Diode (V1)

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Chapitre 1 : Les diodes

Electronique de base

Mr. Pr. A. BARRA

Mr. Dr. E. M. BEN KACEM


Sommaire
1. Conduction de l’éléctricité
1. Structure atomique – modèle de Bohr
2. Niveaux d’énergie – niveau de Fermi
3. Isolant, conducteur, semi-conducteur
4. Résistivité, conductivité
2. Les semi-conducteurs
1. Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques
2. Les semi-conducteurs dopés ou extrinsèques
3. Les semi-conducteurs extrinsèques type N
4. Les semi-conducteurs extrinsèques type P
3. La jonction PN à semi-conducteur
1. La jonction PN non polarisée
2. La jonction PN polarisée en direct
3. La jonction PN polarisée en inverse
4. Caractéristique courant–tension de la diode
4. Les diodes spéciales
1- Conduction électrique

Un corps est isolant s’il ne contient pas


d’électrons mobiles.
Dans un conducteur, les électrons peu
liés aux noyaux peuvent se déplacer.
La densité de courant s’écrit :

e : charge de l' électron


I
J   n.e.v n : densité des électrons libres
S v : vitesse moyenne de déplacement des électrons

La vitesse des électrons est proportionnelle à la force V


à laquelle ils sont soumis donc au champ électrique :
E

E I E V
Si : v  .E alors : J  n.e..E  .E  soit : J  
 S  
 : mobilité des charges (cm2 v -1s-1)
Loi d’Ohm : V 
R  : conductivi té(m)1
I S  : résistivit é (m)
2- Structure atomique – modèle de Bohr
Dans l’atome isolé, les électrons occupent
des niveaux d’énergie discrets.

2
Le nb d’électrons est données par : ni  2.i

Dans un cristal, suite aux interactions entre


atomes, ces niveaux discrets s’élargissent 2-8-4=14e 2-8-18-4=32e
et deviennent des bandes d’énergie
permises séparées par des bandes
interdites.

bande interdite : gap


2- Niveaux d’énergie – niveau de Fermi
La répartition des électrons obéit aux lois de la thermodynamique statistique.
 Au zéro absolu (-273°C), seuls les niveaux les plus bas (proche du noyau) sont
peuplés.
 pour déplacer un électron d’une orbite inférieure vers une orbite plus haute, il faut
lui fournir une énergie (chaleur, lumière,…). Donc plus on s’éloigne du noyau plus
l’énergie potentielle est grande.
 Ainsi, à toute autre température que le 0°K, la probabilité qu’un électron
appartienne à un niveau d’énergie est donnée par la statistique de Fermi-Dirac :
k : constante de Boltzman
1
P(E )  T : températur e absolue
E  EF
1  exp( ) E f : niveau de Fermi
kT à T  300 K, kT  26meV
2- Niveaux d’énergie – absorption/émission
Inversement, lorsqu’un électron redescend de la BC vers la BV, le semi-conducteur
restitue l’énergie sous forme de chaleur ou de lumière.

Le photon émis a une énergie égale à :

h.c
E g  h 

3- Isolant, conducteur, semi-conducteur

Dans les isolants, la hauteur de la bande


d’énergie grande (~5eV) interdit toute
conduction. La résistivité est très grande.

Dans les conducteurs, la dernière bande


est partiellement remplie. Il existe beaucoup
de niveaux disponibles et la conduction est
grande.

Dans les semi-conducteurs, le taux de


remplissage de la dernière bande occupée
est soit très faible soit très important. Le
gap est faible (~1eV) et la conduction faible
varie beaucoup avec la température.
4- Résistivité, conductivité

1  : résistivité en m
m  
m 1  : conductivi té en (Ωm)1

Isolants diamant  1012 m


1010 m  mica  1012 m

Conducteurs  Ag  1,6.10 8 m

Cu  1,7.10 8 m
 Al  2,8.10 8 m

Semi-conducteurs à 300K
Si  2400m
Ge  0,5m
5- Les semi-conducteurs

La structure atomique du silicium et du germanium est


la même que celle du diamant (cubique).
Chaque atome est lié à 4 voisins placé aux sommets d’un
tétraèdre par une liaison covalente : il s’agit d’atone
«tétravalent »
6- Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques
Dans un semi-conducteur pur, le
gap est assez faible pour autoriser, à
température ambiante, le passage
d’un petit nombre d’électrons de la BV
dans la BC.
L’électron dans la BC devient libre. Il
laisse dans la BV un excès de charge
positive le «trou» qui à son tour va
être comblé par un électron voisin.
Génération de paire électron-trou.
6- Les semi-conducteurs purs ou intrinsèques

A chaque électron (masse positive,


charge négative) correspond un trou
(masse négative, charge positive).

La neutralité du matériau impose


que les trous (p) et les électrons (n)
soient en nombres identiques, leur
nombre dépend de la température
et du gap (Si ou Ge) :

w gap

n  p  ni  A.T 3 2 .e 2kT

Au déplacement des électrons dans un sens correspond le déplacement contraire


pour les trous. Pour le silicium pur à 300K :

n  12.106 m2 V 1s 1 et p  5.106 m2 V 1s 1

La conductivité intrinsèque est très faible et vaut :   e(nn  pp )


7- Les semi-conducteurs dopés ou extrinsèques

Le dopage consiste à introduire des impuretés pour accroitre le nombre d’électrons


ou de trous libres. On obtient ainsi une conduction extrinsèque.
8- Les semi-conducteurs extrinsèques type N
On introduit dans le cristal de silicium
pur des d’atomes d’impuretés
pentavalents (5e sur la couche de
valence) tels que le phosphore P,
l’arsenic AS et l’antimoine Sb.
Chaque atome d’impureté amène un
électron de valence (l’orbite de
valence ne peut accepter que 8e).
Cet électron interstitiel peu lié aux
Comme le nombre d’impuretés est connu noyaux (E~0,01eV) se retrouve
et important : rapidement libre dans la BC.
dans la BC : n  nint  next  Ndonneurs  Chaque atome pentavalent ou
 n  p donneur génère ainsi un électron
dans la BV ; p  pint 
interstitiel :

Les électrons sont les porteurs Majoritaires next  Ndonneurs


Les trous sont les porteurs minoritaires

La conductivité est assurée par les électrons : type N ext  e.Ndonneurs .n
8- Les semi-conducteurs extrinsèques type N
9- Les semi-conducteurs extrinsèques type P
On introduit dans le réseau de silicium
pur des d’atomes d’impuretés
trivalents (3e sur la couche de
valence) tels que le bore B,
l’aluminium Al, le gallium Ga ou
l’indium In.
Chaque atome d’impureté amène un
trou en excès (l’orbite de valence ne
peut accepter que 8e).
Comme le nombre d’impuretés est connu Cet emplacement ou trou vite comblé
et important : par un électron voisin (E~0,05eV) se
dans la BC : n  nint  déplace facilement dans la BV.
 p  n
dans la BV : p  pint  pext  Ndonneurs  Chaque atome trivalent ou
accepteur génère ainsi un trou mobile
:

Les trous sont les porteurs Majoritaires pext  Naccepteurs

Les électrons sont les porteurs minoritaires

La conductivité est assurée par les trous : type P ext  e.Naccepteurs .p
9- Les semi-conducteurs extrinsèques type P
10- La jonction PN
Une jonction PN est une région de faible épaisseur où la conductibilité du semi-
conducteur passe progressivement du type P au type N

Fabrication d’une jonction PN


10- La jonction PN non polarisée
Plaçons deux régions en contact, il y aura
passage des porteurs de la région à grande
concentration vers la région à faible
concentration (électrons de NP, trous de
PN).
Coté N, on assiste à des pertes de charges
négatives d’où ions positifs. Idem côté P,
apparition d’ions négatifs.
Cela génère une différence de potentiel
Vo, un champ électrique Eo qui favorise le
passage des porteurs minoritaires et
Le courant des porteurs minoritaires est
s’oppose au passage des porteurs
contrebalancé par le courant des porteurs
majoritaires. Donc équilibre.
majoritaires qui ont assez d’énergie pour
passer la barrière de potentiel. Disparition totale de charge mobile dans la
zone centrale ou zone de déplétion.
Imin  Imaj  Isat  Io .e  eVo kT

A 25°C Vo=0,3V pour le Ge et 0,7 V pour le Si. Donc I sat Si < Isat Ge. Pour cette
raison la préférence est donnée au Si
10- La jonction PN non polarisée

Le courant des porteurs


minoritaires est contrebalancé
par le courant des porteurs
majoritaires qui ont assez
d’énergie pour passer la barrière
de potentiel.

Imin  Imaj  Isat  Io .e  eVo kT


11- La jonction PN polarisée en direct
Les électrons en provenance du (-) du
générateur envahissent la zone N et se
déplacent vers la jonction où ils se
recombinent devenant ainsi des électrons de
valence.
Puis se déplacent dans la zone P pour
ressortir en direction de la borne (+) du
générateur.

Côté énergie : la DDP Vd s’oppose à Vo


donc passage de plus de porteurs
majoritaires d’une zone vers l’autre  fort
courant direct. La jonction conduit.

Imaj  Io .e  e( Vo  Vd) kT  Isat .eeVd kT


Imin  Isat

Le courant total dans le circuit vaut : Itot  Imaj  Imin

Soit : Idirect 
 Isat eeVd kT  1 
12- La jonction PN polarisée en inverse
La DDp extérieure Vinv s’ajoute à la
barrière de potentiel Vo, la zone de
déplétion augmente.
Il n’existe plus qu’un faible courant
minoritaire Isat. La résistance interne
devient alors grande, la jonction est
bloquée.

Soit : Iinv  Imin  Isat

Le courant de saturation ne dépend


que de la température et n’augmente
pas lorsque Vinv croît.
En moy, Isat double tous les 10°C.
13- Caractéristique courant–tension de la diode

En direct, en dessous du seuil


Vs, le courant est faible. Au-delà,
le courant augmente fortement et
croît exponentiellement. La diode
conduit.


Idirect  Isat eeVd kT  1 
Vs = 0,2 à 0,4V pour le Ge
Vs = 0,6 à 0,7V pour le Si

En inverse, le courant est très


faible, la diode est bloquée.

Iinv  Imin  Isat

Au-delà d’une certaine valeur de Vinv, il y a claquage de la jonction par :


Effet d’avalanche : les porteurs minoritaires accélérés par le champ électrique entrent
en collision avec d’autres atomes  ionisation par choc (effet destructif).
14- Les diodes spéciales
14-1 Diode Zener En inverse, lorsque en un point existe un champ très élevé
(106V/cm), il y a extraction directe des électrons de leurs atomes
puis effet d’avalanche : cet effet Zener est réversible et non
destructif.

14-2 Diode Schottky Utilise une jonction métal-SC. Pas de zone de déplétion ce qui lui
permet de fonctionner à des fréquences plus élevées que les
diodes classiques (F>300MHz).
14- Les diodes spéciales
14-3 Diode Varicap En inverse, la zone de déplétion apparaît comme un isolant et augmente
d’autant plus que la tension inverse croît. La jonction se comporte comme un
condensateur dont la capacité est fonction de la tension
Co
CT 
(1  Vinv Vseuil )
  0,33

Evolution de la capacité en fonction de v inverse

14-4 Diode Tunnel A partir d’une jonction crée avec des semi-conducteurs fortement dopés,
les électrons en mouvement peuvent franchir une barrière de potentiel
supérieure à leurs énergies cinétiques. Cela entraîne une caractéristique
I=f(V) qui présente une résistance négative. Cette particularité est mise à
profit dans les oscillateurs pour compenser la résistance d’un circuit LC.
14- Les diodes spéciales
En direct, cette diode a la particularité d’émettre un
14-5 Diode électroluminescente (LED)
rayonnement visible (ou infrarouge) dont la
couleur dépend du gap (entre 1 et 3eV) du semi-
conducteur utilisé. La caractéristique tension-courant
reste la même qu’une diode classique avec toutefois
une tension de seuil plus élevée (~ 2V).

14-6 Photodiode – cellule photovoltaïque


Cette jonction PN lorsqu’elle reçoit de l’énergie lumineuse produit des
porteurs minoritaires dans la diode en inverse. Plus la lumière augmente,
plus le courant croît. L’association de photodiodes est à la base de la
construction des panneaux photovoltaïques.

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