シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1 mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 (IC、またはLSI)の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。

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  • シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1 mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 (IC、またはLSI)の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。 (ja)
  • シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1 mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 (IC、またはLSI)の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。 (ja)
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  • シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1 mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 (IC、またはLSI)の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。 (ja)
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  • シリコンウェハー (ja)
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