Diode (V1)
Diode (V1)
Diode (V1)
Electronique de base
2
Le nb d’électrons est données par : ni 2.i
h.c
E g h
3- Isolant, conducteur, semi-conducteur
1 : résistivité en m
m
m 1 : conductivi té en (Ωm)1
Conducteurs Ag 1,6.10 8 m
Cu 1,7.10 8 m
Al 2,8.10 8 m
Semi-conducteurs à 300K
Si 2400m
Ge 0,5m
5- Les semi-conducteurs
w gap
n p ni A.T 3 2 .e 2kT
La conductivité est assurée par les électrons : type N ext e.Ndonneurs .n
8- Les semi-conducteurs extrinsèques type N
9- Les semi-conducteurs extrinsèques type P
On introduit dans le réseau de silicium
pur des d’atomes d’impuretés
trivalents (3e sur la couche de
valence) tels que le bore B,
l’aluminium Al, le gallium Ga ou
l’indium In.
Chaque atome d’impureté amène un
trou en excès (l’orbite de valence ne
peut accepter que 8e).
Comme le nombre d’impuretés est connu Cet emplacement ou trou vite comblé
et important : par un électron voisin (E~0,05eV) se
dans la BC : n nint déplace facilement dans la BV.
p n
dans la BV : p pint pext Ndonneurs Chaque atome trivalent ou
accepteur génère ainsi un trou mobile
:
La conductivité est assurée par les trous : type P ext e.Naccepteurs .p
9- Les semi-conducteurs extrinsèques type P
10- La jonction PN
Une jonction PN est une région de faible épaisseur où la conductibilité du semi-
conducteur passe progressivement du type P au type N
A 25°C Vo=0,3V pour le Ge et 0,7 V pour le Si. Donc I sat Si < Isat Ge. Pour cette
raison la préférence est donnée au Si
10- La jonction PN non polarisée
Soit : Idirect
Isat eeVd kT 1
12- La jonction PN polarisée en inverse
La DDp extérieure Vinv s’ajoute à la
barrière de potentiel Vo, la zone de
déplétion augmente.
Il n’existe plus qu’un faible courant
minoritaire Isat. La résistance interne
devient alors grande, la jonction est
bloquée.
Idirect Isat eeVd kT 1
Vs = 0,2 à 0,4V pour le Ge
Vs = 0,6 à 0,7V pour le Si
14-2 Diode Schottky Utilise une jonction métal-SC. Pas de zone de déplétion ce qui lui
permet de fonctionner à des fréquences plus élevées que les
diodes classiques (F>300MHz).
14- Les diodes spéciales
14-3 Diode Varicap En inverse, la zone de déplétion apparaît comme un isolant et augmente
d’autant plus que la tension inverse croît. La jonction se comporte comme un
condensateur dont la capacité est fonction de la tension
Co
CT
(1 Vinv Vseuil )
0,33
14-4 Diode Tunnel A partir d’une jonction crée avec des semi-conducteurs fortement dopés,
les électrons en mouvement peuvent franchir une barrière de potentiel
supérieure à leurs énergies cinétiques. Cela entraîne une caractéristique
I=f(V) qui présente une résistance négative. Cette particularité est mise à
profit dans les oscillateurs pour compenser la résistance d’un circuit LC.
14- Les diodes spéciales
En direct, cette diode a la particularité d’émettre un
14-5 Diode électroluminescente (LED)
rayonnement visible (ou infrarouge) dont la
couleur dépend du gap (entre 1 et 3eV) du semi-
conducteur utilisé. La caractéristique tension-courant
reste la même qu’une diode classique avec toutefois
une tension de seuil plus élevée (~ 2V).