0% menganggap dokumen ini bermanfaat (0 suara)
351 tayangan11 halaman

Modul 5 Transistor Sebagai Penguat

Modul ini membahas tentang transistor sebagai penguat dengan konfigurasi Common Emitter. Terdapat beberapa percobaan yang dilakukan untuk mempelajari karakteristik transistor seperti kurva Base dan Collector serta pengukuran penguatan rangkaian Common Emitter.

Diunggah oleh

Edi Putra
Hak Cipta
© © All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai RTF, PDF, TXT atau baca online di Scribd
0% menganggap dokumen ini bermanfaat (0 suara)
351 tayangan11 halaman

Modul 5 Transistor Sebagai Penguat

Modul ini membahas tentang transistor sebagai penguat dengan konfigurasi Common Emitter. Terdapat beberapa percobaan yang dilakukan untuk mempelajari karakteristik transistor seperti kurva Base dan Collector serta pengukuran penguatan rangkaian Common Emitter.

Diunggah oleh

Edi Putra
Hak Cipta
© © All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai RTF, PDF, TXT atau baca online di Scribd
Anda di halaman 1/ 11

P R O G RAM S TU D I F I S I KA F M I PA I TB

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI

MODUL 05
TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

1 1
TUJUAN
Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emit ter

2Common
Mengetahui resistansi input, resistansi output, dan faktor penguatan dari konfigurasi penguat
Emitter.

2 PERSIAPAN

Bipolar Junction Transistors,Bab 6 pada Buku Electronics Pr
David J. Bates

Datasheet transistor 2N3904
3 PERALATAN PRAKTIKUM
1
Kit Komponen (toolbox)
2
Multimeter
3
Osiloskop
4
Signal Generator
5
Kabel Jumper
6
Catu Daya

7 Breadboard

4 DASAR TEORI
Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang terdiri atas susunan material
semikonduktor tipe-n dan tipe-p pada tiga daerah dopingnya. Transistor pada rangkaian disimbolkan
seperti pada gambar 1. Secara umum ketiga bagian tersebut dibagi menjadi emit ter pada bagian
bawah (yang memiliki tanda panah), base pada bagian tengah, dan collector pada bagian atas. Pada
transistor bipolar, susunan material dibedakan menjadi dua, yakni transistor NPN (dalam praktikum
digunakan tipe 2N3904) dan transistor PNP (2N3906). Praktikum ini akan digunakan transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT) dengan tipe NPN. Ketika transistor NPN beroperasi secara normal,
bagian junction Base-Emitter dalam keadaan panjar maju (forward bias), sedangkan pada bagian
junction Base-Collector dalam keadaan panjar mundur (reverse bias).
GambarStruktur1. penyusun mateNPN dan PNPtipe.
Selain digunakan sebagai saklar (telah dilaksanakan pada modul praktikum sebelumnya), transistor
juga digunakan sebagai penguat. Terdapat tiga jenis tipe penguatan yang dapat diberikan oleh
transistor, yaitu penguat emitter ditanahkan (common emitter, CE), penguat kolektor ditanahkan
(common collector, CC), dan penguat basis ditanahkan (common base, CB). Pada praktikum kali ini
akan dibahas tipe penguat emitter ditanahkan (common emitter).

Gambar.Konfigurasi2rangkaianumum penguattransistomengg
Untuk membuat penguat CE, CB, dan C sumberal sinyatau ground
tergantung ko

Penguat Emitter Ditanahkan (Common Emitter)

Gambar.Rangkaian3 penguat emitter, dengan


sinyalCatatanBBdanDCCCVmenyatakan.Vsumber t
sedangkanBE,CEmenyatakanVV perbedaan
=5 , =2

Pada rangkaian penguat emitter ditanahkan seperti yang ditunjukkan oleh gambar 3, tegangan
VBB akan menyebabkan panjar maju hubungan basis dan emitter pada transistor. Dengan mengatur
VBB dan RB kita dapat mengatur arus yang masuk pada basis. Penentuan besar kecilnya nilai arus
yang masuk pada basis akan mempengaruhi arus yang dihasilkan pada collector. Untuk dapat
mengalirkan arus, beda potensial pada collector harus lebih positif dari pada bagian Emiter.
Arus pada base dapat ditentukan dengan persamaan berikut:

=

Nilai bergantung pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Arus pada collector ditentukan
dengan menggunakan persamaan berikut:
=

Dimana merupakan penguatan pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Nilai tegangan di

Vcc dapat ditentukan dengan persamaan berikut,


=

Gambar.Rangkaian4 penguat emitter, dengansinyalAC.

Gambar 4 merupakan rangkaian penguat emitter ditanahkan (common emitter) dengan sinyal
AC. Untuk menghitung besaran-besaran pada rangkaian tersebut, digunakan persamaan berikut:
=

Besar penguatan pada rangkaian Common Emitter dinyatakan sebagai perbandingan


antara tegangan output dengan tegangan input.
=| |=
5 TUGAS PENDAHULUAN

1. Gambarkan struktur transistor NPN dan transistor PNP serta jelaskan perbedaannya! [poin: 20]
2. Jelaskan cara kerja transistor NPN! [poin: 10]
3. Gambarkan rangkaian dari tiga jenis penguat yang menggunakan transistor! [poin: 15]
4.
5. Apa yang dimaksud dengan titik saturasi dan titik cutoff? [poin: 10]
Gambarkan Kurva terhadap dan tentukan daerah active region, saturation region dan

breakdown region! [poin: 15]


6. Lakukan simulasi pengukuran penguatan rangkaian Common Emitter menggunakan perangkat
lunak ISIS Proteus dengan spesifikasi komponen yang sesuai seperti yang tertera pada langkah
percobaan dengan menggunakan amplitudo sinyal input 100 mV dan frekuensi 100 Hz.
Cantumkan (printscreen) rangkaian beserta hasil sinyal input dan output yang
diperoleh pada osiloskop! [poin: 30]

6 LANGKAH PERCOBAAN

Percobaan Base Curve


Percobaan ini akan menghasilkan kurva Karakteristik antara I B dan VBE dari rangkaian
penguat Common Emiter
1. Atur rangkaian seperti pada gambar 2. (RB = 5k,RC = 2k,VBB = 0)
2. Atur tegangan VCC pada keadaan konstan 3V.
3. Variasikan tegangan input VBB pada tegangan 0 5 Volt dengan selang 0,2V.
4. Hitung dan catat tegangan VBE dan arus IB dengan inputan yang berbeda.
5. Ulangi langkah poin c dan d dengan mengatur nilai V CE sebesar 5V dan 12V.

Percobaan Collector Curve


Percobaan ini akan menghasilkan kurva Karakteristik antara I C dan VCE dari rangkaian
penguat Common Emiter. Arus Collector bergantung pada tegangan Collector-Emiter.
Titik kerja transistor akan terlihat pada Kurva ini.
1. Atur rangkaian seperti pada gambar 2. (RB = 5k,RC = 2k,VCC = 0)
2. Atur nilai VBB pada nilai 3 Volt.
3. Variasikan tegangan VCC pada nilai 0 5 Volt dengan selang 0,5V.
4. Hitung dan catat tegangan VCE dan arus IC.
5. Ulangi step c dan d untuk nilai VBB sebesar 5V dan 12V

Percobaan mengukur penguatan rangkaian common emitter


1. Kit rangkaian praktikum common emitter (gambar 4) diberikan tegangan V CC
sebesar 12V (RB=10k, RC=1k, RE=1k, RV=10k, kapasitor (bagian base dan
emitter)=47F, kapasitor (bagian output)=16 F, praktikan diperbolehkan
menggunakan nilai komponen yang berbeda dengan mencatatkannya).
2. Atur potensiometer (RV) agar VCE bernilai 6V.
3. Hitung arus IC dengan mengukur beda tegangan pada resistor RC.
4. Ukur nilai tegangan VBE dan arus IB dengan menggunakan multimeter.
5. Berikan sinyal input pada rangkaian berupa sinyal sinusoidal dengan amplitudo
input dari 50mV sampai 250mV dengan selang 50mV. Atur besarnya tegangan dan
besar frekuensi agar signal dapat teramati dengan baik pada layar osiloskop.
6. Ukur dan catat besarnya tegangan output (Vout) dan tegangan input (Vin). Amati
sinyal input dan sinyal output, apakah terjadi perbedaan fasa atau tidak.
7 TUGAS LAPORAN

1. Percobaan Base Curve


1. Masukkan data IB dan VBE yang dihasilkan pada tabel percobaan Base Curve (tabel
terdapat pada bagian lampiran) untuk percobaan VCC = 3 V, 5 V, dan 12 V.
2. Gambarkan grafik IB vs VBE pada hasil percobaan tersebut untuk VCC = 3 V,
VCC = 5 V, dan VCC= 12 V.
3. Bandingkan ketiga grafik hasil percobaan dengan grafik referensi. Sertakan
gambar grafik IB vs VBE referensi pada laporan. Analisis bila terdapat
perbedaan. Jelaskan grafik hasil percobaan yang didapatkan!

2. Percobaan Collector Curve


1. Masukkan data IC dan VCE yang dihasilkan pada tabel percobaan Collector Curve
(tabel terdapat pada bagian lampiran) untuk percobaan VBB = 3 V, 5 V, dan 12 V.
2. Gambarkan grafik IC vs VCE pada hasil percobaan tersebut (grafik untuk
percobaan VBB = 3 V, 5 V, dan 12 V)
3. Bandingkan grafik hasil percobaan dengan grafik referensi. Sertakan gambar
grafik IC vs VCE referensi pada laporan. Analisis bila terdapat perbedaan.
Jelaskan grafik hasil percobaan yang didapatkan!

3. Percobaan Penguat Common Emitter


1. Lengkapi data-data yang terdapat pada tabel di bagian lampiran.
2. Berdasarkan data yang didapat, carilah besarnya penguatan rangkaian tersebut! Apakah
terjadi perbedaan fasa atau tidak pada sinyal yang teramati pada osiloskop? Jelaskan!
3. Foto sinyal input dan sinyal output pada percobaan ini dan tampilkan pada laporan.

4. Jelaskan faktor apa saja yang mungkin membuat perbedaan antara hasil
penghitungan secara teoretik (referensi) dengan hasil percobaan!
5. Apa keunggulan dan kelemahan dari penguat Common Emitter (minimal 2)?
LOG AKTIVITAS

Nama :
NIM :
Shift :

Percobaan Base Curve Tabel 2. Percobaan Base Curve dengan VCC = 5 V

Tabel 1. Percobaan Base Curve dengan VCC = 3 V VCC = 5 V

VCC = 3 V VBB (V) IB (mA) VBE (V)


VBB (V) IB (mA) VBE (V) 0
0 0.2
0.2 0.4
0.4 0.6
0.6 0.8
0.8 1
1 1.2
1.2 1.4
1.4 1.6
1.6 1.8
1.8 2
2 2.2
2.2 2.4
2.4 2.6
2.6 2.8
2.8 3
3 3.2
3.2 3.4
3.4 3.6
3.6 3.8
3.8 4
4 4.2
4.2 4.4
4.4 4.6
4.6 4.8
4.8 5
5

VCC = 12 V
Tabel 3. Percobaan Base Curve dengan VCC = 12 V
VBB (V) IB (mA) VBE (V)
0 Percobaan Collector Curve
0.2 Tabel 4. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 3V
0.4 VBB = 3 V
0.6
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0.8 0
1 0.5
1.2 1
1.4 1.5
1.6
2
1.8 2.5
2 3
2.2 3.5
2.4 4
2.6 4.5
2.8 5
3
3.2
3.4 Tabel 5. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 5V

3.6 VBB = 5 V
3.8
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5

Tabel 6. Percobaan Collector Curve dengan VBB =


12 V
VBB = 12 V

VCC (V) IC (mA) VCE (V)


0
0.5
1
Hasil penguatan yang diperoleh (Vout/Vin):
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5

Percobaan Penguat Common Emitter


Tabel 7. Percobaan Penguat Common Emitter

Nilai (sertakan satuan)


VCC
VCE
VBE
IB
IC
VIn
Vout

Spesifikasi Komponen yang digunakan:


Gambar sinyal input dan sinyal output (osiloskop)
dan [2] Malvino, Albert. 2007. Electronic
Pener Principles Seventh Edition. New York:
apann McGraw Hill.
8 REFERENSI ya.
Bandu
[1] Sutrisno. ng:
1987. Penerb
Elektronik M O D U L P R AK TI K U M E L
it ITB. E K TR O N I KA DASAR 8
a Teori

Anda mungkin juga menyukai