NOTAS DE AULAS

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I

UNIDADE II – INTERRUPTORES ESTÁTICOS

Prof. Flávio Maurício de Souza,Msc

2/2004
UNIDADE II – INTERRUPTORES ESTÁTICOS

2.1 – INTRODUÇÃO

Em um circuito CEP o controle do fluxo de energia elétrica entre dois ou mais sistemas elétricos distintos
sempre foi uma das grandes preocupações dos engenheiros e projetistas. Para realizar tal controle sempre
foram procurados métodos que permitissem rendimentos elevados visto que normalmente eles são
empregados no tratamento de potência elevada. Desta forma o elemento responsável por realizar a conversão,
ou seja o interruptor estático, deve sempre apresentar uma transparência durante o seu funcionamento. Esta
transparência pode ser entendida com a mínima perda de energia devida ao interruptor durante a conversão
em relação a potência total envolvida.

É necessário projetar o conversor de tal forma que o interruptor trabalhe somente em dois estados (como é de
se supor já que se trata de uma chave). Ou seja, saturado (fechado) no qual a queda de tensão em seus
terminais é igual a zero ou cortado (aberto) em que tem-se a corrente através de seus terminais também igual a
zero. Em ambos os casos tem-se uma potência e consequentemente uma perda de energia sobre o componente
igual a zero. Estas condições são impossíveis de serem alcançadas já que não existem componentes ideais.
Porém, consegue-se operar bem próximo do ideal com os interruptores atuais, obtendo um rendimento
excelente do conversor.

Os elementos semicondutores existentes que podem satisfazer a estas exigências são: diodos, transistores e
tiristores.

CARACTERÍSTICAS

Antes de se aprofundar no estudo dos interruptores é necessário definir e explicar algumas características e
conceitos relacionados com eles que são importantes para a boa compreensão do assunto.

Comutação : mudança de estado do interruptor de plena condução para o bloqueio (abertura, corte)

Condução: mudança de estado do interruptor de bloqueio para o de plena condução (fechamento)

Curvas características;
• Estática: apresenta em forma de gráfico no plano cartesiano, a relação entre a queda de tensão (ddp) sobre
o componente e a corrente através dele. Por meio desta curva pode-se obter as perdas sobre o componente
durante o seu funcionamento.
• Dinâmica: apresenta a relação de grandezas como corrente e tensão (referentes ao componente) tendo o
tempo como parâmetro. Pode-se estudar através destas curvas, o comportamento do componente durante
o intervalo de fechamento e abertura e desta forma desenvolver meios para minimizar as perdas joulicas
sobre o componente nestes intervalos.

di/dt : taxa de variação da corrente em ralação ao tempo. Ë a velocidade de crescimento ou diminuição da

corrente através do componente.

dv/dt taxa de variação da tensão em ralação ao tempo. Ë a velocidade de crescimento ou diminuição da tensão
através do componente.

Obs.: di/dt e dv/dt podem ser determinadas pelas curvas características dinâmicas

Imax : corrente máxima direta que pode circular pelo componente sem riscos de danificação

PIV : tensão máxima inversa que pode ser aplicada ao dispositivo sem riscos de danificação
Ton : tempo de ligação do componente. É o intervalo de tempo necessário ou gasto para que ele saia do estado
de bloqueio para o de plena condução ou saturação.

Toff (ou trr) : é o tempo de desligamento ou comutação do componente. É o intervalo de tempo necessário
para que o componente saia do estado de plena condução para o de bloqueio recuperando todas as
características físicas (em termos de recombinação) que possuía antes de conduzir plenamente.

Estas características também definem a faixa de aplicação de determinado componente em circuitos

conversores em termos de potência (Imax e PIV) e em termos de frequência de chaveamento (di/dt, dv/dt, ton
e toff).

Atualmente a tendência das pesquisas nesta área de desenvolvimento de interruptores estáticos é a de

desenvolver componentes com tempos de comutação extremamente curtos, baixa queda tensão direta no
estado ligado e alta capacidade de corrente direta. Desta forma consegue-se a redução no peso do
equipamento ao operá-lo em alta frequência e uma faixa maior de potência de conversão.

Cabe lembrar que é comum fazer associações de interruptores (série, paralelo ou antiparalelo) para satisfazer
as características não obtidas com um único interruptor.

CLASSIFICAÇÃO

Os interruptores podem ser classificados quanto ao modo de controle. Existem três tipos básicos:

Não controlado : o estado do interruptor depende apenas das condições impostas pelo circuito externo.
Exemplo: diodos

Controlado: o estado do interruptor depende das condições impostas pelo circuito externo e de uma ordem de
comando que uma vez dada poderá ser retirada que o interruptor permanecerá no novo estado.
Exemplo: tiristores

Comandado: o estado do interruptor depende das condições impostas pelo circuito externo e de uma ordem de
comando que deve perdurar para que o interruptor mantenha o novo estado.
Exemplo: transistores

Esta classificação pode ser vista de outra maneira:

Disparo e bloqueio espontâneos: diodos
Disparo comandado e bloqueio espontâneo: tiristor
Disparo e bloqueio comandados: transistor

Se forem desprezados dos fenômenos secundários, pode-se representar estas comutações admitindo-se que
quando elas são espontâneas elas se efetuam sobre os eixos da curva característica estática do componente.
Portanto elas se efetuam com um mínimo de perdas. Em compensação, uma comutação comandada obriga um
ponto de funcionamento do componente a passar de um eixo ao outro originando perdas importantes à medida
que o tempo de comutação se alonga ou a frequência de chaveamento aumenta. A comutação de um
semicondutor só pode ser comandada ou espontânea. Os modos de comutação (natural, assistida ou forçada)
relacionam-se com o tipo de conversor.

2.2 – DIODO DE POTÊNCIA

INTRODUÇÃO

Os diodos são componentes semicondutores unidirecionais em corrente. São formados por duas camadas
semicondutores tipo P e N colocadas em contato formando uma junção PN. A camada P recebe o nome de
Anodo e a N de Catodo. Ficarão polarizados diretamente se o anodo estiver a um potencial mais positivo do
que o catodo (0,6 Volts para materiais de silício e 0,2 Volts para germânio). Caso contrário estarão
polarizados reversamente. Portanto só conduzirão em um sentido. Durante a condução, a queda de tensão
sobre eles permanecerá praticamente constante (0,6 ou 0,2 volts) independente da corrente.

São aplicados em vários circuitos eletrônicos como retificadores, limitadores, detetores, isolamento, etc.

Eles podem ser classificados em duas categorias: diodo de sinal e diodo de potência. A diferença fundamental
entre eles é que o diodo de potência tem capacidade de manipular correntes e tensões mais elevadas do que
os diodos de sinal. Porém a capacidade de resposta de frequência ou velocidade de chaveamento é baixa
quando comparada aos diodos de sinal.

Um diodo ideal apresentará queda de tensão nula durante a condução (chave fechada) e corrente nula durante
o bloqueio (chave aberta), além de uma mudança de estado instantânea (ton=trr=0). Esta característica ideal
muitas vezes é considerada, porém em muitas aplicações (como alta velocidade de chaveamento) não se pode
assumir esta condição.

CARACTERÍSTICAS

Na operação de um diodo podemos ter duas situações: condução e comutação

Estas duas situações são ilustrados abaixo através das formas de onda de corrente e tensão para um diodo
ideal e real respectivamente.

Condução

A injeção brutal de portadores dentro da junção proporciona a aparição de uma sobretensão entre o anodo e o
catodo que em alguns casos pode atingir a 40 volts e de um atraso na plena condução do diodo.

O que explica estes dois fatos é a existência de uma variação da resistência do diodo. O tempo de atraso pode
variar de 0,1 a 1,5 µS e pode ser minimizado com emprego de diodos rápidos. Porém, normalmente este
tempo é negligenciado. A sobretensão dependerá de di/dt.

Comutação

Durante a condução, uma carga elétrica Qs é armazenada a nível de junção. No momento do bloqueio, esta
carga deve ser evacuada a fim de que o diodo recupere seu bloqueio inverso.
Qs = Qrr + Qr
Onde Qr é evacuada por recombinação e Qrr é evacuada pela circulação de corrente reversa (devido a
portadores minoritários)

A corrente em um diodo polarizado diretamente é devido a portadores minoritários e majoritários. Uma vez
que um diodo está no modo de condução direta e então sua corrente direta é reduzida a zero (devido a um
comportamento natural do circuito ou por aplicação de uma tensão reversa), o diodo por um curto intervalo de
tempo continua a conduzir devido aos portadores minoritários que permanecem armazenados na junção PN.
Estes portadores requerem um certo tempo para se recombinarem com cargas opostas e serem neutralizados.
Este tempo é chamado de tempo de recuperação reversa (Trr) .

A figura a seguir mostra o comportamento do diodo na entrada em bloqueio em um circuito típico de

eletrônica de potência (indutores e polarização reversa)

Análise do gráfico

Fase 1 (0 < t < t1)

A corrente é ainda no sentido direto (If) mas decrescente caracterizada por uma velocidade de variação dif/dt
determinada pela indutância L. Como o diodo está conduzindo, toda a tensão Vr aparece nos terminais de L.
Fase 2 (t1 < t < t2) – Dissipação da carga armazenada na junção, Qrr

No instante t1, a corrente se anula para mudar de sentido devido à descarga do capacitor Ct (que representa
uma capacitância intrínseca da junção) que possui a carga Qrr armazenada durante a condução do diodo.

Quando a carga Qrr se anular atingiremos o instante t2. Portanto a superfície hachurada representa a carga
evacuada pela corrente inversa.

Neste instante o diodo se bloqueia e a corrente inversa atinge um valor máximo IRM que é um fator
importante no projeto de conversores. Também neste instante há uma mudança de esquema equivalente. A
corrente inversa Ir que então começa a diminuir corresponde à carga da capacitância equivalente, Ct,
necessária para a reconstituição da barreira de potencial do diodo.

Fase 3 (t2 < t < t3) – Reconstituição da barreira de potencial

Neste intervalo a tensão inversa aplica ao diodo terá uma sobretensão pois:

Até o instante t3 quando Ir se anula. Então teremos, Va = -Vr e esta terminado o processo de bloqueio.

Nesta fase podem acontecer dois comportamentos pois Ct, a indutância e a resistência do circuito formam um
circuito RLC série que dependendo dos valores pode ter um amortecimento rápido ou lento (soft) .

O valor de Qrr é dado pelo fabricante do diodo, o valor de dif/dt depende do circuito e é estabelecido pelo
projetista. Segundo as expressões acima, tanto o tempo de recuperação do diodo como o valor de IRM
depende de Qrr. Quanto menor Qrr mais rápido será o diodo.
Os diodos considerados rápidos apresentam Trr menor que 200 nS.
Estes diodos são do tipo de Schottky que praticamente, devido a sua construção, não apresentam Qrr e
portanto possuem um Trr bastante reduzido. As suas aplicações são limitadas se comparadas com as dos
outros diodos mais lentos.
 De um modo geral, os diodos de potência podem ser separados em três classes:

• Diodos Schottky: Devido a sua pequena queda de tensão direta e alta velocidade, são muito
empregados em conversores com pequenas tensões de saída (fontes chaveadas e conversores
CC-CC). São disponíveis com especificações de tensão até 100V e especificações de corrente
desde alguns amperes até centenas de amperes nos dispositivos de menor tensão;

• Diodos de frequência de linha: ou simplesmente diodos de linha, são projetados para

possuírem a menor queda de tensão direta possível, a fim de minimizar as perdas por
condução, e por isso são bastante lentos ("standard recovery"). Entretanto, como operam em
50 ou 60Hz, seu tempo de comutação não é crítico, e usualmente os manuais de fabricantes
não o especificam. Esses diodos podem suportar tensões de até vários kilovolts e correntes de
vários kiloamperes;

• Diodos rápidos: esses diodos são projetados para operar em altas frequências, possuindo
tempos de recuperação reduzidos. A designação "soft-recovery" é utilizada para indicar que o
componente possui reduzida taxa de variação da corrente no intervalo tb da característica
dinâmica (Figura 2.2). Isto é importante para minimizar sobretensões ("ringing")nas
indutâncias série parasitas do circuito. Com relação ao tempo de recuperação reversa, os
diodos rápidos podem ser sub-classificados como:

• Fast Recovery: Possuem trr de 200ns a 2µs

• Ultrafast Recovery: Possuem trr menores que 100ns

Para efeito ilustrativo, a figura abaixo mostra os dados principais de alguns diodos de potência
comerciais.

Código VRRM IFAV VF trr

Diodos de linha
1N5408 800V 3A 1,2V -
SKN100/12 1200V 125A 1,55V -
Diodos Rápidos
SKN3F20/8 800V 20A 2,15 250ns
SKN340F/18 1800V 400A 1,9V 2200ns
Diodos Ultra-Rápidos
UF4007 1000V 1A 1,7V 50ns
MUR840 400V 8A 1,25V 50ns
BYT16P-400 400V 16A 1,5V 35ns
RHRG30120 1200V 30A 2,5V 70ns
Diodos Schottky
MBRD835L 35V 8A 0,41V -
1N5822 40V 3A 0,52V -
2.3 – RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO – SCR

Estrutura interna e circuitos equivalentes

Considerando a anologia com transistores, podemos ter:

Considerando somente S1 fechada, (Ig = 0 e VAA < VBO)

Ic1 = α1 Ie1+ Icbo1 ; como Ie1 = IA ⇒ Ic1 = α1 IA + Icbo1 (1)

Ic2 = α2 Ie2+ Icbo2 ; como Ie2 = IK = IA ⇒ Ic2 = α2 IA + Icbo2 (2)

Como Ic1 + Ic2 = IA ⇒ IA = α1 IA + Icbo1 + α2 IA + Icbo2

IA - α1 IA - α2 IA = Icbo2+ Icbo1 ⇒ IA = (Icbo2+ Icbo1) / [1 – (α1 + α2)] (3)

Como temos T1 e T2 cortados, Ic1 = Ic2 = 0

Então IA = Icbo2+ Icbo1 dependendo somente das componentes de fuga dos dois transistores. Portanto, para
somente S1 fechada, temos:

VA = VAA e IA = 0 ⇒ SCR bloqueado

Observando a expressão 3, para que IA dependa somente da carga devemos fazer (α1 + α2) tender para 1,
assim IA tenderá para ∞.
Para atingir este objetivo, devemos aumentar Ic1 e Ic2
Desta forma, teremos os seguintes valores:

VA = 0 e IA = VAA / RL ⇒ SCR conduzindo

O objetivo de qualquer método de disparo é proporcionar esta condição: (α1 + α2) ⇒ 1

Métodos de disparo

1) Disparo pelo gatilho

Mantendo S1 fechada e fechando S2, teremos as seguintes situações:

T2 começa a conduzir pois Ig = Ib2 (anteriormente Ib2 = 0), consequentemente T1 também entra em
condução pois surge Ic1 e Ic2. A partir deste ponto Ib2 fica maior porque no ponto X Ig soma-se com Ic1
e faz T2 conduzir mais pois aumentou o valor de Ib2.
Deste modo a cada ciclo desse processo de realimentação teremos um aumento da condução de T1 e T2
com um consequentemente aumento de Ic1 e Ic2 implicando em aumento de α1 e α2.
Quando a condição de (α1 + α2) = 1 for alcançada, teremos atingindo o disparo do SCR.
Após esta situação acontecer a corrente Ig pode ser retirada que o processo de realimentação mantém o
SCR disparado. Sendo assim a corrente Ig pode ser retirada ou seja pode-se abrir S2 que o SCR
permanecerá no estado ligado. Portanto, RG, S2 e VGG podem ser substituídos por um circuito gerador
de pulsos, cuja duração do pulso seja suficiente somente para iniciar o processo de realimentação. Na
prática basta Ter duração suficiente para que a corrente Ia alcance o valor de IL corretne de latching ou
de travamenteo.

2) Disparo por sobretensão (Ig = 0)

À medida que se aumenta a tensão VA, este aumento reflete-se totalmente em “d2” uma vez que “d1” e
“d3” estão polarizados diretamente. Haverá um valor de tensão VA = VBO que o campo elétrico da
junção reversamente polarizada, acelera os portadores minoritários que a cruzam, a tal ponto que um
fenômeno de avalanche se estabelece provocando um aumento da corrente de anodo. Este procedimento,
nem sempre destrutivo, raramente é utilizado na prática devido ao elevado valor de VBO.

3) Disparo por transiente de tensão (dv/dt)

Em um SCR em polaraização direta, sem aplicação de um pulso de disparo, verifica-se que uma das
junções está reversamente polarizada (“d2”), havendo portanto uma distribuição de cargas nas
 proximidades desta junção. Pode-se associar a esta distribuição de cargas (carga armazenada) um efeito
capacitivo. A grosso modo diríamos que na junção existe um capacitor carregado (Cag).
A relação entre a corrente e a tensão em um capacitor é ic = Cdv/dt. Isto significa que só teremos uma
corrente Ic se ocorrer uma variação instantânea na tensão. Se isto ocorrer, O SCR poderá ser disparado
pois esta correntes será injetada no gatilho. Como este transiente ocorre aleatoriamente, este método de
disparo é indesejável e portanto deve ser evitado. Para protegê-lo, coloca-se um circuito RC em paralelo
cujo valor do capacitor é maior do que Cag. Este circuito é denominado de Snubber

4) Disparo por aumento de temperatura

A corrente de fuga em dispositivos de silício, dobra a cada aumento de 10°C na temperatura. Verifica-se
observando a expressão (3) que se ocorrer um aumento considerável da temperatura, haverá um aumento
de (Icbo2+ Icbo1), possibilitando o estabelecimento da ação regenerativa que faz (α1 + α2) tender para 1,
Disparando o SCR.

5) Disparo por luz

Este tipo de disparo só ocorre para SCR’s especiais denominados de LASCR. A incidência de energia
radiante sob a forma de fótons sobre uma “janela” adequadamente colocada no SCR, pode dispará-lo.
A justificativa para este disparo é que a radiação incidente provoca o aparecimento de pares elétrons-
lacunas que irão aumentar a corrente de fuga que já circula pela junção fazendo com que (α1 + α2) tenda
para 1, estabelecendo a ação regenerativa que dispara o SCR.

Os tempos de ligamento e desligamento dos SCR são relativamente elevados, o que produz consideráveis
perdas por comutação. Por isso, a utilização de SCRs é restrita a aplicações de frequência não muito elevadas.
A necessidade de circuitos de comutação forçada e a menor velocidade são as grandes desvantagens dos
SCRs. Nos dias de hoje, devido aos avanços na tecnologia dos transistores de potência MOSFET e IGBT, o
SCR tem sua utilização restrita a circuitos retificadores de linha, relés de estado sólido e conversores de
altíssimas potências (na casa das dezenas de MVA), como transmissão de energia CC em alta tensão
(HVDC), acionamento de grandes motores de vários MVA, etc.
A tabela abaixo ilustra resumidamente as características de alguns dispositivos.
Código VRRM / VDRM ITAV VT tq
Tiristores de linha
30TPS16 1600V 20A 1,3V 110µs
180RKI80 800V 180A 1,35V 100µs
ST1230C16 1600V 1745A 1,62V 200µs
Tiristores Rápidos
IRFK7212 1200V 71A 2,40V 25µs
SKFH150/8 800V 150A 2,45V 20µs
2.4 – GATE TURN OFF – TIRISTOR GTO

O GTO é um tiristor que possui capacidade de desligamento através do terminal de gate. Seus
símbolos mais comuns e sua característica estática v x i idealizada estão mostrados na Figura 2.10.
iA
A A
ON/OFF

G vAK
G 0
K K

a) GTO b) Característica Estática

Assim como o SCR, basta um pulso de corrente positiva em seu gate para o ligamento, o qual é
mantido mesmo após retirada a corrente de gate. O GTO também desliga caso a corrente de anodo caia abaixo
do valor mínimo de manutenção (IH).
Para efetuar o desligamento do GTO, um pulso de corrente negativa deve ser aplicado no gate.
Embora o GTO não necessite de circuitos de comutação forçada como os SCRs, a corrente que deve ser
aplicada ao gate para efetuar o desligamento é grande, apenas de 2 a 5 vezes menor do que a corrente de
anodo a ser comutada. Isto faz com que os circuitos de acionamento de gate sejam maiores, mais complexos e
mais caros, o que é uma séria desvantagem. Além disso, os GTOs não toleram altas taxas de crescimento da
tensão (dv/dt), o que traz a necessidade da utilização obrigatória de circuitos snubbers de desligamento. A
partir de certo valor da corrente de anodo o controle do desligamento pelo gate é perdido, portanto cuidados
devem ser tomados para que sobrecorrentes não estejam presentes. Em outras palavras: o GTO é capaz de
suportar surtos de corrente mas não é capaz de corta-los através do gate. A capacidade de bloqueio de tensão
no sentido reverso é muito pequena, isto é, o GTO praticamente não é capaz de bloquear tensões negativas.
A queda de tensão direta dos GTO é ligeiramente maior do que a dos SCRs (de 2V a 3V), e a
capacidade de controle de potência é quase tão elevada quanto: existem GTOs capazes de bloquear vários
kilovolts e conduzir vários kiloamperes. Os tempos de desligamento são menores do que o dos SCRs
(tipicamente de 5 a 25µs), de maneira que os GTOs podem operar em frequências maiores.
Devido a essas características, os GTOs somente são utilizados em aplicações de altíssimas
potências (vários MVA), como em choppers e inversores trifásicos para tração elétrica, por exemplo.
No Anexo 4 estão algumas folhas de dados de GTOs. A tabela abaixo mostra resumidamente as
características de alguns dispositivos.

Tabela 2.4
Código VDRM ITAV VT tq dv/dt(cr)
FG1000BV-90BA 4500V 400A 4V 20µs 1000V/µs
FG6000AU-120D 6000V 1500A 6V 30µs 1000V/µs
2.5 – TRANSISTOR BIPOLAR DE POTÊNCIA

Durante muito tempo o transistor bipolar foi o único transistor de potência disponível, tendo sido fabricados
BJTs para suportar até 1400V e 600A, aproximadamente. Com o surgimento dos transistores MOSFET de
potência e IGBT, seu uso em conversores estáticos vem se reduzindo gradativamente: hoje os transistores
bipolares somente competem com os MOSFETs em aplicações de baixa potência e tensões acima de 400 ou
500V, devido ao seu menor custo. De qualquer forma, é importante conhecer o dispositivo em função do
grande número de equipamentos ainda em operação que o utilizam.

O símbolo do transistor bipolar de potência juntamente com sua característica estática idealizada estão
mostrados na Figura 2.11.

iC iC
C
ON ON/OFF
B +v
- CE 0
v CE
iB OFF

a) BJT b) Característica Estática

O BJT é um dispositivo de três camadas (N-P-N ou P-N-P) controlado por corrente: a corrente de base é
utilizada para variar a corrente de coletor, que é a corrente principal (corrente de carga). Os transistores NPN
de potência são os mais utilizados, tanto por serem mais rápidos como por atingirem maiores especificações
de tensão e corrente.

Como pode ser observado na característica v x i, o BJT somente é capaz de bloquear tensões positivas e
somente pode conduzir correntes positivas. A aplicação de tensão negativa VCE leva à destruição do
componente. A queda de tensão direta no estado de condução vCE(sat) é pequena, tipicamente de 1V a 3V.

Para ser utilizado como chave nos conversores estáticos, a corrente de base deve ser suficientemente grande
para fazer com que o BJT entre na região de saturação (chave ligada), ou suficientemente pequena (na
realidade negativa) para provocar o corte do BJT (chave desligada).
O desligamento do BJT é realizado forçando-se uma corrente negativa na base (através da
aplicação de tensão negativa). A corrente negativa na base é essencial para garantir um desligamento rápido.
Se a corrente de base fosse apenas anulada, o tempo de desligamento seria excessivamente elevado. Além
disso, mantendo tensão negativa na junção base–emissor a capacidade de bloqueio de tensão coletor–emissor
é aumentada. Entretanto, uma corrente negativa excessiva pode provocar o aparecimento de uma "cauda" na
forma de onda da corrente no processo de desligamento, o que eleva consideravelmente as perdas por
chaveamento.

A corrente mínima de base para o ligamento depende da corrente de coletor a ser conduzida, de acordo com a
relação: I C ≤ H FE ⋅ I B , onde HFE é o ganho de corrente DC do BJT. A corrente de base deve ser mantida
continuamente para que o dispositivo mantenha seu estado de condução. Um dos maiores problemas do BJT
de potência o HFE é baixo, tipicamente de 3 a 10 nos BJTs de maior potência, o faz com que os circuitos de
acionamento de base tenham que fornecer correntes consideráveis, elevando o custo do sistema1.

Por isso, às vezes é utilizada a conexão "Darlington" onde o HFE total é aumentado às custas de uma menor
velocidade de desligamento e de uma maior queda de tensão direta vCE(sat). Os transistores darlington que são
construídos num único cristal semicondutor são chamados "darlingtons monolíticos".
 C
iC
B

iB +v
- CE

O diodo mostrado na figura é normalmente utilizado para permitir a circulação da corrente

negativa na junção base-emissor do transistor principal durante o desligamento.
A maior parte das perdas por chaveamento do BJT ocorrem durante o desligamento, mais especificamente
durante o tfi, ou tempo de queda da corrente. Esse é um importante parâmetro a ser observado na escolha de
um BJT em aplicações de chaveamento.

As curvas de operação segura (SOA – "Safe Operating Area") de um transistor indicam os limites IC x VCE
que devem ser observados para um funcionamento confiável, isto é, o transistor não deve ser submetido a
condições de IC e VCE que extrapolem o limite imposto pelas curvas SOA. Para transistores bipolares
normalmente são especificadas duas SOAs: a FBSOA – "Forward Bias SOA" ou área de operação segura no
ligamento, e a RBSOA – "Reverse Bias SOA", ou área de operação segura no desligamento.

As especificações de operação segura vêm em forma de um gráfico IC x VCE contendo diversas curvas, cada
uma válida para dada duração do pulso.
A região de operação segura dos BJTs é limitada pelas curvas de corrente máxima de coletor,
potência máxima dissipada, tensão de ruptura e tensão de ruptura secundária - "second breakdown", que é
inferior ao valor da tensão de ruptura primária. O fenômeno de segunda avalanche é típico dos BJTs, e ocorre
devido a pontos sobreaquecidos causados pelo rápido crescimento da corrente de coletor sob condições de
elevadas tensões, e esses pontos causam a falha do dispositivo.

IC
IC M
10us
100us
1ms

DC

VCE
VCEO

Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores bipolares de potência.

Tabela 2.5
Código VCEV /VCEX IC hFE VCE(sat) tc
BUV48A 1000V 15A 8 2V 600ns
BUL45F 700V 5A 14 0.25V 350ns
Darlingtons
MJ10023 600V 40A 50 2,2V 2µs
2.6 – TRANSISTOR MOSFET DE POTÊNCIA

MOSFETs (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) com consideráveis capacidades de condução de
correntes e bloqueio de tensão surgiram no início dos anos 80. Eles se tornaram largamente utilizados, e vêm
substituindo os BJTs em inúmeras aplicações, especialmente nas de alta frequência. Isto porque os
MOSFETs, ao contrário dos BJTs, são dispositivos de portadores majoritários, o que lhes confere uma
velocidade dezenas de vezes maior. Aliás, os MOSFETs são os mais rápidos transistores de potência hoje
disponíveis, possuindo baixas perdas por comutação. Além disso, necessitam de muito pouca potência no
terminal de controle. A Figura abaixo mostra o símbolo do MOSFET e sua característica estática v x i
idealizada.

iD iD iD
D D
+ - ON ON/OFF
vDS vDS v DS
G G
0
+
vGS - -
vGS + + OFF

-
S S
a) MOSFET (canal N) b) MOSFET (canal P) c) Característica Estática

Os três terminais do MOSFET são o gate (G), dreno (D), e source (S), também chamados porta, dreno, e
fonte. Os MOSFETS de canal N são os mais utilizados e os que possuem as maiores capacidades de tensão e
corrente.

É importante notar que, devido ao processo de fabricação do MOSFET de potência, existe um diodo
"parasita" entre os terminais dreno e source. Esse diodo, conhecido como diodo de corpo ("body diode") ou
diodo intrínseco, possui características de um diodo PN rápido (mas não ultra-rápido), e pode ser útil como
proteção do dispositivo ou pode entrar na constituição do circuito de potência de muitos conversores estáticos,
tomando parte no processo de funcionamento.

Uma grande vantagem do MOSFET é ser um dispositivo controlado por tensão isto é, a corrente de carga (de
dreno) pode ser variada através da tensão gate-source, que atua abrindo ou fechando o canal (devido ao efeito
de campo) ou seja, a resistência rDS é controlada pela tensão VGS.

Daí o fato de quase nenhuma potência ser necessária para comandar o MOSFET: no ligamento basta apenas
carregar a capacitância gate-source, e descarregá-la no desligamento. Apenas flui corrente no terminal de gate
quando o dispositivo está sendo ligado ou desligado, o que equivale dizer que o dispositivo possui alta
impedância de entrada. Desta forma, os circuitos de acionamento de gate dos MOSFETs de potência são mais
simples e mais baratos do que aqueles utilizados nos BJTs.

A tensão de limiar VGS(th) é aquela abaixo da qual o MOSFET entra na região de corte. Aumentando
progressivamente VGS acima da tensão de limiar, o MOSFET entra na região linear e posteriormente na
região de saturação, na qual aumentos em não provocam alterações significativas na corrente de dreno. O
valor da resistência dreno-source rds(on) é definido na região de saturação. Valores típicos de VGS para o
funcionamento como chave são 0 e 15V ou –15 e +15V, de modo a operar em corte e saturação,
respectivamente. Tipicamente a junção gate-source não suporta valores maiores do que +20V ou menores do
que –20V.
Construtivamente, à medida que a capacidade de bloqueio de tensão aumenta, a resistência rds(on) também
aumenta, de forma que os MOSFETs com maior capacidade de condução de corrente (menor rds(on)) possuem
pequena capacidade de bloqueio de tensão. Desta forma, as perdas por condução podem atingir valores
elevados nos MOSFETs de maior tensão devido ao alto valor de rds(on).
Existem MOSFETs com de rds(on) tão reduzidos quanto 5mΩ.

O coeficiente de temperatura dos MOSFETs é positivo, de forma que a ligação de vários dispositivos em
paralelo é possível e até muito comum.
Assim como nos transistores bipolares, as regiões de operação segura – SOAs – também são especificadas
para os MOSFETs. As folhas de dados do componente geralmente somente trazem a FBSOA, uma vez que a
RBSOA é a mesma.

Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores MOSFETs de potência.

Tabela 2.6
Código rds(on) V(BR)DSS ID PD tf
IRF3205 0.008Ω 55V 90A 150W 70ns
BUZ32 0.4Ω 200V 9.5A 75W 35ns
IRF840 0.85Ω 500V 8A 125W 30ns
IRFP460 0.27Ω 500V 20A 280W 58ns
MTP3N100 4Ω 1000V 3A 125W 55ns
2.6 – TRANSISTOR BIPOLAR DE GATE ISOLADA – IGBT

O surgimento do "Insulated Gate Bipolar Transistor" – IGBT – no final dos anos 80 representou um enorme
avanço na área da eletrônica de potência. Embora com velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT é
mais rápido do que o transistor bipolar, e pode controlar potências muito mais elevadas do que o MOSFET.
Há disponíveis hoje IGBTs com capacidades de tensão de 1700V e 600A, e mais recentemente dispositivos de
3,3kV e 1000A. Os tempos de comutação variam desde 0,2µs nos IGBTs de menor potência até 2µs nos de
maior potência, aproximadamente.

A Figura abaixo mostra os símbolos mais usuais do IGBT, juntamente com sua característica estática
idealizada.

C iC C iC iC

+ + ON ON/OFF
vCE G vCE
G v CE
+ - + - 0 OFF

vGE - vGE -
E
E
a) IGBT b) Característica Estática

Os terminais do IGBT são: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado nos símbolos, o IGBT, assim como
o MOSFET, possui o terminal de controle (gate) isolado, ou seja, é um dispositivo controlado por tensão. Isto
significa circuitos de acionamento de gate menores, mais simples e mais baratos do que os utilizados nos
BJTs.

Há duas tecnologias de IGBT: PT ("punch-through") e NPT ("non punch-through"). Os IGBTs tipo PT

possuem quedas de tensão vCE(sat) menores do que os da tecnologia NPT. Por outro lado, os IGBTs NPT
possuem coeficiente de temperatura positivo, o que propicia a ligação em paralelo. Além disso, possuem
capacidade de bloqueio de tensão em ambos os sentidos, o que não ocorre nos IGBTs da tecnologia PT.
Normalmente os catálogos dos fabricantes informam qual a tecnologia utilizada.

O IGBT reúne características do transistor bipolar e do MOSFET. Na realidade, a característica de entrada do

IGBT é a mesma do MOSFET, enquanto a característica de saída é similar à do BJT. Esta última confere ao
IGBT quedas de tensão coletor-emissor pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo nos dispositivos com maior capacidade
de bloqueio de tensão.

Ao contrário do MOSFET, IGBT não possui internamente o diodo intrínseco. Pode-se adquirir IGBTs com ou
sem o diodo anti-paralelo. Por outro lado, o IGBT possui internamente um tiristor parasita. Caso esse tiristor
entre em condução, o controle do IGBT será perdido, o que pode levá-lo à destruição. Esse fenômeno é
conhecido por "latch-up", e pode ser provocado por excesso de corrente de coletor ou dvCE/dt excessivo. Nas
gerações atuais de IGBT esse problema foi minimizado: o latch-up dificilmente ocorre. São os chamados
"latch-up free IGBTs".

O ligamento do IGBT é feito de maneira similar à do MOSFET: deve-se carregar a capacitância gate-emissor
com uma tensão suficiente. O desligamento é efetuado fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar VCE(th).
Normalmente se utilizam as tensões 0 e 15V ou –15 e +15V para efetuar o comando do IGBT.
No IGBT, não há o fenômeno de segunda avalanche ("second breakdown") como nos BJTs, o que aumenta a
área de operação segura (SOA). Além das áreas de operação segura FBSOA e RBSOA, é também comum a
apresentação da SCSOA – "Short Circuit SOA" ou área de operação segura em curto circuito. Esse diagrama é
útil no dimensionamento da proteção do IGBT. O formato quadrado das curvas de SOA do IGBT permitem
muitas vezes a operação sem snubbers, o que simplifica os circuitos. A capacidade de suportar pulsos de
corrente é maior do que a do MOSFET, o que é um outro fator que faz o uso de snubbers desnecessário em
muitas aplicações.

Os IGBTs são os dispositivos mais utilizados em inversores e choppers de pequena e média potência,
existindo módulos de IGBTs com uma ponte trifásica completa integrada, além de módulos meia-ponte
("half- bridge"), etc. Esses módulos facilitam a montagem e levam a indutâncias parasitas menores,
entretanto, caso um dos IGBTs se danifique, todo o módulo é perdido. Há também os chamados IPMs –
módulos de potência inteligentes ("Inteligent Power Modules"), que integram o circuito de potência, circuitos
de proteção e os drives de gate dos IGBTs.

Para fins ilustrativos a tabela abaixo traz os dados de alguns transistores IGBTs.

Código VCES IC @ (oC) VCE(on) PD @25oC E(on)+E(off)

IRG4BC30W 600V 12A @100oC 2.7V 100W 0.35mJ
IRG4PC50KD 600V 30A @100oC 1.84V 104W 3.0mJ
IRG4PH50KD 1200V 24A @100oC 2.77V 200W 8.36mJ
APT60GF120JRD 1200V 60A @90oC 4.1V 520W 19mJ
SKM500GA123D 1200V 400A @80oC 3.7V 2700W 53mJ
CM1200HB-66H 3300V 1200A @25oC 3.6V 15630W
2.7 – COMPARAÇÃO ENTRE OS INTERRUPTORES ESTÁTICOS DE POTÊNCIA

Para cada aplicação há uma chave eletrônica de potência que é mais indicada, oferecendo uma melhor
performance. A Figura abaixo mostra as aplicações dos dispositivos de potência escalonados em função da
frequência de trabalho e da potência envolvida.
 A tabela abaixo efetua uma comparação entre os interruptores de potência controláveis.

MOSFET IGBT BIPOLAR GTO

COMANDADO TENSÃO TENSÃO CORRENTE CORRENTE
POR:
POTÊNCIA MÍNIMA MÍNIMA ELEVADA ELEVADA
NECESSÁRIA
PARA
COMANDAR
CIRCUITO DE SIMPLES SIMPLES COMPLEXO MUITO COMPLEXO
DISPARO elevadas correntes de base elevados pulsos de
positivas e negativas corrente positivas e
negativas
CAPACIDADE DE ELEVADA em baixas MÉDIA/ALTA MÉDIA MUITO ALTA
CORRENTE tensões pequeno compromisso com severo compromisso com os
BAIXA em altas tensões os tempos de comutação tempos de comutação
PERDAS POR MUITO BAIXAS BAIXA/MÉDIA MÉDIA/ALTA ALTA
COMUTAÇÃO depende do compromisso depende do compromisso
com as perdas de condução com as perdas de condução
VELOCIDADE DE MUITO ALTA ALTA MÉDIA/ALTA BAIXA
CHAVEAMENTO