Université Sultan Moulay Slimane

FST Béni Mellal

Département de physique

Filière Ingénierie
Option Matériaux
Module Technologie des semiconducteurs
Partie I

Mr Ahmed Liba

1
 Introduction

Ce cours de base est adressé aux étudiants des filières de Licence et Ingénierie,
option Electronique, Optoélectronique, Matériaux et Télécommunication. Il est
ordonné en deux parties :

- Dans la partie I, nous examinerons le matériau semi-conducteur à

l’équilibre thermodynamique, l’électronique des semi-conducteurs, le
dopage des semi-conducteurs, les semi-conducteurs hors équilibre
thermodynamique, les courants de diffusion (électrons – trous) et les
équations de transport de charges.
- Dans la seconde partie, nous traiterons la jonction PN, la jonction Métal-
Semiconducteur et l’effet Hall dans les matériaux conducteurs et
semiconducteurs.

Ce cours constituera une base solide pour l’Ingénierie, les Master(s), et les
Doctorat(s) spécialisés dans les domaines de la microélectronique:

- Fabrication des matériaux semi-conducteurs

- Fabrication des composants à base de matériaux semi-conducteurs :
composants PN, MS, PIN, Tr NPN (PNP), Tr MOS, CI,…
- Montage des composants à semiconducteur dans les dispositifs
électroniques et optoélectroniques.
- Fabrication des cellules et panneaux solaires.

2
 Sommaire

Chapitre I : Electronique des semi-conducteurs

Chapitre II : Dopage d’un semi-conducteur

Chapitre III : Semi-conducteur hors équilibre Thermodynamique

Chapitre IV : La structure PN – La structure MS - Effet Hall dans les

conducteurs et semiconducteurs.

3
Chapitre I : Electronique des semi-conducteurs :

I. Quantification des niveaux d’énergie

1. Caractère corpusculaire du rayonnement : Le photon
La lumière présente deux aspects, un aspect ondulatoire et un autre corpusculaire. Le premier
a été mis en évidence par les expériences de diffraction et d’interférences munis par Fresnel,
alors que le caractère corpusculaire qui nous intéresse dans ce chapitre a été évoqué par
M. Planck, A. Einstein pour expliquer l’origine du courant photoélectrique collecté en
illuminant (ou éclairant) une feuille métallique.

En effet, Einstein (M. Planck) a émis l’hypothèse du photon et stipule que la lumière est
formée de grains d’énergie appelés photons, l’énergie d’un photon E et son impulsion p
sont données par :

E=hν et P=hK

Il a montré que le courant photoélectrique n’est que le résultat d’un ensemble de chocs entre
photons du faisceau lumineux et électrons du métal collé à la surface de la cathode.
L’équation de conservation de l’énergie dans ce choc photon-électron s’écrit :
1
hν= ω0 + mv 2
2 .

où
ω 0 = travail de sortie du métal et (hν−ω0 )= excès d’énergie communiquée à l’électron
sous forme d’énergie cinétique.

un seul photon suffit pour extraire un électron du métal et n photons h pour collecter n
électrons, d’où l’apparition du courant photoélectrique Iph.

2. Quantification des niveaux d’énergie d’un atome :

1-L’atome d’hydrogène (H) : Z=1

En subissant l’interaction d’un faisceau lumineux, l’atome d’hydrogène émet un spectre de
raies très intenses, quatre raies dans le visible et une série de raies moins intenses dans l’UV,
figure 1.

4
N. Bohr explique ces émissions par l’existence de niveaux d’énergie quantifiés pour l’atome
d’hydrogène, figure 2.
I

H
H
H

visible uv

Fig 1 : Spectre d’émission de l’atome d’hydrogène

Le seul électron de l’atome H occupe des états d’énergie bien définis (ou quantifiés) E n :
A
En =
n2 , (Pour le calcul des niveaux En voir cours de mécanique quantique).
L’électron de l’atome d’hydrogène initialement occupait l’état d’énergie le plus bas (ou état
fondamental, n=1) et sous l’effet d’un apport d’énergie extérieure (une excitation lumineuse
par exemple), l’électron saute d’une orbite à une autre d’énergie supérieure en absorbant de
l’énergie αhν , figure 3.
Si h=E2-E1, l’électron passe de l’état fondamental n=1 à l’état excité n=2,
Si h=E3-E1, l’électron passe de l’état fondamental n=1 à l’état excité n=3,
Si E2<h<E3, l’électron occupe l’état excité n=2.

E
E4 n=4

n=3
E3

E2 n=2

E1 n=1

é de l’atome
d’H

Fig 2 : Niveaux d’énergie quantiques dans un atome isolé d’hydrogène

5
 E E4 n=4

n=3
E3

Excitation
n=2
E2 lumineuse

E1 n=1

Fig 3 : Excitation lumineuse de l’atome H

En coupant le faisceau lumineux de fréquence , l’électron se débarrasse de l’excès d’énergie

h et regagne son état de départ (n=1), ce qui explique l’émission des radiations H , H, H,
…
2- L’atome de silicium (Si) : Z=14é
L’occupation des niveaux d’énergie se fait de la manière suivante :
Chaque orbite de nombre quantique n peut se décomposer en sous orbites (s,p,d,f) et accueillir
2n2 électrons (principe de Pauli), figure 4. Prenons comme exemple le niveau quantique n=2,
nous avons : 4 sous orbites possibles : 200, 210, 211, 21-1.
200 correspondant au niveau d’énergie E200, niveau non dégénéré.
210, 211, 21-1 correspondant au niveau d’énergie E210, niveau dégénéré (3 états).

E320 d
E310 p
] n=3
E300 s

p
E210
E200 s ] n=2

E100 s ] n=1

Fig 4 : Occupation des niveaux d’énergie dans un atome de silicium (Z=14).

De cette configuration, nous relevons que l’atome de Silicium (Si) possède :

6
4é de valence et 10é de cœur. Ce sont les électrons de valence qui définissent les propriétés
électriques du cristal. La structure électronique de l’atome de silicium Si est donnée par les 2
représentations suivantes :
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 configuration électronique moins stable
1s2 2s2 2p6 3s1 3p3 configuration électronique plus stable

II. Bandes d’énergie dans un cristal :

Pour un cristal on ne peut plus parler de niveaux d’énergie permis individualisés de chaque atome, ces
niveaux seront remplacés par des bandes d’énergie permises. En effet, en rapprochant les atomes les
uns des autres, les états de valence se couplent et ceci d’autant plus que la distance interatomique
diminue, conséquence on ne peut plus repérer les niveaux d’énergie des électrons de valence de
chaque atome, ce qui explique l’éclatement des niveaux d’énergie E s et Ep pour les faibles
distances d*, et la formation de bandes d’énergie, figure 5. Conséquence : dans un cristal, il y a
apparition de bandes de niveaux d’énergie permis (Bandes permises) séparées par des bandes de
niveaux d’énergie non permis (Bandes Interdites).

Energie

Bande
permise
E3p
Bande
interdite E3s
Bande
permise

Bande
interdite

Bande
permise
Energie dans l'atome isolé

Bande
interdite
Bande
permise distance
interatomique

Fig 5 : Etats d’énergie des électrons dans un cristal

3. Bande de Conduction – Bande de Valence :

Chaque cristal semi-conducteur est donc représenté par une distribution d’énergie E(k),

7
K étant un vecteur d’onde de l’électron du cristal (ou une direction cristallographique du
réseau réciproque du cristal). La figure 6 montre deux modèles représentatifs de la fonction
E(k) pour 2 cristaux semi-conducteurs : le GaAs et le Si.

E(k) E(k)

Bc

Bc

Eg

Eg
Bv
Bv

Gap direct (GaAs) Gap indirect (Si)

k
Fig 6 : Distribution de bandes d’énergie E(k)

Si on examine la distribution des électrons du cristal dans les bandes permises d’énergie
E(k), nous retrouvons des bandes totalement remplies ou partiellement remplies ou totalement
vides :

 La bande d’énergie totalement remplie d’énergie la plus élevée s’appelle la Bande de

Valence (Bv). On prendra Ev comme énergie maximale de cette bande,

 La 1ère bande d’énergie presque ou totalement vide s’appelle la Bande de Conduction (Bc).
On prendra Ec comme énergie minimale de cette bande.

 L’intervalle d’énergie séparant le maximum de la bande Bv et le minimum de la bande Bc

est appelé bandgap ou énergie de gap, Eg du matériau semi-conducteur :

E g =Ec −E v (eV)
le bandgap Eg caractéristique du matériau semi-conducteur dépend fortement de la
température T, et des conditions de dépôt (ou d’élaboration) de ce matériau. Le tableau ci-

8
dessous donne l’énergie de gap de quelques matériaux semi-conducteurs à la température
ambiante :

Matériau Ge Si GaAs
Eg (300°K) en eV 0.65 1.12 1.40

Approximation des bandes d'énergie paraboliques (Modèle de Sommerfeld) :

Pour étudier les propriétés de conduction électriques dans le cristal semi-conducteur, nous
considérons seulement les électrons situés au voisinage immédiat de la bande interdite.
L'énergie E(k) est alors approximée par une parabole, figure 7 :

- E(K) = Emin + AK2 pour la bande inférieur ou Bv, avec Emin = Ec.

- E(K) = Emax – BK2 pour la bande supérieure ou Bc, avec Emax = Ev.

E(K)

Bc

Emin Eg
Emax

Bv

Fig 7 : Diagramme d’énergie dans un cristal semi-conducteur

2. Notion de trou :

9
L’occupation des bandes d’énergie par les électrons du cristal dépend de la température, en
effet A 0°K tous les électrons sont dans la bande de valence Bv; à T>0°K certains électrons
ayant une énergie supérieure à E c se libèrent et passent dans la bande de conduction Bc. Un
électron qui se libère et passe dans Bc laisse sa place vide (ou un trou) au niveau de la liaison
de covalence où il a était engagé, figure 8. Ce qui est important, c’est que ce manque d’é ou
trou pourra participer à la conduction électrique dans le cristal semi-conducteur : un électron
d'une liaison voisine d'un trou pourra facilement se déplacer pour venir compléter cette liaison
sous l'effet d'une faible énergie* laissant par la même, un trou là où il était. Tout se passe
comme si le trou s'était déplacé dans la direction opposée à celle de l'électron, figure 8a. Ce
déplacement apparent du trou de charge +q en opposition à celui de l’électron se précise bien
si on applique un champ électrique extérieur  au cristal semi-conducteur, figure 8b.
* l’é de valence a un mouvement oscillatoire dans son état de valence.

Bc Bc Bc

Bv Bv Bv

Equilibre Déplacement de charges é et trou

dans le cristal

Fig 8a : Trou libre dans un cristal semi-conducteur à l’équilibre.

10
 
Bc Bc Bc

Bv Bv Bv

Equilibre Cristal polarisé par un champ

électrique

Fig 8b : Déplacement de charges é et trou en présence d’un champ électrique.

III – Population des bandes permises :

a- Densité d’états d’énergie dans les bandes Bc et Bv :

Les expressions des densités d’états dans les 2 bandes Bc et Bv sont données par la
statistique de Fermi-Dirac :

N ( E)= h √ π ( 2 π . me ) ( E−Ec )
3 /2 1/2
2
c 3
dans la bande Bc

N ( E )= h 2√ π ( 2 π .mt ) ( E v −E )
3/2 1 /2

v 3
dans la bande Bv

me et mt étant les masses effectives des électrons et des trous.

Nc (E) et Nv (E) sont des fonctions croissantes de l’énergie E, comme c’est montré sur la
figure 1.

Nv(E)
Nc(E
)

Ev Ec
E
Fig 1 : Densité d’état dans les bandes Bc et Bv.

11
Il y a plusieurs modèles de calcul des densités d’état N c,v (E), nous citons comme exemple le
modèle de Norton et le modèle de Mott.

b- La fonction de Fermi-Dirac :
La probabilité d’occupation d’un état d’énergie E dans B c par un é à la température T est
donnée par la fonction de Fermi-Dirac :

F ( E )=
n
1
( E−E F )
1+ exp
kT

Fn(E) est représentée sur la figure 2 pour trois températures différentes.

EF est appelé niveau de Fermi ou potentiel chimique de l’é dans le solide à l’équilibre
thermodynamique.

Fig 2 : Fonction de Fermi

F(E) est une probabilité donc : 0 < F(E) < 1.

Si T = 0 K, F(E) = 1 pour E < EF, F(E) = 0 pour E > EF.

Tous les états d'énergie en dessous du niveau de Fermi sont occupés et tous les états situés

au-dessus sont vides : cas d’un métal par exemple.

Si E - EF est de l'ordre de plusieurs kBT, la fonction de Fermi se ramène à une distribution

de BOLTZMANN : F(E) exp- (E - EF)/kBT

12
De même la probabilité pour qu’un état d’énergie E soit occupé par un trou (un état d’énergie
E vide) est donnée par :
1
1−F n =F p ( E )=
( E F−E )
1+exp
kT
c- Expressions des densités de porteurs libres n et p à l’équilibre thermodynamique :
Pour examiner les propriétés physiques et électriques d’un cristal semi-conducteur, il est
indispensable de déterminer les densités de porteurs de charges n et p (ou population des
porteurs de charges dans les bandes Bc et Bv).
c-1 Calcul de la concentration en é libre n :
Le nombre d’électrons d’énergie E/unité de volume dans la bande Bc se déduit de la
connaissance de la densité d'états et de la probabilité d'occupation, n est donnée par :

…………………………………
Par application de l’approximation de Boltzmann pour les états d’énergie E situés dans la
bande Bc, nous aurons :
E−E F
( E−E F ) >> kT ⇒ F n ≈exp−
kT

Le calcul de la concentration n donne l’expression suivante :

( ) ( )
3 /2
Ec − E F 2 π . m e . kT
n= N c . exp − N c =2
kT en cm -3
avec h2
Nc = densité d’états équivalente dans Bc ou densité d’états effective dans Bc.
19 −3
Pour le silicium N c =2 ,7 . 10 .cm à 300°K.
c-2 Calcul de la concentration en trou libre p :
Le nombre de trous libres d’énergie E/ unité de volume présent dans la Bv est donnée par :
…………………………………………
Par application de l’approximation de Boltzmann pour les états d’énergie E situés dans la
bande Bv, nous aurons :
E−E F
( E F −E ) >> kT ⇒ F p ≈exp
kT
Le calcul de la concentration p donne l’expression suivante :

( ) ( )
3/ 2
E F− E v 2 π . m t . kT
p= N v . exp − N v=2
kT -3
en (cm ) avec h2
Nv = densité d’états équivalente dans Bv ou densité d’états effective dans Bv.
19 −3
Pour le silicium N v=1 , 1. 10 . cm à 300°K.

13
d- Densité de porteurs intrinsèque ni :
Faisons le produit des concentrations n et p, nous aurons :
np=.. . .. .. . .. .. . .. .. . .. .. . .. ..=.. .. . .. .. . .. .. . .. .. . .. .. . .. .. ..=n2i
np=n2i . .. . .( I )

 L’équation (I) caractérise l’équilibre thermodynamique dans un matériau semi-conducteur.

 Le paramètre
ni représente la densité de porteurs intrinsèque dans le cristal semi-conducteur.

 La concentration
ni est indépendante de la position du niveau de Fermi E , elle est
F

fortement croissante en fonction de la température du cristal.

Le tableau ci-dessous donne les concentrations intrinsèques n i dans certains matériaux semi-
conducteurs :

Matériau Ge Si GaAs
ni (cm-3) 1014 1010 107

I.3- Semi-conducteur intrinsèque – Semi-conducteur extrinsèque :

On définit un semi-conducteur intrinsèque comme un matériau pur, ne comportant ni
défauts de structure, ni impuretés ; contrairement au semi-conducteur extrinsèque. En effet
le semi-conducteur élaboré (ou produit) au laboratoire contient une fraction importante
d’impuretés et présente des défauts de structure, comme c’est montré sur la figure 3 :

Matériau AB

Maille Lacune de A
parfaite

Atome A
en intersite

Impureté C
Impureté D en intersite
en substitution
Atome A

Atome B
Impureté C
en substitution Atome C
Défauts
d’antisite Atome D

Fig 3 : Défauts ponctuels dans un cristal ordonné AB

14
 - Lacune(s) : un défaut ponctuel dû à l'absence d'un atome dans le réseau,
- Intersite(s) : atome(s) du réseau entre d’autres atomes du même réseau,
- Impureté interstitielle : présence d'un atome étranger entre d’autres atomes du réseau,
- Impureté de substitution : présence d'un atome étranger à la place effective d'un atome
du réseau,

- Défauts d’anti-site : permutation d’atomes du cristal, Atome A prend la place de B ou

l’inverse. Défauts se manifestant dans les cristaux ioniques.
- Défaut de charge : un site du cristal présente une charge plus négative ou plus positive
que les autres sites du même type. Défauts se manifestant aussi plus dans les cristaux
ioniques.

A noter que dans un  semi-conducteur intrinsèque  pris à l’équilibre

thermodynamique, les concentrations (ou densités) en porteurs de charges libres n et p
sont identiques :
n= p=n i (T) (II)

- L’équation (II) montrant l’égalité des concentrations de porteurs de charge, n’est plus
valable dans un matériau semi-conducteur composé non stœchiométrique.

Application : les Matériaux compensés

15
Chapitre II Dopage d’un matériau semi-conducteur

2.1- Semi-conducteur dopé : Sc(N) et Sc (P) :

Pour activer les propriétés électriques d’un matériau semi-conducteur, on introduit (ou on
diffuse) volontairement dans ce matériau des quantités d’impuretés bien choisies, cette
opération contrôlée de diffusion d’impuretés est appelée dopage, figure 1.

Fig.1 : Dopage du silicium (Si) par le phosphore (P : Atome donneur) et le bore (B : Atome
accepteur)
a- Impuretés donneurs : Le phosphore (P)
Prenons un atome de phosphore (P) comme impureté de substitution (site de conduction ou
site active) dans un réseau de silicium (Si), figure 4a, le phosphore P est un élément de la
colonne V, le silicium Si est un élément de la colonne IV.
L’atome de phosphore P à 5 é périphériques, il doit mettre 4é en commun avec les 4 atomes
de silicium qui l’entourent et l’é qui reste a besoin d’un minimum d’énergie pour qu’il soit
libéré dans le cristal, augmentant ainsi la concentration en é libres n :
P  P+(ion fixe) + 1é libre
L’atome de phosphore a donné un ion fixe P+ plus 1é libre
L’atome P est considéré dans le cristal de silicium comme une impureté donneur.

Résultat, si on dope le matériau avec N atomes de phosphores, nous aurons N ions fixes P+ et
N é libres de plus, ceci est vrai, si nous prenons une efficacité de dopage égal à l’unité.
La concentration en é libres finale (après dopage) est alors donnée par :
n=.. . .. .. .. . .. .

L’indice D c’est pour montrer que les impuretés sont de type Donneurs.

16
Conséquence de cette opération de dopage, le matériau (silicium) n’est plus intrinsèque : n
p on dit que le matériau semi-conducteur est de type N :
Les porteurs majoritaires sont les é et les porteurs minoritaires sont les trous.

b- Impuretés accepteurs : le bore (B)

Prenons un barreau de silicium (Si) dopé Bore, une fraction importante du dopant Bore va
occuper les sites substitutionnelles dans le réseau de silicium, figure 4b :
Le Bore est un élément de la colonne III, le silicium est un élément de la colonne IV.
L’atome de Bore a 3 é de valence, il lui manque 1é pour former 4 liaisons B-Si et s’intégrer
dans le réseau de Si. Pour cela il a besoin d’un minimum d’énergie pour capter 1 é d’une
liaison voisine Si-Si, créant ainsi un trou libre qui participera à la conduction électrique et un
ion fixe B- dans le réseau de Si.
B + 1é de valence  B- (ion fixe)

L’atome dopant B a pris un é de valence et a donné un ion fixe B- et un trou libre.

L’atome B est considéré dans le cristal de silicium comme une impureté accepteur.

De même nous pouvons élaborer des matériaux semi-conducteur directement dopé (dopage in
situ : dopage au cours de la phase de croissance du matériau) par des techniques telles
que : La CVD, la pulvérisation cathodique (sputtering), l’épitaxie …, voir copies
transparents montrant ces techniques.

Résultat, si on dope le matériau avec N atomes de bores, nous aurons N ions fixes B- et N
trous (0) libres de plus, ceci est vrai, si nous prenons une efficacité de dopage égal à l’unité
(tous les atomes dopants occupent les sites actives). La concentration en trous libres finale (après
dopage) est alors donnée par :
p=. . .. .. . .. .

L’indice A c’est pour montrer que les impuretés sont de type Accepteurs.

Conséquence de cette opération de dopage, le matériau (silicium) n’est plus intrinsèque :

pn on dit que le matériau semi-conducteur est de type P :

Les porteurs majoritaires sont les trous et les porteurs minoritaires sont les électrons.

Si nous récapitulons, nous aurons :

17
Sc type N Sc type P
n=ni + N D p=ni + N A
N D ¿¿.ni .:.n≈N D ¿ N A ¿¿.ni .:. p≈ N A ¿
p=. . .. .. . .. n=.. . .. ..

2-2 Point de solubilité limite dans un cristal semi-conducteur :

La densité maximum d'impuretés que l'on peut introduire dans un matériau semi-
conducteur est imposée par la concentration de solubilité limite de l'impureté, comme exemple
l'arsenic As a une solubilité limite de 1021 cm-3 dans le silicium Si.
La connaissance de la concentration de solubilité limite (ns) d’un dopant dans un
matériau semiconducteur donné nous permet d’avoir une idée sur la conductivité
maximale qu’on peut atteindre dans ce matériau.

Plusieurs travaux ont montré qu’en dépassant la concentration de solubilité limite d’un
dopant dans un matériau semiconducteur, on peut dégrader sa qualité cristalline et donc
diminuer sa conductivité électrique, figure 2, ou plus particulièrement générer une
phase d’alliage entre ce matériau
Co et l’élément dopant.
nd
uct
ivi
té
éle
ctr
iq
ue


ns Dopage

Fig 2 Variation de la conductivité électrique en fonction du dopage

Conclusion :
Le choix de la concentration de dopant dans un matériau semiconducteur doit se faire donc
dans le domaine [….. – …..].

Applications :

18
 1- Calculer les densités de porteurs de charges n et p dans deux matériaux de silicium
(Si) pris à la température ambiante T=300°K. Ces deux matériaux sont dopés
respectivement au phosphore (P) et au bore (B) avec les densités N D= 1018cm-3 et NA=
1016cm-3. On donne : Eg=1,12 eV, KT=26 meV et Nc=Nv=1020cm-3.
2- Détermination du type d’un matériau semiconducteur et Mesure des densités de
porteurs de charges n et p par la technique Effet Hall : Objectifs des TPs 1 et 2.
3- Mesure de la concentration totale de dopant par spectroscopie SIMS.
4- Calcul de la concentration totale de dopants actifs à partir des Mesures C(V).

2-3 Etats d’énergie localisés dans la bande interdite Bi :

Les propriétés électriques d’un dispositif à couches semi-conductrices sont limitées par
certains défauts de structure au niveau de ces couches (comme les liaisons cassées,…) d’une
part et d’autre part, par la présence d’impuretés qui peuvent accompagner la phase de
croissance de ces couches. Ces défauts introduisent des états localisés dans la bande
interdite Bi, en effet un é d’une liaison cassée reste localiser dans cet état : il est ni libre, ni
parmi les é de valence, conséquence son état d’énergie va être localisé dans la bande Bi,
figure 3. Par ailleurs les impuretés dopantes donneurs ou accepteurs vont introduire des
niveaux d’énergie localisés dans Bi, figure 3.
5- Les impuretés donneurs introduisent des niveaux d’énergie ED (niveaux donneurs)
situés dans Bi prés de la bande de conduction Bc.
6- Les impuretés accepteurs introduisent des niveaux d’énergie EA (niveaux accepteurs)
situés dans Bi prés du haut de la bande Bv.

E
Bc
Ec
ED Etats localisés
dans Bi

EA
Ev
Bv
Fig 3 .Niveaux d’énergie localisés dans la bande interdite Bi.

2-4 Neutralité électrique dans un matériau semi-conducteur :

19
A l’équilibre thermodynamique, un matériau semi-conducteur ou conducteur maintient
toujours une neutralité électrique interne : la densité totale de charge électrique  est nulle.
→ Pour un matériau semi-conducteur contenant une concentration de donneurs ND et une
concentration d’Accepteurs NA, nous avons :
ρ =e ( p−n+ N D− N A )= 0⋅⇒⋅N D + p=n+ N A
Equation de neutralité électrique
Nous avons considéré que tous les atomes dopants ont été ionisés

→ Pour un matériau semi-conducteur type N :

ρ =e ( p−n+ N D ) =0⋅⇒⋅n= N D + p≈ N D
si
N D ¿ ¿. p ¿

→ Pour un matériau semi-conducteur type P :

ρ =e ( p−n+ N A )=0⋅⇒⋅p= N A + n≈ N A
si
N A ¿¿. n¿

2-5 Techniques de dopage et de recuit d’un matériau semi-conducteur

7- Dopage in-situ : Croissance d’un semi-conducteur directement dopé
8- Dopage d’un semi-conducteur après la phase de croissance (Diffusion, Implantation,
…)
9- Recuit RTA, Recuit long.

Chapitre III. Semi-conducteur hors équilibre thermodynamique

20
Un cristal semi-conducteur est considéré en hors équilibre thermodynamique lorsqu’il est
soumis à une excitation extérieure telle que :
- L’application d’un champ électrique E, électromagnétique (E, B).
- L’éclairement par un faisceau lumineux (lampe, laser,…)
- L’injection par contact…
I- Semi-conducteur hors équilibre thermodynamique :
Nous avons vu que dans un matériau semi-conducteur à l’équilibre thermodynamique, le
produit des densités de porteurs libres n et p reste constant :
n . p=cte=n2i soit que le matériau est dopé ou non

Un semi-conducteur est hors équilibre thermodynamique quand le produit des densités

n et p n’égalise plus ni2 :
soit………….. .. ou ………………..

 n.pni2 : il y a plus de porteurs de charges qu’à l’équilibre thermodynamique.

L’excitation extérieure génère des paires supplémentaires de porteurs de charges en

concentration égale : Δn= Δp soit localement ou de façon homogène dans le cristal semi-
conducteur, figure 1, entraînant ainsi un déséquilibre, et l’on a :
(n+ Δn).( p+Δp ). ¿ n2i ¿ .

On parle alors de génération de porteurs dans le semi-conducteur.

Bc n0

h p0
Bv

Fig 1. Génération de porteurs de charges (é, 0) par le faisceau h.

21
  n.p<ni2 : il y a moins de porteurs qu’à l’équilibre thermodynamique, ou extraction
d’une partie des porteurs de charges du semi-conducteur. Cette situation se produit en
général localement dans une jonction entre semi-conducteurs.

II - Génération et recombinaison des porteurs de charges :

2.1 Génération de porteurs :
Quand on expose un matériau semi-conducteur à une excitation extérieure, on génère des
paires supplémentaire (é, o) dans ce matériau : on a un peuplement de plus dans les bandes
Bc et Bv, c’est la génération de porteurs de charges, ce phénomène est caractérisé par un taux
de génération (ou vitesse de génération) G défini par :

nombre.de . porteurs.libres. générés

G= .....en.(cm−3 .s−1 )
(unité .de. volume).(unité .de.temps)

2.2 Recombinaison de porteurs en excès :

Quand on coupe l’excitation extérieure, le semi-conducteur tente de revenir à son état initial
d’équilibre par la recombinaison des porteurs en excès (ou annihilation).
La recombinaison de porteurs de charges est alors une opération qui ramène des é de la Bc à
la Bv . On distingue plusieurs sortes de recombinaison :
- La recombinaison directe : l’é libre retombe directement de Bc dans Bv.
- La recombinaison indirecte qui s’effectue par l’intermédiaire de niveaux localisés dans
la bande Bi, figure 2.a, b

Ces recombinaisons peuvent ou non s’accompagner d’émissions radiatives, on parle alors de

recombinaisons radiatives et non radiatives. Dans la suite de notre cours nous ne tenons
compte que de la recombinaison directe radiative, figure 3.

Bc Bc
Bc

h

Bv Bv Bv

Fig 2.a, b : Recombinaison directe et indirecte Fig 3 : Recombinaison

directe radiative

22
Le phénomène de recombinaison est caractérisé par trois grandeurs importants tels que : la
vitesse de recombinaison (R), la durée de vie des porteurs minoritaires crées ou générés () et
la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans le volume du semi-conducteur (LD).

a- Vitesse de recombinaison : R
On définit le taux de recombinaison comme étant :

nombre.de. porteurs .recombinés

R= .....en.( cm−3 .s−1 )
(unité .de .volume).(unité .de.temps)

Nous travaillons en régime de faibles injections : les porteurs majoritaires avant excitation
le restent après, donc ce qui est important c’est de suivre l’évolution des porteurs
minoritaires dans le temps et dans l’espace du semi-conducteur. Si nous considérons donc un
semi-conducteur type N, la vitesse de recombinaison R sera définie comme suit :

nombre. de .trous. libres . recombinés dP ΔP

R P= = =
(unité . de . volume ).(unité . de .temps ) dt Δt

b- Durée de vie des porteurs de charges : n,p.

En coupant l’excitation (optique par exemple), les électrons générés dans le semiconducteur et
occupant donc la bande de conduction Bc ne se recombinent pas d’une manière spontanée, en
effet ces porteurs de charges mettent du temps pour se débarrasser complétement de l’excès
d’énergie dû à l’excitation et regagner par la suite la bande Bv : ce temps moyen de relaxation
est appelé durée de vie des porteurs de charge n,p.
- Pour un semi-conducteur type N, nous considérons une durée de vie des trous p.
- Pour un semi-conducteur type P, nous considérons donc une durée de vie des trous n.

Application : Evolution de la concentration des porteurs minoritaires dans un barreau semi-

conducteur type N exposé à une excitation extérieure, figure 4.a.
Nous supposons que cette excitation a assez d’énergie pour créer des paires (é-trou) dans le
volume du semi-conducteur. L’équation (I) donne l’évolution dans le temps des porteurs
minoritaires excédentaires :

23
 dpn (t )
=.. ... .. .. . .. .. . .. .. ...... ..... .. ..
dt (I)
dpn ( t )
=0→ pn ( t )=cte=p n 0 +Gτ p =p n max
- En régime permanent, nous avons dt
- Quand on coupe l’excitation, il s’établit un régime transitoire régit par l’équation :
dpn (t )
=.. .. . .. .. . .. .. .
dt La résolution de cette équation donne :
−t
pn (t )− pn 0 =( pn max − pn 0 )exp( )
τp

L’excès de porteurs minoritaires injectés décroît exponentiellement dans le temps quand on

coupe l’excitation, figure 4.b.
Excitation

t
Pn

Pnmax

Pn0

p p t
Fig 4.a, b : Evolution des charges en excès

Le phénomène de recombinaison ou (de retour à l’équilibre) est limité par le paramètre p qui
représente la durée de vie des porteurs minoritaires. On parle alors de retour long ou rapide à
l’équilibre après excitation.
c- Longueur de diffusion, LD : Les porteurs minoritaires crées en surface du semi-conducteur
éclairé diffusent dans le volume de celui-ci, en subissant une série de recombinaison, figure 5.
On appelle longueur de diffusion LD, …….
………………………………………………………………………

h

Sc(P)
x
24
Fig 5. Longueur de diffusion dans un semi-conducteur (P).

N.B : Le phénomène de recombinaison nous ramène à l’équilibre à chaque fois qu’il y a excès de
porteurs minoritaires par rapport à la concentration d’équilibre. Ce retour à l’équilibre est limité par les
grandeurs R,  et LD.
III- Le phénomène de diffusion : courant de diffusion :
On parle de diffusion de porteurs à chaque fois que les concentrations n ou p ne sont plus
homogènes dans le volume du matériau semi-conducteur : n (x,y,z) et p (x,y,z).
Le courant de diffusion : JD
Considérons un matériau semi-conducteur type N à l’équilibre thermodynamique, on masque
une partie de sa surface et on l’expose ensuite à un faisceau lumineux de longueur d’onde 
convenable, figure 6. Il se crée alors des paires (è, trous) à la surface non masquée et les
nouvelles concentrations de porteurs y sont alors :
n n=nn0 + Δn et
pn = pn 0 + Δp avec Δn= Δp
h

masque
Sc
Sc (N)

X1 X2 X Fig 6 : Matériaux semi-conducteur illuminé

Nous
n ≈nn 0 .
travaillons en régime de faibles injections : n
Nous allons nous intéresser alors à l’évolution de la concentration des porteurs minoritaires (trous)
p ( x , y , z )= pn 0 + Δp( x , y , z) .
dans le volume du matériau Sc (N) : p(x,y,z). Nous avons n

soit dans 1 seule dimension :

pn ( x )= pn 0 + Δp ( x ) . La figure 7 montre l’évolution de la

concentration pn ( x ) : Les trous sont plus nombreux dans la zone [0, X 1], ils vont alors se déplacer
vers la zone [X1, X2] où leur concentration est plus faible : c’est le phénomène de diffusion.
Pn(x)

Pnsurf
JDP(x)

Pn0
25
0 LDP X
 X1 X2

Fig 7 : Evolution de la concentration de porteurs minoritaires.

Ce phénomène de diffusion ou de déplacement de charge vers la zone de faible densité
engendre un courant dit courant de diffusion JDp, proportionnel au gradient de concentration
dp
dx et donné par : ………………………………….. ;


D p = coefficient de diffusion des porteurs minoritaires (trous) en cm2.s-1.
 Le signe – explique que le déplacement des porteurs se fait vers les zones de faibles
densités.

Si nous considérons les 3 dimensions du cristal, nous aurons alors :

J Dp =−qD p⋅⃗
⃗ grad ( p )

De même dans un sc de type P où la concentration des porteurs minoritaires (n) est non
homogène, nous aurons un courant de diffusion des électrons donné par :

J Dn =−qD n⋅⃗
⃗ grad ( n )

Conclusion : Si dans un semi-conducteur, il existe à la fois un gradient de densités de

⃗ ⃗
J T sera
porteurs de charge (n et p) et un champ électrique variable ξ(t ), le courant total
donné par :

⃗ ⃗ ⃗⃗
J J
T= Conduction + J
Diffusion + J
deplacement

⃗
J T =. . .. .. . .. .. . .. .. . .. .. . .. + …………………….…… + ………………………….

26
IV- Equations de continuité – Equation de Poisson :
Pour déterminer le courant fournit par un composant à semi-conducteur polarisé (ou sa
réponse), il est nécessaire de connaître pour toute valeur de r et de t les densités de porteurs
libres n(r,t), p(r,t) ainsi que le champ intérieur (r,t).

4.1 - Equations de continuité :

Prenons un élément de volume  d’un semi-conducteur parcouru par un courant J, figure 8, et
calculons la variation dans le temps des concentrations de porteurs n et p dans  :

dx
x

Fig 8 : Semi-conducteur polarisé

La variation totale de la densité en é libres par unité de temps dans l’élément de volume  est
donnée par :

∂n ( n (x )−n( x +dx ))
=. . .. .. . .. .. . .+
∂t dt

- n(x) = densité de porteurs entrant dans l’élément de volume ,

- n(x+dx) = densité de porteurs sortant de l’élément de volume .

1 dt
n( x )= ⋅J n (x )⋅
La concentration est liée au courant J par l’équation : q dx 
1 dt
n( x )−n( x +dx )= ⋅( J n ( x )−J n ( x +dx ))⋅ =.......................⋅ dt
q dx dx . Ce qui donne :

∂n 1 ∂ Jn ( x )
=g n−r n −
∂t q ∂x .

27
De même la variation totale des trous libres par unité de temps dans l’élément de volume 
sera donnée par :

∂p 1 ∂ J p( x )
=g p −r p −
∂t q ∂x
Si nous reportons les expressions des courants totales Jn et Jp, nous aurons :

∂n n−n0 ∂n ∂ξ ∂2 n
=g n− + μn ξ + nμn + Dn
(1) ∂t τn ∂x ∂x ∂ x2 en cm-3.s-1

∂p p−p 0 ∂p ∂ξ ∂ p
2
=g − −μ p ξ − pμ p +D p 2
(2) ∂t p τp ∂x ∂x ∂x en cm-3.s-1.

Les équations (1) et (2) sont appelées : équations de continuité de la charge dans le matériau
semi-conducteur.

4.2 Equation de Poisson – Maxwell :

En tout point M de l’élément de volume  du matériau semi-conducteur, nous avons :

………………………….
soit dans une seule dimension x :

∂ξ(x)
=................................................................................
(3) ∂x

Conclusion : Les trois équations (1), (2), et (3) régissent le fonctionnement de tout composant
électronique(ou dispositifs) à semi-conducteur

28
29