m 121194

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE

LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE YAHIA FARES DE MEDEA
FACULTE DE TECHNOLOGIE
Mémoire de fin d’étude

En vue de l'obtention de diplôme de Master filière : Electronique
Spécialité : instrumentation
Thème :
CONCEPTION ET SIMULATION D'UN CAPTEUR DE
PRESSION CAPACITIF EN TECHNOLOGIE MEMS
Présenté par : proposé et dirigé :
- Yahia KHOUDRANE - Brahim KEHILECHE

- Brahim BELMESSAOUD - Noureddine HENINI
Année 2020-2021
TABLE DES MATIERES
TABLE DES MATIERES
table des matiéres ........................................................................................................................................ i
Résumé .................................................................................................................................................. iv
Remerciements .............................................................................................................................................. v
Dedicace .................................................................................................................................................. vi
Liste des figures ...........................................................................................................................................viii
Liste des tableaux ........................................................................................................................................... x
INTRODUCTION GENERALE ................................................................................................................. 10
CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUS

I.1.Introduction ............................................................................................................................................. 13
I.2.Généralité sur les capteurs ....................................................................................................................... 13
I.2.1.Description d’un capteur de pression ............................................................................................. 13
I.2.2. Principes de détection dans les capteurs de pression.................................................................... 14
I.2.3.Classification des capteurs ............................................................................................................. 16
I.2.4. Grandeurs dinfluence..................................................................................................................... 17
I.3.Différents types de capteurs de pression ............................................................................................... 18
I.3.1.Définition de la pression : ................................................................................................................ 18
I.3.2.Capteur de pression RF .................................................................................................................. 18
I..3.3.Capteur de pression piézorésistif .................................................................................................. 19

TABLE DES MATIERES
I.3.4.Capteur de pression capacitif ......................................................................................................... 20
I.3.5.Capteur de pression optique: .......................................................................................................... 21
I.4.Capteurs en technologieMEMS(MicroElectro-MechanicalSystem): .......................................................... 22
I.4.1.Définition des MEMS : .................................................................................................................... 22
I.4.2.Les principes physiques du microsystème : ................................................................................... 23
I.4.3.Domaines d’applications des MEMS :............................................................................................. 23
I.4.4.Capteur de pression en technologie MEMS: ................................................................................. 24
I.4.5.Capteur de pression MEMS à transduction électromagnétique : .................................................... 26
I.5.Conclusion : ............................................................................................................................................. 26
CHAPITRE II : MODELISATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF (MEMS)
II.1.Introduction............................................................................................................................................ 28
II.2.Principe de fonctionnement ................................................................................................................... 28
II.3.Modélisation du capteur de pression capacitif ...................................................................................... 29
II.4.Etude de la déflexion dans le cas petites déformations ........................................................................ 32
II.4.1.Membrane de forme carrée ............................................................................................................ 32
II.4.2.Membrane de forme circulaire....................................................................................................... 34
II.5.Etude de la déflexion dans le cas grandes déformations ...................................................................... 35
II.5.1.Membrane de forme carrée ............................................................................................................ 35
II.5.2.Membrane de forme circulaire....................................................................................................... 36
II.6.Conclusion ............................................................................................................................................. 37
CHAPITRE III : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION

CAPACITIF
III.1.Introduction .......................................................................................................................................... 39
III.2.Définition du comsol ............................................................................................................................ 39
III.2.1Principe d'utilisation ..................................................................................................................... 40
III.2.2.L'interface utilisateur comsol 5.2 ................................................................................................ 41
III.3.Resultat de la simulation ...................................................................................................................... 43

TABLE DES MATIERES
III.3.1.L'effet de la pression sur le deplacement de la mobrane : .......................................................... 44
III.3.2.L'effet de la pression sur la variation de potentiel electrique : ................................................... 46
III.3.3.Effet des parametres geometriques sur la sensibilite de capteur ................................................ 48
III.3.4.La reponse capacitive pour une epaisseur de la membrane de 30µm a 60µm ........................... 49
III.3.5.L’effet de l’epaisseur de la membrane sur le deplacement ........................................................ 49
III.3.6.L’influence de la temperature ...................................................................................................... 50
III.4.Conclusion ............................................................................................................................................ 51
CONCLUSION GENERALE ...................................................................................................................... 52
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES..................................................................................................... 53
RESUME
‫ملخص‬
‫تجوع تقٌ٘بث األًظوت الصغسٓ ب٘ي تقٌ٘بث اإللكتسًّ٘بث الدق٘قت الوتطْزة ألشببٍ الوْصالث ّتقٌ٘بث الوعبلجت الدق٘قت‬
‫ س٘سوح ُرا التكبهل للٌظبم ببلتصغ٘س‬، ‫ ببإلضبفت إلٔ ذلك‬.‫ هوب ٗجعل هي الووكي بٌبء أًظوت كبهلت علٔ شسٗحت‬، ‫الجدٗدة‬
‫ التتصو٘ن ّالوحبكبة لوستشعس الضغط بتقٌ٘ت الٌظن‬.‫ الِدف هي ُرٍ السسبلت ُْ الدزاست‬.‫ّتحس٘ي أدائَ ّشٗبدة الحسبس٘ت‬
‫ هع هساعبة الِ٘كل الكبهل لوستشعس الضغط‬COMSOL Multiphysics 5.2 ‫ فٖ ب٘ئت‬، ٓ‫الكِسّه٘كبً٘ك٘ت الصغس‬
‫ أظِسث ًتبئج الوحبكبة أى حسبس٘ت دزجت الحسازة هستقلت‬.Silicium/Pyrex ‫السعْٕ الغشبئٖ ذٕ الشكل الوسبع فٖ تقٌ٘ت‬
.‫عي سوك القبعدة ّلكٌِب تعتود علٔ سوك الغشبء ّسوبكت التجْٗف ّشكل التضو٘ي‬
COMSOL Mutuphysics. ، ْٕ‫ هستشعس الضغط السع‬، ٓ‫ تقٌ٘ت الٌظن الكِسّه٘كبً٘ك٘ت الصغس‬:‫الكلوبث الوفتبح٘ت‬
Résumé
Les technologies microsystèmes conjuguent les techniques de pointes de la microélectronique
des semi-conducteurs et des nouvelles techniques du micro usinage permettant ainsi la
réalisation des systèmes entiers sur une puce. En plus, cette intégration permettra de
miniaturiser le système, d’améliorer ses performances et d’augmenter la sensibilité. L’objectif
de ce mémoire est l'étude , la conception et la simulation d’un capteur de pression en
technologie MEMS, sous environnement COMSOL Multiphysics 5.2, tenant compte de
l’intégralité de la structure du capteur de pression capacitif à membrane de forme carrée en
technologie Silicium/Pyrex. Les résultats de simulation ont montré que la sensibilité à la
température est indépendante de l’épaisseur du substrat mais qu’elle dépend de l’épaisseur de
la membrane, de l’épaisseur de la cavité et de la forme de l’encastrement.
Mots clés : Technologie MEMS, Capteur de pression capacitif, COMSOL Mutuphysics.
Abstract
Microsystems technologies combine cutting-edge microelectronics techniques for
semiconductors and new micro-machining techniques which makes it possible to build entire
systems on a chip. In addition, this integration will allow the system to miniaturize, improve
its performance and increase sensitivity. The objective of this dissertation is studying the
design and simulation of a pressure sensor in MEMS technology in a COMSOL Multiphysics
5.2 environment taking into account the entire structure of the square-shaped membrane
capacitive pressure sensor in Silicon / Pyrex technology. The simulation results showed that
the temperature sensitivity is independent of the thickness of the substrate, but it depends on
the thickness of the membrane, the thickness of the cavity and the shape of the embedding.
Keywords: MEMS technology, Capacitive pressure sensor, COMSOL Mutuphysic
Remerciements
Je remercie Allah tout puissant de m’avoir accordé la volonté et le courage pour réaliser
ce mémoire.
J’exprime mes chaleureux remerciements au directeur de mémoire, Dr KEHILECHE

BRAHIM, qui a suivi mes travaux.
Pour ses fructueuses remarques, ses encouragements et sa passion pour la recherche.
Qu’il trouve ici le témoignage de ma profonde gratitude. Pour l’honneur qu’il m’a accordé,
Mes vifs remerciements vont également aux membres de jury: Mr CHIBA

Younes MCA université de Médéa, et Mr HENINI Noureddine MCA université de Médéa. Je
les remercie chaleureusement pour leur présence et pour avoir accepté d’examiner le présent
mémoire.
Je tiens à exprimer ma très grande gratitude, et ma profonde affection à mes chers

parents pour leurs encouragements, leur patience et leur grand soutien, Durant toutes ces
années d’études.
Sans oublier mes frères Et mes sœurs pour leurs encouragements, et leurs aides. Je
remercie également tous mes amis et camarades, Pour leurs encouragements Et leur précieux
soutien
Dédicace
Je dédie ce projet :
A ma chère mère,
A mon cher père,
Qui n'ont jamais cessé, de formuler des prières à mon égard, de me soutenir et de
m'épauler pour que je puisse atteindre mes objectifs.
A mes frères, Masbah, Ismail, Youcef, Sif-Ellah.
A mes chères sœurs et leurs enfants
Pour ses soutiens moral et leurs conseils précieux tout au long de mes études.
A mon cher grand-père,
Qu’Allah repose son âme en paix.
A ma chère binôme, Brahim.
Pour sa entente et sa sympathie.
A mes chères amies,Khiro, Issam, Hafed, Islam, Djilali, Hacen, Bilal, Achraf , Rahim,
Zaki, Allaeddin, Ziad, Adel, Zizo, riadh, Badr,Taher. Et celui qui l'a oublié, pardonne-moi
Pour leurs aides et supports dans les moments difficiles.
A toute ma famille,
Sans ta présence,
Mon âme est triste et mon cœur est lourd.
Yahia Khoudrane
Dédicace
Je dédie ce projet :
A ma chère mère,
A mon cher père,
Qui n'ont jamais cessé, de formuler des prières à mon égard, de me soutenir et de
m'épauler pour que je puisse atteindre mes objectifs.
A mes frères, sadek,,Youcef,
A mes chères sœurs et leurs enfants
Pour ses soutiens moral et leurs conseils précieux tout au long de mes études.
A mon cher grand-père,
Qu’Allah repose son âme en paix.
A ma chère binôme, Yahia.
Pour sa entente et sa sympathie.
A mes chères amies, Allaeddin, Ziad, Adel, Zizo, riadh, Badr, Taher.et chers collègues
de classe
Pour leurs aides et supports dans les moments difficiles.
A toute ma famille,
Sans ta présence,
Mon âme est triste et mon cœur est lourd.
Brahim Belmessaoud
LISTE DES FIGURES
LISTE DES FIGURES
Figure I.1: Schéma de principe d’un capteur ........................................................................... 13

Figure I.2: Schéma synoptique d’un capteur de pression ......................................................... 13
Figure I.3: Exemple d’un capteur sans fils ............................................................................... 16
Figure I.4 : La partie active d’un capteur de pression RF ........................................................ 18
Figure I.5 : Structure d'un capteur de pression piézorésistif à membrane ................................ 19
Figure I.6 : Schéma en coupe d’un capteur piézorésistif[15]................................................... 20
Figure I.7 : Schéma synoptique d’un capteur de pression capacitif ......................................... 20
Figure I.8 : Vue en coupe de la structure du capteur de pression capacitif . ............................ 21
Figure I.9 : Principe d’un système de mesure à base d’une cavité Fabry-Pérot ...................... 22
Figure I.10 : Visualisation de l’échelle d’un MEMS ............................................................... 22
Figure I .11 : Domaines d’application des MEMS ................................................................... 24
Figure I.12 : Production collective de MEMS qui seront séparés en toute fin du précédé
visualisation De la cavité réalisée pour obtenir la membrane en silicium ............................... 24
Figure I.13 : Schéma de la déformation de la membrane d’un capteur de pression ................ 24
Figure I.14 : Schéma de l’implantation intégrée d’une jauge piézorésistive ........................... 24
Figure I.15 : Schéma du pont de Wheatstone........................................................................... 25
Figure I.16 : Principe de fonctionnement du capteur MEMS à transduction électromagnétique
pour la mesure de la pression ................................................................................................... 26
Figure II.1 : Principe de fonctionnement d’un capteur de pression capacitif. .......................... 28

LISTE DES FIGURES
Figure II.2 : Structure de la cellule sensible capacitive ............................................................ 28

Figure II.3 : Vue en coupe de la structure du capteur de pression capacitif ............................ 28
CHAPITRE III : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION

CAPACITIF
Figure III.1: Logo de logiciel COMSOL Multiphysics 5.2. ..................................................... 39

Figure III.2: Diagramme des étapes de conception avec COMSOL Multiphysics .................. 40
Figure III.3: L’interface graphique COMSOL Multiphysics 5.2. ........................................... 41
Figure III.4: La géométrie du capteur de pression MEMS. ..................................................... 42
Figure III.5: Présente le Maillage d’un capteur de pression MEMS… ………………………42
Figure III.6: Déflexion de membrane Carré. ............................................................................ 43
Figure III.7: Déplacement de la membrane de silicium au repos pour une pression de 0 Pa .. 44
Figure III.8: Déplacement de la membrane de silicium pour une pression de 10000 Pa ......... 44
Figure III.9: Déplacement de la membrane de silicium pour une pression de 20000 Pa ......... 45
Figure III.10: Déplacement de la membrane de silicium pour une pression de 25000 Pa ....... 45
Figure III.11: Variation de potentiel électrique pour une pression de 0 Pa.............................. 46
Figure III.12: Variation de potentiel électrique pour une pression de 10000 Pa...................... 46
Figure III.15: La sensibilité de capteur en fonction de la pression appliquée pour l’épaisseur
de la membrane (hs) différentes. .............................................................................................. 48
Figure III.16: La sensibilité de capteur en fonction de la pression, pour (d) différentes ......... 48
Figure III.17: La capacité en fonction de la pression, pour l’épaisseur ( hs) différentes ......... 49
Figure III.18: Déplacement de la membrane en fonction de pression, pour épaisseur (hs)
différente .................................................................................................................................. 50
Figure III.19:La réponse capacitive en fonction de la température pour épaisseur (hs)
différentes ................................................................................................................................. 50
LISTE DES TABLEAUX
LISTE DES TABLEAUX
Tableau I.1 : Principaux capteurs actifs ................................................................................... 16

Tableau I.2 : Capteurs passifs : principes physiques et matériaux. .......................................... 17
Tableau II.1 : Valeurs des coefficients réduits pour n=3 . ................................................. 33

INTRODUCTION GENERALE
Les microsystèmes MEMS (Micro Electro Mecanical System) sont des composants
miniaturisés réunissant des fonctions électroniques, mécaniques et optiques sur la même puce
[1].
Les microsystèmes sont nées à la fin des années 80, ces technologies sont la suite
logique des progrès réalisés en microélectronique silicium, ainsi ces composants sont destinés
à toucher tous les grands secteurs d’applications comme les transports, la santé, les
télécommunications et l’environnement... Les applications les plus connues sont pour les
microactionneurs et les capteurs [2].
Parmi les capteurs les plus courants nous citerons les capteurs de température, de
pression et d’accélération. Les capteurs de pression connaissent depuis les années 80 un essor
de plus en plus important. Qui est surtout ressenti depuis le développement des capteurs
miniatures sur silicium, exploitant les techniques microélectroniques. Les détections
piézorésistive et capacitive sont parmi les principes de détection les plus utilisées [3].
La majorité des capteurs de pression disponibles sur le marché sont des capteurs
piézorésistifs. Ces composants sont extrêmement sensibles à la température et ne peuvent
fonctionner correctement sans l’addition de circuits de compensation onéreux. C’est pourquoi,
depuis plusieurs années, des recherches s’orientent vers des capteurs de pression capacitifs à
partir des technologies de la microélectronique et de procédés spécifiques. Par rapport aux
capteurs de pression classiques, les capteurs MEMS présentent plusieurs avantages. Ce type
de capteur est caractérisé par une grande sensibilité à la pression, une fabrication en grande
série, une petite taille, une faible consommation d’énergie et une connexion facile avec les
circuits intégrés MOS [4].
L’objectif de ce mémoire est la conception et la simulation d’un capteur de pression

capacitif en technologie MEMS par le logiciel COMSOL Multiphysics.
10
Ce mémoire comporte trois chapitres.
Dans le premier chapitre, nous dresserons un état de l’art sur les capteurs : classification
des capteurs, caractéristiques métrologiques des capteurs et les différents types de capteurs.
Dans le deuxième chapitre, nous commençons par la description de la structure du

capteur étudié. Puis nous étudions la déflexion d’une membrane fine au silicium parfaitement
encastrée aux bords, de formes carrée soumise à une pression uniforme et constante dans les
cas des faibles et des grandes déformations, afin de déterminer les performances du capteur et
de l’intervalle de la validité des modèles établis.
Dans le troisième chapitre, nous étudions le capteur de pression capacitif en technologie

MEMS qui est composé d’une micro membrane au silicium de forme carrée, constituant
l’électrode mobile. Cette membrane est collée par soudure anodique à un substrat pyrex créant
ainsi une cavité. La déformation de la membrane sous l’effet de la pression appliquée
engendre une variation de capacité qui constitue la réponse du capteur à la pression C(P).
L’outil de simulation utilisé est le logiciel COMSOL Multi physiques, que nous décrivons
dans ce chapitre. A partir du modèle établi sous COMSOL, nous déterminons la déflexion de
la membrane au silicium de forme carrée, et puis la réponse capacitive C (P, T) ainsi que la
sensibilité à la pression et à la température. Ceci nous permet de déterminer les effets des
paramètres d'influence (L'épaisseur de la membrane, et la distance inter électrodes) sur les
performances du capteur de pression.
Enfin, nous terminons notre travail par une conclusion générale.
11
CHAPITRE I :
ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE SUR
CHAPITRE 1 : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE
I.1. INTRODUCTION :
Les capteurs MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) sont des dispositifs
électroniques de dimension microniques ou millimétriques qui utilisent la plateforme
technologique de la microélectronique.
Parmi les capteurs les plus usuels dans l’industrie, les capteurs de pression connaissent, depuis
les années 80 un essor de plus en plus important. Qui est surtout ressenti depuis le
développement des capteurs miniatures sur silicium, exploitant les techniques
microélectroniques. Les capteurs de pression sont largement utilisés dans les applications
automobiles, contrôle des processus et des applications biomédicales. Le principe de base des
capteurs de pression est de transformer la pression en un signal électrique.
Avant la présentation de la conception et la modélisation du capteur de pression MEMS, il est
important de discuter de façon générale sur le capteur de pression dans la technologie MEMS.
Ce chapitre a pour but de présenter une étude bibliographique sur les capteurs standards et en
technologie MEMS. Un aperçu du marché mondial des capteurs et des composants en
technologie MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems) montre tous les besoins et les enjeux
économiques liés à ces éléments de mesure, qui deviennent des éléments essentiels pour la vie
de tous les jours. Ces demandes émergentes consistent en une simplicité du capteur et le souhait
d’un système de mesure sans fil qui ne nécessite pas de contact physique. Les capteurs sans fil
présentent plusieurs avantages par rapport autres types de capteurs mais beaucoup de
contraintes de conception et réalisation freine leurs développements
I.2. GENERALITE SUR LES CAPTEURS :
I.2.1.DESCRIPTION D’UN CAPTEUR DE PRESSION:
Un capteur est un dispositif électronique servant à transformer une grandeur physique,
chimique ou biologique, appelée mesurande, en une autre grandeur exploitable (souvent un
signal électrique). Il comprend un élément transducteur qui fournit une grandeur, le plus
souvent électrique, constituant le signal de sortie [1] représenté par la figure I .1
Figure I.1 : Schéma de principe d’un capteur.
13
La pression, constitue une variable essentielle pour l’étude métrologique d’un milieu
environnant qui peut-être soit un gaz soit un fluide. La mesure de cette grandeur physique est
réalisée à l’aide d’un capteur de pression, dispositif capable d’associer à la grandeur mesurée,
un signal électrique reconnaissable appelé « réponse ». Le capteur de pression comme étant
un système constitué de deux parties : une partie détection que nous appellerons « Cellule
sensible » et une partie traitement de l’information par l’intermédiaire d’un circuit
électronique que l’on peut appeler « Circuit électronique de traitement » ou encore « Circuit
conditionnement ». La partie détection est quant à elle constituée d’un « corps d’épreuve » et
d’un « transducteur » qui transforme la déformation de ce corps d’épreuve en une grandeur
physique, la plupart du temps électrique [2]. Un capteur de pression peut donc être représente
par le schéma de la figure I .2 :
Figure I.1: Schéma synoptique d’un capteur de pression
Le schéma synoptique d’un capteur de pression constitue trois blocs essentiels

- Un corps d’épreuve.
- Un élément de transduction ou élément sensible ou transducteur.
- Module électronique de conditionnement ou circuit électronique
I.2.2. PRINCIPES DE DETECTION DANS LES CAPTEURS DE PRESSION

La conception d’un capteur de pression passe par des choix techniques et
technologiques lesquels sont généralement guidés par l’application même du capteur. Aussi,
la diversification des applications a conduit à une évolution des techniques utilisées.
- CORPS D’EPREUVE
Le corps d’épreuve est l’élément mécanique qui, soumis aux variations de la grandeur à
mesurer, a pour rôle de transformer celle-ci en grandeur physique mesurable [3]. Le corps
d’épreuve d’un capteur de pression est l’élément assurant la transformation de la pression en
14
déplacement, déformation ou force. Dans cette technologie, les capteurs sont formés d’un
corps d’épreuve, généralement une membrane, sur lequel agit la pression.
On mesure cette dernière par la mesure de la déformation du corps d’épreuve [4].
A partir des années 70, les nouveaux capteurs sont basés soit sur la déformation d’un substrat,
soit sur celle d’une membrane de silicium qui, de nos jours, est le corps d’épreuve le plus
répandu.
- TRANSDUCTEUR
Le transducteur est l’élément sensible qui, lié au corps d’épreuve, traduit les réactions de ce
dernier en signal électrique. Pour effectuer la mesure de la pression, on a vu qu’il fallait
convertir la déformation du corps d’épreuve en une grandeur physique [5]. Il existe plusieurs
techniques pour mesurer un déplacement, une déformation ou une force. La plupart des
grandeurs de sortie sont d’ailleurs de type électrique. Depuis des années 80, la majeure partie
des nouvelles cellules sensibles disponibles sur le marché, est basée sur le principe de
détection de type piézorésistif. Cela signifie que la détection de la pression se fait par la
mesure d’une variation de résistance. Ces composants sont extrêmement sensibles à la
température et nécessitent un circuit de compensation spécifique. C’est pourquoi, des efforts
de recherche ont été effectués sur des structures capacitives dont les avantages potentiels sont
une grande sensibilité à la pression et une faible snsibilité à la température. Le principe de
détection de ces structures capacitives est basé sur la variation d’une capacité [2]
- LE CIRCUIT DE CONDITIONNEMENT ELECTRONIQUE

Le circuit de conditionnement électronique est le module de traitement du signal en vue
d’une éventuelle exploitation. Comme nous l’avons vu dans la définition d’un capteur, le
circuit de traitement sert à mettre en forme un signal électrique transportant l’information
donnée par le transducteur. Autrement dit, ce signal doit être l’image de la déformation du
corps d’épreuve et par suite, de la pression. Le capteur est construit pour exploiter une
propriété de la matière, décrite par une loi physique, permettant de connaître la
correspondance entre la grandeur électrique à la sortie du capteur et la grandeur physique à
mesurer. Par exemple, pour mesurer une pression, une loi physique permet de calculer la
pression à partir de la mesure de la résistance du capteur [5].
15
I.2.3.CLASSIFICATION DES CAPTEURS :

- CAPTEUR ACTIF
Généralement, un capteur actif est un système de mesure qui nécessite une source d’énergie
embarquée, la plupart du temps assurée par une batterie, et ce pour la réalisation de la phase de
traitement au cours de laquelle le signal est filtré (nettoyé), amplifié et converti dans un format
compatible et exploitable. Dans ce cas, le capteur doit non seulement mesurer des propriétés
physiques mais doit également effectuer des tâches additionnelles au travers de circuits de
traitement et de communication intégrés [6].Le tableau 1 récapitule les principaux capteurs
actifs.
Grandeur physique Principe physique Sortie

Temperature Thermoélectricité Tension
Pyroélectricité
Charge
Flux de Photoémissif
Courant
rayonnement Photovoltaïque
Tension
lumineux Photoélectromagnéti
Tension
que
Force,
pression, Charge
Piézo-électricité
accélérateur
Vitesse de Induction
Tension
déplacement electromagnetique
Position Effet Hall Tension
Tableau I.1 : Principaux capteurs actifs
- CAPTEUR PASSIF
Les capteurs passifs utilisent les variations d'impédance. L'impédance présente dans l'élément
de transduction réagit aux variations du mesura de aux travers des effets du mesurande sur le
corps d'épreuve [7]. L'impédance peut être résistive, capacitive ou inductive. La variation
d’impédance peut donc être due à l’action du mesura de :
- Soit sur les caractéristiques géométriques ou dimensionnelles
- Soit sur les propriétés électriques des matériaux
- Soit plus rarement sur les deux simultanément
Le tableau I.2 donne un aperçu des divers mesurandes susceptibles de faire varier l’impédance
de certains matériaux employés pour la réalisation des capteurs passifs.
16
Grandeur physique Caractéristique électrique Matériau utilisé

Température Résistivité Platine, nickel, cuivre
Rayonnement
Résistivité Semi-conducteur
optique
Résistivité Alliage de Ni, Si dopé
Déformation
Perméabilité Alliage ferromagnétique
Position Résistivité Matériaux magnet
Humidité Résistivité Chlorure de lithium

Tableau I.2 : Capteurs passifs : principes physiques et matériaux.
I.2.4.GRANDEURS D’INFLUENCE:
Le capteur, de par ses conditions d'emploi, peut se trouver soumis non seulement au
esurande mais à d'autres grandeurs physiques dont les variations sont susceptibles d'entraîner
un changement de la grandeur électrique de sortie qu'il n'est pas possible de distinguer de
l'action du mesurande. Ces grandeurs physiques « parasites » auxquelles la réponse du capteur
peut être sensible sont les grandeurs d'influence. Les principales grandeurs d'influence sont
[8] :
- La température, qui modifie les caractéristiques électriques, mécaniques et

dimensionnelles des composants du capteur.
- La pression, l'accélération et les vibrations susceptibles de créer dans certains éléments
constitutifs du capteur des déformations et des contraintes qui altèrent la réponse.
- Les champs magnétiques variables ou statiques ; les premiers créent des f.é.m.
d’induction qui se superposent au signal utile, les seconds peuvent modifier une
propriété électrique, comme la résistivité lorsque le capteur utilise un matériau
magnéto-résistant ;
- La tension d’alimentation – amplitude et fréquence – lorsque, comme pour le
transformateur différentiel, la grandeur électrique de sortie en dépend de par le
principe même du capteur
- L’humidité à laquelle certaines propriétés électriques comme la constante diélectrique
ou la résistivité peuvent être sensibles et qui risque de dégrader l'isolation électrique
entre composants du capteur ou entre le capteur et son environnement
17
I.3.DIFFERENTS TYPES DE CAPTEURS DE PRESSION

Le but de ce paragraphe est de décrire les différentes types de capteur les plus répandus,
Les deux types les plus couramment utilisés sont le type piézorésistif et le type capacitif.
Toutefois il existe d’outre capteurs de pression spécifique aux domaines variés de la médecine
au forage des puis de pétrole…
I.3.1.DEFINITION DE LA PRESSION :
La pression est une grandeur physique qui mesure le rapport de la force à la surface sur laquelle
elle s’applique. Une force exercée sur un objet est d’autant plus efficace que la surface de
contact est petite. Ainsi, la pression exercée par un marteau sur un clou est le rapport de la force
utilisée à la surface de la tête du clou. De même, la pression d’un gaz caractérise la force qu’il
exerce sur un objet. Elle est définie donc comme le quotient d’une force par une surface.
Ce quotient est indépendant de l'orientation de la surface [10]. La pression s’exerce
perpendiculairement à la surface considérée. L’unité de pression est le pascal (noté Pa), du nom
du physicien français Blaise Pascal. Une pression de 1 pascal correspond à une force de 1
newton exercée sur une surface de 1 mètre carré. La pression est une grandeur dérivée du
système international des unités. Il existe plusieurs types de capteurs qui permettent de mesurer
la pression, nous citons par la suite quelques exemples.
I.3.2.CAPTEUR DE PRESSION RF
C’est un capteur passif, la cellule du capteur représentée sur la figure I .4 est composée d’une
membrane en silicium haute résistivité qui subit une déflexion lorsqu’une pression y est
appliquée. Cette déflexion modifie l’environnement électromagnétique d’un résonateur
coplanaire situé sous la membrane au sien d’une cellule en pyrex.
Membrane en silicium
Circuit résonant Substrat en verre
Figure I.3 : La partie active d’un capteur de pression RF
18
La distribution du champ électromagnétique est par conséquent modifiée et fait apparaitre une
variation de la fréquence du résonateur [11]. Des publications plus récentes, montrent que
pour des épaisseurs de membrane, de 50µm à 800µm, nous observons une variation linéaire
de la fréquence de résonnance, compris entre 0.3µm à 3µm.
Ce type de capteur est utilisé dans des applications spécifiques (surveillance
environnementale, des instruments de suivis spatial et aéronautique, des applications liées à la
santé) qui nécessitent des unités des mesure miniatures, passives, de grande précision et
faibles. L’objectif est de mesurer à distance des grandeurs physiques [11].
I.3.3.CAPTEUR DE PRESSION PIEZORESISTIF

La piézorésistivité se traduit par la variation de conductivité électrique d’un corps lorsque
celui-ci est soumis à des contraintes mécaniques et donc à des forces extérieures. Cette
propriété existe pour les métaux ainsi que pour les semi-conducteurs. Il existe un grand
nombre d’application notamment dans le domaine des capteurs [12].
Depuis 1954, où l’effet piézorésistif a été découvert dans le Silicium, la démarche pour
mesurer la pression a changé et de nouveaux dispositifs avec des performances remarquables
sont apparus sur le marché. Grâce au développement des micros technologies, une nouvelle
famille de capteurs de pression piézorésistifs miniatures s’est ainsi progressivement imposée
pour de nombreuses applications [13].
Un capteur de pression piézorésistif à membrane est un capteur composite (Figure I .5). Une
membrane en silicium oxydée de quelques millimètres de côté et quelques microns
d’épaisseur recouverte d’oxyde constitue le corps d’épreuve qui se déforme sous l’effet d’une
pression appliquée. La déformation de ces jauges se transforme en variation de résistance [14]
Conditionneur Variation
Pression Déformation
Corps d’épreuve de résistance
Piezorésistive passive
Figure I.4 : Structure d'un capteur de pression piézorésistif à membrane
Pour avoir une sensibilité élevée le conditionneur du capteur peut être constitué de deux
jauges longitudinales et deux jauges transversales disposées en bordures de membrane et
interconnectées en pont de Wheatstone par des pistes d’aluminium, (la figure I .6).
19
Où :
PZT : piézorésistances diffusées

(jauges de contraintes).
M : métallisations
Figure I.5 : Schéma en coupe d’un capteur piézorésistif [15]
I.3.4.CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF

Le capteur de pression capacitif basé sur la variation d’une capacité en fonction de la pression
appliquée (figure I .7). Ce type de capteur est caractérisé par une haute sensibilité, une
faible consommation électrique et une grande résolution par rapport au capteur de pression
piezorésistif, cependant, il présente une réponse non linéaire, une dérive en température et une
faible variation par rapport à la capacité d’offset [16,17].
Corps d’épreuve Déformations Variation Circuit

Transducteurs
(Membrane) Capacité électronique
pression Mécaniques de capacité de traitement
et de mesure
Figure I.6 : Schéma synoptique d’un capteur de pression capacitif
La structure de base est composée d’une armature fixe déposée au fond d’une cavité creusée
sur un substrat et d’une armature déformable, appelée « membrane » [18], figure(I .8). Le
matériau utilisé pour l’armature déformable est le silicium compte tenu de son excellent
comportement mécanique et de son micro usinage précis [19].
La cellule est réalisée à partir d’une plaque de silicium suffisamment dopé pour que la
résistivité de cette électrode soit faible (environ 0.008 Ω.cm). La membrane est fixée au
substrat par soudure thermoélectrique [20]
20
Figure I.7 : Vue en coupe de la structure du capteur de pression capacitif.

Avec :
h : L’épaisseur de la membrane
e : L’épaisseur de l’armature fixe
d : La distance entre les deux armatures
A : Surface de l’armature fixe
b : Largeur de la soudure
I.3.5.CAPTEUR DE PRESSION OPTIQUE:

L’exceptionnelle résolution des instruments optiques (nanométriques) a permis le
développement de capteurs de pression à haute réponse fréquentielle par interrogation optique
via une fibre optique. Le principe de la méthode repose sur l’utilisation d’un interféromètre de
Fabry-Pérot représenté sur la figure I .9 qui inclut une cavité délimitée par deux membranes
semi- réfléchissantes dont une est utilisée en tant que corps d’épreuve. Une onde lumineuse
incidente, issue typiquement d’une diode laser, est réfléchie par deux fois sur les miroirs
cavitaires puis transmise à un photo-détecteur.
Les signaux interférant en sortie génèrent une figure d’interférence dont le positionnement du
spectre dépend intrinsèquement de la phase elle-même reliée à la longueur d’onde de l’onde
réfléchie et à la profondeur de la cavité .La plupart des procédés créent une cavité sur la fibre
en dioxyde de silicium (SiO2) ou silicium (Si) qui est ensuite attachée thermiquement sur le
dessus de la cavité. Ainsi, avec une fréquence de résonance de la structure de 4MHz, le temps
de monté de ces capteurs a été mesuré à une centaine de nanosecondes lors d’expérimentation
avec des ondes de souffle. Afin de mesurer la propagation de l’onde de choc dans un cerveau,
une équipe de recherche a développé un capteur optique à cavité Fabry-Pérot miniature avec
une fréquence de résonance de la membrane en oxyde de silicium de 4,2MHz [22].
21
Figure I.8 : Principe d’un système de mesure à base d’une cavité Fabry-
Pérot
I.4. CAPTEURS EN TECHNOLOGIEMEMS(MICROELECTRO-MECHANICALSYSTEM):

I.4.1. DEFINITION DES MEMS :
MEMS, acronyme de Micro Electro Mechanical Systems, sont des dispositifs
miniaturisés combinant plusieurs principes physiques. Ils intègrent généralement des éléments
mécaniques couplés à de l’électronique et sont réalisés par des procédés de fabrication issus
de la micro- électronique. Les MEMS exploitent, entre autres, des effets liés à
l’électromagnétisme, la thermique et la fluidique. Ils sont dans notre quotidien, au cœur de la
téléphonie, de l’automobile, du médical, des chaînes de production ou des manettes de
consoles de jeux [22].Leur taille est de l’ordre du millimètre carré (figure I .10) ; les éléments
de leurs structures (mécaniques) sont à l’échelle du micron ; à titre de comparaison, le
diamètre moyen d’un cheveu est 75 μm et un globule rouge a une taille de 7 μm. Utilisé en tant
que capteur, un MEMS possède une partie mobile sensible à la variation d’une grandeur
physique (vitesse, pression, direction ...). Cette variation est alors traduite en une grandeur
électrique, analysée ensuite par la partie électronique du MEMS. Il possède parfois un micro-
actionneur intégré qui, à partir d’un signal électrique, va agir sur la partie mécanique [23].
Figure I.9 : Visualisation de l’échelle d’un MEMS
22
La raison de l'utilisation des microsystèmes s’est développée du fait de leur faible

encombrement parallèlement à une forte sensibilité et une grande précision liées à la
miniaturisation. Les critères de poids, taille et volume ont permis leur généralisation dans des
objets qui se devaient légers et/ou petits (automobile, avionique). Embarqués dans un véhicule,
ils ne déprécient pas les efforts de poids et de consommation énergétique réalisés pour satisfaire
les normes environnementales dans les domaines du transport. Les disques durs ont vu leur
taille diminuer en même temps que leur densité de stockage augmentait, conséquences de la
diminution de la taille des têtes de lecture-écriture. La miniaturisation des systèmes MEMS
comme dans le domaine des capteurs s’est répercutée par l’ajout de fonctions qui n’auraient pas
été possibles sans les critères d’encombrement, de coût de production et de consommation
énergétique à l’usage [24].
I.4.2.LES PRINCIPES PHYSIQUES DU MICROSYSTEME :
Le principe de conception d’un microsystème ne diffère pas fondamentalement de celui
d’un macro-système puisque les lois physiques et les équations qui les décrivent restent
principalement les mêmes. Cependant, au regard des lois d’échelle, l’importance des effets
physiques dans ces équations changent en lien avec la taille du système. En effet les rapports
entre les différentes forces en jeu sont modifiés avec les réductions des dimensions : les forces
de gravité sont proportionnelles au volume des objets, diminuer les dimensions diminue le poids
dans des proportions au cube ; une pression s’exerçant sur une surface, la force résultante
diminue avec les dimensions dans des proportions au carré. On peut aussi évoquer la capillarité
dont l’impact sur un système à dimensions réduites a un impact prédominant [25].
La microélectronique s'intéresse à l'étude et à la fabrication de composants électroniques à
l'échelle sub-micrométrique. Hors une adaptation aux dimensions, l’architecture micro-
électronique n’a pas de différences fondamentales avec l’électronique. La différence est dans
la conception puisque l’électronique nécessaire au capteur est directement intégrée au capteur.
Les technologies de production permettent de fabriquer des composants à partir de matériaux
semi-conducteurs comme le silicium, les fonctions électroniques sont intégrées directement en
surface de ce substrat [26].
I.4.3.DOMAINES D’APPLICATIONS DES MEMS :

Avec l’explosion des microsystèmes ces dernières années, les domaines d’utilisations des
MEMS sont très vastes. Néanmoins, on peut les répartir en quatre principales catégories, que
sont : les capteurs, les MOEMS, les RF MEMS et les BioMEMS. La figure I .11 donne pour
chaque domaine quelques exemples d’applications.
23
Figure I.10 : Domaines d’application des MEMS
I.4.4. CAPTEUR DE PRESSION EN TECHNOLOGIE MEMS:

Les capteurs MEMS mettent en lien direct une déformation d’une grandeur mécanique
avec une variation d’une grandeur électrique. On trouve par exemple des capteurs de pression
(de type résistif) pour la surveillance de pneumatiques.
En général une mesure de pression utilise une membrane déformable comme corps d’épreuve.
Dans le cadre des MEMS, celle-ci est gravée dans le substrat de silicium (figure I .12).
Figure I.11 : Production collective de MEMS qui seront séparés en toute fin du précédé
visualisation de la cavité réalisée pour obtenir la membrane en silicium
La membrane du capteur de pression subit une déformation en présence d’une différence de

pression (figure I .13) :
24
Figure I.12 : Schéma de la déformation de la membrane d’un capteur de pression
Afin d’avoir une mesure de déformation, les micro-technologies permettent l’intégration de

jauges piézo-résistives directement implantées dans la structure des MEMS au cours de la
production (figure I .14). La jauge de contraintes voit sa longueur relative (ΔL/L) varier lors
de la déformation, entrainant la variation relative de sa résistance (Δ R/ R) :
(I.1)
Figure I.13 : Schéma de l’implantation intégrée d’une jauge piézorésistive
L’électronique de mesure associée est le pont de Wheatstone (figure I .15). Une variation de
valeur d’une des résistances (jauge piézorésistive) du montage en pont, fait varier la mesure
de sortie de la tension. La piézorésistivité des matériaux constituants les jauges de contrainte
est la propriété de variation de conductivité sous l’effet d’une déformation mécanique.
Figure I.14 : Schéma du pont de Wheatstone
25
I.4.5 CAPTEUR DE PRESSION MEMS A TRANSDUCTION ELECTROMAGNETIQUE :

Le principe du capteur de pression à transduction électromagnétique, fabriqué en technologie
MEMS, se base sur la perturbation de la distribution du champ électromagnétique présent à
l’interface entre un résonateur planaire, de fréquence de résonance F0, et une membrane (figure
I .16). Le capteur est d’autant plus sensible que la variation du champ est rapide et le couplage
mécanique/électromagnétique est fort pour de faible mouvement de membrane (quelques µm).
Figure I.15 : Principe de fonctionnement du capteur MEMS à transduction

électromagnétique pour la mesure de la pression
Ce mode de transduction permet de supprimer toute la partie de traitement du signal au niveau

du capteur et par conséquent la majorité des consommations en énergie. Ceci demande une
émission, par les outils d’interrogation, et une haute sensibilité de détection du signal Radio
Fréquence de retour.
Des travaux antérieurs [27] et [28], ont déjà travaillé sur ce type de capteur. Pour concevoir ce
dernier, ils ont utilisé, respectivement, un résonateur hyperfréquence à ligne demi longueur
d’onde (λ/2) et résonateur en anneau asymétrique (Ring Resonator). La simulation de la
pression a été faite par un déplacement vertical de la membrane vers le résonateur, ce que n’est
pas tout à fait le cas dans la réalité. La membrane lorsqu’elle est subite à une pression, elle se
déforme en forme de cône. L’objectif de ce mémoire est de travailler sur l’amélioration de ce
capteur et d’essayer de simuler le fonctionnement du capteur à déflexion réelle de la membrane.
I.5.CONCLUSION :
Au cours de ce chapitre, nous avons présenté une étude bibliographique sur les capteurs,
en particulier les capteurs de pression. Nous avons commencé par la présentation de différents
capteurs classiques et leurs classements puis les capteurs en technologie MEMS. L’objectif de
ce mémoire est de travailler sur l’amélioration d’un micro-capteur de pression capacitif,
fabriqué en technologie MEMS,
26
CHAPITRE II :
MODELISATION CAPTEUR DE
PRESSION CAPACITIF (MEMS)
II.1.INTRODUCTION
Les capteurs de pression micro structurés sont actuellement largement diffusés dans le
monde pour des applications grand public : dans les domaines de la santé, de l’automobile
[29] et le domaine d’électromagnétisme [30].
Un capteur de pression capacitif est un condensateur dont l’une des armatures est déformable.
Cette déformation de la membrane engendre une variation de la capacité en fonction de la
pression appliquée [31]. Ce type de capteurs est caractérisé par une haute sensibilité, une
faible consommation électrique et une grande résolution par rapport aux autres capteurs,
cependant, il présente une réponse non linéaire, une dérive en température et une faible
variation par rapport à la capacité d'offset [32].
II.2.PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Le principe de fonctionnement d’un capteur de pression capacitif est la variation de sa
capacité en fonction de la pression appliquée et les grandeurs d’influence comme montre la
figure II.1, il transforme les déformations élastiques de la membrane en signal électrique.
L'objectif de ce chapitre est l’étude de la réponse capacitive et de la sensibilité en fonction de
la pression appliquée pour chaque paramètre d’influence.
Figure II.1 : Principe de fonctionnement d’un capteur de pression capacitif.
Ce capteur est composé d'une membrane micro usinée au silicium, constituant l’armature
mobile et d’un substrat isolant en pyrex représentant la deuxième électrode. La membrane
fine au silicium et le substrat de pyrex sont collées par soudure anodique donnant naissance à
une cavité hermétique entre les deux comme le montre la figure II.2.
Figure II.2 : Structure de la cellule sensible capacitive
28
Avec :
h: L'épaisseur de la membrane.
d: La distance entre les deux armatures.
L: La longueur de la membrane.
II.3.MODELISATION DU CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF
L’objectif de cette modélisation est l’application des résultats obtenus précédemment

concernant l’étude de déflexion de la membrane fine au silicium dans les cas petites et
grandes déformations, à l’étude du micro capteur de pression capacitif. La réponse de ce
dernier nécessite la détermination de la déformation en tout point de la membrane en fonction
de la pression appliquée P. L'expression de déformation en tout point de la membrane permet
de calculer la réponse C(P) du capteur de pression capacitif et de déduire sa sensibilité à la
pression appliquée S(P) pour différents types de membranes : carrée, rectangulaire et
circulaire. Le mécanisme de détection capacitive est relativement simple. En l’absence de
pression appliquée, la capacité entre deux plaques planes parallèles de surface « A », séparées
par un diélectrique de distance « d » avec une permittivité diélectrique est définie par:
( ) (II.1)
C0 : est la capacité au repos.

A: est la surface de l’électrode.
d : est la distance inter électrodes.
: est la permittivité du vide qu’est égale à 8.86 10-12 F/m.
: est la permittivité relative, qu’est égale à 1 dans le cas de l’air
Lorsqu’on applique une pression P, la membrane se déforme engendrant une variation de la
déflexion w(x, y), comme le montre la figure II.3. Cette dernière fait accroître la capacité
C(P).
Figure II.3 : Vue en coupe de la structure du capteur de pression capacitif
29
L’expression de la capacité C(P) peut être déterminée à partir de la relation suivante [32]:
- Dans le cas de la membrane carrée :
( ) ∬ (II.2)
( )
( ) représente la déflexion bidimensionnelle de la membrane en fonction de la pression

appliquée P au point des coordonnées cartésiennes (x, y) de la membrane.
On rappelle les expressions de la déflexion de la membrane de forme carrée :
- Dans le cas du modèle polynomial [33]
( ) ( ( ) ) ∑ ∑ ( ) ( ) (II.3)
- Dans le cas du modèle trigonométrique [34]:
( ) ( )
( ) ∑ ∑ * ( )+ * ( )+ (II.4)
Avec la déflexion de la membrane au centre donnée par l’expression suivante [35] :
(II.5)
- Dans le cas de la membrane circulaire
( ) ∬ (II.6)
( )
Avec :
( )représente la déflexion bidimensionnelle de la membrane en fonction de la pression
appliquée P au point des coordonnées polaires ( ) de la membrane.
Le calcul de l’intégrale double (II.6) nous permet de déterminer l’expression de la
réponse capacitive approchée donnée par l’équation (II.7) [36]:
30
( ) [ ( ) ( ) ] (II.7)
On rappelle l’expression de la déflexion au centre de la membrane circulaire donnée par

(Cas des petites déformations) :
(II.8)
Les relations (II.2) et (II.6) montrent que si la pression augmente la distance entre les
armatures diminue et par conséquent la capacité augmente.
La sensibilité à la pression appliquée est parmi les caractéristiques essentielles pour

définir les performances d’un capteur de pression capacitif. Elle est définie par [32] :
( )
( ) (II.9)
En substituant l’expression analytique de la capacité C (P) dans l’équation (II.7) nous

pouvons avoir une expression exacte de la sensibilité à la pression S(P) qui est donnée par :
( )
( ) (II.10)
On constate à partir de l’équation (II.10) que la sensibilité est proportionnelle à la

surface de la membrane « A » et inversement proportionnelle à la distance inter électrodes « d
» et à l’épaisseur de la membrane « h ». Par conséquent pour concevoir un capteur de pression
capacitif de haute sensibilité, il suffit d’avoir une large surface de membrane « A », une faible
épaisseur de la cavité « d » et une très mince épaisseur de membrane « h ».
31
II.4.ETUDE DE LA DEFLEXION DANS LE CAS PETITES DEFORMATIONS

II.4.1.MEMBRANE DE FORME CARREE
L’étude de la déformation d’une membrane parfaitement encastrée aux bords est très
importante dans la réalisation des micros capteurs de pression. En effet la connaissance de la
réponse d’une membrane, qui est le corps d’épreuve du micro capteur, à une excitation
externe de pression, permet de déterminer ses caractéristiques et ses performances.
Conformément à la théorie des plaques élastiques minces et en tenant compte de l’anisotropie
du silicium, le comportement mécanique de la membrane, dans le cas des petites
perturbations, et soumise à une pression constante et uniforme, est décrit par l’équation aux
dérivées partielles de Lagrange d’ordre 4 suivante [37] :
( ) ( ) ( ) (II.11)
Où
w(x, y) représente les faibles déflexions, telle que w << h.
P La pression uniforme appliquée.
Avec α Si le coefficient d’anisotropie et D le coefficient de rigidité du silicium, qui sont

définies par [38]:
(II.12)
( )
( ) (II.13)
Les conditions aux limites imposées par l’encastrement parfait de la membrane à ses
bords sont données par les équations suivantes :
32
( )
( )
( )
(II.14)
( )
Les solutions approchées proposées dans la littérature sont [33, 34].
A. Solution polynomiale proposée [33]

En se basant sur les travaux déjà effectués par [2, 40] qui utilisent la fonction
polynomialebidimensionnelle suivante :
(II.15)
( ) ( ( ) ) ∑∑ ( ) ( )
Avec i, j des nombres entiers pairs
B. Solution trigonométrique proposée [34]
( )
( ) ∑∑ * ( )+ (II.16)
( )
* ( )+
Où i, j sont des nombres entiers pairs variant de 0 a n

Les coefficients sont représentés dans le tableau suivant :
K k00 k02 = k20 k22 k24 = k42 k40 = k04 k44
Polynomial [33] 0.0220 1 0.2140 0.2700 0.0980 -0.0062 -0.103

Trigonométrique [34] 0.0224 1 0.0284 0.0123 0.0030 0.0038 0.0016
Tableau II.1 : Valeurs des coefficients réduits pour n=3 [34].
33
Avec est la déflexion maximale au centre (x=0, y=0) de la membrane carrée qui
est donnée par l’expression suivante [33,35]
(II.17)
II.4.2.MEMBRANE DE FORME CIRCULAIRE
Dans ce paragraphe, nous nous intéressons à la résolution de l’équation aux dérivées

partielles d’ordre 4, régissant la déformation d’une membrane fine au silicium de forme
circulaire parfaitement encastrée aux bords soumise à une pression statique uniforme P.
Dans le cas des petites déformations, la loi qui gouverne la déflexion d'une membrane
fine de forme circulaire de rayon a, parfaitement encastrée aux bords est régie par l'équation
différentielle de Lagrange d'ordre 4 en coordonnées polaires [37]:
( ) (II.18)
( ) [ * ( )+]
Où  est l'opérateur Nabla.

L'expression de la déflexion w(r) en coordonnées polaires est une solution exacte de
l’équation différentielle (II.18), donnée par [37]
(II.19)
( ) [ ( ) ]
Tel que r est la coordonnée radiale et a le rayon du diaphragme. est la déflexion

maximale au centre de la membrane circulaire qui est donnée par [39]:
(II.20)
34
On peut réécrire l’équation (II.19) sous la forme :
(II.21)
( ) [ ( ) ]
II.5.ETUDE DE LA DEFLEXION DANS LE CAS GRANDES DEFORMATIONS
II.5.1.MEMBRANE DE FORME CARREE
Soit une membrane d’épaisseur h, de coefficients d’élasticité E et v placée dans le plan x

y et soumise à une pression uniforme et constante P. l’application de la théorie des plaques
[37] conduit à une équation aux dérivées partielles de la fonction de déformation w(x, y) en
tous points de la membrane [40, 37] :
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
* (
( ) ( ) (II.22)
)+
La fonction de contrainte d’Airy F(x, y) est donnée par [40] :
( ) [ ( )] * ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
(II.23)
( ) ( )+
Les conditions aux limites imposées par l’encastrement de la membrane carrée à

ses bords sont données par les équations suivantes:
35
( )
(II.24)
( )
Où f (P) est une fonction qui dépend de P, E, ν, L, et h

Par la substitution de les équations (II.24) et (II.22) à l’équation (II.21), le résultat
obtenu donné par l’équation (II.25) suivante:
( ) ( ) (II.25)
( ) [ ( )] [ ( )]
( )
Donc, la déflexion maximale au centre de la membrane dans le cas grandes

déformations est :
[ ( )] (II.26)
II.5.2.MEMBRANE DE FORME CIRCULAIRE
L’équation différentielle régissant la déformation d'une membrane circulaire dans le cas

grandes déformations est donnée par [37, 26]:
(II.27)
( )
(II.28)
Est la fonction de contrainte d’Airy et l'opérateur biharmonique donnée par:
36
( )
(II.29)
La membrane circulaire vérifie les conditions aux limites suivantes :
(II.30)
( )
Les solutions supposées [39] des fonctions de la déflexion et de contrainte d’Airy

vérifientles conditions aux limites (II.30) et donnent par :
(II.31)
( ( ( ) )
(II.32)
( ) [ ( ) ( ) ( ) ( ) ]
Où f est la fonction de la déflexion maximale au centre de la membrane circulaire.
II.6.CONCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons étudié le comportement d’une membrane fine au silicium,
parfaitement encastrée aux bords, de formes carrée, circulaire, soumise à une pression
uniforme et constante, dans les deux cas petite et grandes déformations, ce qui nous a permis
de localiser les points les plus déformables de la membrane.
On peut conclure que la déflexion maximale au centre de la membrane est directement
proportionnelle à la pression appliquée. Elle est plus importante dans le cas de la forme carrée
que pour les formes circulaire.
La forme carrée possède une large zone de linéarité avec les valeurs optimales des
paramètres géométriques.Cette déflexion de la membrane engendre une variation de la
réponse capacitive.
37
CHAPITRE III :
CONCEPTION ET SIMULATION D’UN

CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF
CHAPITRE III : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF
III.1. INTRODUCTION
Nous nous proposons, dans ce chapitre, d’étudier les propriétés mécaniques et

électriques d’un capteur de pression à membrane en silicium par le logiciel COMSOL
Multiphysics. Ce type de capteur constitue un élément de base dans un grand nombre
d’applications des microsystèmes MEMS. Avant de présenter nos résultats de simulation,
nous commençons ce chapitre par une présentation du logiciel de simulation COMSOL utilisé
III.2.DÉFINITION DU COMSOL
COMSOL Multiphysics, anciennement appelé FEMLAB, est avant tout est un outil de
résolution des équations aux dérivées partielles – PDE - par la méthode des éléments finis. Sa
particularité est de disposer d'une base des données des équations permettant de modéliser
différents phénomènes physiques, comme l'électrostatique, magnétostatique,
électrodynamique ; l'écoulement de fluides ou encore la déformation des matériaux ainsi que
multiple phénomènes physiques modélisées en PDE. La première version du logiciel
COMSOL Multiphysics a été publié en 1998 par le groupe COMSOL et il était nommé
Toolbox. À l'heure de début, ce logiciel est uniquement appliqué dans le domaine de la
mécanique des structures. L'environnement de simulation COMSOL Multiphysics facilite
toutes les étapes du processus de modélisation, définir votre géométrie, spécifiant votre
physique, maillage, la résolution et ensuite afficher des résultats en post-traitement.
Figure III.1: Logo de logiciel COMSOL Multiphysics 5.2.
39
III.2.1.PRINCIPE D'UTILISATION
L'utilisateur définit ses couplages ou sélectionne les interfaces prédéfinies. Les étapes
du processus de modélisation sont intégrées dans une seule interface. Des modules
d'applications optionnels offrent des interfaces spécialisées notamment en mécanique linéaire
et non-linéaire, acoustique, écoulement, transfert de chaleur, génie chimique, géophysique,
électromagnétisme basse et haute fréquence, corrosion, plasma, suivi de particules,
optimisation, MEMS, ainsi qu'avec les logiciels de CAO et Matlab. Ce logiciel est
multiplateforme (Windows, Mac, Linux). En plus des physiques précitées, COMSOL
Multiphysics autorise l'utilisateur à définir ses propres systèmes d'équations aux dérivées
partielles (EDP), soit sous forme di_érentielle, soit sous formulation faible. Les couplages
avec des équations aux dérivées ordinaires (EDO) et des équations algébro-di_érentiels
(EAD) sont également possibles.
La modélisation du processus avec COMSOL Multiphysics se résume en 6 étapes :
Figure III.2: Diagramme des étapes de conception avec COMSOL Multiphysics
40
III.2.2. L'INTERFACE UTILISATEUR COMSOL 5.2

Lorsque le ou les modèles ont été choisis, l'écran général apparaît. Nous allons donc
d'abord construire la géométrie du problème. La G.U.I permet de créer le domaine sur lequel
on cherche à résoudre l'E.D.P a l'aide de commandes classiques de logiciels de dessin
(rectangles, lignes brisées, ellipses). On peut donc dessiner un large éventail de domaines
différents, L'interface de COMSOL est divisée en plusieurs parties (Figure III.3) :
Figure III.3: L’interface graphique COMSOL Multiphysics 5.2.
1. Ruban : Le ruban situé en haut du bureau donne accès aux commandes utilisées pour
effectuer la plupart des tâches de modélisation.
2. Mesh : Le maillage est une partition du modèle de la géométrie en petites unités des
formes simples. Nous pouvons créer un maillage libre dans Comsol Multiphysics en
cliquant sur le bouton "Build Mesh" sur la barre d'outils principale.
3. Model Builder : Dans cette fenêtre on retrouve le constructeur du modèle où il est
possible de définir des variables et des autres paramètres du problème (Parameters), le
modèle (Model) où se retrouvent la géométrie (Geometry), les propriétés des
matériaux formant la géométrie, le ou les modèles de physique s'appliquant au
problème étudié et les paramètres de maillage (Mesh).
4. Setting Geometry : Au milieu du logiciel on trouve la déclaration des paramètres
électriques, physiques et même mécaniques de chaque domaine tels que la
conductivité, l'excitation du courant et la tension l'induction etc…
41
5. Graphics : En haut à droite, la fenêtre d'a_chage graphique (Graphics) permet de

représenter et visualiser la géométrie, le maillage ou les résultats.
6. Material : Pour la définition du matériau, on doit dé ni pour chaque volume le
matériau utilisé. On utilise une bibliothèque permettant de définir simplement toutes
les constantes physiques du matériau.
7. Messages et résultats physiques : Finalement, directement au-dessous de la fenêtre
d'affichage graphique, il y a une fenêtre permet de visualiser les messages des erreurs,
le progrès des simulations. La liste des opérations effectuées lors du calcul de la
solution ainsi que des résultats numériques calculés une fois la simulation terminée.
Pour avoir est illustrer la forme du structure, cliquez sur le bouton construire tout (Build all)
puis vous pouvez vu la géométrie comme la montre dans (La figureIII.4) ci-dessous
Figure III.3: La géométrie du capteur de pression MEMS.
Pour la définition du matériau, on utilise une bibliothèque permettant de définir simplement

toutes les constantes physiques du matériau, par exemple pour le substrat les matériaux
utilisent sont : céramiques, semi-conducteurs et ferromagnétiques etc.
L'étape suivante de la structure c'est le Maillage, Pour le faire cliquez sur "Mesh" et choisissez
comme taille de maillage. Cliquez sur "Build All", il est maintenant possible de voir le
maillage rectangulaire structuré. (La figure III.5) suivante est une vue d'ensemble du maillage
par des mailles de forme rectangulaire d'un capteur de pression MEMS.
42
Figure III.4: Présente le Maillage d’un capteur de pression MEMS
III.3. RESULTAT DE LA SIMULATION
Le capteur de pression capacitif sont compose de deux plaques de silicium de forme

Carrée comme un condensateur avec de l'air comme diélectrique entre les deux plaques. La
plaque supérieure est une membrane déformable et la plaque inferieur est une électrode fixée.
Lorsque la pression est appliquée sur la plaque supérieure elle se déforme en changeant la
distance entre les deux plaques de condensateur. Cette variation de capacité peut alors être
observée pour détecter la pression appliquée
La déformation de la membrane après la simulation est représentée sur la figure III.6:
Figure III.5: Déflexion de membrane Carré.
Dans ce paragraphe nous nous intéressons essentiellement sur l’étude de capteur de

pression capacitif de la variation de pression dans une plage de 0 à 25000 Pa, Nous avons
étudié le comportement de la membrane de capteur. A partir des équations mathématiques,
43
nous avons modélisé la déformation de la membrane, nous avons tracé les variations de la
capacité en fonction de la pression appliquée. Ensuite nous avons examiné l’influence de la
géométrie du capteur pour différents paramètres : l’épaisseur de la membrane, la distance
entre les deux électrodes avec l’influence de la température.
III.3.1. L'EFFET DE LA PRESSION SUR LE DEPLACEMENT DE LA MOBRANE :
L’état de repos d’un capteur de pression capacitif est caractérisé par une pression
différentielle nulle ( ):
Figure III.6: Déplacement de la membrane de silicium au

repos pour une pression de 0 Pa
- Pour différentes valeurs de la pression :
Figure III.7: Déplacement de la membrane de silicium pour une

pression de 10000 Pa
44
Figure III.8: Déplacement de la membrane de silicium pour une

pression de 20000 Pa
Figure III.9: Déplacement de la membrane de silicium pour

une pression de 25000 Pa
Les figures III (7,8, 9 et 10) représente un déplacement à deux dimension (2D) d’une
membrane de capteur de pression capacitif de forme carrée, la pression appliquée
respectivement (P=0, P=10000, P=20000, P=25000) Pa
Ces figures montrent que le déplacement au centre de la membrane est proportionnelle à
la pression appliquée est de l’ordre (P=0, P=10000, P=20000,P=25000 ),. En remarque que Le
déplacement maximale est au centre de la membrane d=2 µm.
45
III.3.2.L'EFFET DE LA PRESSION SUR LA VARIATION DE POTENTIEL

ELECTRIQUE :
L’état de repos d’un capteur de pression capacitif est caractérisé par une pression
différentielle nulle ( ):
Figure III.10: Variation de potentiel électrique pour une pression

de 0 Pa
- Pour différentes valeurs de la pression :

de 10000 Pa
46

de 20000 Pa

de 25000 Pa
Les figures III (11,12, 13 et 14) représente le potentiel électrique à deux dimension (2D)
d’un capteur de pression capacitif, la pression appliquée respectivement (P=0,
P=10000,P=20000,P=25000) Pa.
47
Ces figures montrent que le potentiel électrique est proportionnelle à la pression

appliquée est de l’ordre (P=0, P=10000,P=20000,P=25000 ),. En remarque que le potentiel
électrique maximale a une pression P=25000 Pa.
III.3.3. EFFET DES PARAMETRES GEOMETRIQUES SUR LA SENSIBILITE DE

CAPTEUR
A partir l’expression de la réponse capacitif C(p) nous avons tracé les courbes de la
sensibilité S(p) du capteur de pression capacitif pour différentes valeur géométrique :
l’épaisseur de la membrane (h), pour avoir l'influence des paramètres géométriques de la
membrane sur la sensibilité à la pression
Figure III.14: La sensibilité de capteur en fonction de la pression appliquée pour

différentes valeurs de l’épaisseur de la membrane (hs).
Figure III.15: La sensibilité de capteur en fonction de la pression appliquée pour

différentes valeurs de la distance entre les deux armatures (d).
48
A partir des figures (III.15 et III.16) on peut conclure que pour avoir un capteur de pression
capacitif de haute sensibilité il faut utiliser une surface de membrane a une épaisseur de la
membrane hs=30µm et une distance inter électrode d=4.5µm.
III.3.4. LA REPONSE CAPACITIVE POUR UNE EPAISSEUR DE LA MEMBRANE

DE 30µm A 60µm
Nous traçons les courbes de variation de la capacité en fonction de la pression appliquée
d’une membrane carrée
Figure III.16: La capacité en fonction de la pression, pour différentes valeurs de

l’épaisseur de la membrane (hs).
On remarque que la variation de la capacité est une Relation directe de la pression

appliquée sur la membrane pour les différentes valeurs de l’épaisseur de la membrane )hs(.
On note également qu'à la valeur de pression maximale de 25000 Pa, l'effet de la
pression dans le cas d'une épaisseur de 30 µm sur la capacité est supérieur à l'épaisseur de 60
µm.
)Une relation directe est une relation positive entre deux variables qui augmentent ou
diminuent conjointement(
III.3.5. L’EFFET DE L’EPAISSEUR DE LA MEMBRANE SUR LE DEPLACEMENT

Nous traçons le déplacement au centre de la membrane pour les dimensions
géométriques de la membrane :
49
Figure III.17: Déplacement de la membrane en fonction de la pression, pour différentes

valeurs de l’épaisseur de la membrane (hs).
La Figure III.18 représente la déflexion de la membrane en silicium en pression

appliquée , pour différentes valeurs de ( hs) ,le déplacement maximale est de l’ordre de
(2.2µm ), pour les différentes valeurs de h (30µm a 20µm). Donc lorsque l’épaisseur de la
membrane augmente, la déplacement au centre de la membrane diminue avec la pression
appliquée .cette modélisation nous permet de déterminer la plage de fonctionnement en
pression de notre micro capteur qui est inférieur de 25000 Pa.
III.3.6. L’INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
La figure III.18 présentent une étude de la capacitive en fonction de la température ; le

facteur le plus étudié dans les microcapteurs et les microsystemes. On peut remarquer sur
cette figure que : la capacité diminue quand la température augmente.
Figure III.19: La réponse capacitive en fonction de la température pour différentes valeurs

de l’épaisseur de la membrane (hs).
50
On note que dans le cas de la température maximale de 300 K, son effet sur la capacité
est plus efficace dans le cas d'une membrane dont l'épaisseur est de 60 µm, par contre
diminue pour l'épaisseur de 30 µm.
III.4. CONCLUSION
Dans ce chapitre nous avons présenté les résultats de simulation de notre structure
capacitive avec le logiciel COMSOL Multiphysics. Nous avons étudié dans ce chapitre l’effet
des paramètres géométriques du capteur de pression sur les caractéristiques électrique à partir
du déplacement de la membrane ; sensibilité et la capacité du capteur.
51
CONCLUSION GENERALE
CONCLUSION GENERALE
Les capteurs de pression MEMS font l'objet de recherches intenses depuis den
ombreuse années. Parmi les différents types de capteurs, les capteurs de pression qui
Présentent des caractéristiques tout à faits intéressants (sensibilité élevée, faible coût,
petitetaille) grâce à leur compatibilité avec la technologie de la microélectronique.
Les capteurs de pression MEMS sont généralement composés d'une membrane en
silicium collé sur substrat. Sous l'effet de la pression, la membrane se déforme. Cette
déformation de la membrane engendrant une variation de la capacité de capteur. La
simulation de la réponse des capteurs de pression se base sur la modélisation mécanique du
corps d’épreuve.
L'objectif de notre étude était de modéliser et de concepteur un capteur de pression .
Le travail réalisé dans ce mémoire a été consacré dans un premier temps à faire une
synthèse bibliographique sur le capteur de pression en technologie MEMS. Au début, nous
ont cité des généralités sur ce capteur (le fonctionnement, l'architecture générale et les
différents types de capteurs) .
Ce travail a été consacré à la conception et la simulation d’un capteur de pression
capacitif à membrane au silicium utilisé dans les microsystèmes MEMS pour des applications
diverses.
Notre simulation est basée sur la méthode des éléments finis utilisée dans le logiciel
COMSOL Multiphysics 5.2. Nous avons étudié l’influence des paramètres géométriques
d’une structure capacitif constituée de deux armatures dont l’une et déformable sous l’effet de
la pression, sur les caractéristiques mécaniques et électriques du capteur. Nous avons étudié
entre autre l’influence de la distance entre les deux armatures, l’épaisseur de la membrane,
ainsi que la température sur la réponse capacitive du capteur.
On peut conclure que la déflexion maximale au centre de la membrane est directement
proportionnelle à la pression appliquée.
ce qui nous a permis de localiser les points les plus déformables de la membrane.
52
CONCLUSION GENERALE
Nous ont étudié la simulation de ces dispositifs afin de déterminer l'effet de l'influence
de chaque paramètre sur leur réponse de capteur.
Les perspectives pour ce travail sont assez nombreuses, étant donné que le thème des
microsystèmes se compose d’un sujet multidisciplinaire assez vaste ; notamment la
conception d’un multicapteur de pression, d’humidité et de température (une structure qui
combine trois type de capteurs dans la même puce).
53
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
1. V. Kaajakari, Practical MEMS, Small Gear Publishing, Las Vegas, 2009.

2. P. Menini. Faisabilite d'un capteur de pression capacitif miniature sur silicium. Micro
et nanotechnologies/Microelectronique. Universite Paul Sabatier - Toulouse III, 1998.
3. F. KERROUR «Etude et modelisation de capteurs de pression piezoresistifs et
capacitif au silicium ». Doctorat d’état en electronique. Universite de
constabtine.2008.
4. A. Boukaabache, P. Menini, P.Pons. « Microcapteurs de Pression ». Technique de
l’ingénieur T2070, mars 2001.
5. A. Permuy, E. Donzier «Capteurs microélectroniques», technique de l’ingénieur
T3093,mai 2004.
6. F. Kerrour. « Etude et Modélisation de Capteur de Pression Piezorésistifs et
Capacitifs au Silicium ». Thèse doctorat de l’université Mentouri Constantine 2008.
7. A. Benichou «Conception et Modélisation d’un accelerometre microelectronique
triaxial, mémoire de magister, université de tlemcen, 2012. .
8. F. KERROUR, F. HOBAR. « Modélisation d’un Capteur de Pression Capacitive au
Silicium de Formes Carrée et Rectangulaire ». Sciences & Technologie n°27 2008.
9. Raul. B, "Techniques de conception des circuits intégrés analogiques pour les
applications en haute température, en technologies sur substrat de silicium", thèse de
Doctorat, Institut national polytechnique de Grenoble soutenue, 1999.
10. Tounsi. F, "Microphone électrodynamique MEMS en technologie CMOS:
étude,modélisation et réalisation", thèse de doctorat, Institut Polytechnique de
Grenoble, 2010.
11. Temple. P, "Développement des matériaux dans le cadre des microtechnologies",
thèse de doctorat, Architecture des Systèmes du C.N.R.S, 2004.
53
12. Christophe. M, "Caractérisation de micro transducteurs de pression à haute

performances intégrés sur silicium", thèse de doctorat, Institut national des sciences
appliquées de Lyon, 1998.
13. O.français,. «capteurs et electronique associée (partie II :Acquisition de données),
2000
14. K.merabet, «Etude et simulation d’un capteur de pression capacitif au silicium,
meloire de magister, universite de constantine,2010 .
15. A.permuy, Capteur à semiconducteurs, technique de l’ingenieur, traité électronique, E
2 310- 7(1990).
16. http : \\ microélectronique.Univ-Rennes.fr.
17. Tahanout. C, "Etude, Simulation électrothermique d’un micro capteur de gaz à base
d’oxyde semi-conducteur", thèse de magister, Université M’Hamed Bougara-
Boumerdes, 2010.
18. Zein. J, "Outils CAO pour microsystèmes ", thèse de doctorat, Institut national
polytechnique de Grenoble, 2003.
19. Saadaoui. M, "Optimisation des circuits passifs micro-ondes suspendus sur membrane
diélectrique", Université Paul Sabatier de Toulouse, 2005.
20. Aboubacar. C, "Conception et modélisation de MEMS monolithique CMOS
entechnologie FSBM application aux accéléromètres", thèse de doctorat, Université
deMontpellier II, 2005.
21. Dardalhon. M, "Contribution à l’analyse de la fiabilité de microsystèmes", thèse
dedoctorat, Université de Montpellier II, 2003.
22. Fabien. P, "Capteur intégré tactile d’empreintes digitales à microstructure
piezoresistives", thèse de Doctorat, Institute national de polytechnique de Grenoble,
2002.
23. Arnauld. D, "Conception intégrée de microsystèmes électromécaniques", thèse
dedoctorat, Institut national polytechnique de Grenoble, 2004.
24. Maurice. R, "Contribution à la méthodologie de conception système : Application à la
réalisation d’un microsystème multicapteur communicant pour le génie civil", thèse de
doctorat, Institut national polytechnique de Toulouse, 2005.
25. Philipe. M, "Faisabilité d’un capteur de pression capacitif miniature sur silicium",
thèse de Doctorat, Université de Paul Sabatier de Toulouse, 1998.
26. Erik. V et Jacob. R, "Piezo Resistive MEMS Devices: Theory and Applications", these
de Magister, Department for Micro and Nano Technology, DTU, 2005.
54
27. El Bahri. M, "Influence de la température sur le comportement statique et dynamique

des capteurs de pression capacitif sur silicium", thèse de doctorat, Institut National des
Sciences Appliquées de Toulouse, 2005.
28. Rouri. J, "Développement of mems sensors for mesurments of pressure, relative
humidity and température", thèse de doctorat, Worcester poly technic Institue, 2003.
29. Cristianno. C, "Conception de transducteurs acoustiques micro usinés", thèse de
Doctorat, Institut national de polytechnique de grenoble IVPG, 2005.
30. Randy Frank. "Understanding Smart Sensors". Artech House Boston. London.
31. Michal. O, "Modelling and optimization of piezoresistive pressure sensors", thèse
dedoctorat, Université de INSA de Toulouse, 2009.
32. Young Han et al, "Diode temperature sensor array for measuring micro-scale
surfacetemperature with high resolution", Sensors and Actuators, A 141-52-58-2008.
33. G. Asch, les capteurs en instrumentation industrielle, Dunod/Bordas, Paris,1982.
34. S.kemouche, simulation thermomécanique de capteurs de pression au silicium pour
des applications biomedicales, mémoire de magister, universite de constantine1, 2014.
35. P. Eswaran and S.Malarvizhi . «Design Analysis of MEMS Capacitive Differential
Pressure Sensor for Aircraft Altimeter ». International Journal of Applied Physics and
Mathematics, Vol. 2, No. 1, January 2012.
36. B. Benmoussa, S. Bougima: « Static Response Study of Microelectronic Capacitive
Pressure » ISESC’05. 19-21, 2005, Jijel University, Algeria, IEEE.
37. M.-H. Bao . « Micro Mechanical Transducers Pressure Sensors, Accelerometers and
Gyroscopes » handbook of sensors and actuators volume 8; 2000.
38. Christophe MALHAIRE «Caractérisation et Modélisation de Microtransducteurs de
Pression à Hautes Performances Intégrés sur Silicium», Thèse doctorat de L’Institut
National des Sciences Appliquees de LYON 2005.
39. A.Boukabache. «Conception, Modelisation et Réalisation d’un Capteur de
PressionPiezoresistif à Faible Derive Thermique», Doctorat d’état, Fevrier 1993,
Universitéde Constantine.
55

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE

Mémoire de fin d’étude

Présenté par : proposé et dirigé :

- Yahia KHOUDRANE - Brahim KEHILECHE

TABLE DES MATIERES

table des matiéres ........................................................................................................................................ i

Liste des figures ...........................................................................................................................................viii

Liste des tableaux ........................................................................................................................................... x

INTRODUCTION GENERALE ................................................................................................................. 10

CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUS

I.2.Généralité sur les capteurs ....................................................................................................................... 13

I.2.1.Description d’un capteur de pression ............................................................................................. 13

I.2.2. Principes de détection dans les capteurs de pression.................................................................... 14

I.2.3.Classification des capteurs ............................................................................................................. 16

I.2.4. Grandeurs dinfluence..................................................................................................................... 17

I.3.Différents types de capteurs de pression ............................................................................................... 18

I.3.1.Définition de la pression : ................................................................................................................ 18

I.3.2.Capteur de pression RF .................................................................................................................. 18

I..3.3.Capteur de pression piézorésistif .................................................................................................. 19

I.3.4.Capteur de pression capacitif ......................................................................................................... 20

I.3.5.Capteur de pression optique: .......................................................................................................... 21

I.4.Capteurs en technologieMEMS(MicroElectro-MechanicalSystem): .......................................................... 22

I.4.1.Définition des MEMS : .................................................................................................................... 22

I.4.2.Les principes physiques du microsystème : ................................................................................... 23

I.4.3.Domaines d’applications des MEMS :............................................................................................. 23

I.4.4.Capteur de pression en technologie MEMS: ................................................................................. 24

I.4.5.Capteur de pression MEMS à transduction électromagnétique : .................................................... 26

CHAPITRE II : MODELISATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF (MEMS)

II.2.Principe de fonctionnement ................................................................................................................... 28

II.3.Modélisation du capteur de pression capacitif ...................................................................................... 29

II.4.Etude de la déflexion dans le cas petites déformations ........................................................................ 32

II.4.1.Membrane de forme carrée ............................................................................................................ 32

II.4.2.Membrane de forme circulaire....................................................................................................... 34

II.5.Etude de la déflexion dans le cas grandes déformations ...................................................................... 35

II.5.1.Membrane de forme carrée ............................................................................................................ 35

II.5.2.Membrane de forme circulaire....................................................................................................... 36

CHAPITRE III : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION

III.2.Définition du comsol ............................................................................................................................ 39

III.2.1Principe d'utilisation ..................................................................................................................... 40

III.2.2.L'interface utilisateur comsol 5.2 ................................................................................................ 41

III.3.Resultat de la simulation ...................................................................................................................... 43

III.3.1.L'effet de la pression sur le deplacement de la mobrane : .......................................................... 44

III.3.2.L'effet de la pression sur la variation de potentiel electrique : ................................................... 46

III.3.3.Effet des parametres geometriques sur la sensibilite de capteur ................................................ 48

III.3.5.L’effet de l’epaisseur de la membrane sur le deplacement ........................................................ 49

III.3.6.L’influence de la temperature ...................................................................................................... 50

CONCLUSION GENERALE ...................................................................................................................... 52

J’exprime mes chaleureux remerciements au directeur de mémoire, Dr KEHILECHE

Mes vifs remerciements vont également aux membres de jury: Mr CHIBA

Je tiens à exprimer ma très grande gratitude, et ma profonde affection à mes chers

LISTE DES FIGURES

CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUS

Figure I.1: Schéma de principe d’un capteur ........................................................................... 13

CHAPITRE II : MODELISATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION CAPACITIF (MEMS)

Figure II.1 : Principe de fonctionnement d’un capteur de pression capacitif. .......................... 28

Figure II.2 : Structure de la cellule sensible capacitive ............................................................ 28

CHAPITRE III : CONCEPTION ET SIMULATION D’UN CAPTEUR DE PRESSION

Figure III.1: Logo de logiciel COMSOL Multiphysics 5.2. ..................................................... 39

LISTE DES TABLEAUX