Modul 5 Transistor Sebagai Penguat
Modul 5 Transistor Sebagai Penguat
MODUL 05
TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT
1 1
TUJUAN
Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emit ter
2Common
Mengetahui resistansi input, resistansi output, dan faktor penguatan dari konfigurasi penguat
Emitter.
2 PERSIAPAN
Bipolar Junction Transistors,Bab 6 pada Buku Electronics Pr
David J. Bates
Datasheet transistor 2N3904
3 PERALATAN PRAKTIKUM
1
Kit Komponen (toolbox)
2
Multimeter
3
Osiloskop
4
Signal Generator
5
Kabel Jumper
6
Catu Daya
7 Breadboard
4 DASAR TEORI
Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang terdiri atas susunan material
semikonduktor tipe-n dan tipe-p pada tiga daerah dopingnya. Transistor pada rangkaian disimbolkan
seperti pada gambar 1. Secara umum ketiga bagian tersebut dibagi menjadi emit ter pada bagian
bawah (yang memiliki tanda panah), base pada bagian tengah, dan collector pada bagian atas. Pada
transistor bipolar, susunan material dibedakan menjadi dua, yakni transistor NPN (dalam praktikum
digunakan tipe 2N3904) dan transistor PNP (2N3906). Praktikum ini akan digunakan transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT) dengan tipe NPN. Ketika transistor NPN beroperasi secara normal,
bagian junction Base-Emitter dalam keadaan panjar maju (forward bias), sedangkan pada bagian
junction Base-Collector dalam keadaan panjar mundur (reverse bias).
GambarStruktur1. penyusun mateNPN dan PNPtipe.
Selain digunakan sebagai saklar (telah dilaksanakan pada modul praktikum sebelumnya), transistor
juga digunakan sebagai penguat. Terdapat tiga jenis tipe penguatan yang dapat diberikan oleh
transistor, yaitu penguat emitter ditanahkan (common emitter, CE), penguat kolektor ditanahkan
(common collector, CC), dan penguat basis ditanahkan (common base, CB). Pada praktikum kali ini
akan dibahas tipe penguat emitter ditanahkan (common emitter).
Gambar.Konfigurasi2rangkaianumum penguattransistomengg
Untuk membuat penguat CE, CB, dan C sumberal sinyatau ground
tergantung ko
Pada rangkaian penguat emitter ditanahkan seperti yang ditunjukkan oleh gambar 3, tegangan
VBB akan menyebabkan panjar maju hubungan basis dan emitter pada transistor. Dengan mengatur
VBB dan RB kita dapat mengatur arus yang masuk pada basis. Penentuan besar kecilnya nilai arus
yang masuk pada basis akan mempengaruhi arus yang dihasilkan pada collector. Untuk dapat
mengalirkan arus, beda potensial pada collector harus lebih positif dari pada bagian Emiter.
Arus pada base dapat ditentukan dengan persamaan berikut:
=
Nilai bergantung pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Arus pada collector ditentukan
dengan menggunakan persamaan berikut:
=
Dimana merupakan penguatan pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Nilai tegangan di
Gambar 4 merupakan rangkaian penguat emitter ditanahkan (common emitter) dengan sinyal
AC. Untuk menghitung besaran-besaran pada rangkaian tersebut, digunakan persamaan berikut:
=
1. Gambarkan struktur transistor NPN dan transistor PNP serta jelaskan perbedaannya! [poin: 20]
2. Jelaskan cara kerja transistor NPN! [poin: 10]
3. Gambarkan rangkaian dari tiga jenis penguat yang menggunakan transistor! [poin: 15]
4.
5. Apa yang dimaksud dengan titik saturasi dan titik cutoff? [poin: 10]
Gambarkan Kurva terhadap dan tentukan daerah active region, saturation region dan
6 LANGKAH PERCOBAAN
4. Jelaskan faktor apa saja yang mungkin membuat perbedaan antara hasil
penghitungan secara teoretik (referensi) dengan hasil percobaan!
5. Apa keunggulan dan kelemahan dari penguat Common Emitter (minimal 2)?
LOG AKTIVITAS
Nama :
NIM :
Shift :
VCC = 12 V
Tabel 3. Percobaan Base Curve dengan VCC = 12 V
VBB (V) IB (mA) VBE (V)
0 Percobaan Collector Curve
0.2 Tabel 4. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 3V
0.4 VBB = 3 V
0.6
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0.8 0
1 0.5
1.2 1
1.4 1.5
1.6
2
1.8 2.5
2 3
2.2 3.5
2.4 4
2.6 4.5
2.8 5
3
3.2
3.4 Tabel 5. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 5V
3.6 VBB = 5 V
3.8
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5