os IGBTs são
cada vez mais usados em aplicações de média potência, como acionamento de
motores
CC e CA, fontes de alimentação, relés de estado solido e contadores.
À medida que os limites superiores das especificações nominais dos
IGBTs disponíveis no mercado aumentam (por exemplo, chegando a 6500 V e
2400 A), os IGBTs encontram aplicações para substituir BJTs e Mosfets
convencionais que foram predominantemente utilizados como chaves.

16
 Figura 16 – Características de saídas típicas

Fonte: Rachid, 2014.

Figura 17 – Curva característica

Fonte: Rachid, 2014.

Os dispositivos conhecidos como PNPN são compostos por quatro

camadas e também são chamados de tiristores. A principal vantagem é que
podem controlar ou converter grande quantidade de energia utilizando um
controle com uma pequena potência e basicamente operam em corte e
condução.
A família de tiristores é bem grande e nesta aula falaremos dos principais:
SCR (retificador controlado de silício), Diac e Triac (tríodo de corrente alternada).

17
 TEMA 4 – SCR – RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO

É um componente semicondutor parecido com o diodo, que conduz em

um único sentido, mas o início da condução é controlado através do terceiro
terminal chamado de gate (porta).
Componentes muito utilizados em fontes reguladoras, controladores de
motor, inversores de frequência, carregadores de bateria, circuitos de proteção
e conversão CA-CC.
A estrutura do componente pode ser verifica na Figura 18a, onde se
podem verificar quatro regiões semicondutoras, e seu símbolo pode ser
verificado na Figura 19b.

Figura 18 – (a) Estrutura PNPN; (b) Símbolo

Fonte: Ahmed, 2000.

Para explicar como o SCR funciona, podemos usar o modelo PNP-NPN

(Figura 19a) e desenhar o modelo de dois transistores representado na Figura
19b.

18
 Figura 19 – (a) Analogia com transistores PNP-NPN; (b) Analogia com
transistores

Fonte: Ahmed, 2000.

Uma tensão positiva no gate polariza diretamente a junção base-emissor

do transistor Q1, passando-o para o estado ligado. Estando o ânodo do SCR
positivo, a junção emissor-base do PNP estará diretamente polarizada,
passando-o para o estado ligado. O transistor PNP suprirá o NPN com corrente
de base depois de passar para o estado ligado. Esse processo regenerativo,
denominado disparo prossegue até que ambos os transistores entrem em
saturação. A retirada da tensão de porta não fará com que o SCR passe para o
estado desligado. Q1 supre Q2 com corrente de base, assim como Q2 supre Q1.
O SCR permanece no estado ligado até que sua corrente principal (a do ânodo
para o cátodo) seja interrompida (Ahmed, 2000).
A Figura 20 mostra a curva característica para um SCR. Pode ser visto
que, na região de bloqueio reverso, se comporta de maneira semelhante a um
diodo, em que existe apenas uma corrente de fuga inversa (𝐼𝐼𝑅𝑅 ) até chegar à
tensão de ruptura inversa (𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵𝐵 ) cuja corrente cresce de modo intenso e, caso
não seja limitada, danifica o componente.

19
 Figura 20 – Curva característica de um SCR

Fonte: Ahmed, 2000.

Quando o SCR é polarizado de forma direta, podemos separar em dois

estados:

1. Sem corrente de gate (IG=0): se a tensão de polarização direta for

aumentada até tensão de disparo direto (𝑉𝑉𝐹𝐹𝐹𝐹𝐹𝐹 ) o SCR passa para o estado
ligado. A tensão no SCR cai entao para um valor baixo – a tensão no
estado ligado (1-3 V) – e a corrente aumenta no mesmo instante, limitada
apenas pelos componentes em serie com o SCR;
2. Com corrente de gate: quando se aplica a corrente de gate pode ser
controlado exatamente o valor de tensão de polarização em que será
ligado.

De acordo com a Figura 20 quanto maior a corrente IG aplicada menor

será a tensão de disparo.
O SCR permanece ligado enquanto sua corrente de direta estiver acima
da corrente de sustentação (𝐼𝐼𝐻𝐻 ). Isso quer dizer que pode ser ligado através do
gate ou da tensão de disparo direto, mas só irá desligar quando a corrente direta
existir.

4.1 Diac

O Diac é um componente que funciona como um diodo bidirecional sem

pino de controle, tendo apenas dois terminais. Ela opera como dois diodos

20
 ligados em contraposição em série. A única maneira de o dispositivo passar para
o estado ligado é excedendo a tensão de disparo. Ele pode ser chaveado de
desligado para ligado para qualquer das polaridades de tensão, o que o torna útil
em aplicações AC. A estrutura interna e seu símbolo pode ser visto na
Figura 21.

Figura 21 – Diac – (a) Estrutura; (b) Símbolo

Fonte: Ahmed, 2000.

É um componente relativamente simples cujo disparo ocorre quando a

tensão de disparo VBO for ultrapassada (Figura 22). Normalmente é utilizado
como dispositivo de disparo para SCR e Triac.

Figura 22 – Curva característica V-I de um Diac

Fonte: Ahmed, 2000.

21
 4.2 Triac

Um Triac funciona como dois SCRS em antiparalelo e pode conduzir

independente da polarização da tensão entre seus terminais e pode ser
controlado por um sinal na porta, positivo ou negativo.
A representação das camadas internas do Triac pode ser vista na Figura
23a e seu símbolo, na Figura 23b. Também se pode chamar o Triac de SCR
bidirecional e seu equivalente fica conforme Figura 10c.

Figura 23 – (a) Estrutura; (b) Símbolo; (c) Equivalente

Fonte: Ahmed, 2000.

O disparo de Triac pode ocorrer de quatro modos diferentes, chamados

de quadrantes. Assim, fixa-se o MT1 como referência e varia-se o MT2 e o gatilho
(G). Assim, teremos a Figura 24 com as formas de disparo.

Figura 24 – Quadrantes de disparo do Triac

22
 A circulação de corrente elétrica em um componente eletrônico provoca
uma dissipação de potência que se converte, essencialmente, em calor (efeito
Joule). O objetivo desta aula é fornecer ferramentas para dimensionamento de
dissipadores de calor para componentes de potência.

TEMA 5 – MODELO PARA CÁLCULO TÉRMICO EM SEMICONDUTORES EM

REGIME PERMANENTE

Para cálculo térmico, pode ser empregado o circuito equivalente

representado na Figura 25:

Figura 25 – Circuito térmico equivalente de um componente

Fonte: Barbi, 2006.

A grandezas do circuito equivalente são definidas:

Tj: Temperatura da junção (°C)
Tc: Temperatura da cápsula (°C)
Td: Temperatura do dissipador (°C)
Ta: Temperatura do ambiente (°C)
P: Potência térmica transferida ao Ambiente (W)
Rjc: Resistência térmica entre junção e cápsula (°C/W)
Rcd: Resistência térmica entre cápsula e dissipador (°C/W)
Rda: Resistência térmica entre dissipador e ambiente (°C/W)
Rja: Resistência térmica entre junção e o ambiente (°C/W)
𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 = 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 + 𝑅𝑅𝑐𝑐𝑐𝑐 + 𝑅𝑅𝑑𝑑𝑑𝑑

Para cálculo térmico, a equação fica:

𝑇𝑇𝑗𝑗 − 𝑇𝑇𝑎𝑎 = 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 𝑃𝑃

O objetivo do calculo térmico é evitar que a temperatura máxima da junção

alcance valores elevados e passe da temperatura máxima tolerada ao
componente.
Procedimento para cálculo:

23
 • P – é calculada com base nas características do componente
apresentadas no datasheet;
• 𝑇𝑇𝑗𝑗 – fornecido no datasheet;
• 𝑇𝑇𝑎𝑎 – valor adotado pelo engenheiro;
• A resistência térmica total pode ser calculada:
𝑇𝑇𝑗𝑗− 𝑇𝑇𝑎𝑎
𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 =
𝑃𝑃
• 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 𝑒𝑒 𝑅𝑅𝑐𝑐𝑐𝑐 – fornecidos no datasheet;
• A resistência térmica do dissipador pode ser calculada por:
𝑅𝑅𝑑𝑑𝑑𝑑 = 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 − 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 − 𝑅𝑅𝑐𝑐𝑐𝑐
O valor da resitência térmica é o parâmetro que deve ser utilizado para
compra ou projeto do dissipador.

5.1 Dissipadores

A função dos dissipadores é a retirada de calor do componente eletrônico.

Construidos na maioria das vezes de cobre ou alumínio, são cada vez mais
compactos e eficientes.
Para fazer a seleção do dissipador mais apropriado para o projeto, deve-
se levar em consideração o custo, o espaço e a performance.
Basicamente existe o modelo sem ventilador (Figura 26a, que tem uma
forma natural de dissipação e o modelo com ventilador (Figura 26b), que força
uma dissipação maior e é mais efetivo

Figura 26 – Dissipadores com e sem ventilador

Créditos: NosorogUA / Timothy Hodgkinson / Shutterstock

O dissipador sem ventilador normalmente tem fendas na horizontal ou

vertical. O com fendas na vertical apresenta maior eficiência (Figura 27).

24
 Figura 27 – Fendas na vertical e horizontal

5.2 Exemplo de projeto

Calcular o dissipador para um diodo no seguinte circuito de retificador

meia onda:

Do datasheet: 𝑅𝑅𝑗𝑗𝑗𝑗 = 2° C/W 𝑅𝑅𝑐𝑐𝑐𝑐 = 1° C/W 𝑇𝑇𝑗𝑗 = 180° 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 = 0,85𝑉𝑉

𝑟𝑟𝑇𝑇 = 11𝑚𝑚Ω 𝑇𝑇𝑎𝑎 = 50°𝐶𝐶

Calculando corrente no diodo:

0,45𝑉𝑉𝑜𝑜 0,45 . 220

𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑅𝑅
= = 9,9𝐴𝐴
10

0,707𝑉𝑉𝑜𝑜 0,707 . 220

𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 = = = 15,55𝐴𝐴
𝑅𝑅 10

25
 Calculando potência média dissipada:
𝑃𝑃 = 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 𝑖𝑖𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 + 𝑟𝑟𝑇𝑇 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 2 = 0,85 ∗ 9,9 + 11𝑚𝑚 ∗ 15,552 = 11,07W

A potência também pode ser definida utilizado o gráfico do fabricante:

• forma de onda – senoide;

• corrente média 9,9A.

P = 11W

Figura 28 – Cálculo da potência média dissipada

Cálculo do dissipador – Rda:

Para cálculo do dissipador, também pode ser utilizado o gráfico do

fabricante:

26
 Figura 29 – Exemplo de gráfico do fabricante

FINALIZANDO

Nesta aula foram mostrados os conceitos de alguns componentes básicos

para se trabalhar com eletrônica de potência: diodos, transistores bipolares,
Mosfets, IBJs e tiristores.
São diversos componentes com muitas informações e fórmulas novas e,
por isso, o aluno terá que fazer diversos exercícios de fixação e realizar práticas
envolvendo cada um deles.

27
 3.1 REFERÊNCIAS

AHMED, A. Eletrônica de potência. São Paulo: Pearson, 2000.

BARBI, I. Eletrônica de potência. 6. ed. Florianópolis: Edição do Autor, 2006.

MOHAN, N. Eletrônica de potência: curso introdutório. Rio de Janeiro: LTC,

2014.

NPN transistor. Electronics Tutorials, 8 ago. 2019. Disponível em:

<https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_2.html>. Acesso em: 30 jul.
2019.

RASHID, M. Eletrônica de potência. 4. ed. São Paulo: Pearson, 2014.

TRANSISTORES de efeito de campo (FETS). Demic – Unicamp, S.d.

Disponível em:
<http://www.demic.fee.unicamp.br/~elnatan/ee640/aula%20mosfet.pdf>.
Acesso em: 30 jul. 2019.

28