Apostila Final de Eletronica 2010 Faetec

ELETROMECNICA
ESCOLA TCNICA DE SANTA CRUZ
PROFESSOR: MRIO GORETTI ALUNO(A):.............................................
Apostila
TURMA:.........................................
Eletrnica
RIO DE JANEIRO ANO: 2010
ESCOLA TCNICA DE SANTA CRUZ
CURSO TCNICO EM ELETROMECNICA ANO: 2010
DISCIPLINA DE ELETRNICA PROFESSOR: MRIO GORETTI
CAPTULO 1- TEORIA DOS SEMICONDUTORES E O DIODO SEMICONDUTOR

Energia Energia Banda de Conduo Energia Banda de Conduo Banda Proibida Banda de Valncia Banda de Valncia
BANDAS DE ENERGIA Um tomo formado por eltrons que giram ao redor de um ncleo composto por prtons e neutrns, sendo que o nmero de eltrons, prtons e neutrns diferente para cada tipo de elemento qumico.
Banda de conduo Banda Proibida Banda de Valncia
Isolantes, Condutores e Semicondutores
No primeiro caso, um eltron, para se livrar do tomo, tem que dar um salto de energia muito grande. Desta forma, pouqussimos eltrons tm energia suficiente para sair da banda de valncia e atingir a banda de conduo, fazendo com que a corrente eltrica neste material seja sempre muito pequena, Esse materiais so chamados de isolantes. A ltima rbita de um tomo define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons desta rbita que pode se libertar do tomo atravs do bombardeio de energia externa (calor, luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes covalentes (compartilhamento de eltrons da ltima rbita de um tomo com os eltrons da ltima rbita de outro tomo). Esta rbita mais externa recebe, por isso, o nome de rbita de valncia ou banda de valncia. No segundo caso, um eltron pode passar facilmente da banda de valncia para a banda de conduo sem precisar de muita energia. Isso acontece principalmente nos materiais metlicos, onde a prpria temperatura ambiente suficiente para o surgimento de uma grande quantidade de eltrons livres. Esses materiais so chamados de condutores. O terceiro caso um intermedirio entre os dois outros. Um eltron precisa dar um salto pequeno e, por isso, esses materiais possuem caractersticas intermedirias em relao aos dois anteriores sendo, portanto, chamados de semicondutores.
MATERIAIS SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Os eltrons da banda de valncia so os que tm mais facilidade de sair do tomo. Em primeiro lugar porque eles tm uma energia maior e, em segundo lugar, porque, por estarem a uma distncia maior em relao ao ncleo do tomo, a fora de atrao eletrosttica menor. Com isso uma pequena quantidade de energia recebida faz com que eles se tornem eltrons livres que, sob a ao de um campo eltrico formam a corrente eltrica. O fato dessas rbitas estarem a distncias bemdefinidas em relao ao ncleo do tomo, faz com que entre uma rbita e outra exista uma regio onde no possvel existir eltrons, denominada banda proibida. O tamanho dessa banda proibida na ltima camada de eltrons define o comportamento eltrico do material, como na figura abaixo, onde trs situaes diferentes esto representadas.
Existem vrios tipos de materiais semicondutores. Os mais comuns e mais utilizados so o silcio (Si) e o germnio (Ge). Estes dois elementos caracterizam-se por serem tetravalentes, ou seja, por possurem quatro eltrons na camada de valncia, como mostra a figura abaixo.
Hoje em dia, o silcio o material mais utilizado j que bastante abundante na natureza e, portanto, mais barato.
CONDUO ELTRICA NOS SEMICONDUTORES
Em semicondutores temos dois tipo de conduo: 2
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Eletrnica Analgica
Movimento dos ons positivos : Lacunas. Movimento dos eltrons livres : Eltrons Para toda movimentao de um on positivo em um determinado sentido, temos a movimentao do eltron no sentido contrrio.
SEMICONDUTORES TIPO N E P
Quando num cristal de silcio acrescentado uma quantidade de tomos de um material pentavalente (com cinco eltrons na camada de valncia) como, por exemplo, o arsnio (As), o antimnio (Sb) e o fsforo (P), estes elementos estranhos, tambm chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do cristal de silcio fazendo, cada impureza, quatro ligaes covalentes com seus tomos vizinhos mais prximos, como mostra a figura a seguir.
Desta forma o nmero de lacunas maior que o nmero de eltrons livres gerados pelo calor a temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor as lacunas so portadores majoritrio e os eltrons livres so portadores minoritrios, como mostra a figura abaixo. + + + + + + + + + + + + - + + + + + + + - + + + + + + + + + + + - +
Semicondutor Tipo P O DIODO SEMICONDUTOR
A Juno PN O diodo semicondutor constitudo basicamente por uma juno PN, ou seja, pela unio fsica de um material P com um N.
+ + + + + + + + + + + + + + + + + + + P
Juno PN
+ + + + + -
+ + + + + + +
+ -
+ N
+ + -
Com esta unio h uma recombinao de eltrons e lacunas na regio da juno, formando uma barreira de potencial, j que a migrao dos eltrons cria regies de ons positivos e negativos.
ons negativos ons positivos + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P

+ + + + -
tomo de fsforo
Desta forma, o nmero de eltrons livres maior que o nmero de lacunas geradas pelo calor a temperatura ambiente) ou seja, neste semicondutor os eltrons livres so portadores majoritrios e as lacunas so portadores minoritrios, como mostra a figura abaixo.
+ + + + + -
+ + + + + + +
+ -
+ N
+ + -
Barreira
Barreira de Potencial
Cada lado do diodo recebe um nome: O lado P chamase de ANODO(A) e o lado N chama-se de CATODO(K).
Semicondutor Tipo N
De maneira anloga, se as impurezas encontradas so de tomos de material trivalente (alumnio, boro, glio, etc), as ligaes covalentes formaro lacunas. 3
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POLARIZAO DIRETA DA JUNO PN
Com uma tenso aplicada aos terminais do diodo, algumas caractersticas da barreira de potencial so alteradas. Uma polarizao direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado no lado P e o potencial negativo no lado N. Desta forma os eltrons do lado N so empurrados pelo terminal negativo da fonte e atravessam a barreira de potencial.. Do lado P preenchem as lacunas, mas continuam se movimentando em direo ao terminal positivo da fonte, estabelecendo, assim, uma corrente eltrica. Nestas condies o diodo se comporta praticamente como um curto-circuito. (R muito pequeno)
PRINCIPAIS ESPECIFICAES DO DIODO
1. Como a juno PN possui uma barreira de potencial, na polarizao direta s existe corrente eltrica se a tenso aplicada ao diodo for maior que V (0,7V) 2. Na polarizao direta existe uma corrente mxima que o diodo pode conduzir (IDM) e uma potncia mxima de dissipao (PDM): PDM = V.IDM 3. Na polarizao reversa existe uma tenso mxima chamada de tenso de ruptura ou breakdown (VBR). 4. Na polarizao reversa existe uma corrente muito pequena denominada de corrente de fuga.(IF)
POLARIZAO REVERSA DA JUNO PN
A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte encontra-se no lado P e o potencial positivo do lado N. Por causa da polarizao reversa, os eltrons do lado N so atrados para o terminal positivo e as lacunas para o terminal negativo da fonte. Com isso formam-se mais ons positivos do lado N e ons negativos no lado P, aumentando, assim, a barreira de potencial. A pequena corrente que circula chamada de corrente de fuga (portadores minoritrios) e pode ser desprezada na maioria dos casos.
TESTANDO O DIODO A verificao de junes semicondutoras PN pode ser efetuada com o multmetro, este tipo de teste permite verificar se dodos ou transistores tm as suas caractersticas normais. Para efetuar medies nos componentes importante que o componente no esteja no circuito, a medio de componentes no circuito pode induzir em erro, porque para alm de medir o componente os valores so medidos em conjunto com todos os componentes ligados ao componente.
Nestas condies o diodo se comporta como um circuito aberto (resistncia muito alta). Portanto o diodo um dispositivo que conduz corrente apenas em um nico sentido, quando est polarizado diretamente.
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Sendo assim, necessitam de circuitos que transformam tenses alternadas em tenses contnuas. Estes circuitos so denominados de retificadores. Porm a tenso alternada na entrada de um circuito retificador deve ser adequada ao seu padro de tenso, ou seja, tenso da rede eltrica, antes de ser ligada ao retificador, precisa ser reduzida, trabalho este realizado pelo transformador. SINAL SENOIDAL Um dos sinais eltricos alternados mais comuns o senoidal. O sinal senoidal pode ser representado matematicamente por: Ainda, aps o retificador, necessrio eliminar as variaes da tenso contnua para que a mesma torne-se constante, o que feito atravs de filtros ou circuitos reguladores de tenso. A este conjunto de circuitos d-se o nome de fonte de tenso ou fonte de alimentao. x = XP.sen(y) onde: x: valor instantneo da varivel x XP: valor de pico da varivel x y: domnio da funo x Em eletricidade usamos dois domnios: angular (y = ) (0 < < 2. ) temporal (y = .t) ( = 2. .f)
CAPTULO 4 - RETIFICADORES
O transformador uma mquina eltrica que transforma nveis de tenso e corrente em um circuito. Dentre os vrios tipos de trafos, vamos falar sobre dois: O trafo abaixador e o trafo abaixador com tap central.
Transformador
Sinal Senoidal
O transformador constitudo por dois enrolamentos, o primrio, no qual ligado tenso da rede, e o secundrio, no qual pode ser ligado a carga. Um ncleo de ao, ferrite ou ar realiza o acoplamento magntico entre os enrolamentos.
importante o conhecimento destas trs definies: Valor de pico a pico (XPP) XPP = 2.XPP Valor mdio (XM) XM = 0 Valor eficaz (XRMS ou XEF) XP X RMS 2
CIRCUITOS LIMITADORES
As relaes entre as tenses e correntes dos enrolamentos esto relacionadas ao nmero de espiras destes enrolamentos.
O limitador um circuito que, como o prprio nome diz. Tem como objetivo limitar a tenso de sada do circuito num valor predeterminado, podendo ser negativo, positivo ou ambos.
CIRCUITOS RETIFICADORES
V1 V2
N1 N2
I2 I1
N1 N2
Idealmente a transformao ocorre sem perda de potncia, isto : V1.I1 = V2.I2 5
A gerao e distribuio de energia eltrica efetuada na forma de tenses alternadas senoidais, porm vrios aparelhos eletrnicos precisam de tenses contnuas.
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Exemplo 2 - Determinar o nmero de espiras do secundrio de um transformador projetado para reduzir a tenso da rede de 220V para 12V eficazes, sabendo-se que ele possui 1000 espiras no enrolamento primrio. O transformador com Tap Central permite a obteno de duas tenses no seu secundrio, geralmente de mesmo valor eficaz e com polaridade invertida.
Como a forma de onda na carga no mais senoidal, embora a freqncia seja a mesma da tenso de entrada, o seu valor mdio deixa de ser nulo, existindo uma corrente mdia dada por:
VM
V2P
IM
VM RL
Para que o diodo no queime, ele deve suportar tanto esta corrente mdia quanto a tenso de pico reversa: IDM > IM VBR > V2P
Exemplo 3 - No circuito abaixo determine: (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo.
Transformador com Tap Central RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O mais simples dos retificadores o retificador de meia-onda. A sua constituio bsica um diodo em srie com uma carga RL.
RETIFICADOR DE ONDA-COMPLETA COM TAP
O retificador de onda completa faz com que tanto o semiciclo positivo quanto o negativo caiam sobre a carga sempre com a mesma polaridade. Usando um transformador com tap central, isto possvel atravs do circuito mostrado na figura abaixo.
Retificador de Meia-onda
Pelo circuito do retificador de meia onda, v-se que durante o semiciclo positivo de V2, o diodo conduz (polarizao direta), fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada. Porm, no semiciclo negativo, o diodo corta (polarizao reversa), fazendo com que a tenso de sada seja nula e a tenso de entrada caia toda em cima do diodo como mostra a figura abaixo.
Retificador de onda completa
Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta, fazendo com que a tenso na carga seja positiva e igual tenso no secundrio superior do transformador. Durante o semiciclo negativo o diodo D1 corta e o diodo D2 conduz, fazendo com que a tenso na carga tenha a mesma polaridade que a da situao anterior e a mesma amplitude.
Formas de ondas
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Retificador em ponte
Durante o semiciclo positivo, os diodos D1 e D3 conduzem e os diodos D2 e D4 cortam. Transferindo, assim, toda a tenso de entrada para a carga. Durante o semiciclo negativo, os diodos D2 e D4 conduzem e os diodos D1 e D3 cortam, fazendo com que toda a tenso de entrada caia sobre a carga com a mesma polaridade que a do semiciclo positivo. Neste caso a freqncia do sinal de sada dobra de valor e, portanto a tenso mdia na carga tambm dobra. Por outro lado, como a tenso de pico na carga a metade da tenso de pico no secundrio do trafo, a tenso mdia final a mesma que se obteria usando um retificador de meia onda com este mesmo trafo.
VM
V2P
IM
VM RL
Porm a vantagem esta na especificao do diodo e na qualidade da filtragem. Como cada diodo conduz somente num semiciclo, ele conduz metade da corrente mdia. Por outro lado, a tenso reversa que ele deve suportar corresponde a tenso total de pico do secundrio. IDM > IM/2 VBR > V2P
Exemplo 4 - No circuito abaixo determine: (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo.
Como neste caso a freqncia da tenso de sada dobra de valor, a tenso mdia na carga tambm dobra, ou seja:
VM
2.V2P
IM
VM RL
Os diodos so especificados a partir dos seguintes critrios: IDM > IM/2

Retificador de onda completa
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
VBR > V2P
Outro tipo de retificador de onda completa mostrado na figura abaixo. Algumas vantagens so obtidas.
Exemplo 5 - Um retificador em ponte recebe 25 Vrms e alimenta uma carga de 10 . Determine: (a) a tenso mdia na carga. (b) corrente mdia (c) especificaes do diodo. (d) formas de onda na carga e no diodo D1. 7
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FILTRO CAPACITIVO
Para que a fonte de alimentao fique completa, falta ainda fazer a filtragem do sinal retificado para que o mesmo se aproxime o mximo possvel de uma tenso contnua e constante. A utilizao de um filtro capacitivo muito comum nas fontes que no necessitam de boa regulao, ou seja, que podem ter pequenas oscilaes na tenso de sada. Um exemplo o eliminador de pilhas de uso geral. A figura abaixo mostra a ligao de um filtro capacitivo ligado a um retificador de onda completa em ponte.
at o valor de pico, e assim sucessivamente, formando uma ondulao chamada ripple. Quanto maior o capacitor ou a resistncia de carga, menor ser a ondulao. O valor mdio da tenso de sada ser chamado de VMF e pode ser calculado pelas equaes abaixo: 2.C.R.f .VP Retificador 1/2 Onda: VMF 1 2.C.R.f 4.C.R.f .VP Retificador Onda Comp. VMF 1 4.C.R.f Onde: VMF: Tenso mdia aps filtragem f: freqncia da ondulao R: Resistncia de carga em ohms C: Capacitor de filtro em farads O valor de pico a pico do ripple tambm pode ser calculado pela equao abaixo: VMF VRIPPLE C.R.f Assim, para o projeto de uma fonte de alimentao deve-se antes estipular a tenso mdia de sada e o ripple desejado, para em seguida, calcular o capacitor necessrio para a filtragem, as especificaes dos diodos e as especificaes do transformador. Exemplo 4. Qual seria a nova tenso mdia do circuito do exemplo 3 se usssemos um capacitor de 100 F Exemplo 5. Qual seria a nova tenso mdia do circuito do exemplo 4 se usssemos um capacitor de 220 F Exemplo 6 - Projetar uma fonte de alimentao com tenso de alimentao de 220 VRMS/60 Hz e tenso mdia de sada de 5 V com ripple de 0,1V, para alimentar um circuito que tem resistncia de entrada equivalente a 1 k . Utilizar o retificador em ponte. .
Fonte com Filtro Capacitivo
Com o filtro o sinal de sada fica com a forma mostrada abaixo.
Forma de Onda na Sada da Fonte
Com o primeiro semiciclo do sinal retificado o capacitor carrega-se atravs dos diodos D1 e D3 at o valor de pico. Quando a tenso retificada diminui, os diodos que estavam conduzindo ficam reversamente polarizados, fazendo com que o capacitor se descarregue lentamente pela carga RL. Quando no segundo semiciclo, a tenso retificada fica maior que a tenso no capacitor, os diodos D2 e D4 passam a conduzir carregando novamente o capacitor
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CAPTULO 5 - APLICAES E DIODOS ESPECIAIS
1 - CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE TENSO
4 - ESPECIFICAES DE DIODOS
So empregados para gerarem tenses duas, trs, quatro ou mais vezes maiores que a tenso de pico do secundrio do transformador.
Mostraremos a seguir algumas caractersticas eltricas dos diodos mais comuns em circuitos eletrnicos. Informaes completas podem ser obtidas em HandBooks ou em sites de fabricantes na Internet. Diodo 1N 914 1N 4148 1N 4001 1N 4002 1N 4003 1N 4004 1N 4005 1N 4006 1N 4007 BY 249 IDM (mA) 75 200 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 7000 VBR (V) 75 75 50 100 200 400 600 800 1000 300 Uso Geral Geral Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao Retificao
2 - PROTEO CONTRA ALTA-TENSO
Diodos tambm so utilizados na proteo de dispositivos delicados contra altas tenses geradas por interrupo de corrente em circuitos indutivos. Quando um rel desligado, por exemplo, na sua bobina surgem altas tenses que podem queimar o dispositivo que o controla, por exemplo, um transistor. A tenso que aparece nestas condies tem polaridade inversa do acionamento. Assim se ligarmos um diodo em paralelo, conforme a figura abaixo, quando a tenso perigosa surgir ela polariza o diodo no sentido direto, fazendo-o conduzir e absorver a tenso, evitando que a mesma se propague pelo resto do circuito.
Alguns endereos para pesquisa: http://www.semiconductors.phillips.com http://www.sci.siemens.com http://www.national.com

5 - DIODO EMISSOR DE LUZ - LED
Num diodo, quando polarizado diretamente, uma grande quantidade de portadores atravessa a regio de depleo na qual, alguns deles, recombinam-se com tomos ionizados. Nesse processo, os eltrons perdem energia na forma de radiao. Nos diodos de Silcio ou Germnio, essa radiao irradiada na forma de calor, mas em compostos de arsenato de glio (GaAs), existe a liberao de energia na forma de luz.
Veja que na operao do transistor (dispositivo de comutao), o diodo est polarizado no sentido inverso, no influindo no acionamento.
3 - ACIONAMENTO EM CIRCUITOS DIGITAIS
Diodos tambm esto presentes em circuitos digitais funcionando como vlvulas de reteno. Por exemplo, na figura a seguir0 o diodo impede que a corrente volte para B, quando acionarmos a lmpada por A.
Esse diodos so chamados de diodos emissores de luz ou, simplesmente, LED (Light Emitting Diode) e podem emitir luz visvel, infravermelho ou ultravioleta. 9
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Um fotodiodo portanto um diodo com uma janela sobre a juno PN que permite a entrada da luz. Essa luz produz eltrons livres e lacunas aumentando a quantidade de portadores e, consequentemente, controlando a corrente reversa.
Os LEDs de luz visvel so fabricados acrescendo partculas de fsforo, que dependendo da quantidade podem irradiar luz vermelha, amarela, laranja, verde ou azul, sendo muito utilizado na sinalizao de aparelhos eletrnicos e fabricao de displays alfanumricos. Os infravermelhos so fabricados com InSb (antimoneto de ndio) com aplicao em alarmes, transmisso de dados por fibra tica, controle remoto e etc. Tambm utilizado o GaAs acrescido de alumnio. Os ultravioletas so fabricados a partir do sulfato de Zinco (ZnS). Tambm encontramos LEDs bicolores em um mesmo encapsulamento. Possuindo trs terminais, dependendo de qual for alimentado, ele acender com uma luz diferente. Os LEDs tm as mesmas caractersticas dos diodos comuns, ou seja, s conduzem quando polarizados diretamente com uma tenso maior ou igual a VD. Comercialmente eles trabalham normalmente com correntes na faixa de 10mA a 50mA e tenses na faixa de 1,5 a 2,5 V. Assim para polarizar um LED, deve-se utilizar um resistor limitador de corrente para que o mesmo no se danifique. Exemplo 1 - Determine RS para que o LED do circuito abaixo (VD=2,0V, I=15 mA) funcione adequadamente ,com uma bateria de 9 V. ID Rs
Desta forma, quanto maior a incidncia de luz, maior a corrente no fotodiodo polarizado reversamente. A corrente pode chegar a dezenas de microamperes, mas devem-se ser sempre ligados em srie com um resistor limitador. So encontrados fotodiodos sensveis a vrios tipo de luz, infravermelha, ultravioleta, etc. sendo aplicados em alarme, medidores de intensidade luminosa, sensores e etc. IR Rs
7 - OPTO ACOPLADOR
Um opto acoplador (ou acoplador ptico) nada mais do que um LED associado a um fotodiodo num mesmo invlucro.
Rs V 1
Rs
2 + V 2
Quando o LED polarizado diretamente ele emite uma luz que atinge o fotodiodo, fazendo com que sua corrente reversa seja proporcional a intensidade luminosa emitida pelo LED. Isso significa que a corrente de sada depende da corrente de entrada mesmo havendo uma isolao eltrica entre os dois estgios. O meio transmissor a luz. Este dispositivo muito utilizado em aparelhos com circuitos em altas e baixas tenses, permitindo uma isolao segura entre eles. Tambm so utilizados na decodificao de sinais pulsados, como em mouses, leitura de cartes perfurados, etc.
8 - DIODO ZENER
9V
+ VD -
6 - FOTODIODO
Como foi visto anteriormente, num diodo comum polarizado reversamente existe uma corrente de fuga mantida pela energia trmica e temperatura ambiente. Assim, se houver incidncia de luz sobre a juno PN essa energia tambm pode gerar portadores contribuindo para aumentar a corrente reversa.
O diodo zener um dispositivo que tem quase as mesmas caractersticas que um diodo normal. A diferena est na forma como ele se comporta quando est polarizado reversamente. 10
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No diodo normal, polarizado reversamente, ocorre um fenmeno chamado de efeito avalanche ou efeito zener, que consiste num aumento repentino da corrente reversa, dissipando potncia suficiente para ruptura da juno PN, danificando o diodo. A tenso na qual ocorre o efeito zener chamada de tenso de ruptura ou Breakdown voltage (VBR) O diodo zener construdo com uma rea de dissipao de potncia suficiente para suportar o efeito avalanche. Assim, a tenso na qual este efeito ocorre denominado de tenso zener (VZ) e pode variar em funo do tamanho e do nvel de dopagem da juno PN. Comercialmente so encontrados diodos com VZ de 2 a 200 volts.
O valor da tenso zener forma o restante do cdigo. Por exemplo um diodo com VZ=5,6V teria o cdigo BZX79C5V6 ou BZV60C5V6.
REGULADOR DE TENSO COM ZENER
Nas figuras abaixo temos a tenso superior a tenso zener e a tenso inferior a tenso zener. Se a tenso de entrada for superior a tenso zener, ento a sua sada ser a tenso zener.
Pela curva caracterstica acima, observa-se que a tenso reversa VZ mantm-se praticamente constante quando a corrente reversa est entre IZmin (mnima) e IZmax (mxima). Nesta regio, o diodo zener dissipa uma potncia PZ que pode ser calculada por: PZ = VZ.IZ Com esta sua propriedade de tenso constante a grande aplicao do diodo Zener de atuar como regulador de tenso.
ESPECIFICAES
Se a tenso zener for menor que a tenso zener, ento a tenso de sada vai ser igual a tenso de entrada.
As principais especificaes do diodo zener so: VD: Tenso de conduo na polarizao direta VZ: Tenso Zener IZmax: Corrente zener mxima IZmin: Corrente zener mnima (IZmin=0,1x IZmax) PZM: Potncia zener mxima Os componentes fabricados pela Phillips recebem a codificao BZX79, BZV60, BZT03 e BZW03 de acordo com a PZM: 0,5; 0,5; 3,25 e 6 W, respectivamente.
No circuito abaixo formado por um diodo zener polarizado reversamente pela fonte VE e um resistor limitador de corrente, temos que: VE = RS.IZ + VZ
Rs Iz Ve + + Vz _
A tenso VZ permanece constante para correntes entre IZmin e IZmax. Podendo o diodo ser substitudo pelo seu modelo ideal.
Iz Iz + Vz
Para uma melhor preciso nos clculos pode-se usar o modelo real que contm uma resistncia Rz em srie. 11
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Iz Iz + Vz Rz
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REGULADOR DE TENSO COM CARGA
As quatro aplicaes bsicas dos reguladores de tenso, so as seguintes: Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso constante. Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso constante. Estabilizar uma tenso de sada para uma carga fixa a partir de uma tenso com ripple. Estabilizar uma tenso de sada para uma carga varivel a partir de uma tenso com ripple. O primeiro caso seria o mais simples, por exemplo, se desejssemos alimentar um aparelho de 4,5 V a partir de uma bateria de 12 V. O ltimo caso o mais geral, geralmente o encontrado nas fontes de tenso com filtros capacitivos. Basicamente, o projeto de um regulador de tenso com carga consiste no clculo da resistncia limitadora de corrente RS conhecendo-se as demais variveis do circuito: Tenso de entrada (constante ou com ripple) Carga (fixa ou varivel) Tenso de sada esperada Especificaes do diodo zener
Rs Is + Vz _ Iz IL Carga + VL RL _
Na especificao de um circuito regulador devemos nos preocupar em definir limites para VE e RS de modo a no danificar o diodo. Duas consideraes devem ser observadas na obedincia deste limite. O diodo zener no regula (desliga) caso que a corrente que passa por ele seja menor que a corrente zener mnima (IZmin). Esta condio limita o valor mnimo da tenso de entrada e o valor mximo da resistncia limitadora de corrente. O diodo zener se danifica caso a corrente que passa por ele seja maior que a corrente zener mxima (), ou caso a potncia dissipada por ele seja maior que a potncia zener mxima (IZmax) Exemplo 2 - Dado o circuito abaixo (Rs=120 ) e as especificaes do diodo zener, determinar os valores mximos e mnimo da tenso de entrada para que o diodo zener funcione como um regulador de tenso. Diodo BZX79C6V2 - 0,5W - IZmin=5mA
Rs Iz Ve + + Vz _
Exemplo 3 - No circuito acima Ve est fixo em 25 V, determinar os valores mximos e mnimo da resistncia RS para que o diodo zener funcione como um regulador de tenso. Diodo BZT03C9V1 - 3,25W - IZmin=50mA
Ve
Equaes fundamentais: IS = IZ+IL VE=RS.IS+VZ
VZ=VL=RL.IL
CAPTULO 6 - TRANSISTORES BIPOLARES

invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastantes significativas, tais como: Menor tamanho Muito mais leve No precisava de filamento Mais resistente Mais eficiente, pois dissipa menos potncia No necessita de tempo de aquecimento Menores tenses de alimentao.
1 - A REVOLUO Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR.
O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as VLVULAS na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu para todas as
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FAETEC Escola Tcnica Estadual de Santa Cruz
PROF: MARIO GORETTI
Eletrnica
Hoje em dia as vlvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicaes, em aparelhos fabricados na dcada de 70 e devido ao romantismo de alguns usurios. O NOME TRANSISTOR Transistor (transference resistor) um componente constitudo de uma pastilha monocristalina de material semicondutor (Germnio ou Silcio) com regies dopadas com impurezas do tipo N e do Tipo P. APLICAO DOS TRANSISTORES Os transistores dependendo do fim a que se destina, pode funcionar como: a) Amplificador de corrente; b) Amplificador de sinal; c) Chave eletrnica.. TIPOS DE TECNOLOGIAS Tradicionalmente os transistores se dividem em dois(2) grupos: a saber: 1.Bipolares; 2.Unipolares ou de efeito de campo. 1o-Bipolares so aqueles formados por trs (3) regies semicondutoras de polaridades alternadas existindo entre elas duas junes.As regies recebem os nomes de emissor (E), Base (B), e coletor (C). Baseiam o seu funcionamento com alimentao de corrente na base. ASPCTOS E TERMINAIS A figura ao lado mostra um transistor com um tipo de encapsulamento, mas os terminais so sempre 3, os nomes so sempre base, emissor e coletor, mas pode apresentar uma outra ordem nos terminais.
Emissor- a outra extremidade; por onde sai a corrente que foi controlada. POLARIZAO DAS JUNES JUNO POLARIZADA DIRETAMENTE: A juno BE est polarizada diretamente, nota que o potencial positivo esta em B, cuja camada P (Positivo da bateria no P de positivo) JUNO POLARIZADA INVERSAMENTE: A juno BC est inversamente polarizada, pois o P est ligado em B e por sua vez est ligada ao terminal Negativo da bateria VCB, o potencial Positivo da bateria VCB est ligado ao material N de negativo.
O principio do transistor poder controlar a corrente, como mostrado na figura acima. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor, As extremidades so chamadas de emissor e coletor, e a camada central chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os smbolos eltricos dos transistores so mostrados na figura abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.
PARMETROS A (ALFA) E B (BETA)

Na anlise DC, os valores de IC e IE devidos aos portadores majoritrios so relacionados por um parmetro denominado a (alfa) e definido pela equao: O TRANSISTOR BIPOLAR A figura abaixo representa a dinmica que acontece quando se faz a combinao das camadas N e P, ao se aplicar um potencial eltrico conforme indicado na figura, teremos ento o transistor pronto para funcionar, claro, esta representao tem como objetivo mostrar as junes polarizadas diretamente e a juno polarizada inversamente. ENTENDEDO OS TERMINAIS Vamos agora entender o que Base , coletor e emissor. Base- a parte que controla a passagem da corrente;quando a base est energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no h sinal no existe essa conduo. A base esquematicamente o centro do transistor. Coletor uma das extremidades do transistor; nele que entra a corrente a ser controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou propriedade do transistor conhecido como (beta) e diferente em cada modelo de transistor.
Na anlise AC, as variaes nos valores de IC e IE so relacionadas por um parmetro denominado a (alfa) e definido pela equao:
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Na anlise DC, os valores de IC e IB so relacionados por um parmetro denominado b (beta) e definido pela equao:
Formao do transistor NPN e a representao interna.
Aspecto interno em relao a simbologia
Aspecto interno em relao as camadas NPN.
EM RESUMO: Existem dois tipos de portadores de cargas eltricas: eltrons negativos e lacunas positivas. No material do tipo N os eltrons so portadores majoritrios de carga e as lacunas so portadoras minoritrias de carga. No material do tipo P as lacunas so portadoras majoritrias de carga e os eltrons so portadores minoritrios de carga. O material do tipo N possui ambos os tipos de portadores de carga. Porm, os eltrons so os portadores principais de corrente. O material do tipo P possui ambos os tipos de portadores de carga; porm, as lacunas so portadoras principais de corrente. Os transistores bipolares possuem trs eletrodos: emissor, base e coletor. Existem dois tipos de transistores bipolares: NPN e PNP. Os transistores bipolares usam ambos os tipos de portadores de carga isto , usam tanto eltrons como lacunas. Um transistor NPN normalmente opera com a base e o coletor positivos, com relao ao emissor. Um transistor PNP normalmente opera com a base e o coletor negativos, com relao ao emissor. A juno Base-Coletor sempre ser polarizada inversamente. A juno Base-Emissor sempre ser polarizada diretamente. A barreira de potencial formada com materiais de silcio ter como valor 0,7 volts aproximadamente. A barreira de potencial formada com materiais de germnio ter como valor 0,3 volts aproximadamente.
FORMAO DO TRANSISTOR PNP
Formao do transistor NPN e a representao interna.
Aspecto interno em relao a simbologia
FORMAO DO TRANSISTOR NPN
Aspecto interno em relao as camadas NPN.
Aspecto na formao O transistor hermeticamente fechado em um encapsulamento plstico ou metlico de acordo com as suas propriedades eltricas. ENCAPSULAMENTOS
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TERMINAIS DOS TRANSISTORES MAIS COMUM
TRANSITORES DE USO GERAL
TRANSISTORES DE POTENCIA TESTANDO O TRANSISTOR NPN
COM RADIADOR DE CALOR ADICIONAL
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R: Polaridade inversa
CARACTERSTICAS CONSTRUTIVAS O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga. A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo emissor O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor.
TESTANDO TRANSISTOR PNP
Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N. O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base. Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transistor.
FUNCIONAMENTO
TRANSSTORES BIPOLARES A Reta de Carga (EC) Polarizao de Base
Inicialmente vamos fazer uma polarizao que nos permite apenas estudar o seu funcionamento. Na prtica existem outras maneiras de polarizar os transistores. Tomando o nosso transistor NPN como exemplo, para polarizlo ligamos uma bateria de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1) atravs de um potencimetro na base do transistor. Veja a figura, na seqncia:
CODIFICAO EXEMPLOS DE CONDIFICAO DOS SEMICONDUTORES 1) BC547B B: Silcio C: Transistor para aplicaes auditivas (Rthj-para> 15 K/W). 547 B: Sucesso alfanumrica de srie. 2) AAZ15 A: Germnio A: Diodo de comutao Z: Uso o profissional 15: Sucesso alfanumrica de srie
O circuito da figura abaixo um exemplo de polarizao de base, isto , estabelecer um valor constante para a corrente de base. Isto mesmo que mudemos o transistor e a temperatura se altere.
Vejamos o que acontece: partimos inicialmente da condio em que o cursor do potencimetro est todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tenso aplicada base do transistor Zero (0).Nestas condies, a juno que existe entre a base e o emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, no tem polarizao alguma e nenhuma corrente pode fluir.A corrente de base ( Ib) do transistor zero(0). Da mesma forma , nestas condies a corrente entre o coletor e o emissor do transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 nula. Veja a figura a seguir:
3) BZY96C3V9R B: Silcio Z: Diodo Zener Y: Uso profissional 96: Sucesso alfanumrica de srie C: Tolerncia de 5% sobre a tenso nominal que estabiliza 3V9: Tenso nominal 3,9 V.
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Observe nas figuras a seguir essas orientaes das correntes em um transistor NPN e PNP.
Movimentando gradualmente o cursor do potencimetro no sentido de aumentar a tenso aplicada base do transistor, vemos que nada ocorre de anormal at atingirmos o ponto em que a barreira de potencial da juno emissor-base do transistor vencida.(0,2 V para o germnio e aproximadamente 0,7V para o silcio).Com uma tenso desta ordem, comea a circular uma pequena corrente entre a base e o emissor. Esta corrente entretanto tem um efeito interessante sobre o transistor: uma corrente tambm comea a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente varia proporcionalmente com a corrente de base. Veja a figura, na seqncia:
No NPN: Corrente de base-= Ib>> sentido horrio. Corrente de coletor=Ic>Sentido anti-horrio.
No PNP: Corrente de base=Ib>>sentido anti-horrio. Corrente de coletor.=Ic.sentido horrio. EXEMPLO: POLARIZAO DE EMISSOR
medida que movimentamos mais o potencimetro no sentido de aumentar a corrente de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na mesma proporo. Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA, dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes, ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor entretanto no se mantm em toda a faixa possvel de valores. Existe um ponto em que um aumento de corrente de base no provoca mais um aumento na corrente de coletor que ento se estabiliza. Dizemos que chegamos ao ponto de saturao, ou seja, o transistor satura Abaixo o grfico que mostra este fenmeno.
Como estamos na regio ATIVA, ento VBE = 0.7 V. Na malha de entrada a tenso de entrada 5 volts, 5 volts 0,7 volts = 4,3 volts. Esta a tenso no ponto VE.
Observe ento que existe um trecho linear deste grfico que denominado de Curva caracterstica do transistor. Na figura a seguir temos o funcionamento de um transistor PNP. Observa-se que a nica diferena se o mesmo fosse utilizado no exemplo dado acima, est no sentido de circulao das correntes e portanto na polaridade das baterias usadas.
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Grficamente:
e VCE= VCC IC.RC = 15 V (1,43 mA) . (3 k) = 10,7 V Portanto, o chamado ponto quiescente (Q) (quieto) ou de funcionamento em repouso (PFR) ser: IC = 1,43 mA e VCE = 10,7 V EXEMPLO GRFICO O PFR tambm poder ser obtido de forma grfica, se tivermos a caracterstica de sada do transistor, usando a chamada reta de carga, como se mostra na figura seguinte. VCE = VCC RC.IC logo, equao (a)
Si cc = 150 s varia IB.
IC
VCC VCE RC
A reta de carga obtida representando esta equao sobre a caracterstica de sada do transistor.
Influencia da variao de cc.
E teramos: VCE = 8,77 V Com cc = 150:
Com cc = 50:
Chama-se reta de carga porque representa o efeito da carga (RC) em IC e VCE. A maneira mais fcil de a traar usar os dois pontos extremos usando a equao (a)
EXEMPLO NMERICO
Primeiro Ponto: (Fazendo Vce = 0) VCE=0 > tiramos IC = 5mA Segundo Ponto: (Fazendo Ic = 0) IC=0 > tiramos VCE = 15V da equao anterior (*) e, esses dois pontos sero suficientes para definir a reta. A UTILIDADE DA RETA DE CARGA A reta de carga til porque contm todos os pontos de trabalho possveis para o circuito: variando IB de 0 a infinito, o transistor percorrer todos os pontos da reta de carga.
Por exemplo, se RB for de 1M IB ser de 14,3 A. PONTO DE SATURAO Se DC = 100, a corrente de coletor ser 1,43 mA Quando a RB demasiado pequena, h excesso de corrente no coletor e a VCE tende para zero. Neste caso
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dizemos que o transistor satura, o que significa que a corrente de coletor atingiu o seu mximo valor possvel. O ponto de saturao o ponto em que a reta de carga corta a zona de saturao das curvas de sada, isto , no seu extremo superior. Iremos tomar esse valor como aproximao, isto , no nosso caso, IC=5 mA e VCE = 0, isto , como que haver um curto-circuito (imaginrio) entre o coletor e o emissor, pelo que ficamos com:
Soluo Com um curto-circuito imaginrio entre o coletor e o emissor: ICsat = 9V/3k = 3mA Agora, com um circuito aberto imaginrio entre o coletor e o emissor: VCEcorte = 9V Podemos ento desenhar as duas retas de carga.
I CSA TUR A O
PONTO DE CORTE
VCC RC
EXERCCIO 1: Quais so a corrente de saturao e a tenso de corte na figura seguinte:
O ponto de corte o ponto o ponto em que a recta de carga corta a zona de corte das curvas de sada, no extremo inferior (IC muito pequena) Este ponto indica a tenso mxima que VCE consegue atingir. Por aproximao vamos fazer IC=0 > VCEcorte = VCC Neste caso entre o coletor e o emissor existe um circuito aberto imaginrio. Exemplo 1: Quais so as correntes de saturao e a tenso de corte na figura:
EXERCCIO 2: Calcule os valores de saturao e corte para a figura seguinte. Depois desenhe as retas de carga deste e do exerccio anterior e compare-as.
Soluo Imagine-se um curto-circuito entre o coletor e o emissor. Ento: Vcsat = 30 V / 3 k = 10mA Imagine-se agora os terminais coletor-emissor em aberto. Ento: VCEcorte=30V Exemplo 2: Calcule os valores de saturao e corte para a figura seguinte. Desenhe as retas de carga para este exemplo e o anterior
- concluso: quanto menor for RC, mais inclinada a reta de carga. O PONTO DE TRABALHO Exemplo da figura seguinte
Depois de traar a reta de carga, como j aprendemos, podemos calcular IB. Imaginemos, por agora, o transistor ideal > VBE = 0V Ento: IB = 15 V / 500 k = 30 A Se o ganho de corrente for, por exemplo, DC=100, teremos: IC = 100 . (30 A) = 3 mA Esta corrente, ao circular pelos 3 k, produz uma tenso de 9V na resistncia de coletor, pelo que:
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VCE = 15 V (3 mA) . (3 k) = 6 V Marcando estes pontos de IC e VCE no grfico, ficamos com o ponto Q.
a usada quando se pretende usar o transistor como amplificador, devido aos problemas que vimos com a polarizao de base, pois esta polarizao de emissor consegue aquilo que os amplificadores precisam: um ponto de funcionamento em repouso (Q) constante, mesmo perante a grande variao de DC dos transistores do mesmo modelo fabricados em srie. IDIA BSICA A fonte de polarizao de base aplica-se diretamente base. O emissor no ficar diretamente ligado massa mas sim atravs de uma resistncia de emissor RE. Assim, VE = VBB VBE
Porque que o ponto Q varia? Se IB constante e, de fbrica, os DC podem variar muito para o mesmo modelo, corremos o risco de o transistor entrar em corte ou saturao. A figura anterior representa o caso em que DC de 50 (QL) e 150 (QH) em vez dos 100 de catlogo, o que perfeitamente possvel. Concluso: A polarizao de base muito sensvel ao ganho de corrente do transistor (DC) e este muito varivel mesmo para o mesmo modelo. As frmulas: As frmulas para calcular o ponto Q so as seguintes: Como achar o ponto Q? Vejamos o exemplo da figura seguinte
IB
VBB VBE RB
VE = 5 V 0,7 V = 4,3 V usando a lei de ohm para calcular a corrente de emissor:
IC = DC . IB VCE = VCC RC. IC EXEMPLO 1: Suponha que a resistncia de base na figura (**) aumenta at 1M. Que sucede com a tenso coletor-emissor se DC valer 100? Soluo: Continuando a considerar, a corrente de base diminuir at 15 A, a corrente de coletor diminuir at 1,5 mA e a tenso coletor-emissor aumentar at VCE = 15 (1,5 mA) . (3 k) = 10,5 V POLARIZAO DE EMISSOR
IE
4,3V 2,5k
1,95 mA
Isto supe que, em muito boa aproximao, I C = IE Quando IC circula por RC produz uma queda de tenso de 1,95V, pelo que: VC = 15 (1,95 mA) . ( 1 k) = 13,1 V e VCE = 13,1 V 4,3 V = 8,8V Assim, o Q ter como ter como coordenadas: IC = 1,95 mA e VCE = 8,8 V O circuito imune s alteraes do ganho de corrente Vejamos agora de onde vem a importncia da polarizao de emissor e como imobiliza Q face a variaes de DC Vejamos os passos que aplicamos para calcular Q: . Obter a tenso de emissor . Calcular a corrente de emissor . Achar a corrente de coletor
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. Calcular VCE Em nenhum ponto houve necessidade de usar DC no processo, ao contrrio da polarizao de base (confirme atrs). A corrente fixa agora IE (quase igual a IC), ao contrrio da polarizao de base em que a corrente fixa era a de base e IC = DC . IB EXEMPLO 1: Qual a tenso entre o coletor e a terra na figura seguinte? E entre o coletor e o emissor? Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC e vice-versa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao de corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base. O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo ativo. Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da corrente de base , isto : IC Ganho( ) IB Obviamente, a corrente de coletor no pode aumentar infinitamente. H um limite definido pelo transistor e elementos perifricos (resistores). Para a anlise dos circuitos com transistores, vamos encontrar as seguintes grandezas eltricas
RC IB IC RB + VC + VB IE
Soluo: A tenso de base de 5V. A tenso de emissor 0,7 V menor que ela, o que quer dizer que VE = 5 V 0,7 V = 4,3 V esta tenso est aos extremos da resistncia de emissor, que agora de 1 k. Portanto, a corrente de emissor
IE
4,3V 1k
4,3mA
VCB _ IB +
IC VBC + VCE _ + IB _ VEB + _ _
IC
A corrente de coletor aproximadamente igual a 4,3 mA. Quando esta corrente circula pela resistncia de coletor (neste caso de 2 k) produz uma tenso de IC . RC = (4,3 mA) . (2 k) = 8,6 V e ento VC = 15 V 8,6 V = 6,4 V e VCE = 6,4 V 4,3 V = 2,1 V OS LIMITES TRANSISTORES DE OPERAO DOS
VEC +
+ VBE _ NPN
PNP Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:

IE = I C + IB NPN: PNP: VCE = VBE + VCB VEC = VEB + VBC
IE
IE
Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.
So definidos trs estados para os transistores: CORTE: No h corrente de base e conseqentemente corrente de coletor. SATURAO: A corrente de coletor atingiu o seu mximo, indicado por uma tenso VCE<0,2V ATIVA: A corrente de coletor proporcional a corrente de base
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EXEMPLO 1 - No circuito com o transistor de silcio ( =100) abaixo determine: a) Correntes IB, IC e IE b) Tenso VCE c) Queda de tenso do resistor de 100
Tenso mxima de coletor - VCEMAX Corrente mxima de coletor - ICMAX Potncia mxima de coletor - PCMAX Tenso de ruptura das junes
PCMAX = VCEMAX.ICMAX Exemplos de parmetros de transistores comuns. Tipo PolaRidade NPN NPN NPN NPN PNP PNP VCEMAX (V) 45 30 60 80 -30 -60 ICMAX (mA) 100 800 3000 15000 -200 -600
100 IB IC 47k + 9V IE
BC 548 2N2222 TIP31A 2N3055 BC559 BFX29
125 a 900 100 a 300 20 a 50 20 a 50 125 a 900 50 a 125
4 - CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES
Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operarem apenas com correntes de baixa intensidade, sendo, portanto, quase todos iguais nas principais caractersticas. Com o passar dos anos, ocorreram muitos aperfeioamentos nos processos de fabricao que levaram os fabricantes a produzirem transistores capazes de operar no s com pequenas correntes mas tambm com correntes elevadas, o mesmo acontecendo com s tenses e at mesmo com a velocidade.
Exemplo 2 - No circuito com o transistor de silcio 2N2222( =120) abaixo determine: d) Corrente IB e) Tenso VCE f) Potncia dissipada pelo transistor
27 IB 240mA R 2N2222 IE + 12V
6 - TRANSISTOR COMO CHAVE
O estudo das caractersticas principais efetuado por famlias (grupo de transistores com caractersticas semelhantes), que so: Uso Geral: Potncia:
Pequenos sinais Baixas Freqncias Corrente IC entre 20 e 500mA Tenso mxima entre 10 e 80 V Freqncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz Correntes elevadas Baixas freqncias Corrente IC inferior a 15A Freqncia de transio entre 100 kHz e 40 MHz Uso de radiadores de calor
A utilizao do transistor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao como chave. A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma corrente pela base do transistor, ele satura e acende a lmpada. O resistor ligado a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no caso, a lmpada. Veja que temos aplicada uma tenso positiva num transistor NPN, para que ele sature e uma tenso negativa, para o caso de transistores PNP, conforme mostra a figura abaixo.
RF - Rdio Freqncia:
Pequenos sinais Freqncias elevadas Correntes IC inferior a 200mA Tenso mxima entre 10 e 30V Freqncia de transio em 1,5 GHz
5 - OS LIMITES DOS TRANSISTORES
Os transistores, como quaisquer outros dispositivos tm suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros que possuem valores mximos:
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6.1 - CLCULO DE RESISTORES PARA USO COMO CHAVE ELETRNICA.
O uso do transistor como chave implica em polariz-lo na regio de corte ou de saturao. Como o corte do transistor depende apenas da tenso de entrada, o clculo dos transistores efetuado baseado nos parmetros de saturao. Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,2V e um ganho de valor mnimo (entre 10 e 50) para garantir a saturao. A corrente de coletor de saturao depende da resistncia acoplada ao coletor ou da corrente imposta pelo projeto. Exemplo 3 - No circuito a seguir, deseja-se que o LED seja acionado quando a chave estiver na posio ON e desligado quando a chave estiver na posio OFF. Parmetros do transistor BC 548: VBE=0,7V VCE=0,3V ICMAX=200mA VCEMAX=30V =20 Parmetros do LED: V =1,5V ID=25mA
Parmetros do 2N2222: VBE=0,7V VCE=0,3V =10 ICMAX=500mA VCEMAX=100V Parmetros do rel: RR=80
IR=50mA
7 TRNSISTOR COMO AMPLIFICADOR INTRODUO A AMPLIFICAO DE SINAL ELTRICO E SOM.
Na figura abaixo temos a representao de um sistema de reforo sonoro muito simples, cujo objetivo fornecer a um alto falante certo valor de potencia eltrica a partir do sinal eltrico fornecido pelo microfone.
Simbologias
EXEMPLO 4 - Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 220V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem o transistor podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a seguir.
NVEIS Quando posicionamos o valor de potencia , presso sonora, tenso ou corrente eltrica de um sinal em uma escala em dB (decibis), obtemos um nvel de sinal. As escalas em dB mais usadas so: NIVEL DE PRESSO SONORA (Lp): dB SPL
Onde p a presso sonora medida em Pascal (Pa) e p o= -6 20x10 Pa, o valor de presso sonora correspondente ao limiar de audio a 1 kHz. NIVEL DE POTNCIA (Lw): Dbw ou dBm.
Neste circuito, em srie com RC, coloca-se a bobina do rel. Esta bobina, normalmente, apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser to baixa, o resistor RC, tem a funo de limitar a corrente no transistor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para evitar que o transistor se danifique devido tenso reversa gerada por ela no chaveamento do rel.
Onde P a potncia em watts e Pref = 1W para nveis em dBW ou Pref = 1mW para nveis em dBm. NVEL DE TENSO ELTRICA: dBV ou dBu.
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Onde e ser a tenso eltrica medida , em volts, eref ser 1V para nveis em dBV ou 0,775 V para nveis em dBu. Convertendo nveis de potncia (dBW) em valor de potncia (W):
Possui baixa impedncia de entrada e alta impedncia de sada, seu sinal de entrada ser uma corrente eltrica e de sada tambm. Um transistor um exemplo de amplificador de corrente.
AMPLIFICADOR DE TRANSRESISTNCIA
Possui baixa impedncia de entrada e de sada, seu sinal de entrada ser uma corrente e o de sada uma tenso.
Convertendo nveis de presso (dB SPL) em valores de presso sonora p (Pa):
AMPLIFICADORES DE TRANSCONDUTNCIA Possui alta impedncia de entrada e sada, seu sinal de entrada ser uma tenso eltrica e o de sada uma corrente. Todos os quatro tipos podem ser usados para conseguir o GANHO DE POTENCIA Gp definido como:
SENSIBILIDADE Num sistema de udio, lidamos com dois tipos de sensibilidades eltricas: a) Sensibilidades dos transdutores: uma indicao da eficincia de converso dos transdutores. Sensibilidades dos microfones: (transdutor de entrada). Sensibilidade dos estgios de amplificao: Ser o valor do sinal de entrada, geralmente uma tenso, que produz um valor determinado ou nominal de: tenso, corrente, ou potencia de sada. Pode ser expressa na forma de um nvel de sinal de entrada em dB.
b)
GANHO EM dB
GANHO Damos nome de ganho razo entre as grandezas de sada e entrada de um sistema eltrico que transportam informao, de forma que:
Resulta muito mais conveniente expressar o ganho dos estgios em dB para no ter que lidar com nmeros muito grandes. Isto ser possvel para os ganhos adimensionais como os de tenso, corrente e potncia. Para corrente, tenso e potncia, podemos calcular o ganho em dB dos estgios de amplificao atravs das expresses: AMPLIFICADOR GANHO DE TENSO
Quando as grandezas de entrada e sada tem a mesma natureza, como acima, ganho ser adimensional, caso contrrio, teremos relaes de transferncia com dimenses de resistncia ou condutncia, como abaixo:
AMPLIFICADOR GANHO DE CORRENTE
GANHO DE POTNCIA EM dB. Teremos ento quatro tipos de amplificadores possveis em um sistema eltrico. AMPLIFICADORES DE TENSO
Possui alta impedncia de entrada e baixa impedncia de sada, seu sinal de entrada ser uma tenso eltrica e o de sada tambm. A grande maioria dos estgios de amplificao em um sistema de udio funciona assim. So construdos pela interligao de vrios componentes ativos como transistores, FETs ou vlvulas eletrnicas com componentes passivos como resistores, capacitores e transformadores. A maioria dos estgios de amplificao em um sistema de udio funciona como amplificador de tenso.
Calcula-se o ganho de potncia em dB pela seguinte expresso:
AMPLIFICADORES DE CORRENTE
Os amplificadores ou estgios de amplificao empregados em sistemas de udio so, em sua grande maioria, amplificadores de tenso e, portanto, possuem baixa impedncia de sada e alta impedncia de entrada. O bloco fundamental da moderna eletrnica analgica o amplificador operacional de tenso, ou Amp Op.
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Em torno destes componentes construem-se estgios de ganho, pr-amplificadores, equalizadores e filtros analgicos. Exemplos:
PONTO DE OPERAO DO TRANSISTOR
TESTE DE TRANSISTORES
H trs maneiras de se verificar um transistor: com o traador de curvas, os medidores digitais e o ohmmetro. O traador de curvas plota em uma tela as curvas caractersticas de sada do dispositivo em anlise, permitindo uma anlise detalhada. Alguns multmetros digitais possuem a opo de medio de hFE ou utilizando soquetes que aparecem ao lado da chave comutadora do instrumento. O valor de ganho calculado para uma corrente de base fixa que varia de instrumento para instrumento. Um ohmmetro ou as escalas de resistncia de um multmetro digital, pode ser utilizado para determinar o estado de um transistor. Lembre-se de que, para um transistor na regio ativa, a juno base-emissor est diretamente polarizada, e a juno base coletor est reversamente polarizada. Assim, portanto, a juno diretamente polarizada deve registrar um valor de resistncia mais ou menos baixo, enquanto que a juno reversamente polarizada, um valor muito mais alto de resistncia. Para um transistor NPN a juno base-emissor deve ser testada, como mostra a figura abaixo, resultando em uma leitura na faixa de 100 a alguns k . A juno base-coletor deve apresentar leituras acima de 100 k .
SOLUO
Para um transistor PNP, os terminais devem ser trocados de posio a cada medio. Obviamente, uma resistncia pequena ou grande demais em ambas as direes (invertendo os terminais), para cada juno de um transistor NPN ou PNP, indica que se trata de um dispositivo defeituoso. Com base nestas leituras pode se identificar os terminais do transistor, mas mais prtico observar o seu encapsulamento e consultar o manual.
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A figura a seguir resume os valores de resistncia que devem ser encontrados a cada medio (A: Alta; B: Baixa).
totalmente diversa do esperado, como 0V, 4V ou 12V, ou at mesmo valor negativo, devendo-se verificar as conexes do dispositivo ou circuito. Para um transistor PNP podem ser utilizadas as mesmas conexes, mas as leituras sero negativas. Um nvel de tenso de igual importncia a tenso coletor-emissor. Lembre-se das caractersticas gerais de um TBJ, que valores de VCE em torno de 0,3V sugerem um dispositivo saturado, condio que no deve existir, a menos que o transistor esteja sendo utilizado no modo de chaveamento.
Outra maneira de se provar um transistor com um circuito simples destinado a isso, como a da figura a seguir.
Para um transistor tpico na regio ativa, a tenso VCE normalmente 25% a 75% de VCC. Apertando o interruptor de presso o LED deve acender se transistor em teste estiver bom. Se o LED acender antes de pressionarmos o interruptor ento o transistor est em curto. Se no acender quando pressionarmos o interruptor ento o transistor est aberto. Se o LED acender fraco antes de apertarmos S1 ento o transistor est com fuga. Para VCC=20V, uma leitura de 1 a 2V ou 18 a 20V para VCE certamente um resultado estranho merecendo uma anlise mais cuidadosa. Nestes casos h, no mnimo, duas possibilidades, ou o dispositivo est danificado e comporta-se como um circuito aberto entre os terminais de coletor-emissor, ou uma conexo na malha coletoremissor est aberta estabelecendo IC=0mA Um dos mtodos mais eficientes de verificao de operao do circuito checar os nveis de tenso relativo ao terra. Para isso, coloca-se a ponta preta (negativa) do voltmetro no terra e troca-se a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado.
TCNICAS DE SOLUO DE PROBLEMAS
A arte de contornar problemas um tpico bem abrangente, de forma que todas as alternativas e tcnicas existentes no podem ser abordadas completamente. Entretanto o tcnico deve conhecer alguns macetes e medidas bsicas que consigam isolar a rea do problema, e possibilitar a identificao de uma soluo. Obviamente, o primeiro passo para a identificao do problema entender bem o comportamento do circuito, e ter alguma idia dos nveis de tenso e correntes existentes. Para o transistor na regio ativa, o nvel DC mais importante a ser medido a tenso base-emissor. Para um transistor ligado, a tenso VBE deve ser aproximadamente 0,7V As conexes apropriadas para a medio de VBE aparecem na figura a seguir. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do multmetro est conectada no terminal de base para um transistor NPN, e a ponta preta no terminal do emissor. Devemos suspeitar de qualquer leitura
Na figura acima se a ponta vermelha for conectada diretamente a VCC, deve-se obter a leitura de VCC volts. Em VC a leitura deve fornecer um valor menor, j que h uma queda de tenso atravs de RC e VE deve ser menor que VC, devido a tenso coletor-emissor VCE. Algum valor no esperado para um destes pontos pode ser aceitvel,
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mas em certas ocasies pode representar conexo malfeita ou dispositivo defeituoso. Se VRC e VRE apresentarem valores aceitveis, mas VCE for de 0V, provvel que o TBJ esteja com defeito, resultando em um curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor. Via de regra, os nveis de corrente so calculados a partir dos nveis de tenso, no necessitando da insero no circuito de um multmetro com a funo de miliampermetro. Para esquemas de circuitos extensos, em geral so fornecidos nveis de tenso especficos, facilitando a identificao e verificao de possveis pontos problemticos. EXEMPLO 5 - Baseado nas leituras fornecidas, determine se o circuito est operando adequadamente.
O ganho de corrente do circuito aumenta bastante sendo T = 1x 2. Podem ser encontrados transistores montados desta forma num nico encapsulamento. Pelo seu alto ganho de corrente, ele deve suportar altas correntes, sendo aplicado em amplificadores de potncia e fontes de alimentao.
RADIADORES DE CALOR
EXEMPLO 6 - Baseado nas leituras determine o estado do transistor e se o circuito est operando corretamente.
Os transistores tem sua potncia mxima especificada em funo da temperatura ambiente (25 C) e da temperatura interna do transistor. Se a temperatura aumentar a potncia mxima dissipada tende a diminuir. Uma maneira usual de compensar a diminuio da potncia de dissipao de um transistor a utilizao de dissipadores de calor. Trata-se de uma chapa metlica de boa condutibilidade trmica (alumnio), geralmente com aletas, na qual acoplado o transistor, aumentando-se a rea de contato entre ele e o meio ambiente e, conseqentemente facilitando a troca de calor. S para ter uma idia da importncia do dissipador de calor, num transistor TIP 29, a potncia mxima passa de 2W para 30W com dissipador.
TRANSISTORES DARLINGTON
EXERCCIOS
Quando acoplamos dois transistores diretamente, da forma abaixo, estamos realizando a conexo DARLINGTON. Questes: 1. O ganho de corrente de um transistor define-se como a relao entre a corrente de coletor e: a) A corrente de base b) A corrente de emissor c) A corrente da fonte de alimentao d) A corrente de coletor
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2. Se a resistncia de base diminuir, a tenso de coletor provavelmente: a) Diminuir b) No muda c) Aumenta d) Qualquer das opes anteriores 3. Se a resistncia de base muito pequena, o transistor funcionar na zona: a) De corte b) Ativa c) De saturao d) De ruptura 4. Sobre uma reta de carga mostram-se trs pontos Q diferentes. O ponto Q superior tem: a) Ganho de corrente mnimo b) Ganho de corrente intermdio c) Ganho de corrente mximo d) A corrente de coletor em corte 5. Se um transistor estiver a funcionar na parte central da reta de carga, um aumento da resistncia de base far com que o ponto Q se mova: a) Para baixo b) Para cima c) Fica inalterado d) Para fora da reta de carga 6. Se o transistor estiver a funcionar na parte central da reta de carga, um aumento no ganho de corrente far com que o ponto Q se mova: a) Para baixo b) Para cima c) Fica inalterado d) Para fora da reta de carga 7. Se a tenso da fonte de base aumentar, o ponto Q move-se: a) Para baixo b) Para cima c) Fica inalterado d) Para fora da reta de carga 8. Suponha que a resistncia de base est em aberto. Ento o ponto Q situa-se: a) Na parte central da reta de carga b) No extremo superior da reta de carga c) No extremo inferior da reta de carga d) Fora da reta de carga 9. Se a tenso da fonte de alimentao de polarizao de base se desligar, a tenso coletor-emissor ser igual a: a) 0 V b) 6 V c) 10,5 V d) tenso da fonte de coletor 10. Se a resistncia de base entrar em curto-circuito, o transistor provavelmente a) Saturar b) Entrar em corte c) Destruiri-se-a d) Nenhuma das anteriores
11. Se a resistncia de coletor diminuir at 0 num circuito com polarizao de base, a reta de carga ser: a) Horizontal b) Vertical c) Intil d) Plana 12. Suponha que a corrente de coletor de 10 mA. Se o ganho de corrente for de 100, a corrente de base ser: a) 1 A b) 10 A c) 100 A d) 1 mA 13. Suponha que a corrente de base de 50 A. Se o ganho de corrente for de 125, o valor da corrente de coletor aproximadamente de: a) 40 A b) 500 A c) 1 mA d) 6 mA 14. Se o ponto Q se deslocar ao longo da reta de carga, a tenso aumenta quando a corrente a) Diminui b) No muda c) Aumenta d) No sucede nada do que foi dito anteriormente 15. Um circuito em que a corrente de emissor constante, designa-se de: a) Polarizao de base b) Polarizao de emissor c) Polarizao de transistor d) Polarizao com duas fontes 16. O primeiro passo para a anlise dos circuitos com polarizao de emissor consiste em determinar: a) A corrente de base b) A tenso de emissor c) A corrente de emissor d) A corrente de coletor 17. Num circuito com polarizao de emissor, se o ganho de corrente for desconhecido, o que no se conseguir calcular : a) A tenso de emissor b) A corrente de emissor c) A corrente de coletor d) A corrente de base 18. Se a resistncia de emissor estiver em aberto, a tenso de coletor: a) Est no nvel alto b) Est no nvel baixo c) No muda d) desconhecida 19. Se a resistncia de coletor estiver em aberto, a tenso de coletor: a) Est no nvel alto b) Est no nvel baixo c) No muda d) desconhecida
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20. Se o ganho de corrente aumenta de 50 para 300 num circuito com polarizao de emissor, ento a corrente de coletor: a) Mantm-se quase no mesmo valor b) Diminui 6 vezes c) Aumenta 6 vezes d) zero Problemas:
11. Se a resistncia de emissor duplicar na figura a), qual ser a tenso de coletor-emissor? 12. Se a tenso da fonte de coletor diminuir para 15 V na figura a) qual a tenso de coletor? 13. Qual a tenso de coletor na figura b), se VBB=2V? 14. Se a resistncia de emissor duplicar na figura b), qual a tenso de coletor-emissor para uma tenso da fonte de base de 2,3 V? 15. Se a tenso da fonte de coletor aumentar at 15 V na figura b), qual a tenso coletor-emissor para VBB = 1,8V? Exerccio resolvido: Polarizao por divisor de tenso na base. Dados ICQ = 2 mA e VCEQ = 10 V, determine R1 e RC
1. Desenhe a reta de carga para a figura a) Qual a corrente de coletor no ponto de saturao? E a tenso coletor-emissor no ponto de corte? 2. Se a fonte de tenso de coletor se reduzir para 10 V na figura a) que sucede reta de carga? 3. Se a resistncia de coletor se reduzir a 1 k na figura a) que sucede reta de carga? 4. Se a resistncia de base na figura a) duplicar, que sucede reta de carga? 5. Desenhe a reta de carga para a figura b Qual a corrente de coletor no ponto de saturao? E a tenso coletor-emissor no ponto de corte? 6. Se a tenso da fonte de coletor duplicar na figura b), que sucede reta de carga? 7. Se a resistncia de coletor aumenta para 1 k na figura b), que sucede reta de carga? 8. Na figura a) qual a tenso entre o coletor e a massa se o ganho de corrente valer 100? 9. O ganho de corrente flutua entre 25 e 300 na figura a). Qual o valor mnimo da tenso de coletor? E o valor mximo?
10. Qual a tenso de coletor na figura a)? E a tenso de emissor?

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Os valores comerciais padro para R1 de 82 k e 91 k .
EXECCIO RESOLVIDO Calcule as resistncia de polarizao de acordo com os dados no circuito da figura abaixo.
Podemos usar o valor comercial de 82 k em srie com o valor comercial de 4,7 k, sendo assim passaremos a ter 86,7 k em relao a 86, 52 k terico.
EXERCCIO RESOLVIDO A configurao de polarizao de emissor tem as seguintes especificaes: ICQ = ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V = 110. Determine RC, RE e RB.
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canal P. A figura a seguir mostra o aspecto construtivo de cada um deles:
APTULO 7 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

1 - INTRODUO Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente, isto , a corrente de coletor controlada pela corrente de base. Existe, no entanto, um outro tipo de transistor, no qual a corrente controlada pela tenso pelo campo eltrico. So os chamados transistores de efeito de campo ou simplesmente FET (Field-Effect Transistor). Existem dois tipos de FETs: a) JFET FET de juno; b) MOSFET FET com porta isolada.
2- JFET (JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
O JFET um dispositivo unipolar e fisicamente pode ser encontrado em dois tipos: JFET canal N e JFET O JFET formado por trs terminais: fonte (source) por onde os eltrons entram, dreno (drain) de onde os eltrons saem e porta (gate) que faz o controle da passagem dos eltrons. O princpio de funcionamento do JFET bem simples. O objetivo controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto feito aplicando-se uma tenso na porta. Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, V G=0 ou VGS=0, aplicando-se uma tenso entre o dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma corrente iD, como indicada na figura abaixo:
porta praticamente nula. Abaixo vemos o aspecto construtivo do MOSFET:
3- MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
Neste tipo de FET, existe uma camada isolante de dixido de silcio (SiO2) entre o terminal de porta e o componente propriamente dito. Isto resulta numa resistncia neste terminal altssima e, conseqentemente, numa corrente de memrias sejam produzidos a partir da tecnologia dos MOSFETs.
O surgimento do MOSFET representou um grande avano tecnolgico por ser de fabricao muito simples, ter alto desempenho (alta impedncia de entrada e baixo rudo) e propiciar a integrao em larga escala, isto , pelo fato de ter um tamanho muito reduzido (cerca de 20 vezes menor que o transistor bipolar), permite que um grande nmero de transistores seja produzido num mesmo circuito integrado. O baixssimo consumo de energia resultante da alta impedncia de entrada, a possibilidade de integrao em larga escala, o tamanho reduzido e o baixo custo permitem que os CIs de portas lgicas, registradores e
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CAPTULO 8 - CIRCUITOS REGULADORES DE TENSO

ESTABILIZAO COM TRANSISTOR Ao estudarmos as fontes de tenso verificamos a existncia de vrias etapas na obteno de uma tenso fixa a partir de uma tenso alternada. Transformao de amplitude Retificao Filtragem Regulao A etapa de regulao, a qual cabe manter a tenso de sada fixa para vrios valores de corrente de sada, era desempenhada pelos diodos ZENERs. Como j estudamos, o diodo Zener tem suas limitaes, e os circuitos reguladores projetados com este elemento so utilizados para baixos nveis de corrente de sada. Com os transistores, podemos ampliar esta faixa de corrente, quando usamos a configurao abaixo, conhecida como circuito regulador srie.
+ VCE -
Pela equao (II) nota-se que a tenso de sada VS constante, pois tanto a tenso zener VZ como a tenso VBE so estveis. Podemos tentar explicar a ao de regulao da seguinte forma: 1. Se a tenso de sada diminui, a tenso baseemissor aumenta, fazendo com que o transistor conduza mais, e desta forma aumentando a tenso de sada - mantendo a sada constante. 2. Se a tenso de sada aumentar, a tenso baseemissor diminui, e o transistor conduz menos, reduzindo assim, a tenso de sada, mantendo a sada constante. 3. Um aumento da tenso de entrada, aumenta a tenso base-coletor (IV). Como VBE constante, VCE aumenta (III). Portanto, pela equao (II) VS permanece constante. 4. Se VE diminuir, VCB diminui (IV). Pela equao (III) VCE diminui. Pela equao (II) VS permanece constante. LIMITAES Obviamente, o circuito regulador apresenta suas limitaes. O transistor tem seus valores mximos e mnimos para VCE e IC, que limita os valores mximos e mnimos da tenso de entrada e corrente de sada, para que haja tanto a estabilizao da tenso como a proteo do transistor e do diodo zener. Tenso mxima de entrada VE MAX=VCE MAX + VS Tenso mnima de sada VE MIN=VCE SAT + VS Corrente mxima de sada IS MAX = IC MAX Potncia mxima dissipada pelo transistor PC MAX = (VE MAX - VS).IS MAX Exemplo 1 - Calcule a tenso de sada e a corrente no zener do circuito regulador da figura abaixo. ( =50)
+ VCE -
+ VE -
RS
RL + VZ -
+ VL -
A tenso de entrada VE pode ser constante (desejando estabiliz-la num valor menor) ou vir de um circuito retificador com filtro, cuja sada apresenta ondulao (ripple). O diodo zener garante a estabilidade e o transistor permite ampliar a faixa de valores de correntes de sada, sem sobrecarregar o diodo zener. RS um resistor limitador de corrente para o diodo zener. A tenso de sada pode ser determinada pela malha externa e pela malha de sada: Malha externa: Malha de sada: Malha do transistor: Malha interna: VS = VE - VCE VS = VZ - VBE VCE = VCB + VBE VE = VCB + VZ (I) ( II ) ( III ) ( IV )
+ 20 -
220
1k + 12 -
+ VL -
Sendo este circuito estabilizador de tenso, ele deve compensar tanto as variaes de tenso de entrada, como as variaes de corrente de sada (causadas pelas variaes na carga RL).
ESTABILIZAO COM CIRCUITOS INTEGRADOS
H uma classe de CIs disponveis que operam como reguladores de tenso. Estes CIs contm circuitos mais sofisticados que proporcionam uma regulao quase perfeita e at proteo contra curto-circuito na sada da fonte.
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As srie mais difundidas de reguladores de tenso so as uA78XX e a uA79XX. Estes CIs possuem trs terminais. Um para receber a tenso no regulada. Um para o aterramento e o terceiro entrega a tenso regulada. Uma fonte de tenso com este regulador apresenta a seguinte forma:
78XX CI 220V Ponte de diodos C1 Trafo C2 RL
2.2 - ESQUEMA INTERNO
17 transistores 2 diodos zeners 21 resistores 1 capacitor
O capacitor de filtragem principal C1 no precisa ter valor elevado, so usados valores de 220 a 470 F. Isto porque o ripple eliminado principalmente pelo CI. O capacitor C2 utilizado para supresso de rudos de alta freqncia, tendo valores tpicos na ordem de 100nF. Os valores de tenso de sada dependem do tipo do CI utilizado, a tabela a seguir mostra os valores disponveis e seus respectivos limites de tenso de entrada. CI Regulador 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 Tenso de Sada 5,0 6,0 8,0 10,0 12,0 15,0 18,0 24,0 Tenso de entrada (volts) Mn Mx 7,3 25 8,3 25 10,5 25 12,5 28 14,6 30 17,7 30 21,0 33 27,1 38
DIAGRAMA DE BLOCOS
Tenso de referncia: Fornece uma tenso de referncia estvel (zener) Interpretador de tenso: Amostra o nvel de tenso de sada. Elemento comparador: Compara a referncia com a tenso de sada produzindo um sinal de erro Elemento de controle: Utiliza o sinal de erro para modificar a tenso de sada de modo a estabiliza-la.
APLICAES BSICAS
A srie 79XX apresenta caractersticas idnticas para a regulao de tenses negativas. Apesar do fabricante especificar que o CI suporta correntes de at 2,2A, ele s utilizado para correntes de no mximo 1A, com o uso recomendado de radiador de calor para correntes maiores que 500mA.
- ENCAPSULAMENTO 78XX
A montagem bsica deste CI esta mostrada na figura a seguir.
OCI -
Output - Sada Commom - Terra Input - Entrada
Com algumas modificaes podemos conseguir tenses maiores que a tenso regulada do CI.
VXX I0 ). R2 R1 Onde I0 = 3 a 10 mA (depende do tipo de CI) V0 VXX (
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Podemos projetar uma fonte de corrente para diversas aplicaes, como recarregadores de bateria, usando o 78XX.
Exerccios de Fixao
FONTE DE TENSO COM SADA VARIVEL.
Apesar da srie uA78xx permitir, atravs da adio de componentes auxiliares, a obteno de tenses de sada variveis, existem CIs dedicados para isto. O LM317 permite que a tenso de sada seja ajustvel entre 1,2V e 37V, podendo fornecer at 500mA de corrente de sada.
1. Calcule a corrente no diodo zener e a tenso de sada no circuito abaixo.
O - Output - Sada A - Adjustment - Ajuste I - Input - Entrada
O esquema de ligao o mostrado na figura a seguir. A tenso de entrada deve ser superior em 3V a maior tenso de sada pretendida.
2. Calcule a tenso de sada para o circuito abaixo. Qual o valor mnimo da tenso no regulada que deve ser entregue ao circuito?
A tenso de sada dada por:
V0
VREF .(1
R2 ) IADJ . R2 R1
Onde VREF = 1,25V e IADJ = 100 A. Exemplo 2 - Determine a tenso regulada no circuito acima para R1 = 240 e R2 = 2,4 k . Para melhorar a filtragem e eliminar possveis rudos, devemos adicionar capacitores na entrada e sada do regulador.
CAPTULO 9 TIRISTORES
INTRODUO.
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Os tiristores constituem um extenso grupo de componentes, dentro da famlia dos semicondutores. Tm a funo de diodo, fazendo chaveamento eletrnico, ou seja faz o controle de potncia tanto de alternada como de contnua. Famlia de transistores: SCR , TRIAC , DIAC , SUS , SBS , UJT, PUT. Estes componentes tm bastantes aplicaes em eletrnica industrial.
OS SCRS O SCR uma chave eltrica como o triac, mas conduz apenas em uma direo quando o terminal porta (gate) recebe uma tenso positiva em relao ao terminal catodo (o outro terminal se chama anodo). Assim como o triac, uma vez que o SCR disparado ele s vai parar de conduzir quando a corrente que o percorre for reduzida a zero.
1 TRIACs E SCRs
UMA CHAVE PARA CORRENTE ALTERNADA: O TRIAC
O triac tambm um componente de trs terminais, um dos quais

controla o fluxo de corrente nos outros dois. O terminal de controle se chama porta (gate), os outros dois so conhecidos como A1 e A2 (ou MT1 e MT2). Quando uma tenso positiva ou negativa aplicada ao gate, o triac conduz corrente em qualquer sentido, funcionando como um interruptor ligado.
A tenso de disparo no gate relativa ao terminal A1, por isso, conforme mostra a figura, o acionamento do triac no ocorrer se esta tenso for retirada de um ponto ligado a este terminal.
Uma vez disparado o triac, este continuar conduzindo at que o fluxo de corrente entre seus outros terminais A1 e A2 chegue a zero. Isto acontece 120 vezes por segundo na tenso alternada de 60 Hz, o que equivale a dizer que o triac pode demorar, no mximo, 1/120 s para desligar. Outra utilizao importante dos triacs na construo de dimmers. Este tipo de circuito ser analisado no captulo sobre fontes de eletricidade.
Os triacs no se comportam bem quando tm que desligar cargas indutivas ligadas tenso alternada da rede. Muitas vezes o desligamento no acontece. Isto pode ser solucionado ligando um capacitor carga ou usando SCRs como ser descrito a seguir.
FUNCIONAMENTO DE UM TRIAC LIGADO REDE
FUNCIONAMENTO DO SCR
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conforme a figura 2.6.7. O diodo pode ser o 1N4148 e o resistor deve limitar a corrente a cerca de 10mA. Para a rede 127/220 volts, um resistor de 10k funcionar bem.
AFIGURA (DIODO PARA ALTAS CORRENTE USANDO UM SCR.) mostra uma ponte retificadoras para 12 ampres usando quatro TIC126. Os dissipadores no devem se tocar. Note que a carcaa metlica costuma ser ligada ao pino central do encapsulamento TO-220 e, portanto, os dissipadores podem ser usados como terminais de conexo. DIACS O diac tem dois terminais e o mesmo aspecto de um diodo. Sua caracterstica conduzir apenas quando a tenso em seus terminais atinge um determinado valor, tipicamente em torno de 30V. Os diacs so geralmente usados junto com os triacs para fazer dimmers.
Circuito para controlar cargas indutivas usando dois SCRs.
Um uso importante dos SCRs ligar e desligar cargas indutivas sob corrente alternada. Neste caso usa-se dois SCRs em oposio. Como o SCR tem que ficar um semiciclo inteiro sem conduzir corrente, no ocorre o mesmo tipo de falha que comum nos triacs. Outro uso possvel para o SCR como diodo para altas correntes. O TIC 116 conduz at 8 amperes rms e o TIC 126 tem 12 amperes como corrente rms limite. Diodos com estas caractersticas so caros e difceis de encontrar.
FIGURA (PONTE DE 12 AMPERES USANDO 4 TIC126)
Para adaptar um SCR funo de diodo, preciso acrescentar dois componentes: um diodo e um resistor, montados
CAPTULO 10 ELETRNICA DIGITAL

INTRODUO AO SISTEMA DE NUMERAO
grega alfa (). A coleo simbolizada por 3, a coleo indicada por 5 e assim sucessivamente. Na tabela abaixo, a coluna (a) contm colees sucessivas do objeto mencionado e a coluna (b) d a representao numrica usual. Um fato notvel ocorre a partir da quantidade 10: em vez de criado um novo algarismo, foram usados dois j existentes. Esse artifcio, que forma um sistema de numerao, fundamental,
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Nmero um conceito matemtico abstrato, mas bastante intuitivo. Pode-se definir como a representao de uma coleo de objetos iguais ou quantidades. So indicados por smbolos denominados algarismos ou dgitos e as palavras que os expressam so ditas numerais. Seja, por exemplo, uma espcie de objeto representada pela letra
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uma vez que os tamanhos das colees so ilimitados e, portanto, seria invivel a definio de infinitos smbolos diferentes. A base de um sistema de numerao corresponde quantidade de algarismos diferentes que so usados. O sistema padro de uso cotidiano denominado decimal porque so usados dez algarismos diferentes (01234567989). Sistemas de numerao podem ser definidos com qualquer base, desde que maior que a unidade. Na coluna (OCTAL) da tabela, so usados os mesmos algarismos do sistema decimal, mas apenas at o 7. Isso forma o sistema de base oito ou octal de numerao. Portanto, 10 nessa base corresponde ao 8 decimal, 11 ao 9, etc. A coluna (HEXADECIMAL) da tabela mostra o sistema hexadecimal. Ele usa todos os algarismos do sistema decimal mais a seis primeiras letras do alfabeto para formar a base de tamanho 16. A menor base possvel constituda por dois dgitos diferentes, quase sempre representada pelos dois primeiros algarismos do sistema decimal (0 e 1). o sistema binrio de numerao, conforme exemplo da coluna (BINARIO) da tabela.
Ento, o nmero binrio convertido dado pelo ltimo quociente seguido dos restos em ordem inversa. No exemplo dado, 847 = 1101001112.
o caso da converso de um nmero decimal para octal ou hexadecimal, pode-se adotar procedimento semelhante, com divises sucessivas por 8 ou 16 respectivamente. Entretanto, mais prtico transform-lo em binrio (divises por 2 so mais rpidas) e convert-lo para octal ou hexadecimal
OPERAES ELEMENTARES COM NMEROS BINRIOS
Soma e subtrao so operaes aritmticas fundamentais, que podem ser feitas com nmeros de qualquer base. Este tpico trata dessas operaes apenas com a base de interesse para os circuitos digitais, isto , o sistema binrio
A soma de nmeros binrios feita de forma similar dos nmeros decimais. Deve ser considerado o dgito de transporte ("vai" algum dgito), que deve ser diferente de zero quando o valor da soma excede o mximo que pode ser dado pela respectiva posio. No caso de soma com apenas duas parcelas, os valores possveis so: 0 + 0 = 0 transporte 0.
CONVERSO DE DECIMAL PARA BINRIO, OCTAL E HEXADECIMAL.
O mtodo usa divises sucessivas por dois, conforme exemplo dado na Tabela abaixo, isto , a converso do nmero decimal 847 para binrio. O quociente de cada diviso (coluna b) o dividendo da prxima (coluna a). Os restos de cada diviso so dados na coluna (c). A diviso deve prosseguir at o o quociente se tornar 1.
Se h trs dgitos para a soma, aplicam-se as regras acima em partes. Exemplo: 1 + 1 + 1 = 0 transporte 1. O quadro da Tabela acima d o exemplo da soma dos nmeros binrios 11011 e 1011. Os dgitos de transporte esto na linha superior e o resultado dado na linha inferior. Na subtrao de nmeros binrios deve-se considerar o transporte negativo ("emprstimo") de forma similar dos nmeros decimais. Para duas parcelas, os valores possveis so: 0 0 = 0 empresta 0.
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0 1 = 1 empresta 1. 1 0 = 1 empresta 0. 1 1 = 0 empresta 0.
Se h mais de dois dgitos, as regras acima so aplicadas em partes. No quadro da Tabela 02, exemplo da subtrao 11000 111. Os dgitos de emprstimo esto na penltima linha e o resultado na ltima. A multiplicao de nmeros binrios tambm similar dos decimais. Deve-se considerar as igualdades elementares:
INFORMAES BINRIAS Na operao de circuitos digitais, o conceito de nmero binrio pode ser estendido para informao binria. Um conjunto de um ou mais dgitos binrios pode indicar um nmero aritmtico ou qualquer outra informao, como caracteres alfabticos, instrues de operao, sinais, etc. A expresso inglesa bit (de binary digit) foi, na prtica, adotada para indicar um dgito binrio. Tambm o byte, para indicar uma seqncia de 8 dgitos binrios (8 bits). Uma varivel binria uma varivel cujos valores s podem ser dgitos binrios. No contexto de operao de circuitos lgicos, pode-se considerar variveis de apenas um dgito (1 bit) ou de vrios. ALGBRA DE BOOLE A lgebra de Boole um conjunto de postulados e operaes lgicas com variveis binrias desenvolvido pelo matemtico e filsofo ingls George Boole (1815-1864). As operaes bsicas dos circuitos digitais so fundamentadas matematicamente nos seus conceitos, que inclusive guardam alguma (mas no total) semelhana com a lgebra comum dos nmeros reais. Esta pgina apresenta algumas informaes de forma resumida, sem entrar em detalhes como demonstraes de teoremas e identidades. Outros conceitos e procedimentos relativos lgebra de Boole so dados ao longo das pginas sobre circuitos lgicos.
0 0 = 0. 0 1 = 0. 1 0 = 0. 1 1 = 1. Na Tabela, procedimento para 11011 10.
Os resultados intermedirios (penltima e antepenltima linha) devem ser somados para o resultado final. Notar que essa soma pode exigir dgitos de transporte de forma similar ao exemplo anterior. Neste caso, todos eles so nulos e no esto indicados. A diviso de nmeros binrios pode ser feita de modo semelhante diviso de decimais. O quadro Tabela d o exemplo para a operao 11011 11. Os dois primeiros dgitos do dividendo so comparados com o divisor e, se for maior ou igual, escrito 1 no quociente. Esse valor multiplicado pelo divisor e subtrado dos dois primeiros dgitos. Ao resultado (00) acrescentado o prximo dgito do dividendo (0). Desde que o valor menor que o divisor, o dgito 0 acrescentado ao quociente. O procedimento repetido at o ltimo dgito do dividendo, obtendo-se o resultado 1001 e resto 0.
VARIVEIS E OPERADORES BSICOS

Variveis Uma varivel booleana representa um dgito binrio, ou seja, s pode ter os valores 0 ou 1. Matematicamente pode-se dizer que o domnio de uma varivel o conjunto B = {0, 1} e uma varivel genrica X elemento desse conjunto, X B. So comuns, para os valores 0 e 1, as designaes falso e verdadeiro, respectivamente.
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Deve-se notar que os dgitos de variveis com mais de um dgito podem ser combinados em operaes booleanas. Exemplo: uma palavra de 8 bits permite 28 = 256 combinaes para as operaes. Operaes bsicas As operaes fundamentais da lgebra de Boole tm semelhana com operaes aritmticas comuns, inclusive alguns smbolos so idnticos, mas no so necessariamente coincidentes: 1) OPERAO OU similar adio comum, mas a correspondncia no plena. Smbolo usual o mesmo da adio. Exemplo: X = A + B (l-se X igual a A ou B). Um outro smbolo, comum em linguagem de programao, a barra vertical (X = A | B). 2) OPERAO E similar multiplicao comum e h correspondncia, como poder ser visto adiante. Smbolo usual o mesmo da multiplicao. Exemplo: X = A B (l-se X igual a A e B). Muitas vezes, tambm de forma semelhante lgebra comum, o sinal de ponto suprimido: X = AB. O e comercial (&) um smbolo usado em algumas linguagens (X = A & B). 3) OPERAO NO Tambm denominada negao ou complemento, pode ser considerada similar ao negativo da lgebra comum. Entretanto, no h correspondncia plena porque a lgebra de Boole no usa sinal negativo. Smbolo usual uma barra acima (ou antes) da varivel. Exemplo: X = A (l-se X igual a no A). Alguns outros smbolos so o sinal de exclamao (X = !A) e o apstrofo (X = A'). POSTULADOS E ALGUMAS IDENTIDADES Os postulados da lgebra de Boole definem os resultados das operaes bsicas informadas no tpico anterior. 1) Postulados da operao OU
0 1 = 0 1 0 = 0 1 1 = 1 Em algumas referncias, so denominados postulados da multiplicao. Notar que h equivalncia plena com a multiplicao comum. 3) Postulados da operao NO 0 = 1 1 = 0 Omitindo as demonstraes, algumas identidades podem ser deduzidas a partir dos postulados acima: 4) Da operao OU X X X X X X X X + + + + 0 1 X X 0 1 X X = = = = = = = = X 1 X 1 0 X X 0
5) Da operao E
6) DA OPERAO NO X = X A relao acima sugere uma semelhana com o negativo da lgebra usual, pois (x) = x.
ALGUMAS PROPRIEDADES E TEOREMAS

1) PROPRIEDADE COMUTATIVA
A + B = B + A A B = B A
2) PROPRIEDADE ASSOCIATIVA
A + (B + C) = A + (B + C) = A + B + C A (B C) = A (B C) = A B C
3) PROPRIEDADE DISTRIBUTIVA
A (B + C) = AB + AC
4) TEOREMAS DE MORGAN
0 0 1 1
+ + + +
0 1 0 1
= = = =
0 1 1 1
A + B = A B A B = A + B
5) OUTRAS IGUALDADES
Algumas referncias escrevem postulados da adio. Mas lembrar que adio booleana, no equivale plenamente adio comum porque, para esta ltima, 1 + 1 deve ser 0. 2) Postulados da operao E 0 0 = 0
A + AB = A A + AB = A + B (A + B) (A + C) = A + BC
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Funo booleana e tabela de verdade

Uma funo matemtica genrica de um conjunto X para um conjunto Y, f:X Y, pode ser entendida como uma regra que define um elemento nico y Y para cada elemento x X. A notao prtica mais comum y = f(x). Pode-se tambm dizer que a funo faz um mapeamento de x para y. O conjunto X denominado domnio da funo e o conjunto Y o seu co-domnio. x1 x2 x 3 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 y1 y2 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1
EXPESSO LGICA S = A ou S = A' PORTA LGICA
LGICA E AND
Seja agora o conjunto das variveis booleanas B = {0, 1}. Se existem n variveis, o conjunto de todas as combinaes possveis simbolizado por Bn (produto cartesiano). Uma funo booleana o conjunto de todas as funes que fazem o mapeamento de m variveis de entrada para n variveis de sada: f: Bm Bn. Na prtica, pode-se dizer que uma funo que estabelece uma relao entre um conjunto de m variveis de entrada com um conjunto de n variveis de sada. EXPRESSO LGICA S = A B. Desde que os valores das variveis so discretos (apenas 0 e 1), o mapeamento da funo pode ser apresentado em forma tabular, denominada tabela de verdade da funo. O quadro acima d um exemplo para trs entradas e duas sadas. PORTA LGICA TABELA VERDADE
PORTAS LGICAS
LGICA NO - NOT
LGICA OU OR
TABELA VERDADE
TABELA VERDADE EXPRESSO LGICA S = A + B.

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PORTA LGICA PORTA LGICA
LGICA NAND
LGICA OU-EXCLUSIVO
PORTA LGICA
TABELA VERDADE
TABELA VERDADE
EXPRESSO LGICA S = A CIRCUITO LGICO EXPRESSO LGICA S = (A B) ou S = (A B)' PORTA LGICA
B.
NOR (COINCIDNCIA) LGICA NOR
TABELA VERDADE COICIDNCIA
TABELA VERDADE
EXPRESSO LGICA S = (A
B) ou S = (A B)'
CIRCUITO EXCLUSIVO NOR (COICIDNCIA) EXPRESSO LGICA S = (A + B) ou S = (A + B)'
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SRIES DAS FAMLIAS TTL E CMOS

A famlia TTL principalmente reconhecida pelo facto de ter duas sries que comeam pelos nmeros 54 para os componentes de uso militar e 74 para os componentes de uso comercial. TTL 74L de Baixa Potncia TTL 74H de Alta Velocidade TTL 74S Schottky TTL 74LS Schottky de Baixa Potncia (LS-TTL) TTL 74AS Schottky Avanada (AS-TTL) TTL 74ALS- TTL Schottky Avanada de Baixa Potncia Sries CMOS: 4000/14000 (foram as primeiras sries da famlia CMOS) 74C (compatvel, pino a pino e funo por funo, com os dispositivos TTL) 74HC (CMOS de Alta Velocidade) 74HCT (os dispositivos 74HCT - CMOS de Alta Velocidade podem ser alimentados directamente por sadas de dispositivos TTL)
Entre 0 e 0,8 Volt, nvel lgico 0 Faixas de tenso correspondentes aos nveis lgicos de sada: Entre 2,4 e 5 Volt, nvel lgico 1 Entre 0,3 e 0,5 Volt, nvel lgico 0 Famlia Lgica CMOS Faixa de alimentao que se estende de 3V a 15V ou 18V, dependendo do modelo. A famlia CMOS possui tambm, uma determinada faixa de tenso para representar os nveis lgicos de entrada e de sada, porm estes valores dependem da tenso de alimentao e da temperatura ambiente. NVEIS DE INTEGRAO Os nveis de integrao referem-se ao nmero de portas lgicas que o CI contm. SSI (Small Scale Integration) Integrao em pequena escala: So os CI com menos de 12 portas lgicas. MSI (Medium Scale Integration) Integrao em mdia escala: Corresponde aos CI que tm entre 12 a 99 portas lgicas LSI (Large Scale Integration) Integrao em grande escala: Corresponde aos CI que tm entre 100 a 9 999 portas lgicas. VLSI (Very Large Scale Integration) Integrao em muito larga escala: Corresponde aos CI que tm entre 10 000 a 99 999 portas lgicas. ULSI (Ultra Large Scale Integration) Integrao em escala ultra larga: Corresponde aos CI que tm 100 000 ou mais portas lgicas.
TENSES DE NVEIS LGICOS

Famlia Lgica TTL Faixas de tenso correspondentes aos nveis lgicos de entrada: Entre 2 e 5 Volt, nvel lgico 1 Entre 0,8V e 2V o componente no reconhece os nveis lgicos 0 e 1, devendo portanto, ser evitada em projectos de circuitos digitais.
CAPTULO 11 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

VCC
1 - CARACTERSTICAS BSICAS O Amplificador Operacional um circuito eletrnico integrado composto de resistores, transistores e capacitores. No princpio, os Amplificadores Operacionais (AMP OP) foram utilizados para realizar operaes matemticas, resultando no nome operacional Atualmente utilizado principalmente em Instrumentao, no manipulao de sinais eltricos de pequena intensidade obtidos por transdutores de grandezas fsicas. Exemplos: Sensores de luminosidade, presso, velocidade, som, nvel, etc. Na anlise de circuitos tratado como um componente discreto, sem entrar no seu contedo interno. Smbolo e circuito equivalente:
V-
A +
V0
V+ VEE
V+ : V- : V0 : VCC: VEE: Ri: RO:
V0
A.(V
V )
Entrada no inversora Entrada inversora Sada (ou VS) Alimentao positiva Alimentao negativa (ou VCC-) Resistncia de entrada Resistncia de sada RO
V1 Ri V2
+ -
VO A.(V1-V2)
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Fisicamente apresentado em vrios invlucros, sendo o mais comum o DIL (DUAL-IN-LINE) de 8 pinos. Abaixo temos a pinagem do CI A 741
1 8
3 - CIRCUITOS COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL Os AMP OPs podem desempenhar inmeras funes em um circuito, dependendo da configurao dos elementos externos. Vamos citar aqui quatro configuraes bsicas. 3.1 - AMPLIFICADOR INVERSOR
ININ+ VCC4
VCC+ OUT
5
R2 R1 A VS
Exemplo 1 - Calcule o sinal de sada nos circuitos a seguir:
VE
a)
A=100.000 A 4,75mV + 4,8mV V0
O resistor R2 chamado de resistor de realimentao negativa, pois interliga a sada com a entrada inversora do operacional. Para a anlise do circuito devemos calcular o ganho de tenso do circuito (AV), isto , determinar o comportamento da tenso de sada do circuito em funo da sua tenso de entrada. Para a anlise precisamos introduzir o conceito de curtocircuito virtual ou terra virtual. Sabemos que VS = A.(V+ - V-). Temos que: (V+ - V-) = VS/A, supondo A= considerar V+ - V- 0 que significa V+ = V, podemos
b)
A=100.000 A + 100,8mV V0
100,75mV
2 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL
Do ponto de vista da tenso podemos considerar que as entradas V+ e V- esto em curto-circuito. Do ponto de vista da corrente temos um circuito aberto introduzindo o termo curto virtual (mesma tenso e corrente nula) Determinao do ganho de tenso do circuito R2
Ri = ii+ A + Ri = R0 = 0 V0
V0
A.(V
V )
R1 + VE i1
V-
i2 A + VS
Na teoria este componente deveria ter as seguintes caractersticas: O Amplificador Operacional (AMP OP) nunca satura, isto , ele pode fornecer qualquer valor de tenso na sua sada No h corrente nas entradas do operacional (i+ = i- = 0, pois Ri= ) O AMP OP tem impedncia de sada nula (R0=0), isto quer dizer que a tenso de sada se mantm para qualquer nvel de corrente. O AMP OP ideal tem ganho A constante, independentemente da freqncia dos sinais de entrada. O AMP OP ideal deve ter ganho infinito.
i- =0 V+ + i+ =0
Pela Tcnica do curto virtual V+ = V - = 0 V- um terra virtual. 1a equao VE - R1.i1 = 0 VE = R1.i1 i1 = VE / R1 2a equao VS + R2.i2 = 0 VS = -R2.i2
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i2 = - VS / R2 3a equao i1 = i2 VE / R1 = - VS / R2
AV VS VE R2 R1
R3 R2 R1 +
VE3
Rf
+
VE2
+
VE1
A +
+ VS
Concluses: A tenso de sada aumentada ou atenuada, tendo sua polaridade invertida, de acordo com o ganho de tenso AV O ganho dado apenas pela relao entre os resistores R2 e R1. O ganho independe das caractersticas do AMP OP Exemplo 3 - Projete um amplificador inversor empregando um AMP OP ideal com AV=-10. Adote R1=1k . Esboe a forma de onda do circuito para uma tenso de entrada senoidal com amplitude de 1V e 1Hz. 3.2 - AMPLIFICADOR NO-INVERSOR Modificando a posio da fonte de tenso de entrada, obtemos um amplificador que no inverte a polaridade do sinal de sada. R2
VS
Rf VE1 R1
Rf VE2 R2
Rf VE 3 R3
Se o circuito tiver mais entradas podemos adicionar mais termos a frmula, seguindo o padro resistor Rf sobre resistor de entrada Rn. Exemplo 6: Projete um circuito somador com trs entradas, de modo que o sinal de sada seja dado por VS = -(4xVE1+ 2xVE2+VE3) 3.4 - AMPLIFICADOR DE DIFERENAS A sada do circuito proporcional diferena entre as duas tenses de entrada (VE1-VE2)
R2 R1
R1 A + VE + + VS
+
VE2
R3 +
VE1
A + R4
+ VS
Se usarmos R4 / R3 igual a R2 / R1 temos que:

AV VS VE R2 1 R1
VS R2 . ( VE1 VE 2 ) R1
Exemplo 4 - Comprove a expresso do ganho de tenso do amplificador no inversor utilizando o conceito de curtovirtual
Exemplo 7: Em um determinado processo trmico, temos dois termmetros que medem a temperatura fora do forno e dentro do forno. Projete um circuito que fornea um sinal eltrico trs vezes maior que a diferena entre os sinais oriundos dos termmetros interno e externo. 4 - ALIMENTAO DOS AMP OPS Sabemos que as entradas do AMP OP. no consomem corrente, o que eqivale a dizer que o AMP OP no consome potncia dos circuitos que alimentam suas entradas. Por outro lado, sabemos que sua sada capaz de fornecer uma tenso proporcional diferena das tenses de entrada a qualquer carga colocada em sua sada, portanto o AMP OP ideal capaz de fornecer qualquer potncia em sua sada. A energia necessria para isto obtida por meio dos terminais de alimentao VCC e VEE.
Exemplo 5 - Projete um amplificador no inversor empregando um AMP OP ideal com AV=10. Adote R1=3k . Esboe a forma de onda do circuito para uma tenso de entrada senoidal com amplitude de 1V e 1Hz.
3.3 - AMPLIFICADOR SOMADOR INVERSOR Nesta configurao a sada do circuito uma soma ponderada das entradas. A ponderao feita pelos resistores em srie com as fontes e o resistor de realimentao (Rf).
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VCC V+ V+ VEE V0
O terminal de alimentao mais positivo chamado de VCC ou +VCC. O terminal mais negativo chamado de VEE ou -VCC. Usualmente, omitem-se esses terminais dos diagramas eltricos para no congestionar os desenhos. Mas, obviamente, eles esto sempre conectados. Na grande maioria das aplicaes, nenhum dos dois terminais de alimentao est aterrado. Normalmente emprega-se VEE = - VCC. Em particular os valores de VCC = 15 V e VEE = -15V so os mais usuais. Valores de 9 e -9 volts tambm so muito empregados. 4.1 - FORMAS DE ALIMENTAO As fontes de alimentao com trs (+V, 0, -V) so chamadas de fontes simtricas. Fonte simtrica de 9-0-9 volts com baterias. terminais
4.2 - SATURAO EM AMP OPS Os valores das tenso de alimentao estabelecem os limites de excurso do sinal de sada do AMP OP. Para um AMP OP ideal, sabemos que V0=A.(V+ - V-). Para um AMP OP real, enquanto o |V0| for muito menor que |VCC| temos V0 = A.(V+ V-). No entanto quando |V0| se aproxima do valor de |VCC|, o AMP OP deixa de se comportar segundo a lei anterior e tende a assumir um valor constante. Neste caso, diz-se que a sada est saturada.
Fonte Simtrica com transformador
Alimentao a partir de fonte simples
Os valores de tenso para os quais ocorrem a saturao dependem do AMP OP utilizado. Este dado s pode ser fornecido pelo prprio fabricante do AMP OP e portanto consulte o manual para determin-lo. No caso do 741, existe uma diferena de aproximadamente 2V entre a fonte de alimentao e o mximo (mnimo) valor de sada, ou seja, para VCC = - VEE = +15V tem-se V0SAT = 13V. A figura a seguir apresenta a forma de onda de sada de um amplificador inversor de ganho -10, onde observamos claramente o ceifamento da forma de onda (VS) quando V0 atinge os valores de saturao. importante salientar que quando o circuito est saturado no podemos utilizar o conceito do curto-circuito virtual.
Fonte com Zener
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Perceba que o circuito est convertendo um sinal analgico em um sinal digital em sua sada (conversor analgico digital). Embora todos os AMP OP possam ser utilizados como comparadores, em freqncias superiores a centenas de kHz recomendvel a utilizao de CIs dedicados para comparao de tenso. (Por exemplo: LM 311). Pinagem do CI LM311
Exemplo 8 - Esboe o sinal de sada do circuito comparador. A entrada uma onda triangular conforme o grfico abaixo e a alimentao feita em 12V. 5 - O CIRCUITO COMPARADOR DE TENSES Em algumas aplicaes, o AMP OP opera exclusivamente na regio saturada, e portanto a sua sada assume os valores de saturao. Naturalmente, em tais circuitos no podemos aplicar a relao fundamental e, mais importante, no podemos aplicar o conceito do curto-circuito virtual para determinar a operao do circuito. O comparador de tenses utiliza um AMP OP saturado. A funo de um comparador de tenses comparar a tenso de suas entradas com uma tenso de sua outra entrada e produzir um sinal de sada de valor alto ou baixo, dependendo de qual entrada maior. Este circuito nada mais do que um AMP OP sendo empregado em malha aberta (sem realimentao). Normalmente, o que este circuito faz simplesmente comparar o valor do sinal de entrada V+ com um valor de referncia (V). Como o ganho do AMP OP elevado (em torno de 200.000 para o 741) assim que o valor do sinal V0 se torna maior que o valor de referncia, a sada do operacional satura em +V0SAT. Se o valor do sinal se tornar menor que o valor de referncia, a sada do operacional satura em -V0SAT.
15k + A 10k VE VS +12V
+8V
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5.1 - O CIRCUITO REGENERATIVO DE SCHMITT
(ponto b) que a sada muda para o valor baixo. Por outro lado, quando o sinal de entrada vem de um valor alto (intervalo b-d) onde a sada est em valor baixo, somente ao atingir -3V que a sada muda de estado (ponto d). Esta propriedade de duas referncias utilizado na recuperao de sinais digitais deteriorados por rudos. Os circuitos especficos para isto so portas lgicas especiais representadas pela figura abaixo.
O circuito acima um comparador onde a tenso VE comparada com uma referncia que depende da tenso de sada. Devido a realimentao positiva o circuito opera na regio de saturao, portanto a sada est sempre em V0SAT ou -VOSAT. Caso a sada esteja no seu valor alto, o valor de referncia ser:
VREF1
R1
R1 . V0SAT R2
Os circuitos so alimentados com +VCC e 0 V . O fabricante estabelece referncias de 40% e 60% de VCC. O sinal estando em um nvel baixo, a referncia ajustada em 60%, podendo suportar rudos de at 59% de VCC. Caso esteja em nvel alto, a referncia ajustada em 40%, podendo suportar um queda de at 41% de VCC. Desta forma so eliminados os rudos de um determinado sinal. A figura a seguir mostra o comportamento de uma porta inversora Schmitt Trigger submetida a um sinal de entrada ruidoso.
Caso a sada esteja no seu valor baixo, o valor de referncia ser:
VREF2
R1
R1 . V0SAT R2
Ao alimentarmos o circuito anterior com 15V e utilizarmos os resistores R2=10k e R1=3k teremos as referncias de 3 e -3 volts. Ao aplicarmos uma tenso VE com a forma abaixo teremos uma onda de sada com valores de 13 e -13 volts, dependendo da tenso de entrada.
Quando o sinal de entrada vem de um valor baixo (ponto a) onde a sada est em alta (ref=3V), somente ao atingir +3V
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CIRCUITOS OSCILADORES COM AMP OP

Utilizando AMP OPs podemos construir circuitos geradores de sinais quadrados e triangulares (dentes de serra). O circuito abaixo gera um sinal de sada com forma quadrtica. Este circuito compara a tenso do capacitor com uma V referncia obtida a partir do sinal de sada. ( ). 2 Inicialmente com o capacitor descarregado, o AMP OP satura no valor positivo. O capacitor comeara a ser carregado atravs de R. Quando a tenso do capacitor ultrapassar a tenso de V referncia (+ ) o AMP OP comutar a sada para a saturao 2 negativa.
V ) e a tenso do capacitor comea 2 a descarregar e a carregar negativamente em direo a -V.
CAPTULO 11 ANEXO (INFORMAES ADICIONAIS)

TCNICAS DE ELETRNICOS SOLDAGEM DE COMPONENTES
Uma boa soldagem o primeiro passo para o perfeito funcionamento de qualquer circuito eletrnico. Atualmente os ferros de solda mais utilizados so os de 30 e os de 40 W. Abaixo vemos estes dois tipos, assim como a estrutura interna desta importante ferramenta:
A referncia muda para (-
Ao alcanar a referncia (ciclo se reinicia.
V ) h uma nova comutao e o 2
O ferro de solda ou soldador formado por um tubo de ferro galvanizado contendo uma resistncia de nquel-cromo e uma ponta metlica em seu interior. Ao passar corrente eltrica pela resistncia, esta aquece a ponta at chegar numa temperatura apropriada para derreter a solda. LIMPEZA DO FERRO DE SOLDA Existem muitas marcas de ferros de solda. Algumas muito boas como "Hikary", "Weller", "Fame", etc e outras no to boas. Porm qualquer que seja a marca do soldador, devemos tomar alguns cuidados para ele durar o mximo tempo possvel: Limpeza e estanhagem da ponta - Segure o ferro pelo cabo e medida que ele vai esquentando, derreta a solda na ponta para esta ficar brilhante e da cor do estanho. Abaixo vemos como deve ficar:
Obviamente o tempo de carga e descarga do capacitor o fator que define a freqncia da onda gerada. Com isso controlando os valores de R e C variamos a freqncia da tenso gerada. Utilizando resistores de realimentao positiva de mesmo valor (na figura anterior temos 22k ), podemos calcular a freqncia com a seguinte equao:
0,455 R.C
Exemplo 9 - Utilizando um AMP OP, projete um circuito que fornea um sinal quadrado com freqncia de 1Hz.
Quando a ponta j est quente, vai acumulando uma crosta de sujeira. Para limp-la basta passar numa esponja de ao ou numa esponja
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vegetal mida, daquelas que vm no suporte do ferro. Tambm possvel comprar esta esponja separada. NO SE DEVE NUNCA LIXAR OU LIMAR A PONTA. ISTO ACABA RAPIDAMENTE COM A MESMA. MANUTENO DO FERRO DE SOLDA 1 - Troca da resistncia - Os ferros mais caros podem ter a resistncia trocada com certa facilidade e compensa. Desparafuse e retire a ponta. Tire os parafusos do cabo e empurre o fio da resistncia para dentro. Retire o "espaguete" da emenda da resistncia. No perca estes "espaguetes" j que alm de isolantes eltricos, so isolantes trmicos. Coloque a nova resistncia dentro do tubo metlico. Refaa a emenda do cabo de fora e recoloque os "espaguetes". Posicione a resistncia at ela encostar bem perto da ponta. Recoloque os parafusos do cabo e a ponta. Abaixo vemos o procedimento:
ficar brilhante. Se ficar opaca (cinza) a solda no de boa qualidade. As soldas de boa qualidade so "Best","Cobix", "Cast", etc. Abaixo vemos um tubinho e uma cartela de solda. Ela tambm vendida em rolo de 500 g e 250 g como visto:
As soldas usadas em eletrnica possuem 30 % de chumbo e 70 % de estanho, alm de uma resina para a solda aderir ao circuito. Esta resina era substituda antigamente pela "pasta de solda" (breu). APLICAO DE SOLDA NOS CIRCUITOS ELETRNICOS 1 - Segue o ferro de solda da mesma forma que o lpis para escrever; 2 - Limpe e estanhe a ponta do ferro de solda; 3 - Encoste a ponta ao mesmo tempo na trilha e no terminal do componente. Mantenha o ferro imvel durante esta operao; 4 - Aplique solda na trilha at ela cobrir toda a ilha e o terminal do componente; 5 - Retire o ferro rapidamente. A operao da soldagem deve ser feita rapidamente para no danificar as trilhas da placa. Abaixo vemos o procedimento:
2 - Troca da ponta - Basta retirar o parafuso que prende a mesma e retir-la do tubo da resistncia. Na colocao da ponta nova, no deixe-a muito para fora seno ela esquentar pouco. Abaixo vemos como deve ficar:
A SOLDA Existem diversas marcas de solda para eletrnica. Uma marca de solda considerada de boa qualidade quando, ao se fazer uma soldagem com um ferro de solda limpo e estanhado, esta soldagem
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1 - Encoste a ponta do ferro na solda que vai ser retirada. O recomendvel aqui colocar um pouco mais de solda no terminal do componente. Isto facilita a dessoldagem; 2 - Derreta bem a solda no terminal do componente; 3 - Empurre o embolo (pisto) do sugador e coloque-o bem em cima da solda na posio vertical, sem retirar o ferro; 4 - Aperte o boto, o pisto volta para a posio inicial e o bico aspira a solda para dentro do sugador; 5 - Retire o ferro e sugador ao mesmo tempo. Agora o componente est com o terminal solto. Se ficar ainda um pouco de solda segurando o terminal, coloque mais e repita a operao. ACESSRIOS PARA SOLDAGEM Estes acessrios so basicamente uma esponja vegetal que deve ser umedecida para limpar a ponta do ferro, suportes para colocar o ferro aquecido e a pasta de solda (breu) usada quando vamos soldar numa superfcie onde difcil a aderncia da solda. Abaixo vemos os elementos SUGADORES DE SOLDA Esta ferramenta usada para retirar a solda do circuito. formada por um tubo de metal ou plstico com um embolo impulsionado atravs de uma mola. Abaixo vemos diversos modelos de sugadores de solda:
Para o sugador durar o mximo de tempo possvel, de vez em quando temos que desmont-lo para fazer uma limpeza interna e colocar grafite em p para melhorar o deslizamento do embolo. Tambm podemos usar uma "camisinha" para proteger o bico. A "camisinha" um bico de borracha resistente ao calor e adquirido nas lojas de ferramentas ou componentes eletrnicos. USO CORRETO DO SUGADOR DE SOLDA Abaixo vemos a seqncia para aplicar o sugador de solda e retirar um componente de uma placa de circuito impresso: PISTOLA DE SOLDA um tipo de ferro de solda que aquece a ponteira quase instantaneamente quando apertamos um boto que ele tem em forma de gatilho. Tambm tem uma pequena lmpada para iluminar o local onde est sendo feita a soldagem. Este ferro indicado para soldas mais pesadas, ou seja, componentes grandes com terminais mais grossos. Abaixo vemos um tipo de pistola:
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Apostila Final de Eletronica 2010 Faetec

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ELETROMECNICA

ESCOLA TCNICA DE SANTA CRUZ

PROFESSOR: MRIO GORETTI ALUNO(A):.............................................

ESCOLA TCNICA DE SANTA CRUZ

CURSO TCNICO EM ELETROMECNICA ANO: 2010

DISCIPLINA DE ELETRNICA PROFESSOR: MRIO GORETTI

CAPTULO 1- TEORIA DOS SEMICONDUTORES E O DIODO SEMICONDUTOR

Banda de conduo Banda Proibida Banda de Valncia

Isolantes, Condutores e Semicondutores

Em semicondutores temos dois tipo de conduo: 2

ons negativos ons positivos + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P

POLARIZAO DIRETA DA JUNO PN

PRINCIPAIS ESPECIFICAES DO DIODO

POLARIZAO REVERSA DA JUNO PN

Idealmente a transformao ocorre sem perda de potncia, isto : V1.I1 = V2.I2 5

Retificador de onda completa

Os diodos so especificados a partir dos seguintes critrios: IDM > IM/2

VBR > V2P

Fonte com Filtro Capacitivo

Com o filtro o sinal de sada fica com a forma mostrada abaixo.

Forma de Onda na Sada da Fonte

CAPTULO 5 - APLICAES E DIODOS ESPECIAIS

1 - CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE TENSO

2 - PROTEO CONTRA ALTA-TENSO

Alguns endereos para pesquisa: http://www.semiconductors.phillips.com http://www.sci.siemens.com http://www.national.com

REGULADOR DE TENSO COM CARGA

Equaes fundamentais: IS = IZ+IL VE=RS.IS+VZ

CAPTULO 6 - TRANSISTORES BIPOLARES

FAETEC Escola Tcnica Estadual de Santa Cruz

PROF: MARIO GORETTI

PARMETROS A (ALFA) E B (BETA)

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Formao do transistor NPN e a representao interna.

Aspecto interno em relao a simbologia

Aspecto interno em relao as camadas NPN.

FORMAO DO TRANSISTOR PNP

Formao do transistor NPN e a representao interna.

Aspecto interno em relao a simbologia

FORMAO DO TRANSISTOR NPN

Aspecto interno em relao as camadas NPN.

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TERMINAIS DOS TRANSISTORES MAIS COMUM

TRANSITORES DE USO GERAL

TRANSISTORES DE POTENCIA TESTANDO O TRANSISTOR NPN

COM RADIADOR DE CALOR ADICIONAL

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TESTANDO TRANSISTOR PNP

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No NPN: Corrente de base-= Ib>> sentido horrio. Corrente de coletor=Ic>Sentido anti-horrio.

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Si cc = 150 s varia IB.

E teramos: VCE = 8,77 V Com cc = 150:

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