Chapitre 3.

Emetteurs de lumière
- Diodes électroluminescentes:
o principe,
o caractéristiques électriques et spectrale,
o différents types de diode LED,
- Diodes laser:
o oscillation laser,
o caractéristiques électriques et spectrale,
o différents types de diode laser.

Diodes électroluminescentes

Une diode électroluminescente est une source de lumière par une diode alimentée par un
courant électrique.

- Diode
C’est un dipôle électronique formé par une jonction de deux matériaux semi-
conducteurs de types différents (N et P).
- La luminescence
La luminescence est une émission de lumière dans un matériau par un processus qui
résulte du retour à l’équilibre d’un matériau au préalable excité.
- Electroluminescence
Création d’électrons et de trous en excès par injection de porteurs (application d’une

tension ou excitation) ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ émission de photons lors de la recombinaison

(luminescence).
Principe de l’émission spontanée de photons
Lorsqu’un électron se recombine avec un trou, un photon peut être émis, c’est une
recombinaison radiative. Ce processus est désigné de luminescence. Il est utilisé pour
caractériser un matériau ou pour réaliser des sources de lumière.
Dans un semi-conducteur une recombinaison bande à bande à lieu lors du passage
d’un électron de la bande de conduction vers un état libre de la bande de valence (trou ou
hole). Ce processus se produit dans un semi-conducteur (SC) à gap direct ou indirect. Mais la
probabilité d’avoir une recombinaison radiative est bien supérieure dans un matériau à gap
direct.
Pour un SC à gap direct, l’énergie minimale émise par luminescence d’une transition
bande à bande est égale à Eg. Pour un SC à gap indirect elle est légèrement inférieure à Eg.
Si on utilise l’GaAs comme matériau actif, son gap est direct et vaut : Eg = 1,42 eV, avec

=ℎ = , il émet une radiation de longueur d’onde ≃ 870 , donc elle se situe dans

le proche infrarouge (IR).

 Pour avoir une lumière visible (400 ≤ ≤ 800 ) il faut des semi-conducteurs
ayant un gap plus grand.
- Pour = 400 il faut un gap Eg1 = 3,1 eV.
- Pour = 700 il faut un gap Eg1 = 1,77eV.
- Pour = 800 il faut un gap Eg2 = 1.55 eV.
Principe d’une diode électroluminescente
Une diode électroluminescente ou LED (Light Emitting Diode) est une application de
la luminescence des semi-conducteurs. Son principe de fonctionnement consiste à injecter des
électrons et des trous à travers une jonction PN polarisée en directe (dans le sens passant).

La figure ci-dessus montre la structure de bandes d’une jonction pn polarisée en direct avec
une tension Va.
Le niveau de Fermi de la région N est au dessus de celui de la région P d’une quantité d’énergie
égale à Δ = . . Si la tension Va est suffisante, la barrière est fortement abaissée. Ce qui
permet aux électrons de la zone N de passer dans la région P où ils vont se recombiner avec les
trous en émettant des photons d’énergie égale à l’énergie du gap =ℎ .
De même les trous de la zone P sont injectés dans la zone N où ils se recombinent avec les
électrons en émettant des photons.
Cette recombinaison radiative se déroule essentiellement à proximité de la jonction pn. Le
nombre de photons générés dans la zone désertée est négligeable.
Ce processus de recombinaison radiative est dominant dans les semi-conducteurs à gap direct.
Par contre dans les semi-conducteurs à gap indirect il est peu probable et les recombinaisons
s’accompagnent d’une émission de chaleur (thermalisation).
 Le passage d’un courant direct dans la diode provoque l’injection de porteurs
minoritaires dans les zones N et P, ces porteurs se retrouvent en excès par rapport à l'équilibre
et ils se recombinent. Si les recombinaisons sont radiatives on obtient un émetteur optique.
L'émission de rayonnement résultera principalement des zones N et P, là où la longueur de
diffusion permet un écart de la densité de porteurs minoritaires par rapport à l'équilibre.
Néanmoins, c'est les photons créés dans le semi-conducteur le plus proche à la face de sortie
(P) qui contribuent le plus aux flux final, par contre une partie de ceux issus du matériau de
fond qui n'est pas en contact avec l'air sera absorbée (N).
En effet le courant d'électrons à travers la jonction vers la zone P est plus important que le
courant de trous vers la zone N, car les électrons ont une mobilité plus importante que les
trous. On a donc intérêt à injecter des électrons en zone P, où ils vont se recombiner en
provoquant l'émission de photons.

Caractéristiques principales :

Nous allons maintenant nous intéresser aux propriétés les plus importantes des diodes
électroluminescentes.
Rendement:
Pour déterminer le rendement de la conversion électro-optique, il faut considérer
plusieurs paramètres:
Le rendement quantique : Le rendement quantique interne est le rapport entre le nombre de
photons émis dans le matériau et le nombre de porteurs qui traversent la jonction. Ce
rendement est voisin de 1 ( = 1).
Le rendement optique : les photons générés lors des recombinaisons radiatives ne sortent
pas tous du matériau. Les photons qui ne partent pas vers l'interface air/semi-conducteur
seront absorbés dans le matériau et aux parois. Pour ceux qui partent vers l'interface avec l'air,
certains seront réfléchis à l’intérieur et seront réabsorbés.
Le coefficient de réflexion dépendra de l'indice du matériau semi-conducteur et de l'angle
d'incidence.
En incidence normale, pour un indice voisin de nsc = 3.5, le coefficient de réflexion est voisin
de 0,3.
Par ailleurs, comme on passe d'un milieu d'indice fort à un milieu d'indice plus faible, au-delà
d'une certaine valeur d'angle d'incidence, on a une réflexion totale. Dans ce cas
. ( ) = 1. ( 2)
Pour nsc = 3.5 cet angle de réflexion totale est voisin de 17°.

Donc le coefficient de transmission atteint sa valeur max de 0.7 seulement pour un faisceau
normal à la face avant de la diode, ce coefficient diminue au fur et à mesure que l’angle dévie
de la normale pour atteindre une valeur nulle pour l’angle de réflexion totale.
Alors une faible partie des photons émis quitte le dispositif.
Pour améliorer un peu les choses, on place entre l'air et le semi-conducteur un matériau
d'indice intermédiaire entre les deux indices. On peut aussi placer un réflecteur métallique
derrière la puce pour diriger la lumière vers l’avant. Malgré tout, le rendement optique ηO
reste globalement faible.
Le rendement global est donné par la relation : = .
Cependant, la puissance optique émise, même si la conversion se fait avec un faible
rendement, va dépendre directement du courant injecté dans la jonction. Il est donc simple de
moduler la puissance émise qui aura la forme du courant injecté dans le composant. Mais,
pour ce type d'application, le temps de réponse est très important et ne permet pas d’atteindre
des fréquences comme ceux obtenues avec des diodes laser...

Temps de réponse:
On a intérêt à ce que la durée de vie des électrons injectés en zone P soit la plus courte
possible pour pouvoir convertir les électrons en photons le plus rapidement possible
(recombinaison radiative). Pour diminuer , on a intérêt à doper fortement la zone P. En
pratique, les fréquences de coupure atteintes sont voisines de 100 MHz. C'est trop lent pour
faire de la transmission d'information à haut débit (Gigabit/s)  utilisation des diodes laser.
Caractéristiques électriques
Le relevé graphique de l’intensité du courant en fonction de la tension aux bornes de la
diode LED représente sa caractéristique électrique courant-tension (I-V). C’est une variation
exponentielle.

R=

Tension de seuil : Pour les faibles valeurs de Vd l’intensité du courant est très faible et la
diode LED n’émet aucune, ou une très faible, lumière. Quand la tension Vd dépasse un certain
seuil Vdseuil, qui dépend de la couleur de la LED, elle commence à émettre une intense
radiation (Vdseuil est d’autant grande que la longueur d’onde émisse est petite).

Courant limite : Mais il y a une valeur limite de l’intensité du courant pour laquelle la diode
commence à chauffer et perdre ses caractéristiques et même sa destruction. Pour cela il faut
mettre une résistance en série avec la LED pour limiter l’intensité du courant. Cette intensité
limite est donnée par le constructeur.
 Polarisation en inverse
Les diodes LED supportent des tensions inverses de faibles valeurs, pour cela il ne faut leurs
appliquer des tensions négatives. Si la tension d’alimentation peut devenir négative il faut
prendre des précautions de protection. Alors, on peut mettre une diode de redressement en série
avec la LED ou bien les mettre en antiparallèle. Dans le premier cas la diode de protection
bloque la tension négative appliquée. Dans le deuxième cas et sous tension négative, la diode
de protection devient passante avec une faible tension négative à ses bornes.

Spectre d'émission:

La caractéristique spectrale d’une diode électroluminescente est l’intensité lumineuse,

en unité arbitraire, en fonction de la longueur d’onde en nanomètre. Cette courbe permet de
voir qu’une LED émet sur une certaine bande de longueurs d’ondes et que l’intensité
d’émission n’est pas la même pour toutes les fréquences.

Le spectre d'émission dépend avant tout du gap du semi-conducteur utilisé dans la zone de type
P qui est la source de l'essentiel des radiations. Il dépend également du dopant utilisé quand des
transitions mettent en jeu des niveaux d'impureté.

La radiation émisse par une LED n’est pas monochromatique.

Ce tracé de la caractéristique spectrale est parfois effectuer en fonction de l’énergie (en eV).
Dans ce cas la confrontation de la caractéristique avec un modèle permet d’extraire des
paramètres physiques (ex : Eg ).
Effets de la température
Le courant et la tension sont tous les deux fonctions de la température, cela conduit à
la variation de la caractéristique courant-tension en fonction de la température. Quand la
température augmente, pour un courant constant, la tension Vd décroit quelques mV pour une
variation d’un degré Celsius de la température.
Sur l’exemple ci-dessous, pour une même intensité du courant d’alimentation (ex:Id = 100 mA),
toute augmentation de la température entraine une baisse de la tension directe de la diode. Cette
baisse de tension va influer sur la longueur d’onde (une augmentation de ).
L’augmentation de la température fait baisser la puissance lumineuse de sortie de la diode. Les
courbes en puissances sont normalisée pour un courant de 100 mA et un température de 25°C.

Le lien entre la bande interdite d’énergie (le gap Eg) est donné par la relation suivante :

= −
−
où Eg0 est l’énergie de gap au zéro absolu (0 K), α et T0 sont des facteurs de corrections. Cette
relation montre bien que la bande d’énergie diminue avec l’augmentation de la température.
Donc plus la température de la jonction augmente plus la longueur d’onde de la radiation émise
augmente ( ↗ ⟹ ↗).

Diagramme de rayonnement

La radiation d’une LED n’est ni omnidirectionnelle

ni directionnelle en ligne droite, mais elle rayonne
suivant un certain diagramme propre à chaque type
de LED. La puissance lumineuse maximale
apparaît lorsqu’on regarde directement dans l’axe
de la LED, cette intensité baisse au fur et à mesure quand s’éloigne de la normale.
Les LED d’éclairage
La lumière blanche est obtenue à partir de LEDs en vertu de la loi d’addition des
couleurs, c’est-à-dire en mélangeant différentes longueurs d’onde dans un rapport d’intensité
adéquat.
La méthode en principe la plus simple est d’assembler trois LEDs à base d’(Al,Ga,In)P (LEDs
rouge) et de (Ga,In)N (LEDs bleues et vertes). Cette approche est dite « LEDs multipuces ».

Cependant, l’approche actuellement la plus répandue est de recouvrir une DEL bleue
(λ = 460 nm) par une couche de luminophores, plus couramment appelés « phosphores ».
Cette couche est généralement faite d’une matrice cristalline en grenat d’yttrium, gadolinium,
et aluminium, dopée au cérium et insérée dans la résine époxy qui encapsule la LED.
De tels phosphores absorbent une partie de la lumière bleue et la convertissent en
lumière jaune qui est due aux transitions atomiques associées aux ions terres rares. Une
radiation bleue est choisie par ce qu’elle a une plus grande énergie (courte longueur d’onde).
Cette énergie est nécessaire pour exciter le phosphore et produire les autres couleurs.
Les approches utilisant des phosphores sont dites « LED à conversion de couleur ».
Applications
Dans les télécommandes (TV, VCR, …) : dans cette application on cherche une LED qui
émet dans l’infrarouge (IR), qui est assez rapide pour transmettre un signal binaire qui
contient l’ordre envoyé, elle doit être directionnelle, sur une distance de quelques mètres.
Dans les télécommunications : transmission sur fibre multimode, lumière rouge ou
infrarouge (moins d’affaiblissement), temps de réponse très court (ns), directionnelles, une
distance de quelques centaines de mètres.
Indicateurs et la signalisation : c’est la couleur émise et l’intensité qui sont importantes pour
la clarté de l’indication lumineuse, sur une faible distance. Le temps de réponse n’a pas
d’importance.
Dans les afficheurs : généralement de couleurs rouge ou verte pour une distance raisonnable.
Panneaux publicitaires : une lumière visible, éclatante et colorée.
Opto-isolation, opto-coupleurs : LED IR, assez rapide suivant l’application, compacte.
Barrière optique : LED IR pour la discrétion et moins d’interférences de l’éclairage ambiant.
Le rétro-éclairage des écrans plats (écran LED) : des LED de couleur blanche intense, le
temps de réponse n’a pas d’influence (éclairage continu).
Dans l’éclairage à LED : une lumière blanche, intense et continu pour des distances de
quelques mètres, doivent avoir un large diagramme de rayonnement pour couvrure une plus
grande surface, le spectre doit être le plus proche à celui du soleil.

Les avantages des LED

- Faible tension et courant d’alimentation.
- Plage de tension : 1 à 4 volts suivant le matériau utilisé (dépend de la couleur
recherchée).
- Intensité du courant : 5 à 20 milliampères.
- Faible puissance électrique consommée : exemple 150 milliwatts.
- Bien adaptées pour une commande électronique.
- Rayonnement de différentes couleurs (Rouge, Vert, Bleu, Orange, jaune, IR, ...).
- Le temps de réponse est très faible : en µs ou des nanosecondes.
- La LED n'a pas besoin de chauffage : elle rayonne dès sa mise sous tension (pas de
préchauffage).
- Taille miniature et donc poids léger.
- Avoir une construction robuste elle résiste aux chocs et aux vibrations.
- Différentes formes (ponctuelle, circulaire, rectangulaire, …).
 - Une durée de vie de plus de 20 ans.
- Faible coût (applications autres que l’éclairage).
- Vieillissement lent (pas une fin de vie brusque).
- Une LED pour l’éclairage a un rendement meilleur que les autres sources.

Les inconvénients des LED

Un excès de tension ou de courant peut endommager le dispositif.
Une LED est connu pour avoir un spectre beaucoup plus large que le laser (polychromatique).
La puissance de sortie et la longueur d'onde dépendent de la température.
Un faisceau divergent (large diagramme de rayonnement).
Un temps de réponse non suffisant pour des applications très rapides.

Formes
Attention : La radiation d’un laser est dangereuse pour les yeux ! L'image qui s'en forme sur la rétine
est très ponctuelle, donc très concentrée (même avec une radiation invisible (IR)).

Le LASER
Un laser « Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation » qui signifie
« amplification de la lumière par émission stimulée de radiation »
Emission stimulée
Dans certaines conditions, un photon absorbé peut créer un second photon de même
énergie, de même phase, de même polarisation et de même direction de propagation. C’est le
phénomène d’émission stimulée. Il y a amplification car, à partir d’un photon, on obtient deux
photons au final. Toutefois, la probabilité d’émission stimulée est faible et il n’y a pas
d’amplification que dans des conditions particulières.
Ce phénomène a été prédit en 1917 par Einstein et est la base du fonctionnement du laser. La
première réalisation d’un laser a eu lieu 1960 par Théodore Maiman, La lumière (rouge) est
amplifiée par un rubis artificiel. Un an plus tard, Ali Javan met au point un laser au gaz
(hélium et néon HeNe). En 1962 Robert Noel Hall (General Electric GE) développe le laser à
semi-conducteur. Puis en 1966, Peter Sorokin construit le premier laser à liquide.

Laser à solide

Laser à gaz
 Laser à Semi-conducteur

Principe du laser

Considérons la transition d’un système de l’état d’énergie E2 vers un état d’énergie E1

( < ). L’état E2 peut correspondre à un électron dans la bande de conduction et E1 à un
trou dans la bande de valence.

La transition de E2 vers E1 peut être une émission spontanée d’un photon d’énergie ℎ =
− , ou par recombinaison non radiative, avec création de phonon.

Pour avoir une émission stimulée, il faut la présence d’un photon d’énergie ℎ dans le semi-
conducteur. Si ce photon réagit suivant ce processus, crée deux photons. Mais la probabilité
que cela se produit est faible, et il y a un autre paramètre qui manque dans la plus part des cas,
c’est l’amplification dans le matériau.

Ce processus d’interaction est proportionnel au nombre d’électrons dans l’état d’énergie E2.
Pour avoir une amplification, il faut qu’il y ait un grand nombre de d’électron dans l’état
excité. Dans un semi-conducteur en équilibre, la population de l’état fondamental de faible
énergie est plus élevée que celle de l’état supérieur excité. Cette population est donnée par la
distribution de Boltzmann qui est une exponentielle décroissante.

Donc pour avoir une population en E2 supérieur à celle en E1 il faut une inversion de
population, c'est-à-dire plus d’électrons dans l’état excité que ceux dans l’état moins excité.
L’inversion de cette population peut se faire par excitation : c’est le pompage.

- Pompage optique : excitation par des photons (par une autre source de lumière),
- Pompage électrique : excitation par injection de porteurs de charges (par un
courant électrique),
- Pompage chimique : On utilise des réactions chimiques qui, en se produisant,
fournissent directement des molécules ionisées.

Pour réaliser un laser, il faut un milieu actif qui peut amplifier la lumière par émission
stimulée :

- L’inversion de population (pompage),

- L’amplification, qui est obtenue par émission stimulée dans un résonateur optique.
Cette cavité résonante permet le va et vient des photons de certaines fréquences.

La cavité résonante optique permet de faire passer le même photon plusieurs fois dans le
matériau actif ce qui augmente sa probabilité d’induire une émission stimulé. Cette cavité est
constituée de deux miroirs mis face à face à chaque extrémité du matériau. L’un des deux
miroirs est parfait (R = 100%) et l’autre a un coefficient de réflexion inférieur à 100% (R <
100%) pour permettre la sortie du faisceau laser.

Résonateur de type Fabry-Perot

Laser à semi-conducteurs

Soit une jonction pn de matériau fortement dopé (≈ 10 ). Le niveau de Fermi du coté

p est dans la bande de valence et celui du coté n est dans la bande de conduction (semi-
conducteur dégénéré).

Sous l’application d’une tension Va suffisante dans le sens direct, il y a inversion de

population dans la zone d’interface (zone active de la diode laser). Il y a recombinaison des
électrons et des trous suivie d’émission de photons d’énergie ℎ = . Ces derniers vont
exciter des électrons de la bande de valence vers la bande de conduction ou provoquer une
autre émission stimulée de photons suite à la d’excitation d’électrons de la bande de
conduction à la bande de valence. Un laser émet une radiation monochromatique.

Pour avoir l’effet amplificateur, il faut faire passer ces photons plusieurs fois dans le matériau
(la jonction). Cela est possible par la réflexion sur les faces opposées du dispositif.

Les plans de clivage du cristal jouent le rôle des faces réfléchissantes. C’est la différence entre
l’indice de réfraction du semi-conducteur nsc est l’air (nair = 1) qui permet d’avoir un
coefficient de réflexion de l’ordre de 30%.
− −1
= =
+ +1

L’effet laser apparaît lorsque le courant traversant la jonction dépasse un certain seuil (fig (a)
ci-dessous). Le rendement et le seuil de courant dépendent de la température de la jonction.
Le rendement diminue quand la température augmente, il faut mieux travailler à faible
température. Même la longueur d’onde émise par laser dépend de la température, plus la
température est élevée plus grande est la longueur d’onde fig (b) ci-dessous. Les lasers à
semi-conducteurs ont un rendement inférieur à 10% pour une température ordinaire, mais ce
rendement peut atteindre 75% à très faible température.
Il y a aussi des lasers à hétérojonctions (des jonctions entre différents matériaux semi-
conducteurs). Pour avoir une émission dans une direction voulue il faut que la face opposée
soit complètement réfléchissante. Les autres faces doivent permettre un guidage de la lumière,
produite à l’intérieur du dispositif, vers la face avant ou de sortie.

Le faisceau laser sorte du matériau sous une forme elliptique et divergent, c'est-à-dire que son
ouverture dans le plan parallèle à la jonction est différente de celle du plan perpendiculaire à
la jonction.

Sur la figure suivante le faisceau à une largeur à mi-hauteur (Full Width at Half Maximum,
FWHM) de 12° (//) est un FWHD de 19° (⊥).

Laser à puits quantiques

Principe

Considérons un puits quantique constitué à partir de deux semi-conducteurs : AlAs et GaAs

non dopés. Ce couple de semi-conducteurs permet de créer des interfaces abruptes et donc de
réaliser deux hétérojonctions. Les paramètres de maille doivent être compatibles (ex : 5,63 Å
pour GaAs et AlAs).

- La largeur d de la zone (puits) est suffisamment grande ( : >2 ) pour que

la couche d’GaAs conserve les caractéristiques du cristal macroscopique,
- d est suffisamment faible ( ∶ < 40 ) pour que d reste plus petit que le
libre parcours moyen des électrons,
Dans ce type de structure il y a un confinement des porteurs de charges pour favoriser leur
recombinaison radiative. Et il ya un confinement optique pour guidé la lumière et favoriser
l’effet laser.

Utilisation des lasers dans les télécommunications

Pour une utilisation des lasers à semi-conducteurs dans les télécommunications à fibres
optiques il faut choisir des longueurs d’ondes qui correspondent aux régions des bandes
spectrales où l’atténuation dans la fibre optique est la plus faible possible, ce qui permet une
transmission sur des plus grandes distances ou sans avoir une absorption totale de la lumière.

L’ouverture du faisceau laser est elliptique, directionnel et divergente, différente suivant le

plan (plan perpendiculaire ou parallèle à la jonction). Ce faisceau divergent doit être collimaté
par des lentilles asphériques pour avoir un faisceau circulaire et parallèle (directionnel). Il faut
aussi rendre le diamètre de ce faisceau le plus faible possible. Cette focalisation sur des très
petites dimensions (surface min ~ ) entraine une concentration de la puissance dans
l’espace, donnant ainsi une densité de puissance énorme.

Un laser de 100mW à = 500 nm donne une densité de l’ordre de 400 KW/mm2. Si on la

compare à la densité de puissance ressue du soleil sur la surface de la terre de 1 mW/mm2 ou
1KW/m2.

Le signal lumineux est modulé par le signal électrique, porteur de l’information à transmettre,
cette modulation doit être aussi rapide que le signal d’origine. Donc la diode laser doit avoir
un temps de réponse le plus petit possible pour quelle puisse suivre cette cadence. Alors le
temps de monté et de décente sont des paramètres aussi importants que la longueur d’onde et
la puissance émisse par un laser.

Les avantages des diodes laser

Ils ont une radiation monochromatique (spectre très étroit),

Une densité de puissance très élevée (applications pour les grandes distances),
Rayonnement directionnel (après mise au point optique),

Les lasers à semi-conducteur sont plus compacts (faible encombrement),

Ils ont un faible coût (relativement aux autres lasers).

Faible encombrement (utilisation dans les appareils électronique),

Inconvénients

Puissance limitée (par rapport aux autres lasers),

Ne sont pas bien adaptés pour certaine applications (faible puissance),

Longueur d’onde qui varie en fonction de la température (nécessité d’un refroidissement pour
des applications très exigeante en longueur d’onde),

Il doit être refroidi aussi pour maintenir une puissance constante,

Le faisceau de sortie est divergent et elliptique,

Applications

Selon leur type, les lasers à SC sont utilisés dans différentes applications :

- Stockage de l’information sur CD/DVD : lecture et gravure (écriture),

- Transmission d’information à haut débit et grande distance (Fibre optique, espace
libre),
- L’holographie (formation d’image en trois dimensions dans l’espace),
- En médecine (chirurgie ophtalmologique (les yeux), traitement de la peau, …),
- Barrière électronique (surveillance par laser),
- Dans les chaines de production (comptage, tris, …),
- Impression 3D (prototypage),
- Télémétrie laser : mesure de distance sans contact,
- Astronomie : pointage des télescopes,
- Impression, imprimante&photocopieur,
- Militaire : guidage de missiles, (pointage vers les cibles),
- Les lecteurs des codes à barres,
- Spectroscopie laser (analyses chimiques),
- Pompage optique des lasers,
- Pointeur laser dans les salles de conférences,
- Projection laser : (les jeux de lumières).
Correspondances entre les différents matériaux utilisés et les longueurs d’ondes.

Wavelength Semiconductor
Color Name
(Nanometers) Composition
Infrared 880 GaAlAs/GaAs
Ultra Red 660 GaAlAs/GaAlAs
Super Red 633 AlGaInP
Super Orange 612 AlGaInP
Orange 605 GaAsP/GaP
Yellow 585 GaAsP/GaP
Incandescent
4500K (CT) InGaN/SiC
White
Pale White 6500K (CT) InGaN/SiC
Cool White 8000K (CT) InGaN/SiC
Pure Green 555 GaP/GaP
Super Blue 470 GaN/SiC
Blue Violet 430 GaN/SiC
Ultraviolet 395 InGaN/SiC