Ecole Nationale d'Ingénieurs de Gabès Chokri BACCOUCH

Département G.C.R

Fibre Optique. Composants, interfaces et couplages

1. Sources d’émission
La lumière est injectée vers un diamètre de fibre relativement petit (D< 500 mm).
Seule la lumière contenue dans le cône d’admission se propagera dans la fibre.
Elle doit avoir une longueur d’onde située dans les fenêtres d’atténuation
minimale :

{0,8−0,9 µm} ; {1,1−1,3 µm} ; {1,55 µm}

La source de rayonnement doit satisfaire à certaines contraintes :

• surface restreinte ;
• directions compatibles avec le cône d’admission de la fibre ;
• longueurs d’onde pour lesquelles les fibres présentent la meilleure transparence ;
• largeur spectrale faible et grande intensité ;
• temps de réponse rapide et facilité de modulation ;
• fiabilité et économie.

1.1. Diode électroluminescente (DEL)

La diode électroluminescente n’émet qu’une faible intensité et la pureté spectrale
est médiocre. D’où un usage limité aux liaisons à courte distance.
Longueur d’onde centrale du spectre d’émission spontanée :
1.24
λg = [1]
Eg

• Eg: largeur de bande interdite (en eV)

Ce spectre, approximativement gaussien de largeur typique (∆λ=50−60nm), peut
être étendu grâce à la présence de dopants ou d’impuretés.
Dans les semi-conducteurs utilisés :

Eg∈{0,36 eV−2,2 eV} ⇒ λg∈{0,56 µm−3,6 µm}

Les diodes émettant en lumière visible sont généralement des diodes à

homojonction, mais de rendement médiocre et de coût très faible.
L’hétérojonction permet d’améliorer le rendement quantique et la rapidité de
modulation. Les recombinaisons sont confinées dans une couche active de très
faible épaisseur entre deux couches de confinement de largeur de bande interdite
plus élevée : bonne transparence aux photons émis (amélioration du rendement
externe) et indice de réfraction plus faible.
Une double hétérojonction permet d’obtenir un bon rendement.

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La bande passante reste limitée (30 MHz – 100 MHz) à cause du temps de transit
des porteurs. La technique d’émission par la tranche permet d’atteindre
200 MHz.

1.2. Diode laser (DL)

La diode laser émet une lumière de plus grande pureté, quasiment
monochromatique. Elle est apte aux liaisons longue distance. Son prix est élevé.
La diode laser réalise à l’état solide, dans un volume restreint et sous une faible
tension de commande, les fonctions d’amplification de lumière et de cavité
résonante qui caractérisent le laser et qui permettent donc une émission
cohérente (régime d’émission stimulée).
D’où une amplification de la lumière suivant l’axe Oz:

ln R
P( z ) = P0 exp( gz ) avec ~: g = α − [2]
L

• g: coefficient de gain
• α: coefficient d’absorption
• R: coefficient de réflexion sur les deux faces
• L: longueur de la cavité
La couche active, cavité résonnante Fabry-Perot, se comporte en guide
diélectrique plan, grâce à son indice plus élevé et à la réflexion partielle sur les
deux faces clivées du laser.
Le coefficient de réflexion R est assez important (environ 0,3) en raison de la forte
valeur d’indice du matériau (n≈3,5) :
n −1 2
R=( ) [3]
n +1

Le spectre d’émission présente un certain nombre de raies correspondant aux

fréquences de résonance de la cavité νp:
c 2nL
λp = = ; p entier (de l'ordre du mode) [4]
vp p

Ces raies sont espacées de :

λ2
δλ = ; N ≈ n (indice de groupe) [5]
2NL

Le diagramme d’émission dépend des dimensions de la région émissive. Le guide

d’onde qui constitue la cavité est suffisamment étroit pour être monomode. Le
faisceau émis est relativement gaussien.
Les principales structures de diode laser (mode de guidage latéral) sont :
• les structures à guidage par gain ;
• les structures à guidage par indice ;
• les structures à puits quantiques ;
• les structures à contre réaction distribuée ou DFB (Distributed Feed-Back).

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2. Composants de réception
Les exigences attendues du détecteur sont sensibilité, bande passante et bruit
qu’il introduit :
• capacité de délivrer un signal électrique utilisable même si le flux énergétique
reçu est faible et varie rapidement dans le temps afin de transporter un
maximum d’information ;
• rapidité pour transformer ce flux énergétique sans en déformer les variations
dans le temps;
• dimensions compatibles avec celles de la fibre pour un couplage efficace avec la
lumière.
Il existe deux catégories de détecteur de rayonnement : thermiques et
quantiques. Les premiers sont inutilisables en télécommunications (faible
sensibilité et rapidité très insuffisante).
Dans les détecteurs quantiques, il y a transfert d’énergie du photon à l’électron
d’un solide (effet photoélectrique). Le vide étant nécessaire pour récupérer
l’électron émis, les dimensions de ce type de détecteur ne sont pas directement
adaptables à celles de la fibre.
Photodiodes (PIN et PDA) et phototransistors sont les photo-détecteurs à semi-
conducteur utilisés en télécommunications optiques.

2.1. Photodiodes
Le temps de réponse de la photodiode PIN est limité par la capacité de jonction et
par le temps de transit. Il peut être réduit en élargissant la zone d’absorption des
photons.
Un bon compromis est de prendre une épaisseur de la zone intrinsèque voisine de
la profondeur d’absorption. Une autre possibilité est d’augmenter la tension de
polarisation inverse.
Ces photodiodes ont un rendement de conversion maximale et une bande
passante élevée.
Le signal reçu étant souvent très faible, le photocourant doit être amplifié, mais
le bruit du préamplificateur placé après la photodiode est souvent prépondérant.
On utilise alors un composant à gain interne, la photodiode à avalanche (PDA)
dont le principe est l’ionisation en chaîne, sous l’effet d’un champ électrique
intense.
Les photodiodes à avalanche sont utilisées pour la transmission à 1,3 et 1,5 µm.
Elles sont réalisées avec les mêmes matériaux semi-conducteurs que ceux des
diodes laser. Les paramètres importants qui la caractérisent sont :
• la tension de claquage ;
• le coefficient de multiplication ;
• les coefficients d’ionisation ;
• le courant d’obscurité ;
• la rapidité.

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2.2. Phototransistors
Le phototransistor est un transistor dont la base est éclairée. La jonction
collecteur – base, polarisée en inverse, joue le rôle de photodiode et le
photocourant est amplifié par le gain en courant du transistor (typiquement 30 à
100).
Le phototransistor est un composant à gain interne. Il est plus simple et plus
fiable que la PDA, car la tension de polarisation n’est pas nécessairement élevée.
Dans le phototransistor silicium, la base doit être relativement épaisse à cause de
la grande profondeur d’absorption du matériau. Le gain et la fréquence de
transition sont alors peu élevés, mais l’avantage reste le faible coût.
Les phototransistors en semi-conducteurs III-V, sensibles jusqu’à 1600 nm,
autorisent un gain de l’ordre de 100 à 150, et une fréquence de transition de
l’ordre de 1 à 2 GHz.

3. Interfaces et couplages

3.1. Couplage émetteur – fibre

Les sources doivent être aussi petites que le cœur de la fibre. Appliquer
directement la surface de la fibre sur la surface de la source, axes alignés, est la
meilleure façon d’injecter le maximum de lumière. En réalité, il existe un
interstice qui ne doit pas dépasser 2 à 4 fois le diamètre du cœur.
La source émet de la lumière dans un angle solide Ω. Si le spot lumineux a une
surface As supérieure à la surface Af du cœur de la fibre, une partie de la lumière
est perdue. En supposant un rayonnement uniforme de la source dans l’angle
solide Ω, la perte de couplage est (en décibel) :

Af
Ds = 10 ln pour As ≻ Af
As
Ds = 0 pour As ≺ Af

Pour évaluer le couplage entre une source de lumière et une fibre optique, il faut
connaître le diagramme de rayonnement de la source et l’ouverture numérique de
la fibre.
En général, le demi-angle du cône d’admission a une valeur de 10 à 14°. Le demi-
angle d’ouverture à 3 dB des diagrammes de rayonnement varie de 15 à 60°.
Toute la lumière émise sous des angles supérieurs à 10° (ou 14°) est une perte au
couplage de la fibre, l’idéal étant le rayonnement compatible avec le cône
d’admission de la fibre.
L’intensité d’une source dans la direction d’angle i0 peut s’écrire :
I = I 0 cos m (i0 ) ; m ≥ 1

• i0: intensité dans la direction de la normale

• m: coefficient caractéristique de la source (m=1m=1 source lambertienne)

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Par définition :
dP
I (i0 ) =
dΩ

• dΩ: angle solide élémentaire dans la direction i0

• P: puissance de la lumière émise

Par intégration, on obtient :

• PT : puissance totale[0 −π/2]

• Pc: puissance de la lumière dans le cône d’admission[0 − iOM]
La perte au couplage DON (dB) a pour expression :
Pc (1 − cos m +1 iOM ) g
DON = 10 log = 10 log [9]
PT g +2

Pour une fibre à saut d’indice (g → ∞)

Pc
DON = 10 log = 10 log(1 − cos m+1 iOM ) [10]
PT

La perte supplémentaire apportée par une fibre à gradient d’indice (g≈2) est égale
à 10 log(0,5)= −3 dB.
Pour pénétrer dans la fibre, la lumière doit franchir l’interface air – cœur
(n0 / n1). Du fait de cette différence d’indices, une partie du flux énergétique est
réfléchie (perte de Fresnel). Le facteur de réflexion est égal à :

n − n0 2
R=( ) [11]
n + n0
La perte de Fresnel a pour expression :
DR = 10 log(1 − R) [12]

Elle peut être réduite en interposant une couche antireflet ou une résine
adaptatrice des indices de réfraction.
La perte totale au couplage est donc :
DT = Ds + DON + DR [13]

3.2. Couplage fibre–récepteur

L’interface optique de réception comprend la photodiode, des circuits de
polarisation et le préamplificateur à minimum de bruit et de distorsion aux
signaux. Pour cela, on intègre la photodiode et le préamplificateur dans le même
boîtier.
Première solution
On raccordement à la fibre optique par une fibre amorce ou sous la forme d’une
embase active.

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Cette solution est adoptée pour les liaisons à haut débit. Le diamètre de la fibre
amorce est supérieur à celui des fibres du câble, afin d’éviter les pertes au
raccordement.
Deuxième solution
La photodiode est logée dans l’embase d’un connecteur sur lequel le câble est
raccordé. Le coefficient de couplage fibre-détecteur est moins bon que le
précédent.
Les préamplificateurs sont des amplificateurs à haute impédance d’entrée ou
amplificateurs transimpédance.
Les amplificateurs à haute impédance d’entrée (a) sont réalisées sans contre-
réaction, avec un amplificateur opérationnel (jusqu’à quelques mégahertz) ou un
transistor à effet de champ (au-delà).

Si la résistance de polarisation Rp est forte, les amplificateurs sont très sensibles

et de très faible bruit.
Pour compenser la constante de temps τ=RC (intégration du signal au-delà de la
fréquence de coupure), l’amplificateur doit être suivi d’un égaliseur dont la
réalisation est délicate, car τ est peu reproductible.
Les amplificateurs transimpédance (b) ont une contre-réaction Rc.
Si le gain de la chaîne amplificatrice A est grand, on a

Vs ≈ − Rc is [14]

donc un gain plat et reproductible sur une large bande passante. L’inconvénient
étant que la résistance apporte un supplément de bruit.
En dessous d’une fréquence de l’ordre de 50 MHz, la structure à haute impédance
est moins bruyante. Au-delà, on utilise une structure transimpédance à
transistors bipolaires, moins bruyant et de très large bande passante.

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Au-delà de 0,5 GHz environ, des problèmes de stabilité se posent et on doit
utiliser des transistors à effet de champ GaAs ou InP, intégrés si possible avec la
photodiode.