Técnicas de Compensação para Medidas Elétricas de Dispositivos e Estruturas de Rádio Frequência

1
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA E DE COMPUTAÇÃO
RAFAEL CORTÊS DE MEDEIROS
TÉCNICAS DE COMPENSAÇÃO PARA MEDIDAS ELÉTRICAS DE

DISPOSITIVOS E ESTRUTURAS DE RÁDIO FREQUÊNCIA
COMPENSATION TECHNIQUES FOR ELECTRICAL MEASUREMENTS

OF DEVICES AND RADIO FREQUENCY STRUCTURES
CAMPINAS
2018
ii
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA E DE COMPUTAÇÃO
RAFAEL CORTÊS DE MEDEIROS
TÉCNICAS DE COMPENSAÇÃO PARA MEDIDAS ELÉTRICAS DE DISPOSITIVOS E

ESTRUTURAS DE RÁDIO FREQUÊNCIA
COMPENSATION TECHNIQUES FOR ELECTRICAL MEASUREMENTS OF DEVICES

AND RADIO FREQUENCY STRUCTURES
Dissertação de Mestrado apresentada ao Programa de Pós-Graduação em

Engenharia Elétrica da Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação da Universidade
Estadual de Campinas para obtenção do título de Mestre em Engenharia Elétrica, na área de
Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica.
Master dissertation presented to the Electrical Engineering

Postgraduation Programm of the School of Engineering Electrical of the University of Campinas
to obtain the M.Sc grade in Engineering Electrical, in field of Electronics, Microelectronics and
Optoelectronics.
Orientador: Prof. Dr. Leandro Tiago Manêra
ESTE EXEMPLAR CORRESPONDE À VERSÃO FINAL DA DISSERTAÇÃO

DEFENDIDA PELO ALUNO RAFAEL CORTÊS DE MEDEIROS
E ORIENTADO PELO PROF. DR. LEANDRO TIAGO MANÊRA
CAMPINAS
2018
iii
iv
COMISSÃO JULGADORA - DISSERTAÇÃO DE MESTRADO
Candidato: Rafael Cortês de Medeiros RA: 160102

Data da Defesa: 05 de março de 2018
Título da Tese: "Técnicas de Compensação para Medidas Elétricas de Dispositivos e

Estruturas de Rádio Frequência”.
Prof. Dr. Leandro Tiago Manêra (Presidente, FEEC/UNICAMP)

Prof. Dr. José Alexandre Diniz (FEEC/UNICAMP)
Dr. Serguei Balachov (CTI Renato Archer)
A ata de defesa, com as respectivas assinaturas dos membros da Comissão Julgadora,

encontra-se no processo de vida acadêmica do aluno.
v
Dedicado ao Sr. Marcos Baptista Cotovia Pimentel, grande

incentivador desta jornada ao qual devo profunda gratidão
por todo apoio dado a esta realização.
vi
AGRADECIMENTOS
Primeiramente agradeço a Deus por toda a foça e perseverança em mais esta caminhada de
minha vida. Agradeço aos meus familiares que estiveram próximos todo o tempo apoiando meu
crescimento, em especial a Sra. Ana Maria Cortês abdicou diariamente sua vida para o sucesso de
minhas realizações.
Agradeço aos amigos do CTI Renato Archer, em especial aos colegas da NAPE que divi-
diram comigo seus desafios diários e compartilharam as experiências que formaram meu perfil
técnico e profissional, ao Prof. Dr. José Alexandre Diniz pelos ensinamentos que estimularam mi-
nha visão científica, ao colega Marcos Puydinger que dedicou precioso tempo para elucidar inú-
meras dúvidas que tive nesta jornada, aos Proessores Dr. Geraldo P. Caixeta e Dr. Luiz Carlos que
fundamentaram a base de minha formação acadêmica, e ao Dr. Serguei Balachov pelas inúmeras
tardes de aprendizado. Coloco também meus sinceros agradecimentos pelo acolhimento dos cole-
gas da equipe de Hardware da Padtec, em especial ao Sr. Marcelo de Oliveira Leme que acreditou
em minha competência para um novo e importante desafio em minha vida.
Agradeço a Sra. Rosângela Botelho Fernandes que esteve ao meu lado nas horas decisivas
de minha vida e de minha família, cujo apoio e carinho permitiram minha formação e mais esta
realização.
E por fim, coloco a fundamental participação do Prof. Dr. Leandro T. Manera, que me en-
sinou, orientou e principalmente acreditou em minha capacidade para o cumprimento de todos os
requisitos acadêmicos para a realização desta pesquisa.
vii
RESUMO
Com a demanda crescente de tecnologias aplicadas à comunicação e processamento de dados, o
aumento da frequência de operação dos dispositivos é o requisito necessário para o aumento do
tráfego de informação, e a caracterização destes produtos deve seguir técnicas adequadas de medi-
das aplicadas a rádio frequência. Estas técnicas são dependentes diretas de aspectos dos dispositi-
vos, como configuração das terminações, impedância característica, parâmetros parasitários intrín-
secos da estrutura e frequência de operação. Bipolos com terminação single-ended e impedância
característica próxima de 50 Ω podem ser medidos com técnica de reflexão sem comprometer a
exatidão de seus resultados. Porém bipolos de baixa ou alta impedância requerem técnicas de me-
dição Shunt-Thru e Series-Thru para reduzir efeitos parasitários responsáveis por aumento do erro
de medição. Foi realizado um experimento para demonstrar que uma determinada técnica para
medir um capacitor apresentou um erro de medição de até 4,2% em medidas de baixa frequência,
porém utilizando a mesma técnica em alta frequência o erro foi de 23,2%. Ainda é comum que
estes dispositivos sejam montados em estruturas, chamadas fixture, para possibilitar a conexão e
medição. A inclusão do fixture adiciona na caracterização parâmetros parasitários como admitância
paralela, impedância série, resistências de contato, bem como fenômeno de acoplamento magnético
existentes na interface entre o fixture e dispositivos. Estes parasitas devem ser compensados por
técnicas adequadas de De-Embedding, como Open De-Embedding e Three Step De-Embedding
que compensam diferentes conjuntos de parâmetros parasitários, e devem ser selecionadas con-
forme os mesmos aspectos citados do dispositivo sob test (DUT). O uso de ferramentas computa-
cionais otimiza a execução e exatidão dos resultados do De-Embedding, limitando desvios apenas
à fidelidade das estruturas fabricadas ou simuladas com o fixture usado efetivamente para compor-
tar o DUT. O De-Embedding realizado pelo método Three Step De-Embedding para a medição de
impedância de um dispositivo magnético de impedância variável apresentou erro de 4,1% con-
forme o resultado de referência em baixa frequência, enquando o método Open De-Embedding
resultou em 44,9% de erro para a mesma medição. A discrepância dos resultados de compensação
dos dois métodos de De-Embedding ocorreu devido a falta de compensação da impedância série
do fixture que é significativa, inerente de sua construção, reforçando a importância da seleção do
método adequado conforme proposta deste trabalho.
Palavras-chave: Rádio Frequência. Analisador de Redes. Técnicas de Medidas RF. Alta Frequên-
cia.
viii
ABSTRACT
With the increasing demand for technologies applied to communication and data processing, de-
vices operation at high frequency is a requirement for high information traffic, and the character-
ization of these products must follow proper radio frequency measurement techniques. These tech-
niques are directly dependent on aspects of the devices, such as the configuration of the termina-
tions, characteristic impedance, intrinsic structure parameters and operation frequency. Bipoles
with single-ended termination and characteristic impedance near to 50 Ω can be measured with
reflection technique without compromising the accuracy results. However very low or high imped-
ance bipoles require Shunt-Thru and Series-Thru measurement techniques to reduce parasitic ef-
fects responsible for increased measurement error. It was performed an experiment in order to
demonstrate that a specific technique to measure a capacitor has shown measurement error up to
4.2% at low frequency, but using the same technique at high frequency the error reaches 23.2%. It
is also usual mounting these devices in structures, called fixture, to enable connection and meas-
urement. The fixture inclusion adds the characterization parasitic parameters such as parallel ad-
mittance, series impedance, contact resistances, and magnetic coupling phenomena existing in the
interface between fixture and device. These parasites must be compensated by appropriate Embed-
ding techniques such as Open De-Embedding and Three Step De-Embedding, which compensate
different sets of parasitic parameters, and should be selected according to the same aspects of the
device under test (DUT). The employment of computational tools optimizes the execution and ac-
curacy of De-Embedding results, which renders deviations strictly based on similarities between
fabricated/simulated structures and the fixture used effectively to DUT connection. The compensa-
tion performed by the Three Step De-Embedding method was performed to compensate parasitics
in a variable impedance magnetic device measurement, and the outcome was 4.1% error as the
reference at low frequency, since the Open De-Embedding method returned in 44, 9% error for the
same measurement. These discrepant results occurred due to lack of impedance series compensa-
tion, which is significant, inherent to fixture construction, backing up the importance of proper
selecting of the method as proposed in this work.
Keywords: Radio Frequency. Network Analyzer. RF Measurements. High Frequency.

ix
LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1 – Medida de insertion loss de cabos com diferentes qualidades [5]. .......................... 19
Figura 1.2 – Medida e simulação de impedância de estrutura capacitiva RF2 e Open. ............... 20
Figura 1.3 – fluxo das atividades da pesquisa científica sobre medidas RF de dispositivos. ...... 21
Figura 2.1 – HP 8410 Network Analyzer [6] . .............................................................................. 23
Figura 3.1 – Medição de tensão do 0 dBm. Gerador Agilent N5182A series MXG: 0 dBm / 30MHz;
Osciloscópio Agilent Infiniun DSA90604A: 223,9 mV RMS ou 328,9 mV de pico. Cabo de 50Ω.
....................................................................................................................................................... 29
Figura 3.2 – Propagação de onda através na fronteira de dois meios........................................... 33
Figura 3.3 – Linha de transmissão sem perdas – modelagem de circuitos. ................................. 35
Figura 3.4 – Linha de transmissão com perdas - modelagem de circuitos. .................................. 35
Figura 3.5 – Carta de Smith, linhas de resistência constante. ...................................................... 37
Figura 3.6 – Carta de Smith, linhas de reatância constante. ......................................................... 38
Figura 3.7 – Valores de reflexão na forma polar na Carta de Smith. ........................................... 38
Figura 3.8 – Valores de reflexão na forma polar na Carta de Smith. ........................................... 39
Figura 3.9 – Loop C1 com corrente i(t) induzindo campo elétrico e corrente no loop C2. ......... 41
Figura 3.10 – Ilustração da lei de Lenz ........................................................................................ 42
Figura 3.11 – Ilustração da lei de Correntes de Foucault ............................................................. 42
Figura 3.12 – Indução eletromagnética gerando skin effect. ........................................................ 43
Figura 3.13 – Profundidade pelicular δ. ....................................................................................... 43
Figura 3.14 – Amplitude do vetor densidade de corrente J em um condutor homogêneo. .......... 43
Figura 3.15 – Indução de corrente por proximidade. ................................................................... 45
Figura 3.16 – Efeito de proximidade entre 3 condutores paralelos. ............................................. 46
Figura 3.17 – Digrama de fluxo de sinal em um VNA. ............................................................... 47
Figura 3.18 – Diagrama de parâmetros S conforme portas do VNA. .......................................... 47
Figura 4.1 – Fluxograma de medição de dispositivos utilizando o VNA. ................................... 50
Figura 4.2 – Agilent E5071C ENA Series Network Analyzer. .................................................... 51
Figura 4.3 – kit coaxial Agilent 85052D - 3.5mm. ...................................................................... 51
Figura 4.4 – Kit on-wafer Cascade ISS 101-190 GSG. ................................................................ 51
x
Figura 4.5 – Mapa do Kit on-wafer Cascade ISS 101-190 GSG [32]. ......................................... 52
Figura 4.6 – Padrões do kit on-wafer Cascade ISS 101-190 GSG [32]. ....................................... 53
Figura 4.7 – Tips GSG e estrutura de alinhamento do kit on-wafer Cascade ISS 101-190 GSG [32].
........................................................................................................................................................ 53
Figura 4.8 – Probe Station manual Summit 11000 M (1), e Probe Station semiautomática Summit
12000 (2), integradas a instrumentos de medição. ......................................................................... 53
Figura 4.9 – Probes/Tips GSG, pitch 150 µm. ............................................................................. 54
Figura 4.10 – Probe Holders de suporte dos Probes/Tips GSG. Cabo coaxial GORE fixado. .... 54
Figura 4.11 – Portas do VNA (1), Cabos para conexão do DUT (2), novo plano de calibração (3)
........................................................................................................................................................ 54
Figura 4.12 – Padrões do kit on-wafer Cascade ISS 106-683 GS. ............................................... 55
Figura 4.13 – Tips GS e estrutura de alinhamento do kit on-wafer Cascade ISS 106-683 GS. .... 55
Figura 4.14 – Resultados de uma calibração Short, Open, Load e Thru. ..................................... 56
Figura 4.15 – Padrões planares Line de substrato de calibração para probes GSG [32]. ............. 57
Figura 4.16 – Detalhe de linhas de transmissão in-fixture e plano de calibração original e
extendido. ....................................................................................................................................... 58
Figura 5.1 – Guia de Onda Coplanar – Secção Transversal [10].................................................. 60
Figura 5.2 – Medição de parâmetro S11 de linha de transmissão sem perdas.............................. 61
Figura 5.3 – Medição de parâmetro S31 de linha de transmissão sem perdas.............................. 62
Figura 5.4 – Medição de impedância S11 de linha sem perdas. ................................................... 62
Figura 5.5 – Medição de return loss de linha sem perdas. ............................................................ 63
Figura 5.6 – Medição de impedância S31 de linha sem perdas. ................................................... 64
Figura 5.7 – Medição de insertion loss de linha sem perdas. ....................................................... 64
Figura 5.8 – Medição de SWR de linha sem perdas. .................................................................... 65
Figura 5.9 – Medição de parâmetro S11 de linha de transmissão com perdas. ............................ 65
Figura 5.10 – Medição de parâmetro S31 de linha de transmissão com perdas. .......................... 66
Figura 5.11 – Medição de impedância S11 de linha com perdas.................................................. 66
Figura 5.12 – Medição de return loss de linha com perdas. ......................................................... 67
Figura 5.13 – Medição de impedância S31 de linha com perdas.................................................. 68
Figura 5.14 – Medição de insertion loss de linha com perdas. ..................................................... 68
Figura 5.15 – Medição de SWR de linha com perdas................................................................... 70
xi
Figura 5.16 – Comparação entre fase do sinal refletido ≈ 1080˚ (TR5 - esquerda), e do sinal
transmitido λ ≈ 480˚ (TR6 - direita). ............................................................................................. 71
Figura 5.17 – Distorção na forma de onda causada pelo efeito Doppler, vista no domínio da
frequência. ..................................................................................................................................... 72
Figura 5.18 – Comparação entre fase do sinal refletido e return loss, frequências de ressonância.
....................................................................................................................................................... 72
Figura 5.19 –Atraso de grupo, sinal transmitido em guia de onda coplanar, parâmetro S31. ...... 73
Figura 5.20 – Tempo de atraso de sinal transmitido em cabo RG58, parâmetro S31. ................. 74
Figura 5.21 – Fase θ do sinal refletido e return loss, até frequências de ressonância 760 MHz.. 76
Figura 5.22 – Resultados de impedância, insertion loss e fase de sinal refletido. ....................... 77
Figura 5.23 – Fluxograma de seleção da técnica de medição. ..................................................... 79
Figura 5.24 – Exemplos de medição de capacitor fabricado em diferentes configurações. ......... 80
Figura 5.25 – Técnica Reflexão de Medição [3]. ......................................................................... 81
Figura 5.26 – Técnica Shunt-Thru de Medição [3]. ..................................................................... 81
Figura 5.27 – Técnica Series-Thru de Medição [3]...................................................................... 82
Figura 5.28 – Fluxo de avaliação para seleção da técnica de medida (caixas em vermelho). ..... 83
Figura 5.29 – Layout do indutor em configuração series-thru [42]. ............................................ 84
Figura 5.30 – Indutor I1D durante medição. ................................................................................ 84
Figura 5.31 – Resultados S11 indutor ID1, Azul: Medido; Vermelho: Simulado ......................... 84
Figura 5.32 – Resultados S22 indutor ID1, Azul: Medido; Vermelho: Simulado ........................ 84
Figura 5.33 – Resultados S11 indutor I1C, Azul: Medido; Vermelho: Simulado. ........................ 86
Figura 5.34 – Layout do capacitor em configuração series-thru.................................................. 88
Figura 5.35 – Simulação 3D de CB4. Setas indicam sentido da densidade de corrente. ............. 88
Figura 5.36 – Resultados de simulação e medição - S11 (azul medição e vermelho simulação).. 89
Figura 5.37 – Sinal RF trafegando em indutor planar. ................................................................. 92
Figura 5.40 – Modelagem circuital de indutor de 10 nH com capacitância parasita de 0,5 pF. .. 94
Figura 5.41 – Modelagem circuital de indutor de 10 nH com capacitância parasita de 0,1 pF. .. 95
Figura 6.1 – Detalhe de DUT montado em fixture. [8] ................................................................ 96
Figura 6.2 – Separação da estrutura sob medição em redes individuais [43]............................... 97
xii
Figura 6.3 – Relação das matrizes T das redes em série [43]. ...................................................... 98
Figura 6.4 – Indutor (DUT) montado em um fixture com alta resistência série e capacitaria parasita.
........................................................................................................................................................ 99
Figura 6.5 – Resultado da simulação de impedância do circuito da figura 6.4. ........................... 99
Figura 6.6 – Z indutor simulado utilizando ADS. ........................................................................ 99
Figura 6.7 – De-Embeding utilizando Matlab............................................................................... 99
Figura 6.8 – Simulação de resistor de 50 Ω conectado em estrutura de trilhas irregulares. ....... 100
Figura 6.9 – Resultado da simulação da estrutura da figura 6.8. ................................................ 101
Figura 6.10 – Simulação de trilhas compensadas pela toolbox De-Embed2. ............................. 101
Figura 6.11 – Resultado da simulação da estrutura da figura 6.10, após compensação. ............ 102
Figura 6.12 – Diagrama de fluxo para a realização do Three Step De-Embedding. ................... 103
Figura 6.13 – Fixture com DUT (nano disco Co); (b) Open; (c) Short; (d) Thru [46][47]. ....... 104
Figura 6.14 – Estruturas de De-Embedding Thru-Open-Short simuladas ADS, (a) trhu, (b) short,
(c) open. ....................................................................................................................................... 105
Figura 6.15 – Comparação de resultados entre os diferentes tipos de De-Embedding. .............. 106
Figura 6.16 – Comparação de resultados entre os diferentes tipos de De-Embedding. .............. 106
13
LISTA DE TABELAS
Tabela 3.1 – Profundidade Pelicular de materiais [28]. ............................................................... 44

Tabela 3.2 – Perdas de potência nos condutores a, b e c (P1, P2 e P3), largura do condutor (h),
profundidade pelicular (δ) e resistência (Rdc)............................................................................... 46
Tabela 5.1 – Resultados de impedância I1D, comparação entre simulação e medição................ 84
Tabela 5.2 – Resultados de indutância I1D, comparação entre simulação e medição. ................ 85
Tabela 5.3 – Resultados de impedância I1C, comparação entre simulação e medição. ............... 87
Tabela 5.4 – Resultados de indutância I1C, comparação entre simulação e medição.................. 87
Tabela 5.5 – Resultados de CB4, comparação entre simulação e medição. ................................. 89
Tabela 5.6 – Seleção da técnica de medição em função de ZL e frequência. ............................... 90
14
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
AM Modulação por Amplitude

APE Extensão Automática de Portas (Automatic Port Extension)
CI Circuito Integrado
De-Embedding Compensação parasitária para “desempacotamento” de parâmetros
DUT Dispositivo sob medição (Device Under Test)
Fixture Circuito ou estrutura ao qual o DUT é montado para interconexão elétrica
FM Modulação por Frequência
GSG Ground-Signal-Ground (sensor de medição com padrão terra-sinal-terra)
In-fixture Relativo ao meio interno do fixture
Insertion Loss Perda do sinal transmitido
LCR Equipamento para caracterização de indutância, capacitância e resistência
Load Terminação em 50 Ω, acessório de calibração do tipo carga
On-wafer Relativo ao meio sob a superfície de um substrato semicondutor
OPD De-Embedding baseado na estrutura de compensação Open
Open Terminação em circuito aberto, acessório reflexivo de calibração
OSD De-Embedding baseado na estrutura de compensação Open e Short
Probe Ponta de prova
Probe Holder Estrutura de fixação de uma probe
Probe Station Sistema Micromaniplador
Return Loss Perda do sinal refletido
RF Rádio Frequência
RFID Identificação através de sinais de rádio frequência
SOLT Short-Open-Load-Thru (padrões de calibração)
SWR Relação de Onda Estacionária
Short Terminação em curto-ircuito, acessório reflexivo e calibração
Thru Linha de transmissão de comprimento não significativo, casado em Z0, acessório
de calibração
TRL Thru-Reflection-Line (padrões de calibração)
TSOD Three Step De-Embedding baseado na estrutura de compensação Thru, Short e
Open
VNA Analisador de Redes (Vector Network Analyzer)
15
SUMÁRIO
– Introdução ......................................................................................................... 17
1.1 Objetivos ........................................................................................................................ 18
1.2 Justificativa .................................................................................................................... 19
1.3 Metodologia ................................................................................................................... 21
– Revisão Bibliográfica ........................................................................................ 22
– Fundamentação teórica ..................................................................................... 27

3.1 Níveis de Potência e Tensão na unidade do Decibel ....................................................... 27
3.2 Propagação de ondas em linhas de transmissão e descasamento de impedância ............. 31
3.3 Carta de Smith ................................................................................................................ 36
3.4 Efeitos de Propagação em Alta Frequência .................................................................... 40
3.5 Medição de Parâmetros de Espalhamento ...................................................................... 47
– Técnicas de Medição e Compensação Parasitária ........................................... 50

4.1 Estrutura Utilizada.......................................................................................................... 51
4.2 Calibração SOLT e TRL ................................................................................................ 54
4.3 Extensão de Portas APE ................................................................................................. 58
– Resultados Experimentais................................................................................. 60
5.1 Técnicas de caracterização de linhas de transmissão e análise das medidas típicas do
VNA ..................................................................................................................................... 60
5.2 Medição de Impedância e Perdas em Linha de Transmissão Ideal ................................. 61
5.3 Medição de Impedância e Perdas em Linha de Transmissão Real .................................. 65
5.4 Classificação de dispositivos RF e interpretação de resultados ...................................... 78
5.5 Técnicas de Medição de Dispositivos Bipolos e Quadripolos para aplicação em RF ..... 80
5.6 Caracterização de Bipolos Elementares para aplicação RF ............................................ 83
5.7 Caracterização de Quadripolos RF e Compensação Parasitária ...................................... 91
– De-Embedding ................................................................................................... 96
6.1 Resultados Experimentais De-Embedding com Matlab .................................................. 98
6.2 Resultados Experimentais De-Embedding com Keysight ADS .................................... 100
6.3 Métodos de De-Embeding para Técnica de Medição Series-Thru ................................ 102
– Conlusões Finais .............................................................................................. 108

16
– Trabalhos Publicados ...................................................................................... 111
– Referências Bibliográficas .............................................................................. 112
APÊNDICE A – Instrução de Operação do Analisador de Redes HP 4195A................... 116
APÊNDICE B – Procedimento de Medição de Reflexão de Cargas .................................. 121
APÊNDICE C – Procedimento de Medição de Parâmetros S ........................................... 123
APÊNDICE D – Procedimento de Medição de Perdas em Linhas de Transmissão ......... 125
APÊNDICE E – Método de De-Embeding usando o matlab ............................................. 127
APÊNDICE F – Método De-Embedding usando o Software Advanced Design System

(ADS) 128
APÊNDICE G – Procedimento de Medição de Comprimento de Linha .......................... 135

17
– Introdução
O conceito de tecnologia a serviço da comunidade possui um princípio fundamental: fun-

cionamento satisfatório. O desenvolvimento científico cria margem para a exploração de novas
aplicações e, dentro do universo de semicondutores, a necessidade da criação de novas técnicas
para caracterização física do funcionamento de dispositivos [1]. A caracterização de parâmetros de
projeto é fundamental para diversas etapas de desenvolvimento e na comprovação de requisitos de
qualidade para atendimento do mercado. Experimentos exigem medições para que sejam validados
e aceitos cientificamente, onde diferentes tecnologias exigem técnicas específicas de medição para
que o resultado expresse fielmente a realidade. Tecnologias da atualidade aplicadas a comunicação
e processamento de dados, trafegam sinais em alta frequência (3 MHz à 30 GHz), e quanto maior
a quantidade de dados, maior a velocidade necessária e por consequência maior a frequência. Dis-
positivos que operam em alta frequência devem ser caracterizados em toda a sua faixa de operação,
e os cuidados necessários para a execução adequada deste tipo de medida, especialmente em alta
frequência, motivaram este trabalho.
O rigor e a complexidade das técnicas de medição aumentam significativamente quando
medições de sinais em frequências mais altas estão envolvidas. É conhecido que, quando a fre-
quência do sinal atinge valores em que seu comprimento de onda passa a ser da mesma ordem de
grandeza que o comprimento das trilhas dos dispositivos (como filtros, antenas, amplificadores,
etc), ou componentes (transistores, capacitores, indutores), que confinam este sinal, é comum apa-
recerem efeitos de segunda ordem que necessitam de técnicas de análise que extrapolam aquelas
utilizadas em dispositivos que operam em baixas frequências [2]. Estas técnicas de medição, como
series-thru, shunt-thru, e de-embedding, foram utilizadas ao longo deste trabalho para a caracteri-
zação de diferentes tipos de dispositivos como circuitos integrados, antenas de RFID, transistores,
indutores e capacitores fabricados com tecnologia planar. Cada dispositivo possui diferentes carac-
terísticas de fabricação, e diferentes métodos de medição e compensação foram executados para a
seleção do melhor método de caracterização para cada tipo de dispositivo.
Os resultados deste estudo mostram que a escolha da técnica correta de compensação é
imprescindível para obtenção de resultados confiáveis durante medições em alta frequência, espe-
cialmente para dispositivos que devem ser caracterizados com a técnica series-thru [3]. Esta con-
figuração comumente empregada na fabricação de capacitores e indutores planares requer técnicas
18
diferenciadas de compensação, uma vez que os elementos parasitários do componente não podem
ser isolados e o método tradicional de compensação não é aplicado.
Outro aspecto de atenção é a impedância do dispositivo. Cada técnica de medição é mais
adequada para valores de impedância de diferentes ordens de grandeza (baixa, alta, Z0). A seleção
adequada de métodos de compensação otimiza a eliminação de parasitas mais importantes em me-
dição de dispositivo de baixa impedância, enquanto outros métodos são mais eficazes para dispo-
sitivos de alta impedância [4]. Este universo de características combinadas é um desafio nas etapas
de caracterização, validação e qualificação de dispositivos. Este trabalho é motivado por este de-
safio, e tem como proposta central determinar as técnicas de caracterização mais adequadas para
diferentes dispositivos RF.
1.1 Objetivos
A meta que fundamenta este trabalho é prover um mapeamento detalhado das etapas de
medição de dispositivos RF. É conhecido que existem fatores como impedância de entrada/saída,
geometria, dimensão vias e proximidade de condutores aterrados responsáveis por tornar medidas,
especialmente em alta frequência, metodologicamente especificas. Isto torna grande a diversidade
dos métodos de medição existentes, tipicamente em função da frequência, do parâmetro medido e
do dispositivo.
Porém, existem etapas comuns aplicadas à maioria das medidas, principalmente relaciona-
das à configuração dos equipamentos e calibração. Desta maneira é possível sistematizar o processo
de medição partindo desta camada comum, e mapeando o processo de medição de modo top-down
para atingir níveis específicos relacionados ao tipo de componente, configuração de terminais, fre-
quência de medição, entre outros.
Após o mapemanto das técnicas de medição de diferentes classes de dispositivos, é desejá-
vel que procedimentos de medição sejam elaborados e disponibilizados para consulta da comuni-
dade. O objetivo destes procedimentos é otimizar trabalhos acadêmicos e científicos, bem como
subsidiar experimentos acadêmicos em laboratório e até fornecer à indústria (equipes de P&D)
métodos efeitovos de medidas RF em dispositivos diversos.
19
Portanto, em resumo, os objetivos específicos deste trabalho são:

 Levantamento das técnicas de medições RF para dispositivos;
 Aplicação de diferentes técnicas de medição em dispositovos RF do tipo bipolos,
quadripolos e linhas de transmissão;
 Caracterização de sinais propagados em linhas de transmissão utilizando o Analisa-
dor de Redes;
 Utilização de técnicas de De-Embedding para compensação de dispositivos medidos
por técnica de reflexão e shunt-thru;
 Utilização de técnicas de De-Embedding para compensação de dispositovos com
configuração series-thru;
 Elaboração de procedimentos didáticos para medição de dispositivos RF e compen-
sação de parâmetros parasitários utilizando o Analisador de Redes.
1.2 Justificativa
A realização de medidas em laboratório destaca a importância da utilização de técnicas

adequadas, especialmente para faixas de alta frequência. Estas técnicas abrangem desde a utilização
de equipamentos e acessórios adequados para a faixa de frequência de medição, até a o uso de
ferramentas computacionais para simulação de efeitos de propagação e processamento matemático
de parâmetros medidos (utilizado para compensação de medidas).
Observa-se na figura 1.1 a importância da seleção adequada de acessórios em medição. Os
cabos que interconectam as portas do Analisador de Redes ao dispositivo devem possuir qualidade
adequada à faixa de frequência e potência de medição.
Figura 1.1 – Medida de insertion loss de cabos com diferentes qualidades [5].
20
Os chamados “cabo bom e cabo ruim” são exatamente os mesmos tipos de cabos, mesmo
fabricante e especificação técnica para operação até 30 GHz, porém o chamado “cabo ruim” é um
cabo mais velho (foi utilizado por anos) que o chamado “cabo bom”. Observamos na figura 1.1
que enquanto o “cabo bom” apresena perda de inserção em torno de -0.02 dB para 25GHz, o “cabo
ruim” apresenta -0.1 dB na mesma frequência. Este resultado pode não parecer expressivo, porém
para caracterização de dispositivos low-loss é crítico podendo até causar a desaprovação do resul-
tado. A seleção e montagem de acessórios adequados para a medição de parâmetros S é o primeiro
passo da técnica utilizada na medição, e a atenção necessária nesta etapa é justificada pelo exemplo
acima.
Observamos a seguir um exemplo exercitado através de simulações utilizando o programa
Keysight Advanced Design System (ADS) e medições de estruturas RF. A curva DUT RF2 é uma
simulação que representa o perfil esperado de uma estrutura capacitiva RF2 medida. O mesmo
pode ser observado nas curvas da estrutra em aberto (Open) simulada e medida.
1 2
Figura 1.2 – Medida e simulação de impedância de estrutura capacitiva RF2 e Open.
Observamos a diferença entre as curvas de simulação e medição neste exemplo, e a impor-

tância da realização de simulações para a adoção de referencias em uma medida. A utilização de
uma referencia confiável, como uma simulação adequada, pode validar uma medição ou até mesmo
direcionar ajustes na configuração dos equipamentos utilizados. Apesar da referencia partir dos
21
valores nominais do componente medido, veremos nos capítulos seguintes que outros elementos
físicos interferem em uma medida e tais elementos podem ser previstos por uma adequada simula-
ção. Efeitos não previstos, como o deslocamento entre as curvas simuladas e medidas, ou os loops
observados nas curvas de medição da figura 1.2. podem representar defeitos no processo de fabri-
cação ou até a degradação do parâmetro medido quando o dispositivo sofre algum tipo de desgaste.
Se a simulação não considerar todos os parâmetros previsto em uma medição, ou a medição for
realizada utilizando uma técnica com erro significativo para o parâmetro avaliado, a referência se
torna equivocada e o resultado mascarado.
1.3 Metodologia
A pesquisa científica deste trabalho possui alicerce em conceitos eletromagnéticos e méto-

dos de caracterização difundidos pela indútria de equipamentos de medição. Conforme a figura
1.3, partindo da revisão bibliográfica e verificação dos equipamentos disponíveis, os estudos são
iniciados com experimentos típicos que embasam conceitualmente os primeiros estudos de efeitos
eletromagnéticos. Estes estudos devem abranger os parâmetros parasitas observados, e em seguida
validados.
Figura 1.3 – fluxo das atividades da pesquisa científica sobre medidas RF de dispositivos.
22
A partir da compreensão física dos parâmetros parasitas que compões as medidas RF, as
atividades relacionadas a compensação de medidas são iniciadas. Estas atividades contêm estudos
que consideram características de cada tipo de medida, como frequência, impedância, conexões de
terra e arquitetura. Simulações e utilização de ferramentas como Matlab e Keysight ADS são im-
portantes nesta etapa e a interpretação dos resultados é dependente da compeensão dos efeitos e
fenômenos eletromagnéticos inerentes do método de medida (como indução, efeito pelicular e aco-
plamento eletromagnético).
Por fim, após a validação dos métodos de compensação, os estudos desenvolvidos serão a
referencia para a elaboração de procedimentos de medição, simulação e compensação. Estes pro-
cedimentos destinam-se à aplicação didática em laboratório (vide apêndices A até G).
– Revisão Bibliográfica
Nas décadas de 40 e 50 a comunicação em alta frequência era possível graças ao emprego

das tecnologias da época, como tubos de klystrons/magnetrons para amplificação de sinais RF e
modulações AM/FM para transmissão [6]. As características destes sistemas, como reflexão, trans-
missão e impedância eram caracterizados com geradores de sinais, detectores de potência e pontes
LCR, e os resultados como a variação de impedância em função da frequência eram obtidos através
da parametrização manual ponto a ponto, levando horas para ser obtido. Apesar de trabalhoso, este
método gerou melhorias nos sistemas de comunicação e instrumentação.
Com avanço da tecnologia de semicondutores na década de 60, a indústria de equipamentos
de medição começou a empregar largamente diodos para amostragem e medição de amplitude e
fase de sinais. O primeiro Analisador de Redes capaz de realizar medições com varredura de am-
plitude e fase até 110 MHz foi o HP 8407 Network Analyzer, criado a partir do multímetro vetorial
HP 8405. Em 1967 a HP introduziu o HP 8410 Network Analyzer (figura 2.1) com capacidade de
varredura de até 12 GHz. Este equipamento era composto por módulos integrados para executar a
função do Analisador de Redes, arquitetura precursora dos equipamentos da atualidade [7].
23
Figura 2.1 – HP 8410 Network Analyzer [6] .
Mas a grande revolução na medição de dispositivos RF ainda estava por vir. Na mesma
época, o conceito de Parâmetros S se tornava popular e a integração de reflexão, transmissão e
impedância em um uma única representação bidimensional já mostrava promissora para otimizar
o processo de medição. A HP publicou o Application Note 77-1 para apresentar os benefícios da
medição de transistores através de parâmetros S utilizando o voltímetro vetorial HP 8405. Mas até
então os parâmetros eram medidos separadamente, e as consecutivas conexões e desconexões do
DUT (Device Under Test) a cada medição não só desperdiçavam tempo como comprometiam a
exatidão dos resultados [8].
A aplicação computacional emergia na época e a capacidade dos instrumentos de medição

começava a se expandir. Em 1969 o lançamento dos modelos HP 8745A e HP 8743A implemen-
taram a medição dos 4 parâmetros S com uma única montagem do DUT. Na década de 70 grandes
avanços na instrumentação foram alcançados com a implementação de microcontroladores, redu-
zindo significativamente tamanho dos equipamentos que chegavam a ocupar até 3 racks. A redução
de espaço limitou a faixa de frequência de operação, mas em meados dos anos 80 a chegada dos
Analisadores Vetoriais de Rede (VNA) com rápidos microprocessadores e trouxeram de volta apli-
cações em faixa larga [9]. Desde então a caracterização de dispositivos RF através de parâmetros
S tem sido uma técnica largamente explorada e seus benefícios se tornaram reconhecidos pela co-
munidade científica [10][11].
24
O desenvolvimento tecnológico tornou realidade o aumento do volume de dados, veloci-

dade de tráfego e também a redução do tamanho dos dispositivos. A especificação de parâmetros
de componentes RF começou se tornar cada vez mais importantes, e ajustes cada vez mais finos
em circuitos RF se tornavam o limiar para o funcionamento adequado do produto final. Nesta
época, os efeitos parasitários inerentes dos suportes (chamados fixture) utilizados para a conexão
de pequenos componentes começaram a ser alvo de preocupação. A calibração do VNA já não
compensava todos os efeitos da medição, pois além dos cabos havia a impedância das trilhas e
conectores do fixture que compunham a medição. O aumento do tráfego de informação demanda
componentes para alta frequência e os efeitos de propagação durante sua caracterização interagem
com toda interface existente entre o DUT e VNA. Em 1991 Hanjin Cho e Dorothea E. Burk publi-
caram o primeiro artigo [12] contendo técnicas de compensação destes efeitos parasitários ineren-
tes do fixture. O método proposto, chamado Three-Step De-Embedding, era muito semelhante a
calibração, uma vez que estruturas Open, Short e Thru eram necessárias. Embora trabalhoso, a
eficácia do método para medição de BJTs foi marcada pela eliminação do efeito da capacitância
parasitária dos elementos em paralelo da estrutura do BJT, bem como a eliminação da impedância
parasita série. Mas tal eficiência de compensação não foi observada para medidas em alta frequên-
cia de MOSFETs. Em 2000 Kolding propôs um quarto passo sobre a proposta de Cho e Burk para
compensar os efeitos parasitas de interação com o substrato [13], e em 2001 Vandamme, Schereurs
e Dinther propuseram um método otimizado de compensação que incluía uma etapa de medição
vetorial de grandes sinais. Este método foi comparado com a compensação de Cho e Burk e seus
erros significativamente menores foram constatados (principalmente para medidas superiores a 30
GHz), esses resultados foram importantes para desenvolvimento de Mixers e Amplificadores de
Potência [14].
Os métodos de De-Embedding continuaram sendo objetos de estudo, uma vez que a diver-
sidade de componentes é grande. O desenvolvimento tecnológico coloca no mercado novos mate-
riais e o desempenho dos componentes cresce com o passar dos anos. Esta tendência torna a indús-
tria de dispositivos RF dinâmica, e suas constantes novidades se tornam novos desafios para as
equipes de projeto, caracterização, validação, e qualificação de dispositivos. Em 2007 engenheiros
da Universidade das Filipinas mostraram que o método Open-De Embedding ou “OPD” (método
parcial do Three-Step De-Embedding) era satisfatoriamente eficiente para a compensação de efei-
25
tos parasitários em medidas de capacitores e indutores fabricados em substrato de silício, para me-
didas até 6 GHz. O OPD foi o método preferencial para este tipo de compensação uma vez que é
um método significativamente mais simples que o Three-Step De-Embedding, além da economia
de área no substrato (somente a estrutra Open era necessária para o De-Embedding) [15]. Em 2012
sul coreanos Min-Kwon Choi e Seonghearn Lee apresentaram uma nova proposta para o Improved
Three-Step De-Embedding adequada para medições de MOSFETs em nano escala (inferior a 45
nm) [16].
Mas não somente a compensação de efeitos parasitários foi foco de estudos para melhoria
da exatidão de medidas RF. Devido a sua constituição baseada em medição de parâmetros S, o
VNA atualmente pode medir parâmetros independente da construção do dispositivo ou do método
de análise. Para análise de filtros ou de componentes com única porta (em geral passivos), medição
de reflexão são adequadas dentro de requisitos específicos de impedância e frequência de resso-
nância. Em análise de quadripolos passivos ou ativos, medições conforme técnicas shunt-thru ou
series-thru são necessárias e dependentes da construção do dispositivo (ou da possibilidade de co-
nexão em série ou paralelo no VNA). Essas técnicas de medição reduzem erros de medição para
valores específicos de impedância, devendo ser selecionada se possível. De modo integrado, as
equipes de teste devem trabalhar com os times de desenvolvimento para prever estruturas de teste
e melhor topologia de medição [17].
Todos estes desafios ao longo da história foram objetos de estudo pela comunidade cientí-
fica tanto na indústria como na academia. Nos primeiros anos a solução de problemas era depen-
dente de recursos tecnologicamente limitados, porém após popularização da computação o curso
da superação científica tomou novas proporções. Em 1983 a empresa EEsof fundada por Charles
J. Abronson e Bill Childs começou a comercializar programas de simulação de circuitos analógicos
e digitais, incluindo os precursores de simulação para alta frequência Touchstone e Libra. Embora
hoje obsoleto, o simulador Touchstone foi largamente difundido e os arquivos gerados pelo pro-
grama com extensão .sNp se tornaram um epônimo presente até hoje nos simuladores da atualidade.
Estes arquivos touchstone são documentos ASCII contendo parâmetros S simulados. Em 1985 com
a primeira fusão com a HP, a EEsof lançou o programa Microwave Design System (MDS) fundindo
seus simuladores para alta frequência com o simulador HP. A grande difusão do simulador come-
26
çou a levantar oportunidades de melhoria para aplicações específicas, e poucos anos depois a em-
presa Ansoft foi fundada trazendo ao mercado a primeira versão do simulador High Frequency
Structure Simulator (HFSS). O HFSS se tornou largamente utilizado para simulação de antenas
devido ao seu método de elementos finitos. Em 1993 a EEsof foi integralmente comprada pela HP,
que por sua vez teve todo departamento de medição e simulação vendido para a Agilent em 1999.
Este departamento, originalmente da HP desde a fabricação dos primeiros instrumentos de medi-
ção, se emancipou da Agilent se tornando oficialmente norte-americana Keysight Technologies em
2014. A Keysight detém hoje todos os direitos e portifólio integral das ferramentas de medição
desde os tempos da HP. A EEsof agora sob a guarda da Keysight, se tornou a Keysight EEsof EDA.
Ao longo desta história o MDS se tornou o Advanced Design System (ADS), ainda na época da
Agilent. Conhecido mundialmente pelos métodos MoM (Momentum) e FEM (elementos finitos),
o ADS hoje é largamente utilizado para simulação de dispositivos RF. Seu concorrente HFSS (hoje
propriedade da Ansys) com seu sólido histórico em método de elementos finitos ainda é uma refe-
rência para simulações tridimensionais de larga escala, sendo a preferência para os projetistas de
antenas [18][19].
Dentro do escopo de funções, o ADS possui ferramentas para realização de De-Embedding.

Além de permitir a simulação de estruturas de De-Embedding, a utilização das toolbox adequadas
permite a compensação direta na ferramenta, sendo possível integrar funções dos equipamentos da
Keysight (ou de outros fabricantes) no processamento do ADS. Estes recursos agilizam processos
de medição e aumentam a confiança dos resultados [20].
Estas soluções desenvolvidas longo da história compõe uma caixa de ferramentas impor-
tante para processos de medidas. O desenvolvimento de novas tecnologias hoje é veloz e consis-
tente graças a evolução alcançada, como pode ser observado nos recentes estudos de memórias
magnéticas através das propriedades de transporte em RF [21]. Simulações combinadas com téc-
nicas modernas de medição em alta frequência comprovam a eficiência destes novos estudos, jus-
tificando maiores investimento em novas frentes tecnológicas.
As técnicas estudadas pela comunidade científica, bem como as ferramentas disponíveis na

atualidade serão empregadas neste trabalho para a especificação dos métodos mais adequados de
medição para diferentes dispositivos RF.
27
– Fundamentação teórica
Esta seção contém os conceitos fundamentais para o desenvolvimento da pesquisa e com-

preensão das técnicas que serão apresentadas neste trabalho.
3.1 Níveis de Potência e Tensão na unidade do Decibel
3.1.1 INTRODUÇÃO: DECIBEL
É prática comum expressarmos as relações de potência em termos de uma notação logarít-

mica, denominada decibel (dB). A utilização desta notação nos permite adicionar e subtrair ganhos
e perdas ao longo dos blocos que compõem um sistema, ao invés de multiplicá-los e dividi-los,
simplificando bastante a análise destes sistemas.
3.1.2 NÍVEIS DE POTÊNCIA EM DB (DBW, DBM, DBK)
Em notação logarítmica as expressões de potência serão abordadas a seguir:

A potência normalizada para 0 dBm é 1 mW, conforme a equação 1. É a forma mais utili-
zada para a referência de nível de potência em medidas e avaliação de sistemas, pois é a unidade
que os instrumentos de medida vêm calibrados, em sua maioria. Por exemplo, o eixo vertical do
analisador de espectros vem graduado em dBm, o ajuste de nível dos geradores de RF é feito em
dBm, etc.
, 10 log .
(1)
Onde:
P = Potência (W);
P.Normalizada = Potência Normalizada conforme os valores de referência Normalizada abaixo:
As nomenclaturas significam os níveis de grandeza da potência na unidade de Watts (W), para a
definição da referência normalizada:
dBW - unidade normalizada: 1 W;
dBm - unidade normalizada: 1 mW;
28
dBk - unidade normalizada: 1 kW;
Exemplos de conversão direta:
A conversão de 1 W em dBm é:
1
, 10 log 30
1
A conversão de 1 W em dBW é:
1
, 10 log 0
1
3.1.3 NÍVEIS DE TENSÃO EM DB (DBV, DBMV, DBUV)
Conforme equação 2, podemos expressar o nível de tensão desejada em dBv, dBmV ou

dBuV, conforme o mesmo conceito, porém aplicando na equação de tensão:
(2)
Lembrando que:
dBV - unidade normalizada: 1 V;
dBmV - unidade normalizada: 1 mV;
dBµV - unidade normalizada: 1 uV.
Exemplos de conversão direta:
A conversão de 1 V em dBV é:
1
, 20 log 0
1
A conversão de 1 V em dBµV é:
1
μV, 20 log 120 μV
1 μV
29
3.1.4 RELAÇÃO DA TENSÃO COM A POTÊNCIA EM DBM
Duas perguntas frequentes: “Para a potência de “X”dBm, qual é sua potência equivalente
em W e a amplitude da tensão em V?” Ou “Qual a potência em dBm equivalente para um sinal
com amplitude de “X” volts ou potência de “X” watts?
Aqui é importante, antes de tudo, termos o conhecimento da impedância da linha ou carga,
na qual a tensão é aplicada. Utilizaremos sempre o padrão da notação da potência de trabalho como
referência para encontrarmos a tensão normalizada para a impedância da linha ou carga. Vamos
adotar a unidade mais comum, o dBm:
1) A potência normalizada para 0 dBm é 1 mW.
2) De acordo com a Lei de Ohm, , podemos obter-se a tensão normalizada em uma

linha de 50Ω:
(RMS)
Ou seja, a tensão normalizada sobre uma linha ou carga de 50Ω é 223 mV RMS (ou 315,4
mV de pico), assim, para 0 dBm, tem-se uma potência de 1 mW e uma tensão aplicada de 223 mV
RMS sobre uma carga de 50Ω.
Figura 3.1 – Medição de tensão do 0 dBm. Gerador Agilent N5182A series MXG: 0 dBm / 30MHz; Osci-
loscópio Agilent Infiniun DSA90604A: 223,9 mV RMS ou 328,9 mV de pico. Cabo de 50Ω.
A figura 3.1 ilustra um sinal senoidal de 0 dBm sendo gerado e analisado. Observamos no
osciloscópio os níveis de tensão medidos para a potência do sinal gerado. O descasamento de im-
pedância dos cabos e adaptadores utilizados fazem com que sinais sejam refletidos de volta ao
30
gerador. Estes sinais são somados à geração quando obsevado por uma carga, como em um osci-
loscópio utilizado para medição do gerador (figura 3.1). A diferença para o valor ideal calculado é
o erro de medição, sendo de +0,4 % para VRMS, e +4,3% para Vp.
3.1.5 ATENUADORES
É comum observarmos atenuadores com especificação de atenuação em dB. Nestes casos,

é importante sabermos a relação “X vezes” que o atenuador possui mediante a entrada de determi-
nado nível de sinal.
A relação é tipicamente feita entre a tensão do sinal antes e depois da atenuação necessária.
Vejamos o exemplo tipicamente ocorrido em laboratório:
Para caracterizar a forma de onda de um sinal com 20 dBm, será usado um osciloscópio com canais
de alta impedância limitados em 5 V. Há disponível vários atenuadores de 10 dB e alguns de 5 dB.
Quantas vezes o sinal deverá ser atenuado e qual a configuração de atenuação necessária, para que
a medição não danifique o equipamento?
%& '
20 10 log ⟹ 10 (& 100
1
)*+*, - *,.* / 0- â+2/* 1 34;
√100 . 134 316 ⟹ 7-8á +-2-77á8/: *.-+;*8 : 7/+*, - 2-82* - 100 <-=-7
3,16 %
*.-+;*8 100> 3,16 ⇒ 9,986 μW
1 34
9,986 μW
10 log −DE FGH
1
⇒ 0*8* *.-+;*8 100> : 7/+*, - 20 , é +-2-77á8/: *.-+;*8 40 4 *.-+;* :8-7 - 10 .
31
3.2 Propagação de ondas em linhas de transmissão e descasamento de impedância
3.2.1 O PRINCÍPIO DE PROPAGAÇÃO DE MAXWELL E PARÂMETROS DE SI-

NAIS ELETROMAGNÉTICOS
Os princípios de propagação de ondas eletromagnéticas são fundamentados pelas equações

de Maxwell, que descreve a propagação de ondas através da unificação dos campos elétrico e mag-
nético. Estes conceitos também explicam os fenômenos eletromagnéticos e efeitos da alta frequên-
cia que serão discutidos no item 3.2.
Maxwell descreve em suas duas primeiras equações a relação entre um campo elétrico e
suas cargas elétricas geradoras, bem como a geração de campo magnético através de dipolos mag-
néticos. Estas duas equações (3 e 4) seguem os princípios da Lei de Gauss e da Lei Gauss para o
Magnetismo.
(3)
(4)
Em suas próximas equações (5 e 6), Maxwell mostra a relação entre campos elétrico e mag-
nético através do rotacional, introduzindo o conceito de correntes de deslocamento e como sinais
eletromagnéticos não necessitam de meios materiais para se propagar.
(5)
(6)
A quarta equação de Maxwell é uma emenda da lei de Ampère. Em sua forma original, a lei
de Ampère demonstra a formação de campo magnético variável no tempo se dá através do vetor
densidade de corrente de condução , dependente da condutividade do material. Maxwell
coloca que o campo magnético variável é produto não só de , mas também da densidade de
corrente de deslocamento , dependente da permissividade dielétrica. Esta correção

feita por Maxwell demonstra que a propagação de ondas não depende de meio material.
Dentro dos conceitos desenvolvidos, existe uma velocidade constante “c” que descreve as
32
intensidades de forças elétricas e magnéticas entre partículas carregadas. Através de um experi-

mento com placas paralelas e boninas energizadas, Maxwell equilibrou as forças magnéticas entre
as bobinas contra a força elétrica das placas, calculando a razão entre as duas forças. O resultado
deste experimento constatou que a velocidade de fato é constante e, principalmente, coincidia com
o valor exato da velocidade da luz que já havia sido constatada por astrônomos da época. Logo,
Maxwell propôs que luz é energia eletromagnética e com propagação independente de meio mate-
rial. A velocidade da luz, ou seja, de propagação de ondas eletromagnéticas no vácuo é dada pela
equação 7 [2]:
(7)
Conhecendo os fundamentos de propagação de ondas no vácuo, é possível entender os mo-

dos de propagação de sinais em meios conhecidos através das constantes materiais e, obter os pa-
râmetros de onda como comprimento, fase de onda e a relação entre velocidade de propagação no
vácuo e em meios materiais.
(8)
(9)
(10)
(11)
A velocidade de fase é dada pela razão entre frequência angular  e a constante de fase 
ou pelo produto do comprimento de onda  com a frequência em Hz, conforme equação 8. Neste
momento relaciona-se a velocidade com frequência e comprimento de onda, onde podemos dizer
que o comprimento de onda λ é dado pela equação 9 considerando propagação de onda no vácuo
[22]. Em linhas de transmissão ou em meios diferentes do vácuo a velocidade é menor devido a
permeabilidade e permissividade do meio/linha [23]. Relacionando a velocidade de propagação de
onda em um meio/linha com a velocidade de propagação no vácuo, obtemos o “Fator de velocidade
- Fv”, dado pela equação 10. Deste modo, o comprimento de onda em uma linha de transmissão
33
sem perdas é dada pela equação 11, onde multiplicamos a velocidade de propagação no vácuo pelo
fator de velocidade “Fv” (velocidade de propagação de onda na linha sem perdas).
Em todos os tipos de meios, com ou sem perdas, o comprimento de onda pode ser relacio-
nado com a constante de fase β, onde partindo da equação 8 obtemos λ = 2π/β
3.2.2 PROPAGAÇÃO EM LINHAS DE TRANSMISSÃO E MODELAGEM DE CIR-

CUITOS ELÉTRICOS
Considere uma onda se propagando na direção z através de dois meios, onde o primeiro,
para z < 0 é livre de perdas com impedância característica η0, e o segundo z > 0 possui perdas e
impedância característica η (figura 3). Em z < 0 podemos assumir que a onda incidente possui vetor
do campo elétrico orientado no eixo x. Logo, os campos elétrico e magnético da onda incidente
podem ser descritos, para z< 0, conforme equações 12 e 13. Quando a onda incidente atinge a
fronteira entre os dois meios, parte da onda é refletida retornando à origem devido ao descasamento
entre a impedância η0 e η. Logo, em z < 0, também existe uma onda refletida com campos elétrico
e magnético descritos pelas equações 14 e 15. A parte da onda que não é refletida de volta à origem,
é transmitida pelo meio com perdas z > 0. Os campos elétrico e magnético da onda transmitida são
descritos pelas equações 16 e 17 [10].
Fonte: POZAR, 2012, p.28

Figura 3.2 – Propagação de onda através na fronteira de dois meios.
34
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
Respectivamente, Γ e T são os coeficientes de reflexão e de transmissão. A impedância

característica η em z > 0 é dada pela equação 18. O parâmetro constante de propagação γ é dada
pela equação 19.
(18)
(19)
α = Constante de Atenuação, Re(γ) [Np/m].Determina o modo como as amplitudes da onda

são amortecidas na medida que se propaga.
β = Constante de Fase, Im(γ) [rad/m]. Determina a variação de fase que as ondas sofrem ao
atravessar a fronteira entre dois meios distintos.
Linhas de transmissão são meios de propagação de sinais eletromagnéticos cujos conceitos
tratados acima são diretamente aplicados. É possível modelar linhas de transmissão através de
abordagens circuitais, sendo caracterizadas por elementos de indutância série L dos dois condutores
ao longo da linha, onde L depende da permeabilidade do meio (µ) e das dimensões da Linha de
Transmissão. Como exemplificado na figura 3.3, linhas também são caracterizadas por elementos
capacitivos em paralelo (shunt) C entre os dois condutores que depende dos raios dos condutores
e da permissividade do meio (ε) e distância entre eles. No caso de linhas com perdas, observamos
35
na figura 3.4 que além das indutâncias e capacitâncias existem elementos que representam as per-
das, como a resistência série R que representa a condutividade limitada dos condutores e a condu-
tância shunt G que representa perdas no material dielétrico entre os condutores [1].
Figura 3.3 – Linha de transmissão sem perdas – Figura 3.4 – Linha de transmissão com perdas -
modelagem de circuitos. modelagem de circuitos.
Através da modelagem de circuitos, também podemos obter a constante de propagação γ

conforme a equação 20 [25]:
(20)
Através de γ, obtemos tensão e corrente na linha de transmissão se propagando em direção

z, conforme as equações 21 e 22 [25]:
(21)
(22)
Aplicações em circuitos representam a impedância característica como Z0. Relacionando

tensão e corrente na linha, podemos obter a impedância característica da linha de transmissão con-
forme equações 23 e 24.
(23)
(24)
Linhas de transmissão como trilhas, guias de ondas, cabos e demais tipos de condutores de
sinais possuem as características resistiva e reativa do modelo de circuito citado neste capítulo. Se
estas características elétricas são conhecidas (obtidas através de simulação ou medição), a impe-
dância característica desta guia pode ser calculada; e reciprocamente se a impedância de uma linha
36
ou circuito pode ser medida, as características elétricas podem ser obtidas. Estes conceitos funda-
mentam a compreensão do método de medição de dispositivos e compensação de elementos para-
sitários que serão apresentados neste trabalho.
Conforme citado neste capítulo, quando há descasamento de impedância entre dois meios,
há reflexão da onda propagada na linha. Logo, parte do sinal é refletido e parte é transmitido, ha-
vendo perdas características nos sinais refletidos e transmitidos [10]. Esta perda de potência são
chamadas de “return loss” (perda do sinal refletido) e “insertion loss” (perda na inserção, ou perda
do sinal transmitido). Na equação 25 temos o coeficiente de reflexão Γ, relacionando o sinal refle-
tido com o sinal incidente, que também pode ser descrito com a relação entre as impedâncias de
linha e carga. O return loss é calculado conforme equação 26.
(25)
(26)
A parte do sinal incidente que não é refletida é transmitida com menor de potência devido
a parte refletida. Ao atravessar o meio, o sinal transmitido sofre mais perdas chamadas de perdas
de inserção (Insertion Loss). A equação 27 descreve o coeficiente de transmissão, o que é válido
somente se as linhas tiverem com comprimento igual a zero [10]. O insertion loss é calculado
conforme equação 28.
(27)
(28)
Porém a equação 27 só é válida quando consideramos linhas com comprimento igual a zero
ou se os descasamentos de impedância ao longo da linha forem desprezados [10].
3.3 Carta de Smith
A Carta de Smith é um recurso gráfico muito útil para mapeamento e impedância em linhas
de transmissão. Criada em 1939 por P. Smith (Bell Labs), a técnica gráfica utilizada manualmente
por décadas hoje faz parte da maioria das representações computacionais gráficas que expressam
impedância. Abordaremos nesta seção os fundamentos da leitura de impedância na Carta de Smith,
37
uma vez que tal aptidão será requisito para interpretação dos resultados de simulações computaci-
onais e medições com o VNA deste trabalho.
O fundamento para leitura de parâmetros na Carta de Smith é o entendimento de que sua
construção é baseada na representação gráfica do coeficiente de reflexão Γ em sua forma polar
. A magnitude é traçada em como um raio a partir do centro da carta, e o
ângulo θ (-180˚≤ θ ≤ 180˚) é dado pelo movimento em sentido horário de seu eixo horizontal. A
praticidade da Carta de Smith reside na conversão de coeficiente de reflexão Γ em impedância (ou
admitância) normalizada. Sendo a impedância característica a constante de normalização,

é a impedância normalizada [10]. A equação 29 relaciona Γ com a impedância normalizada da
carga, e a equação 30 dá a impedância normalizada da carga a partir de Γ.
LM(
Г |Г|- PѲ (29)
LN(
(N|Г|R SѲ
L (30)
M|Г|R SѲ
Logo, os valores descritos em uma Carta de Smith podem ser normalizados para qualquer
impedância característica. Desta forma, o centro da Carta de Smith sempre representa ou
. Considerando uma linha de transmissão de Z0 = 50 Ω, se ZL é perfeitamente casado

com o sistema, Γ=0 (representada por um ponto no centro da Carta de Smith). As linhas circulares
da Carta de Smith representam valores constantes de resistência, deslocadas a apartir da esquerda
extrema com 0 Ω à direita extrema com ∞ Ω, conforme a figura 3.5. Observe que 1 (valor norma-
lizado) é o centro exato da Carta de Smith.
Fonte: GONZALEZ, 1997, p.94

Figura 3.5 – Carta de Smith, linhas de resistência constante.
38
As linhas adjacentes em arco são valores constantes de reatância, deslocadas a partir da

direita extrema com ∞ Ω até as extremidades ao longo de toda a carta, conforme a figura 3.6.

Figura 3.6 – Carta de Smith, linhas de reatância constante.
A reatância leva o valor acima ou abaixo da linha horizontal central da Carta de Smith,
seguindo a fase do sinal propagado na linha de transmissão. Em sentido horário, partindo de ∞ Ω
até 0 Ω, temos fase de 0˚ à -180˚. No sentido oposto da mesma origem, 0˚ à 180˚. Na figura 3.7
podemos observar alguns exemplos de impedância na Carta de Smith, representadas por reflexão
em sua forma polar .

Figura 3.7 – Valores de reflexão na forma polar na Carta de Smith.
39
Conforme a estrutura da Carta de Smith, podemos observar na figura 3.8 que todos os va-
lores de impedância acima da linha horizontal central da Carta representam valores de impedância
INDUTIVA (fasor com ângulo de 0 à 180˚, forma complexa reatância +j), enquanto os valores de
impedância localizados abaixo la linha horizontal central representam valores de impedância CA-
PACITIVA (fasor com ângulo de 0 à -180˚, forma complexa reatância -j).
Fonte: POZAR, 2012, p.64

Figura 3.8 – Valores de reflexão na forma polar na Carta de Smith.
Quando Γ=0, a magnitude da tensão da onda na linha de transmissão é constante. Segundo

Pozar (2012), quando a carga é descasada a presença de uma onda refletida é levada para a onda
estacionária onde a magnitude da tensão ao longo da linha torna-se não constante. Essa tensão não
constante ao longo da linha possui, em determinado ponto da linha, um valor mínimo e um valor
máximo, cuja razão entre eles nos dá a relação de onda estacionária (Standing Wave Ratio - SWR)
(equação 33). Os valores de mínimo (equação 31) e máximo (equação 32 ocorrem quando o termo
de fase da equação da tensão na linha é igual a “-1” e “1”, respectivamente.
(31)
(32)
40
(33)
Como SWR é diretamente relacionada cm o coeficiente de reflexão, podemos utilizar o

parâmetro SWR para analisar o descasamento de impedância. Conforme explicado, quando não há
descasamento entre linha e carga, a tensão ao longo da linha é constante. Neste caso ideal de casa-
mento perfeito, SWR = 1. Portanto, podemos dizer que quanto maior é o SWR, maior é o descasa-
mento de impedância e, conforme o conceito de onda estacionária, menor é a potência entregue a
carga [10].
O cálculo inverso pode ser realizado, onde podemos calcular o módulo do coeficiente de
reflexão a partir do SWR, conforme equação 34 [23]. Também, a partir do coeficiente de reflexão
conseguimos calcular a impedância da carga, conforme equação 35.
(34)
(35)
3.4 Efeitos de Propagação em Alta Frequência
Existem efeitos de propagação inerentes do aumento da frequência, chamados efeito peli-

cular (ou skin effect) e efeito de proximidade. É conhecido que uma corrente invariante no tempo
fluindo por um condutor cilíndrico homogêneo, é distribuída uniformemente na secção transversal
deste condutor. O mesmo não acontece em um condutor não cilíndrico, cuja corrente circulante
não é uniforme porém está presente em sua totalidade. Veremos nesta seção que corrente ou den-
sidade de corrente variante no tempo tende a se concentrar na superfície dos condutores e quanto
maior a frequência, maiores são os efeitos presentes na propagação.
Estes efeitos de propagação em alta frequência são devido a fenômenos eletromagnéticos,

o quais destacam-se: Acoplamento Magnético, Lei de Lenz e Correntes de Foucault [26]:
41
Fonte: BANSAL, 2004, p.132

Figura 3.9 – Loop C1 com corrente i(t) induzindo campo elétrico e corrente no loop C2.
Acoplamento Magnético: Transporte de energia através de indução eletromagnética. Ima-

gine uma corrente alternada i(t) circulando por um condutor circular (loop) C1 (figura 3.9). De
acordo com a lei de Ampère, um campo elétrico é induzido em torno do loop, e suas linhas de
campo são círculos centrados no eixo do loop C1. Estas linhas de campo elétrico integradas são
representadas pela linha tracejada em C2. Se em C2 houver um segundo condutor em loop C2, o
campo elétrico sobre ele funciona como um gerador distribuídos ao longo do segundo loop, indu-
zindo corrente em C2.
Mesmo sem contato físico entre os dois loops condutores, há transferência de energia através do
campo elétrico induzido, no vácuo. Apesar do acoplamento ser gerado por indução de campo elé-
trico, é chamado de acoplamento magnético [26].
Lei de Lenz: A corrente induzida em um condutor circular (loop) por um campo magnético gera
um segundo campo magnético contrário ao campo magnético que originou a corrente. Se isto não
ocorresse e a corrente induzida gerasse o segundo campo magnético no mesmo sentido do campo
magnético que origina a corrente, a intensidade do campo magnético original aumentaria e conse-
quentemente aumentaria a corrente induzida, se tornando um ciclo infinito de aumento de energia.
42
Isto quer dizer que o aumento de corrente induzida no condutor em loop tende a diminuir o
flux magnético através dele. A figura 3.10 ilustra o aumento de flux magnético com a aproximação
do ímã, gerando corrente no sentido oposto ao fluxo conforme a regra da mão direita [26].
Fonte: BANSAL, 2004, p.132

Figura 3.10 – Ilustração da lei de Lenz
Correntes de Foucault (Eddy Currents): Se um campo magnético (primário) inside diretamente

sobre uma superfície condutora em movimento, uma corrente em torno das linhas de campo surge
na superfície condutora, porém oposta segundo a lei de Lenz, induzindo um campo magnético
(secundário) oposto ao campo de origem (primário). A corrente circulante que se forma em torno
da superfície condutora é chamada “corrente de Foucault” ou Eddy Current (figura 3.11).
Figura 3.11 – Ilustração da lei de Correntes de Foucault

43
3.4.1 EFEITO PELICULAR
Também conhecido como skin effect, o efeito pelicular é caracterizado pela tendência de
circulação de corrente pela periferia de um conector. Em frequências muito altas, a corrente ou
densidade de corrente é restrita em uma fina camada próxima da superfície do condutor, gerando
aumento de resistência elétrica e consequentemente perdas devido a redução da área útil do con-
dutor. A indutância interna é igualmente modificada, aumentando conforme aumento de frequên-
cia.
Fonte: Wikimedia1 Fonte: Arrow2

Fonte: POPOVIC, 2000, p.383
Figura 3.13 – Profundidade Figura 3.14 – Amplitude do vetor

Figura 3.12 – Indução eletromag-
densidade de corrente J em um con-
nética gerando skin effect. pelicular δ.
dutor homogêneo.
O efeito pelicular é gerado por indução eletromagnética. A figura 3.12 ilustra a causa deste
efeito. Quando uma corrente elétrica I flui por um condutor, o campo magnético H é induzido em
torno do condutor conforme a regra da mão direita, variando conforme a frequência da corrente I.
Segundo a lei de Lenz, corrente induzida produz fluxo magnético oposto ao fluxo externo, resul-
tando em redução do fluxo magnético total: a variação de H gera correntes de Foucault Iw em torno
das linhas de campo H que por sua vez gera força eletromotriz oposta a corrente I no centro do
condutor, forçando os elétrons migrarem para a superfície. Quanto maior a frequência, mais intenso
é a força eletromotriz oposta e mais extrema é a concentração de elétrons na superfície. Frequências
muito altas resultam em profundidade pelicular δ mínima (figura 3.13), aumentando a resistência
elétrica e gerando perdas.
1
Disponível em: <https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Skineffect_reason.svg>. Acesso em nov. 2017.
2
Disponível em: <https://www.arrow.com/en/research-and-events/articles/the-skinny-on-the-skin-effect>. Acesso em nov. 2017.
44
Partindo da quarta equação Maxwell, assumindo um bom condutor podemos desconsiderar
a componente densidade de corrente de deslocamento. Logo, (densidade de corrente
de possui apenas componente na direção z, mas dependente de y [27]). Quando y = 0, Jz é
máxima. Porém conforme aumenta (devido à um aumento de frequência [27]) em uma superfí-
cie cada vez mais fina, o componente y aumenta e Jz torna-se limitado (figura 3.14) [26].
Logo, em alta frequência a corrente será concentrada no limite extremo da superfície do
condutor, e a densidade de corrente será máxima na superfície, porém decrescerá exponencialmente
conforme aumento de y.
(36)
(37)
A intensidade do vetor densidade de corrente pode ser calculada conforme a equação 36,
onde a profundidade pelicular é descrita pela equação 37 e T UVμWX2 [19].
A tabela 3.1 compara a profundidade pelicular δ de alguns meios materiais comuns.
Tabela 3.1 – Profundidade Pelicular de materiais [28].

Material f = 60 Hz f = 1 kHz f = 1 MHz f = 1 GHz
Cobre 8.81 mm 2.1 mm 0.067 mm 2.11 µm
Ferro 0.65 mm 0.16 mm 5.03 µm 0.016 µm
Água do mar 32.5 m 7.96 m 0.25 m 7.96 mm
Solo úmido 650 m 159 m 5.03 m 0.16 m
3.4.2 EFEITO DE PROXIMIDADE
O efeito de proximidade ocorre quando uma corrente é induzida em um condutor através

da proximidade de outro condutor trafegando corrente alternada. O fluxo variável de campo mag-
nético induzido por circulação de corrente em um primeiro condutor induz corrente oposta no se-
gundo condutor conforme lei de Lenz (3.15). O resultado do efeito de proximidade é o aumento de
resistência que gera perdas no condutor.
45
Fonte: GRAHAM, 2003, p.79
Figura 3.15 – Indução de corrente por proximidade.
Considerando 3 condutores paralelos da figura 3.16, com espessura h, sendo somente o

primeiro condutor submetido a corrente alternada, podemos calcular as perdas conforme tabela 3.2
(a), (b) e (c), onde h é a largura do condutor e δ é a profundidade pelicular. Conforme a figura
3.16, o primeiro condutor possui apenas um condutor vizinho à sua direita, enquanto o segundo
está entre os condutores (a) e (c).
Somente 1 campo magnético faz interação entre os condutores (a) e (b), sendo originado
em (a). Logo o as perdas de potência do condutor 1 é P1. Conforme indução de correntes de Fou-
cault no segundo condutor, há circulação de corrente na superfície de um lado a outro, gerando
campo magnético oposto ao campo induzido pela corrente do primeiro condutor. Por sua vez, o
campo gerado no condutor (b) induz correntes no condutor 3 conforme o mesmo princípio. Este
condutor (b) possui perdas oriundas das interações de ambos os lados (esquerdo com condutor “a”
e direito com condutor “c”).
46
(a) P1 = Irms².h/δ.Rdc
(b) P2 = 2P1
(c) P3 = 2P2
Tabela 3.2 – Perdas de potência nos

Figura 3.16 – Efeito de proximidade condutores a, b e c (P1, P2 e P3), lar-
entre 3 condutores paralelos. gura do condutor (h), profundidade
pelicular (δ) e resistência (Rdc).
Agora considerando um cabo coaxial de comprimento finito, vamos assumir em primeira

instância que há corrente alternada somente no condutor interior (por exemplo, conectado à um
gerador) e o condutor externo não esteja conectado. Em baixa frequência, o condutor externo é
muito mais espesso que a profundidade pelicular praticamente não há campo magnético no condu-
tor externo. Isto quer dizer que a corrente induzida no condutor externo é uniformemente distribu-
ída e não á efeito pelicular, mas há a indução da corrente oposta à corrente do condutor interno,
pelo efeito da proximidade [26]. A corrente induzida no condutor externo irá gerar perdas. Se a
frequência aumenta, as correntes de Foucault aumentam e começamos a observar o efeito pelicular
combinado com o efeito de proximidade. Este efeito combinado é tipicamente observado (até mais
do que o efeito de proximidade isolado), sendo chamado também de efeito de proximidade. O efeito
de proximidade combinado com o efeito pelicular, além de gerar as perdas inerentes da proximi-
dade, inclui perdas do efeito pelicular.
Em linhas gerais, os efeitos pelicular e de proximidade se manifestam pelo mesmo princí-

pio: linhas de fluxo magnético não podem penetrar em um bom condutor. A diferença entre ambos
é que o efeito pelicular é a reação de campos magnéticos gerados pela corrente circulante dentro
do condutor afetado, enquanto o efeito de proximidade a reação de campos magnéticos gerados
pela corrente circulante de outro condutor (próximo).
O efeito de proximidade gera aumento de resistência AC, e este aumento de resistência

pode ser calculado pela equação 39.
(39)
47
O fator de proximidade kp representa a correção do efeito da rugosidade, sendo a relação

entre a resistência DC atual e a resistência calculada; ω: frequência em rad/s; µ: permeabilidade
magnética (H/m); p: perímetro do condutor (m); σ: condutividade (S/m) [29].
3.5 Medição de Parâmetros de Espalhamento
Parâmetros de Espalhamento ou parâmetros S (Scattering Parameters) descrevem como

sinais de rádio frequência se propagam através de redes com múltiplas portas, através de relações
lineares matriciais. Isto permite estudo de redes complexas como se fossem “caixas preta”, uma
vez que os coeficientes de reflexão e transmissão (parâmetros que compõe a matriz S) modelam as
características elétricas da rede, como impedância e perdas [10].
O equipamento utilizado para medição de parâmetros S é o Analisador Vetorial de Redes
ou VNA (Vector Network Analyzer), que é um analisador no domínio da frequência utilizado para
analisar a resposta de dispositivos ou “redes" que trafegam sinais RF. O VNA possui um gerador
padrão de sinais capaz de realizar varreduras controladas em frequência ou potência, para uma
resolução especificada em quantidade de pontos. Para realizar a conexão com o dispositivo sob test
ou DUT (Device Under Test), o VNA possui duas ou mais portas físicas, ambas capazes de emitir
o sinal padrão gerado e medir a potência da recepção de sinais.
Conforme a figura 3.17, as portas de um Analisador de Redes funcionam como emissor e
receptor, cujo meio de transmissão é o DUT, e ambas as portas atuam emitindo e medindo níveis
de potência dos sinais.
Parâmetro Sxy: porta x mede, porta y emite.

Figura 3.17 – Digrama de fluxo de sinal Figura 3.18 – Diagrama de parâmetros S conforme
em um VNA. portas do VNA.
A figura 3.18 apresenta o sentido dos sinais que atravessam o DUT (transmissão) e que são
48
refletidos de volta para a origem do sinal (reflexão). Conforme a figura 3.18 um parâmetro S11
expressa a resposta do dispositivo quanto a sua característica de reflexão, avaliando o sinal (padrão
de varredura) que foi emitido pela porta 1 e que retornou/foi medido pela mesma porta 1. De modo
similar, o parâmetro S21 expressa a resposta do dispositivo quanto a sua característica de transmis-
são, através do sinal que é emitido pela porta 1, atravessa o DUT e chega até a porta 2 onde é
medido.
Os Parâmetros S são relacionados matematicamente pela “matriz S” (equação 40) que nos
dá a descrição completa da rede em medição, através do conceito de quadripolos. A matriz S rela-
ciona a tensão de ondas incidentes [Vn+] com a tensão de ondas refletidas [Vn-] em uma porta “n”,
fornecendo deste modo as perdas sofridas na rede [10].
(40)
(41)
Cada elemento da matriz S pode ser determinado pela equação 41, onde “i” e “j” são res-
pectivamente saída e entrada de uma rede. Logo, os parâmetros S11 e S21 ficam são representados
pelas equações 42 e 43:
(42)
(43)
Os parâmetros S11 e S22 são chamados de parâmetros de reflexão, cujo valor obtido é o
próprio coeficiente de reflexão , ou seja, S11 = na entrada ou na porta 1 do VNA, e S22 = Γ na
saída ou na porta 2 do VNA (S11: Sinal emitido pela porta 1 e recebido na porta 1; S22: Sinal emitido
pela porta 2 e recebido na porta 2).
Os parâmetros S21 e S12 são chamados de parâmetros de inserção ou transmissão, cujo valor
obtido é o próprio coeficiente de transmissão T, ou seja, S21 = T no sentido direto de medição, e
S12 = T no sentido reverso de medição (S12: Sinal emitido pela porta 1 e recebido na porta 2; S12:
Sinal emitido pela porta 2 e recebido na porta 1) [11].
49
Conforme visto nas equações 26 e 28, return loss e insertion loss podem ser calculados a
partir dos coeficientes de reflexão e transmissão. Uma vez que os parâmetros S representam estes
coeficientes, estas perdas podem ser calculadas (em dB) conforme equações 46 e 47:
(46)
(47)
Dentro do contexto da revisão realizada neste capítulo, onde foram discutidas as teorias de
propagação de sinais, efeitoes eletromagnéticos em alta frequência e os princípios matemáticos
para aplicação dos parametros S, podemos apresentar as técnicas mais utilizadas para medição e
compensaão parasitária. Introduziremos o próximo capítulo apresentando o fluxo típico de
medições de dispositivos RF e os equipamentos utilizados para os experimentos que serão
estudados no capítulo 4.
50
– Técnicas de Medição e Compensação Parasitária
Neste capítulo serão apresentadas as técnicas de medição de sinais RF e os métodos de

compensação parasitária para diferentes tipos de dispositivos e para diferentes configurações.
De modo geral, o fluxo de medição de um dispositivo RF utilizando um VNA é iniciado

pela avalição do meio de medição (coaxial ou on-wafer). Esta primeira avaliação determinará os
equipamentos auxiliares e acessórios necessários, bem como sua montagem. Em seguida, o método
de calibração (que pode ser feito até dentro do fixture com padrões TRL, in-fixture [20]) deve ser
determinado e executado, para só então conectarmos o dispositivo sob test (DUT) e realizarmos a
medição. Por fim, avalia-se a necessidade de compensar efeitos parasiterios conforme métodos
adequados de De-Embedding [19]. Este fluxo é representado pela figura 4.1.
Figura 4.1 – Fluxograma de medição de dispositivos utilizando o VNA.
Neste trabalho será definido os métodos mais adequados para a realização das etapas deste
fluxograma que dependem do tipo de dispositivo. Estas etapas são: Calibração, Medição e Com-
pensação (De-Embedding).
51
4.1 Estrutura Utilizada
Equipamentos de medição e acessórios para alta frequência são requisitos para a realização
das atividades experimentais deste trabalho. Os principais equipamentos e acessórios utilizados
serão descritos nesta seção.
A) Analisador Vetorial de Redes (VNA)
Figura 4.2 – Agilent E5071C ENA Series Network Analyzer.
Utilizado para medidas de parâmetros S, o VNA E5071 (figura 4.2) possui faixa de varre-
dura de 300kHz até 20GHz com até 1601 pontos, e 4 portas para medidas diferenciais. Equipado
com recursos computacionais para detecção automática de kit eletrônico de calibração [30], exten-
são automática de portas (APE) [31] e compensação De-Embedding através de arquivos touchstone
ou medições realizadas com o próprio instrument [19]. Equipamento disponível no laboratório
NAPE/CTI Renato Archer, em Campias (2017).
B) Acessórios para calibração do VNA (kit de calibração)
Figura 4.3 – kit coaxial Agilent 85052D - Figura 4.4 – Kit on-wafer Cascade ISS 101-190
3.5mm. GSG.
52
O kit 85052D (figura 4.3) é usado para calibração SOLT com interface coaxial. É reco-
mendado o uso de chave de torque controlado para fixação dos conectores SMA. O kit on-wafer
Cascade ISS 101-190 GSG (figura 4.4) é fabricado em substrato Alumina, com espessura de 635µm
e constante dialética de 9.9. Permite calibrações até 67 GHz com interface GSG com pitch de 100-
250 µm. No kit há várias estruturas do mesmo tipo para calibrações SOLT e TRL (o contato da
probe desgasta as finas estruturas), bem como estruturas de alinhamento para calibrações automa-
tizadas.
Figura 4.5 – Mapa do Kit on-wafer Cascade ISS 101-190 GSG [32].
O mapa completo do ISS 101-190 pode ser observado na figura 4.5, e o detalhamento das
estruturas de calibração e alinhamento nas figuras 4.6 e 4.7. Pontas de prova, ou probes, para RF
que possuem extremos (Tips) para estruturas pequenas com dimensão (pitch) inferior a 100 µm
tipicamente utilizam configuração ground-signal-ground, ou GSG. Esta configuração é útil para
reduzir o caminho da corrente do sinal (signal) para o terra (ground – GND), condição desejada
53
para redução de efeitos de propagação. Com dois terras e sinal no centro, estrutras podem ser fa-
bricadas com vias de GND e ambos os lados, e o retorno do sinal (via central) é o mais curto
possível independente da posição dos terminais da estrutura.
Figura 4.6 – Padrões do kit on-wafer Figura 4.7 – Tips GSG e estrutura de alinhamento do kit on-
Cascade ISS 101-190 GSG [32]. wafer Cascade ISS 101-190 GSG [32].
C) Probe Station
Observamos na figura 4.8 os micro-manipuladores (probe station) utilizados. No detalhe 1,

a Probe Station manual Summit 11000 M, utilizada para grande parte das caracterizações realiza-
das neste trabalho.
Figura 4.8 – Probe Station manual Summit 11000 M (1), e Probe Station semiautomática
Summit 12000 (2), integradas a instrumentos de medição.
A Probe Station possui uma câmera adptada para registro fotográfico. No detalhe 2, a Probe Sta-
tion semiautomática Summit 12000 utilizada para medições repetitivas e melhorias na exatidão de
calibração. Possui processamento e software para sincronia do deslocamento xyz com equipamento
de medição. Equipado com software WinCalXE [32] para calibração automatizada e aquisição de
54
medidas feitas com VNA. Ambos os micro-manipuladores possuem chuck de 200 mm e base para
fixação de posicionares DC e RF por fixação magnética ou mecânica.
Na figura 4.9 observamos Probes (Tips) com configuração GSG posicionados em estrutra ade-
quada para contatos GSG e na figura 4.10 os Probe Holders que fixam os Probes.
Figura 4.9 – Probes/Tips GSG, pitch Figura 4.10 – Probe Holders de suporte
150 µm. dos Probes/Tips GSG. Cabo coaxial GORE
fixado.
4.2 Calibração SOLT e TRL
Após montagem de todos os acessórios pertinentes no VNA deve-se calibrar o VNA antes
de iniciar qualquer medição. Abordaremos neste trabalho duas técnicas largamente utilizadas, cha-
madas SOLT e TRL.
4.2.1 TÉCNICA SOLT
Ao ligar o equipamento, somente os parâmetros do VNA

são conhecidos e estabelecidos nas configurações de fábrica.
Isso significa que o plano físico de calibração (o “zero” das me-
dições de parâmetros S) está nas portas do VNA, e todos os
cabos e adaptadores inseridos para a conexão do DUT serão
medidos juntamente com o DUT. Logo, a primeira e fundamen-
tal compensação deverá ser a calibração do VNA, necessária
para eliminar os parâmetros elétricos dos cabos utilizados para
Figura 4.11 – Portas do VNA (1),
conectar o DUT.
Cabos para conexão do DUT (2),
novo plano de calibração (3)
Em outras palavras, a calibração desloca o plano de calibração para os limites de todos as
55
extensões inseridas, como pode ser observado na figura 4.11.

A calibração consiste na detecção de padrões que devem ser instalados no local desejado do
novo plano de calibração, exatamente no local onde o dispositivo será conectado para medição.
Estes padrões são detectados pelo VNA que redefine o local físico do novo plano de calibração
eliminando todos os efeitos parasitas existentes entre os padrões de calibração e as portas do VNA.
Os tipos de calibração mais comuns são: SOLT e TRL.
A calibração SOLT possui este nome pois é estruturada pelos padrões de calibração Short,
Open, Load e Thru. A calibração é realizada através da conexão de cada um dos padrões nos ex-
tremos dos cabos montados para conexão do DUT ao VNA, e detecção dos mesmos através de
comandos de detecção no VNA.
Vantagens da calibração SOLT:

• Simplicidade;
• Calibração em faixa larga (limitada somente à faixa de operação do VNA);
• Calibração on-wafer e coaxial
Desvantagem da calibração SOLT:
• Resultado dependente da qualidade de Open e Short;
• Viabilidade dependente do padrão Load. Quando Load (kit de calibração) estiver in-
disponível ou não puder ser utilizado, será difícil fabricar um Load adequado para aplicação
in-fixture.
Os padrões SOLT para calibração on-wafer devem ser fabricados em substratos especiais
para calibração. As estruturas que formam os padrões Short, Open, Load e Thru devem prever o
tipo de prove utilizada para o contato elétrico. Como exemplos, o substrato de calibração Cascade
ISS 101-190 é preparado para probes GSG com pitch de 150 µm, enquanto outro modelo como
Cascade 106-683 GS é preparado para probes GS com pitch de 250 µm (figura 4.12 e 4.13):
Figura 4.12 – Padrões do kit on-wafer Cascade Figura 4.13 – Tips GS e estrutura de alinhamento do
56
ISS 106-683 GS. kit on-wafer Cascade ISS 106-683 GS.
A exatidão da calibração SOLT é definida pela qualidade de seus padrões reflexivos (Open
e Short - devem possuir parâmetros conhecidos e muito bem definidos de capacitância e indutân-
cia), e principalmente do padrão Load que deve ser fabricado com impedância mais próxima pos-
sível de 50 + j 0 Ω para uma larga faixa de frequência. Quando estes padrões críticos, em especial
o Load, não podem ser obtidos, este método de calibração não deve ser usado.
Resultados Experimentais de uma calibração SOLT:

A figura 4.14 mostra os resultados de uma calibração SOLT realizada para a faixa de
500kHz à 10GHz, utilizando estruturas de calibração planares. Observe que cada padrão é bem
definido conforme sua região na Carta de Smith. O Padrão Thru é sobreposto ao padrão Load assim
como um Thru medido por um parâmetro S11 (parâmentro principal para leitura na Carta de Smith)
deve retornar a impedância da porta oposta. Estes resultados são os resultados esperados de uma
calibração SOLT correta. O software WinCalXE foi utilizado para detecção otimizada dos padrões
[33].
Figura 4.14 – Resultados de uma calibração Short, Open, Load e Thru.

57
4.2.2 TÉCNICA TRL
A calibração TRL utiliza os padrões Thru, Reflection e Line, cujos padrões são semelhantes
da calibração SOLT como Thru e padrões reflexivos Open e Short. O padrão Line é um Thru de
comprimento determinado.
Vantagens da calibração TRL:

• Facilidade de construção de padrões (Open e Short não necessitam ter alta qualidade);
• Padrões podem ser fabricados na placa de montagem do DUT, ou até no substrato.
• Qualidade depende apenas da fabricação do padrão Line (linha bem casada em 50 Ω);
Desvantagem da calibração SOLT:

• Calibração restrita à faixa estreita (inerente do padrão Line)
Em modo geral, a grande diferença e vantagem deste tipo de calibração é a fácil obtenção
e fabricação dos padrões de calibração, tornando-se um método otimizado para medidas em meios
não coaxiais (non-coaxial), como medidas em wafer (on-wafer) e em fixtures customizados (in-
fixture). Esta facilidade ocorre, pois, o projeto e construção do padrão Line (linha de transmissão
50 Ω) e dos padrões reflexivos pode ser facilmente implementado dentro das estruturas de fixação,
substrado ou placa de circuito impresso. Porém, o método não funciona para calibração e medidas
em faixa larga [30].
A figura 4.15 ilustra padrões Line TRL planares.
Figura 4.15 – Padrões planares Line de substrato

de calibração para probes GSG [32].
58
4.3 Extensão de Portas APE
Seguindo o fluxograma da figura 4.1, se a calibração apresenta desvios de ângulo de pro-

pagação a forma de corrigi-los é através da correção de fase, chamada também de correção de
atraso elétrico [30]. Um deslocamento positivo de fase pode ser gerado a partir do aumento do
comprimento de linha, logo a correção desta linha se dá pela eliminação do atraso elétrico.
O recurso de Extensão de Portas é utilizado para melhorar a exatidão da calibração feita

para frequências significativamente altas, e principalmente utilizado para extrapolar calibração
para um novo plano. Na primeira aplicação, é comum existirem nos cabos e principalmente nos
conectores do sistema calibrado, pequenas extensões de linha que não são compensadas devido a
forma em que os contatos são feitos entre os conectores/probes e os padrões de calibração. Na
segunda aplicação, não é possível realizar a calibração (SOLT ou nem mesmo TRL) in-fixture
devido a inexistência dos padrões de calibração no fixture.
Em ambos os casos, há deslocamento de fase do sinal propagado pelo dispositivo. A fase

do sinal após trafegar nas linhas excedentes é diferente daquela na saída do plano de calibração,
devido a dois problemas: extensão de linhas além da calibração e descasamento de impedância.
O recurso manual da extensão de portas encontrado nos VNAs permite que seja inserido
manualmente o atraso elétrico necessário para deslocar o plano de calibração até as extremidades
das linhas do fixture, nas quais o DUT é montado. Este recurso não compensa as perdas por inser-
ção (insertion loss) e nem descasamentos de impedância, mas somente a defasagem do sinal devido
à linha excedente.
Figura 4.16 – Detalhe de linhas de transmissão in-fixture e plano de calibração original e extendido.
A figura 4.16 ilustra um caso típico em que a Extensão de Portas é utilizada para a medição
de um chip (DUT) que será montado na região central da placa ilustrada, desprezando parcialmente
59
alguns efeitos parasitas das trilhas internas e conexões. Com os planos de calibração limitados nas
conexões de entrada de uma placa, as trilhas que conduzem o sinal até o centro (região do DUT)
são compensadas pela APE através da medição de um circuito aberto (trilhas abertas já simulam o
padrão Open para a APE) e de um curto-circuito que deverá ser inserido (padrão Short).
Nos VNAs mais modernos (linha ENA, PXI da Keysight), além da opção manual de ajuste
de Extensão de Portas, existe uma opção automática de ferramenta, conhecida como APE (auto-
matic port extension). Esta ferramenta é capaz de compensar, além do atraso elétrico, o insertion
loss gerado pela linha excedente. Para realizar o APE, é necessário conectar as terminações das
linhas internas do fixture padrões Open e Short e detectá-los no sistema do VNA. Através de pro-
cessamento computacional do VNA, a detecção automática dos padrões reflexivos calcula as per-
das e atrasos elétricos, eliminando-os da medição sem a necessidade de inserir manualmente dados
e consequentemente aumentando a exatidão da Extensão de Portas [30].
60
– Resultados Experimentais
Os conceitos discutidos até o momento serão contextualizados neste capítulo. Partiremos

de medidas tradicionais utilizando o VNA para contextualização dos conceitos de eletromagne-
tismo e métodos de medida típicos, e em seguida serão analisados efeitos de propagação presentes
nos parâmetros parasitários de uma medida. Por fim, após a compreensão destes parasitas, técnicas
de compensação serão discutidas e exercitadas para diferentes categorias de medições dispositivos.
Procedimentos didáticos referentes a este capítulo podem ser encontrados nos apêndices A à G,
5.1 Técnicas de caracterização de linhas de transmissão e análise das medidas típicas do VNA
Os resultados dos experimentos deste capítulo irão consolidar a compreensão das medidas
típicas de linhas de transmissão através dos conceitos teóricos do capítulo 3, e irão revelar técnicas
efetivas de medição de fator de velocidade e comprimento de linhas de transmissão, utilizando o
VNA. Portanto o primeiro dispositivo estudado neste trabalho será uma guia de onda coplanar,
cujas as conclusões poderão ser extrapoladas para outros tipos de linha de transmissão conforme
veremos ao longo do capítulo.
Figura 5.1 – Guia de Onda Coplanar – Secção Transversal [10].
A guia de onda coplanar caracterizada no item 5.4.3 foi fabricada com placa cobreada com
dielétrico FR4 Rogers RO4000 R = 3,55, comprimento L = 50 mm, espaçamento (gap) G = 0,2
mm e largura de trilha W = 1,6 mm. A espessura do dielétrico H usado é de 1,524 mm.
Mas antes de medir a guia de onda, será caracterizado um padrão Thru para a referência de
61
uma linha de transmissão ideal. Os resultados desta caracterização validarão o método utilizado de
medição da guia de onda.
Todas as medições tratadas nesta seção são realizadas com VNA Agilent E5071C, calibrado
pelo método SOLT em toda a faixa (300 kHz até 20 GHz) com 1601 pontos e 0dBm. Foram utili-
zadas as portas 1 e 3, logo os parâmetros medidos pelo VNA são S11, S31, S13 e S33.
5.2 Medição de Impedância e Perdas em Linha de Transmissão Ideal
Como referência de uma linha de transmissão ideal, utilizaremos o padrão “Thru” do kit de
calibração do VNA. O Thru utilizado é uma linha de transmissão coaxial com impedância caracte-
rística muito próxima de 50 Ω.
Observamos na figura 5.2 que o parâmetro S11, formados por números complexos, resultam
em 279µ – j32.7µ para a frequência de 740 MHz.
500 kHz 20GHz 500 kHz 20GHz
Figura 5.2 – Medição de parâmetro S11 de linha de transmissão sem perdas.
Os módulos dos parâmetros S11 e S31 representam os coeficientes de reflexão e transmissão

respectivamente. Observamos que S11 possui módulo muito próximo de 0 como esperado.
Na figura 5.3 observamos os valores complexos do parâmetro S31, com módulo muito pró-
ximo de “1”, justificando a fundamentação teórica exposta no capítulo 3.
62
Figura 5.3 – Medição de parâmetro S31 de linha de transmissão sem perdas.
Configurando o modo de exibição do VNA adequadamente, podemos obter a conversão

direta dos parâmetros S para parâmetros elétricos e demais parâmetros de interesse.
Impedância: Observando a figura 5.4, medindo o parâmetro S11 notamos na Carta de Smith
um círculo muito pequeno (quase um ponto) bem no centro. No parâmetro de reflexão, isso mostra
que a linha possui de impedância 50 Ω e está perfeitamente casada (obviamente considerando 50
Ω como referencia). Isso nos mostra que a reflexão de onda é praticamente nula em um bom casa-
mento, validando a medição através do conceito citado no item 3.2.3.
Figura 5.4 – Medição de impedância S11 de linha sem perdas.
Return Loss: Observando a figura 5.5, o parâmetro S11 exibe perda alta do sinal refletido,
sendo a menor perda em torno de 36 dB para a frequência de 18 GHz. Isso nos mostra que o sinal
63
refletido é muito baixo ou praticamente nulo, devido a um bom casamento de impedância da linha
com o VNA. Este resultado é esperado conforme equação 26.
500 kHz 20GHz
Figura 5.5 – Medição de return loss de linha sem perdas.
Insertion Loss: Observando a figura 5.6, a Carta de Smith mostra um círculo muito pe-
queno (quase um ponto) bem na região de circuito aberto. No VNA, a Carta de Smith não detecta
por qual porta o sinal é emitido ou recebido, portanto os resultados exibidos neste formato de exi-
bição serão inversamente análogos aos resultados da medição dos parâmetros de reflexão (S11 ou
S33). A leitura de um parâmetro de transmissão na Carta faz com que o sinal transmitido seja todo
recebido na outra porta (independente de qual porta tenha transmitido o sinal). Isto fará com que o
resultado na Carta seja um circuito aberto, pois uma das portas (porta 3 no nosso caso) recebe todo
o sinal transmitido por uma porta qualquer (porta 1 no nosso caso), da mesma forma em que seria
exibido o resultado no caso de uma reflexão total medida pelo parâmetro S11, cuja porta 1 receberia
todo o sinal transmitido por ela mesma. Do ponto de vista de nossa medida de transmissão S31, este
resultado indica que todo o sinal foi recebido, portanto não houve perdas na transmissão.
64
Figura 5.6 – Medição de impedância S31 de linha sem perdas.
Comparando o resultado de insertion loss com o valor esperado de 0 dBm, aplicando o

coeficiente de transmissão conforme resultados da figura 5.3, a equação 30 (insertion loss) retorna
a perda de 0,0004 dB, conforme esperado se tratando de uma linha ideal de comprimento quase
nulo conforme item 3.2.3. A figura 5.7 exibe o valor de insertion loss diretamente, e um valor
muito próximo de zero pode ser observado para frequências mais baixas conforme o cálculo. A
maior perda observada é próxima de 0,2 dB na frequência de 18 GHz (posição do marcador).
500 kHz 20GHz
Figura 5.7 – Medição de insertion loss de linha sem perdas.
SWR: Observando a figura 5.8, o parâmetro S11 exibe a relação de onda estacionaria. O
resultado é praticamente 1 (o maior valor observado é de 1,05 na frequência próxima de 18 GHz).
Este resultado nos mostra que o nível de tensão da onda ao longo da linha é constante e que toda a
potência esta sendo entregue à carga. Sabendo da relação deste parâmetro com o coeficiente de
reflexão, também podemos afirmar que a linha e carga estão bem casados. Aplicando o coeficiente
65
de reflexão medido conforme figura 5.2 (760 MHz), a equação 35 retorna valor de SWR = 1,001,
validando o resultado da medição figura 5.8.
500 kHz 20GHz
Figura 5.8 – Medição de SWR de linha sem perdas.
5.3 Medição de Impedância e Perdas em Linha de Transmissão Real
Uma linha de transmissão real pode possuir descasamento de impedância, mesmo sendo pro-
jetada para 50 Ω. É de conhecimento que é difícil projetar e construir circuitos perfeitamente casa-
dos para operação em alta frequência.
Neste item os experimentos serão conduzidos utilizando a guia de onda apresentada anterior-
mente. Iniciaremos com a análise dos parâmetros S (parte real e parte imaginária) obtidos pelas
medições de S11 e S13.
Figura 5.9 – Medição de parâmetro S11 de linha de transmissão com perdas.
Observamos na figura 5.9 que o módulo dos valores complexos de S11 tende a “0” enquanto
o módulo dos valores complexos de S31 da figura 5.10 tende a 1 para a faixa de frequência de até
66
3 GHz. Com esta análise prévia temos indícios que a melhor faixa de operação para esta linha é
abaixo de 5 GHz, conforme a especificação de seu material.
Figura 5.10 – Medição de parâmetro S31 de linha de transmissão com perdas.
Reduzindo a faixa de medição para até 5 GHz para aumento de resolução na faixa de inte-
resse, novamente alteramos o modo de exibição do VNA para leitura dos demais parâmetros de
propagação.
Impedância em ponto único de frequência: Observando a figura 5.11, obtemos 35,67 +
j1,62 Ω, na frequência de 760 MHz (muito próximo à ressonância). Vamos utilizar esta impedância
na mesma frequência, como informação para as análises seguintes.
Figura 5.11 – Medição de impedância S11 de linha com perdas.

67
Return Loss: Conforme visto no capítulo 3, podemos calcularmos o coeficiente de reflexão para
a impedância medida de 35,815 + j 1,535 Ω, para frequencia de 760 MHz:
O módulo do resultado é 0,1682. Através do cálculo do return loss:
O resultado comprova o método de medida conforme a figura 5.12.
500 kHz 20GHz
Figura 5.12 – Medição de return loss de linha com perdas.
Insertion Loss: Na figura 5.13, a Carta de Smith mostra a curva muito próxima da borda.
Ao calcularmos insertion loss conforme equação 30 usando o coeficiente de transmissão medido
conforme figura 5.10, o resultado não condiz com o valor da figura 5.14. Mas porquê isto acontece?
68
500 kHz 20GHz
Figura 5.13 – Medição de impedância S31 de li- Figura 5.14 – Medição de insertion loss de linha
nha com perdas. com perdas.
A resposta para essa pergunta reside no conceito tratado por POZAR (2012), conforme
citado no item 3.2.3. Em linhas de transmissão ideais com comprimento desprezível, não há des-
casamento ao longo da linha e a equação 29 é válida. Quando há descasamento em uma linha de
comprimento especifico, o coeficiente de reflexão não pode ser somado a 1 para a obtenção do
coeficiente de reflexão.
Conforme visto no experimento da linha ideal, a transmissão não pode ser diretamente ana-
lisada utilizando a Carta de Smith (a Carta de Smith é fundamentada pela análise de reflexão [35]),
sendo necessário uma conversão análoga com a reflexão. Porém como observamos no gráfico TR7
da figura 5.13, o parâmetro de transmissão também é exibido na Carta de Smith. Quando uma linha
é perfeitamente casada enxergamos um ponto exatamente na região “infinito” da Carta de Smith
se o coeficiente de transmissão é analisado [36], e as conclusões do experimento da linha ideal são
válidos. Mas e os resultados de TR7 - figura 5,13 que mostram a resposta de impedância S21 para
uma linha não ideal? Como relacionar uma leitura S21 de impedância na Carta de Smith?
Assumindo linha ideal obtemos ∞ Ω na leitura da Carta de Smith, logo utilizando a ∞ Ω

para o cálculo do coeficiente de reflexão (equação do parâmetro lido pela Carta de Smith), veremos
que:
, logo:
69
Como o coeficiente analisado foi o de transmissão (apesar de usarmos a equação da carta:

reflexão), Γ = 1 = T. Se T=1, Γ=0, justificando casamento perfeito de impedância [37].
Mas quando é considerado todo o comprimento de uma linha real, sabemos que a impedân-
cia ao longo da linha varia conforme a frequência aumenta e consequentemente o descasamento
também. Neste caso, o coeficiente de transmissão “T” não é a soma do coeficiente de reflexão “Γ"
com a constante “1”, mas sim a soma do “Γ" com um número complexo “c” que representa a
variação da impedância no determinado ponto da linha (na Carta de Smith será indicado uma im-
pedância no formato de um numero complexo, diferente de “∞”).
Voltando à análise na Carta de Smith para o parâmetro de transmissão S31, obtemos
. Logo mostramos que ; logo
Conforme esta teoria, podemos calcular novamente o insertion loss utilizando a impedância
medida na Carta de Smith pelo parâmetro S31 (figura 5.13) para o cálculo do coeficiente de trans-
missão, porém desta vez usaremos a equação do coeficiente de reflexão (equação 25), conforme
concepção da Carta de Smith:
YZ7\]&^_ `/a;8* 5.13 1,94 − c68,12 4
O coeficiente de transmissão encontrado foi 0,292-j0,928, e o módulo |T|=0,973. Calcu-

lando agora o insertion loss conforme equação 28 obtemos:
Como podemos ver no gráfico TR8 da figura 5.14, o resultado de insertion loss é exata-
mente perda de 0,236 dB conforme o cálculo acima. Portanto, o método de utilizar a equação do
coeficiente de reflexão para calcular o coeficiente de transmissão a partir de impedância medida
70
pelo parâmetro S31 está validado.
SWR: Conforme equação 33, podemos obter o SWR também através do coeficiente de
reflexão (0,1682: modulo do resultado mostrado na figura 5.9), onde:
Como podemos observar na figura 5.15, medindo o parâmetro S11, o valor de SWR para a frequên-
cia de 760 MHz confere com o calculado.
500 kHz 20GHz
Figura 5.15 – Medição de SWR de linha com perdas.

71
5.3.1 MEDIÇÃO DE FASE E TEMPO DE ATRASO EM LINHAS DE TRANSMISSÃO
5.3.1.1 FASE DE REFLEXÃO E TRANSMISSÃO E O EFEITO DE FREQUÊNCIAS DE

RESSONÂNCIA
As medições de fase de onda e tempo de atraso de propagação fornecem informações im-

portantes do meio de transmissão. No experimento com a linha de transmissão real, observamos
que a fase θ do sinal refletido é pouco mais de duas vezes que θ do sinal transmitido (figura 5.16),
devido às distorções do sinal refletido. O dobro de θ é esperado uma vez que o sinal refletido
percorre o caminho de ida e volta quando a terminação da linha é um circuito aberto (descasamento
total entre Z0 e ∞ Ω), enquanto o sinal transmitido apenas atravessa uma vez a linha quando o
casamento é perfeito.
Figura 5.16 – Comparação entre fase do sinal refletido ≈ 1080˚ (TR5 - esquerda), e do sinal transmitido λ
≈ 480˚ (TR6 - direita).
O dobro de θ do sinal refletido também acontece em linha com terminação em carga L (50Ω
da porta oposta do VNA), porém ao atingir a fronteira de diferentes impedâncias (casamento de
impedância possui imperfeições), a onda refletida é afetada pelo efeito Doppler sofrendo distorção
em sua forma de onda (no domínio da frequência é marcado pelo deslocamento de fase, figura
5.17). Esta distorção é dependente da forma da onda incidente que trafega no mesmo meio, de sua
frequência e velocidade de propagação que também são alteradas na onda refletida devido ao rela-
tivismo do efeito Doppler [34].
72
Figura 5.17 – Distorção na forma de onda causada pelo efeito Doppler, vista no domínio da fre-
quência.
As características do meio, distorções e interações dos sinais incidente e refletido geram

ressonâncias em algumas frequências (Observe o detalhe da figura 5.18, a frequência de ressonân-
cia em 2GHz faz a fase mudar subitamente de sentido).
Figura 5.18 – Comparação entre fase do sinal refletido e return loss, frequências de ressonância.
73
Estas ressonâncias quando conduzem a energia de volta ao gerador impedem que o sinal
incidente seja transmitido, sendo classificadas como ressonâncias como não construtivas (figura
5.18, 760 MHz). Em contrapartida, outras frequências podem apresentar melhor casamento com a
impedância da carga, gerando ressonadores que favorecem a transmissão (figura 5.18, 2 GHz).
5.3.1.2 FATOR DE VELOCIDADE
O parâmetro de fase de onda pode ser relacionado diretamente com o tempo de atraso, se o
fator de velocidade do meio de propagação for conhecido. Conforme a equação 10 (capítulo 3), o
fator de velocidade de um meio é a relação da velocidade de propagação no meio pela velocidade
de propagação no vácuo. Se considerarmos o tempo de propagação, ao invés da velocidade, pode-
mos calcular o Fator de velocidade sabendo o comprimento da linha de transmissão e o tempo de
atraso de transmissão:
(48)
(49)
A linha utilizada em nosso experimento é uma guia de onda coplanar de 5 cm, e tempo de
atraso de transmissão medido com o VNA é 234 ps conforme observamos na figura 5.19:
500 kHz 20GHz
Figura 5.19 –Atraso de grupo, sinal transmitido em guia de onda coplanar, parâmetro S31.
74
Logo o Fator de Velocidade da linha de transmissão do experimento é:
Esta caracterização do Fator de Velocidade pode ser validada através do cálculo de λ con-
forme equação 13 e conforme a o cálculo de velocidade média:
Os resultados mostram que 0,71 é fator comum entre tempo de propagação e a fase de
propagação. Logo, é válido utilizarmos a medida de tempo de atraso do VNA para caracterização
de Fator de Velocidade, desde que o tempo esteja estável como observamos na faixa de 300 kHz à
1,5 GHz da figura 4.35. Efeitos de propagação devido a alta frequência, e efeitos parasitários geram
perturbações e o tempo de propagação pode ser alterado.
Esta técnica de caracterização de Fator de Velocidade deve ser aplicada a qualquer meio de
transmissão. Portanto, para validarmos esta generalidade, o mesmo experimento foi conduzido uti-
lizando um cabo coaxial RG58 conhecido, com 6,3 m e Fator de Velocidade = 0,656 conforme
datasheet. A figura 5.20 mostra o resultado da medição de tempo de atraso do sinal transmitido.
Como podemos ver, de modo similar temos resultados estáveis até frequência de 1,5 GHz, indicado
no marcador.
500 kHz 20GHz
Figura 5.20 – Tempo de atraso de sinal transmitido em cabo RG58, parâmetro S31.
75
Logo o Fator de Velocidade da linha de transmissão do experimento é:
Comparando o resultado com a referência do datasheet, o erro desta caracterização é 0,58%.

Observando que mesmo a região estável de resultados de tempo de atraso oscila sutilmente, é ra-
zoável atribuir parte deste erro (ou totalmente) ruído de fundo do VNA. O erro de medição foi
calculado conforme DOC-CGCRE-008 [38].
5.3.1.3 COMPRIMENTO DE LINHA DE TRANSMISSÃO
Um guia de onda pode ser suficientemente pequeno ou pode não possuir acesso para uma
medida de comprimento. O comprimento de uma guia de onda é importante para a compensação
de atraso elétrico como veremos nos capítulos seguintes, e duas técnicas de medição estudadas
neste trabalho serão apresentadas nesta seção.
A primeira técnica é relacionada com a caracterização de fator de velocidade da seção
5.1.4.2, porém agora precisaremos saber o fator de velocidade (já que não poderá ser calculado,
pois não sabemos o comprimento). Esta técnica de medição depende da conexão da linha entre
duas portas do VNA, portanto é uma técnica aplicada para medição de linhas que podem ser isola-
das fisicamente para medição.
Como exemplo podemos adotar a mesma guia de onda coplanar, Fv = 0,71:
Para validarmos a mesma técnica para outros tipos de linhas de transmissão, o mesmo ex-
perimento foi conduzido utilizando um cabo coaxial RG58 utilizado na seção 5.1.4.2. A medida do
parâmetro S21, formato tempo de atraso, retorna resultado de 32,2 ns conforme a figura 4.36. Logo,
o comprimento é:
Comparando o resultado com a referência do datasheet, o erro desta caracterização é -0,58%

[21].
A segunda técnica de caracterização do comprimento é baseada na relação de reflexão total
citada por KRAUS [23]. Considerando o curso completo de uma onda refletida, toda a extensão de
onda λ (θ=360˚) está presente até a fronteira de impedâncias, e o mesmo λ retorna á origem devido
a reflexão total (linha com terminação aberta, ∞ Ω). Esta situação é similar à uma linha rompida,
76
onde é possível relacionar a fase de onda refletida (normalizada em 720˚) com o comprimento λ.
O cálculo desta relação fornece o comprimento da linha de transmissão [23].
(49)
Figura 5.21 – Fase θ do sinal refletido e return loss, até frequências de ressonância 760 MHz.
A medição de fase de onda refletida foi realizada para a guia de onda coplanar nos mesmos
moldes da seção anterior (com terminação em 50 Ω). Na figura 5.21 destacamos o somatório do
ângulo θ (extensão de ) até a frequência de ressonância de 760 MHz, onde θtotal= 105˚+8˚ = 113˚.
Utilizado o Fv=0,71 caracterizado neste capítulo, o comprimento de linha é:
O resultado de 4,4 cm mostra um erro expressivo de -11,8% para a guia de onda coplanar
[38]. Porém a medição possui uma fonte importante de incerteza gerada pela ressonância em baixa
frequência, e para resolver este problema o experimento deve ser realizado com a terminação aberta
[23].
O experimento conduzido com terminação aberta foi conduzido utilizando um cabo coa-
xial RG58. O resultado da caracterização do parâmetro S11 pode ser observado na figura 5.22.
77
Figura 5.22 – Resultados de impedância, insertion loss e fase de sinal refletido.
Como pode ser observado, conforme a frequência aumenta, a curva de impedância em TR1
que parte de ∞ Ω começa a se distanciar da periferia da Carta de Smith (a curva começa a “entrar”
na Carta de Smith). Se a linha está aberta, idealmente a curva deveria sempre margear Carta de
Smith. Porém, os efeitos do aumento de frequência começam a alterar as características de impe-
dância e os resultados começam a se distanciar da idealidade.
Para a caracterização do comprimento deste cabo, vemos evitar estes efeitos de alta fre-
quência para garantirmos o a melhor exatidão possível. Logo, é recomendado coletar a medida de
fase θ em baixa frequência (1-100 MHz é razoável conforme testes experimentais iterativos). θ
medido em 1 MHz: -22,98˚, atraso: 61,02 ns. Aplicando as medições na equação:
Comparando com valor especificado em datasheet, a caracterização realizada possui erro

de 0,3% [38]. Considerando descasamentos e extensões de linha dos adaptadores utilizados, é ra-
zoável considerar o erro (baixo) aceitável.
78
Esta solução de medição de comprimento de linha pode substituir a utilização do equipa-

mento TDR para detecção de pontos de rompimento de linhas de transmissão conduzida de sinais
RF [39][40][41].
Comparando o erro de medição entre as caracterizações da linha com terminação em carga

e com terminação aberta, é notória a importância da terminação aberta para este tipo de medição.
5.4 Classificação de dispositivos RF e interpretação de resultados
A diversidade de dispositivos que podem ser caracterizados utilizando um VNA é grande,

e antes de iniciar uma medição é fundamental classificar os aspectos estruturais, dimensionais e
elétricos do dispositivo que se deseja medir. Estes aspectos definirão a técnica mais adequada de
medição, os acessórios que deverão ser utilizados e como os resultados deverão ser interpretados.
Os acessórios e a estrutura serão escolhidos em função do meio de propagação dos dispositivos
(on-wafer ou coaxial), conforme estrutura e acessórios do item 4.1. Veremos no item 4.6 as três
técnicas de medição de dispositivos RF: reflexão, shunt-thru e series-thru.
Primeiramente deve-se classificar o tipo de dispositivo. Dispositivos RF como filtros, am-

plificadores, circuitos de RFID, entre outros circuitos integrados, são tipicamente fabricados em
substratos semicondutores através de microfabricação. O meio de propagação de sinais neste tipo
de dispositivo on-wafer exige acessórios adequados para um bom contato elétrico. Estes acessórios
são: probe station, RF positioners (permite ajuste de probes nos eixos X, Y, Z e θ), cabos especiais
para medição de microondas, probe-holder, e tips/RF probes GS/GSG.
Se o meio de propagação do dispositivo não é classificado como on-wafer, ele possui inter-
face coaxial para o meio in-fixture. Circuitos integrados são encapsulados e montados em placas
eletrônicas projetadas para aplicações específicas, como tranceivers, transponders, multiplexado-
res de dados, acopladores, entre outros. Após encapsulamento e integração com outros dispositi-
vos/componentes, o meio de propagação dos sinais se tornam as trilhas, guias de ondas, conexões
soldadas e até interfaces coaxiais. Este meio é chamado in-fixture. As conexões utilizadas para
medições in-fixture normalmente são coaxiais, exigindo apenas cabos especiais para RF e adapta-
79
dores para o padrão coaxial do dispositivo (normalmente SMA). Para dispositivos em meios coa-
xiais, se forem bipolos elementares como indutores, capacitores ou resistores (ou dispositivos com
características similares), é possível selecionar a técnica de medição mais adequadas conforme sua
impedância de projeto. Porém, se forem quadripolos, dificilmente será possível customizar uma
montagem adequada de medição em função da característica de impedância do dispositivo.
A figura 5.23 contém um diagrama para a classificação do dispositivo e seleção do método

mais adequado de medição.
Figura 5.23 – Fluxograma de seleção da técnica de medição.
A terceira etapa, após detecção do meio de propagação e seleção da técnica de medição, é

a interpretação da medição conforme o parâmetro utilizado (S11, S21).
80
Figura 5.24 – Exemplos de medição de capacitor fabricado em diferentes configurações.
A figura 5.24 apresenta um exemplo simples de uma medida on-wafer de um capacitor

planar. As portas do VNA possuem 50Ω e se o capacitor medido for conectado entre as duas portas
conforme detalhe (a), o resultado de uma medição S11 dará a soma da impedância do capacitor e
50 Ω (porta 2); enquanto se conectado apenas em uma porta (entre signal e ground) conforme
detalhe (b) o resultado será somente a impedância do capacitor.
5.5 Técnicas de Medição de Dispositivos Bipolos e Quadripolos para aplicação em RF
Dispositivos RF possuem diferentes arquiteturas e características elétricas de fabricação. O

leiaute é projetado para otimizar o funcionamento do dispositivo em função de sua aplicação e
características elétricas. Para diferentes características, diferentes técnicas de medição devem ser
empregadas para reduzir a influência de efeitos parasitas (serão discutidos nos próximos ítens) e
otimizar a caracterização dos pontos de interesse. As técnicas de medição do tipo reflexão, Shunt-
Thru e Series-Thru são utilizadas para medir dispositivos com diferentes características elétricas e
construtivas.
A técnica do tipo reflexão emprega a utilização de uma única porta do VNA (medida de
parâmetro S11), adequado para medição de componentes com terminação simples ou single-ended.
Este tipo de medição retornará os parâmetros elétricos do dispositivo medido de modo simplificado
(apenas com o parâmetro de reflexão da porta utilizada), porém este é sensível a efeitos parasitas
da medição, e a exatidão de resultados é alta somente quando DUT é próximo de 50 Ω. A figura
5.25 ilustra a técnica de reflexão para a medição de um capacitor (DUT).
81
Figura 5.25 – Técnica Reflexão de Medição [3].
O conector (fixture) é modelado pelo circuito do quadro verde onde a admintância paralela
Y11P formado por Cp e Rp representam a capacitância parasita e condutância paralela, bem como a
Impedância série formada por Ls e Rs que representam a indutância parasita com sua resistência
série. O sinal incidente padrão da porta 1 (porta de emissão) sofre desvio de fase e atenuação. Estes
parâmetros inerentes do fixture estão presentes na medida e devem ser compensados pelos métodos
possíveis (calibração ou De-Embedding – item 5.6), porém se a impedância do DUT fosse próximo
de Z0 (não é o caso do capacitor), a maior parte da energia seria absorvida pelo DUT (medição) e
os efeitos capacitivos do fixture seriam eliminados.
A técnica Shunt-Thru emprega a utilização de duas portas do VNA (mantendo medida de

parâmetro S11), adequado para medição de quadripolos e componentes passivos de baixa impedân-
cia. É o melhor método de medida ESR de capacitores, pois a técnica elimina as resistências noci-
vas do fixture, mas pode apresentar baixa exatidão se a frequência de medição for muito menor ou
maior que a frequência de ressonância do capacitor. Este tipo de medição requer interpretação da
medida conforme citado na figura 5.24, porém quanto menor a impedância menor será o erro de
medição e a influência de efeitos parasitas é significativamente baixa.
Figura 5.26 – Técnica Shunt-Thru de Medição [3].

82
Os conectores (fixtures) da figura 5.26 são modelados pelos circuitos dos quadros verdes,
assim como na figura 5.25. O sinal incidente padrão da porta 1 (porta de emissão) sofre desvio de
fase e atenuação. Estes parâmetros inerentes do fixture estão presentes na medida e devem ser
compensados pelos métodos possíveis (calibração ou De-Embedding – item 5.6), porém se a im-
pedância do DUT fosse próximo de 0 Ω (o caso de um capacitor em alta frequência – próximo da
ressonância), o sinal refletido de volta à origem (porta 1 – porta de medição) seria livre dos efeitos
capacitivos do fixture, eliminados pela conexão em paralelo da carga de 50 Ω da porta 2 que ab-
sorve parte significativa da energia emitida, exceto a parte refletida à porta 1 pelo DUT de baixa
impedância (medição).
A técnica Series-Thru também utiliza duas portas do VNA, e é adequado para medição de
quadripolos, mas principalmente para medição de componentes passivos de alta impedância. Com-
ponentes preparados para este tipo de medição possuem uma configuração de contatos especial,
onde o componente é fisicamente posicionado isolado das vias de referencia, semelhante à um
padrão Thru de calibração. Quanto maior a impedância do componente passivo e mais distante da
frequência de ressonância for a medição, menor o erro de medição. A figura 5.27 ilustra a técnica
series-thru para a medição de um capacitor com impedância Zc.
Figura 5.27 – Técnica Series-Thru de Medição [3].
Os conectores da figura 5.27 são modelados pelos circuitos dos quadros verdes, assim como
na figura 5.25 e 5.26. Os parâmetros inerentes dos conectores apesar de minimizados pela técnica
de medição, ainda estão presentes na medida e devem ser compensados pelos métodos possíveis
(calibração ou De-Embedding – item 5.6), porém se a impedância do DUT fosse alta (>kΩ, o caso
83
de um capacitor em baixa frequência), o sinal refletido de volta à origem (porta 1 – porta de medi-
ção) seria livre dos efeitos capacitivos do fixture, eliminados pela conexão em serie da carga de 50
Ω da porta 2 que absorve parte da energia emitida sem interferir significativamente na impedância
do DUT.
5.6 Caracterização de Bipolos Elementares para aplicação RF
Para exemplificar as técnicas descritas no item anterior, um experimento foi conduzido em

indutores fabricados em substrato Alumina com tecnologia baseada em filmes finos (MCM-D).
Foram utilizados equipamentos e acessórios adequados para medição on-wafer, Probe Station Cas-
cade MicroTech Summit 11000M, posicionadores para RF e probes GSG com 150 µm de pitch. A
calibração foi realizada para a faixa de 500 kHz até 10 GHz conforme o método SOLT (utilizado
substrato de calibração Cascade ISS 101-190 GSG e software WinCalXE). Conforme fluxograma
citado no no início do item 5.2 (destaque na figura 5.28), dois métodos foram utilizados para me-
dição dos indutores: reflexão (I1C) e series-thru (I1D).
Figura 5.28 – Fluxo de avaliação para seleção da técnica de medida (caixas em vermelho).
84
5.6.1 INDUTOR I1D: MEDIÇÃO SERIES-THRU.
As figuras 5.29 e 5.30 mostram a estrutura denominada de ID1, simulada e medida respec-
tivamente. A simulação foi realizada através do programa Keysight ADS.
Figura 5.29 – Layout do indutor em confi-

Figura 5.30 – Indutor I1D durante medição.
guração series-thru [42].
Podemos observar os resultados simulados e medidos nas figuras 5.31 e 5.32.
Comportamento CA- Comportamento CA-

PACITIVO após res- PACITIVO após res-
sonância ~5GHz sonância ~6GHz
Figura 5.31 – Resultados S11 indutor ID1, Azul: Figura 5.32 – Resultados S22 indutor ID1, Azul:
Medido; Vermelho: Simulado Medido; Vermelho: Simulado
Tabela 5.1 – Resultados de impedância I1D, comparação entre simulação e medição.

Z11 (Ω) Z22 (Ω)
Frequência
Simulação Medição Simulação Medição
433 MHz 58,2 + j18,2 56,8 + j17,3 58,2 + j18,2 56,7 + j17,4
867 MHz 60,5 + j36,4 59,0 + j33,4 60,0 + j36,3 58,5 + j33,8
2,4 GHz 91,6 + j132,1 86,1 + j114 84,4 + j128,6 78,1 + j110,1
85
Tabela 5.2 – Resultados de indutância I1D, comparação entre simulação e medição.

LS11 (nH) LS22 (nH)
Frequência
Simulação Medição |erro| Simulação Medição |erro|
433 MHz 6,7 6,4 4,8% 6,7 6,4 4,9%
867 MHz 6,7 6,1 8,9% 6,7 6,2 7,5%
2,4 GHz 8,8 7,6 13,6% 8,5 7,3 14,1%
Ressonância 5,2 GHz 4,8 GHz 3,8% 5,4 GHz 6,1 GHz 13,0%
As tabelas 5.1 e 5.2 relacionam os resultados de impedância e indutância simulados e me-

didos. O erro na tabela 4 foi calculado conforme DOC-CGCRE-008 [38], assumindo valor de
referência o resultado simulado. Desta maneira o erro é composto por erro de medição somado ao
erro inerente de desvio de processo de fabricação.
Desprezando as resistências série (Rs) neste momento (medida DC = 5,6 Ω), o primeiro
aspecto importante a ser observado é o sentido da curva de impedância que parte do centro da Carta
de Smith (50 Ω) em direção a extremidade (∞ Ω). Apesar do indutor possuir resistência série muito
baixa, conforme o capítulo 4.5 (figura 4.40) a medição S11 através da técnica series-thru incorpora
em seu resultado a impedância de 50 Ω da porta 2. Portanto é esperado que a origem da curva de
impedância seja no centro da Carta de Smith, desprezando-se Rs.
Apesar do erro calculado incorporar desvios de processo, é possível observar claramente a
tendência do erro de medição. Conforme a seção 4.6, a técnica de medição series-thru provê alta
exatidão para a caracterização de componentes de alta impedância (baixa exatidão para | Z | ≈ 50
Ω; alta exatidão para | Z | ≥ faixa kΩ). Além disto, a exatidão é maior para medições longe da
frequência de ressonância.
Como um indutor típico, a reatância de I1D aumenta proporcionalmente ao aumento da
frequência. Isto significa que o erro de medição tende a diminuir com o aumento de frequência,
porém este aumento é pequeno para um indutor típico e a reatância é baixa em quase toda a faixa
de medição. Em 2,4 GHz, a reatância medida de I1D é 114 Ω, quase 1/10 do início da faixa kΩ.
Portanto, a baixa reatância característica de I1D é predominante para este tipo de medida, e o erro
de medição será intrinsecamente alto. A tendência crescente do erro proporcional ao aumento de
frequência é exclusivamente dependente dos desvios de processo, i.e, os desvios de processo se
tornam mais expressivos em alta frequência.
Comparando a simetria entre LS11 e LS22, a diferença notória reside no menor erro visto na
medida LS11. O erro entre as frequências de ressonância simulada e medida é menor para a carac-
86
terização S11 que em S22. Consequentemente os resultados medidos em toda faixa serão mais pró-
ximos entre simulação e medição S11, indicando que os desvios de processo mais significativos
estão localizados na região do pad esquerdo (mais próximo da porta 1 onde a maior parte da energia
reside a partir de uma medição em frequência de ressonância S22).
Outro aspecto importante é a observação do aumento de resistência proporcional ao au-
mento de frequência (tabela 5.1). Conforme estudado no capítulo 3, os efeitos eletromagnéticos
explicados pela Lei de Lenz e o efeito pelicular (skin effect) geram perdas no condutor, caracteri-
zadas pelo aumento de resistência observado neste experimento. De 433 MHz a 2,4 GHz o aumento
de resistência é cerca de 30 Ω.
A resistência serie de 5,2 Ω observada em baixa frequência, é composta pela resistência DC
do indutor e pela resistência de contato entre a probe e os pads. Esta resistência de contato é mini-
mizada por uma calibração adequada, porém ela sempre existirá se o material dos pads do DUT
for diferente do material do substrato de calibração. Nos próximos capítulos serão abordados mé-
todos para eliminação deste efeito parasita.
5.6.2 INDUTOR I1C: MEDIÇÃO POR REFLEXÃO.
Fisicamente muito similar a estrutura das figuras 5.29 e 5.30, o indutor I1C possui uma das
terminações fechada. Impossível de ser medido pelas técnicas series-thru ou shunt-thru devido a
disponibilidade de uma terminação. Medições utilizando a técnica de reflexão foram conduzidas.
Apesar da resolução da simulação ser menor, como pode ser observado em baixa frequência
na figura 5.33, somente os pontos serão considerados nesta análise de resultados.
Figura 5.33 – Resultados S11 indutor I1C, Azul: Medido; Vermelho: Simulado.
87
Desta vez não há a influência da porta 2 na medição, como pode ser observado a curva de
impedância parte de 5,5 Ω, representando somente as resistências série citadas em 5.4.1. A técnica
de medição por reflexão otimiza a exatidão dos resultados de medicão de componentes com impe-
dância próxima de Z0 (50 Ω) conforme visto no capítulo 5.3. Como podemos observar na tabela
5.3, a medida em 867 MHz é mais próxima de 50 Ω (menor ∆50Ω) exibindo menor erro conforme
tabela 5.4 Porém o erro é ainda menor em 1,2 GHz (|Z0| = 50Ω) e em 2,4 GHz, aumentando rapi-
damente nos passos seguintes de frequência (chegando a 55% em 5 GHz). Dados adicionais em
1,2 GHz e 5 GHz foram adicionados na tabela 5.4 para observação desta tendência de erro.
Tabela 5.3 – Resultados de impedância I1C, comparação entre simulação e medição.
Frequência Z11 (Ω) ∆50Ω

Simulação Medição 50Ω - |Z11|
433 MHz 7,1 + j19,4 6,3 + j18,4 -43 Ω
867 MHz 7,3 + j38,6 7,2 + j36,0 -13 Ω
2,4 GHz 9,5 + j128,9 15,3 + j127,7 78 Ω
Observamos que existe a tendência de menor erro próximo de 50 Ω, com discrepância de erro nos
resultados de impedância mais distantes de 50 Ω, conforme esperado pelo uso da técnica de medida
por reflexão. A discrepância de erro nos extremos de frequência/impedância também é confirmada
pela vulnerabilidade a parâmetros parasitários inerentes deste método de medida (capítulo 4.6),
como acoplamento capacitivo (alta frequência) entre condutor de sinal e aterramento, resultando
em componente reativo (capacitivo) competitivo à indutância de I1C; e alta reatância indutiva in-
trínseca de I1C (baixa frequência). Para máxima extidão nesta técnica de medição, a carga deve
absorver o máximo de energia evitando reflexões interferentes na porta de medição.
Tabela 5.4 – Resultados de indutância I1C, comparação entre simulação e medição.
Frequência LS11 (nH)

Simulação Medição |erro|
433 MHz 7,1 2,3 67,6%
867 MHz 7,1 6,6 7,4%
1,26GHz 7,4 6,9 6,4%
2,4 GHz 8,6 8,5 1,2%
5,0 GHz 14,7 33,1 55%
Ressonância 7,0 GHz 5,4 GHz 22,8%
Apesar da boa exatidão entre 867 MHz e 2,4 GHz inerentes da técnica de medição por
reflexão, os erros de medida são grandes para frequências menores e maiores.
88
Outro método de medição é a técnica shunt-thru. Esta técnica não foi comparada experimental-
mente pois só não haviam estruturas preparadas para medição shunt-thru nas amostras disponíveis.
Porém é a técnica mais importante para medição de indutores.
Conforme indicado no capítulo 5.3, a técnica shunt-thru provê alta exatidão para medidas
de dispositivos com baixa impedância, pois em uma medição S11 toda a energia tende a sobrepor o
componente que conduz o retorno entre signal e ground da porta 1. Porém se a frequência de me-
dição é muito distante da frequência de ressonância (FR), a exatidão tende a diminuir uma vez que
menor parte do sinal será conduzida pelo indutor (que possuirá maior impedância), e os efeitos
capacitivos do fixture serão mais significativos.
5.6.3 CAPACITOR CB4: MEDIÇÃO SERIES-THRU.
Aplicando os mesmos métodos dos itens anteriores, agora analisaremos os resultados do

experimento realizado para os capacitores planares. Fabricados utilizando a mesma tecnologia dos
indutores estudados nos itens 5.4.1 e 5.4.2, as figuras 5.34 e 5.35 representam layout e simulação
3D da estrutura do capacitor CB4.
G G
S S
G
S
G G G
Figura 5.34 – Layout do capacitor em configu- Figura 5.35 – Simulação 3D de CB4. Setas in-
ração series-thru. dicam sentido da densidade de corrente.
Os resultados da medição e simulação da CB4 podem ser observados na figura 5.36.

89
Figura 5.36 – Resultados de simulação e medição - S11 (azul medição e vermelho simulação).
Aqui observamos que a simulação conseguiu prever uma ressonância não construtiva pró-
ximo à frequência final de simulação. Porém os resultados começam a divergir a partir de 3 GHz,
e devido às incertezas intrínsecas de processo a ressonância não construtiva (prevista em simula-
ção) não ocorre na medição.
Os resultados de capacitância podem ser observados na tabela 5.5. Conforme item 5.3, a
técnica de medição series-thru fornece alta exatidão para dispositivos de alta impedância, sendo o
método preferível para medição de capacitores. Quanto menor a frequência maior é a impedância
em capacitores, e consequentemente menor o erro em uma medição series-thru. Estes resultados
podem ser observados na tabela 5.5, cuja impedância alta de CB4 começa a diminuir com o au-
mento de frequência e o erro aumentar.
Tabela 5.5 – Resultados de CB4, comparação entre simulação e medição.

Simulação
Frequência Simulação (Ω) Medição (Ω) Medição (pF) |erro|
(pF)
433 MHz 40,8 - j403,5 39,9 - j412,4 0,91 0,89 2,2%
867 MHz 40,9 - j200,1 40,2 - j205,7 0,92 0,89 3,3%
2,4 GHz 41,3 - j69,0 40,2 - j72,8 0,96 0,92 4,2%
10 GHz 47,5 - j11,9 41,5 - j15,5 1,34 1,0 23,2%
90
Assim como na medição de indutores, o erro calculado nesta seção segue o documento
DOC-CGCRE-008 [38], assumindo a simulação como valor de referência. Desta maneira o erro
total é composto por erro de medição somado ao erro inerente das incertezas do processo de fabri-
cação. Apesar do componente de incerteza do processo existir no erro total, os resultados de simu-
lação e medição praticamente se sobrepõe, conforme é mostrado na figura 5.36. Isto significa que
as incertezas de processo são pequenas e somente são representativas em frequências superiores a
3 GHz.
5.6.4 SELEÇÃO DA TÉCNICA DE MEDIÇÃO PARA COMPONENTES BIPOLOS
Conforme apresentado neste item, a escolha da técnica de medição deve ser alinhada com
o projeto dos componentes planares. A estrutura do componente, bem como a disposição dos pads
e vias, devem projetadas de acordo com o método de medição desejado, pois não é possível utilizar
adaptadores para alterar a técnica utilizada na medição de estruturas já fabricadas em um substrato.
Logo, a seleção dentre as três técnicas de medição series-thru, shunt-thru e reflexão de-
pende de duas características: impedância característica do componente e frequência de medi-
ção/operação.
Tabela 5.6 – Seleção da técnica de medição em função de ZL e frequência.
Na tabela 5.6, temos um mapeamento das técnicas de medição em função das características
de seleção. A cor azul representa as características típicas de capacitores, e a cor vermelha as ca-
racterísticas típicas para indutores.
91
5.7 Caracterização de Quadripolos RF e Compensação Parasitária
Diferente dos componentes bipolos, dispositivos quadripolos possuem terminais de entrada

e saída, com uma referência comum. Do ponto de vista de medição de parâmetros S, bipolos e
qadripolos não são muito diferentes, pois as três técnicas de medida discutida nas seções 5.3 e 5.4
são as mesmas. Se analisarmos os bipolos elementares medidos no capítulo anterior, a estrutura do
componente para a medição series-thru é um quadripolo (figuras 5.29, 5.30, 5.34 e 5.35). De modo
análogo, a estrutura necessária para medição com técncia series-thru também é um quadripolo pois
o bipolo deve ser fabricado entre as vias signal e ground (conectadas entre as portas 1 e 2). Para a
medida utilizando a técnica de reflexão em quadripolos, basta conectar o VNA na entrada (ou saída)
do quadripolo e conectar uma carga ou terminação (open, short ou load) na saída do dispositivo.
Deste modo, as regras de seleção para medição de quadripolos se assemelham às regras discutidas
no capítulo anterior, uma vez que as portas de quadripolos têm impedâncias bem caracterizadas e
podem ser medidas com a técnica mais adequada. Porém a complexidade de funcionamento e pro-
jeto de dispositivos quadripolos extrapolam as características de seleção da tabela 5.6, principal-
mente para dispositivos ativos que podem alterar as características de frequência de operação.
Outra característica de quadripolos é a necessidade de caracterização in-fixture, ou seja, da

medição de dispositivos ou componentes dentro do quadripolo. É comum circuitos integrados en-
capsulados serem montados em placas eletrônicas que condicionam a operação do CI, e o sinal RF
entra no CI através de uma trilha casada em Z0. Esta trilha deve ser a menor possível conforme as
regras de projeto de placas para RF, porém isto nem sempre é possível. Outra condição semelhante,
é que comumente CIs para RF precisam ser montados em placas para serem caracterizados, e no-
vamente há a presença de trilhas para a condução do sinal in-fixture. A figura 4.17 ilustra esta
situação.
Estas características existentes em medições in-fixture devem ser compensadas, pois tudo
o que existe entre a entrada do dispositivo que se deseja medir (DUT) e o plano de calibração do
VNA possui materiais com características condutivas e dielétricas diferentes daquelas necessárias
para a propagação ótima do sinal RF. Estas características tipicamente permitem o surgimento de
efeitos indesejados de propagação em alta frequência (seção 3.3), resultando na inclusão de parâ-
metros parasitas nos resultados de medição. Estes parâmetros parasitas, também chamados de
92
“efeitos parasitários”, tipicamente são indutâncias, capacitâncias e resistências que distorcem os

resultados de uma medição. Um exemplo típico de uma capacitância parasita pode ser observado
abaixo. Um indutor planar foi simulado no Keysight ADS, e através das imagens da simulação 3D
podemos alguns efeitos eletromagnéticos.
Figura 5.37 – Sinal RF trafegando em indutor planar.
Obs.: Setas indicam sentido da densidade de corrente e cores indicam a intensidade de campo magnético
(escala 0-50 A/m, cores frias às quentes).
O tráfego de sinal RF no indutor (via signal) segue o sentido da densidade de corrente J
conforme setas da figura 5.37. Observamos a densidade de corrente que retornam devido a reflexão
em GND, mas também observamos a presença sutil de correntes de Foucault (sentido oposto) in-
duzidas pelo campo magnético existente em GND (oriundo da parte refletida do sinal que retorna
ao gerador).

93
A intensidade de campo magnético na espira aumenta para o passo seguinte de fase de onda,
e o campo magnético induzido em ground também. Neste momento a densidade de corrente do
sinal refletido aumenta em GND e, consequentemente as correntes opostas também.

Agora a fase de onda proporciona intensidade máxima do campo magnético na espiral do
indutor. Consequentemente o sinal induzido em GND aumenta e as correntes opostas também.
Mas além deste efeito, podemos também observar nos detalhes da figura 5.39 que a intensidade
de campo magnético nas bordas internas da via GND são maiores (notório nesta imagem devido
ao campo mais intenso na espira), principalmente nos cantos. Isto acontece, pois, a proximidade
entre vias signal e GND começa a funcionar como um capacitor em alta frequência e cargas elétri-
cas se acumulam nestas regiões, especialmente nos cantos devido ao “poder das pontas” (se um
condutor carregado por cargas elétricas é pontiagudo, sua extremidade menor terá maior concen-
tração de cargas por área, e nela o campo elétrico é mais intenso). Como o sinal em tráfego é
variável no tempo, estas cargas elétricas que se acumulam também variam, gerando fluxo de cor-
rente na superfície do condutor e por fim induzindo mais campo magnético nestas regiões como
podemos observar na figura 5.39. A proximidade de signal e GND também gera acoplamento mag-
nético, formando um caminho indesejado para transporte de energia entre signal e GND.
94
Este efeito magnético inerente da alta frequência e acúmulo de cargas elétricas nas extre-
midades de condutores paralelos cria uma capacitância que é adicionada ao indutor. A consequên-
cia deste efeito capacitivo é a diminuição da indutância do componente.
Simulando uma modelagem simplificada do indutor acima, o circuito da figura 5.40 repre-
senta o indutor entre vias signal com um componente parasita capacitivo entre signal e GND. Nesta
aproximação, iremos considerar indutor de 10 nH e capacitância parasita de 0,5 nF, para frequência
de 1 a 10 GHz.
Figura 5.40 – Modelagem circuital de indutor de 10 nH com capacitância parasita de 0,5 pF.
Observamos na figura 5.40 que, um indutor de 10 nH montado em uma estrutura que possui
uma capacitância parasita de 0,5 pF, possui frequência de ressonância em 2,1 GHz. A indutância
total da estrutura é 5,9 nH em 2,0 GHz.
Agora se compensarmos parte desta capacitância parasita, o parâmetro capacitivo que será
menor devido a compensação competirá menos com o parâmetro indutivo do DUT e a indutância
total da estrutra deverá ser maior.
95
Figura 5.41 – Modelagem circuital de indutor de 10 nH com capacitância parasita de 0,1 pF.
A figura 5.41 mostra que a redução da capacitância parasita de 0,5 pF para 0,1 pF desloca
a frequência de ressonância para 4,9 GHz. A indutância total da estrutura é 11,5 nH em 2,0 GHz,
conforme esperado pela compensação parasitaria.
Para compensar estes parâmetros parasitários, existe uma técnica chamada De-Embedding. Esta
técnica será apresentada no capítulo seguinte.
96
– De-Embedding
De-Embedding é uma técnica de compensação de efeitos parasitários que consiste em se-

parar um dispositivo quadripolo em duas redes: DUT e fixture. É considerado fixture todo a estru-
tura física existente entre DUT e o plano de calibração, necessária para a conexão elétrica entre o
DUT e o VNA [43]. Tipicamente o fixture é uma placa onde um componente/dispositivo RF é
montado, e suas trilhas interconectam o conector externo deste fixture com o terminal de entrada
de sinal do componente. Estas trilhas interagem com todas as estruturas existentes nesta placa pro-
duzindo parâmetros parasitários conforme vimos no capítulo anterior.
A primeira tentativa de compensar essas trilhas em uma medição usualmente é o recurso

extensão de portas (APE) conforme vimos na seção 4.9. Porém este recurso apenas desloca a fase
do sinal propagante, resultando em um deslocamento linear do plano de calibração. Este desloca-
mento compensa exclusivamente a extensão de linha (assumindo que a linha é ideal), porém não
compensa os descasamentos de impedância e parâmetros parasitas existentes na linha real do fix-
ture. A APE considera que todas as linhas excedentes estão casadas em 50 Ω, o que na prática é
uma utopia mesmo considerando projetos robustos de fixtures. Estes descasamentos inerentes do
fixture não podem ser desprezados, sendo necessário compensá-los através da técnica do De-Em-
bedding.
A figura 6.1 destaca os planos de calibração (chamado de plano de medição, uma vez que
tudo é medido a partir deste ponto) e os planos do DUT. Todas as trilhas que interconectam DUT
aos cabos do VNA possuem descasamentos que precisam ser compensados.
Figura 6.1 – Detalhe de DUT montado em fixture. [8]

97
A técnica do De-Embedding é aplicada para a caracterização completa do fixture através de

medições, simulações, cálculos matriciais ou pela combinação de todos. Cada configuração de fi-
xture e DUT exigirá uma técnica específica de medição conforme visto no capítulo 5.3 (reflexão,
Shunt-Thru e Series-Thru) e diferentes tipos de De-Embedding devem aplicados a cada uma destas
técnica de medição. Os itens seguintes irão abordar as técnicas mais adequadas para compensação
das caracterizações que utilizam as técnicas de medição por reflexão e Shunt-Thru.
Antes de detalharmos as principais metodologias e cada tipo de De-Embedding, é importante com-
preender os fundamentos envolvidos nesta técnica, uma vez que precisaremos realizar cálculos
matemáticos com o auxílio de ferramentas como o Matlab ou com o próprio software de simulação
Advance Design System - ADS, que será abordado nesta seção. Em alguns casos os cálculos serão
dispensados, porém os fundamentos sobre De-Embedding serão essenciais para o manuseio da De-
Embed toolbox do ADS, bem como para a realização das compensações feitas estritamente através
de medições manipulação do próprio VNA
Figura 6.2 – Separação da estrutura sob medição em redes individuais [43].
A técnica do De-Embedding é fundamentada na modelagem matricial de cada parte da es-

trutura, conforme a figura 6.2. Cada fragmento da estrutra é um quadripolo, e pode ser caracteri-
zado individualmente.
Após a separação das estruturas, deve-se obter os parâmetros S de cada uma delas. Estes
parâmetros podem ser medidos (se possível) ou simulados.
98
Figura 6.3 – Relação das matrizes T das redes em série [43].
Os resultados da caracterização de cada rede devem ser convertidos para parâmetros de

transferência (matrizes T) para possibilitar a relação em cascata das múltiplas matrizes através de
manipulação matemáticas, conforme exemplificado na figura 6.3.
Com a definição de matrizes T para cada bloco, é possível isolar os parâmetros relacionados
somente ao bloco DUT, conforme a figura 6.3. Ao isolar os parâmetros exclusivos do DUT, o De-
Embedding está finalizado.
As conversões entre matrizes S e T, tal como as operações da rede série de matrizes T
podem ser feitas utilizando Matlab.
6.1 Resultados Experimentais De-Embedding com Matlab
Os cálculos matriciais do De-Embedding podem ser realizados utilizando a ferramenta com-

putacional Matlab. Para este método é possível compensar estruturas do tipo quadripolo, porém só
é possível partindo da disponibilidade de arquivo s2p (medido ou simulado) da estrutura quadripolo
a ser compensada. Para realizar esse procedimento, basta seguir as etapas do Apêndice E.
Um experimento realizado para comprovar o método de De-Embedding utilizando o Matlab
utilizou uma simulação feita no software ADS (Advanced Design System) de um DUT (indutor
1nH, resistência serie 10 Ω) montado em um fixture composto por capacitância parasita de 1pF e
50 Ω de resistência série (em ambos os lados). Para a comprovação do método de De-Embedding
utilizando o Matlab, seu resultado deve ser o mesmo da simulação da estrutura abaixo somente
com o indutor (sem fixture esquerdo e direito conforme quadros laranja na figura 6.4).
99
Figura 6.4 – Indutor (DUT) montado em um fixture com alta resistência série e capacitaria parasita.
Figura 6.5 – Resultado da simulação de impedância do circuito da figura 6.4.
Importando as matrizes de parâmetros S no Matlab, conseguimos fazer a conversão para

parâmetros T utilizando a função s2t e calcular a relação das matrizes inversas dos fixtures com a
matriz de DUT+fixture. Como resultado obtemos o a curva de impedância da figura 6.5 [44].
Simulando novamente o circuito da figura 6.4 no ADS, desta vez sem os parâmetros capa-
citivos do fixture (quadros laranjas), obtemos a curva de impedância da figura 6.6. Os resultados
entre o cálculo de De-Embedding do Matlab (6.7) e simulação sem fixture do ADS são idênticos.
Figura 6.6 – Z indutor simulado utilizando ADS. Figura 6.7 – De-Embeding utilizando Matlab.
100
Procedimento didático referente ao experimento deste item é encontrado no apêndice E.
6.2 Resultados Experimentais De-Embedding com Keysight ADS
O software Advanced Design System (ADS) da empresa Keysight Technologies é uma fer-
ramenta muito poderosa para a realização do De-Embedding. Além da comunicação e controle dos
equipamentos Keysight, que não serão tratadas neste trabalho, com o ADS é possível modelar in-
tegralmente as estruturas envolvidas na medição e realizar a simulação completa do processo De-
Embedding, separar os resultados fixture e DUT, e até extrair os resultados simulados no formato
de leitura dos VNAs (.s2p) para a execução do De-Embeding no momento da medição. Conforme
citado nesta seção, para cada tipo de configuração DUT x fixture é necessário avaliar e customizar
o De-Embedding, mas para exemplificação do método e das ferramentas do ADS, detalharemos
um De-Embedding clássico de um quadripolo com entrada e saída separadas fisicamente.
Abaixo analisaremos os resultados de uma simulação de um resistor de 50 Ω conectado em
uma estrutura de trilhas irregulares (figura 6.8). A simulação é realizada até 10 GHz e conforme os
resultados mostrados na figura 6.9 os efeitos eletromagnéticos oriundos da propagação em alta
frequência possuem características indutivas bem definidas.
Figura 6.8 – Simulação de resistor de 50 Ω conectado em estrutura de trilhas irregulares.

101
Figura 6.9 – Resultado da simulação da estrutura da figura 6.8.
Aplicando o método De-embedding descrito no Apêndice F, utilizamos a toolbox De-Em-

bed2 (figura 6.10) para compensar exclusivamente os parâmetros S das trilhas [45]. O resultado
observado na figura 6.11 é a exibição do parâmetro do resistor sem os efeitos indutivos observados
na figura 6.9.
Figura 6.10 – Simulação de trilhas compensadas pela toolbox De-Embed2.

102
Figura 6.11 – Resultado da simulação da estrutura da figura 6.10, após compensação.
Procedimento didático referente ao experimento deste item é encontrado no apêndice F.
6.3 Métodos de De-Embeding para Técnica de Medição Series-Thru
Para este tipo de configuração de dispositivo, os métodos de De-Embedding utilizados até

então não funcionam, uma vez que que a via de referência é compartilhada entre entrada e saída e
o DUT não é conectado diretamente a esta referência. Desta forma outros métodos de De-Embed-
ding como Open De-Embedding (OPD), Open-Short De-Embedding (OSD), e Three Step De-Em-
bedding ou Thru-Short-Open De-Embedding são necessários. Todos estes métodos necessitam de
estruturas específicas de De-Embedding (Open, Short e Thru) construídas seguindo as mesmas
regras geométricos do fixture.
O primeiro método testado, segundo Sabido IX, o Open De-Embedding (OPD) [13] é um
método eficiente para a compensação de admitância paralela existente no fixture. Ele consiste na
subtração da admitância paralela Yp da admitância total conforme equação 1. Seus resultados serão
comparados no final desta seção.
103
(49)
O segundo método testado, o Open-Short De-Embedding (OSD) além de compensar a ad-

mitância paralela também é capaz de eliminar a resistência de contato da probe com os pads, se o
material dos pads do substrato de calibração é diferente dos pads da estrutura de medição [17]. A
compensação é semelhante ao OPD, porém agora inclui a medição dos pads GSG em curto para
compensação, conforme equação 2. Seus resultados serão comparados no final desta seção.
(50)
O terceiro e último método testado, o Thru-Short-Open De-Embedding (TSOD) ou Three

Step De-Embedding (método novo para nanotecnologia conforme proposta de KIM, J.Y; CHOI,
M.K; LEE) que compensa efeitos de admitância paralela, impedância série e acoplamento capaci-
tivo entre entrada e saída do DUT.
Figura 6.12 – Diagrama de fluxo para a realização do Three Step De-Embedding.
Cada etapa requer a medição de uma estrutura de De-Embedding (quadros verdes da figura
6.12) cujos resultados compõe conjuntos de equações que retornam saídas no formato de matrizes
de parâmetros Z ou Y (referência [16]). Para iniciar o Three Step De-Embedding deve ser caracte-
rizado dispositivo (DUT+Fixture) e estruturas de calibração se estiverem disponíveis (quadros ver-
des: se não disponíveis, elas deverão ser simuladas). Partido destes resultados, os três passos devem
104
ser seguidos:
Passo 1: Remover os efeitos do padrão Thru do dispositivo: usando matrizes de transferên-

cia conforme explicado no início deste capítulo, subtrai-se a matriz T do padrão Thru da matriz T
que representa o dispositivo. Isto elimina a impedância série inerente da estrutura do dispositivo.
Ao final a matriz TTD deverá ser convertida para parâmetro de impedância ZTD.
Passo 2: Remover os efeitos do padrão Short do dispositivo: a matriz resultante TS deve ser
obtida a partir do padrão Short e convertida para ZS. Remover ZS da matriz ZTD, resultando na
matriz ZTSD que representa o dispositivo sem os efeitos eliminados no passo 1 e agora sem as
resistências de contato. Ao final a matriz de ZTSD deve ser convertida para parâmetros de admintâ-
ncia YTSD.
Passo 3: Remover os efeitos do padrão Open do dispositivo: a matriz resultante TO deve

ser obtida a partir do padrão Open, convertida para ZO, e ter os parâmetros de ZS removidos resul-
tando na matriz ZOS. Em seguida é preciso fazer a conversão de ZOS para YOS, e desta última estrair
a matriz YC (onde YC = - Y12OS). Por fim, o De-Embedding é concluído ao subtrair YC de YTSD,
cujo resultado dará os parâmetros do DUT livre também da admitância paralela e do acoplamento
capacitivo entre entrada e saída do dispositivo.
6.3.1 RESULTADO EXPERIMENTAL DE-EMBEDING PARA MEDIÇÃO SERIES-THRU
Um experimento foi conduzido usando um nano disco de cobalto que possui características
magnéticas onde sua impedância muda com a presença de campo magnético (DUT). Este nano
disco foi fabricado em um substrato de Si com espessura de 375 µm, sobre um dielétrico de SiO2
com espessura de 100 nm, e entre eletrodos de platina com espessura de 80 nm conforme observado
na figura 6.13 [46].
Figura 6.13 – Fixture com DUT (nano disco Co); (b) Open; (c) Short; (d) Thru [46][47].
105
O VNA foi configurado para medida on-wafer utilizando Probe Station Cascade MicroTech
Summit 12000, calibrado em faixa larga de 500 kHz até 10 GHz conforme o método SOLT utili-
zando substrato de calibração Cascade ISS 101-190 GSG e software WinCalXE.
Como estruturas de adequadas de De-Embeding não foram fabricadas, as simulações no
ADS foram conduzidas em modelos construídos no programa conforme figura 6.14. Os resultados
simulados para as estrutras de De-Embedding são apresentados na figura 6.15.
Figura 6.14 – Estruturas de De-Embedding Thru-Open-Short simuladas ADS, (a) trhu, (b) short, (c) open.
106
Figura 6.15 – Comparação de resultados entre os diferentes tipos de De-Embedding.
A medição da estrutra completa conforme figura 6.13 foi realizada e seu arquivo s2p carre-
gado no software ADS para a tratativa seguinte. Uma medição DC foi realizada e o valor obtido
foi de 62Ω.
Figura 6.16 – Comparação de resultados entre os diferentes tipos de De-Embedding.
Após carregar o arquivo s2p da medição da estrutra da figura 6.13 e realizar os cálculos
para cada método descrito no item 6.5, obtivemos resultados conforme a figura 6.16.
Utilizando a medida DC como referência, os resultados da resistência série de cada De-

Embedding em baixa frequência foram comparados:
107
1) Rs OPD: 55,8 Ω;
2) Rs OSD: 51,0 Ω (Rs OPD - Rs OSD = Rs Short = 4,8 Ω);
3) Rs TSOD: 36,9 Ω (Rs Thru >Step 1 = 18,9 Ω).
A medida DC de 62 Ω, inclui resistências série as quais podem estimadas pelas medidas de

De-Embedding:
Na curva verde da figura 6.16 observamos a medição do DUT completo incluindo os efeitos
do fixture, com característica capacitava. Todos os métodos de De-Embedding resultam em curvas
de resultados com características indutivas, resultado esperado considerado o nano disco com ca-
racterísticas magnéticas (comportamento indutivo), primeiro indício positivos da utilização do De-
Embedding.
Os resultados do método OPD e OSD são bastante semelhantes, comportamento também
esperado uma vez que os pads do substrato de calibração e da amostra medida são de ouro, embora
as características dos diferentes processos de fabricação que resultam em imperfeições como rugo-
sidade e uniformidade, bem como diferentes geometrias e materiais adjacentes, resultam em pe-
quena diferença. Observando o resultado da medição com o Three Step De-Embedding, podemos
destacar um importante resultado relacionado à eliminação da impedância série existente nos lon-
gos eletrodos de platina, muito maiores que o nano disco de cobalto. Outra consideração importante
é a eliminação do acoplamento capacitivo, que pode ser observada através da redução da reatância
indutiva esperada por um dispositivo magnético [47].
108
– Conlusões Finais
Linhas de transmissão como cabos coaxiais e guias de ondas Microstrip, Stripline e Copla-
nar Waveguide podem ser caracterizadas utilizando o Analisador de Redes (VNA). Parâmetros
como impedância, perdas, SWR, fase e atraso de propagação podem ser obtidos diretamente de
medições de parâmetros S de uma linha. Através destes resultados, é possível caracterizar fator de
velocidade de propagação característico de sinais eletromagnéticos na linha de transmissão. Rela-
cionando fase e tempo de propagação de sinais refletidos, é possível determinar o comprimento da
linha de transmissão. Esta caracterização é importante para determinação de comprimento de linha
em estruturas sem acesso para medida dimensional (estruturas encapsuladas), informação necessá-
ria para compensação de fase conforme método de extensão de portas. Outra aplicação da medição
de comprimento utilizando o VNA é a detecção de pontos de ruptura em linhas de transmissão de
sinais RF de longo alcance. Esta aplicação tipicamente utiliza equipamentos TDR, porém os estu-
dos feitos neste trabalho mostram que a aplicação do VNA para este tipo de medição é promissora
e pode compor estudos de trabalhos futuros.
Para a especificação das técnicas adequadas de medição de componentes e dispositivos,

primeiramente é preciso determinar o meio de propagação (para adequação da estrutura utilizada)
e configuração física de fabricação. Se o componente medido for um bipolo ou um quadripolo cuja
estrutra é passível de diferentes modos de conexão com o VNA, deve-se avaliar as características
elétricas do componente (impedância) e frequência de operação/medição para selecionar a melhor
técnica de medição:
1) bipolos/quadripolos indutivos: técnica shunt-thru;
2) bipolos/quadripolos capacitivos: técnica series-thru;
3) bipolos/quadripolos com Z ≈ 50Ω: técnica por reflexão;
Observamos que estas técnicas de medição reduzem significativamente parâmetros parasi-

tários inerente da medida, porém a aplicação da técnica selecionada deve seguir rigorosamente a
especificação de impedância e frequência. Caso a aplicação da técnica seja inadequada, o erro de
109
medição é expressivo (principalmente em medidas com técnica de reflexão). Conforme experimen-

tos realizados, o erro de medição pode chegar até 23% em medidas usando a técnica series-thru
fora da faixa de frequência equivalente à alta impedância do dispositivo, e até 67% em medidas
usando técnica de reflexão fora da frequência equivalente à impedância de 50 Ω.
Para medição de dispositivos in-fixture, a técnica de calibração TLR é a mais adequada

desde que a medição seja realizada em faixa estreita de frequência. Se esta técnica de calibração
puder ser realizada dentro próprio fixture (necessário remover o DUT para deixar as terminações
do fixture abertas), é possível eliminar a necessidade de outros meios de compensação como o De-
Embedding.
Para medição de dispositivos in-fixture em faixa larga de frequência (a partir de 500 kHz,
ou limite inferior do VNA) conforme técnicas de reflexão ou shunt-thru, a calibração SOLT deve
ser realizada e a compensação dos efeitos parasitários do fixture deve ser realizada. Esta compen-
sação deve seguir técnicas tradicionais de De-Embedding, podendo ser otimizada com auxílio de
ferramentas computacionais como ADS (toolbox “De-Embedded2”) ou Matlab.
Para medição de dispositivos in-fixture em faixa larga de frequência (a partir de 500 kHz,
ou limite inferior do VNA) conforme técnicas series-thru, a calibração SOLT deve ser realizada e
o De-Embedding deverá seguir técnicas que utilizam estruturas de De-Embedding para eliminação
de efeitos parasitários. Estas técnicas são OPD, OSD ou Three-Step De-Embedding.
Dispositivos in-fixture de baixa impedância medidos conforme técnica Series-Thru podem

sofrer influência importante de impedância parasita série oriunda dos eletrodos e interfaces de con-
tatos, sendo fundamental a compensação conforme método Three Step De-Embedding. O Three
Step De-Embedding resulta em resultados mais exatos para este tipo de dispositivo, conforme ex-
perimento com nano disco Co, onde obtivemos 36,9 Ω do TSOD (mais próximo da referência DC
38,4 Ω), contra valores superiores a 50 Ω de OPD e OSD. Em 3 GHz, enquanto OPD e OSD
aprestavam L = 3 nH, TSOD = 0,7 nH devido a compensação de admitância série, reafirmando a
importância do TSOD para este tipo de estrutura. Estes resultados devem ser publicados para a
comunidade acadêmica e científica para futuras consultas sobre técnicas de medidas em dispositi-
vos com nano discos de Co, uma vez que tais estruturas são novidades nas linhas de pesquisa da
atualidade.
110
A caracterização de parâmetros S na faixa de GHz em transistores MOSFET encapsulados

deverá eliminar parasitas indutivos gerados pelos wire-bonds que resultam em alta impedância sé-
rie afetando significativamente a medição. A técnica Three Step De-Embedding é a mais recomen-
dada por eliminar satisfatoriamente parasitas série que interferem nos resultados, porém será ne-
cessário simulação ou medição de estruturas De-Embedding contendo todos os elementos do fix-
ture como encapsulamento, contatos e wire-bonds). Para a caracterização on-wafer, os pads preci-
sarão seguir o padrão das probes de medição, como GSG com pitch de 150µm (padrão típico). A
compensação de vias e pads poderá seguir a mesma técnica Three Step De-Embedding, porém a
técnica Open De-Embedding poderá prover resultados muito similares uma vez que a capacitância
paralela eliminada em ambos os métodos é o parasita típico entre vias de terra e circuito de estru-
turas planares.
111
– Trabalhos Publicados
Durante esta pesquisa, os seguintes trabalhos foram publicados:
1. Apresentação em Congresso: Artigo “De-embedding Methods for Magnetic Nanoparti-

cles”, congresso Iberchip. Apresentado e aprovado em fevereiro de 2017, Bariloche-Argen-
tina;
Este artigo, escrito com a colaboração do Instituto de Física da Unicamp (IFGW), aborda
diferente métodos de De-Embedding para medidas de impedância de estruturas fabricadas
com nano disco de Co. O objetivo do trabalho é avaliar a melhor técnica para a medida
destas estruturas de comportamento pouco conhecido na atualidade.
2. Publicação (em Submissão): Artigo “De-embedding Techniques for Magnetic Structures”,
I2MTC 2018 IEEE International Instrumentation and Measurement Technology Confe-
rence – Houston, EUA;
Este artigo, também escrito com a colaboração do Instituto de Física da Unicamp (IFGW),
aborda diferente métodos de compensação para medidas de impedância de estruturas mag-
nética fabricadas com nano disco de Co. Além de avaliar a técnica mais adequada de com-
pensação, o objetivo do trabalho consiste em apresentar resultados de impedância de entru-
turas caracterizadas.
3. Publicação: Livro "Medição e Análise de Dispositivos e Sinais RF", editora OmniScriptum
GmbH & CO. KG, publicado em janeiro de 2017;
Livro escrito em parceria com Centros de Tecnologia CTI Renato Archer, IBEC e CertLAB,
aborda princípios de medição de produtos para aplicação em RF com foco na utilização dos
equipamentos Analisador de Redes e Analisador de Espectros. O objetivo deste livro é for-
necer subsídios fundamentais para novos profissionais na área de testes de equipamentos
de telecomunicações e caracterização de dispositivos.
112
– Referências Bibliográficas
[1] Farlex. HP Acquires Optimization Systems Associates, Expands CAE Software Portfolio,
1997, disponível em<https://www.thefreelibrary.com/HP+Acquires+Optimization+Systems+As-
sociates,+Expands+CAE+Software...-a020013729/>
[2] Mariano, W. Eletromagnetismo: fundamentos e aplicações. São Paulo: Érica, 2003. 246 p.
ISBN 85-7194-942-5.
[3] Stepins, D; Asmanis, G; Asmanis, A. Measuring Capacitor Parameters Using Vector Net-
work Analyzers. Electronics ETF Scilit VOL 18. Basel, Switzerland. 2014, pp. 29 – 38.
[5] Hewlett Packard. Modern Measurement Techniques for Testing Advanced: Militar Com-
munications and Radars. 2.ed. Palo Alto. 2006, disponível em<http://anlage.umd.edu/Agilent_Ad-
vanced_VNA_calibration.pdf>
[6] Keysight Technologies. The Evolution of RF/Microwave Network Analyzer. 1. ed. United
States. 2014.
[7] Hewlett Packard. Sweep Impedance with the 8407A Network Analyzer. Application Note
121-2. 1.ed. Palo Alto. 1970.
[8] Hewlett Packard. Transistor Parameter Measurements. Application Note 77-1. 1.ed. Palo
Alto. 1967.
[9] Keysight Technologies. How to Simplify Component Characterization? 1997, disponível
em <http://hpmemoryproject.org/wb_pages/wall_b_page_05.htm>
[10] Pozar, D. Microwave engineering. 4. ed. United States of America: J. Wiley, 2012.
[11] Gonzalez, G. Microwave transistor amplifiers: analysis and design. 2. ed. New Jersey: Pren-
tice-Hall, 1997.
[12] H. Cho, and D. E. Burk, “A Three Step Method for the De-Embedding of High Frequency
S-Parameter Measurements,” IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 38, No. 6, pp. 1371-
1375, June 1991.
[13] T. E. Kolding, "Four-Step Method for De-Embedding Gigahertz On- Wafer CMOS Meas-
urements ," IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 47, No. 4, pp. 734-740, April 2000.
[14] E. P. Vandamme, D. M. M. –P. Schreurs, and C. V. Dinther, “Improved Three Step De-
Embedding Method to Accurately Account for the Influence of Pad Parasitics in Silicon On-Wafer
113
RF Test Structures,” IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 48, No. 4, pp. 737-742, April
2001.
[15] Rosales, M.D; Tan H.L; Alarcon, L.P; Sabido IX, D.J. De-embedding Techniques For Pas-
sive Components Implemented on a 0.25 μm Digital CMOS Process. PIERS ONLINE, VOL. 3.
Philippines. 2007, pp. 184 – 188.
[16] Kim, J.Y; Choi, M.K; Lee, S. A “Thru-Short-Open” De-embedding Method for Accurate
On-Wafer RF Measurements of Nano-Scale MOSFETs. Journal of Semiconductor Technology and
Science, VOL. 12. Korea. 2012.
[17] Keysight Technologies. De-embedding Series-Connected / Transmission-Configured De-
vices. Austin. 2003.
[18] Hufford, Austen. Keysight to Buy Ixia for About $1.6 Billion, New York City: Wall Street
Journal, retrieved January 31, 2017
[19] Keysight Technologies. De-embedding and Embedding S-Parameter Networks Using a
Vector Network Analyzer. Application Note 1364-1 4. ed. United States. 2004.
[20] Keysight Technologies. Impedance Measurement Handbook. 4. ed. United States. 2009.
[21] Puydinger dos Santos, M; Velo, M. F; Domingos, R. D; Zhang, Y; Maeder, X; Guerra-
Nuñez, C; Best, J. P; Béron, F; Pirota, K, R; Moshkalev, S; Diniz, J. A; Utke, I. Annealing-Based
Electrical Tuning of Cobalt–Carbon Deposits Grown by Focused-Electron-Beam-Induced Deposi-
tion. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2016, 8 (47), pp 32496–32503.
[22] Zhang, K; Li, D. Eletromagnetic Theory for Microwaves and Optoeletronics. 2. ed. Pequim:
Springer, 2008.
[23] Fleisch, D. A; Kraus, J.D. Electromagnetics: with Applications. 5nd. ed. United States of
America: McGraw-Hill, 1999.
[25] Collin, R.E. Foundations for microwave engineering. Recognition and revisions: IEEE
Press Series on Electromagnetic Wave Theory. 2. ed. New Jersey: J. Wiley, 2001. cap. 2-4.
[26] Bansal, R. Handbook of Engineering Electromagnetics. New York: Marcel Dekker, 2004.
[27] Siegel, D. M. Innovation in Maxwell’s Electromagnetic Theory – Molecular Vortices, Dis-
placement Current, and Light. 1. ed. New York City: Cambridge University Press, 2002.
[28] Popovic, Z; Popovic, B. D. Introductory Electromagnetics. New Jersey: Prentice Hall,
2000.
114
[29] Johnson, H; Graham, M. High Speed Signal Propagation: Advanced Black Magic. New
Jersey: Prentice Hall, 2003.
[30] Keysight Technologies. Electronic Calibration (ECal) Modules for Vector Network
Analyzers. United States. 2017.
[31] Keysight Technologies. E5071C ENA Option TDR Enhanced Time Domain Analysis.
United States. 2015.
[32] Cascade Microtech. Impedance Standard Substrate Map. 2017, disponível em
<https://www.cascademicrotech.com/files/iss_map_101-190.pdf>.
[33] Cascade Microtech. WinCalXE – High-Performance RF Calibration Software. 2017, dis-
ponível em < https://www.mbelectronique.fr/Web_PDF/1260_2016111015052274_Win-
CalXe_Specifications.pdf >.
[34] Shoory, A; Rachidi, F; Rubinstein, M. Relativistic Doppler effect in an extending transmis-
sion line: Application to lightning, 2012, Vol. 117, Issue D13, disponível em < http://onlineli-
brary.wiley.com/doi/10.1029/2010JD015279/full>
[35] Keysight Technologies. Understanding the Fundamental Principles of Vector Network
Analysis. United States. 2017.
[36] Keysight Technologies. Exploring the Architectures of Network Analyzers. United States.
2014.
[37] Keysight Technologies. The Fundamentals of Signal Analysis. United States. 2014.
[38] Norma no DOQ-CGCRE-008: Orientações sobre Validação de Métodos Analíticos.
Inmetro. Rio de Janeiro, p.11, 2010.
[39] Keysight Technologies. Time Domain Reflectometry Theory. Application Note. United
States. 2015.
[40] Keysight Technologies. Time Domain Analysis Using a Network Analyzer. Application
Note. 2. ed. United States. 2014.
[41] Keysight Technologies. High Precision Time Domain Reflectometry. Application Note
1304-7. 1. ed. United States. 2003.
[42] VanAckern, G. Design Guide for CMOS Process On-Chip 3D Inductor Using Thru-Wafer
Vias. Boise State University. 2011.
[43] Keysight Technologies. Signal Integrity Analysis Series Part 3: The ABCs of De-Embed-
ding. Application Note. United States. 2007.
115
[44] Zeri, L. M. Apostila de Matlab. 1 ed. São José dos Campos: INPE. 2001.
[45] Keysight Technologies. Advanced Design System: Circuit Design Cookbook. Application
Note. 2. ed. United States. 2012.
[46] Puydinger dos Santos, M.V; Velo, M.F; Domingos, R.D; Zhang, Y; Maeder, X; Guerra-
Nuñez, C; Best, J. P; Béron, F; Pirota, K.R; Moshkalev, S; Diniz, J.A; Utke, I. Annealing-Based
Electrical Tuning of Cobalt–Carbon Deposits Grown by Focused-Electron-Beam-Induced Deposi-
tion. ACS Applied Materials & Interfaces 2016 8 (47), 32496-32503 DOI:
10.1021/acsami.6b12192.
[47] Medeiros, R.C; Puydinger dos Santos, M.V; Velo, M.F; Manera, L.T. Evaluation of De-
Embedding Methods for Impedance Characterization of Magnetic Nanoparticles. Iberchip, Barilo-
che. 2017.
[48] Hewlett Packard. Operating the 4195A - Operating Manual. Publication Number 5950-
2942. United States. 1990.
[49] Keysight Technologies. E5071C ENA Vector Network Analyzer. United States. 2017.
[50] Medeiros, R.C; Cavalheiro, J; Cané, F. Medição e Análise de Dispositivos e Sinais RF:
Aplicação de Analisadores de Espectro e de Rede no Ensino e Análise de Sinais em Alta Frequên-
cia. Novas Edições Acadêmicas, Campinas. 2016.
116
APÊNDICE A – Instrução de Operação do Analisador de Redes HP 4195A.
Esta instrução tem como objetivo fornecer um guia para manuseio e boas práticas de utili-
zação do equipamento analisador de Redes (VNA) HP 4195A localizado no Laboratório de
Soluções em Eletrônica e RF (LSERF) da FEEC/Unicamp.
1. CONEXÕES FÍSICAS
Para medições de parâmetros S, deve-se acoplar em cada canal (figura A1) um “HP 41952A
transmition/reflection test set” (figura A2), acessório necessário para transformar as entradas e
saídas dos canais da unidade de medição do Analisador de Redes em portas utilizadas para
medir os parâmetros S.
Figura A2. HP 41952A transmition/reflection

test set
Figura A1. Diagrama de montagem para

medição de parâmetros S. Figura A3. Analisador de Redes HP 4195A pre-
parado para medições de parâmetros S.
Após o acoplamento das portas e dos adaptadores necessários, o DUT deve ser acoplado entre
as portas para a medição dos parâmetros S, conforme a figura A1. Caso seja necessário, deve-
se utilizar cabos de extensão para conexão entre as portas do Analisador de Redes e o DUT.
117
OBS: Para a exatidão das medições, antes de acoplar o DUT (utilizando ou não cabos de ex-
tensão) deve-se calibrar o Analisador de Redes. A calibração compensa todas as extensões in-
seridas pelos cabos e pelos conectores/adaptadores utilizados.
2. OPERAÇÃO
2.1. PAINEL FRONTAL DO VNA HP 4195A – Comandos e configurações fundamentais.
Figura A4. Painel frontal do equipamento HP 4195A
Comando (tecla) Funções do Modo Analisador de Redes – 4195A

[*1] OFF/ON Liga / Desliga equipamento.
[*2] Preset Restaura as configurações originais do equipamento.
[*3] Config Configurar o tipo modo de operação do 4195A.
[*4] Cal Acessar o menu de calibração do equipamento.
[*5] Format Configurar o formato da medição.
[*6] Display Configurar o modo de exibição da medição.
[*7] Scale Ref Configurar a escala de medição.
[*8] Menu Acessar menu de configuração do sinal de varredura
[*9] Center Configurar a frequência central da varredura.
[*10] Span Configurar a largura da faixa de frequência da varredura.
[*11] Start Configurar a frequência inicial da varredura.
[*12] Stop Configurar a frequência final da varredura.
[*13] MKR Configurar o Marker.
118
[*14] ‘Cursor Girató- Cursor tradicional, utilizado principalmente para navegação da função
rio’ Marker.
Teclado para inserção de valores para configuração de faixa, varredura,
entre outros. Neste teclado existem botões dedicados para rápida confi-
[*15] ‘Teclado nu-
guração das
mérico’
grandezas mais comuns das faixas de frequência e dos níveis de potên-
cia.
[*16] Enter/Execute Confirmar valores inseridos para configuração de medição.
[*17] Teclas de sele- Teclas posicionadas para seleção dos itens dos menus exibidos no dis-
ção play do HP 4195A.
2.2. MEDIÇÃO DE PARÂMETROS DE REFLEXÃO
2.2.1. Configuração da varredura
A varredura deve ser configurada antes da calibração do equipamento. Os itens alfabéticos a seguir
descrevem métodos que devem ser feitos após o equipamento estar ligado, com as conexões físicas
das portas interligadas (cabos de extensão/adaptadores) e habilitado no modo ‘Parâmetros S (tecla
“config”[*3], selecionar opção “S Parameters”[*17]):
a) Apertando a tecla “menu” [*8], selecione “RESOLUTN” [*17] e em seguida “No. of

POINTS” [*17] e configure quantidade de pontos do sinal de varredura (para inserir valores
numéricos utilize o teclado *15 e confirme pressionando “ENTER” [*16]).
b) Configure a faixa do sinal de varredura utilizando as teclas “center/span” [*9 e *10] ou

utilizando as teclas “start/stop” [*11 e *12].
OBS: Caso as configurações do sinal de varredura precisem ser alteradas durante a medição, as
alterações devem estar dentro da faixa e dos níveis calibrados.
2.2.2. Configuração da medição (parâmetros S)

Os itens a seguir descrevem métodos que devem ser feitos após o item 3.2.1 e com o DUT aco-
plado.
119
a) Pressione “Config” [*3], será exibido na tela os parâmetros S possíveis de medição.

b) Selecione o parâmetro desejado através das ‘teclas de seleção’ [*17].
2.2.3. Configuração do modo do modo de exibição da medida.
a) Pressione “Display” [*6] e selecione [*17] o modo de exibição gráfico desejado:
-“rectan X-A&B”: eixo X (frequência) comportará as curvas A e B habilitadas e eixo Y

conforme formato [*5] selecionado;
-“rectan A-B”: eixo X (frequência) comportará as curvas A e B habilitadas;
-“TABLE”: tabela de valores conforme formato [*5] selecionado;
-“SMITH”: Carta de Smith;
-“POLAR”: Carta Polar;
Habilite as curvas que irão compor o gráfico (para alguns formatos somente uma ou am-
bas curvas A e B são obrigatórias: “TRACE A: on off” [*17]; TRACE B: on off” [*17].
b) Pressione Format (*5) e selecione [*17] o formato de medição desejado:
S12 ou S21
-“T/R-θ (dB)”: Curva A: magnitude da atenuação do sinal transmitido (dB) / Curva B: fase
de onda (°);
-“T/R-θ ”: Curva A: módulo do coeficiente de transmissão / Curva B: fase de onda (°);
-“T/R Re-Im”: Curva A: parte real do coeficiente de transmissão / Curva B: parte imaginá-
ria do coeficiente de transmissão;
-“ T/R-t”: Curva A: magnitude da atenuação do sinal transmitido (dB) / Curva B: tempo de
atraso (s);
S11 ou S22
120
-“RL- θ ”: Curva A: magnitude da atenuação do sinal refletido (dB) / Curva B: fase de onda
(°);
-“|d|- θ ”: Curva A: módulo do coeficiente de reflexão / Curva B: fase de onda (°);
-“ dx- dy”: Curva A: parte real do coeficiente de reflexão / Curva B: parte imaginária do co-
eficiente de reflexão;
-“ SWR- θ ”: Curva A: SWR / Curva B: fase de onda (°);
c) Pressione Scale Ref (*7) para ajustar (*17) a escala de exibição: selecione a curva de refe-
rência do ajuste em "SCALE for A/for B" [*17] e depois "AUTO SCALE" [*17].
2.2.4. Análise da medição – Marker.
a) Pressione MKR (*13) para habilitar o cursor na curva exibida;

b) Gire sentido horário ou anti-horário o botão giratório (*14) para navegar o cursor ao
longo da curva. Analise os valores exibidos para cada frequência de interesse. Utilizando
as 'teclas de seleção' [*17], pode-se posicionar o cursor nos pontos máximos, mínimo e
central da curva, além de poder definir um segundo marcador de referência.
2.2.5. Restaurar configurações iniciais – PRESET.

Para restaurar as configurações iniciais, incluindo a calibração de fábrica (sem considerar
quaisquer extensões de porta), pressione a tecla PRESET (*2).
Referência: Manual do HP 4195A [48].

121
APÊNDICE B – Procedimento de Medição de Reflexão de Cargas
A reflexão de sinais ocorre quando há descasamento de impedâncias. Se uma carga é descasada

com a linha que a alimenta, o sinal incidente irá percorrer toda a linha e na fronteira com a carga
parte do sinal será refletido de volta ao gerador devido ao encontro de duas impedâncias distintas.
A parte não refletida é transmitida, porém com menor potência em relação ao sinal incidente. Neste
procedimento iremos medir a impedância e o coeficiente de reflexão de cargas casadas e descasadas
com uma dada linha.
1. PREPARAÇÃO DA MEDIÇÃO
1.1. CONEXÕES FÍSICAS: As portas do analisador devem estar acopladas adequadamente.
1.2. CALIBRAÇÃO E CONFIGURAÇÃO DA VARREDURA: O equipamento deverá estar cali-

brado dentro das configurações da varredura proposta: faixa de medição de 100 KHz até 500 MHz;
potência do sinal da varredura 0 dBm, 401 pontos.
2. MEDIÇÃO E ANÁLISE
Conecte o DUT (Device Under Test) nas portas do Analisador de Redes. Como proposta, utilize
como DUT uma carga de 50 Ω.
2.1. Utilizando o formato de exibição "real / imaginário", realize a medição S11 e anote o módulo
do resultado do coeficiente de reflexão para a freqüência de 300 MHz.
|d| (50 Ω): ________.
2.2. Utilizando o formato de exibição "Carta de Smith", realize a medição S11 e anote a impedância
observada para a freqüência de 300 MHz.
e (50 Ω): ___________________.

122
2.3. Repita os itens 2.1 e 2.2 utilizando como DUT uma carga de 75 Ω.
|d|(75 Ω): ________.

e (75 Ω): ___________________.
2.4. Comente as impedâncias medidas relacionando-as com os coeficientes de reflexão encontra-

dos.
Referência: Manual do HP 4195A [48][49].

123
APÊNDICE C – Procedimento de Medição de Parâmetros S
A medição dos parâmetros S resulta nos coeficientes de reflexão e transmissão. Com a ajuda
do analisador de redes, conseguimos medir parâmetros S e já obter informações de impedância
para a faixa de frequência de interesse. Neste procedimento iremos medir os parâmetros S, obter
informações de impedância utilizando a Carta de Smith, calcular os coeficientes de reflexão e trans-
missão e confrontar os resultados calculados com os m resultados dos parâmetros S medidos.
1.1. CONEXÕES FÍSICAS: As portas do analisador devem estar acopladas adequadamente e os

cabos de extensão necessários conectados nas portas.
1.2. CALIBRAÇÃO E CONFIGURAÇÃO DA VARREDURA: O equipamento deverá estar ca-

librado dentro das configurações da varredura proposta: faixa de medição de 100 KHz até 500
MHz; potência do sinal da varredura 0 dBm, 401 pontos.
como DUT o cabo coaxial fornecido pelo professor.
2.1. Utilizando o formato de exibição "Carta de Smith", realize medições S11 e S21 e anote os
resultados da impedância medida para a frequência de 300 MHz.
a) Z (S11): _________________________.
b) Z (S21): _________________________.
2.2. Calcule os coeficientes de reflexão e transmissão com base nos resultados medidos. Utilize as
seguintes equações:
124
M
& gh − g& gh − g& 2. gh
Γ N T 1+Γ 1+
& gh + g& gh + g& gh + g&
Equação 1. Coeficiente de reflexão. Equação 2. Coeficiente de transmissão.
a) Resultado calculado - coeficiente de reflexão: ___________________.

b) Resultado calculado - coeficiente de transmissão: ___________________.
2.3. Utilizando o formato de exibição real / imaginário, realize medições dos parâmetros S11 e S21
e anote os valores complexos dos parâmetros medidos.
a) Resultado medido - parâmetro S11: ___________________.

b) Resultado medido - parâmetro S21: ___________________.
3. Os resultados dos coeficientes de reflexão e transmissão calculados no item 2.2 são coerentes
com os resultados medidos no item 2.3? Caso algum resultado não tenha sido coerente, explique o
motivo da incoerência e apresentando novos resultados com base em suas análises.

125
APÊNDICE D – Procedimento de Medição de Perdas em Linhas de Transmissão
Parâmetros S são utilizados para o cálculo de perdas de inserção e reflexão. Porém o Analisador
de Redes já fornece a conversão dos resultados de Parâmetros S medidos para valores de perdas.
Em linhas de transmissão, perdas por inserção e reflexão são parâmetros importantes que definem
a qualidade do transporte de sinais. Neste procedimento será exercitado a execução de medidas de
perdas, e seus resultados comparados com os valores teóricos calculados. Recomenda-se a utiliza-
ção de cabos coaxiais para o experimento.
1.1. CONEXÕES FÍSICAS: As portas do analisador devem estar acopladas adequadamente.
1.2. CALIBRAÇÃO E CONFIGURAÇÃO DA VARREDURA: O equipamento deverá estar cali-

brado dentro das configurações da varredura proposta: faixa de medição de 100 KHz até 500 MHz;
potência do sinal da varredura 0 dBm, 401 pontos.
como DUT o cabo fornecido pelo professor.
2.1. Utilizando o formato de exibição "Magnitude de atenuação x frequência", realize medições

S11 e S21 e anote os resultados da atenuação (em dB) medida para a frequência de 300 MHz.
a) Resultado medido - atenuação S11: ___________________.

b) Resultado medido - atenuação S21: ___________________.
2.2. Utilizando o formato de exibição "real / imaginário" ou “módulo do coeficiente reflexão/trans-

missão” realize medições dos parâmetros S11 e S21 para a mesma frequencia (300 MHz) e anote
os módulos dos valores complexos dos parâmetros medidos.
126
a) |d|: ________.
b) |k|: ________.
2.3. Calcule os Return Loss e Insertion Loss com base nos coeficientes de reflexão e transmissão
medidos no item 2.2. Utilize as seguintes equações:
lm −DE. nop|d| [FG] sm −DE. nop|k| [FG]
Equação 1. Return Loss. Equação 2. Insertion Loss.
c) Resultado calculado – Return Loss: ___________________.

d) Resultado calculado – Insertion Loss: ___________________.
2.4. Os resultados de Insertion Loss e Return Loss calculados no item 2.3 são coerentes com os
resultados medidos no item 2.1? Qual é a faixa de frequência satisfatória para a utilização deste
cabo com base na seguinte especificação:
(Valores dados pelo professor) PERDAS

S11: _________dB.
S21: _________dB.

127
APÊNDICE E – Método de De-Embeding usando o matlab
Os cálculos matriciais do De-Embedding podem ser realizados utilizando a ferramenta com-

putacional Matlab. Para este método é possível compensar estruturas do tipo quadripolo, porém só
é possível partindo da disponibilidade de arquivo s2p (medido ou simulado) da estrutura quadripolo
a ser compensada. Para realizar esse procedimento, basta seguir as etapas:
1- Crie uma matriz de parâmetros T de cada lado do fixture (através de simulação ou medição);
2- Usando um VNA calibrado, meça o dispositivo completo, incluindo fixture e DUT;
3- No MATLAB:
3.1- Encontre as matrizes inversas do item 1 (matrizes T simuladas ou medidas do fixture):
>>Y = inv(X)
3.2- Converta a medição do item 2 (dispositivo completo) para parâmetros T:
EXEMPLO (http://www.mathworks.com/help/rf/ug/s2t.html) :
>> %Define a matrix of S-parameters (MAG_PARAM_S*exp(j*ANG_PARAM_S/180*pi)
s11 = 0.61*exp(j*165/180*pi);
s21 = 3.72*exp(j*59/180*pi);
s12 = 0.05*exp(j*42/180*pi);
s22 = 0.45*exp(j*(-48/180)*pi);
s_params = [s11 s12; s21 s22];
%Convert to T-parameters
t_params = s2t(s_params)
3.3- Aplique a equação matricial do De-Embedding [Tdut]=[TA]-1*[TM]*[TB]-1:

>>TDUT=inv(t_paramsA)*(t_paramsM)*inv(t_paramsB)
3.4- Converta os parâmetros T do DUT para parâmetros S. Os efeitos do fixture estarão removidos.
128
APÊNDICE F – Método De-Embedding usando o Software Advanced Design System

(ADS)
O software Advanced Design System (ADS) da empresa Keysight Technologies é uma ferramenta
muito poderosa para a realização do De-Embedding. Além da comunicação e controle dos equipa-
mentos Keysight, que não serão tratadas neste trabalho, com o ADS é possível modelar integral-
mente as estruturas envolvidas na medição e realizar a simulação completa do processo De-Em-
bedding, separar os resultados fixture e DUT, e até extrair os resultados simulados no formato de
leitura dos VNAs (.s2p) para a execução do De-Embeding no momento da medição. Conforme
citado nesta seção, para cada tipo de configuração DUT x fixture é necessário avaliar e customizar
o De-Embedding, mas para exemplificação do método e das ferramentas do ADS, detalharemos
um De-Embedding clássico de um quadripolo com entrada e saída separadas fisicamente.
Para iniciar a construção dos blocos para o De-Embedding, na tela inicial do ADS deve-se acessar
o ambiente de criação de esquemáticos (figura F1):
Figura F1. Botão para criação de esquemático no ADS.
Para todas as simulações utilizaremos o mesmo padrão de varredura, com 1601 pontos (step de
12,5 MHz) para a faixa de 300 kHz à 20 GHz, dentro da janela de criação de esquemáticos do ADS.
Alguns componentes importantes tratados neste capítulo são destacados na figura F2:
Figura F2. Destaque de components importantes para o De-Embedding usando o ADS.

129
Para a realização do De-Embedding através do ADS, precisaremos modelar a estrutura sob medição
utilizando componentes da biblioteca do ADS. Os componentes R, L e C são encontrados na cate-
goria “Lumped-Components” e são usados para modelar o componente conforme as características
elétricas da estrutura. O componente TLINP4 é uma linha de transmissão física e é encontrada na
categoria “TLines-Ideal” e serve para modelar fisicamente as conexões da estrutura. O componente
de simulação SP define como será a varredura da simulação, e o componente TERM define uma
porta de medição de um Analisador de Redes, ambos são encontrados na categoria “Simulation-S
Param”. O componente De_Embeded2 é encontrado na categoria “Data Items” e é nas configura-
ções deste componente que carrega-se o arquivo touchstone s2p com os parâmetros S (medidos por
exemplo) dos fixtures que devem ser compensados.
Para a modelagem, precisaremos separar a estrutura em 3 partes, sendo uma delas o DUT e as
outras, cada extremo do fixture (lado esquerdo e direito) conforme a figura F3.
Figura F3. Modelagem do Fiture e DUT no esquemático do ADS.
Observe nos itens a seguir que cada parte foi construída na mesma janela de esquemático do ADS,
por isso cada estrutura foi colocada entre portas distintas (DUT entre portas 1 e 2, fixture esquerdo
entre portas 3 e 4, e o fixture direito entre as portas 5 e 6). Cada uma das partes foi colocada entre
130
2 portas para possibilitar a simulação de cada estrutura. Antes de unirmos os 3 circuitos para a
simulação da estrutura completa sob medição, vamos extrair os parâmetros S no formato de arquivo
“touchstone s2p” dos fixtures esquerdo e direito, lembrando que este é o formato de arquivo que
traz todos os parâmetros S da simulação e além de ser o arquivo utilizado para a compensação nas
estruturas De-Embed do ADS como veremos a seguir, é o arquivo cujos Analisadores de Redes
modernos interpretam para a realização do De-Embedding durante as medições.
Passo 1. Modelagem do DUT (conector).
O quadripolo em medição é dividido por 3 estruturas, sendo 2 fixtures (esquerdo e direito) e o DUT
no centro. No ADS deve-se modelar cada uma das 3 estruturas separadamente; DUT e fixtures
(figuras F4, F5 e F6):
3
2
Figura F4. Modelagem do DUT. (1) Diagrama, (2) circtuito, (3) resultado da simulação.
Passo 2. Modelagem do fixture esquerdo.
3
2
Figura F5. Modelagem do fixture esquerdo. (1)Diagrama, (2)circuito, (3)resultado da simulação.

131
Passo 3. Modelagem do fixture direito.
Figura F6. Modelagem do fixture direito. (1)Diagrama, (2)circuito, (3)resultado da simulação
Passo 4. Geração dos arquivos touchstone s2p para cada lado do fixture.
Neste momento precisaremos separar cada parte modelada em janelas separadas do ADS. Isto é
necessário pois durante a criação do arquivo touchstone, todas as portas existentes em um ambiente
simulado do ADS serão consideradas e teremos um arquivo sXp, onde X é a quantidade de portas
simuladas. No momento de simular o De-Embedding, se os arquivos sXp carregados não forem
condizentes com a quantidade de portas da estrutura, a simulação falhará e uma mensagem de erro
será retornada. Logo deveremos criar novos arquivos “schematic" para cada uma das estruturas a
serem compensadas, no caso de nosso exemplo uma para o “fixture esquerdo” e outro para o “fix-
ture direito”. Como a modelagem já foi criado no primeiro arquivo “schematic”, basta copiá-lo no
arquivo em branco e apenas alterar os nomes e numerais das portas para 1 e 2. OBS: cada arquivo
“schematic” dos fixtures esquerdo e direito deverão possuir somente 2 portas (1 e 2) e o arquivo de
varredura SP deverá possuir os mesmos parâmetros de freqüência e quantidade de pontos da simu-
lação final.
Figura F7. Destaque dos botões para simulação e importação/exportação de dados.

Após simular separadamente cada fixture através do botão de simulação destacado na figura F7,
aperte o botão indicado pela seta 2 e configure a janela dftool/mainWindow para o modo de escrita
em “Write data file from dataset”, selecione o local e nomeie o arquivo no campo “Output file
132
name” e selecione o arquivo schematic no campo “Dataset to Read” cuja modelagem já está indi-
vidualizado e simulado. Para finalizar aperte “Write to File”.
Voltando agora para a primeira janela do arquivo schematic criada com todas as estruturas, vamos
unir cada parte para as simulações finais. Lembrando que podemos criar também um arquivo sche-
matic separado para a todas as estruturas unificadas.
Passo 5. Unificação de fixture e DUT: estrutura completa

Conforme a figura F8 observamos todas as 3 partes da estrutura unificadas em uma. A simulação
desta estrutura retornará dados de toda a estrutura, logo simulando uma medição sem a compensa-
ção dos fixtures esquerdo e direito.
Figura F8. Modelagem completa DUT+fixture (circuito).
Observe maior reflexão e maiores perdas por inserção. Comparando com as simulações do DUT,
toda a influencia dos fixtures esquerdo e direito estão presentes e degradando os valores de medi-
ção/simulação. Vamos agora compensar estes efeitos através de simulação com o ADS e comparar
o resultado final da simulação com o De-Embedding com a simulação do DUT já realizada.
Passo 6. De-Embedding
Para compensar as estruturas de interesse, é preciso inserir um componente do ADS encontrado na
categoria “Data Items” chamado “De-Embed” (figura F9), em nosso caso utilizaremos o “De-Em-
beded2” que é o componente para De-Embedding Universal de sistemas com 2 portas. Este com-
ponente deve ser colocado imediatamente após cada porta logo na entrada do sistema.
Figura F9. Detalhe da posição das estruturas de De-Embed.

133
Em seguida deve-se configurar cada um dos componentes (figura F10). Com um duplo clique sobre
um deles, uma janela de configurações se abrirá. Nela deve ser carregado o arquivo touchstone s2p
gerado para o fixture do lado correspondente ao componente De-Embed2 em configuração. O
Mesmo deverá ser feito para o outro lado. No momento seguinte, deve referenciar a direção da
estrutura a ser compensada na aba “Pin/Port Mapping”, onde se for adotado a referecia do lado
esquerdo, o campo “Pin-to-port mapping” do componente De-Embed2 esquerdo deverá ser confi-
gurado como “Standard” em “Type”, cujo F pin 1 é equivalente à porta 1 e F pin 2 à porta 2. Para
o componente De-Embed2 do lado oposto, a configuração é a mesma caso a orientação das portas
da estrutura direita seja a mesma. Caso as portas tenham sido invertidas na estrutura direita, a re-
ferência deverá ser invertida através da configuração “Custom” em “Type” e as portas invertidas
em “F pin”.
Figura F10. Carregando arquivos touchstone com resultados da simulação do fixture.
Após a configuração dos componentes De-Embed2, a simulação retornará os resultados dos

fixtures de-embeded, ou seja, somente o valor do DUT. As figuras F11 e F12 mostram os resultados
antes e após a realização deste De-Embedding.
134
Figura F11. Resultado da simulação antes da compensação dos fixtures.
Figura F12. Resultado da simulação após à compensação dos fixtures.

135
APÊNDICE G – Procedimento de Medição de Comprimento de Linha
Utilizando a relação entre fase e comprimento de onda, conforme KRAUS, iremos encon-
trar o comprimento de linhas de transmissão utilizando medições de reflexão com o VNA.
øuvv
, . x. y< (1)
\%&°
Este procedimento utilizará como objeto de medição de comprimento um cabo coaxial

RG58 (conhecido, 6,3 metros), mas pode ser aplicado em qualquer tipo de linha de transmissão
com fator de velocidade conhecido. O experimento realizado para a elaboração deste procedimento
utiliza um VNA Agilent E5071 ENA series, 500kHz – 30 GHz e resolução até 1601 pontos.
1. CONEXÕES FÍSICAS
Para prover maior potência e consequentemente menos perdas no sinal refletido, somente
um lado da linha de transmissão deve ser conectado em uma porta do VNA. Em medida de com-
primento de vias internas protegidas por blindagem ou encapsulamento, é comum que somente um
dos lados permita conexão física com o VNA, porém será importante ter a certeza de que o outro
lado esteja em terminação aberta (ou em alta impedância).
2. RESOLUÇÃO DA MEDIÇÃO
2.1. A IMPORÂNCIA DA CONFIGURAÇÃO DO NÚMERO DE PONTOS
A medida indireta de comprimento de linha de transmissão é baseada na medição direta de

fase de onda, portanto a resolução do VNA é fundamental para a exatidão da medição de compri-
mento. O ajuste da resolução do VNA é feito através da configuração da quantidade de pontos
(quanto maior a quantidade de pontos que compões a medida, maior sua resolução).
136
Figura G1. Resultado na Carta de Smith de uma medição em aberto com baixa resolução;
A figura G1 representa a medição em baixa resolução de uma linha de transmissão com

terminação aberta, enquanto uma medição de alta resolução resulta em círculos em torno da Carta
de Smith como será visto a seguir. É comum que a baixa resolução seja menos explícita mesmo
com os ajustes iniciais do VNA, mas as imperfeições na curva resultante da medição devem ser
observadas para que ajustes na resolução sejam implementados se necessário. Mas como saber os
limites mínimos necessários de resolução para uma medida exata de comprimento?
Para respondermos esta questão, primeiramente é fundamental que o princípio de resolução

do VNA é baseado na distribuição de pontos ao longo da varredura em frequência da medição em
função do comprimento de onda em propagação (consequentemente em função do comprimento
da linha). Para a compreensão deste princípio, um experimento foi realizado utilizando 3 cabos
coaxiais de diferentes comprimentos (1,22 m, 3,08m e 4,65m).
137
Figura G2. Distribuição de pontos de uma medição com o VNA.
Observamos na figura G2 que 18 pontos foram configurados nestas medidas e todos são
distribuídos igualmente ao longo da faixa de frequência e de comprimento de onda () em cada um
dos cabos. Se a frequência é baixa há um percentual de  na estrutura, onde a quantidade de pontos
pode representar com significativa fidelidade a forma de onda (mais pontos para uma pequena parte
de onda). Se a frequência é maior,  é menor e podemos até ter múltiplos  em uma linha de
transmissão. Neste caso, a mesma quantidade de pontos será distribuída ao longo de toda a linha
de transmissão e a consequência é a perda significativa de fidelidade na representação da onda
devido a menor resolução.
Na curva ▲ (cabo de 1,22 m), observa-se delta de aproximadamente 3° entre cada ponto.
Observando a curva ■ (cabo de 4,65 m), notamos delta de aproximadamente 10°. Em todas as três
curvas a distribuição na faixa de frequência e ao longo do comprimento da estrutura é a mesma,
portanto para sinais de maior frequência, o mesmo número de pontos representa menos  resul-
tando em menor resolução.
138
2.2. AJUSTANDO A RESOLUÇÃO ADEQUADA
Agora que sabemos como o VNA estabelece sua resolução, conseguimos estabelecer crité-
rios para definir a melhor resolução utilizando como referência os dados de fase de onda, compri-
mento de linha, frequência e quantidade de pontos.
a) Definir o critério da resolução em quantidade de pontos por grau (fase) de onda. Como
padrão para uma resolução satisfatória, utilizaremos como critério 1 ponto/1°; logo adotamos que
em 360° temos 360 pontos.
b) Comprimento de linha é menor que x? Se sim, assumiremos que x será igual a xz con-
forme descrito abaixo; caso contrário, deveremos considerar a maior frequência de análise para o
cálculo de x.
xz : 2X o comprimento da linha “,”, devido a análise de reflexão de sinais que considerará a

fase do sinal refletido (extensão de ida + extensão de retorno = 2 × ,). Consideramos o compri-
mento “,” e não x, pois sendo x maior que o comprimento de linha não será aplicável dividir a
resolução do VNA em toda onda, mas sim sobre toda a linha, uma vez que nos interessa somente
a análise da onda sobre a linha/estrutura.
c) Relação PONTOS/GRAU:
|} ~• R R € ~• • R•RP ‚ƒ„…†‡ ˆ‰Š

Z0a |} ~• R R € ~• • € ‹]&° Œ•Ž• • ;
(2)
d) Calcular a frequência para fase de 360°:
‹.(&’ .“”
`‹]&° • } •z
(3)
e) MEHOR AJUSTE DE FREQUÊNCIA: y*/–* y8-— Z0a × `‹]&° (4)
Caso a quantidade de pontos utilizados no item “c” não tenha sido a máxima permitida pelo
VNA, pode-se aumentar a resolução (pontos/grau) ou a faixa de frequência aumentando a quanti-
dade de pontos.
139
3. CÁLCULO DO COMPRIMENTO DE LINHA
Voltando a análise de comprimento do cabo RG58, após os ajustes de resolução obtivemos

curvas com critério de 1 ponto/° com faixa de 70 MHz para a máxima quantidade de pontos do
equipamento utilizado (1601 pontos):
Figura G3. Medição de linha em aberto.
Utilizando agora a equação 1 deste apêndice, devemos utilizar o angulo exibido na figura
G3 (detalhe em amarelo) para calcular o comprimento do cabo RG58.
22,9
, . 300. 0,656 ˜, D˜ H.
720°
Referência: Livro “Medição e Análise de Dispositivos e Sinais RF: Aplicação de Analisadores de

Espectro e de Rede no Ensino e Análise de Sinais em Alta Frequência” [50].

Técnicas de Compensação para Medidas Elétricas de Dispositivos e Estruturas de Rádio Frequência

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1

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

RAFAEL CORTÊS DE MEDEIROS

TÉCNICAS DE COMPENSAÇÃO PARA MEDIDAS ELÉTRICAS DE

COMPENSATION TECHNIQUES FOR ELECTRICAL MEASUREMENTS

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

RAFAEL CORTÊS DE MEDEIROS

TÉCNICAS DE COMPENSAÇÃO PARA MEDIDAS ELÉTRICAS DE DISPOSITIVOS E

COMPENSATION TECHNIQUES FOR ELECTRICAL MEASUREMENTS OF DEVICES

Dissertação de Mestrado apresentada ao Programa de Pós-Graduação em

Master dissertation presented to the Electrical Engineering

Orientador: Prof. Dr. Leandro Tiago Manêra

ESTE EXEMPLAR CORRESPONDE À VERSÃO FINAL DA DISSERTAÇÃO

COMISSÃO JULGADORA - DISSERTAÇÃO DE MESTRADO

Candidato: Rafael Cortês de Medeiros RA: 160102

Título da Tese: "Técnicas de Compensação para Medidas Elétricas de Dispositivos e

Prof. Dr. Leandro Tiago Manêra (Presidente, FEEC/UNICAMP)

A ata de defesa, com as respectivas assinaturas dos membros da Comissão Julgadora,

Dedicado ao Sr. Marcos Baptista Cotovia Pimentel, grande

Keywords: Radio Frequency. Network Analyzer. RF Measurements. High Frequency.

Tabela 3.1 – Profundidade Pelicular de materiais [28]. ............................................................... 44

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

AM Modulação por Amplitude

– Revisão Bibliográfica ........................................................................................ 22

– Fundamentação teórica ..................................................................................... 27

– Técnicas de Medição e Compensação Parasitária ........................................... 50

– Conlusões Finais .............................................................................................. 108

– Trabalhos Publicados ...................................................................................... 111

– Referências Bibliográficas .............................................................................. 112

APÊNDICE A – Instrução de Operação do Analisador de Redes HP 4195A................... 116

APÊNDICE B – Procedimento de Medição de Reflexão de Cargas .................................. 121

APÊNDICE C – Procedimento de Medição de Parâmetros S ........................................... 123

APÊNDICE D – Procedimento de Medição de Perdas em Linhas de Transmissão ......... 125

APÊNDICE E – Método de De-Embeding usando o matlab ............................................. 127

APÊNDICE F – Método De-Embedding usando o Software Advanced Design System

APÊNDICE G – Procedimento de Medição de Comprimento de Linha .......................... 135

O conceito de tecnologia a serviço da comunidade possui um princípio fundamental: fun-

Portanto, em resumo, os objetivos específicos deste trabalho são:

A realização de medidas em laboratório destaca a importância da utilização de técnicas

Figura 1.2 – Medida e simulação de impedância de estrutura capacitiva RF2 e Open.

Observamos a diferença entre as curvas de simulação e medição neste exemplo, e a impor-

A pesquisa científica deste trabalho possui alicerce em conceitos eletromagnéticos e méto-

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Figura 2.1 – HP 8410 Network Analyzer [6] .

A aplicação computacional emergia na época e a capacidade dos instrumentos de medição

O desenvolvimento tecnológico tornou realidade o aumento do volume de dados, veloci-

Dentro do escopo de funções, o ADS possui ferramentas para realização de De-Embedding.

As técnicas estudadas pela comunidade científica, bem como as ferramentas disponíveis na

Esta seção contém os conceitos fundamentais para o desenvolvimento da pesquisa e com-

3.1 Níveis de Potência e Tensão na unidade do Decibel

3.1.1 INTRODUÇÃO: DECIBEL

É prática comum expressarmos as relações de potência em termos de uma notação logarít-

3.1.2 NÍVEIS DE POTÊNCIA EM DB (DBW, DBM, DBK)

Em notação logarítmica as expressões de potência serão abordadas a seguir:

dBk - unidade normalizada: 1 kW;

Exemplos de conversão direta:

3.1.3 NÍVEIS DE TENSÃO EM DB (DBV, DBMV, DBUV)

Conforme equação 2, podemos expressar o nível de tensão desejada em dBv, dBmV ou