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    Processo Fabricação de Circuitos Integrados

    Enviado por

    Ederson Zanchet
    O documento descreve o processo de fabricação de circuitos integrados, incluindo a obtenção de silício monocristalino através do processo Czochralski e a construção do circuito camada por camada até ser concluído.

    Direitos autorais:

    Attribution Non-Commercial (BY-NC)
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    O documento descreve o processo de fabricação de circuitos integrados, incluindo a obtenção de silício monocristalino através do processo Czochralski e a construção do circuito camada por camada até ser concluído.

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    Processo fabricação de Circuitos Integrados

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    Processo Fabricação de Circuitos Integrados

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    FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS

    ELETRNICA ANALGICA ENG. EDERSON ZANCHET

    CIRCUITOS INTEGRADOS - FABRICAO

    Os circuitos integrados em termos gerais so basicamente construdos a partir

    silcio

    monocristalino. Devido a caracterstica do silcio (Polisilcio) que apresenta estrutura formada por

    diversos blocos e desorganizados, tornando-se necessrio um processo de purificao para


    obteno de um silcio de alta qualidade.

    O monosilcio apresenta estrutura com tomos bem alinhados e com caractersticas fsicas
    uniformes. Os processos de fabricao dos circuitos integrados abrangem vrias etapas que vo desde

    a extrao do material at o encapsulamento.

    Pagina 2

    CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO POLICRISTALINO


    Figura 1 Silcio Policristalino

    O material extrado no contm apenas silcio.


    Apresenta outros componentes no cristal, o que para o

    processo de fabricao apresenta instabilidade em nveis


    de tenso, assim para os circuitos integrados, o grau de pureza o grau eletrnico (grau de mais alta pureza do silcio, >99,9999%). Porm para outras aplicaes como fabricaes o silcio policristalino tem sido aplicado com sucesso. Pelas figuras 1 e 2 temos modelos de silcio policristalino.
    Figura 2 Silcio Policristalino

    Existe algumas formas para obteno do cristal


    entre elas podemos citar: O processo de Siemens ou Reator de Siemens; O processo de leito fluidizado
    Pagina 3

    Fonte: http://wikienergia.com/~edp/images/thumb/d/d5/Cili ndrosiliciopolicristalino.jpg/300pxCilindrosiliciopolicristalino.jpg

    CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO MONOCRISTALINO

    Figura 3 Silcio monocristalino

    O Como o silcio estrutura cristalina

    policristalino

    apresenta provocando

    desorganizada,

    reaes nas propriedades eltricas do materiais para


    os circuitos integrados necessria a obteno do

    silcio monocristalino.
    O processo de Czochralski torna o silcio mais puro devido ao fato de que as impurezas possuem diferentes pontos de fuso.
    Fonte: http://www.gcfs.eu/datapool/page/66/cz01.jpg

    O silcio policristalino triturado e depois fundido. Enquanto est na fase lquida podem ser adicionadas quantidades controladas de impurezas (dopantes como Ferro e Boro) ao silcio intrnseco para que sejam obtidas as propriedades eltricas desejadas.

    Um gro de silcio monocristalino posto em contato com o silcio lquido, temperatura de


    fuso, atravs de uma haste.
    Pagina 4

    CIRCUITOS INTEGRADOS SILCIO MONOCRISTALINO


    Figura 4 Processo de obteno Silcio monocristalino

    Quando o gro de Si entra em contato com


    lquido uma parte do gro fundida. H medida em que a haste vai puxando o gro para cima, o lquido vai aos poucos se solidificando e formando um cilindro. O dimetro deste cilindro determinado pela velocidade de subida e de rotao da haste conforme pode ser observado pela figura 4 e 5.

    Figura 5 Etapas Processo de obteno Silcio monocristalino

    Fonte: http://img135.imageshack.us/img135/474/materialprocessing.png

    Pagina 5

    CIRCUITOS INTEGRADOS

    Video - Processo de fabricao Circuitos Integrados

    Aps

    obteno

    do

    silcio

    dentro

    das

    caractersticas necessrias, o cristal cortado com

    lminas ou fios de diamante formando wafers, com


    espessuras que variam de 0,25mm e 1mm de acordo

    com o dimetro do cristal.


    O material polido e tratado quimicamente, somente aps todo esse processo que receber o desenho para formao do circuito integrado atravs de um processo semelhante ao do filme fotogrfico, alm
    Fonte: http://www.youtube.com/watch?v=l7-EmE7Ixuo

    das diversas camadas. O circuito integrado construdo


    camada por camada, at constituir o componente

    projetado.

    Pagina 6

    REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

    [1] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Vol. I - 4.; Ed. Makron Books: So Paulo, 1995.

    [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: So Paulo, 2004.
    [3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica; UNICAMP, 2000. [4] BARBI, Ivo, Eletrnica de Ptencia 6 edio, Ed. Do autor: Florianpolis, 2005. [5] FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, LM78XX/LM78XXA 3-Terminal 1A Positive Voltage Regulator; datasheet, april 2012, disponvel em http://www.fairchildsemi.com/ds/LM/LM7805.pdf acesso em 03 set. 2012. [6] NATIONAL SEMICONDUCTOR, LM117/LM317A/LM317 3-Terminal Adjustable Regulator datasheet, may 1996, disponvel em: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS009063.PDF acesso em 03 set. 2012.

    [7] SANTOS, Roberto Bairros dos. Regulador de tenso usando CI; disponvel em: http://www.bairrospd.kit.net/fonte_aliment/Regulador%20de%20tensao%20com%20CI.pdf acesso em 03 set. 2012.

    EDERSON ZANCHET Mestrando em Engenharia Eltrica e Informtica Industrial - UTFPR Engenheiro de Controle e Automao - FAG Departamento de Engenharia FAG Docente Disciplina de Eletronica Analgica [email protected] [email protected] www.fag.edu/professores/ederson

    Page 8

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