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Methodes de Determination Des Parametres de Recombinaison D'Une Photopile

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UNIVERSITE CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES


DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

GROUPE DE MODELISATION, SIMULATION ET CARACTERISATION


DES MATERIAUX (G.M.S.C.M)
LABORATOIRE DE SEMICONDUCTEURS ET D’ENERGIE SOLAIRE (LA.S.E.S)

METHODES DE DETERMINATION DES


PARAMETRES DE RECOMBINAISON D’UNE
PHOTOPILE

Séminaire International   
« Energies Renouvelables: Atouts et perspectives pour l’Afrique»
DÉMARCH
E
Jonction horizontale 
1. PRÉSENTATION DE LA PHOTOPILE
 Jonction verticale
 Constant
2. NATURE ET MODE  Pulsé
D’ÉCLAIREMENT  Modulation de fréquence

3. MODÈLE  Dimension 1
 Dimension 3
PHYSIQUE
 Statique
4. RÉPONSE DE LA  Dynamique transitoire
PHOTOPILE  Dynamique fréquentiel

5. EXPLOITATION DE LA RÉPONSE DE LA
PHOTOPILE  Paramètres phénoménologiques
 Paramètres électriques
6. CONCLUSION ET
PERSPECTIVES

Dr. F. I. Barro, Assistant, LASES- Dpt Physique/FST/Université Cheikh Anta Diop, Sénégal 2
(1/1) PRÉSENTATION DE LA PHOTOPILE : JONCTION
HORIZONTALE

Photopile à jonction horizontale

Dr. F. I. Barro, Assistant, LASES- Dpt Physique/FST/Université Cheikh Anta Diop, Sénégal 3
(1/2) PRÉSENTATION DE LA PHOTOPILE : JONCTION
VERTICALE
 JONCTION VERTICALE
SÉRIE

 JONCTION VERTICALE
PARALLÈLE

Dr. F. I. Barro, Assistant, LASES- Dpt Physique/FST/Université Cheikh Anta Diop, Sénégal 4
2. NATURE ET MODE
D’ÉCLAIREMENT
 Mode d’éclairement : (face avant, face arrière, éclairement simultané)

 Nature de l’éclairement : (Taux de génération des porteurs)

3
G ( x )  n   am    exp bm  x     exp bm .H  x 
m 1
 Constant
G z,      1  R 0  e   W  z   e   H  z  

 Pulsé

 Modulation de fréquence G ( x, t )  g ( x) exp(i  t )


 

Dr. F. I. Barro, Assistant, LASES- Dpt Physique/FST/Université Cheikh Anta Diop, Sénégal 5
(3/1) MODÈLE PHYSIQUE : 1
DIMENSION

Photopile au silicium à 1 dimension

Dr. F. I. Barro, Assistant, LASES- Dpt Physique/FST/Université Cheikh Anta Diop, Sénégal 6
(3/2) MODÈLE PHYSIQUE : 3
DIMENSIONS

Modélisation d’un grain de silicium polycristallin


(a) : Cellule polycristalline réelle, (b) : Cellule polycristalline idéalisée,
(c): Structure d’un grain, (d): Modèle tridimensionnel d’un grain

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(4/1) RÉPONSE DE LA PHOTOPILE
 Statique (excitation constante, point de fonctionnement fixe)

 Dynamique transitoire (excitation constante, point de


fonctionnement variable / excitation pulsée)

 Dynamique fréquentiel (excitation sinusoïdale)

Conditions aux limites:


A la jonction En face arrière

n x, y, z, λ  δnx,y,0,λ 


δ nx,y,z,λ  δ
z
 SFn
D   SB nx,y,H,λ 
z0 n z zH Dn
Aux joints de grain
g
δ n ( x , y, z, λ)
δ n ( x, y, z , λ) 2
 S gb
x g
x x 2 Dn
2

Paramètres de recombinaison: (L, Sf0, Sb, Sgb, , D)

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(4/2) RÉPONSE DE LA PHOTOPILE

L : longueur de diffusion des porteurs

 : durée de vie des porteurs

Paramètres D : coefficient de diffusion des porteurs


de recombinaison
Sf0 : vitesse de recombinaison intrinsèque à la jonction

Sb : vitesse de recombinaison en face arrière

Sgb : vitesse de recombinaison aux joints de grain

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5. EXPLOITATION DE LA RÉPONSE DE LA
PHOTOPILE
 Paramètres phénoménologiques  Paramètres électriques
(, L, D, Sf0, Sb, Sgb) (Rs, Rsh, Czce, LH)

Bode, Nyquist
I=f(L), V=f(Sf)
Méthodes : Méthodes :
(L), c IQE Elargissement
de la zce

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6. CONCLUSION ET PERSPECTIVES

Caractérisation pour la fabrication


Aspect fondamental
(connaissance, amélioration du processus
de fabrication )

Contrôle de qualité de modules PV


Aspect application
(tests, diagnostic de modules PV )
Optimisation énergétique
(Modélisation/simulation)

Nouvelles méthodes de caractérisation

Logiciel de simulation de photopiles (modules)

Extension du concept de vitesse de recombinaison


(coefficient d’échange en thermique, en électrochimie)
http://solmatmodelling.webou.net/index.htm
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