Scribd
Unggah
101 tayangan9 halaman

IGBT

1. IGBT merupakan gabungan dari transistor bipolar dan transistor efek medan yang memiliki sifat sebagai sakelar elektronik ideal. 2. IGBT dapat menghasilkan arus besar untuk beban listrik tanpa terjadi kerugian daya yang berarti karena memiliki tahanan kecil pada keadaan menyala dan besar pada keadaan mati. 3. IGBT sangat sesuai untuk aplikasi inverter dan kendali motor listrik karena mampu mengontrol ar

Diunggah oleh

Irma Tri Puspita Sari
Hak Cipta
© © All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai PPTX, PDF, TXT atau baca online di Scribd
101 tayangan9 halaman

IGBT

1. IGBT merupakan gabungan dari transistor bipolar dan transistor efek medan yang memiliki sifat sebagai sakelar elektronik ideal. 2. IGBT dapat menghasilkan arus besar untuk beban listrik tanpa terjadi kerugian daya yang berarti karena memiliki tahanan kecil pada keadaan menyala dan besar pada keadaan mati. 3. IGBT sangat sesuai untuk aplikasi inverter dan kendali motor listrik karena mampu mengontrol ar

Diunggah oleh

Irma Tri Puspita Sari
Hak Cipta
© © All Rights Reserved
Kami menangani hak cipta konten dengan serius. Jika Anda merasa konten ini milik Anda, ajukan klaim di sini.
Format Tersedia
Unduh sebagai PPTX, PDF, TXT atau baca online di Scribd
Anda di halaman 1/ 9

IGBT

Insulated-Gate Bipolar
Transistor

IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor)

Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor) adalah piranti semikonduktor
yang setara dengan gabungan sebuah
transistor bipolar (BJT) dan sebuah
transistor efek medan (MOSFET).

IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor)

Input dari IGBT adalah


terminal Gate dari MOSFET,
sedang terminal Source dari
MOSFET terhubung ke
terminal Basis dari BJT.
Dengan demikian, arus drain
keluar dan dari MOSFET akan
menjadi arus basis dari BJT.
Karena besarnya tahanan
masuk dari MOSFET, maka
terminal input IGBT hanya
akan menarik arus yang kecil
dari sumber.

IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor)
Di pihak lain, arus drain sebagai
arus keluaran dari MOSFET akan
cukup besar untuk membuat BJT
mencapai keadaan saturasi.
Dengan gabungan sifat kedua
elemen tersebut, IGBT
mempunyai perilaku yang cukup
ideal sebagai sebuah sakelar
elektronik.
Di satu pihak IGBT tidak terlalu
membebani sumber, di pihak lain
mampu menghasilkan arus yang
besar bagi beban listrik yang
dikendalikannya.

IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor)

1.

2.

3.

Sebuah sakelar ideal di dalam aplikasi


elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat
sebagai berikut:
Pada keadaan OFF, tahanan sakelar besar
sekali, mendekati nilai tak berhingga, nilai
arus bocor sakelar sangat kecil.
Pada keadaan ON, tahanan sakelar (R_on)
sangat kecil. Maka volatge drop sangat
kecil, power dissipation juga sangat kecil,
kecepatan pensakelaran tinggi.

IGBT (Insulated-Gate Bipolar


Transistor)
IGBT memenuhi seluruh kriteria saklar ideal,
dikarenakan IGBT merupakan gabungan
dari divais BJT dan MOSFET.
IGBT sangat sesuai dioperasikan pada arus
besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi
kerugian daya yang cukup berarti.
IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat
Inverter maupun Kendali Motor Listrik
(Drive).

IGBT Operation
Jika

input Gate mendapat


tegangan positif(Vg>0),
maka arus kolektor akan
mengalir.
Jika input Gate mendapat
tegangan negatif (Vg0),
maka arus kolektor tidak
mengalir.

Karakteristik IGBT

Aplikasi IGBT

Anda mungkin juga menyukai