Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
Адрес: 123458, Москва, ул. Таллинская, 34
Телефон: +7 (495) 772-9590 * 15198
E-mail: [email protected]
Департамент электронной инженерии создан в 2015 году. В научной деятельности мы ориентированы на поиск наиболее эффективных инженерных решений в области электроники и наноэлектроники, физики конденсированного состояния, инфокоммуникационных устройств и систем связи, интеллектуального управления техническими системами. Мы участвуем в реализации образовательных программ для приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в России:
79 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
80 бюджетных мест
65 платных мест
2 платных места для иностранцев
United States of America: IEEE, 2025.
Vagov A., Неверов В. Д., Красавин А. В. et al.
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2025. Vol. 111. P. 1-10.
В кн.: Радиоэлектроника, электротехника и энергетика, Тезисы докладов Тридцать первой международной научно-технической студентов и аспирантов. Т. 1. М.: Национальный исследовательский университет "МЭИ", 2025. С. 329-329.
Sergeev A., Minchenkov V., Солдатов А. В. et al.
arxiv.org. Computer Science. Cornell University, 2025. No. 2501.13671.
4 марта 2025 года в диссертационном совете №24.2.342.03 на базе НИУ МИЭТ по специальности №2.2.2. «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств» успешно прошла защита докторской диссертации «Методы и средства создания SPICE-моделей активных компонентов ИС с учетом воздействия температуры, радиации и эффектов старения» профессора Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Харитонова Игоря Анатольевича.
Диссертационное исследование Игоря Анатольевича посвящено решению научно-технической проблемы создания и развития научных основ, методов и средств создания SPICE моделей дискретных и интегральных биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие на них температуры, радиации и старения.
К наиболее значимым научным и практическим результатом работы Игоря Анатольевича необходимо отнести:
- предложен комбинированный способ учета эффектов, заключающийся в использовании физико-аналитических аппроксимаций для радиационно- и/или температуро-зависимых параметров в базовых уравнениях, описывающих стандартную SPICE модель;
- разработаны расширенные версии SPICE-моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих температурные и радиационные эффекты, превосходящие существующие по точности, количеству учитываемых эффектов, широте диапазона внешних воздействий и ряду других показателей;
- предложены структура, состав, методика применения и практически реализованы три специализированных программно-аппаратных комплексов и методика их применения для получения расширенных SPICE-RAD, SPICE-THERM, SPICE-AGE моделей биполярных и МОП-транзисторов и определения их параметров;
- разработанные SPICE-модели и программные модули, встроены в схемотехнические подсистемы промышленных САПР ИС/БИС и систем на печатных платах целого ряда предприятий Росатома, Роскосмоса, Росэлектроники.
Практические результаты, полученные в диссертации, были использованы при выполнении 58 хоздоговорных и госбюджетных НИР, ОКР, грантов с РНФ в период с 2000 по 2024 гг., в том числе, по совместному гранту РФФИ и Фонда научных исследований Китая и гранта на проведение НИР по мероприятиям: «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента Российской Федерации в научно-технологической сфере».
От всей души поздравляем Игоря Анатольевича и желаем дальнейших научных достижений!