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    sur 15

    Chap1.

    :
    Introduction aux semi-
    conducteurs
    Structure atomique de semi-
    conducteurs
    • Couches d’électrons et orbites

    2
    Structure atomique de semi-
    conducteurs
    • Électrons de valence

    ♪ les électrons les plus éloignés du noyaux sont moins fortement liés à
    l’atome que ceux plus près du noyau.

    ♪ la couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de


    valence.

    ♪ les électrons de la couche de valence sont appelés électrons de


    valences.

    ♪ les électrons de valence participent aux liaisons à l’intérieur du matériau.

    3
    Structure atomique de semi-
    conducteurs
    • Atomes de silicium et de germanium

    4
    Semi-conducteurs intrinsèques
    • Liaison atomique

    Liaisons covalentes du silicium

    5
    Semi-conducteurs intrinsèques
    • Liaison atomique

    Structure cristalline du silicium


    intrinsèque

    6
    Semi-conducteurs intrinsèques
    • Conduction des semi-conducteurs
    ♪ Diagramme de bandes d’énergie à la température du zéro absolu

    Bandes d’énergie pour un


    atome de silicium non excité
    7
    Semi-conducteurs intrinsèques
    • Électrons de conduction et trous

    a) Diagramme énergétique

    Création d’une paire électron-trou


    8
    dans un atome excité de silicium
    Semi-conducteurs extrinsèques
    • Le dopage
    Les semi-conducteurs intrinsèques ne conduisent pas très bien le courant
    du fait de leur nombre limité d’électrons libres dans la bande de conduction.
    Ainsi la conduction d’un semi-conducteur est bien inférieure à celle d’un
    conducteur.

    Les conductibilités du silicium et du germanium peuvent être augmentée


    par l’addition d’impuretés dans le semi-conducteur intrinsèque. Ce procédé,
    appelé dopage.

    il ya deux types de dopage:


    - dopage de type N
    - dopage de type P

    9
    Semi-conducteurs extrinsèques
    • Semi-conducteur de type N

    Dopage de type N

    10
    Semi-conducteurs extrinsèques
    • Semi-conducteur de type N

    Dopage de type N

    11
    Semi-conducteurs extrinsèques
    • Semi-conducteur de type P

    Dopage de type P

    12
    Semi-conducteurs extrinsèques
    • Semi-conducteur de type P

    Dopage de type P

    13
    Jonction PN
    • Formation
    La jonction PN est à la base de la plupart des
    applications des semi-conducteurs. Elle est créée par la
    mise en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un
    semi-conducteur de type N. Dans la zone de contact,
    les électrons libres du segment N pénètrent dans le
    segment P et se recombinent avec les trous. De même,
    les trous du segments P pénètrent dans le segment N et
    se recombinent avec les électrons. Ce phénomène est
    appelé diffusion.

    14
    Jonction PN
    • Formation de la
    barrière de potentiel
    Chaque électron qui traverse la jonction et se
    combine avec un trou, laisse un ion chargé
    positivement dans la région N. aussi quand
    l’électron se combine avec un trou de la région
    P, il donne naissance à un ion négatif dans la
    région P.

    L’existence d’ions positifs et négatifs sur les


    cotés opposés de la jonction crée un champ
    électrique E, et par là même une barrière de
    potentiel V0.. (V0 = 0.7V pour le silicium et 0.3V
    pour le germanium à 25°C)

    Le champ électrique tend à maintenir les


    porteurs majoritaires dans leurs zones
    respectives.

    15

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